CN109119737B - 天线装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供天线装置，其包含第一基板，以及面对第一基板并与第一基板间隔设置的第二基板。至少一工作单元位于第一基板与第二基板之间，其中至少一工作单元填有调制材料。至少一缓冲单元与至少一工作单元连接，以调整至少一工作单元中调制材料的量。

Description

天线装置
技术领域
本公开关于含有调制材料的天线装置，特别是关于具有较佳基板间距均匀性的天线装置。
背景技术
已知天线装置在工作温度范围宽广(如20℃至200℃)时面临问题。举例来说，当天线装置的调制材料包括液晶分子时，液晶分子的体积受热膨账，造成上下基板之间的间距增加而劣化装置效能，甚至爆板而破坏天线装置。目前亟需方法在液晶分子受热膨胀时，维持基板间距均匀，使装置能在不同工作温度下顺利运作。
发明内容
本公开一实施例提供的天线装置，其特征在于包括：第一基板；第二基板，面对所述第一基板并与所述第一基板间隔设置；至少一工作单元，位于所述第一基板与所述第二基板之间，其中所述至少一工作单元填有调制材料；以及至少一缓冲单元，连接至所述至少一工作单元以调整所述至少一工作单元中的所述调制材料的量。
本公开一实施例提供的具有有源区的天线装置，其特征在于包括：第一基板；第二基板，面对所述第一基板并与所述第一基板间隔设置；多个工作单元，位于所述第一基板与所述第二基板之间，且所述工作单元位于所述有源区中；调制材料，填入所述有源区中；以及至少一缓冲单元，连接至所述有源区以调整所述有源区中的所述调制材料的量。
本公开一实施例提供的天线装置，其特征在于包括：第一基板；第二基板，面对所述第一基板并与所述第一基板间隔设置；至少一工作单元，位于所述第一基板与所述第二基板之间，且所述至少一工作单元填有调制材料；以及至少一第一间隔物，位于所述至少一工作单元之外。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
图1A是本公开一些实施例中，天线装置的上视图。
图1B是图1A的天线装置沿着剖线B-B’的剖视图。
图1C是本公开一些实施例中，天线装置的剖视图。
图2A是本公开一些实施例中，天线装置的上视图。
图2B是本公开一些实施例中，天线装置的上视图。
图3A是本公开一些实施例中，天线装置的上视图。
图3B是图3A的高频装置沿着剖线B-B’的剖视图。
图3C是本公开一些实施例中，天线装置的剖视图。
图3D是本公开一些实施例中，天线装置的上视图。
图3E是本公开一些实施例中，天线装置的上视图。
图4A至4I是本公开一些实施例中，工作单元与缓冲单元的上视图。
图5A至5C是本公开一些实施例中，天线装置的剖视图。
图6是本公开一些实施例中，设置于工作单元内的间隔物的上视图。
符号说明：
D1 第一方向
W1、W2、W3 宽度
11 第一基板
12A、28A 第一分隔件
12B、28B 第二分隔件
12C 端点
13 封胶
15 第二基板
17 有源区
18 开口
19 缓冲单元
19A 管状部分
19B 储存区
20 功能电路
21 第一电极
22 空间
23 第二电极
23’ 狭缝
25 调制材料
27 间隔物
28 挡墙
29 工作单元
32 非工作区
51 第一边界层
53 第二边界层
62 第一间隔物
64 第二间隔物
100、200 天线装置
300 调制单元
具体实施方式
为克服上述调制材料(包含但不限于液晶分子)热膨胀的问题，本公开一实施例采用与有源区相连的缓冲单元以调整有源区中的调制材料量。
图1A是一些实施例中，具有有源区17的天线装置100其上视图。多个工作单元29位于有源区17中。图1B是图1A中具有有源区17的天线装置100 沿着剖线B-B’的剖视图。在图1B中，仅显示一个第一电极21与对应第一电极 21的一个狭缝23’以简化图式，而未图示剖线B-B’上的所有第一电极21与狭缝23’。另一方面，图1A中的第一电极21与对应狭缝23’的数目、上视形状、与排列方式仅用以举例。本技术领域中具有通常知识者自可依设计需求调整第一电极21与对应狭缝23’的数目、上视形状、与排列方式，而不限于图1A所示的态样。
