CN109073829A - 光回路基板片以及具有该光回路基板片的光电混载基板片 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种不产生翘曲或者翘曲较小，在芯材不产生裂纹的光回路基板片以及具有该光回路基板片的光电混载基板片。本发明的光回路基板片(S)具有：绝缘片(1)、形成于绝缘片(1)的第1面的下包层(4)以及形成于下包层(4)的表面的至少1个芯材(5)，在下包层(4)的表面中的、除了芯材形成部分之外的部分形成有孔部(4a)，孔部(4a)的开口面相对于绝缘片(1)的第1面的面积比例设定为5％以上且99％以下。并且，本发明的光电混载基板片具有形成于光回路基板片(S)的绝缘片(1)的第2面的至少1个电气回路(2)，且具有至少1个光电混载基板(R)，该光电混载基板(R)是在作为绝缘片(1)的一部分的绝缘性基板上形成有电气回路(2)、下包层(4)以及芯材(5)而成的。

Description

光回路基板片以及具有该光回路基板片的光电混载基板片

技术领域

本发明涉及在绝缘片的第1面隔着下包层具有至少1个芯材的光回路基板片、以及在该光回路基板片的上述绝缘片的第2面具有至少1个电气回路的光电混载基板片。

背景技术

在最近的电子设备等中，伴随着传递信息量的增加，除了电气回路之外，还采用了光回路。作为这样的电子设备，例如，提案有图9所示那样的、层叠电气回路基板E和光波导(光回路)W而成的光电混载基板R0(例如，参照专利文献1)。上述电气回路基板E具有绝缘性基板51和形成在该绝缘性基板51的背面的电气回路52。而且，上述光波导W形成在上述绝缘性基板51的表面，上述光波导W包括：下包层54，其形成在该绝缘性基板51的表面；芯材(光路)55，其图案形成在该下包层54的表面；以及上包层56，其在包覆该芯材55的状态下形成在上述下包层54的表面。

上述光电混载基板R0通常通过卷对卷工序制作出来。即，该制作首先准备将以规定间隔具有多个电气回路基板E的带状的电气回路基板片呈卷状地卷装而成的卷筒体。该带状的电气回路基板片在绝缘性带状片的背面以规定间隔形成有多个电气回路52，与各电气回路52相对应的上述绝缘性带状片的部分成为上述绝缘性基板51。接着，一边自该卷筒体拉出上述电气回路基板片，一边在该上述电气回路基板片的表面(与电气回路52的形成面呈相反侧的面)整体上通过光刻法形成下包层54。接着，在该下包层54的表面通过光刻法按照芯材55、上包层56的顺序图案形成芯材55和上包层56。如此，在上述带状的电气回路基板片的表面形成多个光波导W，制作成带状的制品集合片。并且，通过使该带状的制品集合片经过辊并卷绕成卷状，获得制品集合卷筒体。之后，自该制品集合卷筒体拉出上述制品集合片，切断成具有规定个数的光电混载基板R0的光电混载基板片(参照图10)。通常，该光电混载基板片的大小设定为在通过光刻法形成上述光波导W时能够一次曝光的区域。然后，自该光电混载基板片切出各光电混载基板R0。

即，在上述光电混载基板片中，如图10所示，在表面整体形成有下包层54。另外，在图10中，为了容易理解下包层54的形成状态，以虚线形式在下包层54画入斜线。而且，未图示芯材55以及上包层56。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010－164655号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，视情况不同，有时会在从上述光电混载基板片得到的光电混载基板R0的芯材55上产生裂纹。当在芯材55存在裂纹时，无法进行适当的光传播。在此，本申请的发明人们探究了该芯材55的裂纹的原因。其结果，知晓到了其原因在于，在上述光电混载基板R0的制作过程中，当在带状的上述电气回路基板片的表面整体形成了下包层54时，该下包层54硬化收缩，该电气回路基板片和下包层54的层叠体以该下包层54为内侧地在宽度方向上翘曲。并且，在产生了该翘曲的状态下，当形成芯材55且在之后经过辊时，使该翘曲变得平坦，此时，会在上述芯材55产生裂纹。另外，在卷对卷的方式中，光电混载基板片的制作用基材呈连续状态且被沿长度方向拉拽，因此该制作用基材的行进方向(长度方向)的变形被约束，如上所述，在与该行进方向成直角的宽度方向上引起翘曲变形。

