JP2010080919A - 取り外し可能なマスクを用いる基板処理システム及び方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マスクを基板上に直接形成する従来の技術と異なり、マスク110は基板105とは独立に形成される。使用中、マスク110は、例えば堆積、スパッタリング、エッチング等の処理のために基板105の一部分のみが露出されるように、基板105に接近して又は接触して設置される。処理が終了したら、マスク110は基板105から取り外され、廃棄されるか、別の基板105に使用される。マスク110は所定の数の基板105に対して循環使用された後に、洗浄又は廃棄のために取り外すことができる。
【選択図】図1
Description
本願は、2008年6月30日及び2009年5月6日にそれぞれ出願された米国仮出願第61/077,054号及び第61/176,003号に関連し、その優先権の恩恵を主張するものであり、参考としてここに付記する。
クは、例えば堆積、スパッタリング、エッチング等の処理のために基板の一部分のみが露出されるように、基板に接近して又は接触して設置される。処理が終了したら、マスクは基板から除去され、廃棄されるか、別の基板に使用される。マスクは所定の数の基板に対して循環使用された後に、洗浄又は廃棄のために除去することができる。
Claims (23)
- 複数の処理チャンバと、
基板キャリアと、
前記基板キャリアをチャンバからチャンバへ移動させる駆動機構と、
前記基板キャリアに位置する基板の少なくとも一部分を覆い隠すようにマスクを前記基板キャリアにロードし、前記基板の処理後にマスクを前記基板キャリアから除去するマスクロード/アンロードモジュールと、
を備えることを特徴とする基板処理システム。 - 新しい基板を前記基板キャリアにロードし、処理された基板を前記基板キャリアからアンロードする基板ロード/アンロードモジュールを更に備えることを特徴とする請求項1記載の基板処理システム。
- 基板カセットを前記システムに供給するフロントエンドモジュールを更に備えることを特徴とする請求項2記載の基板処理システム。
- 前記マスクロード/アンロードモジュールは、マスクを真空環境内に出し入れするためのロードロックを備えることを特徴とする請求項1記載の基板処理システム。
- 前記マスクロード/アンロードモジュールは、マスクカセットを真空環境内に出し入れするためのロードロックを備えることを特徴とする請求項1記載の基板処理システム。
- 前記マスクロード/アンロードモジュールは、前記マスクカセットからマスクを取り出すためのリフトブレードを更に備えることを特徴とする請求項5記載の基板処理システム。
- 前記複数の処理チャンバは、スパッタリングチャンバ、イオンミリングチャンバ及びエッチングチャンバのうちの少なくとも一つを備えることを特徴とする請求項1記載の基板処理システム。
- 前記複数の処理チェンバは、処理チェンバの第1の直線列及び該第1の直線列に積み重ねられた処理チェンバの第2の直線列を備え、前記マスクロード/アンロードモジュールは互いに積み重ねられたマスクロードモジュール及びマスクアンロードモジュールを備えることを特徴とする請求項1記載の基板処理システム。
- 前記基板キャリアの各々は前記マスクを前記基板の前に取り付ける機械的機構を備えることを特徴とする請求項1記載の基板処理システム。
- 前記基板キャリアの各々は前記マスクを前記基板の前に取り付ける磁気的機構を備えることを特徴とする請求項1記載の基板処理システム。
- 前記基板キャリアは2つの基板を同時に支持するように構成されていることを特徴とする請求項1記載の基板処理システム。
- 前記基板キャリアは前記2つの基板を互いに向き合うように背中合わせに支持するように構成されていることを特徴とする請求項11記載の基板処理システム。
- 前記基板キャリアは前記2つの基板を前後にタンデムに支持するように構成され、前記マスクロード/アンロードモジュールは2つのマスクを同時にロード/アンロードするように構成されていることを特徴とする請求項11記載の基板処理システム。
- 前記処理チェンバの少なくとも一つは、2つのスパッタリング源を有するスパッタリングチェンバであり、各スパッタリング源がそれぞれ前記2つの基板の一つをスパッタするように配置されていることを特徴とする請求項12記載の基板処理システム。
- 前記処理チェンバの少なくとも一つは、可動陰極を有するエッチングチェンバを備えることを特徴とする請求項13記載の基板処理システム。
- 少なくとも一つの基板を基板キャリアにロードするステップと、
前記キャリアをマスクロードモジュールに移送するステップと、
少なくとも一つのマスクを前記キャリアに、前記マスクが前記基板の一表面を部分的に覆い隠すようにロードするステップと、
前記キャリアをプラズマ処理のために少なくとも一つのプラズマ処理チャンバ内に移送するステップと
前記マスクを前記基板から除去するステップと、
前記基板を前記キャリアから除去するステップと、
を備えることを特徴とする基板処理方法。 - 複数のマスクを有するカセットを準備するステップを更に備え、前記マスクをロードするステップは、前記カセットから一つのマスクを取り出して前記キャリアにロードすることを特徴とする請求項16記載の方法。
- マスクカセットを準備するステップを更に備え、前記マスクが前記キャリアから所定の回数除去された後に、前記マスクを前記カセットに収容することを特徴とする請求項16記載の方法。
- 前記マスクを前記キャリアから除去した後に、当該方法は、前記マスクを処理のために入来する基板に再びロードするステップに進み、前記マスクが前記キャリアから所定の回数除去された後に、前記マスクをカセットに収容することを特徴とする請求項16記載の方法。
- 前記カセットに所定の数のマスクが収容されたら、前記カセットを、マスクの廃棄のために又は再利用のためのマスク洗浄のために取り出すことを特徴とする請求項19記載の方法。
- 前記マスクが前記キャリアから除去された後に前記マスクを廃棄するステップを更に備えることを特徴とする請求項16記載の方法。
- 太陽電池回路を基板上に形成するステップと、
前記基板をホルダに支持するステップと、
前記基板に類似の形状を有するが基板の外周より小さい外周を有する固体材料からなるマスクを準備するステップと、
前記基板の周縁部のみを露出するように、前記マスクを前記基板の前に支持するステップと、
前記マスクを通してイオンミリングを実行して前記基板の周縁部における最上導電層を除去するステップと、
を備えることを特徴とする太陽電池製造におけるエッジシャント修復方法。 - 前記イオンミリングは、前記基板の周囲にプラズマを励起させることによって又はイオンビームを前記基板に向けることによって実行することを特徴とする請求項22記載の方法。
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