CN108962884A - 模制智能电源模块 - Google Patents

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Abstract

一种智能电源模块(IPM)具有第一、第二、第三和第四个芯片焊盘、第一、第二、第三、第四、第五和第六个金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管MOSFET、拉杆、集成电路IC、多个引线和一个模塑封装。第一个MOSFET连接到第一个芯片焊盘上。第二个MOSFET连接到第二个芯片焊盘上。第三个MOSFET连接到第三个芯片焊盘上。第四、第五和第六个MOSFET连接到第四个芯片焊盘上。IC连接到拉杆上。模塑封装包装第一、第二、第三和第四个芯片焊盘、第一、第二、第三、第四、第五和低的六个MOSFET、拉杆和IC。智能电源模块具有小外形封装。减少了系统的设计时间，提高了可靠性。IC包括升压二极管。减小了智能电源模块的封装尺寸。

Description

模制智能电源模块
技术领域
本发明主要涉及一种用于驱动电机的模制智能电源模块(IPM)。更确切地说，本发明涉及一种具有紧凑尺寸的模制IPM。
背景技术
用于驱动电机的传统的IPM具有三个驱动集成电路(IC)。在15/294,766的专利申请案中，IPM具有一个低压IC和一个高压IC。在本说明书中，IPM具有一个单独的IC，直接连接到拉杆上。在15/294,766的专利申请案中，IPM具有一个双列直插封装。在本说明书中，IPM是一个小外形封装。
小外形封装减少了系统的设计时间，提高了可靠性。单独的IC包括升压二极管。从而减小了封装尺寸。
发明内容
本发明提出了一种IPM，具有第一、第二、第三和第四芯片焊盘、第一、第二、第三、第四、第五和第六金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)、一个拉杆、一个IC、多个引线以及一个模塑封装。第一个MOSFET连接到第一个芯片焊盘上。第二个MOSFET连接到第二个芯片焊盘上。第三个MOSFET连接到第三个芯片焊盘上。第四、第五和第六个MOSFET连接到第四芯片焊盘上。IC连接到拉杆上。模塑封装包装了第一、第二、第三和第四芯片焊盘、第一、第二、第三、第四、第五和第六个MOSFET、拉杆和IC。
电源引线在接地引线和绝缘引线之间。绝缘引线的一端终止在模塑封装中。绝缘引线在电源引线和其他引线之间。通过绝缘引线，增大了电源引线和其他引线之间的距离。对于高压应用来说，爬电距离增大了。
为了达到上述目的，本发明提供了一种智能电源模块，该智能电源模块包括：
第一、第二、第三和第四个芯片焊盘；
第一个晶体管连接到第一个芯片焊盘上；
第二个晶体管连接到第二个芯片焊盘上；
第三个晶体管连接到第三个芯片焊盘上；
第四、第五和第六个晶体管连接到第四个芯片焊盘上；
一个集成电路位于第二个和第三个芯片焊盘附近；所述集成电路电连接到第一、第二、第三、第四、第五和第六个晶体管上；
多个引线；以及
一个模塑封装，包装第一、第二、第三和第四个芯片焊盘、第一、第二、第三、第四、第五和第六个晶体管以及集成电路；
其中多个引线部分嵌入在模塑封装中。
优选地，智能电源模块，还包括一个拉杆，具有第一端、第二端以及中间延伸物，其中拉杆的中间延伸物机械连接和电连接到接地引线。
优选地，其中拉杆的第一端的第一端表面以及第二端的第二端表面都从模塑封装的边缘表面上裸露出来。
优选地，其中电源引线在接地引线和绝缘引线之间。
优选地，其中第一个芯片焊盘顶部边缘的至少一部分、第二和第三个芯片焊盘的顶部边缘、以及第四个芯片焊盘的顶部边缘的至少一部分是共面的；其中拉杆的底部边缘的中间部分平行于第二和第三个芯片焊盘的顶部边缘。
优选地，其中集成电路通过多个金接合引线电连接到第一、第二、第三、第四、第五和第六个晶体管，其中多个铜接合引线将第一、第二、第三、第四、第五和第六个晶体管电连接和机械连接到多个引线的一部分上。
优选地，其中第一个连接元件将第一个芯片焊盘连接到多个引线的第一引线上；第二个连接元件将第二个芯片焊盘连接到多个引线的第二引线上；第三个连接元件将第三个芯片焊盘连接到多个引线的第三引线上；以及第四个连接元件将第四个芯片焊盘连接到多个引线的第四引线上。
