CN113871817B - 移相器及制作方法、天线 - Google Patents

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CN113871817B CN202010614291.9A CN202010614291A CN113871817B CN 113871817 B CN113871817 B CN 113871817B CN 202010614291 A CN202010614291 A CN 202010614291A CN 113871817 B CN113871817 B CN 113871817B
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Abstract

本发明实施例提供了一种移相器及制作方法、天线,涉及电磁波技术领域,降低了制作成本。移相器包括:第一基板和第二基板,第一基板上设有接收接地信号的第一电极,第二基板朝向第一基板的一侧设有第二电极;形成在第一基板和第二基板之间的正对腔体,包括移相区和封装区,移相区包括液晶填充区域和非液晶填充区域,液晶填充区域包括多个第一填充区域,第一填充区域包括至少两个第二电极设置区域和连通区域,在垂直第二基板所在平面的方向上,第二电极设置区域与第二电极的正投影重合,至少两个第二电极设置区域之间通过连通区域进行连通;填充在第一填充区域的液晶;设于非液晶填充区域的挡墙;在封装区内围绕移相区设置的封框胶。

Description

移相器及制作方法、天线
【技术领域】
本发明涉及电磁波技术领域,尤其涉及一种移相器及制作方法、天线。
【背景技术】
随着通信系统的逐渐演进,移相器得到了越来越广泛的应用,以液晶移相器为例,液晶移相器是通过控制液晶旋转,使液晶的介电常数发生变化,以实现对液晶移相器内传输的射频信号进行移相。但是在现有技术中,液晶移相器体积较大,尤其地,对于高盒厚的液晶移相器,所需填充的液晶较多,由于液晶移相器所用液晶的价格是常规液晶价格的上百倍,因而导致液晶移相器的制作成本相对较高。
【发明内容】
有鉴于此,本发明实施例提供了一种移相器及制作方法、天线,有效降低了移相器的制作成本。
一方面,本发明实施例提供了一种移相器,包括:
相对设置的第一基板和第二基板,所述第一基板上设置有用于接收接地信号的第一电极,所述第二基板朝向所述第一基板的一侧设置有第二电极;
正对腔体,所述正对腔体形成在所述第一基板和所述第二基板之间,所述正对腔体包括移相区和围绕所述移相区的封装区,所述移相区包括液晶填充区域和非液晶填充区域,所述液晶填充区域包括多个第一填充区域,所述第一填充区域包括至少两个第二电极设置区域和连通区域,其中,在垂直于所述第二基板所在平面的方向上,所述第二电极设置区域与所述第二电极的正投影重合,并且,在一个所述第一填充区域内,至少两个所述第二电极设置区域之间通过所述连通区域进行连通;
液晶,所述液晶填充在所述第一填充区域,所述第一电极和所述第二电极驱动所述液晶旋转;
挡墙,所述挡墙设于所述非液晶填充区域;
封框胶,所述封框胶在所述封装区内围绕所述移相区设置。
另一方面,本发明实施例提供了一种移相器的制作方法,所述移相器包括移相区和围绕所述移相区的封装区,所述移相区包括液晶填充区域和非液晶填充区域,所述液晶填充区域包括多个第一填充区域,所述第一填充区域包括至少两个第二电极设置区域和连通区域,其中,所述第二电极设置区域与第二电极的设置位置重合,并且,在一个所述第一填充区域内,至少两个所述第二电极设置区域之间通过所述连通区域进行连通;
所述制作方法包括:
提供第一基板,在所述第一基板的所述移相区内形成用于接收接地信号的第一电极;
提供第二基板,在所述第二基板的所述第二电极设置区域内形成第二电极;
在所述第一基板或所述第二基板的所述封装区内形成围绕所述移相区的封框胶;
在所述第一基板或所述第二基板的所述非液晶填充区域内设置挡墙;
在所述挡墙所在基板的所述第一填充区域内填充液晶,将所述第一基板和所述第二基板对盒。
再一方面,本发明实施例提供了一种天线,包括:
上述移相器;
馈电部,所述馈电部设于第一基板背向第一电极的一侧,所述馈电部用于接收射频信号;
辐射体,所述辐射体设于所述第一基板背向所述第一电极的一侧,所述辐射体用于将移相后的射频信号辐射出去。
上述技术方案中的一个技术方案具有如下有益效果:
在本发明实施例所提供的技术方案中,基于挡墙的设置位置,能够利用挡墙对液晶的填充位置进行限定,使液晶仅被填充在第二电极设置区域和连通区域内,其他区域不进行填充,如此一来,在保证关键区域内能够利用液晶对射频信号进行准确移相的前提下,在很大程度上减小了移相器中所需填充的液晶的体积,尤其地,对于高盒厚的移相器来说,能够使移相器的制作成本大幅降低。
