CN113871819B - 移相器及其制作方法、天线 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供了一种移相器及其制作方法、天线，涉及电磁波技术领域，提高辐射信号辐射角度的准确性。移相器包括：第一基板，设有用于接收接地信号的第一电极；第二基板，第二基板朝向第一基板的一侧设有第二电极；正对腔体，包括第二电极设置区域、过渡区域和周边区域，在垂直第二基板所在平面方向上，第二电极设置区域正投影与第二电极正投影重合，每个过渡区域围绕至少一个第二电极设置区域，周边区域位于过渡区域远离第二电极设置区域一侧；封装在第一基板和第二基板之间的液晶；设于第一基板和第二基板之间的支撑结构，包括位于过渡区域的第一支撑柱和位于周边区域的第二支撑柱，第一支撑柱的分布密度大于第二支撑柱的分布密度。

Description

移相器及其制作方法、天线

【技术领域】

本发明涉及电磁波技术领域，尤其涉及一种移相器及其制作方法、天线。

【背景技术】

随着通信系统的逐渐演进，移相器得到了越来越广泛的应用，以液晶移相器为例，液晶移相器是通过控制液晶旋转，使液晶的介电常数发生变化，以实现对液晶移相器内传输的射频信号进行移相。

在现有技术中，液晶移相器内设置有用于支撑盒厚的支撑柱，但是，基于目前支撑柱的设置位置，液晶移相器的盒厚均一性不高，导致不同区域内液晶的填充体积差异较大，从而对液晶移相器辐射出去的射频信号的辐射角度造成影响，进而影响天线增益。

【发明内容】

有鉴于此，本发明实施例提供了一种移相器及其制作方法、天线，有效提高了移相器所辐射信号的辐射角度的准确性。

一方面，本发明实施例提供了一种移相器，包括：

第一基板，所述第一基板上设有用于接收接地信号的第一电极；

与所述第一基板相对设置的第二基板，所述第二基板朝向所述第一基板的一侧设有第二电极；

形成于所述第一基板和所述第二基板之间的正对腔体，所述正对腔体包括第二电极设置区域、过渡区域和周边区域，其中，在垂直于所述第二基板所在平面的方向上，所述第二电极设置区域的正投影与所述第二电极的正投影重合，每个所述过渡区域围绕至少一个所述第二电极设置区域，所述周边区域位于所述过渡区域远离所述第二电极设置区域的一侧；

封装在所述第一基板和所述第二基板之间的液晶，所述液晶在所述第一电极和所述第二电极的驱动下旋转；

设于所述第一基板和所述第二基板之间的支撑结构，所述支撑结构包括第一支撑柱和第二支撑柱，所述第一支撑柱位于所述过渡区域，所述第二支撑柱位于所述周边区域，其中，所述第一支撑柱的分布密度大于所述第二支撑柱的分布密度。

另一方面，本发明实施例提供了一种移相器的制作方法，所述移相器包括第二电极设置区域、过渡区域和周边区域，其中，所述第二电极设置区域与所述移相器中第二电极的设置区域重合，每个所述过渡区域围绕至少一个所述第二电极设置区域，所述周边区域位于所述过渡区域远离所述第二电极设置区域的一侧；

所述制作方法包括：

提供第一基板，在所述第一基板上形成用于接收接地信号的第一电极；

提供第二基板，在所述第二基板的所述第二电极设置区域内形成第二电极；

在所述第一基板或所述第二基板的所述过渡区域内设置第一支撑柱，在所述第一基板或所述第二基板的所述周边区域内设置第二支撑柱，所述第一支撑柱的分布密度大于所述第二支撑柱的分布密度；

将所述第一基板与所述第二基板对盒，在所述第一基板与所述第二基板之间填充液晶。

再一方面，本发明实施例提供了一种天线，包括：

上述移相器；

馈电部，所述馈电部设于第一基板背向第一电极的一侧，所述馈电部用于接收射频信号；

辐射体，所述辐射体设于所述第一基板背向所述第一电极的一侧，所述辐射体用于将移相后的射频信号辐射出去。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下有益效果：