优选地，其中第一个绝缘引线在第一个低压引线和第一引线之间；第二个绝缘引线在第一引线和第二引线之间；以及第三个绝缘引线在第二引线和第三引线之间。
优选地，其中第四个绝缘引线在第一个所选的高压引线和第二个所选的高压引线之间。
优选地，其中第一个引线通过印刷电路板，连接到第二个所选的高压引线上，其中第二个引线通过印刷电路板连接到第一个所选的高压引线上。
优选地，其中多个引线中的第五、第六和第七个引线直接连接到第四个连接元件。
优选地，其中第一个晶体管为第一个金属-氧化物-半导体场效应晶体管MOSFET；第二个晶体管为第二个MOSFET；第三个晶体管为第三个MOSFET；第四个晶体管为第四个MOSFET；第五个晶体管为第五个MOSFET；以及第六个晶体管为第六个MOSFET。
优选地，其中第一个接合引线将第一个MOSFET的源极连接到低压引线上；第二个接合引线将第一个MOSFET的源极连接到第二个MOSFET的源极上；以及第三个接合引线将第二个MSOFET的源极连接到第三个MOSFET的源极上。
优选地，其中第一个多个接合引线将集成电路连接到多个引线上，或者将集成电路连接到第一、第二、第三、第四、第五和第六个晶体管上；其中第二个多个接合引线将第一、第二、第三、第四、第五和第六个晶体管的源极连接到多个引线的一部分上；其中第一个多个接合引线是金接合引线；并且其中第二个多个接合引线是铜接合引线。
优选地，智能电源模块还包括第五个芯片焊盘，其中第四个芯片焊盘是反转的字母L形状，并且其中第四个芯片焊盘具有一个切口，以容纳第五个芯片焊盘的一部分，以利于智能电源模块的紧凑性。
优选地，其中第四个芯片焊盘是反转的字母L形状；其中第四个芯片焊盘具有一个切口，以容纳第三个芯片焊盘的引线接合区；并且其中接合引线将第六个晶体管的源极连接到第三个芯片焊盘的引线接合区上。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：本发明的智能电源模块具有小外形封装；减少了系统的设计时间，提高了可靠性；集成电路IC包括升压二极管，减小了智能电源模块的封装尺寸。
附图说明
图1表示在本发明的示例中，一种智能电源模块(IPM)的透视图。
图2表示在本发明的示例中，一种IPM(带有模塑封装外形)的俯视图。
图3表示在本发明的示例中，另一种IPM(带有模塑封装外形)的俯视图。
图4表示在本发明的示例中，另一种IPM(带有模塑封装外形)的俯视图。
图5表示在本发明的示例中，另一种IPM(带有模塑封装外形)的俯视图。
具体实施方式
图1表示在本发明的示例中，一种IPM 100的透视图。IPM 100具有多个引线180。多个引线180部分嵌入在模塑封装198中。
图2表示在本发明的示例中，一种IPM 200的俯视图。IPM 200具有第一个芯片焊盘202A、第二个芯片焊盘202B、第三个芯片焊盘202C、第四个芯片焊盘202D、第一个晶体管242、第二个晶体管244、第三个晶体管246、第四个晶体管252、第五个晶体管254、第六个晶体管256、拉杆210、IC220、多个引线以及一个模塑封装298。
第一个芯片焊盘202A、第二个芯片焊盘202B、第三个芯片焊盘202C以及第四个芯片焊盘202D相互隔开，并且按一定顺序，一个接一个地排列起来。在本发明的示例中，第一个芯片焊盘202A顶部边缘的一部分、第二个芯片焊盘202B的顶部边缘、第三个芯片焊盘202C的顶部边缘、以及第四个芯片焊盘202D的顶部边缘的一部分共面。在一个示例中，拉杆210的底部边缘的中间部分沿X-方向，并且平行于第二个芯片焊盘202B和第三个芯片焊盘202C的顶部边缘。在另一个示例中，拉杆210的底部边缘的中间部分平行于第一个芯片焊盘202A的顶部边缘的一部分。在另一个示例中，拉杆210的底部边缘的中间部分平行于第四个芯片焊盘202D顶部边缘的一部分。第一个晶体管242连接到第一个芯片焊盘202A上。第二个晶体管244连接到第二个芯片焊盘202B上。第三个晶体管连接到第三个芯片焊盘202C上。第四个晶体管252、第五个晶体管254、第六个晶体管256连接到第四个芯片焊盘202D上。
