CN108930166A - 在纺丝纤维层上形成储氢材料的方法 - Google Patents

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Abstract

一种形成储氢材料的方法，包括：提供PAN粉料；将PAN粉料溶于DMF中，得到PAN纺丝液，并搅拌均匀；用PAN纺丝液进行静电纺丝，得到PAN纺丝纤维层；对PAN纺丝纤维层依次进行热处理I以及热处理II，得到纺丝纤维层基材；准备LiAlH4、La2O3以及CeO2；将LiAlH4、La2O3以及CeO2混合，得到混合物I，并对混合物I进行第一球磨；将经过第一球磨的混合物I进行第一热处理，得到混合物II；对混合物II进行第二球磨；对经过第二球磨的混合物II进行冷等静压，得到储氢材料靶材；将PVDF粉末溶于DMF中并搅拌均匀，得到PVDF溶液；将PVDF溶液涂覆在纺丝纤维层基材上，并烘干，得到磁控溅射基材；用储氢材料靶材在磁控溅射基材上溅射生成储氢材料层。

Description

在纺丝纤维层上形成储氢材料的方法
技术领域
本发明是关于储氢材料领域，特别是关于一种在纺丝纤维层上形成储氢材料的方法。
背景技术
在氢能经济中，储氢合金作为氢气载体，其研究开发及其产业化是世界性关注的课题。这种金属材料能在适当的温度、压力下大量可逆地吸收、释放氢气，其存储氢的密度大于液态氢。储氢原理可概括为合金与氢可逆地形成金属氢化物，即气态氢分子被分解成氢原子而进入了金属的晶格空隙中，形成金属氢化物。在适当条件下，氢又能从金属品格空隙中释放出来，达到存储和释放氢气的目的。另外，利用储氢合会作为电池的负极，可以制成镍氢二次电池。金属氢化物.镍电池由于具有能量密度高、循环寿命长、可高倍率充放电、耐过充放能力强、无记忆效应、无重金属污染等一系列的特点被喻为“二十一世纪的绿色电池”，近年来倍受国内外研究者的亲眯。
公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
发明内容
本发明的目的在于提供一种在纺丝纤维层上形成储氢材料的方法，其能够克服现有技术的缺点。
为实现上述目的，本发明提供了一种在纺丝纤维层上形成储氢材料的方法，其特征在于：方法包括如下步骤：
提供PAN粉料；
将PAN粉料溶于DMF中，得到PAN纺丝液，并搅拌均匀，其中，PAN浓度为10-15wt％；
用PAN纺丝液进行静电纺丝，得到PAN纺丝纤维层；
对PAN纺丝纤维层依次进行热处理I以及热处理II，得到纺丝纤维层基材；
准备LiAlH4、La2O3以及CeO2；
将LiAlH4、La2O3以及CeO2混合，得到混合物I，并对混合物I进行第一球磨；
将经过第一球磨的混合物I进行第一热处理，得到混合物II；
对混合物II进行第二球磨；
对经过第二球磨的混合物II进行冷等静压，得到储氢材料靶材；
将PVDF粉末溶于DMF中并搅拌均匀，得到PVDF溶液，其中，在PVDF溶液中，PVDF粉末的浓度为20-30％；
将PVDF溶液涂覆在纺丝纤维层基材上，并烘干，得到磁控溅射基材；
用储氢材料靶材在磁控溅射基材上溅射生成储氢材料层。
在一优选的实施方式中，其中，用PAN纺丝液进行静电纺丝具体为：纺丝电压为15-20kV，纺丝液注射速度为8-15mL/h，纺丝喷头与基板距离为15-20cm。
在一优选的实施方式中，其中，对PAN纺丝纤维层进行热处理I具体为：热处理气氛为空气气氛，热处理温度为300-400℃，热处理时间为2-3h；对经过热处理I的PAN纺丝纤维层进行热处理II具体为：热处理气氛为氩气气氛，热处理温度为900-1000℃，热处理时间为4-8h。
在一优选的实施方式中，在混合物I中，LiAlH4、La2O3以及CeO2的摩尔比为：1：(0.06-0.09)：(0.06-0.08)。