在本发明实施例中，通过设置一围绕第二电极设置区域的过渡区域，并在过渡区域内设置分布密度更高的第一支撑柱，能够利用第一支撑柱对第二电极设置区域的周边进行更稳定的支撑，从而对第二电极设置区域的盒厚均一性进行改善，降低第二电极设置区域不同位置处液晶填充体积的差异，优化对射频信号的移相效果。并且，当受到外力挤压或低温环境等因素的影响，导致移相器发生压缩时，由于过渡区域内设置有分布更为密集的第一支撑柱，因此能够利用第一支撑柱降低移相器在过渡区域内的压缩程度，从而避免第二电极设置区域、过渡区域所在的整体区域的盒厚产生较大的波动。

可见，采用本发明实施例所提供的技术方案，能够提高对射频信号进行移相的关键区域的盒厚均一性，从而提高移相器辐射出去的射频信号的辐射角度的准确性，进而有效提高了天线增益。

【附图说明】

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为本发明实施例所提供的移相器的结构示意图；

图2为本发明实施例所提供的移相器的俯视图；

图3为图2沿A1-A2方向的剖视图；

图4为本发明实施例所提供的第一支撑柱的分布密度示意图；

图5为本发明实施例所提供的过渡区域的设置方式示意图；

图6为图5沿B1-B2方向的剖视图；

图7为本发明实施例所提供的第一支撑柱的设置方式示意图；

图8为本发明实施例所提供的第一支撑柱的结构示意图；

图9为图8沿C1-C2方向的剖视图；

图10为本发明实施例所提供的第一支撑柱的另一种结构示意图；

图11为本发明实施例所提供的过渡区域的另一种设置方式示意图；

图12为图11的局部放大示意图；

图13为图11的另一种局部放大示意图；

图14为本发明实施例所提供的第一支撑柱的再一种结构示意图；

图15为本发明实施例所提供的第一支撑柱的另一种分布密度示意图；

图16为本发明实施例所提供的第一支撑柱的再一种结构示意图；

图17为本发明实施例所提供的制作方法的流程图；

图18为本发明实施例所提供的天线的俯视图；

图19为本发明实施例所提供的天线的局部剖视图。

【具体实施方式】

为了更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。

应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。

应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

应当理解，尽管在本发明实施例中可能采用术语第一、第二来描述基板、支撑柱、耦合电极，但这些基板、支撑柱、耦合电极不应限于这些术语，这些术语仅用来将基板、支撑柱、耦合电极彼此区分开。例如，在不脱离本发明实施例范围的情况下，第一基板也可以被称为第二基板，类似地，第二基板也可以被称为第一基板。

本发明实施例提供了一种移相器，如图1～图3所示，图1为本发明实施例所提供的移相器的结构示意图，图2为本发明实施例所提供的移相器的俯视图，图3为图2沿A1-A2方向的剖视图，该移相器包括：第一基板1，第一基板1上设有用于接收接地信号的第一电极2；与第一基板1相对设置的第二基板3，第二基板3朝向第一基板1的一侧设有第二电极4；形成于第一基板1和第二基板3之间的正对腔体5，正对腔体5包括第二电极设置区域6、过渡区域7和周边区域8，其中，在垂直于第二基板3所在平面的方向上，第二电极设置区域6的正投影与第二电极4的正投影重合，每个过渡区域7围绕至少一个第二电极设置区域6，周边区域8位于过渡区域7远离第二电极设置区域6的一侧；封装在第一基板1和第二基板3之间的液晶9，液晶9在第一电极2和第二电极4的驱动下旋转；设于第一基板1和第二基板3之间的支撑结构10，支撑结构10包括第一支撑柱11和第二支撑柱12，第一支撑柱11位于过渡区域7，第二支撑柱12位于周边区域8，其中，第一支撑柱11的分布密度大于第二支撑柱12的分布密度。