而且，在上述光电混载基板片的制作中，使用了在绝缘性带状片的背面预先形成有多个电气回路52的电气回路基板片，但也存在使用未形成有上述电气回路52的绝缘性带状片的情况。在该情况下，对于上述光电混载基板片的制作而言，在该绝缘性带状片的表面形成了多个光波导W之后，切断成具有规定个数的该光波导W的光回路基板片，之后，在上述绝缘性带状片的背面的规定位置形成多个电气回路52。即使在该情况下，也与上述同样地，绝缘性带状片和下包层54的层叠体翘曲，当在形成芯材55之后经过辊时，会在该芯材55产生裂纹。

而且，即使在分批地制作上述光回路基板片、上述光电混载基板片的情况下，也会产生上述翘曲。在该情况下，该翘曲在所有方向上产生。并且，在使该翘曲变平坦时，也会在上述芯材55产生裂纹。

本发明是鉴于这样的情况做成的，其提供一种不产生翘曲或者翘曲较小，且不会在芯材产生裂纹的光回路基板片以及具有该光回路基板片的光电混载基板片。

用于解决问题的方案

本发明的第1技术方案是一种光回路基板片，其具有：绝缘片；下包层，该下包层形成在该绝缘片的第1面；以及至少1个芯材，该至少1个芯材形成在该下包层的表面，在该光回路基板片中，在上述下包层的表面中的、除了芯材形成部分之外的部分形成有孔部，上述孔部的开口面相对于上述绝缘片的第1面的面积比例设定为5％以上且99％以下。

而且，本发明的第2技术方案是一种光电混载基板片，其中，该光电混载基板片具有上述光回路基板片以及在该光回路基板片的绝缘片的第2面形成的至少1个电气回路，该光电混载基板片具有至少1个光电混载基板，该光电混载基板是在作为上述绝缘片的一部分的绝缘性基板上形成有上述电气回路、上述光回路基板片的下包层以及芯材而成的。

发明的效果

本发明的光回路基板片在绝缘片的第1面形成有下包层，在该下包层的表面形成有孔部。因此，当在绝缘片的第1面形成了下包层时，通过上述孔部的形成，使得下包层的体积变小。即，由于会硬化收缩的下包层的体积较小，因此，下包层发生硬化时的收缩量也较少。而且，通过上述孔部的形成，下包层的至少表面部分被分割。由此，下包层的表面部分的硬化收缩在每一个被分割成的部分发生，在该被分割成的部分中，会硬化收缩的下包层的体积变小，因此，收缩量变少。并且，上述孔部的开口面相对于上述绝缘片的第1面的面积比例设定为5％以上且99％以下。由此，上述绝缘片和下包层的层叠体不产生翘曲或者翘曲较小。其结果，本发明的光回路基板片也不产生翘曲或者翘曲较小，在芯材不产生裂纹。

其中尤其是，在上述孔部的开口面相对于上述绝缘片的第1面的面积比例为35％以上且99％以下的情况下，能够进一步防止下包层的收缩变形。因此，光回路基板片不产生翘曲或者翘曲较小，在芯材不产生裂纹。

