CN117673061A - 智能功率模块和电子设备 - Google Patents

智能功率模块和电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN117673061A
CN117673061A CN202311635074.8A CN202311635074A CN117673061A CN 117673061 A CN117673061 A CN 117673061A CN 202311635074 A CN202311635074 A CN 202311635074A CN 117673061 A CN117673061 A CN 117673061A
Authority
CN
China
Prior art keywords
supply voltage
side driving
bootstrap
chip
pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202311635074.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN117673061B (zh
Inventor
董军
杨景城
成章明
周文杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hisense Home Appliances Group Co Ltd
Original Assignee
Hisense Home Appliances Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hisense Home Appliances Group Co Ltd filed Critical Hisense Home Appliances Group Co Ltd
Priority to CN202311635074.8A priority Critical patent/CN117673061B/zh
Publication of CN117673061A publication Critical patent/CN117673061A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN117673061B publication Critical patent/CN117673061B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575Assemblies of semiconductor devices on lead frames
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

本发明公开了一种智能功率模块和电子设备,智能功率模块包括:驱动焊盘;高侧驱动悬浮供电电压引脚;高侧驱动芯片供电电压引脚,高侧驱动芯片供电电压引脚在第一方向上位于驱动焊盘和高侧驱动悬浮供电电压引脚之间,高侧驱动芯片供电电压引脚上设置有三个在第二方向间隔设置的自举焊盘。自举芯片,自举芯片设置于自举焊盘,自举芯片为三个,三个自举芯片和三个自举焊盘一一对应。由此,通过将三个自举芯片与高侧驱动芯片供电电压引脚上的三个间隔设置的自举焊盘一一对应设置,可以使自举芯片在智能功率模块中的位置靠近驱动焊盘,即靠近智能功率模块的中间位置,从而可以提升自举芯片在智能功率模块上的鲁棒性和可靠性。

Description

智能功率模块和电子设备
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其是涉及一种智能功率模块和电子设备。
背景技术
含有升压二极管的智能功率模块通常采用N型半导体材料为衬底,正面设置P型半导体材料层,以在智能功率模块中形成升压二极管。N衬底焊接在用于连接高侧驱动悬浮供电电压的管脚焊盘上,P极通过引线连接用于连接高侧驱动芯片供电电压的管脚。
现有技术中,升压二极管的设置使芯片位置接近于产品塑封模块边缘,在受到应力和热应力时芯片与模块框架容易产生分层,影响产品的鲁棒性和可靠性。另外,升压二极管搭载的焊盘位置需要焊接驱动芯片接通高侧驱动悬浮供电电压的电极引线,升压二极管焊料溢料会影响焊线效果,通常会在自举二极管接位置和打线位置之间设计凹槽等阻断焊料溢料,增加框架制造成本。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种智能功率模块,该智能功率模块可以提升鲁棒性和可靠性。
