CN108966676A - 在真空系统处理掩模装置的方法、掩模处理设备和真空系统 - Google Patents

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Abstract

说明一种处理掩模装置的方法，所述掩模装置经构造以用于在基板上的带掩模的沉积。所述方法包括：装载(Y1)掩模装置(10)至真空系统(100)中；在真空系统中附接(Y3)掩模装置(10)至掩模载体(15)；和在真空系统(100)中以非水平定向沿着输送路径输送保持掩模装置(10)的掩模载体(15)。一种其他掩模处理方法包括：在真空系统(100)中以非水平定向(V)沿着输送路径输送保持掩模装置(10)的掩模载体(15)；在真空系统(100)中从掩模载体(15)分离(X1)掩模装置(10)；和从真空系统(100)卸载(X3)掩模装置(10)。根据其他方面，说明一种用于处理掩模装置的掩模处理组件(20)以及具有至少一个掩模处理组件的真空系统。

Description

在真空系统处理掩模装置的方法、掩模处理设备和真空系统
技术领域
本公开内容的实施方式涉及在真空下处理掩模装置的方法，并且特别涉及在真空系统中处理经构造以用于在基板上的带掩模的沉积的掩模装置的方法。其他实施方式涉及一种掩模处理组件，经构造以用于在真空系统中处理掩模装置。更特别地，说明一种经构造以用于处理掩模装置的掩模处理组件，所述掩模装置经构造以用于真空下的在基板上的带掩模的沉积。其他实施方式涉及一种真空系统，所述真空系统具有至少一个掩模处理组件，所述至少一个掩模处理组件经构造以用于在真空系统中处理掩模装置。
背景技术
使用有机材料的光电装置因为许多原因而变得越来越流行。用来制造此类装置的许多材料相对便宜，所以有机光电装置比起无机装置来具有成本优势的潜力。有机材料的固有性质(诸如有机材料的柔性)可在诸如用于在柔性或非柔性基板上的沉积的应用具有优点。有机光电装置的例子包括有机发光装置(OLED)、有机光电晶体管(organicphototransistors)、有机光伏电池(photovoltaic cell)和有机光检测器(organicphotodetectors)。
对于OLED，比起传统材料，有机材料可具有性能优势。举例来说，有机发射层发光的波长可容易地利用合适的掺杂剂调整。OLED使用发光的薄有机膜，当跨装置供应电压时，薄有机膜发光。OLED在诸如平板显示器、照明和背光(backlighting)的应用中成为越来越令人感兴趣的技术。
一般在低于大气压的压力(sub-atmospheric pressure)下在真空系统中将材料(特别是有机材料)沉积于基板上。在沉积期间，掩模装置可布置于基板的前方，其中掩模装置可具有至少一个开口或多个开口，所述至少一个开口或多个开口限定开口图案。所述开口图案对应于举例为将通过蒸镀而将沉积于基板上的材料图案。基板一般在沉积期间布置于掩模装置的后方，并且相对于掩模装置对准。举例来说，可使用掩模载体以将掩模装置输送至真空系统的沉积腔室中，并且可使用基板载体以将基板输送至沉积腔室中来将基板布置于掩模装置后方。
以一定的时间间隔从真空系统移除已使用的掩模装置可以是有利的，举例为用于清洁、掩模更换或维护已使用的掩模装置。此外，以一定的时间间隔将待使用的掩模装置装载至真空系统中可以是有利的，举例为用于掩模更换或用于在系统中提供洁净的或未使用的掩模。然而，掩模更换是费时的并且可能导致系统的空闲时间而增加拥有成本。
因此，存在对于在真空系统中快速并且有效率的掩模处理的方法和设备的需求。特别地，简化和加快在真空系统中的掩模输送和掩模更换会是有利的。
发明内容
鉴于上述情况，提供处理掩模装置的方法、一种掩模处理组件以及一种具有至少一个掩模处理组件的真空系统。
根据本公开内容的方面，提供一种处理掩模装置的方法，所述掩模装置经构造以用于在基板上的带掩模的沉积。所述方法包括：将掩模装置装载至真空系统中；在真空系统中将掩模装置附接于掩模载体；和在真空系统中以非水平定向沿着输送路径输送保持(hold)掩模装置的掩模载体。
根据本公开内容的其他方面，提供一种处理掩模装置的方法，所述掩模装置经构造以用于在基板上的带掩模的沉积。所述方法包括：在真空系统中以非水平定向沿着输送路径输送保持掩模装置的掩模载体；在真空系统中从掩模载体分离掩模装置；和从真空系统卸载掩模装置。
根据本公开内容的其他方面，提供一种用于在真空系统中处理掩模装置的掩模处理组件。掩模处理组件包括：掩模保持部，经构造以用于保持掩模装置；第一致动器，经构造以用于掩模保持部的移动；和移交机构，经构造以用于以非水平定向从掩模保持部移交掩模装置至掩模载体，并且/或者从掩模载体移交掩模装置至掩模保持部。
根据本公开内容的其他方面，提供一种用于在基板上沉积材料的真空系统。所述真空系统包括：掩模处理腔室；装载锁定腔室，其中在掩模处理腔室和装载锁定腔室之间提供可关闭开口；和掩模处理组件，其中掩模处理组件的第一致动器经构造以用于通过可关闭开口在掩模处理腔室和装载锁定腔室之间移动掩模处理组件的掩模保持部。掩模处理组件进一步包括移交机构，经构造以用于以非水平定向从掩模保持部移交掩模装置至掩模载体，并且/或者从掩模载体移交掩模装置至掩模保持部。移交机构或“传送机构”可以是经构造以用于掩模装置的磁性附接和分离的机构。
根据本公开内容的其他方面，提供一种用于在基板上沉积材料的真空系统。所述真空系统包括：掩模处理腔室；至少一个沉积腔室；和掩模输送系统，所述掩模输送系统经构造以用于以非水平定向在掩模处理腔室和至少一个沉积腔室之间输送待使用的掩模装置和已使用的掩模装置，其中掩模处理腔室包括以下项中的一个：(i)如本文所述的掩模处理组件，经构造以用于处理待使用的掩模装置和已使用的掩模装置，或(ii)第一掩模处理区域，具有第一掩模处理组件，第一掩模处理组件经构造以用于处理待使用的掩模装置，和第二掩模处理区域，具有第二掩模处理组件，第二掩模处理组件经构造以用于处理已使用的掩模装置。
根据本公开内容的其他方面，说明一种在真空系统中处理掩模装置的方法。所述方法包括：提供待使用的掩模装置于掩模处理腔室的第一掩模处理区域中；特别是在待使用的掩模装置由掩模载体以非水平定向保持时，从第一掩模处理区域输送待使用的掩模装置至真空系统的至少一个沉积腔室；在至少一个沉积腔室中使用待使用的掩模装置来用于在基板上的带掩模的沉积，以提供已使用的掩模装置；特别是在已使用的掩模装置由掩模载体以非水平定向保持时，从沉积腔室输送已使用的掩模装置至掩模处理腔室的第二掩模处理区域；和在第二掩模处理区域中处理已使用的掩模装置。
本公开内容的其他方面、优点和特征通过说明和附图而清楚。
附图说明
为了可详细理解本公开内容的上述特征，可通过参考实施方式而具有简要概述于上的本公开内容的更特有的说明。附图涉及本公开内容的实施方式并且说明于下方。典型的实施方式描绘于附图中并且详述于下方的说明中。
图1是根据本文所述实施方式的掩模处理方法的连续阶段(a)、(b)、(c)的示意性图解；
图2是根据本文所述实施方式的掩模处理方法的连续阶段(a)、(b)、(c)的示意性图解；
图3是根据本文所述实施方式的利用掩模处理组件的掩模处理方法的连续阶段(a)、(b)、(c)、(d)的示意性图解；
图4是根据本文所述实施方式的真空系统的示意性截面图；
图5是图解根据本文所述实施方式的掩模处理方法的流程图；
图6是图解根据本文所述实施方式的掩模处理方法的流程图；
图7是根据本文所述实施方式的真空系统的示意性截面图；
图8是根据本文所述实施方式的真空系统的示意性俯视图；
图9是根据本文所述实施方式的真空系统的示意性俯视图；
图10是根据本文所述实施方式的真空系统的示意性俯视图；
图11是根据本文所述实施方式的真空系统的示意性俯视图；和
图12是图解根据本文所述实施方式的掩模处理方法的流程图。
具体实施方式
现将对各种实施方式做详细的参考，各种实施方式的一个或多个例子图解于附图中。各例子以说明的方式提供而不意味为限制。举例来说，所图解或说明而作为一个实施方式的部分的特征可用于任何其他实施方式上或与任何其他实施方式结合使用，以产生进一步的实施方式。本公开内容意欲包括此类调整和变化。
在下方的附图说明中，相同参考数字表示相同或相似部件。一般来说，仅说明有关于个别实施方式的相异处。除非另有说明，在一个实施方式中的部分或方面的说明也应用于另一实施方式中的对应部分或方面。
图1示意性图解根据本文所述实施方式的处理掩模装置10的方法的连续阶段(a)、(b)、(c)。掩模装置10经构造以用于在基板上的带掩模的沉积。特别地，掩模装置10经构造以布置于基板的前方，所述基板将涂覆有材料图案，所述材料图案由掩模装置限定。举例来说，掩模装置10可经构造以用于带掩模的蒸镀工艺，其中材料图案通过蒸镀形成于基板上。在一些实施方式中，蒸镀的材料可包括有机化合物。举例来说，可制造OLED装置。
在一些实施方式中，掩模装置10可包括掩模和掩模支撑件。掩模支撑件可经构造以用于支撑和保持掩模。掩模一般是精密部件。举例来说，掩模支撑件可以是掩模框架，围绕掩模并且具有框架的形状。掩模可举例为通过焊接永久地固定于掩模框架，或掩模可以可释放地固定于掩模框架。掩模的周围边缘可固定于掩模框架。
掩模可包括多个开口，所述开口形成图案并且经构造以通过带掩模的沉积工艺来在基板上沉积对应的材料图案。在沉积期间，掩模可布置于基板前方的近距离处，或与基板的前表面直接接触。举例来说，掩模可以是精细金属掩模(fine metal mask，FMM)，具有多个开口，举例为100000个开口或更多。举例来说，有机像素(pixel)的图案可沉积于基板上。掩模的其他类型是可行的，举例为边缘排除掩模(edge exclusion masks)。
在一些实施方式中，掩模装置10可至少部分地以金属制成，举例为以具有小的热膨胀系数的金属制成，诸如殷钢(invar)。掩模可包括磁性材料，使得沉积期间可朝向基板磁性地吸引掩模。掩模框架可以选择地或额外地包括磁性材料，使得掩模装置可经由磁力被吸引至掩模载体。
掩模装置10可具有0.5m2或更大的面积，特别是1m2或更大的面积。举例来说，掩模装置的高度可以是0.5m或更大，特别是1m或更大，并且/或者掩模装置的宽度可以是0.5m或更大，特别是1m或更大。掩模装置的厚度可以是1cm或更小，其中掩模框架可厚于掩模。
在一些实施方式中，掩模装置10可在真空系统中输送，举例为在真空系统100的两个或更多个真空腔室之间输送。举例来说，掩模装置10可在第一真空腔室中进入真空系统，举例为在掩模处理腔室105中进入真空系统，并且可于真空系统内朝向第二真空腔室输送，举例为朝向沉积腔室输送。一个或多个其他真空腔室(举例为过渡腔室或路由(routing)腔室)可布置于第一真空腔室和第二真空腔室之间。