特别是，在上述孔部为长孔的情况下，能够使下包层的分割部分变长，因此能够有效地防止光回路基板片的翘曲。

其中尤其是，在上述长孔的开口宽度设定为100μm以上的情况下，能够进一步扩大下包层的分割部分的面积，因此能够更有效地防止光回路基板片的翘曲。

并且，本发明的光电混载基板片在上述光回路基板片的绝缘片的第2面形成有至少1个电气回路。即，本发明的光电混载基板片具有上述光回路基板片和电气回路，因此，上述光回路基板片的效果和上述电气回路的刚性相辅相成，从而不产生翘曲或者翘曲变小，在芯材不产生裂纹。

附图说明

图1示意性地表示本发明的光电混载基板片的第1实施方式，图1的(a)是其俯视图，图1的(b)是图1的(a)的A-A剖视图，图1的(c)是图1的(a)的B-B剖视图。

图2是示意性地表示上述光电混载基板片的变形例的俯视图。

图3是示意性地表示上述光电混载基板片的其他变形例的俯视图。

图4是示意性地表示本发明的光电混载基板片的第2实施方式的俯视图。

图5是示意性地表示上述光电混载基板片的变形例的俯视图。

图6是示意性地表示上述光电混载基板片的其他变形例的俯视图。

图7是示意性地表示上述光电混载基板片的另一其他变形例的俯视图。

图8是示意性地表示上述光电混载基板片的又一其他变形例的俯视图。

图9是示意性地表示以往的光电混载基板的剖视图。

图10是示意性地表示以往的光电混载基板片的剖视图。

具体实施方式

接着，基于附图详细地说明本发明的实施方式。

图1的(a)是表示本发明的光电混载基板片的第1实施方式的俯视图，图1的(b)是图1的(a)的A-A剖视图，图1的(c)是图1的(a)的B-B剖视图。该第1实施方式的光电混载基板片是经过如先前所述那样的卷对卷的工序而被制作出来的，在该卷对卷的工序中，上述光电混载基板片的制作用基材成为沿着图示的X方向行进的基材。而且，上述光电混载基板片具有多个(图示中为5个)光电混载基板(制品)R，这些光电混载基板R在与上述X方向成直角的宽度方向上隔开间隔地呈并列状地配置。并且，上述光电混载基板片具有绝缘片1、电气回路2、不锈钢层3、下包层4、芯材5、上包层6。

另外，在图1的(a)～图1的(c)中，为了容易理解上述光电混载基板片的结构，图示的结构的数量、大小的比率与实际相比多少有些差异。而且，在图1的(a)中，为了容易理解本发明的特征的下包层4的形状状态，以虚线形式在该下包层4画入斜线，而且，未图示芯材5以及上包层6。并且，图1的(b)、图1的(c)中的附图标记S所表示的部分是相当于之后说明的光回路基板片的部分。

针对上述光电混载基板片的结构，更详细地说明的话，上述绝缘片1是与上述光电混载基板片相同的大小，上述绝缘片1的、与各光电混载基板R相对应的部分是通过切出而成为构成上述光电混载基板R的绝缘性基板的部分。在该第1实施方式中，该绝缘性基板包括上端部〔参照图1的(a)〕的、光元件(未图示)安装用的俯视时正方形部分1a和自该正方形部分1a一体地延伸的芯材形成用的俯视时长方形部分1b，该长方形部分1b的宽度比上述正方形部分1a的宽度窄，且该长方形部分1b沿着上述X方向较长地形成。上述电气回路2图案形成在上述绝缘片1中的、与上述各光电混载基板R相对应的背面(第2面)〔参照图1的(b)、图1的(c)〕的部分。上述不锈钢层3是安装光元件时的加强层，该不锈钢层3形成在上述绝缘性基板的正方形部分1a的表面。

