CN109052417B - 一种高纯度低温相方石英的合成方法 - Google Patents
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Abstract
一种高纯度低温相方石英的合成方法,将非晶氧化硅用1%~5%氟化铵溶液制成固含量40%~50%的悬浮液,悬浮液用25%氨水调节pH值为7~8,封入高压反应釜,升高釜内温度80℃~200℃,釜内压力1~2.5MPa,并恒温恒压维持4h~24h;晶化后的氧化硅悬浮液冷却过滤,含氟化铵的滤液用于步骤1)制浆循环使用,滤饼用电导率<1.0μs/cm的高纯水反复洗涤3~6次,去除杂质离子;洗净后的预晶化滤饼于真空度‑1MPa~‑2MPa,105℃真空条件下干燥3~6h,得到预晶化氧化硅粉料;氧化硅粉料装入高温马弗炉以2‑5℃的升温速率升高至900℃~1200℃,保温5h~7h,自然冷却即得高纯方石英微粉。本发明所述的方石英的晶体结构为四方相,无其他晶相混杂,纯度高达99.90%~99.99%。
Description
技术领域
本发明涉及一种高纯度方石英微粉的化学合成方法。
背景技术
方石英具有密度低、硬度大、白度高、完全的化学惰性、分散性、悬浮 性、可塑性、光散射性、绝缘性好、抗热震性、抗腐蚀和耐高温性能的特性, 不论处在有触媒或多成份化学统中,都不会产生化学变化或诱导反应发生, 即使在极高温度或恶劣的环境也不会裂解变质,已经广泛用于精密制造、高 档电瓷、齿科材料、电子晶片、抛光材料、特种陶瓷材料、特种耐火材料、 高档造纸、高档涂料、屏蔽材料、日用化工、粘合剂、塑料、硅橡胶等行业中。随着用量的逐年增加,方石英微粉全球每年的需求量至少有上百亿人民 币的市场,而高纯方石英微粉的市场潜力更大。由于较高的进口价格,方石 英微粉的国产化制备技术已日趋紧迫。
当温度达到1470℃时,天然石英矿开始转变为方石英,其生产方法主要 有粉料煅烧法和块料煅烧法二种。
粉料煅烧法:石英砂先进行化学除杂处理,再将石英粉料在1500℃煅烧 保温3-6小时获得方石英微粉;或者引入相变催化剂,降低相变温度,达到 降低煅烧温度的目的。例如,相变催化剂氧化铝加入量为4%时,石英微粉在 1320℃转化率最高为42.2%;含氟化合物做为相变催化剂,石英微粉在1400℃ 转化率达到85%;专利200710051658.5所述的KCl和MoO3做为复合相变催化 剂,方石英的转化率大于94%,煅烧温度1300℃。
块料煅烧法:块状石英经清洗除杂后,直接装窑煅烧,再经物理化学除 杂、机械粉碎等工序加工成方石英微粉。
上述方石英微粉的制备方法相变温度高,转化不完全,需要机械破碎, 能耗高,易引入其他杂质。特别是为了降低相变温度引入相变催化剂,很容 易造成晶相混杂和矿化剂残留,产品质量很不稳定。
发明内容
针对上述方石英微粉生产方法中存在的问题,本发明提出了一种方石英 微粉转化完全、纯度高、无需高温相变催化剂,生产成本低的制备方法。在 无高温相变催化剂条件下,方石英的相变温度降低至900℃,实现非晶氧化硅 直接转化为晶态方石英。
本发明所要解决的技术问题采用以下技术方案实现:
一种高纯度低温相方石英的合成方法,其特征在于:所述的方法包括如 下步骤:
1)将非晶氧化硅用1%~5%氟化铵溶液制成固含量40%~50%的悬浮液,悬 浮液用25%氨水调节pH值为7~8,封入高压反应釜,升高釜内温度80℃~200℃, 釜内压力1~2.5MPa,并恒温恒压维持4h~24h;
2)步骤1)中晶化后的氧化硅悬浮液冷却过滤,含氟化铵的滤液用于步 骤1)制浆循环使用,滤饼用电导率<1.0μs/cm的高纯水反复洗涤3~6次, 去除杂质离子;
3)步骤2)中洗净后的预晶化滤饼于真空度-1MPa~-2MPa,105℃真空条 件下干燥3~6h,得到预晶化氧化硅粉料;
4)步骤3)中的氧化硅粉料装入高温马弗炉以2-5℃的升温速率升高至 900℃~1200℃,保温5h~7h,自然冷却即得高纯方石英微粉。
本专利所述的方石英的晶体结构为四方相,无其他晶相混杂,纯度高达 99.90%~99.99%。
本发明的有益效果:
1)与传统直接高温热处理工艺相比,采用水热预晶化的方法可以使得非 晶氧化硅得到初步重整和晶化,改变了氧化硅非晶态向方石英态转变路径, 降低了高温相变温度,减小了晶相转变的能量;
2)氟化铵既是晶相转变催化剂,有利于形成方石英结构,抑制其他晶相 结构的形成;也可以作为配位剂,与非晶氧化硅原料中的杂质离子进行络合, 减少方石英产品中的杂质含量,提高其纯度;
3)高温煅烧不仅能够使得氧化硅直接转化为方石英,而且转化彻底无混 晶,转化率达到100%,远大于传统方法的转化率。洗涤后的预晶化氧化硅残 留的晶化剂和其他杂质极少,高温下这些杂质极易分解挥发,使得产品纯度 大大提高;
