TW201740145A - 光電路基板片及具有其之光電混合基板片 - Google Patents

Abstract

本發明是提供一種無翹曲或翹曲小，且在芯材上並未產生有破損的光電路基板片及具有其之光電混合基板片。本發明之光電路基板片具備絕緣片、形成於絕緣片之第1面的下包覆層、及形成於下包覆層之表面的至少1個芯材，且在下包覆層的表面中於將芯材形成部分排除的部分形成有孔部，並將孔部之開口面相對於絕緣片之第1面的面積比例設定為5%以上且99%以下。並且，本發明之光電混合基板片具備形成於光電路基板片的絕緣片之第2面的至少1個電氣電路，而具備有至少1個在絕緣片之一部分的絕緣性基板上形成電氣電路、下包覆層及芯材而構成的光電混合基板。

Description

光電路基板片及具有其之光電混合基板片

發明領域 本發明是有關於一種在絕緣片的第1面隔著下包覆層而具備有至少1個芯材的光電路基板片、以及在該光電路基板片之上述絕緣片的第2面具備有至少1個電氣電路的光電混合基板片。

發明背景 在最近的電子機器等上，伴隨著傳送資訊量的增加，除了電氣電路外，也採用了光電路。作為該種光電路，已有例如，如圖9所示，積層有電氣電路基板E與光波導(光電路)W之光電混合基板R0的方案被提出(參照例如專利文獻1)。上述電氣電路基板E具備有絕緣性基板51、及形成於此絕緣性基板51之背面上的電氣電路52。又，上述光波導W是形成於上述絕緣性基板51的表面，並具備有形成於該絕緣性基板51之表面的下包覆層54、於此下包覆層54之表面進行圖案形成的芯材(光路)55、及以被覆此芯材55的狀態形成於上述下包覆層54之表面的上包覆層56。

上述光電混合基板R0一般來說是經由捲對捲(Roll-to-Roll)的步驟來製作。亦即，該製作首先會準備將以預定間隔設置複數個電氣電路基板E之帶狀的電氣電路基板片捲繞成捲(roll)狀的捲體。該帶狀之電氣電路基板片會在絕緣性帶狀片的背面，以預定間隔形成有複數個電氣電路52，且對應於各電氣電路52之上述絕緣性帶狀片的部分形成為上述絕緣性基板51。接著，從該捲體中送出上述電氣電路基板片，並且在該上述電氣電路基板片之表面(與電氣電路52之形成面為相反側之面)的整體上，藉由光刻法形成下包覆層54。接著，在該下包覆層54的表面上，藉由光刻法將芯材55與上包覆層56依此順序進行圖案形成。如此進行，以在上述帶狀之電氣電路基板片的表面形成複數個光波導W，而製作帶狀的製品集合片。並且，將該帶狀之製品集合片通過滾筒捲取成捲狀，而得到製品集合捲體。之後，從該製品集合捲體中送出上述製品集合片，切斷成具有預定的個數之光電混合基板R0的光電混合基板片(參照圖10)。通常，該光電混合基板片的大小，是設定為在將上述光波導W藉由光刻法形成之時一次所能夠曝光的區域。然後，從該光電混合基板片中切出各光電混合基板R0。

亦即，在上述光電混合基板片中，如圖10所示，在表面整體形成有下包覆層54。再者，在圖10中，為了易於理解下包覆層54之形成狀態，會在下包覆層54處以虛線方式來加入斜線。又，並未圖示芯材55及上包覆層56。 先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2010-164655號公報

發明概要 發明欲解決之課題 然而，根據情況，有時會有在從上述光電混合基板片所得到之光電混合基板R0的芯材55上產生破損的情況。在芯材55上有破損時，便無法進行恰當的光傳播。於是，本案之發明人們追究了該芯材55的破損原因。其結果，得知了其原因在於：在上述光電混合基板R0的製作過程中，在帶狀之上述電氣電路基板片的表面整體形成下包覆層54時，會有該下包覆層54硬化收縮，而使該電氣電路基板片與下包覆層54的積層體，以該下包覆層54為内側在寬度方向上翹曲之情形。並且，當在已產生該翹曲的狀態下，形成芯材55，於之後通過滾筒時，可將該翹曲變得平坦，此時，會在上述芯材55上產生破損。再者，在捲對捲中，由於是使光電混合基板片的製作用基材連續並在長度方向上被拖曳，所以會約束該製作用基材的行進方向(長度方向)的變形，如上所述，在與該行進方向成直角之寬度方向上則發生翹曲的變形。