而且，在该第1实施方式中，上述下包层4形成在上述不锈钢层3的表面的一部分以及上述绝缘性基板的长方形部分1b的表面(第1面)〔参照图1的(b)、图1的(c)〕。并且，沿着上述X方向(卷对卷的行进方向)较长的孔部(长孔)4a在贯通该下包层4的状态下(呈狭缝状)形成在该下包层4中的、形成在上述绝缘性基板的长方形部分1b的部分。而且，上述下包层4不形成在上述绝缘片1中的、与上述光电混载基板R相对应的部分以外的部分。像这样，上述绝缘片1的未形成有下包层4的部分也发挥与形成于上述下包层4的上述孔部4a相同的功能，在本发明中包含在孔部4a中。由此，上述孔部4a的开口面相对于上述绝缘片1的表面(第1面)的面积比例设定为5％以上且99％以下。以上是本发明的特征。并且，上述芯材5形成于下包层4的与上述各光电混载基板R相对应的表面部分。上述上包层6在包覆与上述各光电混载基板R相对应的下包层4以及芯材5的状态下形成于上述绝缘片1的表面。

上述光电混载基板片如下述那样经过卷对卷的工序而被制作出来。即，首先，准备：第1卷筒体，该第1卷筒体是将以规定间隔具有多个上述电气回路基板的带状的电气回路基板片呈卷状卷装而成的；以及第2卷筒体，该第2卷筒体是将带状的不锈钢片(厚度10μm～70μm)呈卷状卷装而成的。上述第1卷筒体的电气回路基板片是如下构件：以由聚酰亚胺树脂等构成的上述绝缘片1(厚度1μm～20μm)连续呈带状地变长的绝缘性带状片为母材，在成为该绝缘性基板的部分的背面分布形成有多个上述电气回路2(厚度1μm～20μm)。接着，自上述第1卷筒体拉出上述电气回路基板片，并且，自上述第2卷筒体拉出上述不锈钢片，使上述不锈钢片借助粘接剂粘接在上述电气回路基板片(绝缘性带状片)的表面。接着，通过蚀刻，除去上述不锈钢片的、作为加强用的不锈钢层3而留下的部分以外的大部分，使绝缘性带状片自该除去痕迹处暴露。

接着，在暴露的绝缘性带状片的表面(与电气回路2的形成面呈相反侧的面)涂布感光性环氧树脂等，使该塗布层中作为下包层4留下的部分经过光掩模并曝光(成为上述孔部4a的部分不曝光)。之后，通过显影，除去未曝光的部分(光刻法)，将下包层4(厚度1μm～100μm)形成为上述那样的图案〔参照图1的(a)〕。接着，在该下包层4的表面，将感光性环氧树脂等作为形成材料并通过光刻法，将芯材5(厚度10μm～80μm)和上包层6(距芯材5的顶面的厚度3μm～500μm)按该顺序形成为上述那样的图案。如此，制作包括上述带状的电气回路基板片、下包层4、芯材5及上包层6的带状的制品集合片，将该带状的制品集合片呈卷状卷绕，获得制品集合卷筒体。之后，自该制品集合卷筒体拉出上述制品集合片，切断成所述光电混载基板片。在该第1实施方式中，在该光电混载基板片的除光电混载基板R以外的部分处，上述绝缘片1是暴露的〔参照图1的(a)〕。然后，自该光电混载基板片切出各光电混载基板R。

在上述卷对卷的工序中，通过在上述电气回路基板片的绝缘性带状片(绝缘片1)设置不形成下包层4的部分(在下包层4的表面形成孔部4a)，会发生硬化收缩的下包层4的体积变小。因此，下包层4在硬化时的收缩量也变少。

并且，在该第1实施方式中，在光电混载基板R中的形成于绝缘性基板的长方形部分1b的下包层4的部分，形成有沿着卷对卷中的制作用基材的行进方向(X方向)较长的狭缝状的孔部4a。因此，上述下包层4在与上述X方向成直角的宽度方向上被分割，下包层4的硬化收缩在每一个被分割成的部分发生，在该被分割成的部分中，由于会硬化收缩的下包层4的体积变小，因此，收缩量变少。