在真空系统100中的输送期间，掩模装置10可由掩模载体15保持。举例来说，保持掩模装置10的掩模载体15可于真空系统100中沿着输送路径输送，举例为从第一真空腔室输送至第二真空腔室。在一些实施方式中，可沿着掩模轨道导引掩模载体15通过真空系统。举例来说，掩模载体15可包括导引部(guided portion)，经构造以沿着掩模轨道被导引。
在一些实施方式中，掩模载体15由掩模输送系统输送。掩模输送系统可包括磁性悬浮系统。举例来说，可提供磁性悬浮系统，使得掩模载体15的至少部分的重量可由磁性悬浮系统运载。掩模载体15可接着沿着掩模轨道被基本上非接触地导引通过真空系统。可提供用于沿着掩模轨道移动掩模载体的驱动。
在输送期间和/或沉积期间，掩模载体15可以非水平定向(V)保持掩模装置10。举例来说，在输送期间和/或沉积期间，掩模装置10可以基本上竖直的定向由掩模载体15保持。
如本文使用的“基本上竖直”可理解为掩模装置10的定向，其中掩模装置10的主表面与重力向量之间的角度在+10°和-10°之间，特别是在0°和-5°之间。在一些实施方式中，掩模装置的定向可在输送期间和/或沉积期间不是(完全(exact))竖直的，而是略微地相对于竖直轴倾斜举例为0°和-5°之间的倾斜角。负角度表示掩模装置的定向，其中掩模装置向下倾斜。掩模(和基板)定向从重力向量的偏差在沉积期间可以是有利的并且可能造成更稳定的沉积工艺，或者面朝下定向可能在沉积期间适于减少基板上的颗粒。然而，在输送期间和/或沉积期间，掩模装置10的完全竖直定向(+/-1°)也是可行的。
在输送期间和/或沉积期间，在重力向量与掩模装置之间的更大角度也是可行的。0°和+/-80°之间的角度可理解为如本文所使用的“掩模装置的非水平定向”。以非水平定向输送掩模装置可节省空间并且允许更小的真空腔室。
在掩模装置的输送期间，掩模载体15的掩模保持表面可至少暂时地基本上竖直定向。以基本上竖直定向保持大面积掩模具有挑战性，因为掩模可能由于掩模的重量而弯曲，掩模可能在夹力(grip force)不足的情况中从掩模支撑表面下滑，并且/或者掩模可能相对于在沉积期间布置于掩模后方的基板移动。
在图1的阶段(a)中，真空系统100在截面图中示意性地描绘为矩形，所述矩形表示真空腔室的壁。真空系统100可包括多个真空腔室，多个真空腔室通过用于掩模载体和/或用于基板载体的连接通道而彼此连接。用于导引掩模载体的掩模轨道可延伸于真空系统100的两个或更多个真空腔室之间，并且/或者用于导引基板载体的基板轨道可延伸于真空系统100的两个或更多个真空腔室之间。
可在真空系统100中提供低于大气压的压力。举例来说，真空系统100的内部空间可抽气至100mbar或更低的压力，特别是10mbar或更低的压力，更特别是1mbar或更低的压力，或甚至是更低的压力。特别地，真空系统的沉积腔室可在沉积期间提供10mbar或更低的低绝对压力。掩模处理腔室105可提供10mbar或更低的绝对压力。在本文所述的实施方式中，掩模装置10可在真空下于真空系统100中处理，特别是于掩模处理腔室105中处理。
如图1的阶段(a)中所示，掩模装置10设于真空系统100中，并且掩模装置10以非水平定向V由掩模载体15保持，特别是以基本上竖直的定向由掩模载体15保持。掩模装置可在保持于掩模载体15处时在真空系统100的真空腔室之间输送。在一些实施方式中，掩模装置10可以是将从真空系统卸载的已使用的掩模装置，举例为用于清洁或更换。举例来说，掩模装置可已经使用于沉积腔室中的基板上的沉积，并且可从沉积腔室沿着输送路径输送至掩模处理腔室。
根据本文所述的实施方式，掩模装置10在真空下于真空系统100中从掩模载体15分离(X1)，特别是在已排气的掩模处理腔室中。从掩模载体15的掩模装置10的分离(X1)示意性地描绘于图1的阶段(b)中。
可提供具有掩模保持部21的掩模处理组件20而用于在真空下从掩模载体15分离掩模装置10。掩模处理组件20可包括机械手装置，诸如机械臂。掩模处理组件20可布置于真空系统100的真空腔室中，举例为布置于掩模处理腔室105中。
在一些实施方式中，掩模处理组件20可经构造以用于断开掩模装置10和掩模载体15之间的机械连接。举例来说，掩模处理组件20可包括机械手装置，经构造以用于在真空下的掩模装置10和掩模载体15之间松开螺钉(screw)连接、释放夹持(clamping)连接或另一机械连接。
在一些实施方式中，掩模处理组件20可经构造以用于释放掩模装置10和掩模载体15之间的静电连接。举例来说，在输送期间，掩模装置可通过由静电吸附装置产生的静电力保持于掩模载体处。掩模处理组件20可经构造以用于停用静电力和/或用于利用自身夹力夹取掩模装置。
在一些实施方式中，掩模处理组件20可经构造以用于释放掩模装置10和掩模载体15之间的磁性连接。举例来说，在输送期间，掩模装置可通过磁力保持于掩模载体处，所述磁力由掩模载体的磁性吸附装置产生。掩模处理组件20可经构造以用于停用磁力和/或利用自身夹力夹取掩模装置。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，掩模处理组件20可包括移交机构，移交机构经构造以用于从掩模载体15移交掩模装置10至掩模处理组件20的掩模保持部21，并且/或者从掩模处理组件20的掩模保持部21移交掩模装置10至掩模载体15。掩模处理组件20的掩模保持部21可通过夹力保持掩模装置，夹力举例为机械力、静电力和磁力中的至少一种。在一些实施方式中，掩模处理组件20可包括磁性吸盘，经构造以用于吸附掩模装置朝向掩模处理组件20的掩模保持部21。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，当掩模装置10由掩模载体15以非水平定向(V)保持，特别是以基本上竖直定向保持时，掩模装置10从掩模载体15分离。举例来说，当掩模装置10处于基本上竖直的定向中时，掩模装置10从掩模载体15移交至掩模处理组件20的掩模保持部21。在输送和掩模分离期间，掩模载体的定向可因而保持基本上不变。
在从掩模载体15分离掩模装置10之后，掩模装置10可从真空系统100卸载(X3)。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，在掩模装置从真空系统的卸载和/或装载期间的掩模装置的定向不同于在掩模载体上时的掩模装置的定向。
举例来说，如图1的阶段(c)中示意性描绘的，卸载可包括沿着掩模卸载通道移动掩模装置10离开真空系统100，所述掩模卸载通道可延伸通过真空系统100的壁。在一些实施方式中，掩模装置10可移动通过可关闭开口102，可关闭开口102设于掩模处理腔室105的侧壁103中。掩模装置10可从真空系统经由装载锁定腔室卸载(X3)。从真空腔室经由装载锁定腔室卸载(X3)掩模装置10可以是有利的，因为无需灌注(flood)掩模处理腔室105或整个真空系统。而是，灌注装载锁定腔室可以是足够的。
掩模装置10在真空系统100中从掩模载体15分离(X1)。因此，仅有掩模装置10离开真空系统100，而掩模载体15可留在真空系统100中。举例来说，掩模载体15可存储于真空系统内部的载体存储器中，或者新的掩模装置可附接于掩模载体15，以使用来进行沉积。
掩模处理的传统方法包括从真空系统将掩模载体与附接于掩模载体的掩模装置一起移除。掩模装置可接着在真空系统外部从掩模载体分离。然而，掩模载体一般具有大并且重的载体主体，使得从真空系统移除带有附接的掩模装置的掩模载体可能是费时的并且可能依赖大型装载锁定腔室。此外，为了输送掩模载体离开装载锁定腔室，可能使用大型并且昂贵的升举装置。
根据本文所述的实施方式，掩模装置10在真空系统100中从掩模载体15分离，并且掩模装置10在没有掩模载体15的情况下移动离开真空系统100，掩模载体15可在较长的时间内留在真空系统中。
从真空系统100卸载(X3)掩模装置可包括移动掩模装置10通过真空腔室的可关闭开口102至装载锁定腔室(图1中未示出)中，所述真空腔室举例为掩模处理腔室105。可关闭开口102可在掩模装置布置于装载锁定腔室中时关闭，并且可灌注装载锁定腔室，同时第一真空腔室可维持在低于大气压的压力下。因此，掩模装置10可举例为被升举装置取出装载锁定腔室。
在一些实施方式中，当掩模装置10处于不同于非水平定向V的第二定向H中时，掩模装置10移出掩模处理腔室105。在一些实施方式中，第二定向H可以是基本上水平的定向。举例来说，当掩模装置处于基本上水平的定向中时，掩模装置10可平移通过可关闭开口102而离开掩模处理腔室105。
如本文使用的“基本上水平的定向”可理解为掩模装置的主表面与水平面之间的角度为30°或更小，特别是20°或更小，更特别是10°或更小，或者其中掩模装置完全水平(+/-1°)布置的定向。
以基本上水平定向移动掩模装置离开掩模处理腔室105可以是有利的，因为掩模处理腔室105的侧壁103中的比较小的开口可足以用来移动掩模装置离开掩模处理腔室105。举例来说，掩模处理腔室105的侧壁中的可关闭开口102可以是矩形开口或狭缝开口。
如图1的阶段(c)中示意性描绘的，当掩模装置10以基本上水平的定向布置时，掩模装置10可沿着基本上线性的输送路径移动离开掩模处理腔室105，所述基本上线性的输送路径可以是水平路径。举例来说，掩模处理组件20可经构造以用于掩模保持部21通过侧壁103中的可关闭开口102的移动，特别是平移移动。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，在掩模装置10从真空系统100卸载之前，掩模装置10可从非水平定向V旋转(X2)至第二定向H。举例来说，掩模装置可以基本上竖直的定向从掩模载体15分离(X1)，可接着从基本上竖直的定向旋转(X2)至第二定向(H)，并且可接着在掩模装置处于第二定向(H)中时从真空系统卸载(X3)。可加快掩模更换。
掩模装置的“旋转”包括掩模装置的任何种类的摆动或绕轴旋转移动。举例来说，掩模装置可在非水平定向和第二定向之间通过弧摆动。特别地，术语“旋转”并不意味着延伸通过掩模装置的旋转轴。而是，旋转的轴可远离掩模装置，并且可对应于掩模处理组件的支点(pivot point)，举例为机械臂或摆动模块。特别地，掩模装置可绕着基本上水平的轴向上或向下摆动。
如本文所使用的“装置的旋转”可理解为从第一定向至第二定向的装置的移动，第二定向不同于第一定向。
