CN109082697B - 一种柱状铜颗粒膜的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明为一种柱状铜颗粒膜的制备方法。该方法包括以下步骤:(1)在水中加入乙酸,搅拌溶解,以其为电解液,铜片为阳极,铂片作阴极,进行阳极氧化,得到阳极氧化过的铜片;(2)在水中加入硫酸铜、2‑环己胺基乙磺酸钠,搅拌溶解,用此溶液为电沉积液,以阳极氧化过的铜片为阴极,铂片为阳极,进行直流电沉积,得到柱状铜颗粒膜。本发明制备工艺简单,操作方便,可控性好,成本低,产品结构新颖。

Description

一种柱状铜颗粒膜的制备方法
技术领域:
本发明属于微结构金属铜材料的电沉积制备,特别涉及一种柱状铜颗粒膜的制备方法。
背景技术:
具有特定微结构的金属铜是常用的电极材料,可用于超级电容器、锂离子电池、太阳能电池、电解以及电芬顿反应等的电极。
关于不同微结构金属铜材料的制备方法已有较多报道,例如,《有色金属》(2002,54(4),P17-20)报道了泡沫铜的传统制备方法,工艺过程主要包括聚氨酯泡沫塑料预处理、化学镀、电镀、热处理等。《材料科学与工艺》(2014,22(1),P82-87)报道了一种通过溶胶凝胶法制备多孔纳米金属铜膜的方法,该方法以醋酸铜为前躯体、聚乙二醇为模板剂、二乙醇胺为络合剂制备溶胶,将溶胶涂覆到玻璃基片上,干燥成凝胶,经过反复多次涂覆和干燥后,将样片进行热处理,制得多孔纳米金属铜膜。《中国有色金属学报》(2014,24(1),P168-173)报道了一种通过脱合金制备三维纳米多孔铜膜的方法,该法首先在铜片表面电沉积锌,通过热处理在铜片表面形成Zn-Cu合金层,再通过酸溶解除去锌,从而得到三维纳米多孔铜膜。《Journal of Electroanalytical Chemistry》(2017,785,P1-7)报道了一种以氢气泡为模板制备多孔铜薄膜的方法,该法以硫酸铜和硫酸的混合溶液为电解液进行电沉积,铜在阴极沉积的同时,阴极还有氢气泡析出,由于氢气泡的干扰作用,导致沉积的铜形成多孔结构。
现有技术存在的主要缺陷包括:产品的结构均匀性较差,孔隙尺寸大,工艺过程复杂,成本高,产品形式单一等。
随着技术的进步,对材料提出了更高的要求。材料的微观形貌和结构对其性能有很大影响,为了提高材料的性能、扩大其用途,改善制备工艺、开发结构新颖的产品成为研究热点之一。
发明内容:
本发明的目的为针对当前技术存在的不足,提供了一种柱状铜颗粒膜的制备方法。该方法的主要工艺过程是先将铜片在乙酸水溶液中阳极氧化处理,然后在含有2-环己胺基乙磺酸钠的硫酸铜溶液中进行电沉积。本发明制备工艺简单,操作方便,可控性好,成本低,产品结构新颖。
本发明所采用的技术方案是:
一种柱状铜颗粒膜的制备方法,包括以下步骤:
(1)在水中加入乙酸,搅拌溶解,以其为电解液,铜片为阳极,铂片作阴极,阳极与阴极间距离为2.0cm,在40℃、10-50V直流电条件下进行阳极氧化,反应时间为5-30min;阳极氧化实验结束后,取下铜片,用去离子水清洗,得到阳极氧化过的铜片;
其中,每100g水中加入0.1-1.0g乙酸;
(2)在水中加入硫酸铜、2-环己胺基乙磺酸钠,搅拌溶解,用此溶液为电沉积液,以阳极氧化过的铜片为阴极,铂片为阳极,阴极与阳极间距离为2.0cm,在室温、电流密度为25-150mA/cm2条件下直流电沉积1-5min;反应结束后,取下经过电沉积的铜片,将其用去离子水清洗,吹干,即得柱状铜颗粒膜;
其中,每100g水中加入0.5-6.5g硫酸铜、0.01-0.1g 2-环己胺基乙磺酸钠;
本发明的有益效果是:
(1)本发明的突出特点是,所制备样品为柱状铜颗粒膜,铜柱由铜颗粒构成,铜柱有大量的棱角、缺陷和孔隙,铜柱间距离以及铜柱直径均低于500nm,与普通铜薄膜相比,铜柱间的大孔隙尺寸较小,铜柱内的小孔隙长度较短,提高了薄膜的有效比表面积,可以改善、提高铜电极的性能,并有潜在的应用前景。
(2)本发明的显著特点是,铜片先在乙酸水溶液中进行阳极氧化处理,然后在含有2-环己胺基乙磺酸钠的硫酸铜水溶液中进行阴极电沉积,这些都是制备柱状铜颗粒膜的必要条件。