首先，需要说明的是，第一电极2可与柔性电路板的接地端子或是接地信号源电连接，用于接收柔性电路板或接地信号源所提供的接地信号，当第一电极2与柔性电路板的接地端子电连接时，可选地，第一电极2的接地信号可以通过设置在封框胶中的导电金球与第二基板一侧的接地信号电连接，实现接地信号的传输。第二电极4可采用有源或无源两种驱动方式，当第二电极4采用有源驱动方式时，可选地，第二基板3上还包括多条沿第一方向延伸的扫描线和多条沿第二方向延伸的数据线，第一方向和第二方向交叉，扫描线和数据线绝缘交叉，第二基板3上还包括多个晶体管，晶体管包括半导体层、栅极、源极和漏极，其中，栅极和扫描线电连接，源极和数据线电连接，漏极和第二电极4电连接，晶体管在扫描线提供的扫描信号的作用下导通，将数据线提供的数据信号传输至与其电连接的第二电极4中，其中，数据线和扫描线的信号可通过驱动芯片给信号，也可通过柔性电路板或印刷电路板给信号，在此不做限定；当第二电极4采用无源驱动方式时，可选地，第二电极4与柔性电路板的驱动端子电连接，用于接收柔性电路板所提供的驱动信号，以和第一电极2之间形成驱动液晶9旋转的电场，或者，第二电极与印刷电路板或驱动芯片电连接，实现信号的传输，在此不做限定。

此外，还需要说明的是，请再次参见图3，为驱动液晶9正常旋转，第二基板3朝向第一基板1的一侧、以及第一基板1朝向第二基板3的一侧均设置有配向膜13，并且，以第一支撑柱11和第二支撑柱12设置在第二基板3上为例，第二基板3上的配向膜13可位于第一支撑柱11、第二支撑柱12远离第二基板3的一侧，以更好的对液晶9进行配向。

结合图18和图19，第一电极2上设置有用于耦合射频信号的第一开口14和第二开口15，第一基板1背向第二基板3的一侧还设置有馈电部200(功率分配器)和辐射体300。在移相器对射频信号进行移相时，馈电部200上传输的射频信号通过第一电极2的第一开口14耦合到第二电极4上，液晶9在第一电极2和第二电极4所形成的电场的作用下发生旋转，液晶9的介电常数发生变化，对第二电极4上传输的射频信号进行移相，移相后的射频信号通过第一电极2的第二开口15耦合到辐射体300上，经由辐射体300辐射出去(射频信号的传输路径如图19中箭头所示)。

结合上述原理可知，在正对腔体5中，第二电极4所在的区域，也就是第二电极设置区域6为移相器对射频信号进行移相的关键区域，而在本发明实施例中，通过设置一围绕第二电极设置区域6的过渡区域7，并在过渡区域7内设置分布密度更高的第一支撑柱11，能够利用第一支撑柱11对第二电极设置区域6的周边进行更稳定的支撑，从而对第二电极设置区域6的盒厚均一性进行改善，降低第二电极设置区域6不同位置处液晶9填充体积的差异，优化对射频信号的移相效果。

并且，当受到外力挤压或低温环境等因素的影响，导致移相器发生压缩时，由于过渡区域7内设置有分布更为密集的第一支撑柱11，因此能够利用第一支撑柱11降低移相器在过渡区域7内的压缩程度，从而避免第二电极设置区域6、过渡区域7所在的整体区域的盒厚产生较大的波动。

可见，采用本发明实施例所提供的移相器，能够提高对射频信号进行移相的关键区域的盒厚均一性，从而提高移相器辐射出去的射频信号的辐射角度的准确性，进而有效提高了天线增益。

进一步地，为了使支撑结构10的分布密度进行柔和地过渡，在过渡区域7内，沿朝向第二电极设置区域6的方向上，第一支撑柱11的分布密度可以递增设置，即，越靠近第二电极设置区域6，第一支撑柱11的分布密度越大。示例性的，如图4所示，图4为本发明实施例所提供的第一支撑柱的分布密度示意图，过渡区域7包括围绕第二电极设置区域6的第一区域16和围绕第一区域16的第二区域17，第一区域16中第一支撑柱11的分布密度大于第二区域17中第一支撑柱11的分布密度。