本发明的另一个目的在于提出一种电子设备。
根据本发明实施例的智能功率模块,包括:驱动焊盘,所述驱动焊盘包括高压侧驱动焊盘,所述高压侧驱动焊盘上设置有高压驱动芯片;高侧驱动悬浮供电电压引脚,所述高侧驱动悬浮供电电压引脚与所述高压侧驱动焊盘在第一方向上间隔设置,所述高侧驱动悬浮供电电压引脚用于连接高侧驱动悬浮供电电压;高侧驱动芯片供电电压引脚,所述高侧驱动芯片供电电压引脚在所述第一方向上间隔设置于所述高压侧驱动焊盘和所述高侧驱动悬浮供电电压引脚之间,所述高侧驱动芯片供电电压引脚沿所述高压侧驱动焊盘至少部分的外周延伸设置且用于连接高侧驱动芯片供电电压,所述高侧驱动芯片供电电压引脚上设置有三个在所述第二方向间隔设置的自举焊盘,其中,所述第一方向和所述第二方向相互垂直;自举芯片,所述自举芯片设置于所述自举焊盘,所述自举芯片为三个,三个所述自举芯片和三个所述自举焊盘一一对应。
由此,通过将三个自举芯片与高侧驱动芯片供电电压引脚上的三个间隔设置的自举焊盘一一对应设置,可以使自举芯片在智能功率模块中的位置靠近驱动焊盘,即靠近智能功率模块的中间位置,从而可以提升自举芯片在智能功率模块上的鲁棒性和可靠性。
在本发明的一些示例中,所述自举芯片包括P型阳极层和N型阴极层,所述P型阳极层与所述自举焊盘焊接,所述N型阴极层设置于所述P型阳极层背离所述自举焊盘的一侧。
在本发明的一些示例中,所述自举芯片为P型衬底升压二极管。
在本发明的一些示例中,所述智能功率模块还包括电阻,所述电阻集成设置在所述N型阴极层背离所述P型阳极层的一侧。
在本发明的一些示例中,所述高侧驱动悬浮供电电压引脚表面呈连续平整状,其中,所述高侧驱动悬浮供电电压引脚第一方向背离所述自举芯片的一端未开设通孔,所述高侧驱动悬浮供电电压引脚表面未开设将所述高侧驱动悬浮供电电压引脚分隔成芯片焊接区域和导线连接区域的分隔槽。
在本发明的一些示例中,所述高侧驱动芯片供电电压引脚至少部分地在第一方向靠近所述高侧驱动悬浮供电电压引脚的一侧凸出设置,以形成所述自举焊盘,所述高侧驱动悬浮供电电压引脚构造出避让空间,所述避让空间避让所述自举焊盘。
在本发明的一些示例中,所述高侧驱动悬浮供电电压引脚为三个,三个所述高侧驱动悬浮供电电压引脚在第二方向上间隔设置,三个所述高侧驱动悬浮供电电压引脚中的至少部分设置有所述避让空间,三个所述自举焊盘与三个所述高侧驱动悬浮供电电压引脚中的至少部分上开设的所述避让空间一一对应。
在本发明的一些示例中,所述N型阴极层与所述高侧驱动悬浮供电电压引脚之间连接有第一电连接线,所述高侧驱动悬浮供电电压引脚与所述高压驱动芯片之间连接有第二电连接线。
在本发明的一些示例中,所述高侧驱动悬浮供电电压引脚包括第一引脚部和第二引脚部,所述第一引脚部用于与高侧驱动悬浮供电电压且与所述自举焊盘在所述第一方向间隔设置,所述第二引脚部设置于所述第一引脚部朝向所述高侧驱动芯片供电电压引脚的一侧且位于所述第一引脚部第二方向的一端,所述第二引脚部与所述自举焊盘在所述第二方向间隔设置,所述第二引脚部与所述高压驱动芯片之间连接有第二电连接线。
根据本发明的电子设备,包括以上所述的智能功率模块。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是根据本发明实施例的智能功率模块的示意图;
图2为图1中A区域的示意图;
图3是根据本发明实施例的自举芯片的示意图;
图4是根据本发明实施例的电路连接图。
附图标记:
100、智能功率模块;
2、驱动焊盘;201、高压侧驱动焊盘;2011、高压驱动芯片;202、低压侧驱动焊盘;2021、低压驱动芯片;
3、高侧驱动悬浮供电电压引脚;301、第一引脚部;302、第二引脚部;
4、高侧驱动芯片供电电压引脚;401、自举焊盘;
5、自举芯片;501、框架;502、P型阳极层;503、N型阴极层;504、电阻;
6、避让空间;7、第一电连接线;8、第二电连接线;9、高侧驱动悬浮供电地引脚;
10、功率侧引脚;
11、功率焊盘;1110、高压侧功率焊盘;1120、高压功率芯片;1130、低压侧功率焊盘;1140、低压功率芯片。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,参考附图描述的实施例是示例性的,下面详细描述本发明的实施例。
下面参考图1-图4描述根据本发明实施例的智能功率模块100,本发明实施例的智能功率模块100可以应用于电子设备中。