如图1A与1B所示，第一分隔件12A位于第一基板11与第二基板15之间，并围绕有源区17。缓冲单元19包含第二分隔件12B，其位于第一基板11 与第二基板15之间，并连接至第一分隔件12A。值得注意的是，用语「围绕」并不表示第一分隔件12A为完全封闭的结构，且第一分隔件12A可为C形。在一些实施例中，第一分隔件12A与第二分隔件12B可为粘着材料，包含但不限于密封胶、点胶、粘着性的间隔物、或双面胶。在其他实施例中，第一分隔件12A与第二分隔件12B可为能分隔第一基板11与第二基板15的任何材料，包含但不限于间隔物。第一分隔件12A与第二分隔件12B可一起形成，且形成方法可为喷涂、网印、或其他合适方法。值得注意的是，若第一分隔件12A与第二分隔件12B为间隔物，则可在第一分隔件12A与第二分隔件12B之外的位置施加封胶(如密封胶或其他粘着材料)，以粘着第一基板11与第二基板15。换言之，封胶13围绕有源区17与缓冲单元19。开口18位于有源区17与缓冲单元19之间。在图1A与1B中，缓冲单元19提供的空间22可调整有源区17 中调制材料25的量，而开口18提供的通道可让调制材料25在有源区17与缓冲单元19之间移动或流动。然而开口18的数目可超过一个，且不同的开口18 可具有不同尺寸。
另一方面，更多缓冲单元19可连接至有源区17，比如四个缓冲单元19分别位于有源区17的四个侧边上，且各自经由不同的开口18连接至有源区17。在此实施例中，不同缓冲单元19可具有不同尺寸，且连接有源区17与不同缓冲单元19的不同孔洞18亦可具有不同尺寸，端视需求而定。在此实施例中，于第一基板11的法线方向的视角，开口18具有两个端点12C连接第一分隔件 12A与第二分隔件12B，而穿过端点12C的虚拟连接线平行于第一方向D1。开口18沿着第一方向D1的宽度W1，小于有源区17沿着第一方向D1的宽度 W2。在另一实施例中，开口18沿着第一方向D1的宽度W1，小于缓冲单元 19沿着第一方向D1的宽度W3。在此实施例中，有源区17可填有调制材料，但不限于此。
工作单元29包含至少一第一电极21于第一基板11上，以及第二电极23 于第二基板15上。在此实施例中，多个工作单元29对应有源区17中的多个第一电极21，而第一分隔件12A围绕第一电极21所在的区域。第二电极23 具有多个狭缝23’，且每一狭缝23’各自对应第一电极21的一者，如图1B所示。此外，至少一第一电极21的一部分与第二电极23重叠。每一第一电极21可电性连接至对应的功能电路20。在一些实施例中，功能电路20可与第一电极 21同样位于第一基板11的上表面上。在其他实施例中，功能电路20可位于第一基板11的下表面上，且第一电极21与功能电路20之间的电性连接包含穿过第一基板11的穿孔(未图示)。在又一实施例中，功能电路20可位于第一分隔件12A之外，而非位于有源区17中。每一工作单元29中均填有调制材料25。
在一些实施例中，天线装置100为液晶天线装置，即调制材料25包含液晶分子。功能电路20可施加电压至第一电极21，借由第一电极21的电场改变第一电极21与第二电极23之间的调制材料25(如液晶分子)其排列方向。另一方面，功能电路20亦可施加另一电压至第一电极21，使其发射电磁信号穿过狭缝23’，且电磁信号的方向可经由调制材料25(如液晶分子)的排列方向调整。第二电极23可电性浮置、接地、或连接至其他电路(未图示)。第二电极23的作用为遮蔽电磁信号，使电磁信号朝向狭缝23’，以增加电磁信号的信号/噪声比。在图1A与1B中，第二电极23为整片的层状物，其具有狭缝23’各自对应分离的第一电极21。在另一实施例中，对应不同狭缝23’的第二电极23彼此不相连，且各自连接至不同电路。换言之，每一分离的第二电极23(如盘状)各自具有狭缝23’。值得注意的是，除了上述天线装置如液晶天线外，本公开的设计可应用于所有含液晶分子的装置中，比如调制装置、相移器、可变电容器、或可调谐振器。只要是可能因受热膨胀产生上下基板之间距离改变的装置，均属本公开的范畴。
在一些实施例中，为了使有源区17中第一基板11与第二基板15之间的距离稳定，可形成间隔物27于第一基板11与第二基板15之间。一般而言，间隔物27可与第一电极21相邻，以确保靠近第一电极21与狭缝23’的基板间距离稳定。除此之外，间隔物27亦可形成于有源区17中的其他位置。间隔物 27可为柱状、墙状、或较大面积的块状，只要不与狭缝23’重叠即可。间隔物 27除了可稳定有源区17中的基板间距之外，还可节省液晶分子用量。在一些实施例中，间隔物27可为光阻，其位置与形状可由光刻制程所定义。在另一实施例中，间隔物27可为粘着材料(比如与封胶类似的材料)，其形成方法可为喷涂、网印、或其他合适的涂布方法。在其他实施例中，间隔物27的位置可对应图1C所示的缓冲单元19，以控制缓冲单元19的基板间距。在一些实施例中，间隔物27可位于开口18处，以作为控制调制材料25的量的闩(latch) 结构。此外，于第一基板11的法线方向的视角，间隔物27包含交错设置的第一间隔物与第二间隔物，其比位于开口18的单一间隔物具有更佳的控制能力。间隔物27的组成可为(但不限于)单一材料或复合材料，比如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯(PE)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、或玻璃。