又，在上述光電混合基板片的製作中，雖然使用了在絕緣性帶狀片的背面預先形成有複數個電氣電路52的電氣電路基板片，但也有使用未形成有上述電氣電路52之絕緣性帶狀片的情況。此時，上述光電混合基板片的製作，是在該絕緣性帶狀片的表面形成複數個光波導W後，切斷成具有預定的個數之該光波導W的光電路基板片，之後，在上述絕緣性帶狀片之背面的預定位置形成複數個電氣電路52。此時，與上述同樣地，會使絕緣性帶狀片與下包覆層54的積層體翹曲，當在形成芯材55後通過滾筒時，會在該芯材55上產生破損。

而且，上述翹曲在以批次式製作上述光電路基板片與上述光電混合基板片時也會產生。此時，該翹曲會在全方向上產生。並且，在將該翹曲變得平坦時，也會在上述芯材55上產生破損。

本發明是有鑒於如此的問題點而作成的發明，並提供一種無翹曲或翹曲較小，且在芯材上未產生有破損的光電路基板片及具有其之光電混合基板片。 用以解決課題之手段

本發明的第1要旨在於：一種光電路基板片，該光電路基板片具備有絕緣片、形成於該絕緣片之第1面的下包覆層、及形成於該下包覆層之表面的至少一個芯材，且在上述下包覆層的表面之中將芯材形成部分排除的部分形成有孔部，並將上述孔部之開口面相對於上述絕緣片之第1面的的面積比例設定為5%以上且99%以下。

又，本發明的第2要旨在於：一種光電混合基板片，該光電混合基板片具備有上述光電路基板片、及形成於該光電路基板片的絕緣片之第2面的至少1個電氣電路，且在上述絕緣片之一部分的絕緣性基板上具備有至少一個光電混合基板，該光電混合基板由上述電氣電路、上述光電路基板片的下包覆層及芯材所形成的。 發明效果

本發明之光電路基板片在絕緣片的第1面上形成有下包覆層，且在該下包覆層的表面形成有孔部。因此，已在絕緣片的第1面形成下包覆層時，由於上述孔部的形成，會使下包覆層的體積變少。亦即，由於硬化收縮之下包覆層的體積變少，所以下包覆層硬化時的收縮量也少。又，藉由上述孔部的形成，會將下包覆層的至少表面部分分斷。藉此，會使下包覆層之表面部分的硬化收縮按已分斷的每一部分而發生，由於在該分斷的部分會使硬化收縮之下包覆層的體積變少，所以收縮量也變少。並且，將上述孔部之開口面相對於上述絕緣片之第1面的的面積比例設定為5%以上且99%以下。由於這些，上述絕緣片與下包覆層間的積層體會變得無翹曲或翹曲較小。其結果，本發明之光電路基板片也會變得無翹曲或翹曲較小，而成為在芯材上未產生有破損的光電路基板片。

其中尤以上述孔部之開口面相對於上述絕緣片之第1面的面積比例為35%以上且99%以下時，能夠更加防止下包覆層的收縮變形。因此，光電路基板片會變得無翹曲或是翹曲更小，而成為在芯材上並未產生有破損的光電路基板片。

尤其是，上述孔部形成為長孔時，由於能夠加長下包覆層的分斷部分，所以能夠有效地防止光電路基板片的翹曲。

其中尤以將上述長孔的開口寬度設定為100μm以上時，由於能夠更加擴大下包覆層之分斷部分的面積，所以能夠更加有效地防止光電路基板片的翹曲。

並且，本發明之光電混合基板片會在上述光電路基板片之絕緣片的第2面形成有至少1個電氣電路。亦即，由於本發明之光電混合基板片具備有上述光電路基板片、及電氣電路，所以可使上述光電路基板片的効果、及上述電氣電路的剛性相輔相成，而變得無翹曲或翹曲較小，且成為在芯材上並未產生有破損的光電混合基板片。