结合图1和图2所示,根据本发明的智能功率模块100可以主要包括:驱动焊盘2、高侧驱动悬浮供电电压引脚3、高侧驱动芯片供电电压引脚4和自举芯片5,其中,驱动焊盘2包括高压侧驱动焊盘201和低压侧驱动焊盘202,高压侧驱动焊盘201上设置有高压驱动芯片2011,低压侧驱动焊盘202上设置有低压驱动芯片2021。高侧驱动悬浮供电电压引脚3与高压侧驱动焊盘201在第一方向上间隔设置,高侧驱动悬浮供电电压引脚3用于连接高侧驱动悬浮供电电压,高侧驱动芯片供电电压引脚4在第一方向上间隔设置于高压侧驱动焊盘201和高侧驱动悬浮供电电压引脚3之间,高侧驱动芯片供电电压引脚4沿所述高压侧驱动焊盘201至少部分的外周延伸设置且用于连接高侧驱动芯片供电电压,高侧驱动芯片供电电压引脚4上设置有三个在第二方向间隔设置的自举焊盘401,其中,第一方向和第二方向相互垂直,自举芯片5设置于自举焊盘401,自举芯片5为三个,三个自举芯片5和三个自举焊盘401一一对应。
具体地,驱动焊盘2主要可以为智能功率模块100上的驱动芯片提供焊接位置,以保证驱动芯片在智能功率模块100上的设置可靠性,驱动焊盘2包括高压侧驱动焊盘201,高压侧驱动焊盘201上设置有高压驱动芯片2011可以组成智能功率模块100的基本结构,可以保证智能功率模块100正常工作。另外,为保证高压驱动芯片2011的鲁棒性和可靠性,高压侧驱动焊盘201设置于智能功率模块100中间位置。高侧驱动悬浮供电电压引脚3用于连接高侧驱动悬浮供电电压,可以便于智能功率模块100与外部电路连接。高侧驱动芯片供电电压引脚4用于连接高侧驱动芯片供电电压。可以便于智能功率模块100与外部电路连接。
进一步地,高侧驱动悬浮供电电压引脚3与高压侧驱动焊盘201在第一方向上间隔设置,高侧驱动芯片供电电压引脚4在第一方向上位于高压侧驱动焊盘201和高侧驱动悬浮供电电压引脚3之间,这样不仅可以便于在高侧驱动悬浮供电电压引脚3、高侧驱动芯片供电电压引脚4和高压侧驱动焊盘201的设置,而且还可以保证高侧驱动悬浮供电电压引脚3、高侧驱动芯片供电电压引脚4和高压侧驱动焊盘201在智能功率模块100中相互独立,可以保证智能功率模块100中的电路正常连接,可以防止智能功率模块100中发生短路,以保证智能功率模块100正常工作。
进一步地,高侧驱动芯片供电电压引脚4在第二方向上延伸设置,高侧驱动芯片供电电压引脚4上设置有三个在第二方向间隔设置的自举焊盘401,其中,第一方向和第二方向相互垂直。具体地,高侧驱动芯片供电电压引脚4在第二方向上延伸设置,可以便于高侧驱动芯片供电电压引脚4从高压侧驱动焊盘201和高侧驱动悬浮供电电压引脚3之间向第二方向边缘延伸设置,以便于高侧驱动芯片供电电压引脚4连接高侧驱动芯片供电电压。在高侧驱动芯片供电电压引脚4上设置有三个自举焊盘401,并且三个自举焊盘401在第二方向上间隔设置,可以构成智能功率模块100的基本结构,可以保证三个自举焊盘401在高侧驱动芯片供电电压引脚4上间隔独立设置。
进一步地,自举芯片5设置于自举焊盘401,自举芯片5为三个,三个自举芯片5和三个自举焊盘401一一对应。具体地,自举焊盘401可以为自举芯片5提供稳定可靠的设置位置,可以使自举芯片5设置在高压侧驱动焊盘201和高侧驱动悬浮供电电压引脚3之间,这样可以使自举芯片5靠近高压侧驱动焊盘201设置,从而可以使自举芯片5在智能功率模块100中靠近中间设置。在本发明的实施例中,自举芯片5设置有三个,可以满足智能功率模块100的运行需求。三个自举芯片5和三个自举焊盘401在高侧驱动芯片供电电压引脚4上一一对应设置,可以保证三个自举芯片5之间的设置独立性,可以保证智能功率模块100上自举芯片5的设置可靠性。
在本发明的实施例中,通过将三个自举芯片5与高侧驱动芯片供电电压引脚4上的三个间隔设置的自举焊盘401一一对应设置,不仅可以满足自举芯片5在智能功率模块100中的设置要求,而且相较于现有技术,可以使自举芯片5在智能功率模块100中的位置靠近高压侧驱动焊盘201,即靠近智能功率模块100的中间位置,从而可以提升自举芯片5在智能功率模块100上的结构可靠性,以提升自举芯片5在智能功率模块100中的鲁棒性。
结合图3所示,自举芯片5包括P型阳极层502、N型阴极层503,P型阳极层502与自举焊盘401焊接,N型阴极层503设置于P型阳极层502背离自举焊盘401的一侧。具体地,本发明实施例中的自举焊盘401包括框架501结构,P型阳极层502设置于框架501上,并且与框架501焊接,以在智能功率模块100中设置的自举芯片5。将P型阳极层502与框架501焊接,可以使自举芯片5设置于用于连接高侧驱动芯片供电电压的高侧驱动芯片供电电压引脚4上,这样一方面可以保证智能功率模块100的功能正常运行,另一方面可以使自举芯片5设置于智能功率模块100上靠近高压侧驱动焊盘201的中间位置,以提升自举芯片5的鲁棒性和可靠性。