掩模处理组件20可经构造以用于从掩模载体15分离掩模装置10，用于从非水平定向旋转已分离的掩模装置至第二定向，以及用于移动已旋转的掩模装置离开掩模处理腔室105而举例为至装载锁定腔室中。在一些实施方式中，掩模处理组件20包括诸如机械臂的机械手装置，经构造以夹取掩模装置来绕着旋转轴旋转(或摆动)已夹取的掩模装置并且线性地平移已旋转的掩模装置离开掩模处理腔室105。
根据本文所述的实施方式，可加快从真空系统卸载已使用掩模装置，并且可简化掩模处理。特别地，可较少地使用用于升举重的掩模载体离开真空系统的大型升举装置。而是轻的掩模装置可通过真空系统内部的机械手装置自动地从掩模载体分离，并且可利用较小的输送装置从真空系统取出已分开的掩模装置，较小的输送装置诸如升举装置，可经构造以用于从装载锁定腔室升举掩模装置。
图2示意性图解根据本文所述实施方式的处理掩模装置10的方法的连续阶段(a)、(b)和(c)。图1涉及从掩模载体分离掩模装置。图2涉及在真空系统中附接掩模装置至掩模载体。因此，图2的阶段(a)、(b)、(c)基本上相反于图1的阶段(a)、(b)、(c)。描绘于图1中的真空系统和设于真空系统中的部件的细节可类似于描绘于图2中的相应的部件，使得可参照上述的说明而不于此重复。
将理解的是，图2的掩模附接方法与图1的掩模分离方法可结合。特别地，首先可根据图2的方法处理掩模装置来于真空系统中提供掩模装置于掩模载体上，并且可接着根据图1的方法处理掩模装置来在使用掩模装置后从掩模载体分离掩模装置并且从真空系统卸载掩模装置来举例为用于清洁。
在图2的阶段(a)中，掩模装置10装载(Y1)至真空系统100中。在图2的阶段(b)中，掩模装置10在真空下附接(Y3)于掩模载体15。在图2的阶段(c)中，掩模装置10由掩模载体15以非水平定向(V)保持。因此，将掩模装置10以非水平定向V保持的掩模载体15可于真空系统100中举例为从第一真空腔室沿着输送路径输送至第二真空腔室，第一真空腔室诸如掩模处理腔室105，第二真空腔室诸如沉积腔室。
如图1的阶段(a)中示意性描绘的，装载(Y1)掩模装置10至真空系统100中可包括在不带有掩模载体15的情况下，装载掩模装置10至真空系统100的掩模处理腔室105中。而是，掩模载体15可已经布置于真空系统100中，举例为已经布置在掩模处理腔室105中的用于附接掩模装置的位置。以一定的时间间隔清洁和/或更换掩模装置10可以是有利的，清洁和/或更换掩模装置10可在真空系统外部完成。另一方面，掩模载体15可在较长时间内留在真空系统100中。
如图1的阶段(a)中所示，装载(Y1)掩模装置10至真空系统100中可包括移动掩模装置10通过真空腔室的侧壁103中的可关闭开口102至真空系统的真空腔室中。掩模装置10可经由装载锁定腔室(图2中未示出)移动至真空腔室中。特别地，在一些实施方式中，掩模装置10可从装载锁定腔室平移通过可关闭开口102至掩模处理腔室105中。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，可提供掩模处理组件20而用于举例为从装载锁定腔室移动掩模装置10至掩模处理腔室中。掩模处理组件20可包括诸如机器臂的机械手装置，所述机械手装置具有掩模保持部21，经构造以在掩模处理腔室105和装载锁定腔室之间移动。掩模处理组件20可以是图1的掩模处理组件。也就是说，单个掩模处理组件可经构造而用于附接掩模装置和从掩模载体分离掩模装置。或者，可提供两个掩模处理组件，举例为用于执行图1的阶段的第一掩模处理组件和用于执行图2的阶段的第二掩模处理组件。
在一些实施方式中，当掩模装置10处于第二定向H中时，掩模装置10移动至掩模处理腔室105中，第二定向H举例为基本上水平的定向。
如图2的阶段(b)中示意性描绘的，在附接(Y3)掩模装置10至掩模载体15之前，掩模装置10可从第二定向H旋转(Y2)至非水平定向(V)。特别地，掩模装置以基本上水平的定向移动至掩模处理腔室105中，通过掩模处理组件旋转至基本上竖直的定向，并且以基本上竖直的定向附接于掩模载体15。
在一些实施方式中，掩模处理组件20布置于掩模处理腔室105中。掩模处理组件20可包括掩模保持部21，经构造以用于以基本上水平的定向和/或基本上竖直的定向保持掩模装置10。掩模处理组件20可经构造以用于以基本上水平的定向中移动掩模装置至掩模处理腔室中，并且用于举例为从基本上水平的定向旋转掩模装置至基本上竖直的定向。此外，掩模处理组件20可经构造以用于从掩模处理组件20的掩模保持部21移交掩模装置10至掩模载体15。特别地，掩模装置10可通过掩模处理组件20平移、旋转和附接(和/或分离)，掩模处理组件20可包括机械臂，经构造以用于举例为通过磁力保持掩模装置。
在图2的阶段(a)中，掩模装置10可从掩模库(mask magazine)或另一掩模存储装置移动通过设于掩模处理腔室105的侧壁103中的可关闭开口102，所述掩模库或另一掩模存储装置经构造以存储多个掩模装置。举例来说，掩模库可布置于装载锁定腔室中，并且掩模处理组件的掩模保持部可经由可关闭开口移动至掩模库中。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，掩模装置10可通过磁力保持于掩模载体15处。特别地，掩模载体15可包括一个或多个电磁体和/或永久磁体，经构造以用于以非水平定向(V)保持掩模装置10于掩模载体15处。
根据本文所述的实施方式，重量较轻的掩模装置可从周围环境(ambientenvironment)装载至真空系统中，并且掩模装置可快速地附接于真空系统中的掩模载体。因此，可加快掩模处理并且系统的空闲时间可减少。
特别地，掩模装置的掩模框架可于真空系统中直接从掩模载体拆卸。因此，只有掩模装置举例为通过顶部输送车(overhead transport vehicle)输送至真空系统外部。掩模载体将与屏蔽物部分(shield segment)一起维持在真空下，而可比掩模装置在更长的时间内留在真空系统中。对于每个掩模来说，必须在真空系统外部处理的最大重量大幅地减小，举例为从掩模载体的约300kg或更大减小至不带有掩模载体的掩模装置的150kg或更小。因此，一般的顶部输送车可轻易地输送7个或更多个掩模装置而不是更少数量的掩模载体。可加快掩模更换，并且可减少顶部输送车的数量、掩模载体的数量和/或掩模储藏器(stocker)的数量。因此，还可减少成本并且改善空间需求。掩模载体(举例为与安装于掩模载体上的屏蔽物)可在真空下维持较长的时间且维护工作因而显著地减少。当屏蔽物将清洁或更换时，掩模载体可送出至大气。因此，掩模载体的总数量可减少。
根据本文所述的实施方式，掩模装置和/或基板以基本上竖直的定向于真空系统中输送。相较于掩模装置和/或基板以基本上水平的定向输送和处理的构思，竖直输送的构思允许较大基板尺寸的处理。通过将掩模装置和/或基板安装于响应的载体，可有助于以基本上竖直的定向中输送掩模装置和/或基板。根据本文所述的实施方式，掩模装置附接于掩模载体或从掩模载体分离不是在大气条件下执行，而是在真空系统内部执行。因此，可减少必须在真空系统外部处理的重量。
图3示意性图解根据本文所述实施方式的处理掩模装置10的方法的连续阶段(a)、(b)、(c)、(d)的示意图。图3的方法类似于图1的方法，使得可参照上述的说明而不于此重复。
图3涉及从真空系统200卸载掩模装置。将理解的是，图3的阶段可以反向的顺序执行来装载掩模装置至真空系统中。
图3的阶段(a)示出包括多个真空腔室的真空系统200。其中一个真空腔室是掩模处理腔室105。如本文使用的“真空腔室”(也称为“真空模块”)可理解为可提供于低于大气压的压力的真空系统内的特定区域。一般来说，虽非必要，两个相邻真空腔室或真空模块之间的通道可关闭而用于在不灌注相邻的真空腔室的情况下的真空腔室的检修或维护。
用于处理掩模装置10的掩模处理组件20布置于掩模处理腔室105中。诸如装载锁定腔室101的其他真空腔室可布置而相邻于掩模处理腔室105。可关闭开口102可设于掩模处理腔室105与装载锁定腔室101之间的侧壁103中。
用于导引掩模载体15通过真空系统200的掩模轨道31可设于掩模处理腔室105中。掩模轨道31可从掩模处理腔室105朝向一个或多个沉积腔室延伸。保持掩模装置的掩模载体15可沿着掩模轨道31于掩模处理腔室105和其他真空腔室之间输送，其他真空腔室举例为一个或多个沉积腔室。
可提供用于沿着掩模轨道31输送掩模载体的掩模输送系统。在一些实施方式中，掩模输送系统包括磁性悬浮系统35，磁性悬浮系统35经构造以用于通过来自上方的磁力保持掩模载体15的至少一部分的重量。
在图3的阶段(a)中，由掩模载体15以非水平定向(V)保持的掩模装置10设于掩模处理腔室105中。掩模装置10可以是已使用的掩模装置，使用所述已使用的掩模装置而用于沉积腔室中带掩模的沉积。已使用的掩模装置从掩模载体15分离并且将从真空系统200卸载，来进行举例为清洁、修理、维护、更换、检修或质量检查。
掩模载体15可沿着掩模轨道31运载掩模装置10至掩模处理腔室105中，掩模载体15可在掩模处理腔室105中停止在如图1的阶段(a)中所示的用于分离的位置中。举例为包括机械臂的掩模处理组件20可经构造以用于从掩模载体15移交掩模装置10至掩模处理组件20的掩模保持部21。如图3的阶段(a)中示意性描绘的，掩模保持部21可朝向掩模装置10移动，并且掩模装置10可从掩模载体分离而由掩模保持部21捕获。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，经构造以用于输送基板载体的一个或多个基板轨道32也可设于掩模处理腔室105中。一个或多个基板轨道32可至少部分地布置于掩模轨道31和掩模处理组件20之间。由基板载体保持的基板可沿着基板轨道32被导引通过掩模处理腔室105。在这种情况中，当没有基板载体布置于掩模轨道31和掩模处理组件20之间的基板轨道32上时，从掩模载体15分离掩模装置10可以是可行的。掩模装置10的竖直尺寸可使得掩模装置10可通过掩模处理组件20跨(across)一个或多个基板轨道32移动。
举例来说，掩模保持部21可经构造以用于通过上下基板轨道之间的空间到达基板轨道的另一侧，将分离的掩模装置10可布置于基板轨道的所述另一侧处。掩模装置10的竖直尺寸可小于在上下基板轨道之间被导引的基板载体的竖直尺寸，使得掩模装置10符合通过上下基板轨道之间的空间并且可跨基板轨道移动以从系统卸载。
掩模装置10可由磁力保持于掩模载体15处，磁力由掩模载体15的磁性吸盘产生。磁性吸盘可包括一个或多个永久磁体和/或一个或多个电磁体。从掩模载体15分离掩模装置10可包括改变由掩模载体15的磁性吸盘产生的磁场。举例来说，可改变、减小、反转或停用由一个或多个磁体产生的磁场。