用以實施發明之形態 接著，根據圖式詳細地說明本發明之實施形態。

圖1之(a)是顯示本發明之光電混合基板片之第1實施形態的平面圖，圖1之(b)是圖1之(a)的A-A截面圖，圖1之(c)是圖1之(a)之B-B截面圖。此第1實施形態之光電混合基板片是經由如先前所述之捲對捲的步驟所製作的光電混合基板片，在該捲對捲的步驟中，上述光電混合基板片的製作用基材是形成為朝圖示之X方向行進的基材。又，上述光電混合基板片具有複數個(圖示中為5個)光電混合基板(製品)R，且是將該等光電混合基板R在與上述X方向成直角之寬度方向上隔著間隔而配置成並列狀。並且，上述光電混合基板片具備有絕緣片1、電氣電路2、不鏽鋼層3、下包覆層4、芯材5、及上包覆層6。

再者，在圖1之(a)～(c)中，為了易於理解上述光電混合基板片的構成，圖示之構成的數量與大小的比例會與實際有稍微差異。又，在圖1之(a)中，為了易於理解本發明的特徴之下包覆層4的形狀狀態，在該下包覆層4以虛線方式來加入斜線，又，並未圖示有芯材5及上包覆層6。並且，以圖1之(b)、(c)中的符號S來表示的部分，是相當於後面將說明之光電路基板片的部分。

若更詳細地說明上述光電混合基板片的構成，上述絕緣片1為與上述光電混合基板片相同的大小，且對應於各光電混合基板R的部分，為藉由切出而成為構成上述光電混合基板R之絕緣性基板的部分。該絕緣性基板在此第1實施形態中，是由上端部[參照圖1之(a)]的光元件(圖未示)安裝用的平面視角下正方形部分1a、及從該正方形部分1a一體地延伸之芯材形成用的平面視角下長方形部分1b所構成，且該長方形部分1b相較於上述正方形部分1a，寬度較狹窄，且是沿上述X方向形成得較長。上述電氣電路2是在上述絕緣片1之中，於對應於上述各光電混合基板R之背面(第2面)[參照圖1之(b)、(c)]的部分進行圖案形成。上述不鏽鋼層3是安裝光元件之時的補強層，且是形成於上述絕緣性基板之正方形部分1a的表面。

又，上述下包覆層4在此第1實施形態中，是形成於上述不鏽鋼層3之表面的一部分及上述絕緣性基板之長方形部分1b的表面(第1面)[參照圖1之(b)、(c)]。並且，在該下包覆層4之中，在形成於上述絕緣性基板之長方形部分1b的部分，是將沿上述X方向(捲對捲之行進方向)較長之孔部(長孔)4a，以貫通該下包覆層4的狀態(狹縫狀地)形成。又，上述下包覆層4並未形成在上述絕緣片1之中對應於上述光電混合基板R之部分以外的部分。像這樣並未形成有下包覆層4之上述絕緣片1的部分，為也能發揮與形成於上述下包覆層4之上述孔部4a相同的機能的部分，且在本發明中是包含於孔部4a中。因此，將上述孔部4a之開口面相對於上述絕緣片1的表面(第1面)的面積比例設定為5%以上且99%以下。此為本發明的特徴。並且，上述芯材5是形成在對應於上述各光電混合基板R之下包覆層4的表面部分。上述上包覆層6是以將對應於上述各光電混合基板R之下包覆層4及芯材5被覆的狀態，形成於上述絕緣片1的表面。

上述光電混合基板片是如以下地進行，並經由捲對捲的步驟來製作。亦即，首先準備將以預定間隔設置複數個上述電氣電路基板之帶狀的電氣電路基板片捲撓成捲狀的第1捲體、及將帶狀之不鏽鋼片(厚度10～70μm)捲繞成捲狀的第2捲體。上述第1捲體之電氣電路基板片，是將由聚醯亞胺樹脂等所構成之上述絕緣片1(厚度1～20μm)連續形成而以帶狀形式形成得較長的絕緣性帶狀片作為母材，且在成為該絕緣性基板之部分的背面，分布形成有複數個上述電氣電路2(厚度1～20μm)之電氣電路基板片。接著，從上述第1捲體中送出上述電氣電路基板片，並且從上述第2捲體中送出上述不鏽鋼片，在上述電氣電路基板片(絕緣性帶狀片)的表面，透過接著劑來使其接著上述不鏽鋼片。接下來，藉由蝕刻，將作為補強用之不鏽鋼層3而留下的部分以外的上述不鏽鋼片的大部分去除，並使絕緣性帶狀片從該去除痕跡中顯露出。