进一步地,框架501和P型阳极层502之间敷设有银浆,用于降低P型阳极层502和框架501之间的接触电阻,有利于保证自举芯片5在智能功率模块100中接触良好。N型阴极层503设置于P型阳极层502背离框架501的一侧,以防止N型阴极层503与自举焊盘401直接电连接。
根据本发明的实施例,自举芯片5为P型衬底升压二极管,其中,P型阳极层502由P型半导体材料构成,N型阴极层503由N型半导体材料构成,P型阳极层502与N型阴极层503连接,可以形成以P型为衬底的升压二极管,从而在智能功率模块100中形成自举芯片5。
结合图3所示,智能功率模块100还包括电阻504,电阻504集成设置在N型阴极层503背离所述P型阳极层502的一侧。具体地,P型阳极层502和N型阴极层503形成PN结后,再将电阻504集成设置在N型阴极层503背离所述P型阳极层502的一侧,电阻504可以在自举芯片5中起到限制电流、改变工作状态、影响电压特性和提高稳定性等作用,以保证自举芯片5在智能功率模块100中的工作可靠性。
结合图1和图2所示,高侧驱动悬浮供电电压引脚3表面呈连续平整状,其中,高侧驱动悬浮供电电压引脚3第一方向背离自举芯片5的一端未开设通孔,高侧驱动悬浮供电电压引脚3表面未开设将高侧驱动悬浮供电电压引脚3分隔呈芯片焊接区域和导线连接区域的分隔槽。
现有技术中,升压二极管以N极为衬底,焊接在智能功率模块封装边缘的焊盘位置,在受到应力或热应力的影响时容易发生分层,为了保证芯片在智能功率模块上的结构可靠性,需要在高侧驱动悬浮供电电压引脚第一方向背离自举芯片的一端开设通孔。另外,高侧驱动悬浮供电电压引脚上需要焊接导线,该导线用于连接高侧驱动悬浮供电电压和驱动芯片,但N型衬底与焊盘之间的焊料溢出容易影响引线的焊接效果,需要在高侧驱动悬浮供电电压引脚帮忙开设分隔槽阻断芯片焊接区域焊料流向导线连接区域。通孔和分隔槽的设置会增加智能功率模块的生产成本。
具体地,在本发明的实施例中,采用以P型半导体材料为衬底的自举芯片5,可以将自举芯片5设置在高侧驱动芯片供电电压引脚4上,这样在智能功率模块100的制成工艺中,不需要在高侧驱动悬浮供电电压引脚3上开设通孔,也不需要在高侧驱动悬浮供电电压引脚3上开设分隔槽,高侧驱动悬浮供电电压引脚3表面呈连续平整状,从而可以降低智能功率模块100的生产成本,可以提高智能功率模块100的结构可靠性。
结合图1和图2所示,高侧驱动芯片供电电压引脚4至少部分地在第一方向靠近高侧驱动悬浮供电电压引脚3的一侧凸出设置,以形成自举焊盘401,这样不仅可以增大自举焊盘401的面积,可以为自举芯片5提供充足的设置空间,而且还可以防止自举芯片5在高侧驱动芯片供电电压引脚4的设置占用高压侧驱动焊盘201的面积,可以防止改变高压侧驱动焊盘201的形状,从而可以保证高压侧驱动焊盘201的结构可靠性。高侧驱动悬浮供电电压引脚3构造出避让空间6,避让空间6避让自举焊盘401,这样可以在保证高侧驱动悬浮供电电压引脚3的设置可靠的前提下,使高侧驱动悬浮供电电压引脚3为自举焊盘401避让出空间,以便于设置自举芯片5,避让空间6的设置不仅可以为自举焊盘401提供设置空间,而且还可以使高侧驱动悬浮供电电压引脚3、自举焊盘401和高压侧驱动焊盘201的结构更加紧凑,进而有利于保证智能功率模块100的结构紧凑性。
结合图1所示,高侧驱动悬浮供电电压引脚3为三个,三个高侧驱动悬浮供电电压引脚3在第二方向上间隔设置,三个高侧驱动悬浮供电电压引脚3中的至少部分设置有避让空间6,三个自举焊盘401与三个高侧驱动悬浮供电电压引脚3中的至少部分上开设的避让空间6一一对应。具体地,在智能功率模块100中设置有三个高侧驱动悬浮供电电压引脚3,并且三个高侧驱动悬浮供电电压引脚3沿第二方向间隔设置,如此设置,不仅可以使高侧驱动悬浮供电电压引脚3符合智能功率模块100的设置要求,而且还可以保证三个高侧驱动悬浮供电电压引脚3在智能功率模块100的结构独立性,可以保证每个高侧驱动悬浮供电电压引脚3与外部电路连接的可靠性。
进一步地,三个高侧驱动悬浮供电电压引脚3中部分设置有避让空间6,可以使三个高侧驱动悬浮供电电压引脚3仅在需要避让自举焊盘401的位置设置避让空间6,三个自举焊盘401与三个高侧驱动悬浮供电电压引脚3中至少部分开设的避让空间6一一对应,这样不仅可以使高侧驱动悬浮供电电压引脚3避让自举焊盘401,而且还有利于缩小避让空间6在智能功率模块100中占用的空间,可以进一步地提升智能功率模块100的结构紧凑性。