此外,需要说明的是,随着移相器分辨率的不断提高,移相器中所设置的第二电极的数量也越来越多,例如,第二电极的数量由8*8增加至了64*64,那么,在移相器尺寸一定的情况下,单个第二电极的尺寸就会被缩小,使得第二电极的线宽较窄。在该种情况下,如果将每个第二电极设置区域设置为一个封闭的区域,若采用滴入式的方式填充液晶,由于单个第二电极设置区域体积较小,液晶滴下时可能无法完全滴入第二电极设置区域,而导致部分液晶残留至其他的非液晶填充区域中,对液晶的填充造成影响。而在本发明实施例中,通过设置连通区域,利用连通区域将至少两个第二电极设置区域连通,可以增大单个液晶滴入区域的体积,为滴入的液晶提供一定的流通空间及填充空间,保证液晶完全被填充至第一填充区域内,从而有效提高了液晶的填充效果,进而提高了液晶对射频信号移相的精确度。
因此,采用本发明实施例所提供的技术方案,既能够在很大程度上减小移相器中所需填充的液晶的体积,大幅降低制作成本,还能够提高液晶的填充效果,更利于实现移相器的高盒厚和高分辨率设计。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明实施例所提供的移相器的结构示意图;
图2为本发明实施例所提供的移相器的俯视图;
图3为本发明实施例所提供的第一填充区域的划分示意图;
图4为图2沿A1-A2方向的剖视图;
图5为本发明实施例所提供的第一填充区域的另一种划分示意图;
图6为本发明实施例所提供的第一填充区域的再一种划分示意图;
图7为本发明实施例所提供的液晶填充区域的另一种划分示意图;
图8为图7沿B1-B2方向的剖视图;
图9为本发明实施例所提供的液晶填充区域的再一种划分示意图;
图10为图9沿C1-C2方向的剖视图;
图11为本发明实施例所提供的挡墙的结构示意图;
图12为本发明实施例所提供的配向膜的结构示意图;
图13为本发明实施例所提供的配向膜中沟槽的结构示意图;
图14为本发明实施例所提供的配向膜的另一种结构示意图;
图15为本发明实施例所提供的第一电极的结构示意图,
图16为本发明实施例所提供的制作方法的流程图;
图17为本发明实施例所提供的制作方法的另一种流程图;
图18为图17对应的结构流程图;
图19为本发明实施例所提供的天线的俯视图;
图20为本发明实施例所提供的天线的局部剖视图。
【具体实施方式】
为了更好的理解本发明的技术方案,下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
应当明确,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其他含义。
应当理解,本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。另外,本文中字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
应当理解,尽管在本发明实施例中可能采用术语第一、第二来描述基板、电极、液晶填充区域等,但这些基板、电极、液晶填充区域不应限于这些术语,这些术语仅用来将基板、电极、液晶填充区域彼此区分开。例如,在不脱离本发明实施例范围的情况下,第一基板也可以被称为第二基板,类似地,第二基板也可以被称为第一基板。
本发明实施例提供了一种移相器,如图1~图4所示,图1为本发明实施例所提供的移相器的结构示意图,图2为本发明实施例所提供的移相器的俯视图,图3为本发明实施例所提供的第一填充区域的划分示意图,图4为图2沿A1-A2方向的剖视图,该移相器包括:相对设置的第一基板1和第二基板2,第一基板1上设置有用于接收接地信号的第一电极3,第二基板2朝向第一基板1的一侧设置有第二电极4;正对腔体5,正对腔体5形成在第一基板1和第二基板2之间,正对腔体5包括移相区6和围绕移相区6的封装区7,移相区6包括液晶填充区域8和非液晶填充区域9,液晶填充区域8包括多个第一填充区域10,第一填充区域10包括至少两个第二电极设置区域11和连通区域12,其中,在垂直于第二基板2所在平面的方向上,第二电极设置区域11与第二电极4的正投影重合,并且,在一个第一填充区域10内,至少两个第二电极设置区域11之间通过连通区域12进行连通;液晶13,液晶13填充在第一填充区域10,第一电极3和第二电极4驱动液晶13旋转;挡墙14,挡墙14设于非液晶填充区域9;封框胶15,封框胶15在封装区7内围绕移相区6设置。