在一些实施例中，有源区17用于容纳调制材料25，而缓冲单元19用于容纳调制材料25受热膨胀后增加的体积。当温度下降时，有源区17中的调制材料25的体积缩小，而缓冲单元19中的部分调制材料25可流回有源区17。缓冲单元19可设计为足以容纳溢流的调制材料25。在一些实施例中，于第一基板11的法线方向的视角，缓冲单元19的面积与有源区17的面积之间的比例大于0.01且小于0.5。有源区17的面积可由第一分隔件12A与开口18的端点12C之间的虚拟连接线所定义，而缓冲单元19的面积可由第二分隔件12B与开口18的端点12C之间的虚拟连接线所定义，更进一步的说，有源区17的面积为第一分隔件12A于基板13的投影以及开口18的端点12C之间的虚拟连接线所围出的面积，缓冲单元19的面积为第二分隔件12B于基板13的投影与开口18的端点12C之间的虚拟连接线所围出的面积。在另一实施例中，有源区 17的第一容量由第一基板11、第一电极21、第二基板15、第二电极23、第一分隔件12A、与开口18的端点12C之间的虚拟连接线所定义。缓冲单元19的第二容量由第一基板11、第二基板15、第二分隔件12B、与开口18的端点12C 之间的虚拟连接线所定义。第二容量与第一容量的比例大于0.01且小于0.5。在一些实施例中，天线装置100的工作温度介于第一温度与第二温度之间，比如20℃至200℃之间。于第二温度(如200℃)时的调制材料25，比第一温度(如 20℃)时的调制材料25多了体积X，且体积X为调制材料25(如液晶分子)的热膨系数乘以第一温度与第二温度的温度差(第二温度减第一温度)。缓冲单元19 设计为具有足够空间，以容纳调制材料25热膨胀后增加的体积X。若第二容量过小，则缓冲单元19无法完全容纳调制材料25受热膨胀后增加的体积X，因此无法避免基板间距增加甚至爆板的问题。若第二容量过大，则浪费额外空间并增加天线装置100的体积。
在一些实施例中，可形成第一电极21于第一基板11上，其形成方法可为沉积导电层后，再以光刻与蚀刻等制程图案化导电层以形成第一电极21。在一些实施例中，导电层可为金属、合金、或透明导电氧化物(如铟锡氧化物、铝锌氧化物、或类似物)。接着形成间隔物27于第一基板11上。间隔物27的材料可为光阻，其形成方法可为光刻制程。在其他实施例中，间隔物27的组成为粘着材料，其形成方法可为喷涂、网印、或其他合适方法。此外，亦可以合适制程形成功能电路20，其形成方法端视功能电路20的结构与位置而定。接着将第一分隔件12A与第二分隔件12B涂布于邻近于第一基板11的边框位置。若间隔物27、第一分隔件12A、与第二分隔件12B的材料采用相同的粘着材料，可同时形成间隔物27、第一分隔件12A与第二分隔件12B。之后将第一基板 11置于真空腔室中，将调制材料25填入第一分隔件12A围绕的有源区17中。若此制程步骤的温度大于20℃，则调制材料25需填入部分的缓冲单元19中。如此一来，即使天线装置100回到20℃后，调制材料25可回填至有源区17。
在进行上述制程之前、之中、或之后，可另外形成第二电极23于第二基板15上，再以光刻与蚀刻等步骤图案化第二电极23以形成狭缝23’。第二电极23可包括金属、金属氧化物、碳材、或其他合适的电磁波传输材料。接着将第二基板15与第一基板11结合以完成天线装置100，且第一基板11与第二基板15相隔一距离。由于调制材料25具有强内聚力，因此有源区17中的调制材料25与缓冲单元19中的调制材料25(若存在)将相连。虽然缓冲单元19中未填有调制材料25的部分为真空状态，此真空对调制材料25的拉力仍小于调制材料25的内聚力。换言之，上述天线装置100较不会产生缓冲单元19中未填有调制材料25的真空部分穿过开口18进入有源区17的现象。在相隔一距离的第一基板11与第二基板15粘着之后，有源区17不论在何种工作温度下，均填满调制材料25(如液晶分子)。至于调制材料25受热膨胀的部分，将经由开口18进入缓冲单元19中。当天线装置100的温度降低，缓冲单元19 中的调制材料25再经由开口18流动或移动回有源区17。