接著，在顯露出之絕緣性帶狀片的表面(與電氣電路2之形成面為相反側之面)上塗佈感光性環氧樹脂等，並通過光罩將在該塗佈層之中作為下包覆層4而留下的部分曝光(成為上述孔部4a之部分不曝光)。之後，藉由顯影，除去未曝光的部分(光刻法)，將下包覆層4(厚度1～100μm)形成為如上述的圖案[參照1之(a)]。接下來，在該下包覆層4的表面，將感光性環氧樹脂等作為形成材料，並藉由光刻法，將芯材5(厚度10～80μm)與上包覆層6(離芯材5之頂面之厚度3～500μm)，依此順序形成為如上述的圖案。如此進行，來製作由上述帶狀的電氣電路基板片、下包覆層4、芯材5及上包覆層6所構成之帶狀的製品集合片，並將該帶狀的製品集合片捲繞成捲狀，而得到製品集合捲體。之後，從該製品集合捲體中將上述製品集合片送出，並切斷成前述光電混合基板片。此光電混合基板片在此第1實施形態中，在光電混合基板R以外的部分，是使上述絕緣片1為顯露出的[參照圖1之(a)]。然後，從該光電混合基板片切出各光電混合基板R。

在上述捲對捲的步驟中，可藉由在上述電氣電路基板片的絕緣性帶狀片(絕緣片1)上設置不形成下包覆層4的部分(在下包覆層4的表面形成孔部4a)，以使硬化收縮之下包覆層4的體積變少。因此，使下包覆層4硬化之時的收縮量也變少。

此外，在此第1實施形態中，在形成於光電混合基板R中的絕緣性基板的長方形部分1b之下包覆層4的部分，會形成有沿捲對捲中的製作用基材的行進方向(X方向)較長之狹縫狀的孔部4a。因此，會將上述下包覆層4在與上述X方向成直角的寬度方向上分斷，而使下包覆層4的硬化收縮按已分斷的每一部分而發生，由於在該分斷的部分會使硬化收縮之下包覆層4的體積變少，所以收縮量也變少。

並且，將上述孔部4a之開口面相對於上述絕緣片1之表面的面積比例設定為5%以上且99%以下。由於這些，上述帶狀的電氣電路基板片與下包覆層4的積層體，在與上述X方向成直角的寬度方向上，會變得無翹曲或翹曲較小。並且，由於之後的芯材形成步驟以後，在上述積層體上，也是形成為無翹曲或翹曲變小的狀態，所以能夠安定地進行芯材5的形成等，就算通過滾筒也不會有在芯材5上產生破損的情況。

再者，在上述第1實施形態中，雖然是將下包覆層4形成為覆蓋不鏽鋼層3之表面的一部分，但因應需要，也有形成為覆蓋不鏽鋼層3之表面的整體的情況。此時，也如圖2中以平面圖所示，亦可在不鏽鋼層3之表面的下包覆層4上，以貫通該下包覆層4的狀態(狹縫狀地)形成沿上述X方向較長的孔部4a。在此例中，即使將下包覆層4形成得較寬，也可藉由上述狹長的孔部4a來分斷，所以能夠防止上述積層體的翹曲。

又，在上述第1實施形態中，雖然在不鏽鋼層3之表面的下包覆層4的部分並未形成有孔部4a，但如圖3中以平面圖所示，亦可在該部分也形成上述孔部4a，而涵蓋下包覆層4的全長來形成與上述同樣的孔部4a。在此例中，由於將下包覆層4分斷得更多，所以能夠更加防止上述積層體的翹曲。再者，在圖3中，所顯示的是在各光電混合基板R上形成有2條下包覆層4的構成。