首先,需要说明的是,第一电极3可与柔性电路板的接地端子或是接地信号源电连接,用于接收柔性电路板或接地信号源所提供的接地信号,示例性地,当第一电极3与柔性电路板的接地端子电连接时,靠近柔性电路板绑定位置处的封框胶15内设置有导电金球,导电金球的一端通过第一连接走线与柔性电路板的接地端子电连接,另一端通过第二连接走线与第一电极3电连接,从而实现将柔性电路板提供的接地信号传输至第一电极3中。
第二电极4可采用有源或无源两种驱动方式,当第二电极4采用有源驱动方式时,示例性的,第二基板2上交叉绝缘设置有多条扫描线和多条数据线,扫描线用于接收驱动芯片、柔性电路板或印刷电路板提供的扫描信号,数据线用于接收驱动芯片、柔性电路板或印刷电路板提供的数据信号,第二基板2上还设有与多个第二电极4一一对应的多个晶体管,晶体管的栅极与扫描线电连接,源极与数据线电连接,漏极与第二电极4电连接,晶体管用于在扫描信号的驱动下导通,将数据信号传输至与其电连接的第二电极4中;当第二电极4采用无源驱动方式时,示例性的,第二电极4可与柔性电路板的驱动端子电连接,用于接收柔性电路板所提供的驱动信号。
结合图4、图19和图20,第一电极3上设置有用于耦合射频信号的第一开口16和第二开口17,第一基板1背向第二基板2的一侧还设置有馈电部200和辐射体300;在移相器对射频信号进行移相时,馈电部200上传输的射频信号通过第一电极3的第一开口16耦合到第二电极4上,液晶13在第一电极3和第二电极4所形成的电场的作用下发生旋转,液晶13的介电常数发生变化,对第二电极4上传输的射频信号进行移相,移相后的射频信号通过第一电极3的第二开口17耦合到辐射体300上,经由辐射体300辐射出去(射频信号的传输路径如图20中箭头所示)。
结合上述分析可知,第二电极4所在的区域,也就是第二电极设置区域11为移相器对射频信号进行移相的关键区域,在本发明实施例中,基于挡墙14的设置位置,能够利用挡墙14对液晶13的填充位置进行限定,使液晶13仅被填充在第二电极设置区域11和连通区域12内,其他区域不进行填充,如此一来,在保证关键区域内能够利用液晶13对射频信号进行准确移相的前提下,在很大程度上减小了移相器中所需填充的液晶13的体积,尤其地,对于高盒厚的移相器来说,能够使移相器的制作成本大幅降低。
此外,需要说明的是,随着移相器分辨率的不断提高,移相器中所设置的第二电极4的数量也越来越多,例如,第二电极4的数量由8*8增加至了64*64,那么,在移相器尺寸一定的情况下,单个第二电极4的尺寸就会被缩小,使得第二电极4的线宽较窄。在该种情况下,如果将每个第二电极设置区域11设置为一个封闭的区域,若采用滴入式的方式填充液晶13,由于单个第二电极设置区域11体积较小,液晶13滴下时可能无法完全滴入第二电极设置区域11,而导致部分液晶13残留至其他的非液晶填充区域中,对液晶13的填充造成影响。而在本发明实施例中,通过设置连通区域12,利用连通区域12将至少两个第二电极设置区域11连通,可以增大单个液晶滴入区域的体积,为滴入的液晶13提供一定的流通空间及填充空间,保证液晶13完全被填充至第一填充区域10内,从而有效提高了液晶13的填充效果,进而提高了液晶13对射频信号移相的精确度。
因此,采用本发明实施例所提供的移相器,既能够在很大程度上减小移相器中所需填充的液晶13的体积,大幅降低制作成本,还能够提高液晶13的填充效果,更利于实现移相器的高盒厚和高分辨率设计。
此外,还需要说明的是,图2所示意的为每个第一填充区域10包括两个第二电极设置区域11的情况,在本发明其他可选的实施例中,每个第一填充区域10也可包括其他数量的第二电极设置区域11。例如,如图5和图6所示,图5为本发明实施例所提供的第一填充区域的另一种划分示意图,图6为本发明实施例所提供的第一填充区域的再一种划分示意图,每个第一填充区域10包括四个相互连通的第二电极设置区域11,并且,该四个第二电极设置区域11可以如图5示意的呈一行排列,也可以如图6所示的呈两行两列排列。基于该种结构,能够进一步增大单个第一填充区域10的体积,当利用滴入式的方式滴入液晶13时,进一步增大了单个液晶滴入区域的体积,从而进一步提高了液晶13填充效果。换句话说,在高分辨率设计的移相器中,采用该种结构,还可降低对液晶滴入工艺能力的要求,提高液晶滴入工艺的适用性。
可选地,如图7和图8所示,图7为本发明实施例所提供的液晶填充区域的另一种划分示意图,图8为图7沿B1-B2方向的剖视图,液晶填充区域8还包括围绕第一填充区域10的第二填充区域18,第二填充区域18的边缘和其围绕的第一填充区域10的边缘之间的最小距离为A,0<A≤1000μm;液晶13还填充在第二填充区域18。