在另一实施例中，缓冲单元19与有源区17之间至少隔有挡墙28，如图 2A与2B所示。挡墙28定义的开口18连接有源区17与缓冲单元19。在图2A 中，两个挡墙28之间仅具有单一开口18。然而开口18的数目可超过一个，且不同开口18可具有不同尺寸。虽然图2A中的缓冲单元19位于有源区17的角落，但缓冲单元19亦可位于其他位置。此外，更多缓冲单元19可连接至有源区17，比如四个缓冲单元19分别位于第一基板11的四个角落上，且缓冲单元19各自经由不同的开口18连接至有源区17。在此实施例中，不同缓冲单元19 可具有不同尺寸，且连接有源区17与不同缓冲单元19的不同开口18亦可具有不同尺寸，端视需求而定。在图2A中，穿过开口18的两个端点的虚拟连接线平行于挡墙28，且平行于第一方向。开口18沿着第一方向D1的宽度W1，小于有源区17沿着第一方向D1的宽度W2。此外，开口18沿着第一方向D1 的宽度W1，亦小于缓冲单元19沿着第一方向D1的宽度W3。在一些实施例中，不论缓冲单元19的位置在何处，有源区17与缓冲单元19之间均隔有挡墙28，且挡墙28定义的开口18连接有源区17与缓冲单元19。在一些实施例中，挡墙28可为粘着材料(比如密封胶)，其形成方法可为喷涂、网印、或其他合适的涂布方法。在另一实施例中，挡墙28可为光阻材料，其制造方法可为光刻制程。当挡墙28与间隔物27的材料均为光阻时，可采用光刻制程同时制作挡墙28与间隔物27。当挡墙28与第一分隔件12A(或封胶13)的材料为相同的粘着材料时，可同时形成挡墙28与第一分隔件12A(或封胶13)。在图2B的另一实施例中，挡墙28设计为彼此交错以形成挡墙28之间的开口18。
图3A是一些实施例中，天线装置200的上视图。图3B是图3A中的天线装置200，沿着剖线B-B’的剖视图。在图3B中，仅显示一调制单元300以简化图式，而未图示剖线B-B’上的所有调制单元300。另一方面，图3A的调制单元300的数目与排列方式，以及调制单元300中第一电极21与对应狭缝23’的上视形状仅用以举例。本技术领域中具有通常知识者自可依设计需求调整调制单元300的数目与排列方式，以及调制单元300中第一电极21与对应狭缝23’的上视形状，而不限于图3A所示的态样。
如图3A与3B所示，封胶13可粘着第一基板11与第二基板15，以围绕多个调制单元300。在一些实施例中，封胶13为粘着材料，其形成方法为喷涂、网印、或其他合适的涂布方法。每一调制单元300包括至少一工作单元29与至少一缓冲单元19，工作单元29填有调制材料25，且缓冲单元19连接至工作单元29以调整工作单元29中调制材料25的量。工作单元29包含第一分隔件28A于第一基板11与第二基板15之间，缓冲单元19包含第二分隔件28B 于第一基板11与第二基板15之间，且第二分隔件28B连接至第一分隔件28A。开口18位于工作单元29与缓冲单元19之间。在一些实施例中，第一分隔件 28A与第二分隔件28B可为粘着材料(比如与粘着剂类似)，其形成方法可为喷涂、网印、或其他合适的涂布方法。在其他实施例中，第一分隔件28A与第二分隔件28B可为光阻，且其定义方法可为光刻制程。在其他实施例中，第一分隔件28A与第二分隔件28B可为间隔物。在图3A中，工作单元29经由单一开口18连接至缓冲单元19。然而开口18的数目可超过一个，且不同开口 18可具有不同尺寸。另一方面，更多的缓冲单元19可连接至工作单元29。举例来说，四个缓冲单元19可位于工作单元29的四个侧边上，而缓冲单元19 可各自经由不同开口18连接至工作单元29。在此实施例中，不同缓冲单元19 可具有不同尺寸，且连接不同缓冲单元19与工作单元29的不同开口18可具有不同尺寸，端视需求而定。
在每一调制单元300的工作单元29中，至少一第一电极21位于第一基板 11上，且第二电极23位于第二基板15上。第二电极23具有至少一狭缝23'，且狭缝23'各自对应第一电极21，如图3B所示。在此实施例中，工作单元29 包含一第一电极21对应一狭缝23’，因此第一分隔件28A围绕第一电极21所在的区域。在其他实施例中，工作单元29可包含两个或更多第一电极21，因此第一分隔件28A围绕两个或更多第一电极21所在的区域。值得注意的是，用语“围绕”指的并不是第一分隔件28A为完全封闭的结构。第一分隔件28A 可为C形，使调制材料25可在工作单元29与缓冲单元19之间移动或流动。第一电极21可电性连接至对应的功能电路20。在一些实施例中，功能电路20 可与第一电极21同样位于第一基板11的上表面上，且功能电路20位于第一分隔件28A之外。在其他实施例中，功能电路20可位于第一基板11的下表面上，且第一电极21与功能电路20之间的电性连接包含穿过第一基板11的穿孔(未图示)。在又一实施例中，功能电路20可位于封胶13之外。