从掩模载体15分离掩模装置10可选择地或额外地包括倒转掩模载体15的至少一个永久磁体的极性来从掩模载体释放掩模装置。举例来说，可通过感应电磁场而倒转至少一个永久磁体的磁场，举例为经由围绕至少一个永久磁体的线圈而感应电磁场。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，当掩模处理组件20在用于分离或附接掩模装置10的位置中时，掩模处理组件20供应掩模载体15电流和/或电性信号。举例来说，在用于分离或附接掩模装置10的位置中，掩模保持部21上的第一暴露电触点可与掩模载体15上的第二暴露电触点接触。举例来说，当掩模载体在用于分离或附接的位置中时，电源的输出端接着可经由第一和第二暴露电触点电连接于掩模载体的电磁体。这具有电源可不附接于掩模载体的优点。而是，电源可设成举例为在真空系统外部的静止部件，或设成掩模处理组件20的部件。电流和/或电信号可使用于从掩模载体分离掩模装置或附接掩模装置于掩模载体。
将理解的是，掩模处理组件可使用于附接掩模装置于掩模载体和/或从掩模载体分离掩模装置。举例来说，将掩模装置附接于掩模载体可包括经由掩模处理组件提供电流和/或电信号至掩模载体的吸附装置。举例来说，可倒转掩模载体的至少一个永久磁体的极性以用于将掩模装置吸附于掩模载体。可通过向电磁体暂时地供应电流来提供电磁脉冲而倒转所述至少一个永久磁体的极性。掩模载体的暴露电触点可使用在用于附接掩模装置至掩模载体的位置中的电流供应。
如图3的阶段(b)中描绘的，已分离的掩模装置10可接着从非水平定向(V)旋转或摆动至第二定向，第二定向举例为基本上水平的定向。举例来说，掩模处理组件可具有第二致动器，第二致动器经构造以用于绕着旋转轴旋转或摆动掩模保持部21。
如图3的阶段(c)中描绘的，通过移动掩模装置10通过掩模处理腔室105的侧壁103中的可关闭开口102至其他真空腔室中(其他真空腔室举例为装载锁定腔室101)，掩模装置10可接着从真空系统卸载。
用于存储多个掩模装置12的掩模库201可设于装载锁定腔室101中。掩模处理组件20可经构造以用于移动已使用的掩模装置至掩模库201的槽中和/或用于从掩模库的槽移动待使用的掩模装置。当掩模保持部已经插入掩模库201的空的槽中时，通过从掩模处理组件20的掩模保持部21释放掩模装置，已使用的掩模装置可放入掩模库201的槽中。当掩模保持部已经插入存储待使用的掩模装置的掩模库201的槽中时，通过吸引掩模装置至掩模处理组件的掩模保持部21，可从掩模库201的槽取出待使用的掩模装置。掩模装置可暂时地存储于掩模库201中。掩模处理组件20可经构造以用于掩模装置至掩模库201的槽中的线性运动和掩模装置从掩模库201的槽的线性运动。
在一些实施方式中，掩模库201可包括多个槽203，用于存储多个掩模装置12。多个槽203可基本上水平定向。因此，掩模装置10可举例为通过线性移动在基本上水平的方向中移动至一个槽中和离开一个槽。
在于水平方向中的掩模保持部的线性移动之后，这允许在掩模库(或掩模盒系统)中轻易地将掩模装置堆叠于彼此的顶部。使用用于暂时存储和输送水平地堆叠的掩模装置的掩模盒系统可以是快速并且有效率的。
在一些实施方式中，掩模库201可包括移位机构205，移位机构205经构造以用于槽的移动。举例来说，已占用的槽可移动离开可关闭开口102的后方的位置，空的槽可移动至可关闭开口102的后方的位置，使得掩模处理组件20可将掩模装置插入至空的槽中。在一些实施方式中，掩模库包括多个堆叠的槽，堆叠的槽可以是在竖直方向中可移动的。因此，多个堆叠的槽可依序由已使用的掩模装置装填。待使用掩模装置可选择地或额外地被从多个堆叠的槽依序取出。
在图3的阶段(c)中，掩模装置10通过掩模处理组件20经由可关闭开口102放置至掩模库201的空的槽中。如图3的阶段(d)中描绘的，移位机构205可接着于举例为竖直方向中移动掩模库201，使得新的空槽定位来用于插入其他掩模装置。
一旦掩模库201装填有预定数量的已使用的掩模装置时，掩模库201可从装载锁定腔室101卸载至大气环境中，如图3的阶段(d)中的箭头208所指示的。举例来说，掩模库201可由升举装置通过装载锁定腔室101的开口升举。选择地或额外地，装填有待使用的掩模装置的掩模库201可由升举装置移动通过开口至装载锁定腔室101中。
开口可利用盖202而为可关闭的，使得装载锁定腔室101可设于低于大气压的压力下。为了移除掩模匣201和/或将掩模匣201插入至装载锁定腔室中，可灌注装载锁定腔室101并且可打开盖202，如图3的阶段(d)中示意性描绘的。
描绘于图3中的掩模处理组件20是根据本文所述实施方式的掩模处理组件的例子。掩模处理组件20经构造以用于在真空系统中处理掩模装置，并且包括经构造以用于保持掩模装置的掩模保持部21、经构造以用于移动可保持掩模装置的掩模保持部21的第一致动器和移交机构，所述移交机构经构造以用于以非水平定向(V)从掩模载体15移交掩模装置10至掩模保持部21，和/或从掩模保持部21移交掩模装置10至掩模载体15。
如本文使用的“掩模装置的处理”可理解为附接掩模装置至掩模载体、从掩模载体分离掩模装置、装载掩模装置至真空系统中或从真空系统卸载掩模装置、移动、平移或旋转掩模装置中的至少一个或多个。
第一致动器可经构造以用于掩模保持部21的平移移动，特别是在掩模处理腔室105和第二真空腔室之间，第二真空腔室举例为装载锁定腔室101。举例来说，可保持掩模装置的掩模保持部21可沿着基本上水平的方向于掩模处理腔室和第二真空腔室之间线性地移动。
掩模处理组件20可进一步经构造以用于夹取掩模装置，举例为用于从掩模载体移交掩模装置，和用于释放掩模装置来举例为用于存放掩模装置于掩模库中，掩模匣可布置于装载锁定腔室中。
掩模处理组件20可经构造以用于举例为通过磁力保持掩模装置于掩模保持部21处。举例来说，诸如电磁体和/或永久磁体的一个或多个磁体可整合于掩模保持部21中，用于吸引掩模装置的掩模框架朝向掩模保持部21。
在一些实施方式中，掩模处理组件包括第二致动器，第二致动器系经构造以用于掩模保持部21在非水平定向和第二定向之间的旋转移动，非水平定向举例为基本上竖直的定向，第二定向举例为基本上水平的定向。
在一些实施方式中，移交机构经构造以用于触发掩模装置10至掩模载体15的附接，以举例为从掩模保持部21移交掩模装置至掩模载体15。选择地或额外地，移交机构经构造以用于触发从掩模载体15的掩模装置10的分离，以举例为从掩模载体15移交掩模装置至掩模保持部21。
在一些实施方式中，移交机构可经构造以用于倒转设于掩模载体15处的至少一个永久磁体的极性。所述的极性的倒转可吸引掩模装置朝向掩模载体或可从掩模载体释放掩模装置。
图4是用于材料在基板上的带掩模的沉积的真空系统300的示意图。真空系统300可适用于根据本文所述的任一个方法操作。
真空系统300包括根据本文所述任一个实施方式的掩模处理腔室105、装载锁定腔室301和掩模处理组件20，其中可关闭开口102设于掩模处理腔室105和装载锁定腔室301之间。
掩模处理组件20包括第一致动器，第一致动器经构造以用于从装载锁定腔室301通过可关闭开口102移动掩模保持部21至掩模处理腔室105并且/或者从掩模处理腔室105通过可关闭开口102移动掩模保持部21至装载锁定腔室301。
在一些实施方式中，掩模处理组件20经构造以用于从掩模载体分离已使用的掩模装置和用于从真空系统300卸载已使用的掩模装置，举例为通过从掩模处理腔室105移动已分离的掩模装置至装载锁定腔室301中，可在装载锁定腔室301中提供掩模库201或另一掩模存储器。
在一些实施方式中，掩模处理组件20也可经构造以用于从装载锁定腔室移动待使用的掩模装置至掩模处理腔室中，举例为从掩模库或另一掩模存储器移动待使用的掩模装置至掩模处理腔室中，和用于附接待使用的掩模装置于掩模载体。
或者，可提供第二掩模处理组件320。第二掩模处理组件320可经构造以用于装载待使用的掩模装置310至真空系统300中，举例为通过从第二装载锁定腔室302移动待使用的掩模装置310至掩模处理腔室105中。举例来说，第二掩模处理组件320可从设于第二装载锁定腔室302中的第二掩模库341取出待使用的掩模装置310。第二掩模处理组件320可经构造以用于在掩模处理腔室105中附接待使用的掩模装置310于掩模载体。
图4示出包括两个掩模处理组件的真空系统300，两个掩模处理组件也就是掩模处理组件20和第二掩模处理组件320。掩模处理组件20和第二掩模处理组件320可布置于真空腔室的不同区域中，举例为掩模处理腔室105中的不同区域中。
掩模处理组件20经构造以用于从掩模载体分离已使用的掩模装置，第二掩模处理组件320经构造以用于将待使用的掩模装置附接于掩模载体。掩模处理组件20可经构造以用于从掩模处理腔室105移动已使用的掩模装置，第二掩模处理组件320可经构造以用于移动待使用的掩模装置至掩模处理腔室105中。
值得注意的是，于本公开内容中，在合适情况下术语“已使用的掩模装置”可由术语“第一掩模装置”替换，术语“待使用的掩模装置”可由术语“第二掩模装置”替换。
特别地，待使用的掩模装置和已使用的掩模装置可分别处理。已使用的掩模装置可在掩模处理腔室的第一掩模处理区域中处理，掩模处理组件20可布置于掩模处理腔室的第一掩模处理区域，待使用的掩模装置可于掩模处理腔室的第二掩模处理区域中处理，第二掩模处理组件320可布置于掩模处理腔室的第二掩模处理区域。掩模装置的分别处理可以是有用的，举例为用于减少或避免已清洁的掩模装置因靠近已使用的掩模装置的污染。
图5是图解根据本文所述实施方式的掩模处理的方法的流程图。在方框510中，掩模装置装载至真空系统中。装载掩模装置于真空系统中可包括从装载锁定腔室移动不带有掩模载体的掩模装置至掩模处理腔室中。举例来说，诸如机械手装置的掩模处理组件可经构造以用于移动掩模装置至掩模处理腔室中。当掩模装置可为基本上水平定向时，掩模装置可在水平方向中平移至掩模处理腔室中。
在方框520中，掩模装置旋转至非水平定向，特别是基本上竖直的定向。举例来说，诸如机械手装置的掩模处理组件可经构造以用于旋转掩模装置。
在方框530中，特别是在掩模装置处于非水平定向中时，掩模装置于真空系统中附接于掩模载体。
在方框540中，在真空系统中沿着输送路径输送以非水平定向中保持掩模装置的掩模载体，举例为从掩模处理腔室输送至沉积腔室。
图6是图解根据本文所述实施方式的掩模处理的方法的流程图。图6的掩模处理方法可接续于图5的掩模处理方法。