圖4是顯示本發明之光電混合基板片的第2實施形態的平面圖。此第2實施形態的光電混合基板片是在圖3所示的光電混合基板片中，在對應於光電混合基板R之部分以外的部分，也形成下包覆層4，在該下包覆層4上，並以貫通下包覆層4的狀態(狹縫狀地)形成有沿捲對捲中之製作用基材的行進方向(X方向)較長的孔部4a。其以外的部分與圖3所示之光電混合基板片是同樣的，在同様的部分會附加相同的符號。

在此第2實施形態中，儘管形成於絕緣片1之表面的下包覆層4變多，但由於在該變多之下包覆層4上形成有上述孔部4a，所以可使下包覆層4的硬化收縮量變少。因此，在捲對捲中，在帶狀的電氣電路基板片與下包覆層4的積層體中，可為無翹曲或翹曲變小，而不會有在芯材5上產生破損的情況。

又，在此第2實施形態中，由於在光電混合基板R中的絕緣性基板的周邊形成有下包覆層4，所以在形成芯材5的步驟中，在塗佈芯材形成用的液狀材料之時，可將該液狀材料層的表面平坦地形成。亦即，會使上述液狀材料層成為均一厚度，而具有能夠將從該液狀材料層所形成之芯材5的厚度均一地形成的優點。因此，能夠使芯材5中的各芯材的光傳播變得均一，而得到信賴性高的光電混合基板R。

再者，在上述第2實施形態中，雖然形成於下包覆層4的孔部4a，是做成沿上述X方向較長的孔部，但除了該等孔部4a外，亦可如圖5～圖7中以平面圖所示(圖5～圖7之光電混合基板R的下包覆層4，相當於圖2的下包覆層4)，形成沿與上述X方向成直角之寬度方向較長的孔部4b(在圖5～圖7中為3條)。亦即，在圖5所示的光電混合基板片中，是在對應於光電混合基板R之下包覆層4的部分、與對應於光電混合基板R以外之部分的下包覆層4的部分之間，形成有寬度方向的孔部4b。在圖6所示的光電混合基板片中，是在對應於光電混合基板R之下包覆層4的部分，形成有寬度方向的孔部4b。在圖7所示之光電混合基板片中，是在對應於光電混合基板R以外之部分的下包覆層4的部分，形成有寬度方向的孔部4b。在這些例子中，由於會將下包覆層4分斷得更多，所以能夠更加防止上述積層體的翹曲。

又，在上述各實施形態中，雖然是將形成於下包覆層4的孔部4a，設成以沿上述X方向較長者為主，但相對於上述X方向而傾斜亦可。

此外，在上述各實施形態中，雖然將形成於下包覆層4的孔部4a、4b設成長孔，但也可以是其他形式，亦可設成開口面為圓形或多角形的孔部(短孔部)。例如，在圖8中以平面圖所示的光電混合基板片中，是在對應於光電混合基板R的部分形成下包覆層4，並在該下包覆層4的部分，形成有開口面為圓形的孔部(短孔部)4c。在此例中，是將上述孔部4c沿上述X方向以固定間距形成，而使該等孔部4c成列。並且，是將該列在寬度方向上形成複數個(在圖8中為3條)，並使上述孔部4c之X方向的配置，形成為在相鄰的列中相互不同的關係。

並且，亦可併用上述短孔部與長孔。上述短孔部之開口面的直徑，還有上述長孔的開口寬度，從有效地做到光電混合基板片之翹曲防止的觀點來看，宜設定為5μm以上，較理想的是設定為50μm以上，更理想的是設定為100μm以上。因為在該等直徑及開口寬度過小時，存在有對於翹曲防止之效果減弱的傾向。

又，在上述各實施形態中，雖然是將形成於下包覆層4的孔部4a～4c，以貫通下包覆層4的狀態來形成，但以未貫通的狀態來形成亦可。並且，亦可併用貫通的孔部4a～4c與未貫通的孔部4a～4c。

此外，在上述各實施形態中，雖然是將光電混合基板片經由捲對捲的步驟來製作，但以批次式來製作亦可。此時，由於翹曲會在全方向上產生，所以宜將形成於下包覆層4之孔部(長孔)4a、4b的長度方向於全方向上設定。