在本发明的示例中，拉杆210沿芯片焊盘202A、202B、202C和202D的顶边延伸。拉杆210的第一端212在第一个芯片焊盘202A的外边缘上方延伸。拉杆210的第二端214在第四个芯片焊盘202D的外边缘上方延伸。在本发明的示例中，拉杆210还包括一个在第一端212和第二端214之间的中间范围延伸物216。拉杆210的中间范围延伸物机械连接和电连接到接地引线216A上。中间范围延伸物216沿垂直于第三个芯片焊盘202C顶边的水平方向(Y-方向)延伸。在本发明的示例中，电源引线217在接地引线216A和绝缘引线219之间。绝缘引线219的一端终止在模塑封装298中。绝缘引线219在电源引线217和引线221之间。通过绝缘引线219，增大了电源引线217和引线221之间的距离，提高了电流性能。IC 220连接到拉杆210在第一端212和第二端214之间的延伸区域上。在本发明的示例中，通过接合引线，IC电连接到第一个晶体管242、第二个晶体管244、第三个晶体管246、第四个晶体管252、第五个晶体管254以及第六个晶体管256。在本发明的示例中，接合引线最好选用金接合引线。
在本发明的示例中，模塑封装298包装了第一个芯片焊盘202A、第二个芯片焊盘202B、第三个芯片焊盘202C、第四个芯片焊盘202D、第一个晶体管242、第二个晶体管244、第三个晶体管246、第四个晶体管252、第五个晶体管254、第六个晶体管256、拉杆210以及IC220。在本发明的示例中，多个引线部分嵌入在模塑封装298中。在本发明的示例中，第一端212的末端表面以及拉杆210的第二端214都从模塑封装298的边缘表面上裸露出来。
在本发明的示例中，IPM200具有引线290、292A、282A、292B、284A、292C、286、292D、284B、292E、282B、292F、288A和288B。在本发明的示例中，引线282A、284A、286、288A和288B都是高压引线。第一个连接元件281A将第一个芯片焊盘202A连接到第一个引线282A上。第二个连接元件283A将第二个芯片焊盘202B连接到第二个引线284A上。第三个连接元件285A将第三个芯片焊盘202C连接到第三个引线286上。第四个连接元件287A将第四个芯片焊盘202D连接到第四个引线288A上。
在本发明的示例中，引线290是低压引线。引线282A、282B、284A、284B、286、288A和288B是高压引线。在本发明的示例中，高压引线282A和282B都可以缩短。高压引线284A和284B都可以缩短。
在本发明的示例中，第一绝缘引线292A在第一低压引线290和第一引线282A之间。第二绝缘引线292B在第一引线282A和第二引线284A之间。第三个绝缘引线292C在第二引线284A和第三引线286之间。第四个绝缘引线292E在第一所选的高压引线284B和第二个所选的的高压引线282B之间。第五个绝缘引线292F在第二个所选的高压引线282B和第四个引线288A之间。第一个引线282A通过图1所示的印刷电路板101(图中虚线所示)连接到第二个所选的高压引线282B上，第二个引线284A通过图1所示的印刷电路板101，连接到第一个所选的高压引线284B上。通过连接印刷电路板，为IC220提供了更多的空间，从而缩小了IC 220的尺寸。
在本发明的示例中，IC 220直接连接到拉杆210上。在本发明的示例中，IPM 200不具有另一个IC，直接连接到拉杆210上(只有IC 220直接连接到拉杆210上)。第一、第二、第三、第四、第五和第六晶体管为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)。第一个接合引线291A将第一个晶体管242的源极242S连接到第一个低压引线290上。第二个接合引线291B将第一个晶体管242的源极242S连接到第二个晶体管244的源极244S上。第三个接合引线291C将第二个晶体管244的源极244S连接到第三个晶体管246的源极246S上。在本发明的示例中，第一、第二和第三个接合引线为铜接合引线。
图3表示在本发明的示例中，IPM 300的俯视图。IPM 300具有第一个芯片焊盘302A、第二个芯片焊盘302B、第三个芯片焊盘302C、第四个芯片焊盘302D、第一个晶体管342、第二个晶体管344、第三个晶体管346、第四个晶体管352、第五个晶体管354、第六个晶体管356、一个拉杆310、一个IC 320、多个引线以及一个模塑封装398。