并且，上述孔部4a的开口面相对于上述绝缘片1的表面的面积比例被设定为5％以上且99％以下。根据上述情况，上述带状的电气回路基板片和下包层4的层叠体在与上述X方向成直角的宽度方向上不产生翘曲或者翘曲较小。并且，在之后的芯材形成工序以后，也成为在上述层叠体不产生翘曲或者翘曲较小的状态，因此，能够稳定地进行芯材5的形成等，即使经过辊，也不会在芯材5产生裂纹。

另外，在上述第1实施方式中，以覆盖不锈钢层3的表面的一部分的方式形成下包层4，但根据需要，还存在以覆盖不锈钢层3的表面整体的方式形成的情况。在该情况下，也可以是，如图2中俯视图所示那样，在不锈钢层3的表面的下包层4以贯通该下包层4的状态(呈狭缝状)形成沿上述X方向较长的孔部4a。在该例子中，即使下包层4形成得较宽，由于其被上述较长的孔部4a所分割，因此，能够防止上述层叠体的翘曲。

而且，在上述第1实施方式中，未在下包层4的处于不锈钢层3表面的部分形成孔部4a，但也可以是，如图3中俯视图所示那样，在该部分也形成上述孔部4a，在下包层4的全长范围形成与上述同样的孔部4a。在该例子中，下包层4被分割得更多，能够进一步防止上述层叠体的翘曲。另外，在图3中，示出了在各光电混载基板R形成有两条下包层4的结构。

图4是表示本发明的光电混载基板片的第2实施方式的俯视图。该第2实施方式的光电混载基板片在图3所示的光电混载基板片中，在与光电混载基板R相对应的部分以外的部分也形成下包层4，在该下包层4以贯通该下包层4的状态(呈狭缝状)形成有沿着卷对卷中的制作用基材的行进方向(X方向)较长的孔部4a。除此以外的部分与图3所示的光电混载基板片相同，在相同的部分标注相同的附图标记。

在该第2实施方式中，虽然形成于绝缘片1的表面的下包层4变多，但在该变多的下包层4形成有上述孔部4a，因此，下包层4的硬化收缩量变少。因此，在卷对卷的情况下，在带状的电气回路基板片和下包层4的层叠体不产生翘曲或者翘曲较小，不会在芯材5产生裂纹。

而且，在该第2实施方式中，在光电混载基板R中的绝缘性基板的周边形成有下包层4，因此，在形成芯材5的工序中，在涂布芯材形成用的液状材料时，该液状材料层的表面平坦地形成。即，上述液状材料层呈均匀厚度，存在能够使由该液状材料层形成的芯材5的厚度均匀这样的优点。因此，芯材5中的各芯材的光传播变得均匀，能够获得可靠性较高的光电混载基板R。

另外，在上述第2实施方式中，形成于下包层4的孔部4a设为沿上述X方向较长，但也可以除了这些孔部4a，还如图5～图7中俯视图所示那样(图5～图7的光电混载基板R的下包层4相当于图2的下包层4)形成有沿着与上述X方向成直角的宽度方向较长的孔部4b(在图5～图7中为3条)。即，在图5所示的光电混载基板片中，在下包层4的与光电混载基板R相对应的部分和下包层4的与光电混载基板R以外的部分相对应的部分形成有宽度方向上的孔部4b。在图6所示的光电混载基板片中，在下包层4的与光电混载基板R相对应的部分形成有宽度方向上的孔部4b。在图7所示的光电混载基板片中，在下包层4的与光电混载基板R以外的部分相对应的部分形成有宽度方向上的孔部4b。在这些例子中，使下包层4被分割得更多，因此，能够进一步防止上述层叠体的翘曲。