在一优选的实施方式中，对混合物I进行第一球磨具体为：球磨速度为800-1000r/min，球磨时间为5-10h，球磨气氛为氩气气氛，球料比为5:1-10:1。
在一优选的实施方式中，将经过第一球磨的混合物I进行第一热处理具体为：热处理气氛为氩气，热处理温度为80-120℃，热处理时间为8-15h。
在一优选的实施方式中，对混合物II进行第二球磨具体为：球磨速度为400-500r/min，球磨时间为5-10h，球磨气氛为氩气气氛，球料比为10:1-15:1。
在一优选的实施方式中，用储氢材料靶材在磁控溅射基材上溅射生成储氢材料层具体为：溅射气氛为氩气，溅射气压为10-15Pa，溅射电流为300-400mA，溅射电压为400-600V，溅射温度为300-500℃，储氢材料层的厚度为10-20μm。
与现有技术相比，本发明具有如下优点：由于LiAlH4材料活化速度快、吸、放氢速度快，并且相比于Mg基材料，吸氢、放氢条件较为宽松，所以现有技术已经提出了大量的LiAlH4系材料，目前较为典型的LiAlH4系材料的制备方法有化学合成法以及粉末冶金法，当时无论是化学合成法还是粉末冶金法，都无法精确控制储氢材料的微观结构，只能在统计意义上控制合金的微观结构，造成储氢材料的实际储氢能力比理论储氢数值低，并且通过改变组分的方法已经难以大幅度提高储氢材料的储氢能力。为了克服传统制备方法的局限性，本申请提出了一种磁控溅射方法制备的储氢材料，磁控溅射方法制备的储氢材料微观结构更规整，经过本申请的制备方法制备的储氢材料，储氢能力更加接近理论极限值，吸、放氢速度更快，性能更好。
附图说明
图1是根据本发明一实施方式的在纺丝纤维层上形成储氢材料的方法的方法流程图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本发明的保护范围并不受具体实施方式的限制。
除非另有其它明确表示，否则在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分，而并未排除其它元件或其它组成部分。
图1是根据本发明一实施方式的在纺丝纤维层上形成储氢材料的方法的方法流程图。如图所示，本发明的方法包括：
步骤101：提供PAN粉料；
步骤102：将PAN粉料溶于DMF中，得到PAN纺丝液，并搅拌均匀，其中，PAN浓度为10-15wt％；
步骤103：用PAN纺丝液进行静电纺丝，得到PAN纺丝纤维层；
步骤104：对PAN纺丝纤维层依次进行热处理I以及热处理II，得到纺丝纤维层基材；
步骤105：准备LiAlH4、La2O3以及CeO2；
步骤106：将LiAlH4、La2O3以及CeO2混合，得到混合物I，并对混合物I进行第一球磨；
步骤107：将经过第一球磨的混合物I进行第一热处理，得到混合物II；
步骤108：对混合物II进行第二球磨；
步骤109：对经过第二球磨的混合物II进行冷等静压，得到储氢材料靶材；
步骤110：将PVDF粉末溶于DMF中并搅拌均匀，得到PVDF溶液，其中，在PVDF溶液中，PVDF粉末的浓度为20-30％；
步骤111：将PVDF溶液涂覆在纺丝纤维层基材上，并烘干，得到磁控溅射基材；
步骤112：用储氢材料靶材在磁控溅射基材上溅射生成储氢材料层。
实施例1