可选地，第一支撑柱11的分布密度为A1，第二支撑柱12的分布密度为A2，

将

的最小值设置为2，可以保证第一支撑柱11具有较高的分布密度，实现对第二电极设置区域6周边的稳定支撑，而进一步将

的最大值设置为3，可以避免第一支撑柱11分布地过于密集，从而避免在灌注液晶9时，对液晶9的流通造成阻碍。

可选地，请再次参见图2，过渡区域7的边缘与第二电极设置区域6的边缘之间的距离为L，0.1mm≤L≤5mm。通过将L的最小值设置为0.1mm，可以使得过渡区域7具有一定的空间容纳第一支撑柱11，而将L的最大值设置为5mm，可以避免过渡区域7占用空间较大，在对第二电极设置区域6周边进行有效支撑的前提下，减少第一支撑柱11的数量，以降低制作成本。

可选地，如图5和图6所示，图5为本发明实施例所提供的过渡区域的设置方式示意图，图6为图5沿B1-B2方向的剖视图，第一电极2上设有用于耦合射频信号的第一开口14和第二开口15；第二电极4包括连通的主电极18、第一耦合电极19和第二耦合电极20，在垂直于第一基板1所在平面的方向上，第一耦合电极19的正投影与第一开口14交叠，第二耦合电极20的正投影与第二开口15交叠。具体地，结合图19，馈电部200所接收的射频信号经由第一电极2的第一开口14耦合到第一耦合电极19上，进而经由第一耦合电极19传输至主电极18，通过利用液晶9的旋转，对主电极18上传输的射频信号进行移相，移相后的射频信号传输至第二耦合电极20，进而经由第一电极2的第二开口15耦合至辐射体300，经由辐射体300辐射出去。可见，第二电极4中对射频信号进行移相起主要作用的为主电极18，因此，主电极18的设置面积通常要大于第一耦合电极19、第二耦合电极20的设置面积。

为此，在本发明实施例中，在平行于第二基板3所在平面的方向上，过渡区域7的边缘与主电极18之间的最小距离L1大于过渡区域7的边缘与第一耦合电极19、第二耦合电极20之间的最小距离L2，此时，主电极18附近有更大的空间设置第一支撑柱11，相应地增大了主电极18附近所设置的第一支撑柱11的数量，从而对主电极18的周边进行了更稳定的支撑，更大程度地提高了主电极18所在区域的盒厚均一性。

此外，请再次参见图5，当第一耦合电极19的端部与过渡区域7的边缘之间的距离、以及第二耦合电极20与过渡区域7的边缘之间的距离均较小时，也可以不在这两个间隙内设置第一支撑柱11，只要保证过渡区域7内第一支撑柱11整体的等效分布密度大于周边区域8内第二支撑柱12的分布密度即可。

可选地，参照图6，如图7所示，图7为本发明实施例所提供的第一支撑柱的设置方式示意图，第一电极2上设有用于耦合射频信号的第一开口14和第二开口15；第二电极4包括连通的主电极18、第一耦合电极19和第二耦合电极20，在垂直于第一基板1所在平面的方向上，第一耦合电极19的正投影与第一开口14交叠，第二耦合电极20的正投影与第二开口15交叠；过渡区域7包括与主电极18相邻的第一子过渡区21和与第一耦合电极19、第二耦合电极20相邻的第二子过渡区22，第一子过渡区21中第一支撑柱11的分布密度大于第二子过渡区22中第一支撑柱11的分布密度。结合上述分析，对射频信号进行移相起主要作用的为主电极18，为此，在本发明实施例中，通过将与主电极18相邻的第一子过渡区21中的第一支撑柱11排布地更加密集，可以提高这部分第一支撑柱11对主电极18周边区域8的支撑强度，从而更大程度地提高主电极18所在区域的盒厚均一性。

可以理解的是，结合图8，移相器还设置有用于封装液晶9的封框胶23，封框胶23可由树脂材料通过喷头涂覆的方式形成。而在本发明一种可选的实施例中，第一支撑柱11可由光感有机材料形成，此时，第一支撑柱11由光刻工艺形成，与封框胶23采用了不同的工艺流程。相对于用于形成封框胶23的喷头涂覆的方式而言，利用掩膜板对光感有机材料进行刻蚀以形成第一支撑柱11，工艺精度较高，对第一支撑柱11的设置位置的控制较为精准，提高了第一支撑柱11设置位置的可靠性。