在方框610中，在真空系统中沿着输送路径输送以非水平定向保持掩模装置的掩模载体，举例为从沉积腔室至掩模处理腔室。
在方框620中，特别是在掩模装置处于非水平定向中时，掩模装置于真空系统中从掩模载体分离。
在方框630中，掩模装置从非水平定向旋转至第二定向，特别是旋转至基本上水平的定向。举例来说，诸如机械手装置的掩模处理组件可经构造以用于旋转掩模装置。
在方框640中，掩模装置从真空系统卸载，特别是通过从掩模处理腔室移动不带有掩模载体的掩模装置至装载锁定腔室中。举例来说，诸如机械手装置的掩模处理组件可经构造以用于移动掩模装置离开掩模处理腔室并且进入设于装载锁定腔室中的掩模库中。
已卸载的掩模装置可接着在真空系统外部被清洁或检修。
根据本文所述的另一方面，提供用于材料在基板上的带掩模的沉积的真空系统400。
图7是真空系统400的示意性截面图，图8是真空系统400的俯视图。图7的真空系统400可类似于图4中描绘的真空系统300，使得可参照上述的说明而不于此重复。真空系统可经构造以用于举例为通过蒸镀来在基板上沉积一种或多种材料。
真空系统400包括掩模处理腔室405、至少一个沉积腔室(图7和图8中未示出)和掩模输送系统，掩模输送系统经构造以用于以非水平定向(V)于掩模处理腔室405和至少一个沉积腔室之间输送掩模装置。
掩模处理腔室405包括第一掩模处理区域401和第二掩模处理区域402，第一掩模处理区域401具有第一掩模处理组件421，第一掩模处理组件421经构造以用于处理待使用的掩模装置411，第二掩模处理区域402具有第二掩模处理组件422，第二掩模处理组件422经构造以用于处理已使用的掩模装置412。
如本文所使用的“待使用的掩模装置”可理解为待输送至至少一个沉积腔室中而使用于基板上的带掩模的沉积的掩模装置。在一些实施方式中，待使用的掩模装置可以是新的掩模装置、已清洁的掩模装置或已经经历检修或维护的掩模装置。
如本文所使用的“已使用的掩模装置”可理解为在沉积腔室中已经使用于带掩模的沉积的掩模装置。已使用的掩模装置将输送离开沉积腔室，举例为用于清洁或维护。举例来说，已使用的掩模装置将从真空系统卸载，举例为用于在大气压力下进行清洁。通过使用掩模装置来在一个或多个基板上带掩模的沉积，待使用的掩模装置成为已使用的掩模装置。一般来说，掩模装置用于在十个或更多个基板上的带掩模的沉积，因此掩模装置可进行清洁。在清洁的后，掩模装置可再度装载至真空系统中来使用于带掩模的沉积。
第二掩模处理区域402和第一掩模处理区域401可对应于掩模处理腔室405的不同区域，所述掩模处理腔室405的不同区域可彼此相邻或可彼此相隔。举例来说，第一掩模处理区域401和第二掩模处理区域402可以是掩模处理腔室的相对的部分。在一些实施方式中，第一掩模处理区域401和第二掩模处理区域402位于输送路径的相对侧上，输送路径经构造以用于输送掩模载体415。举例来说，如图7中示意性描绘的，第一掩模处理区域401可位于第一掩模轨道和第二掩模轨道的第一侧上，第二掩模处理区域402可位于第一掩模轨道和第二掩模轨道的相对侧上。
根据本文所述的一些实施方式，待使用的掩模装置411可与已使用的掩模装置412分别处理，处理举例为附接、分离、装载、卸载、存储、移动、旋转和/或平移。可减少或避免已清洁的掩模装置的污染。
根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，可提供延伸至第一掩模处理区域401的掩模装载通道和从第二掩模处理区域402延伸的掩模卸载通道。掩模装载通道可与掩模卸载通道分隔。举例来说，掩模装载通道和掩模卸载通道可设于输送路径的相对侧上，输送路径经构造以用于输送掩模载体415。特别地，掩模装载通道和掩模卸载通道可布置于掩模处理腔室405的相对侧上，如图7中示意性描绘的。
掩模装载通道可延伸至第一掩模处理区域401并且可经构造以用于举例为经由第一装载锁定腔室403装载待使用的掩模装置411至真空系统400中。掩模卸载通道可从第二掩模处理区域402延伸，并且可经构造以用于从真空系统400举例为经由第二装载锁定腔室404卸载已使用的掩模装置412。
在一些实施方式中，掩模装载通道经由第一装载锁定腔室403延伸至第一掩模处理区域401中。第一可关闭开口可设于第一掩模处理区域401和第一装载锁定腔室403之间。
在一些实施方式中，掩模卸载通道从第二掩模处理区域402经由第二装载锁定腔室404延伸。第二可关闭开口可设于第二掩模处理区域402和第二装载锁定腔室404之间。
第一装载锁定腔室403和第二装载锁定腔室404可在掩模处理腔室405的两个相对侧上相邻于掩模处理腔室405而设。举例来说，如图7中示意性描绘的，第一装载锁定腔室403可布置于掩模处理腔室405的第一侧上，第二装载锁定腔室404可布置于掩模处理腔室405的第二侧上，第二侧相对于第一侧。特别地，第一装载锁定腔室403和第二装载锁定腔室404可布置于掩模轨道的相对侧上，掩模轨道经构造以用于导引掩模载体通过掩模处理腔室405。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，第一掩模处理组件421可经构造以用于附接待使用的掩模装置411于掩模载体415。举例来说，第一掩模处理组件可类似于如图2中所示的掩模处理组件20，使得可参照上述的说明而不于此重复。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，第二掩模处理组件422可经构造以用于从掩模载体415分离已使用的掩模装置412。举例来说，第二掩模处理组件422可类似于如图1中所示的掩模处理组件20，使得可参照上述的说明而不于此重复。
通过在真空系统的不同区域中提供用于处理掩模装置的第一掩模处理组件421和第二掩模处理组件422，可简化真空系统内的掩模运输并且可加快掩模处理。特别地，可提供掩模处理腔室内的不同区域而用于处理已使用的掩模装置和待使用的掩模装置。这可减小真空系统中的掩模运输的复杂性。
真空系统中的掩模运输的复杂性可进一步通过提供掩模输送系统来减小，所述掩模输送系统包括第一掩模轨道431，第一掩模轨道431用于从第一掩模处理区域401导引保持待使用的掩模装置411的掩模载体415朝向至少一个沉积腔室，并且/或者掩模输送系统包括第二掩模轨道432，第二掩模轨道432用于从至少一个沉积腔室导引保持已使用的掩模装置412的掩模载体415至第二掩模处理区域402。
通过提供用于在第一掩模处理区域中的待使用的掩模装置和用于在第二掩模处理区域中的已使用的掩模装置的不同的掩模轨道，第一掩模处理组件421和第二掩模处理组件422可独立地操作。举例来说，掩模装置可附接于布置在第一掩模轨道431上的掩模载体，其他掩模装置可举例为同时地或随后从布置于第二掩模轨道432上的其他掩模载体分离。可更快速并且更灵活地处理掩模装置。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，掩模输送系统可进一步包括平移机构450，平移机构450经构造以用于在掩模处理腔室405内从第二掩模轨道432平移掩模载体415至第一掩模轨道431并且/或者从第一掩模轨道431平移掩模载体415至第二掩模轨道432。因此，掩模载体可从第二掩模处理区域402直接平移至第一掩模处理区域401中。当已使用的掩模装置于第二掩模处理区域中从掩模载体415分离，并且新的掩模装置将附接于第一掩模处理区域401中的掩模载体时，直接传送空的掩模载体可以是有用的。因此，空的掩模载体可使用于输送其他掩模装置。用于掩模载体的输送路径长度可减小并且真空系统中的掩模运输可加快。
平移机构可理解为经构造以用于在掩模处理腔室405中的第一掩模轨道431和第二掩模轨道432之间平移掩模载体的机构。举例来说，掩模载体可于横向或垂直于第一掩模轨道和第二掩模轨道的方向的方向中在第一掩模轨道431和第二掩模轨道432之间线性地移动。
举例来说，平移机构450可包括驱动和载体导件，经构造以用于平移掩模载体于第一掩模轨道和第二掩模轨道之间。掩模轨道可基本上平行于彼此而通过掩模处理腔室。平移机构可垂直于掩模轨道的方向移动掩模载体。在一些实施方式中，平移机构450包括磁性悬浮装置，经构造以用于在掩模轨道之间平移掩模载体。
因此，在一些实施方式中，可提供用于掩模载体的至少一个环形输送路径。也就是说，如图8中所示，待使用的掩模装置可于第一掩模处理区域401中附接于掩模载体，掩模载体可沿着第一掩模轨道431朝向至少一个沉积腔室(图8中未示出)输送，掩模载体可沿着第二掩模轨道432输送回到掩模处理腔室而至第二掩模处理区域402中，并且已使用的掩模装置可在第二掩模处理区域402中从掩模载体分离。因此，在一些实施方式中，(空的)掩模载体可利用平移机构450在掩模处理腔室内直接平移至第一掩模处理区域中，其他待使用的掩模装置可于第一掩模处理区域中附接于掩模载体。可简化掩模运输并且可较少载体阻塞(carrier jams)或掩模载体之间的干扰。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，第一掩模轨道431基本上平行于第二掩模轨道432延伸通过掩模处理腔室405。如图7和图8中示意性描绘的，第一掩模处理区域401可布置于第一掩模轨道431的外侧上，第二掩模处理区域402可布置于第二掩模轨道432的外侧上。特别地，第一掩模处理设备和第二掩模处理设备可设于掩模处理腔室405的相对部分中，使得第一掩模处理设备可处理沿着第一掩模轨道431输送的掩模装置，而第二掩模处理设备可处理沿着第二掩模轨道432输送的掩模装置。举例来说，第一掩模轨道431可包括附接位置。掩模载体停止于图8中所示的附接位置中，并且掩模装置在掩模载体仍位于附接位置中时附接于掩模载体。第二掩模轨道432可包括分离位置。掩模载体停止于图8中所示的分离位置，并且掩模装置在掩模载体仍位于分离位置中时从掩模载体分离。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，真空系统400可进一步包括基板输送系统，基板输送系统系经构造以用于在真空系统中沿着基板输送路径输送基板。特别地，基板输送路径可延伸通过掩模处理腔室405或经过掩模处理组件。基板可沿着基板输送路径输送通过掩模处理腔室405，举例为从布置于掩模处理腔室的第一侧上的第一沉积腔室输送至布置于掩模处理腔室的第二侧上的第二沉积腔室。