(3)本发明的显著特点是,制备工艺简单,操作方便,可控性好,成本低,所用电解液无毒、无污染。
由上面所述柱状铜颗粒膜的结构特点可知,该产品可用于工业催化、环境治理和能源材料等多个领域,例如,可用作超级电容器、锂离子电池、太阳能电池电极的集流体,以及电解水、电芬顿反应等的电极。
附图说明
图1为本发明实施例1铜片经过阳极氧化处理后的表面形貌。
图2为本发明实施例1所制备柱状铜颗粒膜的形貌。
图3为本发明实施例1所制备柱状铜颗粒膜与铜片的CV曲线对比图。
具体实施方式:
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
实施例1
在100g水中加入0.6g乙酸,搅拌溶解,以其为电解液,铜片为阳极,铂片作阴极,阳极与阴极间距离为2.0cm,在40℃、40V直流电条件下进行阳极氧化,反应时间为20min。阳极氧化实验结束后,取下铜片,用去离子水清洗。
在100g水中加入3.2g硫酸铜、0.06g 2-环己胺基乙磺酸钠,搅拌溶解,用此溶液为电沉积液,以前面阳极氧化过的铜片为阴极,铂片为阳极,阴极与阳极间距离为2.0cm,在室温、电流密度为85mA/cm2条件下直流电沉积2min。实验结束后,取下样片,用去离子水清洗,暖风吹干,即得柱状铜颗粒膜。
图1是铜片经过阳极氧化处理后的表面形貌,由图可知,铜片表面变得凸凹不平;图2是所制备柱状铜颗粒膜的形貌,由图可知,样片表面较为均匀的分散着铜柱,铜柱由铜颗粒构成,有大量的棱角、缺陷和孔隙,铜柱直径以及铜柱间距离低于500nm。柱状铜颗粒膜的结构特点使其既具有较高的比表面积,又有较低的传质阻力,从而表现出更好的性能。
图3是采用CHI660e电化学工作站(Chenhua,Shanghai),在三电极体系中所测试的柱状铜颗粒膜与铜片的CV曲线对比图,铂片作为对电极,饱和甘汞电极(SCE)作为参比电极,测试电解液为0.5M硫酸钠水溶液,用所制备的柱状铜颗粒膜作为电容器电极,其电容值是铜片的40倍左右。
本发明中,柱状铜颗粒膜的形成机理:将铜片首先在乙酸水溶液中进行阳极氧化处理,使铜片表面变粗糙,凸凹不平;在进行电沉积铜时,由于铜片表面凸凹不平,电荷分布不均匀,在铜片表面凸起部分电荷密度较高,沉积铜的速度较快、沉积量较大,沉积铜具有生长优势。其次,在硫酸铜水溶液中加有2-环己胺基乙磺酸钠,它能与铜离子络合,分子中的环己基体积较大,具有位阻效应,能够对电沉积所形成的铜原子之间的堆积产生阻碍作用。在这两方面因素的共同作用下,形成了柱状铜颗粒膜。
实施例2
在100g水中加入1.0g乙酸,搅拌溶解,以其为电解液,铜片为阳极,铂片作阴极,阳极与阴极间距离为2.0cm,在40℃、10V直流电条件下进行阳极氧化,反应时间为30min。阳极氧化实验结束后,取下铜片,用去离子水清洗。
在100g水中加入6.5g硫酸铜、0.1g 2-环己胺基乙磺酸钠,搅拌溶解,用此溶液为电沉积液,以前面阳极氧化过的铜片为阴极,铂片为阳极,阴极与阳极间距离为2.0cm,在室温、电流密度为150mA/cm2条件下直流电沉积1min。实验结束后,取下样片,用去离子水清洗,暖风吹干,即得柱状铜颗粒膜,其性能与实施例1相似。
实施例3
在100g水中加入0.1g乙酸,搅拌溶解,以其为电解液,铜片为阳极,铂片作阴极,阳极与阴极间距离为2.0cm,在40℃、50V直流电条件下进行阳极氧化,反应时间为5min。阳极氧化实验结束后,取下铜片,用去离子水清洗。
在100g水中加入0.5g硫酸铜、0.01g 2-环己胺基乙磺酸钠,搅拌溶解,用此溶液为电沉积液,以前面阳极氧化过的铜片为阴极,铂片为阳极,阴极与阳极间距离为2.0cm,在室温、电流密度为25mA/cm2条件下直流电沉积5min。实验结束后,取下样片,用去离子水清洗,暖风吹干,即得柱状铜颗粒膜,其性能与实施例1相似。
实施例4
在100g水中加入0.2g乙酸,搅拌溶解,以其为电解液,铜片为阳极,铂片作阴极,阳极与阴极间距离为2.0cm,在40℃、20V直流电条件下进行阳极氧化,反应时间为25min。阳极氧化实验结束后,取下铜片,用去离子水清洗。