提供PAN粉料；将PAN粉料溶于DMF中，得到PAN纺丝液，并搅拌均匀，其中，PAN浓度为10wt％；用PAN纺丝液进行静电纺丝，得到PAN纺丝纤维层；对PAN纺丝纤维层依次进行热处理I以及热处理II，得到纺丝纤维层基材；准备LiAlH4、La2O3以及CeO2；将LiAlH4、La2O3以及CeO2混合，得到混合物I，并对混合物I进行第一球磨；将经过第一球磨的混合物I进行第一热处理，得到混合物II；对混合物II进行第二球磨；对经过第二球磨的混合物II进行冷等静压，得到储氢材料靶材；将PVDF粉末溶于DMF中并搅拌均匀，得到PVDF溶液，其中，在PVDF溶液中，PVDF粉末的浓度为20％；将PVDF溶液涂覆在纺丝纤维层基材上，并烘干，得到磁控溅射基材；用储氢材料靶材在磁控溅射基材上溅射生成储氢材料层。其中，用PAN纺丝液进行静电纺丝具体为：纺丝电压为15kV，纺丝液注射速度为8mL/h，纺丝喷头与基板距离为15cm。其中，对PAN纺丝纤维层进行热处理I具体为：热处理气氛为空气气氛，热处理温度为300℃，热处理时间为2h；对经过热处理I的PAN纺丝纤维层进行热处理II具体为：热处理气氛为氩气气氛，热处理温度为900℃，热处理时间为4h。在混合物I中，LiAlH4、La2O3以及CeO2的摩尔比为：1：0.06：0.06。对混合物I进行第一球磨具体为：球磨速度为800r/min，球磨时间为5h，球磨气氛为氩气气氛，球料比为5:1。将经过第一球磨的混合物I进行第一热处理具体为：热处理气氛为氩气，热处理温度为80℃，热处理时间为8h。对混合物II进行第二球磨具体为：球磨速度为400r/min，球磨时间为5h，球磨气氛为氩气气氛，球料比为10:1。用储氢材料靶材在磁控溅射基材上溅射生成储氢材料层具体为：溅射气氛为氩气，溅射气压为10Pa，溅射电流为300mA，溅射电压为400V，溅射温度为300℃，储氢材料层的厚度为10μm。
实施例2
提供PAN粉料；将PAN粉料溶于DMF中，得到PAN纺丝液，并搅拌均匀，其中，PAN浓度为15wt％；用PAN纺丝液进行静电纺丝，得到PAN纺丝纤维层；对PAN纺丝纤维层依次进行热处理I以及热处理II，得到纺丝纤维层基材；准备LiAlH4、La2O3以及CeO2；将LiAlH4、La2O3以及CeO2混合，得到混合物I，并对混合物I进行第一球磨；将经过第一球磨的混合物I进行第一热处理，得到混合物II；对混合物II进行第二球磨；对经过第二球磨的混合物II进行冷等静压，得到储氢材料靶材；将PVDF粉末溶于DMF中并搅拌均匀，得到PVDF溶液，其中，在PVDF溶液中，PVDF粉末的浓度为20-30％；将PVDF溶液涂覆在纺丝纤维层基材上，并烘干，得到磁控溅射基材；用储氢材料靶材在磁控溅射基材上溅射生成储氢材料层。其中，用PAN纺丝液进行静电纺丝具体为：纺丝电压为20kV，纺丝液注射速度为15mL/h，纺丝喷头与基板距离为20cm。其中，对PAN纺丝纤维层进行热处理I具体为：热处理气氛为空气气氛，热处理温度为400℃，热处理时间为3h；对经过热处理I的PAN纺丝纤维层进行热处理II具体为：热处理气氛为氩气气氛，热处理温度为1000℃，热处理时间为8h。在混合物I中，LiAlH4、La2O3以及CeO2的摩尔比为：1：0.09：0.08。对混合物I进行第一球磨具体为：球磨速度为1000r/min，球磨时间为10h，球磨气氛为氩气气氛，球料比为10:1。将经过第一球磨的混合物I进行第一热处理具体为：热处理气氛为氩气，热处理温度为120℃，热处理时间为15h。对混合物II进行第二球磨具体为：球磨速度为500r/min，球磨时间为10h，球磨气氛为氩气气氛，球料比为15:1。用储氢材料靶材在磁控溅射基材上溅射生成储氢材料层具体为：溅射气氛为氩气，溅射气压为15Pa，溅射电流为400mA，溅射电压为600V，溅射温度为500℃，储氢材料层的厚度为20μm。
实施例3