需要说明的是,虽然第二电极设置区域11为移相器中对射频信号进行移相的关键区域,但第二电极4周边区域的液晶13也会对射频信号的移相起到一定作用,因此,通过进一步划分出围绕第一填充区域10的第二填充区域18,并使液晶13填充在第二填充区域18,能够利用该区域内的液晶13进一步控制对射频信号的移相,提高移相的准确性。而且,相较于现有技术中在正对腔体内均填充液晶的方式,即使在第二填充区域18内也填充液晶13,也能够在很大程度上减小所需填充的液晶13的体积,进而大幅降低制作成本。此外,通过将A的最大值设置为1000μm,可以避免将第二填充区域18划分的过大,造成液晶13的浪费。
可选地,如图9和图10所示,图9为本发明实施例所提供的液晶填充区域的再一种划分示意图,图10为图9沿C1-C2方向的剖视图,液晶填充区域8还包括用于将多个第一填充区域10相互连通的第三填充区域19;液晶13还填充在第三填充区域19。此时,移相区6中的多个第一填充区域10互联,除了采用滴入式的方式填充液晶13外,还可采用灌注式的方式填充液晶13,提高了填充液晶13方式的多样性和灵活性,而且,无论采用滴入式的方式还是灌注式的方式填充液晶13,采用上述划分方式,都能够提高液晶13的流通速率,从而提高灌晶速率。此外,相较于现有技术中在正对腔体内均填充液晶的方式,即使在第三填充区域19内也填充液晶13,也能够在很大程度上减小所需填充的液晶13的体积,进而大幅降低制作成本。
进一步地,请再次参见图9,挡墙14包括多个第一子挡墙20,第一子挡墙20沿第一方向延伸,多个第一子挡墙20沿第二方向排列,且相邻两个第一子挡墙20之间具有间隙,第一方向与第二方向相交。如此设置,第一填充区域10和至少部分第三填充区域19位于相邻两个第一子挡墙20之间的间隙内,第一子挡墙20之间的间隙互联,从而在填充液晶13时加速液晶13的流通,提高灌晶效率。
此外,需要说明的是,当采用滴入式的方式填充液晶13时,在移相器的制作工艺中,在形成封框胶15后,首先在液晶填充区域8内滴入液晶13,液晶13填充完成之后,再对封框胶15进行固化,但是如此一来,滴入液晶13时,液晶13会和未固化的封框胶15直接接触,导致对液晶13造成污染。为此,在本发明实施例中,如图11所示,图11为本发明实施例所提供的挡墙14的结构示意图,挡墙14还包括围绕多个第一子挡墙20的第二子挡墙21,第二子挡墙21具有灌晶口22,且第二子挡墙21与第一子挡墙20的端部之间具有间隙。通过设置第二子挡墙21,能够利用第二子挡墙21将液晶13与封框胶15隔开,降低液晶13与未固化的封框胶15接触的概率,避免液晶13被污染,从而提高液晶13对射频信号移相的可靠性。
可选地,如图12所示,图12为本发明实施例所提供的配向膜的结构示意图,第一基板1朝向第二基板2的一侧设置有第一配向膜23,第二基板2朝向第一基板1的一侧设置有第二配向膜24,第一配向膜23和第二配向膜24在第二基板2上的正投影覆盖移相区6;挡墙14设于第一基板1,第一配向膜23设于挡墙14远离第一基板1的一侧,或,挡墙14设于第二基板2,第二配向膜24设于挡墙14远离第二基板2的一侧。
以图12所示的挡墙14设于第二基板2为例,若先形成第二配向膜24后形成挡墙14,在利用光刻工艺形成挡墙14时,光刻工艺容易对第二配向膜24造成损伤,影响对液晶13的配向。为此,在本发明实施例中,通过将第二配向膜24设于挡墙14远离第二基板2的一侧,在制作工艺中第二配向膜24在挡墙14之后形成,从而避免了用于形成挡墙14的光刻工艺对第二配向膜24造成损伤,提高配向膜对液晶13配向的可靠性。
进一步地,结合图9,如图13所示,图13为本发明实施例所提供的配向膜中沟槽的结构示意图,第一配向膜23上设置有第一沟槽25,第二配向膜24上设置有第二沟槽26;挡墙14设于第一基板1,第一沟槽25沿第一方向延伸,或,挡墙14设于第二基板2,第二沟槽26沿第一方向延伸。其中。图13是以挡墙14设于第二基板2进行示意的。
具体地,在形成配向膜时,需要以柔软的布在由聚酰亚胺等树脂材料制成的配向膜上以一定方向上进行摩擦出沿一定方向排列的沟槽,即第一沟槽25和第二沟槽26,使液晶13能够遵循一定的方向作排列。以图9和图13所示意的挡墙14设于第二基板2,且第二沟槽26沿第一方向延伸为例,当第二配向膜24位于挡墙14背向所在基板的一侧时,第二配向膜24覆盖挡墙14,使得第二配向膜24的表面凹凸起伏,通过令第二沟槽26与挡墙14的延伸方向相同,能够降低第二配向膜24凹凸起伏时对第二沟槽26实际延伸方向的影响,从而使得液晶13依旧能按照预定的方向排列。