第一个芯片焊盘302A、第二个芯片焊盘302B、第三个芯片焊盘302C以及第四个芯片焊盘302D相互隔开，并按一定顺序一个接一个地排布起来。在本发明的示例中，第一个芯片焊盘302A的顶部边缘的一部分、第二个芯片焊盘302B的顶部边缘、第三个芯片焊盘302C的顶部边缘、以及第四个芯片焊盘302D顶部边缘的一部分是共面的。在一个示例中，拉杆310底部边缘的中间部分沿X-方向，平行于第二个芯片焊盘302B和第三个芯片焊盘302C的顶部边缘。在另一个示例中，拉杆310的底部边缘的中间部分平行于第一个芯片焊盘302A顶部边缘的一部分。在另一个示例中，拉杆310底部边缘的中间部分平行于第四个芯片焊盘302D顶部边缘的一部分。第一个晶体管342连接到第一个芯片焊盘302A上。第二个晶体管344连接到第二个芯片焊盘302B上。第三个晶体管346连接到第三个芯片焊盘302C上。第四个晶体管352、第五个晶体管354以及第六个晶体管356连接到第四个芯片焊盘302D上。
在本发明的示例中，拉杆310沿芯片焊盘302A、302B、302C和302D的顶部边缘延伸。拉杆310的第一端312在第一个芯片焊盘302A的外边缘上方延伸。拉杆310的第二端314在第四个芯片焊盘302D的外边缘上方延伸。在本发明的示例中，拉杆310还包括一个在第一端312和第二端314之间的中间延伸物316。中间延伸物316垂直于第三个芯片焊盘302C的水平方向(Y-方向)延伸。IC 320连接到第一端312和第二端314之间的拉杆310的延伸区域上。在本发明的示例中，IC320通过接合引线电连接到第一个晶体管342、第二个晶体管344、第三个晶体管346、第四个晶体管352、第五个晶体管354以及第六个晶体管356。在本发明的示例中，接合引线最好使用金接合引线。
在本发明的示例中，模塑封装398包装了第一个芯片焊盘302A、第二个芯片焊盘302B、第三个芯片焊盘302C、第四个芯片焊盘302D、第一个晶体管342、第二个晶体管344、第三个晶体管346、第四个晶体管352、第五个晶体管354、第六个晶体管356、拉杆310以及IC320。在本发明的示例中，多个引线部分嵌入在模塑封装398中。
在本发明的示例中，IPM 300具有引线390、382A、382B、384A、384B、386A、386B、392A、392B、392C、388A、388B、388C和388D。第一个连接元件381A将第一个芯片焊盘302A连接到第一个引线382A上。第二个连接元件383A将第二个芯片焊盘302B连接到第二个引线384A上。第三个连接元件385A将第三个芯片焊盘302C连接到第三个引线386A上。第四个连接元件387A将第四个芯片焊盘302D连接到第四个引线388A上。第五个引线388B、第六个引线388C以及第七个引线388D直接连接到第四个连接元件387A上。
图4表示在本发明的示例中，IPM 400的俯视图。IPM 400具有第一个芯片焊盘402A、第二个芯片焊盘402B、第三个芯片焊盘402C、第四个芯片焊盘402D、第五个芯片焊盘410、第一个晶体管442、第二个晶体管444、第三个晶体管446、第四个晶体管452、第五个晶体管454、第六个晶体管456、IC 420、多个引线以及一个模塑封装498。第一个晶体管442连接到第一个芯片焊盘402A上。第二个晶体管444连接到第二个芯片焊盘402B上。第三个晶体管446连接到第三个芯片焊盘402C上。第四个晶体管452、第五个晶体管454以及第六个晶体管456连接到第四个芯片焊盘402D上。IC 420连接到第五个芯片焊盘410上。
在本发明的示例中，第五个芯片焊盘410具有第一端412，在第一个芯片焊盘402A的外边缘上方眼X-方向延伸，以提供拉杆连接，并且第二端414沿Y-方向延伸。第一端412比第五个芯片焊盘410的其他区域更窄。第五个芯片焊盘410的第二端414机械连接和电连接到接地引线416A上。第一个芯片焊盘402A、第二个芯片焊盘402B、第三个芯片焊盘402C、第四个芯片焊盘402D位于第五个芯片焊盘410的至少两个邻近边缘附近。IC 420安装在第五个芯片焊盘410更宽的区域上。更宽的区域比第五个芯片焊盘410的其他区域更宽。较宽的区域在第二个芯片焊盘402B、第三个芯片焊盘402C和第四个芯片焊盘402D附近。