在100g水中加入2.0g硫酸铜、0.03g 2-环己胺基乙磺酸钠,搅拌溶解,用此溶液为电沉积液,以前面阳极氧化过的铜片为阴极,铂片为阳极,阴极与阳极间距离为2.0cm,在室温、电流密度为130mA/cm2条件下直流电沉积2min。实验结束后,取下样片,用去离子水清洗,暖风吹干,即得柱状铜颗粒膜,其性能与实施例1相似。
实施例5
在100g水中加入0.5g乙酸,搅拌溶解,以其为电解液,铜片为阳极,铂片作阴极,阳极与阴极间距离为2.0cm,在40℃、30V直流电条件下进行阳极氧化,反应时间为20min。阳极氧化实验结束后,取下铜片,用去离子水清洗。
在100g水中加入4.5g硫酸铜、0.05g 2-环己胺基乙磺酸钠,搅拌溶解,用此溶液为电沉积液,以前面阳极氧化过的铜片为阴极,铂片为阳极,阴极与阳极间距离为2.0cm,在室温、电流密度为100mA/cm2条件下直流电沉积2min。实验结束后,取下样片,用去离子水清洗,暖风吹干,即得柱状铜颗粒膜,其性能与实施例1相似。
实施例6
在100g水中加入0.8g乙酸,搅拌溶解,以其为电解液,铜片为阳极,铂片作阴极,阳极与阴极间距离为2.0cm,在40℃、40V直流电条件下进行阳极氧化,反应时间为10min。阳极氧化实验结束后,取下铜片,用去离子水清洗。
在100g水中加入5g硫酸铜、0.08g 2-环己胺基乙磺酸钠,搅拌溶解,用此溶液为电沉积液,以前面阳极氧化过的铜片为阴极,铂片为阳极,阴极与阳极间距离为2.0cm,在室温、电流密度为60mA/cm2条件下直流电沉积3min。实验结束后,取下样片,用去离子水清洗,暖风吹干,即得柱状铜颗粒膜,其性能与实施例1相似。
实施例7
在100g水中加入0.5g乙酸,搅拌溶解,以其为电解液,铜片为阳极,铂片作阴极,阳极与阴极间距离为2.0cm,在40℃、30V直流电条件下进行阳极氧化,反应时间为15min。阳极氧化实验结束后,取下铜片,用去离子水清洗。
在100g水中加入4g硫酸铜、0.06g 2-环己胺基乙磺酸钠,搅拌溶解,用此溶液为电沉积液,以前面阳极氧化过的铜片为阴极,铂片为阳极,阴极与阳极间距离为2.0cm,在室温、电流密度为40mA/cm2条件下直流电沉积4min。实验结束后,取下样片,用去离子水清洗,暖风吹干,即得柱状铜颗粒膜,其性能与实施例1相似。
本发明未尽事宜为公知技术。

Claims (1)

1.一种柱状铜颗粒膜的制备方法,其特征为该方法包括以下步骤:
(1)在水中加入乙酸,搅拌溶解,以其为电解液,铜片为阳极,铂片作阴极,阳极与阴极间距离为2.0cm,在40℃、10-50V直流电条件下进行阳极氧化,反应时间为5-30min;阳极氧化结束后,取下铜片,用去离子水清洗,得到阳极氧化过的铜片;
其中,每100g水中加入0.1-1.0g乙酸;
(2) 在水中加入硫酸铜、2-环己胺基乙磺酸钠,搅拌溶解,用此溶液为电沉积液,以阳极氧化过的铜片为阴极,铂片为阳极,阴极与阳极间距离为2.0cm,在室温、电流密度为25-150 mA/cm2条件下直流电沉积1-5min;反应结束后,取下经过电沉积的铜片,将其用去离子水清洗,吹干,即得柱状铜颗粒膜;
其中,每100g水中加入0.5-6.5g硫酸铜、0.01-0.1 g 2-环己胺基乙磺酸钠。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109778296B (zh) * 2019-01-15 2020-09-22 中国航发北京航空材料研究院 一种抛光和氧化铜表面的方法
CN109609924B (zh) * 2019-01-15 2020-12-29 中国航发北京航空材料研究院 一种降低石墨烯晶片形核密度的方法
CN113201768B (zh) * 2021-04-01 2022-05-17 武汉大学 一种具有多棱角结构的铜颗粒的双阳极电沉积制备方法