可选地,如图14所示,图14为本发明实施例所提供的配向膜的另一种结构示意图,第一基板1朝向第二基板2的一侧设置有第一配向膜23,第二基板2朝向第一基板1的一侧设置有第二配向膜24,第一配向膜23和第二配向膜24仅位于液晶填充区域8,此时,在保证第一配向膜23和第二配向膜24能够对液晶填充区域8内填充的液晶13进行配向,以保证对射频信号进行准确移相的前提下,减小了第一配向膜23和第二配向膜24的覆盖面积,从而减小了所需设置的第一配向膜23和第二配向膜24的尺寸,进一步降低了移相器的制作成本。
可选地,挡墙14由树脂材料形成。由于树脂材料具有一定黏性,在制作工艺中,当第一基板1和第二基板2对盒之后,可以对用于形成挡墙14的树脂材料进行固化,利用挡墙14将第一基板1和第二基板2粘接在一起,而且,挡墙14还可以起到稳定支撑的作用,以提高第一基板1和第二基板2对盒的稳固性以及盒厚均一性。
可选地,结合图3和图4,如图15所示,图15为本发明实施例所提供的第一电极的结构示意图,第一电极3上设有用于耦合射频信号的第一开口16和第二开口17;第二电极4包括电连接的主电极27、第一耦合电极28和第二耦合电极29,在垂直于第一基板1所在平面的方向上,第一耦合电极28的正投影与第一开口16交叠,第二耦合电极29的正投影与第二开口17交叠;在垂直于第二基板2所在平面的方向上,第二电极设置区域11覆盖主电极27、第一耦合电极28和第二耦合电极29。具体地,结合图20,馈电部200所接收的射频信号经由第一电极3的第一开口16耦合到第一耦合电极28上,进而经由第一耦合电极28传输至主电极27,通过利用液晶13的旋转,对主电极27上传输的射频信号进行移相,移相后的射频信号传输至第二耦合电极29,进而经由第一电极3的第二开口17耦合至辐射体300,经由辐射体300辐射出去。通过令第二电极设置区域11覆盖主电极27、第一耦合电极28和第二耦合电极29,能够使第一耦合电极28和第二耦合电极29所在区域均填充有液晶13,从而保证移相器的正常工作。
本发明实施例还提供了一种移相器的制作方法,结合图1~图4,移相器包括移相区6和围绕移相区6的封装区7,移相区6包括液晶填充区域8和非液晶填充区域9,液晶填充区域8包括多个第一填充区域10,第一填充区域10包括至少两个第二电极设置区域11和连通区域12,其中,第二电极设置区域11与第二电极4的设置位置重合,并且,在一个第一填充区域10内,至少两个第二电极设置区域11之间通过连通区域12进行连通。
基于此,如图16所示,图16为本发明实施例所提供的制作方法的流程图,该制作方法包括:
步骤S1:提供第一基板1,在第一基板1的移相区6内形成用于接收接地信号的第一电极3。具体地,第一基板1可与柔性电路板的接地端子或是接地信号源电连接,接收柔性电路板或接地信号源所提供的接地信号。
步骤S2:提供第二基板2,在第二基板2的第二电极设置区域11内形成第二电极4。具体地,第二电极4可采用有源或无源两种驱动方式,当第二电极4采用有源驱动方式时,第二基板2上交叉绝缘设置有多条扫描线和多条数据线、以及与多个第二电极4一一对应的多个晶体管,晶体管用于在扫描线提供的扫描信号的驱动下导通,将数据线提供的数据信号传输至与其电连接的第二电极4中;当第二电极4采用无源驱动方式时,第二电极4可与柔性电路板的驱动端子电连接,接收柔性电路板所提供的驱动信号。
步骤S3:在第一基板1或第二基板2的封装区7内形成围绕移相区6的封框胶15。
步骤S4:在第一基板1或第二基板2的非液晶填充区域9内设置挡墙14。
步骤S5:在挡墙14所在基板的第一填充区域10内填充液晶13,将第一基板1和第二基板2对盒。
采用本发明实施例所提供的制作方法,基于挡墙14的设置位置,能够利用挡墙14对液晶13的填充位置进行限定,使液晶13仅被填充在第二电极设置区域11和连通区域12内,其他区域不进行填充,如此一来,在保证关键区域内能够利用液晶13对射频信号进行准确移相的前提下,在很大程度上减小了移相器中所需填充的液晶13的体积,尤其地,对于高盒厚的移相器来说,能够使移相器的制作成本大幅降低。
此外,通过设置连通区域12,利用连通区域12将至少两个第二电极设置区域11连通,可以增大单个液晶滴入区域的体积,为滴入的液晶13提供一定的流通空间及填充空间,保证液晶13完全被填充至第一填充区域10内,从而有效提高了液晶13的填充效果,进而提高了液晶13对射频信号移相的精确度。