可选地，如图8和图9所示，图8为本发明实施例所提供的第一支撑柱的结构示意图，图9为图8沿C1-C2方向的剖视图，移相器还包括用于封装液晶9的封框胶23，封框胶23可由树脂材料形成；第一支撑柱11包括与封框胶23采用同种材料形成的第一子支撑柱24和由光感有机材料形成的第二子支撑柱25，在垂直于第二基板3所在平面的方向上，单个第一子支撑柱24的正投影的面积大于单个第二子支撑柱25的正投影的面积，且第一子支撑柱24内设有支撑球26。

在上述结构中，第一子支撑柱24的覆盖面积大于第二子支撑柱25的覆盖面积，因此，形成第一子支撑柱24的工艺精度比较容易把控，为此，可以将工艺精度容易把控的第一子支撑柱24与封框胶23采用同种材料形成，利用喷头进行涂覆，而将工艺精度不易把控的第二子支撑柱25采用光感有机材料形成，利用掩膜板进行光刻，从而提高了第一支撑柱11形成工艺的灵活性和可选择性。此外，通过在第一子支撑柱24内设置辅助支撑的支撑球26，还进一步提高了第一子支撑柱24的支撑性能。

可选地，在过渡区域7中，还可令靠近第一电极2设置区域一侧的第一支撑柱11由无机材料形成。相较于有机材料来说，射频信号穿过无机材料时损耗较小，因此，通过令靠近第一电极2设置区域的第一支撑柱11由无机材料形成，即使射频信号在传输过程中透过该部分第一支撑柱11，也能降低对射频信号的损耗。

可选地，如图10所示，图10为本发明实施例所提供的第一支撑柱的另一种结构示意图，为了增大第一支撑柱11的支撑面积，提高其支撑性能，在垂直于第二基板3所在平面的方向上，单个第一支撑柱11的正投影的面积大于单个第二支撑柱12的正投影的面积。

进一步地，第一支撑柱11为条状结构，也就是说，第一支撑柱11在第一方向上的长度大于第一支撑柱11在第二方向上的长度，如此设置，一方面，能够利用条状结构的第一支撑柱11进行更稳定的支撑，另一方面，结合图10，当过渡区域7的部分区域宽度较窄时，能够使条状结构中长边顺着该区域的延伸方向排布，以更合理地对第一支撑柱11进行设置。

可选地，如图11所示，图11为本发明实施例所提供的过渡区域的另一种设置方式示意图，过渡区域7的边缘与第二电极设置区域6的边缘之间的最小距离为L_min，相邻两个第二电极设置区域6之间的最小距离为H，H＜2×L_min，此时，相邻两个第二电极设置区域6被同一个过渡区域7围绕。当两个第二电极设置区域6之间间距过小时，不易对每个第二电极设置区域6分别对应设置一个过渡区域7，此时，可以令一个过渡区域7将这两个第二电极设置区域6同时围绕，在同时提高这两个第二电极设置区域6盒厚均一性的同时，提高了过渡区域7设置方式的灵活性。

进一步地，结合图6，如图12所示，图12为图11的局部放大示意图，第一电极2上设有用于耦合射频信号的第一开口14和第二开口15；第二电极4包括连通的主电极18、第一耦合电极19和第二耦合电极20，在垂直于第一基板1所在平面的方向上，第一耦合电极19的正投影与第一开口14交叠，第二耦合电极20的正投影与第二开口15交叠。基于此，被同一个过渡区域7围绕的两个第二电极4对称设置，且两个第二电极4的第一耦合电极19相邻，部分第一支撑柱11位于两个第一耦合电极19之间，从而利用这部分第一支撑柱11对相邻两个第二设置区域之间的间隙内进行支撑，进一步提高了两个第二设置区域所在整体区域的盒厚均一性。