並且，在上述各實施形態中，雖然是將上述孔部4a～4c之開口面相對於絕緣片1之表面的面積比例設定為5%以上且99%以下，但從光電混合基板片之翹曲防止的觀點來看，以設定為35%以上且99%以下為較理想。因為當該面積比例過低時，會存在有翹曲防止減弱的傾向。

又，上述光電混合基板R之在絕緣性基板上的上述孔部4a～4c之開口面相對於該絕緣性基板的表面的面積比例，從光電混合基板R之翹曲防止的觀點來看，以設定為5%以上且99%以下為較理想。因為當該面積比例過低時，於從光電混合基板片切出而得到上述光電混合基板R時，會存在有該光電混合基板R之翹曲防止減弱的傾向。相反地是因為當該面積比例過高時，會存在有無法形成充分的下包覆層4的傾向。

此外，在相鄰的光電混合基板R與光電混合基板R之間的上述絕緣片部分的上述孔部4a～4c之開口面相對於其間的絕緣片部分的表面的面積比例，從光電混合基板R之翹曲防止的觀點來看，以設定為5%以上且99%以下為較理想。因為當該面積比例過低時，會存在有翹曲防止減弱的傾向。

又，在上述各實施形態中，在光電混合基板片的製作中，雖然使用的是在絕緣性帶狀片的背面預先形成有電氣電路2的電氣電路基板片，但亦可使用未形成有該電氣電路2的絕緣性帶狀片。此時，上述光電混合基板片的製作是設成與上述各實施形態同樣，在該絕緣性帶狀片之表面形成下包覆層4、芯材5及上包覆層6後，切斷成相當於上述光電混合基板片的光電路基板片S[參照圖1之(b)、(c)]，之後，在上述絕緣性帶狀片之背面的預定位置形成複數個電氣電路2。即使在此情況下，上述光電路基板片S也會形成為無翹曲或翹曲變小，而在芯材5上並未產生有破損的光電路基板片。

再者，在上述各實施形態中，雖然是做成在1片光電混合基板片上具有複數個光電混合基板R，但該光電混合基板R為1個亦可。

又，雖然上述各實施形態中的不鏽鋼層3如先前所述，會成為安裝光元件之時的補強層，但因應需要，亦可不形成該不鏽鋼層3。

另外，在上述各實施形態中，雖然形成有上包覆層6，但亦可不形成該上包覆層6。亦即，亦可取代由樹脂所構成的上包覆層6，而形成由空氣所構成的包覆層(氣體包覆層)。當如此進行時，由於會使芯材5與空氣(氣體包覆層)間的折射率差變得更大，所以能夠使在芯材5之中傳播的光，難以從芯材5中透出。

接著，將和比較例一併來說明實施例。但是，本發明並非限定於實施例之發明。 實施例

[實施例1] 將圖1之(a)～(c)所示的光電混合基板片經由捲對捲的步驟來製作。並且，將該光電混合基板片的尺寸設成44mm(X方向長度)×251.9mm(寬度)。光電混合基板的尺寸，是將正方形部分設成8mm×8mm、長方形部分設成3mm×36mm、相鄰的正方形部分與正方形部分之間的寬度設成2mm、相鄰的長方形部分與長方形部分之間的寬度設成6.8mm。又，將光電混合基板中的長孔的開口寬度設成110μm，將該長孔的形成間距設成250μm。

[實施例2] 將圖2所示之光電混合基板片經由捲對捲的步驟來製作。將長孔的尺寸設成與上述實施例1同樣。將除此之外的部分也設成與上述實施例1同樣。

[實施例3] 在上述實施例1中，從光電混合基板的絕緣性基板之長方形部分的側端緣隔開0.1mm間隔，沿該長方形部分，追加形成0.8mm×36mm的下包覆層。除此之外的部分是形成與上述實施例1同樣。

[實施例4] 將圖3所示之光電混合基板片經由捲對捲的步驟來製作。將2條芯材的寬度設成140μm、長度設成42mm、2條芯材之間隙的寬度設成110μm。除此之外的部分是設成與上述實施例1同樣。