而且，在上述各实施方式中，将形成于下包层4的孔部4a设为以沿上述X方向较长的孔部为主，但也可以相对于上述X方向倾斜。

并且，在上述各实施方式中，将形成于下包层4的孔部4a、4b设为长孔，但也可以是其他样式，也可以是，开口面为圆形或者多角形的孔部(较短的孔部)。例如，在图8中俯视图所示的光电混载基板片中，在与光电混载基板R相对应的部分形成下包层4，在该下包层4的局部形成有开口面为圆形的孔部(较短的孔部)4c。在该例子中，沿着上述X方向以一定间距形成上述孔部4c，这些孔部4c成列。并且，沿宽度方向形成多个(在图8中为3列)该列，上述孔部4c的X方向上的配置成为在相邻的列中彼此错开的关系。

并且，也可以并用上述较短的孔部和长孔。从有效防止光电混载基板片的翘曲的观点来看，上述较短的孔部的开口面的直径和上述长孔的开口宽度优选设定为5μm以上，更优选设定为50μm以上，进一步优选设定为100μm以上。这是因为，若它们的直径以及开口宽度过小，则防止翘曲的效果有变弱的倾向。

而且，在上述各实施方式中，将形成于下包层4的孔部4a～4c以贯通下包层4的状态形成，但也可以以不贯通的状态形成。并且，也可以并用贯通的孔部4a～4c和不贯通的孔部4a～4c。

此外，在上述各实施方式中，经过卷对卷的工序地制作光电混载基板片，也可以分批式地制作。在该情况下，由于翘曲在所有方向上产生，因此，优选的是，将形成于下包层4的孔部(长孔)4a、4b的长度方向设定于所有方向上。

并且，在上述各实施方式中，将上述孔部4a～4c的开口面相对于绝缘片1的表面的面积比例设定为5％以上且99％以下，但从防止光电混载基板片的翘曲的观点来看，优选设定为35％以上且99％以下。这是因为，若该面积比例过低，则防止翘曲的效果存在变弱的倾向。

而且，优选的是，从防止光电混载基板R的翘曲的观点来看，该绝缘性基板的上述孔部4a～4c的开口面相对于上述光电混载基板R的绝缘性基板的表面的面积比例设定为5％以上且99％以下。这是因为，若该面积比例过低，则在自光电混载基板片切出并获得了上述光电混载基板R时，存在防止该光电混载基板R的翘曲的效果变弱的倾向。相反地，若该面积比例过高，则存在无法形成充分的下包层4的倾向。

此外，优选的是，从防止光电混载基板R的翘曲的观点来看，相邻的光电混载基板R和光电混载基板R之间的绝缘片部分的上述孔部4a～4c的开口面相对于相邻的光电混载基板R和光电混载基板R之间的上述绝缘片部分的表面的面积比例设定为5％以上且99％以下。这是因为，若该面积比例过低，则防止翘曲的效果存在变弱的倾向。

而且，在上述各实施方式中，在光电混载基板片的制作中，使用了在绝缘性带状片的背面预先形成有电气回路2的电气回路基板片，但也可以使用未形成有该电气回路2的绝缘性带状片。在该情况下，上述光电混载基板片的制作如下：与上述各实施方式同样地，在该绝缘性带状片的表面形成下包层4、芯材5和上包层6之后，切断成与上述光电混载基板片相当的光回路基板片S〔参照图1的(b)、图1的(c)〕，之后，在上述绝缘性带状片的背面的规定位置形成多个电气回路2。在该情况下，上述光回路基板片S不产生翘曲或者翘曲较小，不会在芯材5产生裂纹。

另外，在上述各实施方式中，设为在1张光电混载基板片具有多个光电混载基板R，但该光电混载基板R也可以为1个。

而且，上述各实施方式中的不锈钢层3如先前所述那样，成为在安装光元件时的加强层，但根据需要，也可以不形成该不锈钢层3。

此外，在上述各实施方式中，形成了上包层6，但也可以不形成该上包层6。即，也可以是，代替由树脂构成的上包层6，设为由空气构成的包层(空气包层)。若如此，则芯材5和空气(空气包层)的折射率差变得更大，因此能够使在芯材5之中传播的光难以自芯材5泄漏。