此外，需要说明的是，由于被同一个过渡区域7围绕的两个第二电极4的第一耦合电极19之间的间距较小，因此，可以通过对第一支撑柱11的形状进行调整，使其宽度与第一耦合电极19之间的间距相匹配。示例性的，如图13所示，图13为图11的另一种局部放大示意图，当第一支撑柱11为条状结构时，对于位于两个第一耦合电极19之间的第一支撑柱11来说，该部分第一支撑柱11在垂直其延伸方向上的宽度可以设置地更小一些，以使其更适用于设置在间隙较小的区域内，提高设置的灵活性。

可选地，如图14所示，图14为本发明实施例所提供的第一支撑柱的再一种结构示意图，第一支撑柱11包括主支撑柱27和辅支撑柱8，在垂直于第二基板3所在平面的方向上，主支撑柱27的高度大于辅支撑柱28的高度；其中，主支撑柱27的分布密度大于辅支撑柱28的分布密度。

当第一支撑柱11包括主支撑柱27和辅支撑柱28时，第一基板1和第二基板3对盒之后，利用高度较高的主支撑柱27对盒厚进行支撑，当移相器受到外力挤压或是受到低温因素影响而导致移相器压缩时，进而利用高度较低的辅支撑柱28进行进一步地辅助支撑。通过将主支撑柱27的分布密度设置地更大一些，能够使移相器在第一基板1和第二基板3在对盒之后就具有更好的盒厚均一性，从而提高移相器在使用过程中对射频信号移相的准确性。

可选地，如图15所示，图15为本发明实施例所提供的第一支撑柱的另一种分布密度示意图，过渡区域7包括至少一个第三子过渡区29和至少一个第四子过渡区30，第三子过渡区29和第四子过渡区30间隔设置，第三子过渡区29中第一支撑柱11的分布密度小于第四子过渡区30中第一支撑柱11的分布密度。如此一来，在灌注液晶9时，就能够利用第一支撑柱11的分布密度较小的第三子过渡区29为液晶9提供更大的流通路径，加速液晶9的流通，提高灌晶效率。

可选地，如图16所示，图16为本发明实施例所提供的第一支撑柱的再一种结构示意图，第一支撑柱11和/或第二支撑柱12包括第一支撑部分31和第二支撑部分32，第一支撑部分31设于第一基板1，第二支撑部分32设于第二基板3，在垂直于第二基板3所在平面的方向上，第一支撑部分31与第二支撑部分32交叠，此时，单个第一支撑柱11和/或单个第二支撑柱12由第一支撑部分31和第二支撑部分32两部分构成，更有利于实现高盒厚的设计。换句话说，当移相器采用高盒厚设计时，移相器内的支撑柱也需具有较大的高度，但是工艺上不易实现，而采用上述结构，通过将一个支撑柱拆分为两个支撑部分，两个支撑部分均无需设置太高即可使整体的支撑柱具有较高的高度，从而降低了第一支撑柱11和/或第二支撑柱12的工艺形成难度。

本发明实施例还提供了一种移相器的制作方法，结合图1～图3，移相器包括第二电极设置区域6、过渡区域7和周边区域8，其中，第二电极设置区域6与移相器中第二电极4的设置区域重合，每个过渡区域7围绕至少一个第二电极设置区域6，周边区域8位于过渡区域7远离第二电极设置区域6的一侧。如图17所示，图17为本发明实施例所提供的制作方法的流程图，制作方法包括：

步骤S1：提供第一基板1，在第一基板1上形成用于接收接地信号的第一电极2。

步骤S2：提供第二基板3，在第二基板3的第二电极设置区域6内形成第二电极4。

步骤S3：在第一基板1或第二基板3的过渡区域7内设置第一支撑柱11，在第一基板1或第二基板3的周边区域8内设置第二支撑柱12，第一支撑柱11的分布密度大于第二支撑柱12的分布密度。

步骤S4：将第一基板1与第二基板3对盒，在第一基板1与第二基板3之间填充液晶9。

采用本发明实施例所提供的制作方法，通过在围绕第二电极设置区域6的过渡区域7内设置分布密度更高的第一支撑柱11，能够利用第一支撑柱11对第二电极4的周边进行更稳定的支撑，从而对第二电极设置区域6的盒厚均一性进行改善，降低第二电极设置区域6不同位置液晶9填充体积的差异，优化对射频信号的移相效果。