CN113337847B (zh) * 2021-05-11 2022-03-04 武汉大学 一种具有多棱边结构的立方形铜颗粒的制备方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1275176A (zh) * 1998-09-14 2000-11-29 三井金属鉱业株式会社 多孔铜箔及其用途和制造方法
CN1543292A (zh) * 2003-02-04 2004-11-03 古河电路铜箔株式会社 高频电路铜箔及其制法和设备、使用该铜箔的高频电路
CN102953097A (zh) * 2011-08-22 2013-03-06 罗门哈斯电子材料有限公司 电镀液和电镀方法
CN102978678A (zh) * 2012-10-30 2013-03-20 上海交通大学 氯化亚铜薄膜的阳极氧化制备方法
CN105586626A (zh) * 2014-11-18 2016-05-18 天津城建大学 一种正八面体氧化亚铜复合二氧化钛纳米管阵列的制备方法
CN106048692A (zh) * 2016-07-26 2016-10-26 北京航空航天大学 一种纳米壁状硫化亚铜薄膜的制备工艺
CN106687623A (zh) * 2014-09-02 2017-05-17 三井金属矿业株式会社 黑化表面处理铜箔和带有载体箔的铜箔
CN106757191A (zh) * 2016-11-23 2017-05-31 苏州昕皓新材料科技有限公司 一种具有高择优取向的铜晶体颗粒及其制备方法
CN107505366A (zh) * 2017-09-22 2017-12-22 合肥工业大学 一种铜氧化物核壳纳米线阵列材料的制备及用途
CN108277520A (zh) * 2018-03-20 2018-07-13 河北工业大学 中空立方体氯化亚铜薄膜的制备方法
CN108468078A (zh) * 2018-03-15 2018-08-31 北京航空航天大学 一种梯度浸润性表面的制备方法及应用

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1275176A (zh) * 1998-09-14 2000-11-29 三井金属鉱业株式会社 多孔铜箔及其用途和制造方法
CN1543292A (zh) * 2003-02-04 2004-11-03 古河电路铜箔株式会社 高频电路铜箔及其制法和设备、使用该铜箔的高频电路
CN102953097A (zh) * 2011-08-22 2013-03-06 罗门哈斯电子材料有限公司 电镀液和电镀方法
CN102978678A (zh) * 2012-10-30 2013-03-20 上海交通大学 氯化亚铜薄膜的阳极氧化制备方法
CN106687623A (zh) * 2014-09-02 2017-05-17 三井金属矿业株式会社 黑化表面处理铜箔和带有载体箔的铜箔
CN105586626A (zh) * 2014-11-18 2016-05-18 天津城建大学 一种正八面体氧化亚铜复合二氧化钛纳米管阵列的制备方法
CN106048692A (zh) * 2016-07-26 2016-10-26 北京航空航天大学 一种纳米壁状硫化亚铜薄膜的制备工艺
CN106757191A (zh) * 2016-11-23 2017-05-31 苏州昕皓新材料科技有限公司 一种具有高择优取向的铜晶体颗粒及其制备方法
CN107505366A (zh) * 2017-09-22 2017-12-22 合肥工业大学 一种铜氧化物核壳纳米线阵列材料的制备及用途
CN108468078A (zh) * 2018-03-15 2018-08-31 北京航空航天大学 一种梯度浸润性表面的制备方法及应用
CN108277520A (zh) * 2018-03-20 2018-07-13 河北工业大学 中空立方体氯化亚铜薄膜的制备方法

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