掩模处理腔室405可设于真空系统400的主输送路径Z中，主输送路径Z于主输送方向(举例为图9中的上下方向)中延伸。用于输送基板载体的基板轨道和用于输送掩模载体的掩模轨道可于真空系统400的主输送方向中通过掩模处理腔室。举例为当两个或更多个沉积腔室布置于掩模主输送路径Z的不同侧上时，基板可一次或多次输送通过掩模处理腔室405来涂覆有材料堆叠结构(stack)。
通过插入掩模处理腔室405至真空系统的主输送路径Z中，掩模处理腔室可使用于处理在两个或更多个沉积腔室中使用的掩模装置，特别是三个或更多个沉积腔室，更特别是四个或更多个沉积腔室。在一些实施方式中，从掩模处理腔室供应掩模装置的至少两个沉积腔室布置于掩模处理腔室的不同侧上。选择地或额外地，从掩模处理腔室供应掩模装置的至少两个沉积腔室布置于掩模处理腔室的相同侧上。在后者的情况中，可提供路由模块以用于路由掩模装置至正确的沉积腔室中。掩模运输的此概念将在下方参照图9更详细地说明。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，真空系统的主输送路径Z包括四个或更多个轨道，包括第一掩模轨道431、第二掩模轨道432、第一基板轨道433和第二基板轨道434。可提供其他轨道。轨道可在真空系统的主输送方向中平行于彼此延伸。第一基板轨道433和第二基板轨道434可设为外部轨道，第一掩模轨道431和第二掩模轨道432可设为内部轨道而布置在基板轨道之间。其他布置是可行的。
在一些实施方式中，所述的主输送路径Z的四个或更多个轨道可举例为基本上平行于彼此而延伸通过掩模处理腔室405。四个轨道以截面图示意性描绘于图7中。第一掩模处理组件421可经构造以用于处理由在掩模附接位置中的第一掩模轨道431上的掩模载体保持的掩模装置。第二掩模处理组件422可经构造以用于处理由在掩模分离位置中的第二掩模轨道432上的掩模载体保持的掩模装置。
在图7中，基板载体416布置于在掩模载体415和第二掩模处理组件422之间的第二基板轨道434上。当基板载体416已经移动离开所描绘的位置时，第二掩模处理组件422可从掩模载体分离掩模装置，并且跨第二基板轨道434移动掩模装置。类似地，第一掩模处理组件421可经构造以用于分离和/或跨第一基板轨道433移动掩模装置。
在真空系统400的第一掩模处理区域401中处理待使用的掩模装置可类似或相同于图2中所示的真空系统100中的掩模处理，使得可参照上述的说明而不于此重复。
类似地，于真空系统400的第二掩模处理区域402中处理已使用的掩模装置可类似或相同于图1中所示的真空系统100或图3中所示的真空系统200中的掩模处理，使得可参照上述的说明而不于此重复。
图9是根据本文所述实施方式的真空系统500的俯视图。真空系统500的掩模处理腔室405可类似或相同于图7中所示的真空系统400的掩模处理腔室，使得可参照上述的说明而不于此重复。
真空系统500包括掩模处理腔室405、至少一个沉积腔室406和第二沉积腔室407。至少一个沉积腔室406和第二沉积腔室407可布置于掩模处理腔室405的相同侧上，举例为图9中的下侧上。在一些实施方式中，其他沉积腔室可布置于掩模处理腔室405的其他侧上，举例为图9中的上侧上。
第一基板轨道和第二基板轨道可延伸通过掩模处理腔室405，使得由基板载体保持的基板可在适当时输送于任意沉积腔室之间。
在其他实施方式中，举例为图11的实施方式中，没有基板轨道可延伸通过掩模处理腔室405。举例来说，在图11的实施方式中，掩模处理腔室405可布置于真空系统的主输送路径Z的侧处。掩模载体415可从主输送路径Z经由旋转模块路由至掩模处理腔室405中。
图11的掩模处理腔室405可基本上对应于示出于图4中的掩模处理腔室。然而，没有基板轨道可相邻于第一掩模处理组件和第二掩模处理组件布置。沿着主输送路径Z的掩模和基板运输可通过在与主掩模轨道分隔的位置处理掩模来加快，所述主掩模轨道沿着系统的主输送路径Z延伸。举例来说，可提供用于组装掩模装置和从掩模载体拆卸掩模装置的侧掩模轨道。
在图11的范例性实施方式中，两个侧掩模轨道可设于掩模处理腔室405中，两个侧掩模轨道可横向地特别是垂直于真空系统的主输送路径Z的主掩模轨道而延伸。用于处理待使用的掩模装置411的第一掩模处理区域401可相邻于第一掩模轨道布置，而用于处理已使用的掩模装置412的第二掩模处理区域402可相邻于第二掩模轨道布置。在一些实施方式中，掩模处理腔室可直接相邻于旋转腔室而布置，旋转腔室经构造以用于旋转掩模载体415。其他沉积腔室602可于一些实施方式中布置于路由腔室的相对侧上。
值得注意的是，在一些实施方式中，用于处理待使用的掩模装置411的第一掩模处理区域401可布置于旋转腔室的第一侧上，用于处理已使用的掩模装置412的第二掩模处理区域402可布置于旋转腔室的第二侧上，第二侧举例为相对于第一侧。举例来说，第一掩模处理区域和第二掩模处理区域可布置于主输送路径Z的两个相对侧上。第一掩模处理组件可布置于第一掩模处理区域中，第二掩模处理组件可布置于处于第一掩模处理区域的某距离处的第二掩模处理区域中。第一侧掩模轨道可延伸至第一沉积区域中，举例为垂直于第一主掩模轨道延伸至第一沉积区域中，第二侧掩模轨道可延伸至第二沉积区域中，举例为垂直于第二主掩模轨道延伸至第二沉积区域中。
特别地，掩模处理腔室(或“掩模处理模块”)可包括旋转腔室作为掩模处理腔室的整合的部分。也就是说，第一掩模处理区域401、第二掩模处理区域402和布置于第一掩模处理腔室401与第二掩模处理腔室402之间的任何真空过渡腔室可建构根据本文所述实施方式的掩模处理腔室(或“掩模处理模块”)，所述真空过渡腔室举例为旋转腔室或路由腔室。举例来说，掩模处理腔室可包括若干子腔室，若干子腔室彼此相邻布置。在一些实施方式中，真空系统的主输送路径Z可延伸至少通过掩模处理模块的一个子腔室。
在一些实施方式中，举例为如图11中范例性示出的，其他沉积腔室601可布置于相对于掩模处理腔室405的真空系统的主输送路径Z的相对侧上。此外，路由模块可布置于其他沉积腔室601和掩模处理腔室405之间。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，真空系统500可进一步包括路由腔室408，路由腔室408布置于掩模处理腔室405、至少一个沉积腔室406和第二沉积腔室407之间(举例为见图9)。路由腔室408可包括路由装置409，所述路由装置409举例为旋转装置，经构造以用于在掩模处理腔室405和至少一个沉积腔室406之间路由待使用的掩模装置411和已使用的掩模装置412，以及在掩模处理腔室405和第二沉积腔室407之间路由待使用的掩模装置411和已使用的掩模装置412。举例来说，至少一个沉积腔室406和第二沉积腔室407的定向可垂直于真空系统的主输送路径Z，使得掩模载体和基板载体绕着处于主输送路径Z和沉积腔室之间的交会处的基本上竖直的旋转轴旋转。掩模载体和/或基板载体可在路由腔室408中旋转。
在一些实施方式中，其他沉积腔室、过渡腔室和/或路由腔室可设于掩模处理腔室405的另一侧上，举例为图9中的上侧上。掩模处理腔室405可经构造以用于向每个所述的沉积腔室供应待使用的掩模装置，和用于处理来自每个所述的沉积腔室的已使用的掩模装置。可减小真空系统中的掩模运输的复杂性并且可加快掩模更换。
在一些实施方式中，蒸发源501可设于至少一个沉积腔室406中，用于材料在基板上的带掩模的沉积。然而，本公开内容不限于具有蒸发源的真空系统。举例来说，发展化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)系统、物理气相沉积(physical vapordeposition，PVD)系统(举例为溅射系统)和/或蒸镀系统以在沉积腔室中涂覆举例为用于显示应用的举例为薄玻璃基板的基板。在典型的真空系统中，基板可由基板载体保持，基板载体可由基板输送系统输送通过真空腔室。基板载体可由基板输送系统移动，使得基板的主表面的至少一部分朝向涂覆装置暴露，涂覆装置举例为溅射装置或蒸发源。当基板可位于蒸发源501前方，蒸发源501可以预定速度移动经过基板时，基板的主表面可涂覆有薄涂覆层。或者，基板可以预定速度输送经过涂覆装置。
基板可以是非柔性基板，举例为晶片、诸如蓝宝石或类似物的透明水晶片、玻璃基板或陶瓷板。然而，本公开内容不限于此，并且术语基板还可包含柔性基板，诸如腹板(web)或箔，箔举例为金属箔或塑料箔。
在一些实施方式中基板可以是大面积基板。大面积基板可具有0.5m2或更大的表面积。特别地，大面积基板可使用于显示器制造并且可以是玻璃或塑料基板。举例来说，如本文所述的基板应包含一般使用于LCD(液晶显示器)、PDP(等离子体显示面板)和类似物的基板。举例来说，大面积基板可具有1m2或更大的面积的主表面。在一些实施方式中，大面积基板可以是第4.5代、第5代或更高代，第4.5代对应于约0.67m2的基板(0.73m x 0.92m)、第5代对应于约1.4m2的基板(1.1m x 1.3m)。大面积基板可进一步是第7.5代、第8.5代或甚至是第10代，第7.5代对应于约4.29m2的基板(1.95m x 2.2m)、第8.5代对应于约5.7m2的基板(2.2m x 2.5m)、第10代对应于约8.7m2的基板(2.85m×3.05m)。甚至诸如第11代和第12代的更高代和对应的基板面积可类似地应用。在一些应用中，具有小至数cm2的表面积和/或各种个别形状的较小尺寸基板的阵列可位于单一基板支撑件上，小至数cm2的表面积举例为2cm x 4cm。掩模装置在一些实施方式中可大于基板，以在沉积期间提供与基板的完整的重叠。
在一些应用中，在垂直于基板的主表面的方向中的基板的厚度可以是1mm或更小，举例为从0.1mm至1mm，特别是从0.3mm至0.6mm，举例为0.5mm。甚至更薄的基板是可行的。
图10是根据本文所述一些实施方式的用于材料在基板上的带掩模的沉积的真空系统600的示意性俯视图。真空系统600包括掩模处理腔室105、至少一个沉积腔室406和掩模输送系统，所述掩模输送系统经构造以用于以非水平定向在掩模处理腔室105和至少一个沉积腔室406之间输送掩模装置10。如本文使用的术语“掩模处理腔室”可表示真空系统的特定区段，掩模装置在所述特定区段处理并且所述特定区段可包括若干子腔室。
如图10中示意性描绘的，根据本文所述任一个实施方式的掩模处理组件20布置于掩模处理腔室105中。掩模处理组件20可经构造以用于处理待使用的掩模装置和用于处理已使用的掩模装置。处理掩模装置可包括移动掩模装置至掩模处理腔室中、旋转掩模装置、平移掩模装置、附接掩模装置至掩模载体、从掩模载体分离掩模装置和/或移动掩模装置离开真空腔室等步骤中的至少一个或多个。