在一些实施例中，天线装置200为液晶天线装置，其具有多个调制单元300。在每一调制单元300中，功能电路20可施加电压至第一电极21，借由第一电极21的电场改变第一电极21与第二电极23之间的调制材料25(如液晶分子) 其排列方向。另一方面，功能电路20亦可施加另一电压至第一电极21，使其发射电磁信号穿过开口23’，且电磁信号的方向可经由调制材料25的排列方向调整。第二电极23可浮置、接地、或连接至其他电路(未图示)。第二电极23 的作用为遮蔽电磁信号，使电磁信号朝向狭缝23’并增加电磁信号的信号/噪声比。在图3A、3B、与3E中，第二电极23为整片的层状物，其具有狭缝23’各自对应分离的第一电极21。在其他实施例中，对应不同狭缝23’的第二电极 23彼此不相连，且各自连接至不同的电路。换言之，每一分离的第二电极23(如盘状)各自具有狭缝23’。值得注意的是，除了上述天线装置如液晶天线装置外，本公开的设计可应用于任何含液晶分子的装置中，比如调整装置、相移器、可变电容器、或可调谐振器。只要是液晶受热膨胀造成上下基板之间距离改变的装置，均属本公开的范畴。
在一些实施例中，为了维持工作单元29中，第一基板11与第二基板15 之间的距离稳定，可形成间隔物27于第一基板11与第二基板15之间。一般而言，间隔物27可位于工作单元29中并与第一电极21相邻，以确保靠近第一电极21与狭缝23’的基板间距离稳定。此外，间隔物27亦可形成于工作单元29以外的位置(比如第一分隔件28A与第二分隔件28B之外)，以进一步维持工作单元29之内与之外的基板间距均匀，如图3C与3D所示。换言之，工作区17包含位于至少两个调制单元300的工作单元29之间的非工作区32，且间隔物27位于非工作区32中。在一些实施例中，位于第一基板11与第二基板15之间的间隔物27可具有不同材料、不同厚度、不同刚性、或不同的投影面积(如间隔物27投影至第一基板11或第二基板15上的面积)。举例来说，高刚性(或较大投影面积)的间隔物27可用以维持第一基板11与第二基板15之间的间距。低刚性的间隔物27在天线装置碰撞时，可作为第一基板11与第二基板15之间的避震器以保护工作单元29。在其他实施例中，间隔物27可对应缓冲单元19设置，以控制缓冲单元19的基板间距。间隔物27可为柱状、墙状、或较大面积的块状，只要不与狭缝23’重叠即可。间隔物27除了可稳定工作单元29中的基板间距之外，还可减少调制材料25的用量。在一些实施例中，间隔物27可为光阻，其位置与形状可由光刻制程所定义。在另一实施例中，间隔物27可为粘着材料(比如与封胶类似的材料)，其形成方法可为喷涂、网印、或其他合适的涂布方法。间隔物27的组成可为(但不限于)单一材料或复合材料，比如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯(PE)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、或玻璃。
在一些实施例中，工作单元29用于容纳调制材料25，而缓冲单元19用于提供空间22以调整调制材料25的数量。缓冲单元19可设计为足以容纳溢流的调制材料25。在一些实施例中，于第一基板11的法线方向的视角，缓冲单元19的面积与工作单元29的面积之间的比例大于0.01且小于0.5。在另一实施例中，工作单元29的第一容量由第一基板11、第一电极21、第二基板15、第二电极23、第一分隔件28A、与开口18的端点之间的虚拟连接线所定义。缓冲单元19的第二容量由第一基板11、第二基板15、第二分隔件28B、与开口18的端点之间的虚拟连接线所定义。第二容量与第一容量的比例大于0.01 且小于0.5。在一些实施例中，天线装置200的工作温度介于第一温度与第二温度之间，比如20℃至200℃之间。操作于第二温度(如200℃)的调制材料25，比操作于第一温度(如20℃)的调制材料25多了体积X，且体积X为调制材料 25(如液晶分子)的热膨系数乘以第一温度与第二温度的温度差(第二温度减第一温度)。缓冲单元19设计为具有足够空间，以容纳调制材料25热膨胀后增加的体积X。若第二容量过小，则缓冲单元19无法完全容纳调制材料25受热膨胀后增加的体积X，因此无法避免基板间距增加甚至爆板的问题。若第二容量过大，则浪费额外空间并增加调制单元300及天线装置200的体积。