本发明实施例还提供了一种天线，如图18和图19所示，图18为本发明实施例所提供的天线的俯视图，图19为本发明实施例所提供的天线的局部剖视图，该天线包括上述移相器100，馈电部200，馈电部200设于第一基板1背向第一电极2的一侧，馈电部200通过功分网络400连接至射频信号源700，用于接收射频信号源700提供的射频信号；辐射体300，辐射体300设于第一基板1背向第一电极2的一侧，辐射体300用于将移相后的射频信号辐射出去。

需要说明的是，图18所示的天线的结构示意图是以第二电极4采用无源驱动方式为例进行的示意，此时，天线还包括柔性电路板500,柔性电路板500的驱动端子600与第二电极4电连接。

此外，还需要说明的是，为降低差损，请再次参见图18，功分网络400的切角(如图中标记A所示意的位置)可呈45°设置。

由于本发明实施例所提供的天线包括上述移相器100，因此，采用该天线，能够提高对射频信号进行移相的关键区域的盒厚均一性，从而提高移相器辐射出去的射频信号的辐射角度的准确性，提高了天线增益。

进一步地，请再次参见图19，第一电极2上设有用于耦合射频信号的第一开口14和第二开口15；在垂直于第一基板1所在平面的方向上，馈电部200的正投影与第一开口14交叠，辐射体300的正投影与第二开口15交叠，以实现将馈电部200上传输的射频信号经由第一开口14耦合到第二电极4上，并将第二电极4上传输的移相后的射频信号经由第二开口15耦合到辐射体300上，进而经由辐射体300辐射出去。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (18)

1.一种移相器，其特征在于，包括：

第一基板，所述第一基板上设有用于接收接地信号的第一电极；

与所述第一基板相对设置的第二基板，所述第二基板朝向所述第一基板的一侧设有第二电极；

形成于所述第一基板和所述第二基板之间的正对腔体，所述正对腔体包括第二电极设置区域、过渡区域和周边区域，其中，在垂直于所述第二基板所在平面的方向上，所述第二电极设置区域的正投影与所述第二电极的正投影重合，每个所述过渡区域围绕至少一个所述第二电极设置区域，所述周边区域位于所述过渡区域远离所述第二电极设置区域的一侧；

封装在所述第一基板和所述第二基板之间的液晶，所述液晶在所述第一电极和所述第二电极的驱动下旋转；

设于所述第一基板和所述第二基板之间的支撑结构，所述支撑结构包括第一支撑柱和第二支撑柱，所述第一支撑柱位于所述过渡区域，所述第二支撑柱位于所述周边区域，其中，所述第一支撑柱的分布密度大于所述第二支撑柱的分布密度。

2.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一支撑柱的分布密度为A1，所述第二支撑柱的分布密度为A2，

3.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述过渡区域的边缘与所述第二电极设置区域的边缘之间的距离为L，0.1mm≤L≤5mm。

4.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一电极上设有用于耦合射频信号的第一开口和第二开口；

所述第二电极包括连通的主电极、第一耦合电极和第二耦合电极，在垂直于所述第一基板所在平面的方向上，所述第一耦合电极的正投影与所述第一开口交叠，所述第二耦合电极的正投影与所述第二开口交叠；

在平行于所述第二基板所在平面的方向上，所述过渡区域的边缘与所述主电极之间的最小距离大于所述过渡区域的边缘与所述第一耦合电极、所述第二耦合电极之间的最小距离。

5.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一电极上设有用于耦合射频信号的第一开口和第二开口；

所述第二电极包括连通的主电极、第一耦合电极和第二耦合电极，在垂直于所述第一基板所在平面的方向上，所述第一耦合电极的正投影与所述第一开口交叠，所述第二耦合电极的正投影与所述第二开口交叠；

所述过渡区域包括与所述主电极相邻的第一子过渡区和与所述第一耦合电极、所述第二耦合电极相邻的第二子过渡区，所述第一子过渡区中所述第一支撑柱的分布密度大于所述第二子过渡区中所述第一支撑柱的分布密度。