因此,采用本发明实施例所提供的制作方法,既能够在很大程度上减小移相器中所需填充的液晶13的体积,大幅降低制作成本,还能够提高液晶13的填充效果,更利于实现移相器的高盒厚和高分辨率设计。
可选地,结合图7和图8,液晶填充区域8还包括围绕第一填充区域10的第二填充区域18,第二填充区域18的边缘和其围绕的第一填充区域10的边缘之间的最小距离为A,0<A≤1000μm。基于此,在第一基板1或第二基板2的非液晶填充区域9内设置挡墙14后,制作方法还包括:在挡墙14所在基板的第二填充区域18内填充液晶13。通过进一步划分出围绕第一填充区域10的第二填充区域18,并使液晶13填充在第二填充区域18,能够利用该区域内的液晶13进一步控制射频信号的移相,提高移相的准确性。并且,通过将A的最大值设置为1000μm,可以避免将第二填充区域18划分的过大,造成液晶13的浪费。
可选地,结合图9和图10,液晶填充区域8还包括用于将多个第一填充区域10相互连通的第三填充区域19。基于此,在第一基板1或第二基板2的非液晶填充区域9内设置挡墙14后,制作方法还包括:在挡墙14所在基板的第三填充区域19内填充液晶13。采用上述区域划分方式,除了采用滴入式的方式填充液晶13外,还可采用灌注式的方式填充液晶13,提高了填充液晶13方式的多样性和灵活性,而且还能够提高液晶13的流通速率,提高灌晶速率。
可选地,如图17和图18所示,图17为本发明实施例所提供的制作方法的另一种流程图,图18为图17对应的结构流程图,步骤S4具体可包括:
步骤S41:在第一基板1或第二基板2上涂覆用于形成挡墙14的挡墙材料30。
步骤S42:在挡墙14材料上支撑掩膜板MASK,对挡墙材料30进行曝光显影,将非液晶填充区域9以外的区域内的挡墙材料30刻蚀掉,以在非液晶填充区域9内形成挡墙14。
采用该种制作方式,通过调整掩膜板MASK的图案,能够调整对挡墙材料14进行曝光显影的区域,从而更加灵活地对应非液晶填充区域9的位置形成挡墙14。示例性的,当液晶填充区域8仅包括第一填充区域10时,非液晶填充区域9为移相区6中除第一填充区域10以外的全部区域,此时,掩膜板MASK的图案仅与第一填充区域10的图案对应;当液晶填充区域8包括第一填充区域10、第二填充区域18和第三填充区域19时,非液晶填充区域9为移相区6中除第一填充区域10、第二填充区域18和第三填充区域19以外的全部区域,此时,掩膜板MASK的图案与第一填充区域10、第二填充区域18和第三填充区域19对应。
可选地,将第一基板1和第二基板2对盒之后,制作方法还包括:对挡墙14进行固化,利用挡墙14将第一基板1和第二基板2粘接。此时,挡墙14可由具有一定黏性的树脂材料形成,在第一基板1和第二基板2对盒之后,通过对用于形成挡墙14的树脂材料进行固化,利用挡墙14将第一基板1和第二基板2黏在一起,并利用挡墙14起到一定的支撑作用,从而提高第一基板1和第二基板2对盒的稳固性以及盒厚均一性。
本发明实施例还提供了一种天线,如图19和图20所示,图19为本发明实施例所提供的天线的俯视图,图20为本发明实施例所提供的天线的局部剖视图,该天线包括:上述移相器100;馈电部200,馈电部200设于第一基板1背向第一电极3的一侧,馈电部200通过功分网络400连接至射频信号源700,用于接收射频信号源700提供的射频信号;辐射体300,辐射体300设于第一基板1背向第一电极3的一侧,辐射体300用于将移相后的射频信号辐射出去。
需要说明的是,图19所示的天线的结构示意图是以第二电极4采用无源驱动方式为例进行的示意,此时,天线还包括柔性电路板500,柔性电路板500的驱动端子600与第二电极4电连接。
此外,还需要说明的是,请再次参见图19,为降低差损,功分网络400的切角(如图中标记A所示意的位置)可呈45°设置。
由于本发明实施例所提供的天线包括上述移相器100,因此,采用该天线,既能够在很大程度上减小移相器中所需填充的液晶13的体积,大幅降低制作成本,还能够提高液晶13的填充效果,更利于实现天线的高盒厚和高分辨率设计。
进一步地,请再次参见图20,第一电极3上设有用于耦合射频信号的第一开口16和第二开口17;在垂直于第一基板1所在平面的方向上,馈电部200的正投影与第一开口16交叠,辐射体300的正投影与第二开口17交叠,以实现将馈电部200上传输的射频信号经由第一开口16耦合到第二电极4上,并将第二电极4上传输的移相后的射频信号经由第二开口17耦合到辐射体300上,经由辐射体300辐射出去。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明保护的范围之内。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (17)