真空系统600可包括至少一个装载锁定腔室101。掩模处理组件20可经构造以用于在装载锁定腔室101和掩模处理腔室105之间移动掩模装置。在一些实施方式中，诸如掩模储藏器装置或掩模盒的至少一个掩模库可设于装载锁定腔室101中。掩模处理组件20可经构造以用于从掩模储藏器装置移动掩模装置和从掩模处理腔室移动掩模装置至掩模储藏器装置中。
在一些实施方式中，可设两个或更多个装载锁定腔室，举例为第一装载锁定腔室和第二装载锁定腔室，第一装载锁定腔室具有用于待使用的掩模装置的第一掩模库，第二装载锁定腔室具有用于已使用的掩模装置的第二掩模库。掩模处理组件20可经构造以用于从第一装载锁定腔室和第二装载锁定腔室移动掩模装置，和移动掩模装置至第一装载锁定腔室和第二装载锁定腔室中。
真空系统600可类似于描绘于图2中的真空系统200，使得可参照上述的说明而不于此重复。
用于沿着主输送方向导引掩模载体15通过真空系统600的掩模轨道31可延伸通过掩模处理组件20。掩模处理组件20可定位而使得掩模装置10可从掩模处理组件20的掩模保持部21移交至掩模载体15，掩模载体15位于掩模轨道31上的掩模附接位置处。此外，掩模装置10可从掩模载体15移交至掩模处理组件20的掩模保持部21。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，掩模处理组件20经构造以用于从装载锁定腔室101移动掩模装置10至掩模处理腔室105中，和用于在掩模装置处于非水平定向中时在真空下附接掩模装置至掩模载体15。此外，掩模处理组件20经构造以用于在掩模装置处于非水平定向中时于真空下从掩模载体15分离掩模装置，和用于从掩模处理腔室105移动掩模装置至装载锁定腔室101中或至其他装载锁定腔室中。
具有附接的掩模装置10的掩模载体15可沿着沿真空系统600的主输送路径Z的掩模轨道31输送朝向沉积腔室，举例为朝向至少一个沉积腔室406或朝向第二沉积腔室407。在一些实施方式中，举例为过渡腔室或路由腔室408的至少一个其他真空腔室可布置于掩模处理腔室105和沉积腔室之间。在路由腔室408中，掩模载体可旋转而朝向沉积腔室。在沉积腔室中，掩模装置10可使用于基板上的带掩模的沉积。之后，掩模载体可从沉积腔室举例为沿着掩模轨道31输送回到掩模处理腔室105中，所述掩模轨道31沿着主输送路径Z。
当掩模载体已经到达相邻于掩模处理组件20的掩模分离位置时，掩模装置可通过掩模处理组件20从掩模载体分离并且从真空系统卸载。
在一些实施方式中，基板轨道32可举例为在掩模轨道31和掩模处理组件20之间平行于掩模轨道31延伸。在这种情况中，掩模处理组件20的掩模保持部可以是可跨基板轨道32移动的，以吸引掩模装置10至掩模保持部21。
通过提供单一的掩模处理组件处理待使用的掩模装置和已使用的掩模装置两者，可减少空间需求和成本。
在一些实施方式中，真空系统600的主输送路径Z可包括四个轨道，也就是可以是基板轨道的两个外部轨道和可以是掩模轨道的两个内部轨道，或可以是掩模轨道的两个外部轨道和可以是基板轨道的两个内部轨道。掩模处理组件20可经构造以提供具有掩模装置的预定数量的沉积腔室(举例为图10中的四个沉积腔室)。为了减少掩模载体的输送距离，掩模处理腔室105可在至少两个沉积腔室之间的中间区段中相邻于主输送路径Z布置。因此，掩模载体可从掩模处理腔室在主输送路径Z的两个方向中(举例为图10中的向上和向下)移动。
基板载体可沿着基板轨道独立于掩模载体输送，掩模载体于掩模轨道上输送。在一些实施方式中，基板载体仅在一个方向中沿着基板轨道32输送，举例为从沉积腔室603朝向至少一个沉积腔室406输送。特别地，待涂覆的基板可在主输送路径Z的第一侧上进入真空系统600，已涂覆的基板可在主输送路径Z的相对侧上从真空系统600卸载。第二基板轨道可使用而作为用于空的基板载体的返回轨道。在其他实施方式中，基板载体可在适当时在基板轨道32上的两个方向中输送。
在一些实施方式中，至少一个路由腔室可经构造以用于同时旋转至少一个掩模载体和至少一个基板载体。在一些实施方式中，至少一个路由腔室可经构造以用于同时旋转两个掩模载体和两个基板载体。因此，当新的掩模装置将提供于一个沉积腔室中时，新的掩模装置可与待涂覆的基板一起旋转，因此新的掩模装置和待涂覆的基板可从至少一个路由腔室同步地或接续地输送至沉积腔室中。可加快掩模更换并且可减少处理时间。
根据本文所述任何实施方式的掩模处理组件20可包括机械手装置，特别是机械臂。机械手装置可布置于与掩模轨道31相距1m或更少、特别是1.5m或更少的距离处，掩模轨道31可沿着真空系统的主输送路径Z延伸。在一些实施方式中，鉴于基板可在主输送路径Z的前端和/或后端处装载至真空系统中和从真空系统卸载，掩模处理组件20可设于主输送路径Z的侧处，使得掩模装置可在主输送路径Z的中心部分中装载至真空系统中和/或从真空系统卸载。
根据本公开内容的其他方面，说明用于输送掩模装置通过真空系统的掩模载体，其中掩模载体可在掩模载体的两个掩模保持侧的任一个上运载掩模装置。此类掩模载体可以更灵活的方式使用，因为掩模装置可附接于此类掩模载体的任一侧，并且无需在掩模附接之前转动(turn)或旋转载体。
根据本文所述实施方式的掩模载体可包括载体主体，具有第一掩模保持侧和第二掩模保持侧，第二掩模保持侧相对于第一掩模保持侧；掩模保持机构，经构造以用于以非水平定向保持掩模装置于第一掩模保持侧，和用于以非水平定向保持掩模装置于第二掩模保持侧；和导引部，经构造以沿着掩模轨道被导引。
举例来说，掩模载体可包括第一导引部和/或第二导引部，沿着掩模轨道于载体主体的下部导引第一导引部，通过磁性悬浮系统在载体主体的顶部运载第二导引部。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，掩模保持机构可包括第一连接装置和第二连接装置，第一连接装置设于第一掩模保持侧，第二连接装置设于第二掩模保持侧。第一连接装置和/或第二连接装置可包括经构造以用于附接掩模装置于相应的掩模保持侧的多个螺钉、螺栓、吸盘和销中的至少一种。举例来说，分别通过多个螺钉或吸盘，第一掩模装置可附接于第一掩模保持侧，第二掩模装置可附接于第二掩模保持侧。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，掩模保持机构可包括多个磁体，所述多个磁体经构造以用于吸引掩模装置朝向第一掩模保持侧和/或用于吸引掩模装置朝向第二掩模保持侧。举例来说，可提供一个磁性吸盘而用于掩模载体的任一侧。在一些实施方式中，掩模载体的载体主体可包括一个或多个电磁体和/或永久磁体，一个或多个电磁体和/或永久磁体可固定于载体主体或可整合于载体主体中。
特别地，掩模载体的载体主体可包括一个或多个永久磁体，具有可倒转的极性。举例来说，一个或多个永久磁体的极性可通过电脉冲倒转。通过倒转一个或多个永久磁体的极性于第一方向中，掩模装置可附接于掩模载体，并且/或者通过倒转一个或多个永久磁体的极性于第二方向中，掩模装置可从掩模载体分离。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，掩模载体相对于在第一掩模保持侧和第二掩模保持侧之间延伸的对称竖直平面基本上对称地形成。对称的掩模载体可使用于在任一侧上输送掩模装置。举例来说，在从第一掩模保持侧经由第二掩模处理组件422分离已使用的掩模装置之后，掩模载体可经由平移机构450平移至第一掩模处理区域，并且待使用的掩模装置可经由第一掩模处理组件421附接于掩模载体的第二掩模保持侧。因此，可增加掩模载体的灵活性，并且可减小在真空系统中的掩模载体的输送距离。
根据本文所述的另一方面，说明在真空系统中处理掩模装置的方法。
图12是图解范例性的掩模处理方法的流程图。在方框910中，在掩模处理腔室的第一掩模处理区域中提供待使用的掩模装置。举例来说，待使用的掩模装置411经由掩模装载通道装载至掩模处理腔室405的第一掩模处理区域401中。待使用的掩模装置411可在第一掩模处理区域401中选择地附接于掩模载体415。在附接之前，待使用掩模装置411可选择地旋转至非水平定向，并且待使用的掩模装置可以非水平定向附接于掩模载体415。
在方框920中，特别是在待使用的掩模装置由掩模载体以非水平定向保持时，待使用的掩模装置从第一掩模处理区域输送至真空系统的至少一个沉积腔室406。举例来说，在图9中，当待使用的掩模装置411由掩模载体415保持时，待使用的掩模装置411可从第一掩模处理区域401沿着第一掩模轨道431朝向至少一个沉积腔室406输送。在一些实施方式中，待使用的掩模装置411可输送通过至少一个过渡腔室和/或路由腔室408。
在方框930中，待使用的掩模装置411可在至少一个沉积腔室406中使用于基板上的带掩模的沉积，以提供已使用的掩模装置。举例来说，待使用的掩模装置411可在至少一个沉积腔室406中布置在预定位置处，并且基板可定位在待使用的掩模装置411后方。材料图案可蒸镀在基板的表面上。在沉积期间，蒸镀的材料可能在掩模装置的前表面上形成冷凝物(condensate)。因此，在多个基板上的带掩模的沉积之后，清洁已使用的掩模装置412可以是有利的。
在方框940中，特别是在已使用的掩模装置由掩模载体以非水平定向保持时，已使用的掩模装置412可从至少一个沉积腔室406输送至掩模处理腔室405的第二掩模处理区域402。举例来说，在图10中，当已使用的掩模装置412由掩模载体415保持时，已使用的掩模装置412可从至少一个沉积腔室406沿着第二掩模轨道432输送至第二掩模处理区域402。在一些实施方式中，已使用的掩模装置412可输送通过至少一个路由腔室和/或至少一个过渡腔室。
在方框950中，已使用的掩模装置412在第二掩模处理区域402中利用第二掩模处理组件422来处理。举例来说，已使用的掩模装置412从掩模载体415分离、存储于掩模库中并且/或者从真空系统卸载(举例为通过移动已使用的掩模装置经由第二装载锁定腔室404离开真空系统)。
在一些实施方式中，在方框910中提供待使用的掩模装置411可包括举例为经由第一装载锁定腔室403沿着掩模装载通道装载待使用的掩模装置至真空系统中，掩模装载通道延伸于第一掩模处理区域401中。举例来说，通过第一掩模处理组件421从掩模库取出掩模装置，掩模库布置于第一装载锁定腔室403中。第一掩模处理组件421可接着移动掩模装置至掩模处理腔室中。
在方框950中，在第二掩模处理区域402中处理已使用的掩模装置412可选择地或额外地包括从真空系统沿着掩模卸载通道卸载已使用的掩模装置。掩模卸载通道可与掩模装载通道分隔。举例来说，掩模卸载通道和掩模装载通道可设于掩模处理腔室的相反侧上。举例来说，掩模处理组件可从掩模处理腔室移动掩模装置至用于已使用的掩模装置的第二掩模库中，第二掩模匣布置于第二装载锁定腔室404中。