接着，针对实施例与比较例一并进行说明。但是，本发明不限于实施例。

实施例

〔实施例1〕

经过卷对卷的工序来制作图1的(a)～图1的(c)所示的光电混载基板片。并且，该光电混载基板片的尺寸设为44mm(X方向长度)×251.9mm(宽度)。关于光电混载基板的尺寸，将正方形部分设为8mm×8mm，将长方形部分设为3mm×36mm，将相邻的正方形部分和正方形部分之间的宽度设为2mm，将相邻的长方形部分和长方形部分之间的宽度设为6.8mm。而且，将光电混载基板中的长孔的开口宽度设为110μm，将该长孔的形成间距设为250μm。

〔实施例2〕

经过卷对卷的工序制作图2所示的光电混载基板片。长孔的尺寸与上述实施例1相同。除此以外的部分也与上述实施例1相同。

〔实施例3〕

在上述实施例1中，自光电混载基板的绝缘性基板的长方形部分的侧端缘隔开0.1mm间隔地沿着该长方形部分，追加形成了0.8mm×36mm的下包层。除此以外的部分与上述实施例1相同。

〔实施例4〕

经过卷对卷的工序制作图3所示的光电混载基板片。将两根芯材的宽度设为140μm、长度设为42mm，将两根芯材之间的间隙的宽度设为110μm。除此以外的部分与上述实施例1相同。

〔实施例5〕

在上述实施例2中，将长孔的开口宽度设为20μm。除此以外的部分与上述实施例2相同。

〔实施例6〕

经过卷对卷的工序制作图4所示的光电混载基板片。光电混载基板的两根芯材的尺寸与上述实施例4相同。而且，将形成于光电混载基板以外的部分的下包层的长孔的开口宽度设为10μm，将该长孔的形成间距设为250μm。除此以外的部分与上述实施例1相同。

〔实施例7〕

在上述实施例5中，在光电混载基板的绝缘性基板以外的绝缘片的部分形成下包层，在该下包层形成与上述实施例6相同的长孔。除此以外的部分与上述实施例5相同。

〔实施例8〕

经过卷对卷的工序制作图5所示的光电混载基板片。关于宽度方向的长孔，将开口宽度设为10μm，将形成间距设为12mm。除此以外的部分与上述实施例7相同。

〔实施例9〕

经过卷对卷的工序制作图6所示的光电混载基板片。宽度方向的长孔的尺寸与上述实施例8相同。除此以外的部分与上述实施例7相同。

〔实施例10〕

经过卷对卷的工序制作图7所示的光电混载基板片。宽度方向的长孔的尺寸与上述实施例8相同。除此以外的部分与上述实施例7相同。

〔实施例11〕

经过卷对卷的工序制作图8所示的光电混载基板片。将孔部的开口面的半径设为40μm，关于孔部的形成间距，将X方向上的间距设为240μm，将宽度方向上的间距设为250μm。除此以外的部分与上述实施例1相同。

〔比较例1〕

在绝缘片的整个面形成下包层，在该下包层的、与光电混载基板的绝缘性基板的侧端缘到内侧相对应的部分形成开口宽度200μm的长孔。除此以外的部分与上述实施例1相同。

〔比较例2〕

在上述实施例11中，在相邻的光电混载基板和光电混载基板之间的绝缘片部分形成的下包层的部分的中央，追加形成在卷对卷的制作用基材的行进方向上较长的、开口宽度200μm的长孔。除此以外的部分与上述实施例1相同。

〔比较例3〕

在绝缘片的整个面形成下包层。在该下包层不形成孔部。除此以外的部分与上述实施例1相同。

〔孔部的开口面的面积比例〕

关于上述实施例1～11以及比较例1～3的光电混载基板片，使用数字显微镜(KEYENCE公司制，VHX－5000)，测量形成在下包层的孔部的开口面的尺寸。然后，分别算出：光电混载基板(制品)的绝缘性基板处的孔部的开口面相对于该绝缘性基板的表面的面积比例、相邻的光电混载基板和光电混载基板之间的上述绝缘片部分处的孔部的开口面相对于该绝缘片部分的表面的面积比例、以及孔部的开口面相对于光电混载基板片(制品片)的绝缘片的表面的面积比例。将其结果表示在下述表1。