在一些实施例中，可形成第一电极21于第一基板11上，其形成方法可为沉积导电层后，再以光刻与蚀刻等制程图案化导电层以形成第一电极21。在一些实施例中，导电层可为金属、合金、或透明导电氧化物(如铟锡氧化物、铝锌氧化物、或类似物)。接着形成间隔物27、第一分隔件28A、与第二分隔件28B 于第一基板11上。间隔物27、第一分隔件28A、与第二分隔件28B的材料可为光阻，其可由光刻制程所定义。在其他实施例中，间隔物27、第一分隔件 28A、与第二分隔件28B的组成为粘着材料(如密封胶)，其形成方法可为喷涂、网印、或其他合适方法。在一些实施例中，间隔物27、第一分隔件28A、与第二分隔件28B中至少一者为光阻，而其他为粘着材料。如此一来，光阻的单元可由光刻制程定义，而粘着材料的单元可由喷涂、网印、或其他合适的涂布方法定义。此外，亦可以合适制程形成功能电路20，其形成方法端视功能电路 20的结构与位置而定。接着将封胶13涂布于第一基板11的边框位置。若间隔物27(及/或第一分隔件28A与第二分隔件28B)与封胶13采用相同的粘着材料，则可同时形成间隔物27(及/或第一分隔件28A与第二分隔件28B)与封胶13。值得注意的是在图3E所示的另一实施例中，可在形成第一分隔件28A与第二分隔件28B于第一基板11(或第二基板15)上之后，网印封胶13于第一基板11 上，使封胶13围绕第一分隔件28A与第二分隔件28B。封胶13的材料可为密封胶，而第一分隔件28A不只用于维持基板间距，还可围绕调制材料25。如此一来，调制材料25将不会接触封胶13，可避免封胶13污染调制材料25。之后将第一基板11置于真空腔室中，将调制材料25填入第一分隔件28A围绕的工作单元29中。若此制程步骤的温度大于20℃，则调制材料25需填入部分的缓冲单元19中。如此一来，即使天线装置200回到20℃后，调制材料25仍可回填至工作单元29。
在进行上述制程之前、之中、或之后，可另外形成第二电极23于第二基板15上，再以光刻与蚀刻等步骤图案化第二电极23以形成狭缝23’。第二电极23可包括金属、金属氧化物、碳材、或其他合适的电磁波传输材料。接着将第二基板15粘合至第一基板11以完成天线装置200。由于调制材料25具有强内聚力，因此工作单元29中的调制材料25与缓冲单元19中的调制材料25(若存在)将相连。虽然缓冲单元19中未填有调制材料25的部分为真空状态，此真空对调制材料25的拉力仍小于调制材料25的内聚力。换言之，上述调制单元 300较不会产生缓冲单元19中未填有调制材料25的真空部分，穿过开口18进入工作单元29的现象。在第一基板11与第二基板15粘着之后，工作单元29 不论在何种工作温度下，均填满调制材料25。至于调制材料25受热膨胀的部分，将经由开口18进入缓冲单元19中。当天线装置200的温度降低，缓冲单元19中的调制材料25再经由开口18流动或移动回工作单元29。
与图1A、1B、2A、与2B所示的天线装置100相较，图3D的天线装置 200在第一分隔件28A之间的非工作区32不具有调制材料25，因此可节省调制材料25的用量。在一些实施例中，调制材料25可占据第一分隔件28A之间的非工作区32。
图4A至4I是本公开一些实施例中，工作单元29与缓冲单元19的上视图。在一些实施例中，缓冲单元19为圆形螺旋管状部分，如图4A所示。在一些实施例中，缓冲单元19为方形螺旋管状部分，如图4B所示。在一些实施例中，缓冲单元19包括两个曲折管状部分19A，以及两个储存区19B分别位于曲折的管状部分19A的末端，如图4C所示。在一些实施例中，缓冲单元19包括直线状的管状部分19A，以及储存区19B位于直线状的管状部分19A的末端与开口18之间，如图4D所示。在一些实施例中，缓冲单元19为管状部分，其围绕工作单元29的周边，如图4E所示。在其他实施例中，工作单元29可为三角形、方形、六角形、八角形、椭圆形、水滴形、或其他形状。在其他实施例中，缓冲单元19与工作单元29之间的开口18其数目可为多个。举例来说，单一的储存区19B(或多个储存区19B)可经由多个管状部分19A与对应的开口 18连接至工作单元29。此外，位于开口18与管状部分19A其末端之间的储存区19B数目可为多个。在其他实施例中，储存区19B可为三角形、六角形、八角形、椭圆形、水滴形、或其他形状。在图4E中，管状的缓冲单元19围绕约 3/4圈的工作单元29其周边，但其他实施例中管状的缓冲单元19可围绕更多圈(比如2圈或更多圈)或更少圈(比如1/2圈)的工作单元29其周边。另一方面，若有多个管状的缓冲单元19连接至工作单元29，则每一缓冲单元19对应的开口18其尺寸可相同或不同，且每一缓冲单元19的体积可相同或不同，端视需求而定。在一些实施例中，缓冲单元19可连接不同的工作单元29，如图4F所示。在一些实施例中，管状的缓冲单元19可连接对应不同工作单元29的缓冲单元19，如图4G所示。在一些实施例中，不同的工作单元29连接至单一的缓冲单元19，如图4H与4I所示。在一些实施例中，缓冲单元19可为非封闭的结构而具有开放的末端，即缓冲单元19其远离开口18的末端开放。本公开中缓冲单元的末端设计不受限于任何特定态样，且本技术领域中具有通常知识者自可依需要设计缓冲单元的末端。