提供PAN粉料；将PAN粉料溶于DMF中，得到PAN纺丝液，并搅拌均匀，其中，PAN浓度为12wt％；用PAN纺丝液进行静电纺丝，得到PAN纺丝纤维层；对PAN纺丝纤维层依次进行热处理I以及热处理II，得到纺丝纤维层基材；准备LiAlH4、La2O3以及CeO2；将LiAlH4、La2O3以及CeO2混合，得到混合物I，并对混合物I进行第一球磨；将经过第一球磨的混合物I进行第一热处理，得到混合物II；对混合物II进行第二球磨；对经过第二球磨的混合物II进行冷等静压，得到储氢材料靶材；将PVDF粉末溶于DMF中并搅拌均匀，得到PVDF溶液，其中，在PVDF溶液中，PVDF粉末的浓度为22％；将PVDF溶液涂覆在纺丝纤维层基材上，并烘干，得到磁控溅射基材；用储氢材料靶材在磁控溅射基材上溅射生成储氢材料层。其中，用PAN纺丝液进行静电纺丝具体为：纺丝电压为16kV，纺丝液注射速度为9mL/h，纺丝喷头与基板距离为16cm。其中，对PAN纺丝纤维层进行热处理I具体为：热处理气氛为空气气氛，热处理温度为320℃，热处理时间为2.5h；对经过热处理I的PAN纺丝纤维层进行热处理II具体为：热处理气氛为氩气气氛，热处理温度为930℃，热处理时间为5h。在混合物I中，LiAlH4、La2O3以及CeO2的摩尔比为：1：0.07：0.07。对混合物I进行第一球磨具体为：球磨速度为850r/min，球磨时间为6h，球磨气氛为氩气气氛，球料比为6:1。将经过第一球磨的混合物I进行第一热处理具体为：热处理气氛为氩气，热处理温度为90℃，热处理时间为9h。对混合物II进行第二球磨具体为：球磨速度为420r/min，球磨时间为6h，球磨气氛为氩气气氛，球料比为12:1。用储氢材料靶材在磁控溅射基材上溅射生成储氢材料层具体为：溅射气氛为氩气，溅射气压为12Pa，溅射电流为320mA，溅射电压为420V，溅射温度为450℃，储氢材料层的厚度为13μm。
实施例4
提供PAN粉料；将PAN粉料溶于DMF中，得到PAN纺丝液，并搅拌均匀，其中，PAN浓度为13wt％；用PAN纺丝液进行静电纺丝，得到PAN纺丝纤维层；对PAN纺丝纤维层依次进行热处理I以及热处理II，得到纺丝纤维层基材；准备LiAlH4、La2O3以及CeO2；将LiAlH4、La2O3以及CeO2混合，得到混合物I，并对混合物I进行第一球磨；将经过第一球磨的混合物I进行第一热处理，得到混合物II；对混合物II进行第二球磨；对经过第二球磨的混合物II进行冷等静压，得到储氢材料靶材；将PVDF粉末溶于DMF中并搅拌均匀，得到PVDF溶液，其中，在PVDF溶液中，PVDF粉末的浓度为20-30％；将PVDF溶液涂覆在纺丝纤维层基材上，并烘干，得到磁控溅射基材；用储氢材料靶材在磁控溅射基材上溅射生成储氢材料层。其中，用PAN纺丝液进行静电纺丝具体为：纺丝电压为17kV，纺丝液注射速度为10mL/h，纺丝喷头与基板距离为18cm。其中，对PAN纺丝纤维层进行热处理I具体为：热处理气氛为空气气氛，热处理温度为350℃，热处理时间为2.5h；对经过热处理I的PAN纺丝纤维层进行热处理II具体为：热处理气氛为氩气气氛，热处理温度为950℃，热处理时间为6h。在混合物I中，LiAlH4、La2O3以及CeO2的摩尔比为：1：0.08：0.07。对混合物I进行第一球磨具体为：球磨速度为900r/min，球磨时间为8h，球磨气氛为氩气气氛，球料比为8:1。将经过第一球磨的混合物I进行第一热处理具体为：热处理气氛为氩气，热处理温度为100℃，热处理时间为10h。对混合物II进行第二球磨具体为：球磨速度为450r/min，球磨时间为8h，球磨气氛为氩气气氛，球料比为13:1。用储氢材料靶材在磁控溅射基材上溅射生成储氢材料层具体为：溅射气氛为氩气，溅射气压为15Pa，溅射电流为350mA，溅射电压为500V，溅射温度为400℃，储氢材料层的厚度为15μm。
实施例5