4)相变温度低,900℃即开始生成方石英,较1470℃相变温度低了570℃, 大大降低了二氧化硅晶相转变所需的能量,同时极大减轻了氧化硅微粉的高 温熔融和团聚,对高温设备的维护要求明显降低,延长了设备的使用寿命, 节能降耗效果明显;
5)氟化铵溶液不仅降低了杂质总量,提高产品质量,而且过滤后的滤液 可以循环使用,无需废水处理,有利于节能环保。
附图说明:
图1为本发明实施1所得产品的XRD谱图;
图2为本发明实施2所得的方石英的XRD谱图。
具体实施方式:
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了 解,下面结合具体图示,进一步阐述本发明。
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了 解,下面结合具体图示,进一步阐述本发明。
实施例1:如图1
一种高纯度低温相方石英的合成方法,所述的方法包括如下步骤:
1)将非晶氧化硅用2.4%氟化铵溶液制成固含量40%的悬浮液,悬浮液用 25%氨水调节pH值为7,封入高压反应釜,升高釜内温度150℃,釜内压力 1.5MPa,并恒温恒压维持8h;
2)步骤1)中晶化后的氧化硅悬浮液冷却过滤,含氟化铵的滤液用于步 骤1)制浆循环使用,滤饼用电导率<1.0μs/cm的高纯水反复洗涤3~6次,去 除杂质离子;
3)步骤2)中洗净后的预晶化滤饼于真空度-1.2MPa,105℃真空条件下 干燥4h,得到预晶化氧化硅粉料;
4)步骤3)中的氧化硅粉料装入高温马弗炉以2-5℃的升温速率升高至 1000℃,保温5h,自然冷却即得高纯方石英微粉。
实施例2:如图2
一种高纯度低温相方石英的合成方法,所述的方法包括如下步骤:
1)将非晶氧化硅用5%氟化铵溶液制成固含量50%的悬浮液,悬浮液用25% 氨水调节pH值为8,封入高压反应釜,升高釜内温度200℃,釜内压力2.5MPa, 并恒温恒压维持15h;
2)步骤1)中晶化后的氧化硅悬浮液冷却过滤,含氟化铵的滤液用于步 骤1)制浆循环使用,滤饼用电导率<1.0μs/cm的高纯水反复洗涤3~6次,去 除杂质离子;
3)步骤2)中洗净后的预晶化滤饼于真空度-2MPa,105℃真空条件下干 燥4h,得到预晶化氧化硅粉料;
4)步骤3)中的氧化硅粉料装入高温马弗炉以2-5℃的升温速率升高至 1200℃,保温7h,自然冷却即得高纯方石英微粉。
图1为本发明实施1所得产品的XRD谱图。所得的方石英衍射峰与四方 相方石英标准谱图完全对应,其中四个最强衍射峰分别位于21.96°、36.08°、 31.42°、28.38°,与方石英标准谱图中的四个最强峰的位置22.019°、36.16°、 31.491°、28.489°相应,可以证明所得产品为四方相方石英。
图2为本发明实施2所得的方石英的XRD谱图。所得的方石英衍射峰与 四方相方石英标准谱图完全对应,其中最强的四个衍射峰分别位于21.98°、 36.08°、31.42°、28.44°,与方石英标准谱图中的四个最强峰的位置22.019°、 36.16°、31.491°、28.489°相应,可以证明所得产品为四方相方石英。
表一为通过上述实施例1、2所制备的高纯方石英砂的二氧化硅以及杂质 金属含量。由结果可得,水热前处理工艺的改进使方石英含量和纯度得到显 著提高,而且节约了成本并且更加环保。
表一
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行 业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明 书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下, 本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范 围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (1)
1.一种高纯度低温相方石英的合成方法,其特征在于:所述的方法包括如下步骤:
1)将非晶氧化硅用1%~5%氟化铵溶液制成固含量40%~50%的悬浮液,悬浮液用25%氨水调节pH值为7~8,封入高压反应釜,升高釜内温度80℃~200℃,釜内压力1~2.5MPa,并恒温恒压维持4h~24h;
2)步骤1)中晶化后的氧化硅悬浮液冷却过滤,含氟化铵的滤液用于步骤1)制浆循环使用,滤饼用电导率<1.0μs/cm的高纯水反复洗涤3~6次,去除杂质离子;
3)步骤2)中洗净后的预晶化滤饼于真空度-1MPa~-2MPa,105℃真空条件下干燥3~6h,得到预晶化氧化硅粉料;
4)步骤3)中的氧化硅粉料装入高温马弗炉以2-5℃的升温速率升高至900℃~1200℃,保温5h~7h,自然冷却即得高纯方石英微粉。
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