[實施例5] 在上述實施例2中，將長孔的開口寬度設成20μm。除此之外的部分是形成與上述實施例2同樣。

[實施例6] 將圖4所示之光電混合基板片經由捲對捲的步驟來製作。將光電混合基板之2條芯材的尺寸設成與上述實施例4同樣。又，將形成於光電混合基板以外之部分的下包覆層上之長孔的開口寬度設成10μm，並將該長孔的形成間距設成250μm。除此之外的部分是設成與上述實施例1同樣。

[實施例7] 在上述實施例5中，在光電混合基板的絕緣性基板以外之絕緣片的部分形成下包覆層，並在該下包覆層上形成與上述實施例6同樣的長孔。除此之外的部分是設成與上述實施例5同樣。

[實施例8] 將圖5所示之光電混合基板片經由捲對捲的步驟來製作。寬度方向的長孔是將開口寬度設成10μm、並將形成間距設成12mm。除此之外的部分是設成與上述實施例7同樣。

[實施例9] 將圖6所示之光電混合基板片經由捲對捲的步驟來製作。寬度方向之長孔的尺寸是設成與上述實施例8同樣。除此之外的部分是設成與上述實施例7同樣。

[實施例10] 將圖7所示之光電混合基板片經由捲對捲的步驟來製作。寬度方向之長孔的尺寸是設成與上述實施例8同樣。除此之外的部分是設成與上述實施例7同樣。

[實施例11] 將圖8所示之光電混合基板片經由捲對捲的步驟來製作。將孔部之開口面的半徑設成40μm，孔部之形成間距是將X方向設成240μm、並將寬度方向設成250μm。除此之外的部分是形成與上述實施例1同樣。

[比較例1] 在絕緣片的整面形成下包覆層，於該下包覆層之對應於光電混合基板的絕緣性基板的側端緣到内側的部分，形成開口寬度200μm的長孔。除此之外的部分是設成與上述實施例1同樣。

[比較例2] 在上述實施例11中，在形成於相鄰的光電混合基板與光電混合基板之間的絕緣片部分之下包覆層的部分的中央，追加形成於捲對捲中之製作用基材的行進方向上較長、開口寬度200μm的長孔。除此之外的部分是設成與上述實施例1同樣。

[比較例3] 在絕緣片的整面形成下包覆層。在該下包覆層上不形成孔部。除此之外的部分是設成與上述實施例1同樣。

[孔部之開口面的面積比例] 關於上述實施例1～11及比較例1～3的光電混合基板片，使用數位顯微鏡(KEYENCE公司製，VHX-5000)，測量形成於下包覆層的孔部之開口面的尺寸。然後，分別計算出光電混合基板(製品)之在絕緣性基板上的孔部之開口面相對於該絕緣性基板的表面的面積比例、在相鄰的光電混合基板與光電混合基板之間的上述絕緣片部分的孔部之開口面相對於該絕緣片部分的表面的面積比例、及光電混合基板片(製品片)之孔部的開口面相對於絕緣片的表面的面積比例。將其結果表示在下述的表1。

[翹曲量] 將在上述實施例1～11及比較例1～3的光電混合基板片中相鄰的光電混合基板與光電混合基板之間的翹曲量，使用觸針式表面形狀測量儀(優貝克(ULVAC)公司製、DEKTAK8)來測量。又，從各光電混合基板片中切出光電混合基板，將該光電混合基板的翹曲量與上述同樣地進行測量。將該等之結果表示在下述的表1。

[綜合判定] 將上述實施例1～11及比較例1～3之光電混合基板片的芯材，藉由使用光學顯微鏡放大至20倍來觀看，以確認該芯材之破損的有無。並且，關於該芯材的破損與上述翹曲量，依據以下的評價基準來判定，且將該結果表示於下述的表1中。 ◎：無破損、翹曲量在40μm以下。 ○：無破損、翹曲量超過40μm且在60μm以下。 △：無破損、翹曲量超過60μm且在80μm以下。 Í：有破損、翹曲量超過80μm。

[表1]