提供PAN粉料；将PAN粉料溶于DMF中，得到PAN纺丝液，并搅拌均匀，其中，PAN浓度为14wt％；用PAN纺丝液进行静电纺丝，得到PAN纺丝纤维层；对PAN纺丝纤维层依次进行热处理I以及热处理II，得到纺丝纤维层基材；准备LiAlH4、La2O3以及CeO2；将LiAlH4、La2O3以及CeO2混合，得到混合物I，并对混合物I进行第一球磨；将经过第一球磨的混合物I进行第一热处理，得到混合物II；对混合物II进行第二球磨；对经过第二球磨的混合物II进行冷等静压，得到储氢材料靶材；将PVDF粉末溶于DMF中并搅拌均匀，得到PVDF溶液，其中，在PVDF溶液中，PVDF粉末的浓度为20-30％；将PVDF溶液涂覆在纺丝纤维层基材上，并烘干，得到磁控溅射基材；用储氢材料靶材在磁控溅射基材上溅射生成储氢材料层。其中，用PAN纺丝液进行静电纺丝具体为：纺丝电压为18kV，纺丝液注射速度为13mL/h，纺丝喷头与基板距离为18cm。其中，对PAN纺丝纤维层进行热处理I具体为：热处理气氛为空气气氛，热处理温度为380℃，热处理时间为2.5h；对经过热处理I的PAN纺丝纤维层进行热处理II具体为：热处理气氛为氩气气氛，热处理温度为970℃，热处理时间为7h。在混合物I中，LiAlH4、La2O3以及CeO2的摩尔比为：1：0.08：0.08。对混合物I进行第一球磨具体为：球磨速度为950r/min，球磨时间为9h，球磨气氛为氩气气氛，球料比为9:1。将经过第一球磨的混合物I进行第一热处理具体为：热处理气氛为氩气，热处理温度为110℃，热处理时间为14h。对混合物II进行第二球磨具体为：球磨速度为480r/min，球磨时间为9h，球磨气氛为氩气气氛，球料比为14:1。用储氢材料靶材在磁控溅射基材上溅射生成储氢材料层具体为：溅射气氛为氩气，溅射气压为14Pa，溅射电流为380mA，溅射电压为550V，溅射温度为450℃，储氢材料层的厚度为18μm。
在150℃，1MPa氢气气压条件下，测试实施例1-5的600s吸氢量以及600s放氢量；测试100次吸放氢循环之后，在150℃，1MPa氢气气压条件下，600s吸氢量以及600s放氢量。测试单位均为wt％(也即吸氢之后，氢气占储氢材料的重量百分数，储氢材料本身的重量通过将膜层刮下来之后进行称重而得到)，测试结果参见表1。
表1
对比例1
不对PAN纺丝纤维层依次进行热处理I以及热处理II。
对比例2
不对经过第一球磨的混合物I进行第一热处理，直接进行第二球磨。
对比例3
用PAN纺丝液进行静电纺丝具体为：纺丝电压为25kV，纺丝液注射速度为5mL/h，纺丝喷头与基板距离为10cm。
对比例4
对PAN纺丝纤维层进行热处理I具体为：热处理气氛为空气气氛，热处理温度为500℃，热处理时间为5h。
对比例5
对经过热处理I的PAN纺丝纤维层进行热处理II具体为：热处理气氛为氩气气氛，热处理温度为1100℃，热处理时间为10h。
对比例6
在混合物I中，LiAlH4、La2O3以及CeO2的摩尔比为：1：0.04：0.04。
对比例7
对混合物I进行第一球磨具体为：球磨速度为700r/min，球磨时间为15h，球磨气氛为氩气气氛，球料比为15:1。
对比例8
将经过第一球磨的混合物I进行第一热处理具体为：热处理气氛为氩气，热处理温度为70℃，热处理时间为20h。
对比例9
对混合物II进行第二球磨具体为：球磨速度为600r/min，球磨时间为15h，球磨气氛为氩气气氛，球料比为20:1。
对比例10
用储氢材料靶材在磁控溅射基材上溅射生成储氢材料层具体为：溅射气氛为氩气，溅射气压为10Pa，溅射电流为200mA，溅射电压为300V，溅射温度为200℃。
对比例11
用储氢材料靶材在磁控溅射基材上溅射生成储氢材料层具体为：溅射气氛为氩气，溅射气压为10Pa，溅射电流为500mA，溅射电压为800V，溅射温度为600℃。
在150℃，1MPa氢气气压条件下，测试对比例1-11的600s吸氢量以及600s放氢量；测试100次吸放氢循环之后，在150℃，1MPa氢气气压条件下，600s吸氢量以及600s放氢量。测试单位均为wt％(也即吸氢之后，氢气占储氢材料膜层本身的重量百分数，储氢材料本身的重量通过将膜层刮下来之后进行称重而得到)，测试结果参见表2。(注：以上对比例中未给出的步骤和参数与实施例1相同)。