1.一种移相器,其特征在于,包括:
相对设置的第一基板和第二基板,所述第一基板上设置有用于接收接地信号的第一电极,所述第二基板朝向所述第一基板的一侧设置有第二电极;
正对腔体,所述正对腔体形成在所述第一基板和所述第二基板之间,所述正对腔体包括移相区和围绕所述移相区的封装区,所述移相区包括液晶填充区域和非液晶填充区域,所述液晶填充区域包括多个第一填充区域,所述第一填充区域包括至少两个第二电极设置区域和连通区域,其中,在垂直于所述第二基板所在平面的方向上,所述第二电极设置区域与所述第二电极的正投影重合,并且,在一个所述第一填充区域内,至少两个所述第二电极设置区域之间通过所述连通区域进行连通;
液晶,所述液晶填充在所述第一填充区域,所述第一电极和所述第二电极驱动所述液晶旋转;
挡墙,所述挡墙设于所述非液晶填充区域;
封框胶,所述封框胶在所述封装区内围绕所述移相区设置;
所述非液晶填充区域和所述挡墙均围绕所述液晶填充区域设置,所述非液晶填充区域和所述挡墙位于所述液晶填充区域和所述封框胶之间。
2.根据权利要求1所述的移相器,其特征在于,所述液晶填充区域还包括围绕所述第一填充区域的第二填充区域,所述第二填充区域的边缘和其围绕的所述第一填充区域的边缘之间的最小距离为A,0<A≤1000μm;
所述液晶还填充在所述第二填充区域。
3.根据权利要求1所述的移相器,其特征在于,所述液晶填充区域还包括用于将多个所述第一填充区域相互连通的第三填充区域;
所述液晶还填充在所述第三填充区域。
4.根据权利要求3所述的移相器,其特征在于,所述挡墙包括多个第一子挡墙,所述第一子挡墙沿第一方向延伸,多个所述第一子挡墙沿第二方向排列,且相邻两个所述第一子挡墙之间具有间隙,所述第一方向与所述第二方向相交。
5.根据权利要求4所述的移相器,其特征在于,所述挡墙还包括围绕多个所述第一子挡墙的第二子挡墙,所述第二子挡墙具有灌晶口,且所述第二子挡墙与所述第一子挡墙的端部之间具有间隙。
6.根据权利要求4所述的移相器,其特征在于,所述第一基板朝向所述第二基板的一侧设置有第一配向膜,所述第二基板朝向所述第一基板的一侧设置有第二配向膜,所述第一配向膜和所述第二配向膜在所述第二基板上的正投影覆盖所述移相区;
所述挡墙设于所述第一基板,所述第一配向膜设于所述挡墙远离所述第一基板的一侧,或,所述挡墙设于所述第二基板,所述第二配向膜设于所述挡墙远离所述第二基板的一侧。
7.根据权利要求6所述的移相器,其特征在于,所述第一配向膜上设置有第一沟槽,所述第二配向膜上设置有第二沟槽;
所述挡墙设于所述第一基板,所述第一沟槽沿所述第一方向延伸,或,所述挡墙设于所述第二基板,所述第二沟槽沿所述第一方向延伸。
8.根据权利要求1所述的移相器,其特征在于,所述第一基板朝向所述第二基板的一侧设置有第一配向膜,所述第二基板朝向所述第一基板的一侧设置有第二配向膜,所述第一配向膜和所述第二配向膜仅位于所述液晶填充区域。
9.根据权利要求1所述的移相器,其特征在于,所述挡墙由树脂材料形成。
10.根据权利要求1所述的移相器,其特征在于,所述第一电极上设有用于耦合射频信号的第一开口和第二开口;
所述第二电极包括电连接的主电极、第一耦合电极和第二耦合电极,在垂直于所述第一基板所在平面的方向上,所述第一耦合电极的正投影与所述第一开口交叠,所述第二耦合电极的正投影与所述第二开口交叠;
在垂直于所述第二基板所在平面的方向上,所述第二电极设置区域覆盖所述主电极、所述第一耦合电极和所述第二耦合电极。
11.一种移相器的制作方法,其特征在于,所述移相器包括移相区和围绕所述移相区的封装区,所述移相区包括液晶填充区域和非液晶填充区域,所述液晶填充区域包括多个第一填充区域,所述第一填充区域包括至少两个第二电极设置区域和连通区域,其中,所述第二电极设置区域与第二电极的设置位置重合,并且,在一个所述第一填充区域内,至少两个所述第二电极设置区域之间通过所述连通区域进行连通;
所述制作方法包括:
提供第一基板,在所述第一基板的所述移相区内形成用于接收接地信号的第一电极;
提供第二基板,在所述第二基板的所述第二电极设置区域内形成第二电极;
在所述第一基板或所述第二基板的所述封装区内形成围绕所述移相区的封框胶;
在所述第一基板或所述第二基板的所述非液晶填充区域内设置挡墙;
在所述挡墙所在基板的所述第一填充区域内填充液晶,将所述第一基板和所述第二基板对盒;
所述非液晶填充区域和所述挡墙均围绕所述液晶填充区域设置,所述非液晶填充区域和所述挡墙位于所述液晶填充区域和所述封框胶之间。