在一些实施例中，可在第一基板11及/或第二基板15的表面上设置第一边界层51，且第一边界层51包含第一材料，如图5A所示。第一边界层51接触第一基板11或第一基板11上的第一电极21(或图5A未图示的其他层状物)，而另一第一边界层51接触第二基板15或第二基板15上的第二电极23(或图 5A未图示的其他层状物)。一般而言，为了配向有源区17或工作单元29中的调制材料25，设置于基板表面上的第一边界层51为聚亚酰胺。然而缓冲单元 19中的调制材料25不需配向，因此缓冲单元19中的基板表面不需涂布聚亚酰胺。另一方面，可在缓冲单元19的基板表面上设置第二边界层53，且第二边界层53包含第二材料，如图5B与5C所示。第二边界层53接触第一基板11(或第一基板11上图5B与5C未图示的其他层状物)，而另一第二边界层53接触第二基板15或第二基板15上的第二电极23(或图5B与5C未图示的其他层状物)。在一些实施例中，第二边界层53可为含氟聚合物如聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、或类似物，第一材料与第二材料不同。在一些实施例中，调制材料25 与第一边界层51之间的附着力，大于调制材料25与第二边界层53之间的附着力。如此一来，调制材料25倾向于留在有源区17或工作单元29中。另一方面，调制材料25在涂布第二边界层53的缓冲单元19(见图5B与5C)的移动速率，会大于调制材料25在涂布第一边界层51的工作单元29(见图5A)的移动速率。这有助于调制材料25在较高温时快速进入缓冲单元19，并在较低温时快速回到有源区17或工作单元29。
在另一实施例中，天线装置200更包含第三间隔物于工作单元29中，以维持第一基板11与第二基板15之间的距离，使调制材料25的调整功能得以正常运作。
综上所述，本公开的数个实施例以连接至有源区或工作单元的缓冲单元，解决天线装置在不同温度下工作时基板间距增加的问题。此外，缓冲单元中所容纳的调制材料25，在冷却收缩后可回到有源区或工作单元。当调制材料经由开口在有源区(或工作单元)与缓冲单元之间流动时，有源区(或工作单元)填满液晶且维持相同的基板间距。若高温时流出有源区或工作单元的调制材料，在低温时未回流有源区或工作单元，则基板间距会缩小。本公开的调制材料在较低温时可回到有源区或工作单元，有助于避免有源区或工作单元的调制材料越来越少所造成的基板间距缩小的问题。图6所示的多种实施例亦采用第一间隔物62与第二间隔物64，其位于工作单元之外以维持工作单元之内与之外的基板间距均匀，可解决不同温度下工作的天线装置其基板间距增加的问题。在一些实施例中，第一间隔物62与第二间隔物64的材料不同。在一些实施例中，第一间隔物62与第二间隔物64的刚性不同。在一些实施例中，第一间隔物62 与第二间隔物64的厚度不同。此外，第三间隔物(比如对应工作单元29的间隔物27)可搭配上述的第一间隔物62与第二间隔物64。
值得注意的是一些实施例中，一些调制材料25填入缓冲单元19，因此在天线装置在低温下工作时，调制材料25可流入有源区17或工作单元29。但在其他实施例中，缓冲单元19中不具有调制材料25。如此一来，天线装置在高温下工作时，缓冲单元19具有更多空间以调整调制材料25其增加的体积。
值得注意的是一些实施例中，当天线装置在不同温度下工作时，缓冲单元 19可提供空间以调整调制材料25的数量。此外，当制程中注入过多的调制材料时，缓冲单元亦可提供空间给这些过多的调制材料25，使基板间距维持均匀。
虽然本公开已以数个实施例公开如上，然其并非用以限定本公开，任何本技术领域中具有通常知识者，在不脱离本公开的精神和范围内，当可作任意的更动与润饰，因此本公开的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。

Claims (22)

1.一种天线装置，其特征在于包括：
第一基板；
第二基板，面对所述第一基板并与所述第一基板间隔设置；
至少一工作单元，位于所述第一基板与所述第二基板之间，其中所述至少一工作单元填有调制材料；
至少一缓冲单元，连接至所述至少一工作单元以调整所述至少一工作单元中的所述调制材料的量；
第一边界层，位于所述第一基板与所述第二基板的至少一者上并对应所述至少一工作单元，所述第一边界层包含第一材料；以及