在本发明的示例中，第四个芯片焊盘402D是反转的字母“L”形状。第四个芯片焊盘402D有一个切口403，以容纳第五个芯片焊盘410的一部分，以便于IPM 400的紧凑性。
在本发明的示例中，第一多个接合引线481将IC 420连接到多个引线上，或者将IC420连接到第一个晶体管442、第二个晶体管444、第三个晶体管446、第四个晶体管452、第五个晶体管454、第六个晶体管456上。在本发明的示例中，第二个多个接合引线491将源极442S、444S、446S、452S、454S和456S连接到多个引线上。在本发明的示例中，第一个多个接合引线481为金接合引线，用于更好的引线划线工艺。第二个多个接合引线491为铜接合引线，以便降低成本。
在本发明的示例中，模塑封装498包装了第一个芯片焊盘402A、第二个芯片焊盘402B、第三个芯片焊盘402C、第四个芯片焊盘402D、第一个晶体管442、第二个晶体管444、第三个晶体管446、第四个晶体管452、第五个晶体管454、第六个晶体管456、第五个芯片焊盘410以及IC 420。在本发明的示例中，多个引线部分嵌入在模塑封装498中。
图5表示在本发明的示例中，IPM 500的俯视图。IPM 500具有第一个芯片焊盘502A、第二个芯片焊盘502B、第三个芯片焊盘502C、第四个芯片焊盘502D、第五个芯片焊盘510、第一个晶体管542、第二个晶体管544、第三个晶体管546、第四个晶体管552、第五个晶体管554、第六个晶体管556、IC 520、多个引线以及一个模塑封装598。第一个晶体管542连接到第一个芯片焊盘502A。第二个晶体管544连接到第二个芯片焊盘502B上。第三个晶体管546连接到第三个芯片焊盘502C上。第四个晶体管552、第五个晶体管554以及第六个晶体管556连接到第四个芯片焊盘502D上。IC 520连接到第五个芯片焊盘510上。
在本发明的示例中，第五个芯片焊盘510机械连接和电连接到第一个接地引线516A、第二个接地引线516B以及第三个接地引线516C上。
在本发明的示例中，第一、第二、第三、第四、第五和第六个晶体管542、544、546、552、554和556是金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)。源极542S、544S、546S、552S和556S分别在第一、第二、第三、第四、第五和第六个晶体管542、544、546、552、554和556上。在本发明的示例中，第一个多个接合引线581将IC 520连接到多个引线上，或者将IC 520连接到第一个晶体管542、第二个晶体管544、第三个晶体管546、第四个晶体管552、第五个晶体管554、第六个晶体管556上。在本发明的示例中，第二个多个接合引线591将源极542S、544S、546S、552S、554S和556S连接到多个引线。在本发明的示例中，第一个多个接合引线581是金接合引线，以便更好的引线划线工艺。第二个多个接合引线591是铜接合引线，以便降低成本。
在本发明的示例中，第四个芯片焊盘502D是反转的字母“L”形状。第四个芯片焊盘502D有一个切口503，以容纳第三个芯片焊盘502C的引线接合区域571。接合引线将第六个晶体管556的源极556S连接到第三个芯片焊盘502C的引线接合区域571上。
在本发明的示例中，模塑封装598包装第一个芯片焊盘502A、第二个芯片焊盘502B、第三个芯片焊盘502C、第四个芯片焊盘502D、第一个晶体管542、第二个晶体管544、第三个晶体管546、第四个晶体管552、第五个晶体管554、第六个晶体管556、第五个芯片焊盘510以及IC 520。在本发明的示例中，多个引线部分嵌入在模塑封装598中。
本领域的技术人员应明确可能存在各种实施例的修正。例如，多个绝缘引线和绝缘引线的位置可能变化。在本发明的范围内，本领域的技术人员还可能存在各种修正和变化，本发明由所附的权利要求书限定。

Claims (16)

1.一种用于驱动电机的智能电源模块，其特征在于，该智能电源模块包括：