12.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,所述液晶填充区域还包括围绕所述第一填充区域的第二填充区域,所述第二填充区域的边缘和其围绕的所述第一填充区域的边缘之间的最小距离为A,0<A≤1000μm;
在所述第一基板或所述第二基板的所述非液晶填充区域内设置挡墙后,所述制作方法还包括:在所述挡墙所在基板的所述第二填充区域内填充液晶。
13.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,所述液晶填充区域还包括用于将多个所述第一填充区域相互连通的第三填充区域;
在所述第一基板或所述第二基板的所述非液晶填充区域内设置挡墙后,所述制作方法还包括:在所述挡墙所在基板的所述第三填充区域内填充液晶。
14.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,所述在所述第一基板或所述第二基板的所述非液晶填充区域内设置挡墙包括:
在所述第一基板或所述第二基板上涂覆用于形成所述挡墙的挡墙材料;
在所述挡墙材料上支撑掩膜板,对所述挡墙材料进行曝光显影,将所述非液晶填充区域以外的区域内的所述挡墙材料刻蚀掉,以在所述非液晶填充区域内形成所述挡墙。
15.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,将所述第一基板和所述第二基板对盒之后,所述制作方法还包括:对所述挡墙进行固化,利用所述挡墙将所述第一基板和所述第二基板粘接。
16.一种天线,其特征在于,包括:
如权利要求1~10任一项所述的移相器;
馈电部,所述馈电部设于第一基板背向第一电极的一侧,所述馈电部用于接收射频信号;
辐射体,所述辐射体设于所述第一基板背向所述第一电极的一侧,所述辐射体用于将移相后的射频信号辐射出去。
17.根据权利要求16所述的天线,其特征在于,所述第一电极上设有用于耦合射频信号的第一开口和第二开口;
在垂直于所述第一基板所在平面的方向上,所述馈电部的正投影与所述第一开口交叠,所述辐射体的正投影与所述第二开口交叠。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110034358A (zh) * 2019-04-04 2019-07-19 信利半导体有限公司 一种液晶移相器、液晶天线及液晶移相器的制作方法
CN209913001U (zh) * 2019-08-14 2020-01-07 京东方科技集团股份有限公司 移相器及天线

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3322861B2 (ja) * 2000-02-21 2002-09-09 スタンレー電気株式会社 位相可変装置
JP2004247373A (ja) * 2003-02-12 2004-09-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US20170082887A1 (en) * 2015-09-18 2017-03-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
CN107706502A (zh) * 2017-09-29 2018-02-16 京东方科技集团股份有限公司 天线单元及其制造方法、液晶天线、通信设备
CN108615966B (zh) * 2018-05-28 2020-06-30 京东方科技集团股份有限公司 一种天线及其制作方法
CN110649356A (zh) * 2018-06-27 2020-01-03 京东方科技集团股份有限公司 功率分配网络、液晶天线和通信设备
CN110161760A (zh) * 2019-05-28 2019-08-23 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及液晶显示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110034358A (zh) * 2019-04-04 2019-07-19 信利半导体有限公司 一种液晶移相器、液晶天线及液晶移相器的制作方法
CN209913001U (zh) * 2019-08-14 2020-01-07 京东方科技集团股份有限公司 移相器及天线

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