表2
前述对本发明的具体示例性实施方案的描述是为了说明和例证的目的。这些描述并非想将本发明限定为所公开的精确形式，并且很显然，根据上述教导，可以进行很多改变和变化。对示例性实施例进行选择和描述的目的在于解释本发明的特定原理及其实际应用，从而使得本领域的技术人员能够实现并利用本发明的各种不同的示例性实施方案以及各种不同的选择和改变。本发明的范围意在由权利要求书及其等同形式所限定。

Claims (8)

1.一种在纺丝纤维层上形成储氢材料的方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：
提供PAN粉料；
将所述PAN粉料溶于DMF中，得到PAN纺丝液，并搅拌均匀，其中，PAN浓度为10-15wt％；
用所述PAN纺丝液进行静电纺丝，得到PAN纺丝纤维层；
对所述PAN纺丝纤维层依次进行热处理I以及热处理II，得到纺丝纤维层基材；
准备LiAlH4、La2O3以及CeO2；
将所述LiAlH4、La2O3以及CeO2混合，得到混合物I，并对所述混合物I进行第一球磨；
将所述经过第一球磨的混合物I进行第一热处理，得到混合物II；
对所述混合物II进行第二球磨；
对经过第二球磨的混合物II进行冷等静压，得到储氢材料靶材；
将PVDF粉末溶于DMF中并搅拌均匀，得到PVDF溶液，其中，在所述PVDF溶液中，PVDF粉末的浓度为20-30％；
将所述PVDF溶液涂覆在所述纺丝纤维层基材上，并烘干，得到磁控溅射基材；
用所述储氢材料靶材在所述磁控溅射基材上溅射生成储氢材料层。
2.如权利要求1所述的在纺丝纤维层上形成储氢材料的方法，其特征在于：其中，用所述PAN纺丝液进行静电纺丝具体为：纺丝电压为15-20kV，所述纺丝液注射速度为8-15mL/h，纺丝喷头与基板距离为15-20cm。
3.如权利要求1所述的在纺丝纤维层上形成储氢材料的方法，其特征在于：其中，对所述PAN纺丝纤维层进行热处理I具体为：热处理气氛为空气气氛，热处理温度为300-400℃，热处理时间为2-3h；对经过热处理I的PAN纺丝纤维层进行热处理II具体为：热处理气氛为氩气气氛，热处理温度为900-1000℃，热处理时间为4-8h。
4.如权利要求1所述的在纺丝纤维层上形成储氢材料的方法，其特征在于：在所述混合物I中，所述LiAlH4、La2O3以及CeO2的摩尔比为：1：(0.06-0.09)：(0.06-0.08)。
5.如权利要求1所述的在纺丝纤维层上形成储氢材料的方法，其特征在于：对所述混合物I进行第一球磨具体为：球磨速度为800-1000r/min，球磨时间为5-10h，球磨气氛为氩气气氛，球料比为5:1-10:1。
6.如权利要求1所述的在纺丝纤维层上形成储氢材料的方法，其特征在于：将所述经过第一球磨的混合物I进行第一热处理具体为：热处理气氛为氩气，热处理温度为80-120℃，热处理时间为8-15h。
7.如权利要求1所述的在纺丝纤维层上形成储氢材料的方法，其特征在于：对所述混合物II进行第二球磨具体为：球磨速度为400-500r/min，球磨时间为5-10h，球磨气氛为氩气气氛，球料比为10:1-15:1。
8.如权利要求1所述的在纺丝纤维层上形成储氢材料的方法，其特征在于：用所述储氢材料靶材在所述磁控溅射基材上溅射生成储氢材料层具体为：溅射气氛为氩气，溅射气压为10-15Pa，溅射电流为300-400mA，溅射电压为400-600V，溅射温度为300-500℃，储氢材料层的厚度为10-20μm。
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