第二边界层，位于所述第一基板与所述第二基板的至少一者上并对应所述至少一缓冲单元，所述第二边界层包含第二材料，所述第一材料与所述第二材料不同，且所述调制材料与所述第一边界层之间的附着力，大于所述调制材料与所述第二边界层之间的附着力。
2.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于所述至少一工作单元包括：
至少一第一电极，位于所述第一基板上；以及
第二电极，位于所述第二基板上，其中所述第二电极包括至少一狭缝，且所述至少一狭缝对应所述至少一第一电极。
3.如权利要求2所述的天线装置，其特征在于所述第一电极的一部分与所述第二电极重叠。
4.如权利要求2所述的天线装置，其特征在于所述至少一工作单元更包括第一分隔件，所述第一分隔件位于所述第一基板与第二基板之间，且所述第一分隔件围绕所述至少一第一电极。
5.如权利要求4所述的天线装置，其特征在于所述至少一缓冲单元更包括第二分隔件，且所述第二分隔件连接至所述第一分隔件。
6.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于更包括封胶设置于所述第一基板与所述第二基板之间，且所述封胶环绕所述至少一工作单元与所述至少一缓冲单元。
7.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于所述至少一缓冲单元提供空间以调整所述至少一工作单元中的所述调制材料的量。
8.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于更包括第一间隔物设置于所述至少一缓冲单元中。
9.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，于所述第一基板的法线方向的视角，所述至少一缓冲单元的面积与所述至少一工作单元的面积之间的比例大于0.01且小于0.5。
10.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于所述至少一缓冲单元包括管状部分，所述管状部分为螺旋状、直线状、或曲折状。
11.如权利要求10所述的天线装置，其特征在于所述缓冲单元更包括储存区以连接至所述管状部分的一端。
12.一种具有有源区的天线装置，其特征在于包括：
第一基板；
第二基板，面对所述第一基板并与所述第一基板间隔设置；
多个工作单元，位于所述第一基板与所述第二基板之间，且所述多个工作单元位于所述有源区中；
调制材料，填入所述有源区中；
至少一缓冲单元，连接至所述有源区以调整所述有源区中的所述调制材料的量；
第一边界层，位于所述第一基板与所述第二基板的至少一者上并对应所述有源区，所述第一边界层包含第一材料；以及
第二边界层，位于所述第一基板与所述第二基板的至少一者上并对应所述至少一缓冲单元，所述第二边界层包含第二材料，所述第一材料与所述第二材料不同，且所述调制材料与所述第一边界层之间的附着力，大于所述调制材料与所述第二边界层之间的附着力。
13.如权利要求12所述的天线装置，其特征在于每一所述工作单元包括：
至少一第一电极，位于所述第一基板上；以及
第二电极，位于所述第二基板上，所述第二电极包括至少一狭缝，且所述至少一狭缝对应所述至少一第一电极。
14.如权利要求12所述的天线装置，其特征在于更包括第一分隔件设置于所述第一基板与所述第二基板之间，其中所述第一分隔件围绕所述有源区。
15.如权利要求12所述的天线装置，其特征在于所述至少一缓冲单元提供空间以调整所述有源区中的所述调制材料的量。
16.如权利要求12所述的天线装置，其特征在于更包括至少一第一间隔物设置于所述至少一缓冲单元中。
17.如权利要求12所述的天线装置，其特征在于，于所述第一基板的法线方向的视角，所述至少一缓冲单元的面积与所述有源区的面积之间的比例大于0.01且小于0.5。
18.如权利要求1所述的一种天线装置，还包括：
至少一第一间隔物，位于所述至少一工作单元之外；以及
第三间隔物对应所述至少一工作单元设置。
19.如权利要求18所述的天线装置，其特征在于更包括至少一第二间隔物，位于所述至少一工作单元之外。
20.如权利要求19所述的天线装置，其特征在于所述第一间隔物与所述第二间隔物的材料不同。
21.如权利要求19所述的天线装置，其特征在于所述第一间隔物与所述第二间隔物的刚性不同。
22.如权利要求19所述的天线装置，其特征在于所述第一间隔物与所述第二间隔物的厚度不同。
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