结合图1和图2所示,N型阴极层503与高侧驱动悬浮供电电压引脚3之间连接有第一电连接线7,高侧驱动悬浮供电电压引脚3与高压驱动芯片2011之间连接有第二电连接线8。具体地,在以P型半导体材料为衬底设置自举芯片5的智能功率模块100中,自举芯片5的N型阴极层503通过第一电连接线7与高侧驱动悬浮供电电压引脚3电连接,可以保证自举芯片5的N型阴极层503与高侧驱动悬浮供电电压连接,以保证智能功率模块100的升压功能正常。高侧驱动悬浮供电电压引脚3与高压驱动芯片2011之间通过第二电连接线8连接,在本发明的实施例中,高侧驱动悬浮供电电压引脚3上不设置芯片焊接区和分隔槽,可以保证第二电连接线8与高压驱动芯片2011连接可靠,以使高侧驱动悬浮供电电压连通高压驱动芯片2011。
结合图2所示,高侧驱动悬浮供电电压引脚3包括第一引脚部301和第二引脚部302,第一引脚部301用于与高侧驱动悬浮供电电压,并且与自举焊盘401在第一方向间隔设置,第二引脚部302设置于第一引脚部301朝向高侧驱动芯片供电电压引脚4的一侧,并且位于第一引脚部301第二方向的一端,第二引脚部302与自举焊盘401在第二方向间隔设置,第二引脚部302与高压驱动芯片2011之间连接有第二电连接线8。
具体地,高侧驱动悬浮供电电压引脚3中的第一引脚部301用于与外部电路中的高侧驱动悬浮供电电压端连接,第一引脚部301与自举焊盘401在第一方向间隔设置,可以防止高侧驱动悬浮供电电压引脚3与自举焊盘401接触造成电路连接错误,从而可以保证智能功率模块100中电路的连接可靠性。
进一步地,第二引脚部302设置于第一引脚部301第二方向的一端,朝向高侧驱动芯片供电电压引脚4的一侧设置,可以使第二引脚部302相对于第一引脚部301沿第二方向延伸设置。第二引脚部302位于第一引脚部301第二方向的一端,可以使高侧驱动悬浮供电电压引脚3为自举焊盘401提供避让空间6。第二引脚部302与自举焊盘401在第二方向间隔设置,可以防止高侧驱动悬浮供电电压引脚3与自举焊盘401接触造成电路连接错误,从而可以保证智能功率模块100中电路的连接可靠性。第二引脚部302朝向高压侧驱动焊盘201的方向延伸,以缩短第二引脚部302和高压驱动芯片2011之间的距离,第二引脚部302与高压驱动芯片2011通过第二电连接线8连接,可以在保证第二引脚部302与高压驱动芯片2011连接可靠的同时缩短第二电连接线8的长度,从而有利于降低智能功率模块100的生产成本,提升智能功率模块100的鲁棒性和可靠性。
进一步地,高侧驱动悬浮供电电压引脚3为三个,三个高侧驱动悬浮供电电压引脚3分别对应高侧驱动悬浮供电电压的U相、V相和W相。
在本发明的实施例中,智能功率模块100还设置有三个高侧驱动悬浮供电地引脚9,三个高侧驱动悬浮供电地引脚9与三个高侧驱动悬浮供电电压引脚3在第二方向上依次交替间隔设置,可以组成智能功率模块100的基本机构,以保证智能功率模块100功能正常。高侧驱动悬浮供电地引脚9在智能功率模块100上的形状对应高侧驱动悬浮供电电压引脚3的形状进行适应性的改变,以提升智能功率模块100的结构紧凑性。进一步地,三个高侧驱动悬浮供电地引脚9分别对应高侧驱动悬浮供电地的U相、V相和W相。
结合图1所示,智能功率模块100还可以包括功率焊盘11,功率焊盘11设置于第二方向上驱动焊盘2远离自举焊盘401的一侧,功率焊盘11主要为智能功率模块100上的功率芯片提供焊接位置,以保证功率芯片在智能功率模块100上的设置可靠性,功率焊盘11可以包括高压侧功率焊盘1110和低压侧功率焊盘1130,高压侧功率焊盘1110和低压侧功率焊盘1130在第一方向上间隔设置,高压侧功率焊盘1110上设置有高压功率芯片1120,低压侧功率焊盘1130上设置有低压功率芯片1140。
其中,高压侧功率焊盘1110为一个,高压功率芯片1120为三个,三个高压功率芯片1120均设置于高压侧功率焊盘1110上,三个高压功率芯片1120均与高压驱动芯片2011电连接。以及,低压侧功率焊盘1130为三个,三个低压侧功率焊盘1130在第一方向上间隔设置,低压功率芯片1140为三个,三个低压功率芯片1140与三个低压侧功率焊盘1130一一对应,三个低压功率芯片1140均与低压驱动芯片2021电连接。