〔翘曲量〕

使用触针式表面形状测量器(ULVAC公司制，DEKTAK8)测量了在上述实施例1～11以及比较例1～3的光电混载基板片中相邻的光电混载基板和光电混载基板之间的翘曲量。而且，自各光电混载基板片切出光电混载基板，与上述同样地测量该光电混载基板的翘曲量。将它们的结果表示在下述表1中。

〔综合判定〕

使用光学显微镜扩大20倍地观察上述实施例1～11以及比较例1～3的光电混载基板片的芯材，确认该芯材是否具有裂纹。并且，针对该芯材的裂纹和上述翘曲量，基于以下评价基准进行判定，将该结果表示在下述表1中。

◎：无裂纹，翘曲量为40μm以下。

○：无裂纹，翘曲量大于40μm且为60μm以下。

△：无裂纹，翘曲量大于60μm且为80μm以下。

×：有裂纹，翘曲量大于80μm。

表1

根据上述表1的结果可知，在实施例1～11中，在芯材没有产生裂纹。其中尤能够知晓的是，在实施例1～4中，相邻的光电混载基板和光电混载基板之间的翘曲量以及光电混载基板的翘曲量均较少。能够知晓的是，其理由在于孔部的开口面的面积比例较高。相对于此，能够知晓的是，在比较例1～3中，在芯材产生裂纹，上述翘曲量也较大。能够知晓的是，其理由在于孔部的开口面的面积比例小于5％，为较低的值。另外，任一个光电混载基板片形成为，随着相邻的光电混载基板和光电混载基板之间的翘曲量变大，其自身的翘曲量也变大。

而且，针对使用未形成有电气回路的绝缘性带状片，并与上述实施例1～11同样地制作而成的光回路基板片，与上述同样，能够获得在芯材不产生裂纹，翘曲量也较小这样的结果。

在上述实施例中，示出了本发明中的具体的实施方式，但上述实施例仅仅是示例，并非作为被限定地解释的内容。对于本领域技术人员而言明显的各种变形也包含在本发明的范围内。

产业上的可利用性

本发明的光回路基板片以及光电混载基板片能够利用于期望不产生翘曲或者翘曲较小，不在芯材产生裂纹的情况。

附图标记说明

R、光电混载基板；S、光回路基板片；1、绝缘片；2、电气回路；4、下包层；4a、孔部；5、芯材。

Claims (5)

1.一种光回路基板片，其特征在于，

该光回路基板片具有：绝缘片；下包层，该下包层形成在该绝缘片的第1面；以及至少1个芯材，该至少1个芯材形成在该下包层的表面，在上述下包层的表面中的、除了芯材形成部分之外的部分形成有孔部，上述孔部的开口面相对于上述绝缘片的第1面的面积比例设定为5％以上且99％以下。

2.根据权利要求1所述的光回路基板片，其中，

上述孔部的开口面相对于上述绝缘片的第1面的面积比例为35％以上且99％以下。

3.根据权利要求1或2所述的光回路基板片，其中，

上述孔部为长孔。

4.根据权利要求3所述的光回路基板片，其中，

上述长孔的开口宽度设定为100μm以上。

5.一种光电混载基板片，其特征在于，

该光电混载基板片具有权利要求1～4中任一项所述的光回路基板片以及在该光回路基板片的绝缘片的第2面形成的至少1个电气回路，该光电混载基板片具有至少1个光电混载基板，该光电混载基板是在作为上述绝缘片的一部分的绝缘性基板上形成有上述电气回路、上述光回路基板片的下包层以及芯材而成的。