6.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一支撑柱由光感有机材料形成。

7.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述移相器还包括用于封装所述液晶的封框胶；

所述第一支撑柱包括与所述封框胶采用同种材料形成的第一子支撑柱和由光感有机材料形成的第二子支撑柱，在垂直于所述第二基板所在平面的方向上，单个所述第一子支撑柱的正投影的面积大于单个所述第二子支撑柱的正投影的面积，且所述第一子支撑柱内设有支撑球。

8.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，在所述过渡区域中，靠近所述第一电极设置区域一侧的所述第一支撑柱由无机材料形成。

9.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，在垂直于所述第二基板所在平面的方向上，单个所述第一支撑柱的正投影的面积大于单个所述第二支撑柱的正投影的面积。

10.根据权利要求9所述的移相器，其特征在于，所述第一支撑柱为条状结构。

11.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述过渡区域的边缘与所述第二电极设置区域的边缘之间的最小距离为L_min，相邻两个所述第二电极设置区域之间的最小距离为H，H＜2×L_min，相邻两个所述第二电极设置区域被同一个所述过渡区域围绕。

12.根据权利要求11所述的移相器，其特征在于，所述第一电极上设有用于耦合射频信号的第一开口和第二开口；

所述第二电极包括连通的主电极、第一耦合电极和第二耦合电极，在垂直于所述第一基板所在平面的方向上，所述第一耦合电极的正投影与所述第一开口交叠，所述第二耦合电极的正投影与所述第二开口交叠；

被同一个所述过渡区域围绕的两个所述第二电极对称设置，且两个所述第二电极的所述第一耦合电极相邻，部分所述第一支撑柱位于两个所述第一耦合电极之间。

13.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一支撑柱包括主支撑柱和辅支撑柱，在垂直于所述第二基板所在平面的方向上，所述主支撑柱的高度大于所述辅支撑柱的高度；

其中，所述主支撑柱的分布密度大于所述辅支撑柱的分布密度。

14.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述过渡区域包括至少一个第三子过渡区和至少一个第四子过渡区，所述第三子过渡区和所述第四子过渡区间隔设置，所述第三子过渡区中所述第一支撑柱的分布密度小于所述第四子过渡区中所述第一支撑柱的分布密度。

15.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一支撑柱和/或所述第二支撑柱包括第一支撑部分和第二支撑部分，所述第一支撑部分设于所述第一基板，所述第二支撑部分设于所述第二基板，在垂直于所述第二基板所在平面的方向上，所述第一支撑部分与所述第二支撑部分交叠。

16.一种移相器的制作方法，其特征在于，所述移相器包括第二电极设置区域、过渡区域和周边区域，其中，所述第二电极设置区域与所述移相器中第二电极的设置区域重合，每个所述过渡区域围绕至少一个所述第二电极设置区域，所述周边区域位于所述过渡区域远离所述第二电极设置区域的一侧；

所述制作方法包括：

提供第一基板，在所述第一基板上形成用于接收接地信号的第一电极；

提供第二基板，在所述第二基板的所述第二电极设置区域内形成第二电极；

在所述第一基板或所述第二基板的所述过渡区域内设置第一支撑柱，在所述第一基板或所述第二基板的所述周边区域内设置第二支撑柱，所述第一支撑柱的分布密度大于所述第二支撑柱的分布密度；

将所述第一基板与所述第二基板对盒，在所述第一基板与所述第二基板之间填充液晶。

17.一种天线，其特征在于，包括：

如权利要求1～15任一项所述的移相器；

馈电部，所述馈电部设于第一基板背向第一电极的一侧，所述馈电部用于接收射频信号；

辐射体，所述辐射体设于所述第一基板背向所述第一电极的一侧，所述辐射体用于将移相后的射频信号辐射出去。

18.根据权利要求17所述的天线，其特征在于，所述第一电极上设有用于耦合射频信号的第一开口和第二开口；

在垂直于所述第一基板所在平面的方向上，所述馈电部的正投影与所述第一开口交叠，所述辐射体的正投影与所述第二开口交叠。

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