进一步地,智能功率模块100还设置有功率侧引脚10,功率侧引脚10间隔设置于功率焊盘11第二方向远离驱动焊盘2的一侧,并且功率侧引脚10为多个,多个功率侧引脚10在第一方向上间隔设置,多个功率侧引脚10分别与低压功率芯片1140和高压功率芯片1120电连接。
如此,可以组成智能功率模块100的基本结构,可以保证智能功率模块100的正常工作。
根据本发明的实施例,智能功率模块100可以应用于电子设备中,配置有本发明实施例的电子设备,不仅可以提升产品鲁棒性和可靠性,并且可以降低产品的生产成本。本发明的实施例中,智能功率模块100包括但不限于铜框架501产品和铜框架501产品与散热片结合产品,铜框架501包括但不限于直接敷铜陶瓷基板,散热片包括但不限于散热铜片,可以保证智能功率模块100中的高压驱动芯片2011在工作时的散热性能。智能功率模块100的框架501上局部镀银,以降低芯片与框架501的接触电阻,保证芯片接触良好。智能功率模块100内包含绝缘栅双极晶体管、金属-氧化物半导体场效应晶体管、快恢复二极管和升压二极管等功率芯片,驱动芯片包括但不限于全桥驱动芯片、半桥驱动芯片、高压驱动芯片2011和低压驱动芯片2021。在本发明中智能功率模块100内部使用的焊接材料包括但不限于锡膏和银浆,这样有利于降低智能功率模块100内部各结构之间的接触电阻,有利于提升智能功率模块100的电连接可靠性。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“周向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,本领域的普通技术人员可以理解:在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种智能功率模块,其特征在于,包括:
驱动焊盘(2),所述驱动焊盘(2)包括高压侧驱动焊盘(201),所述高压侧驱动焊盘(201)上设置有高压驱动芯片(2011);
高侧驱动悬浮供电电压引脚(3),所述高侧驱动悬浮供电电压引脚(3)与所述高压侧驱动焊盘(201)在第一方向上间隔设置,所述高侧驱动悬浮供电电压引脚(3)用于连接高侧驱动悬浮供电电压;
高侧驱动芯片供电电压引脚(4),所述高侧驱动芯片供电电压引脚(4)在所述第一方向上间隔设置于所述高压侧驱动焊盘(201)和所述高侧驱动悬浮供电电压引脚(3)之间,所述高侧驱动芯片供电电压引脚(4)沿所述高压侧驱动焊盘(201)至少部分的外周延伸设置且用于连接高侧驱动芯片供电电压,所述高侧驱动芯片供电电压引脚(4)上设置有三个在所述第二方向间隔设置的自举焊盘(401),其中,所述第一方向和所述第二方向相互垂直;
自举芯片(5),所述自举芯片(5)设置于所述自举焊盘(401),所述自举芯片(5)为三个,三个所述自举芯片(5)和三个所述自举焊盘(401)一一对应。
2.根据权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,所述自举芯片(5)包括P型阳极层(502)和N型阴极层(503),所述P型阳极层(502)与所述自举焊盘(401)焊接,所述N型阴极层(503)设置于所述P型阳极层(502)背离所述自举焊盘(401)的一侧。
3.根据权利要求2所述的智能功率模块,其特征在于,所述自举芯片(401)为P型衬底升压二极管。
4.根据权利要求2所述的智能功率模块,其特征在于,还包括电阻(504),所述电阻(504)集成设置在所述N型阴极层(503)背离所述P型阳极层(502)的一侧。
5.根据权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,所述高侧驱动悬浮供电电压引脚(3)表面呈连续平整状,其中,所述高侧驱动悬浮供电电压引脚(3)第一方向背离所述自举芯片(5)的一端未开设通孔,所述高侧驱动悬浮供电电压引脚(3)表面未开设将所述高侧驱动悬浮供电电压引脚(3)分隔成芯片焊接区域和导线连接区域的分隔槽。
6.根据权利要求2所述的智能功率模块,其特征在于,所述高侧驱动芯片供电电压引脚(4)至少部分地在第一方向靠近所述高侧驱动悬浮供电电压引脚(3)的一侧凸出设置,以形成所述自举焊盘,所述高侧驱动悬浮供电电压引脚(3)构造出避让空间(6),所述避让空间(6)避让所述自举焊盘(401)。
7.根据权利要求6所述的智能功率模块,其特征在于,所述高侧驱动悬浮供电电压引脚(3)为三个,三个所述高侧驱动悬浮供电电压引脚(3)在第二方向上间隔设置,三个所述高侧驱动悬浮供电电压引脚(3)中的至少部分设置有所述避让空间(6),三个所述自举焊盘(401)与三个所述高侧驱动悬浮供电电压引脚(3)中的至少部分上开设的所述避让空间(6)一一对应。