從上述表1的結果可知，實施例1～11中，在芯材中並無破損之情況。可知的是，其中尤以實施例1～4，相鄰的光電混合基板與光電混合基板之間的翹曲量還有光電混合基板的翹曲量都是較小的。可知其理由在於，孔部之開口面的面積比例較高。可知的是，相對於此，在比較例1～3中，在芯材上有破損，且上述翹曲量也較大。可知其理由在於孔部之開口面的面積比例為低至小於5%。再者，任一個光電混合基板片皆形成為：會隨著相鄰之光電混合基板與光電混合基板之間的翹曲量變大，也使其本身的翹曲量變大的光電混合基板片。

又，關於使用未形成有電氣電路的絕緣性帶狀片，並與上述實施例1～11同樣地進行而製作成的光電路基板片，也與上述同様，能夠得到在芯材上無破損，且翹曲量也較小的結果。

在上述實施例中，雖然顯示了本發明之具體的形態，但上述實施例僅為單純例示，而非作為被限定地解釋的內容。並欲將對本發明所屬技術領域中具有通常知識者來說屬於明顯之各種變形，皆視為包含在本發明的範圍內。 產業上之可利用性

本發明之光電路基板片及光電混合基板片，可利用於要消除翹曲或使翹曲變小，而不使其在芯材上產生破損的情況下。

R、R0‧‧‧光電混合基板 S‧‧‧光電路基板片 W‧‧‧光波導 E‧‧‧電氣電路基板 X‧‧‧方向 1‧‧‧絕緣片 1a‧‧‧正方形部分 1b‧‧‧長方形部分 2、52‧‧‧電氣電路 3‧‧‧不鏽鋼層 4、54‧‧‧下包覆層 4a、4b、4c‧‧‧孔部 5、55‧‧‧芯材 6、56‧‧‧上包覆層 51‧‧‧絕緣性基板

圖1是示意地顯示本發明之光電混合基板片的第1實施形態，(a)是其平面圖，(b)是(a)之A-A截面圖，(c)是(a)之B-B截面圖。 圖2是示意地顯示上述光電混合基板片之變形例的平面圖。 圖3是示意地顯示上述光電混合基板片之其他變形例的平面圖。 圖4是示意地顯示本發明之光電混合基板片的第2實施形態的平面圖。 圖5是示意地顯示上述光電混合基板片之變形例的平面圖。 圖6是示意地顯示上述光電混合基板片之其他變形例的平面圖。 圖7是示意地顯示上述光電混合基板片之另外的其他變形例的平面圖。 圖8是示意地顯示上述光電混合基板片之另外的其他變形例的平面圖。 圖9是示意地顯示以往之光電混合基板的截面圖。 圖10是示意地顯示以往之光電混合基板片的截面圖。

R‧‧‧光電混合基板

S‧‧‧光電路基板片

X‧‧‧方向

1‧‧‧絕緣片

1a‧‧‧正方形部分

1b‧‧‧長方形部分

2‧‧‧電氣電路

3‧‧‧不鏽鋼層

4‧‧‧下包覆層

4a‧‧‧孔部

5‧‧‧芯材

6‧‧‧上包覆層

Claims (5)

1. 一種光電路基板片，具備有絕緣片、形成於該絕緣片之第1面的下包覆層、及形成於該下包覆層之表面的至少一個的芯材，該光電路基板片之特徵在於，在上述下包覆層的表面之中將芯材形成部分排除的部分形成有孔部，且將上述孔部之開口面相對於上述絕緣片之第1面的面積比例設定為5%以上且99%以下。
2. 如請求項1之光電路基板片，其中，上述孔部之開口面相對於上述絕緣片之第1面的面積比例為35%以上且99%以下。
3. 如請求項1或2之光電路基板片，其中，上述孔部形成為長孔。
4. 如請求項3之光電路基板片，其中，將上述長孔的開口寬度設定為100μm以上。
5. 一種光電混合基板片，其特徵在於具備：如請求項1至4中任一項之光電路基板片、及形成於該光電路基板片的絕緣片之第2面的至少一個電氣電路，且在上述絕緣片之一部分的絕緣性基板上具備有至少一個光電混合基板，該光電混合基板由上述電氣電路、上述光電路基板片的下包覆層及芯材所形成。