第一、第二、第三和第四个芯片焊盘；
第一个晶体管连接到第一个芯片焊盘上；
第二个晶体管连接到第二个芯片焊盘上；
第三个晶体管连接到第三个芯片焊盘上；
第四、第五和第六个晶体管连接到第四个芯片焊盘上；
一个集成电路位于第二个和第三个芯片焊盘附近；所述集成电路电连接到第一、第二、第三、第四、第五和第六个晶体管上；
多个引线；以及
一个模塑封装，包装第一、第二、第三和第四个芯片焊盘、第一、第二、第三、第四、第五和第六个晶体管以及集成电路；
其中多个引线部分嵌入在模塑封装中。
2.如权利要求1所述的智能电源模块，其特征在于，还包括一个拉杆，具有第一端、第二端以及中间延伸物，其中拉杆的中间延伸物机械连接和电连接到接地引线。
3.如权利要求2所述的智能电源模块，其特征在于，其中拉杆的第一端的第一端表面以及第二端的第二端表面都从模塑封装的边缘表面上裸露出来。
4.如权利要求2所述的智能电源模块，其特征在于，其中电源引线在接地引线和绝缘引线之间。
5.如权利要求2所述的智能电源模块，其特征在于，其中第一个芯片焊盘顶部边缘的至少一部分、第二和第三个芯片焊盘的顶部边缘、以及第四个芯片焊盘的顶部边缘的至少一部分是共面的；
其中拉杆的底部边缘的中间部分平行于第二和第三个芯片焊盘的顶部边缘。
6.如权利要求1所述的智能电源模块，其特征在于，其中集成电路通过多个金接合引线电连接到第一、第二、第三、第四、第五和第六个晶体管，其中多个铜接合引线将第一、第二、第三、第四、第五和第六个晶体管电连接和机械连接到多个引线的一部分上。
7.如权利要求1所述的智能电源模块，其特征在于，其中第一个连接元件将第一个芯片焊盘连接到多个引线的第一引线上；
第二个连接元件将第二个芯片焊盘连接到多个引线的第二引线上；
第三个连接元件将第三个芯片焊盘连接到多个引线的第三引线上；以及
第四个连接元件将第四个芯片焊盘连接到多个引线的第四引线上。
8.如权利要求7所述的智能电源模块，其特征在于，其中第一个绝缘引线在第一个低压引线和第一引线之间；
第二个绝缘引线在第一引线和第二引线之间；以及
第三个绝缘引线在第二引线和第三引线之间。
9.如权利要求8所述的智能电源模块，其特征在于，其中第四个绝缘引线在第一个所选的高压引线和第二个所选的高压引线之间。
10.如权利要求9所述的智能电源模块，其特征在于，其中第一个引线通过印刷电路板，连接到第二个所选的高压引线上，其中第二个引线通过印刷电路板连接到第一个所选的高压引线上。
11.如权利要求7所述的智能电源模块，其特征在于，其中多个引线中的第五、第六和第七个引线直接连接到第四个连接元件。
12.如权利要求1所述的智能电源模块，其特征在于，其中第一个晶体管为第一个金属-氧化物-半导体场效应晶体管MOSFET；
第二个晶体管为第二个MOSFET；
第三个晶体管为第三个MOSFET；
第四个晶体管为第四个MOSFET；
第五个晶体管为第五个MOSFET；以及
第六个晶体管为第六个MOSFET。
13.如权利要求12所述的智能电源模块，其特征在于，其中第一个接合引线将第一个MOSFET的源极连接到低压引线上；
第二个接合引线将第一个MOSFET的源极连接到第二个MOSFET的源极上；以及
第三个接合引线将第二个MSOFET的源极连接到第三个MOSFET的源极上。
14.如权利要求1所述的智能电源模块，其特征在于，其中第一个多个接合引线将集成电路连接到多个引线上，或者将集成电路连接到第一、第二、第三、第四、第五和第六个晶体管上；其中第二个多个接合引线将第一、第二、第三、第四、第五和第六个晶体管的源极连接到多个引线的一部分上；其中第一个多个接合引线是金接合引线；并且其中第二个多个接合引线是铜接合引线。
15.如权利要求1所述的智能电源模块，其特征在于，还包括第五个芯片焊盘，其中第四个芯片焊盘是反转的字母L形状，并且其中第四个芯片焊盘具有一个切口，以容纳第五个芯片焊盘的一部分，以利于智能电源模块的紧凑性。
16.如权利要求1所述的智能电源模块，其特征在于，其中第四个芯片焊盘是反转的字母L形状；其中第四个芯片焊盘具有一个切口，以容纳第三个芯片焊盘的引线接合区；并且其中接合引线将第六个晶体管的源极连接到第三个芯片焊盘的引线接合区上。
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