8.根据权利要求7所述的智能功率模块,其特征在于,所述N型阴极层(503)与所述高侧驱动悬浮供电电压引脚(3)之间连接有第一电连接线(7),所述高侧驱动悬浮供电电压引脚(3)与所述高压驱动芯片(2011)之间连接有第二电连接线(8)。
9.根据权利要求8所述的智能功率模块,其特征在于,所述高侧驱动悬浮供电电压引脚(3)包括第一引脚部(301)和第二引脚部(302),所述第一引脚部(301)用于连接高侧驱动悬浮供电电压且与所述自举焊盘(401)在所述第一方向间隔设置,所述第二引脚部(302)设置于所述第一引脚部(301)朝向所述高侧驱动芯片供电电压引脚(4)的一侧且位于所述第一引脚部(301)第二方向的一端,所述第二引脚部(302)与所述自举焊盘(401)在所述第二方向间隔设置,所述第二引脚部(302)与所述高压驱动芯片(2011)之间连接有第二电连接线(8)。
10.一种电子设备,其特征在于,包括:权利要求1-9中任一项所述的智能功率模块(100)。
CN202311635074.8A 2023-11-30 2023-11-30 智能功率模块和电子设备 Active CN117673061B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311635074.8A CN117673061B (zh) 2023-11-30 2023-11-30 智能功率模块和电子设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311635074.8A CN117673061B (zh) 2023-11-30 2023-11-30 智能功率模块和电子设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN117673061A true CN117673061A (zh) 2024-03-08
CN117673061B CN117673061B (zh) 2024-05-17

Family

ID=90076370

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311635074.8A Active CN117673061B (zh) 2023-11-30 2023-11-30 智能功率模块和电子设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN117673061B (zh)

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0154765A2 (en) * 1984-03-12 1985-09-18 International Business Machines Corporation Apparatus for directly powering a multi-chip module from a power distribution bus
CN204707024U (zh) * 2015-05-19 2015-10-14 吉林华微斯帕克电气有限公司 一种小功率智能模块
CN106409819A (zh) * 2015-07-31 2017-02-15 瑞萨电子株式会社 半导体装置
CN108962884A (zh) * 2017-05-22 2018-12-07 万国半导体(开曼)股份有限公司 模制智能电源模块
CN110176451A (zh) * 2019-05-13 2019-08-27 珠海格力电器股份有限公司 功率模块及其封装方法
CN110880496A (zh) * 2018-09-05 2020-03-13 万国半导体(开曼)股份有限公司 电机用模制智能电源模块
US20220406691A1 (en) * 2021-06-21 2022-12-22 Richtek Technology Corporation Intelligent power module
CN219017643U (zh) * 2022-11-17 2023-05-12 海信家电集团股份有限公司 功率模块及具有其的电子设备
CN219180513U (zh) * 2022-12-07 2023-06-13 志豪微电子(惠州)有限公司 一种智能功率模块
CN219497799U (zh) * 2022-12-26 2023-08-08 杭州士兰微电子股份有限公司 智能功率模块