根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，在方框920中的输送待使用的掩模装置411之前，待使用的掩模装置411可通过第一掩模处理组件421附接于掩模载体415的掩模保持侧。在输送至第二掩模处理区域之后，已使用的掩模装置412可选择地或额外地通过第二掩模处理组件422于第二掩模处理区域402中从掩模载体415的掩模保持侧分离。
在可选的方框960中，在从掩模载体分离已使用的掩模装置412之后，掩模载体415可从第二掩模处理区域402输送至第一掩模处理区域401。举例来说，平移机构450可设于掩模处理腔室405中，用于第一掩模处理区域和第二掩模处理区域之间的掩模载体的直接输送，特别是在基本上垂直于掩模轨道的方向的传送方向中直接输送。
在可选的方框970中，其他待使用的掩模装置可在第一掩模处理区域中附接于掩模载体415的相对于掩模保持侧的第二掩模保持侧。特别地，在从第二掩模处理区域传送掩模载体415于第一掩模处理区域中之后，可朝向第一掩模处理组件421导引掩模载体的第二掩模保持侧，使得第一掩模处理组件421可附接其他掩模装置于第二掩模保持侧。可使用根据本文所述实施方式的经构造以用于在任一侧上运载掩模装置的掩模载体。可加快掩模输送。
虽然前述内容针对本公开内容的实施方式，在不脱离本公开内容的基本范围的情况下，可设计本公开内容的其他和进一步的实施方式，并且本公开内容的范围由随附的权利要求书确定。

Claims (26)

1.一种在真空系统中处理掩模装置的方法，包括：
装载(Y1)所述掩模装置(10)至所述真空系统(100)中；
在所述真空系统(100)中附接(Y3)所述掩模装置(10)至掩模载体(15)；和
在所述真空系统(100)中以非水平定向沿着输送路径输送所述掩模载体(15)和所述掩模装置(10)。
2.一种在真空系统中处理掩模装置的方法，包括：
在所述真空系统(100)中以非水平定向(V)沿着输送路径输送保持掩模装置(10)的掩模载体(15)；
在所述真空系统(100)中从所述掩模载体(15)分离(X1)所述掩模装置(10)；和
从所述真空系统(100)卸载(X3)所述掩模装置(10)。
3.如权利要求1所述的处理掩模装置的方法，进一步包括：
在所述真空系统(100)中从所述掩模载体(15)分离(X1)所述掩模装置(10)；和
从所述真空系统(100)卸载(X3)所述掩模装置(10)。
4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，进一步包括：
在附接(Y3)所述掩模装置(10)至掩模载体(15)之前，从不同于所述非水平定向的第二定向(H)旋转(Y2)所述掩模装置(10)至所述非水平定向(V)；和/或
在从所述真空系统(100)卸载(X3)所述掩模装置之前，从所述非水平定向(V)旋转(X2)掩模装置(10)至不同于所述非水平定向的第二定向(H)。
5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述非水平定向(V)是基本上竖直的定向，并且/或者所述第二定向(H)是基本上水平的定向。
6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，
其中装载(Y1)所述掩模装置(10)至所述真空系统中包括从装载锁定腔室(101)移动所述掩模装置(10)通过可关闭开口(102)至掩模处理腔室(105)中；并且/或者
其中从所述真空系统(100)卸载(X3)所述掩模装置(10)包括从所述掩模处理腔室(105)移动所述掩模装置(10)通过所述可关闭开口(102)至所述装载锁定腔室(101)中。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述掩模装置(10)平移通过在所述掩模处理腔室(105)的侧壁(103)中的所述可关闭开口(102)至掩模库(201)，或所述掩模装置(10)从所述掩模库(201)平移通过在所述掩模处理腔室(105)的所述侧壁(103)的所述可关闭开口(102)，所述掩模库(201)经构造以存储多个掩模装置(12)并且布置于所述装载锁定腔室(101)中。
8.如权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述掩模装置(10)由磁力保持于所述掩模载体(15)处。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述掩模载体(15)包括一个或多个永久磁体，经构造以用于以所述非水平定向(V)保持所述掩模装置(10)于所述掩模载体(15)处。
10.如权利要求9所述的方法，
其中附接(Y3)所述掩模装置(10)至所述掩模载体(15)包括倒转所述掩模载体(15)的至少一个永久磁体的极性；并且/或者
从所述掩模载体(15)分离(X1)所述掩模装置(10)包括倒转所述掩模载体(15)的至少一个永久磁体的极性。
11.如权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述掩模装置(10)由掩模处理组件(20)附接、分离、移动、平移和/或旋转。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述掩模处理组件(20)由机械臂附接、分离、移动、平移和/或旋转，所述机械臂经构造以用于通过磁力保持所述掩模装置。
13.如权利要求11或12所述的方法，其中当所述掩模处理组件(20)在用于分离和/或附接所述掩模装置(10)的位置中时，所述掩模处理组件(20)供应所述掩模载体(15)电流和/或电信号。
14.一种掩模处理组件(20)，用于在真空系统(100)中处理掩模装置，所述掩模处理组件包括：
掩模保持部(21)，经构造以用于保持所述掩模装置(10)；
第一致动器，经构造以用于移动所述掩模保持部(21)；和
移交机构，经构造以用于以非水平定向(V)在所述掩模保持部(21)和掩模载体(15)之间传送所述掩模装置(10)。
15.如权利要求14所述的掩模处理组件，进一步包括：
第二致动器，经构造以用于在所述非水平定向(V)和不同于所述非水平定向的第二定向(H)之间的所述掩模保持部(21)的旋转移动。
16.如权利要求14或15所述的掩模处理组件，其中所述移交机构经构造以用于启动所述掩模装置(10)至所述掩模载体(15)的附接和/或用于启动所述掩模装置(10)从所述掩模载体(15)的分离。
17.如权利要求16所述的掩模处理组件，其中所述移交机构经构造以用于通过倒转设于所述掩模载体(15)处的至少一个永久磁体的极性来启动所述掩模装置(10)至所述掩模载体(15)的附接和/或用于启动所述掩模装置(10)从所述掩模载体(15)的分离。
18.一种用于沉积材料于基板上的真空系统(100、300)，包括：
掩模处理腔室(105)；
装载锁定腔室(101)；
可关闭开口(102)，设于所述掩模处理腔室(105)和所述装载锁定腔室(101)之间；和
如权利要求14至17中的任一项所述的掩模处理组件(20)，其中所述掩模处理组件(20)的所述第一致动器经构造以用于通过所述可关闭开口(102)在所述掩模处理腔室(105)和所述装载锁定腔室(101)之间移动所述掩模保持部(21)。
19.一种用于沉积材料于基板上的真空系统(400)，包括：
掩模处理腔室(405)、至少一个沉积腔室(406)和掩模输送系统，所述掩模输送系统经构造以用于以非水平定向(V)在所述掩模处理腔室(405)和所述至少一个沉积腔室(406)之间输送待使用的掩模装置(411)和已使用的掩模装置(412)；
其中所述掩模处理腔室(405)包括以下项中的一个：
如权利要求14至17中任一项所述的掩模处理组件，经构造以用于处理所述待使用的掩模装置(411)和所述已使用的掩模装置(412)，或
第一掩模处理区域(401)，具有第一掩模处理组件(421)，经构造以用于处理待使用的掩模装置(411)，和第二掩模处理区域(402)，具有第二掩模处理组件(422)，经构造以用于处理已使用的掩模装置(412)。
20.如权利要求19所述的真空系统，其中所述掩模输送系统包括：
第一掩模轨道(431)，用于从所述掩模处理腔室(405)导引保持待使用的掩模装置(411)的掩模载体朝向所述至少一个沉积腔室(406)；和/或
第二掩模轨道(432)，用于从所述至少一个沉积腔室(406)导引保持所述已使用的掩模装置(412)的掩模载体至所述掩模处理腔室(405)。
21.如权利要求20所述的真空系统，其中所述掩模输送系统进一步包括平移机构(450)，经构造以用于在所述掩模处理腔室(405)内的所述第二掩模轨道(432)和所述第一掩模轨道(431)之间平移掩模载体(415)。
22.如权利要求19至21中任一项所述的真空系统，进一步包括：
基板输送系统，经构造以用于在所述真空系统中沿着基板输送路径输送基板。
23.如权利要求22所述的真空系统，其中所述基板输送路径延伸通过或经过所述掩模处理腔室(405)，特别地其中第一基板轨道和第二基板轨道延伸通过所述掩模处理腔室。
24.如权利要求19至23中任一项所述的真空系统，进一步包括：
第二沉积腔室(407)；和
路由腔室(408)，位于所述掩模处理腔室(405)、所述至少一个沉积腔室(406)和所述第二沉积腔室(407)之间，其中所述路由腔室(408)包括：
路由装置(409)，经构造以用于在所述掩模处理腔室与所述至少一个沉积腔室之间，和所述掩模处理腔室与所述第二沉积腔室(407)之间路由所述掩模装置。
25.一种在真空系统中处理掩模装置的方法，包括：
提供待使用的掩模装置(411)于掩模处理腔室的第一掩模处理区域(401)中；
从所述第一掩模处理区域输送所述待使用的掩模装置至所述真空系统的至少一个沉积腔室(406)；
在所述至少一个沉积腔室中使用所述待使用的掩模装置来用于在基板上的带掩模的沉积，以提供已使用的掩模装置(412)；和
从所述沉积腔室输送所述已使用的掩模装置(412)至所述掩模处理腔室的第二掩模处理区域(402)。
26.如权利要求25所述的方法，其中所述待使用的掩模装置在输送期间由掩模载体以非水平定向(V)保持，并且/或者其中所述已使用的掩模装置在输送期间由掩模载体以非水平定向(V)保持。
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