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0154765A2 (en) * 1984-03-12 1985-09-18 International Business Machines Corporation Apparatus for directly powering a multi-chip module from a power distribution bus
CN204707024U (zh) * 2015-05-19 2015-10-14 吉林华微斯帕克电气有限公司 一种小功率智能模块
CN106409819A (zh) * 2015-07-31 2017-02-15 瑞萨电子株式会社 半导体装置
CN108962884A (zh) * 2017-05-22 2018-12-07 万国半导体(开曼)股份有限公司 模制智能电源模块
CN110880496A (zh) * 2018-09-05 2020-03-13 万国半导体(开曼)股份有限公司 电机用模制智能电源模块
CN110176451A (zh) * 2019-05-13 2019-08-27 珠海格力电器股份有限公司 功率模块及其封装方法
US20220406691A1 (en) * 2021-06-21 2022-12-22 Richtek Technology Corporation Intelligent power module
CN219017643U (zh) * 2022-11-17 2023-05-12 海信家电集团股份有限公司 功率模块及具有其的电子设备
CN219180513U (zh) * 2022-12-07 2023-06-13 志豪微电子(惠州)有限公司 一种智能功率模块
CN219497799U (zh) * 2022-12-26 2023-08-08 杭州士兰微电子股份有限公司 智能功率模块

Also Published As

Publication number Publication date
CN117673061B (zh) 2024-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7443014B2 (en) Electronic module and method of assembling the same
US6642576B1 (en) Power semiconductor device having layered structure of power semiconductor elements and terminal members
US7589412B2 (en) Semiconductor device
CN112701095B (zh) 一种功率芯片堆叠封装结构
CN116190369B (zh) 智能功率模块和具有其的电子设备
CN116666341B (zh) 智能功率模块和具有其的电子设备
CN116130477A (zh) 智能功率模块和具有其的电子设备
CN112701094A (zh) 一种功率器件封装结构及电力电子设备
CN117976642B (zh) 功率模块和电子设备
CN216145614U (zh) 智能功率模块
CN220065691U (zh) 引线框架及功率模块的封装结构
CN220172121U (zh) 一种基于sot-227封装模块的封装结构
CN112968027A (zh) 智能功率模块
CN116646326B (zh) 智能功率模块和具有其的电子设备
CN117673061B (zh) 智能功率模块和电子设备
CN216413085U (zh) 半导体电路
CN111681997B (zh) 功率封装模块及电子装置
CN117673064B (zh) 智能功率模块和电子设备
CN117673065B (zh) 智能功率模块和电子设备
CN210723007U (zh) 一种用于集成功率模块的引线框架
CN117673067B (zh) 智能功率模块和电子设备
CN117673066A (zh) 智能功率模块和电子设备
CN117673063A (zh) 智能功率模块和电子设备
CN115050703B (zh) 功率器件封装结构及功率变换器
CN117976646B (zh) 功率模块和电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant