CN108919610B - 基板处理装置及元件制造方法 - Google Patents

Abstract

一种基板处理装置，具备：旋转圆筒DR，以既定速度往与基板P宽度方向交叉的搬送方向搬送；描绘装置11，具有多个描绘模块UW1～UW5，将投射于基板P的描绘光束沿着基板P的描绘线扫描以将既定图案描绘于基板P上，以通过多个描绘模块UW1～UW5的各个而描绘于基板P上的图案彼此在宽度方向相接合的方式，将彼此在宽度方向相邻的描绘线于搬送方向配置成相隔既定间隔；调整机构24，调整描绘线相对于基板P宽度方向的倾斜；以及旋转位置检测机构，检测出基板P的搬送速度；根据以旋转位置检测机构检测出的搬送速度，通过旋转机构24调整描绘线的相对倾斜。

Description

基板处理装置及元件制造方法

本发明是申请日为2016年02月26日、申请号为201680006570.9、发明名称为“基板处理装置、元件制造系统及元件制造方法”的分案申请。

技术领域

本发明关于基板处理装置及元件制造方法。

背景技术

以往，作为基板处理装置，已知有一种对片状媒体(基板)上的既定位置进行描绘的扫描式描绘装置(参照例如文献1)。扫描式描绘装置具备描绘台、激光光源、光调变器、以及扫描光学系。描绘台在载置有媒体的状态搬送于搬送方向(副扫描方向)。激光光源往光调变器照射激光。光调变器例如使用声光调变元件(AOM：Acousto Optic Modulator)，将从激光源照射的激光予以调变。光调变器，在被切换成ON后，通过绕射使激光偏向，将激光投射于媒体上。另一方面，光调变器，在被切换成OFF后，不使激光偏向而成为不将激光投射于媒体上的状态。扫描光学系，将从光调变器射出的激光从媒体上的扫描开始端至扫描结束端为止沿着既定扫描线扫描于扫描方向。接着，扫描式描绘装置，一边通过描绘台使媒体搬送于副扫描方向、一边以光调变器调变激光，通过使以扫描光学系调变后的激光的点光扫描于扫描方向，以对媒体进行描绘。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000－227661号公报

发明内容

发明解决的技术问题

此外，作为描绘对象的基板，会伴随元件大型化而变大。若基板变大，描绘于基板的图案亦变大。此处，专利文献1的扫描式描绘装置，由于系以一条扫描线进行描绘，因此在描绘于基板的图案变大的情形时，激光的点光所形成的扫描线变长。然而，专利文献1的扫描式描绘装置，由于扫描线长度有其极限，因此描绘于基板的图案的大小受到扫描线长度限制。

因此，可考量以多条扫描线(描绘线)将图案描绘于基板的所谓多光束型的描绘方式。此种多光束型描绘方式，将多条描绘线于扫描线的方向排列配置，通过将以各扫描线形成的各个图案在与基板的搬送方向正交的宽度方向相接合，而能对基板描绘较大图案。

即使多光束型描绘方式，由于亦一边将基板搬送于搬送方向、一边以多条描绘线将图案描绘于基板，因此从各描绘线的描绘开始位置描绘至描绘结束位置的图案，于基板的搬送速度产生速度不均等的情形时，描绘开始位置与描绘结束位置会在搬送方向以微米等级的差异位于不同位置。因此，可能产生在基板宽度方向相邻的图案彼此的相接合精度恶化的现象、亦即产生接合误差。

本发明的实施态样，有鉴于上述问题点，即使连结有多条描绘线的多光束型的描绘方式，亦可良好地减低在基板宽度方向相接合的图案彼此的接合误差。

解决问题采用的技术手段

依据本发明的第1实施态样，提供一种基板处理装置，具备：基板搬送装置，一边支承既定宽度的基板、一边将其以既定速度往与前述基板宽度方向交叉的搬送方向搬送；描绘装置，具有多个描绘模块，沿着将投射于前述基板的描绘光束于较前述基板的宽度窄的范围扫描于前述宽度方向而得到的描绘线将既定图案描绘于前述基板上，以通过前述多个描绘模块的各个而描绘于前述基板上的图案彼此在前述基板宽度方向相接合的方式，将彼此在前述宽度方向相邻的前述描绘线于前述搬送方向相隔既定间隔配置；倾斜调整机构，调整前述描绘线相对于前述基板宽度方向的倾斜；以及基板速度检测装置，检测出前述基板的搬送速度；根据以前述基板速度检测装置检测出的前述基板的搬送速度，通过前述倾斜调整机构调整前述描绘线的相对倾斜。

依据本发明的第2实施态样，提供一种元件制造系统，具备本发明的第1态样的基板处理装置。

依据本发明的第3实施态样，提供一种元件制造方法，包含：使用第1态样的基板处理装置，将来自前述多个描绘模块的各个的前述描绘光束扫描于形成在前述基板上的光感应层以描绘相接合的图案的动作；以及通过处理前述基板以于前述基板上形成与前述相接合的图案对应的元件的层构造的动作。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1显示第1实施形态的曝光装置(基板处理装置)的全体构成的图。

图2显示图1的曝光装置主要部的配置的立体图。

图3显示在基板上的对准显微镜与描绘线的配置关系的图。

图4显示图1的曝光装置的旋转圆筒及描绘装置的构成的图。

图5显示图1的曝光装置主要部的配置的俯视图。

图6显示图1的曝光装置的分歧光学系的构成的立体图。

图7显示图1的曝光装置所设的多个描绘模块内的各扫描器的配置关系的图。

图8显示在基板上的对准显微镜与描绘线与编码器读头的配置关系的立体图。

图9显示图1的曝光装置的旋转圆筒的表面构造的立体图。

图10显示以第1实施形态的曝光装置描绘在基板上的图案与描绘线的配置关系一例的图。

图11显示以第1实施形态的曝光装置描绘在基板上的图案与描绘线的配置关系一例的图。

图12显示在第1实施形态的曝光装置所使用的CAD信息的影像的图。

图13显示第2实施形态的曝光装置的f－θ透镜系的一部分构成的图。

图14显示图13的f－θ透镜系的圆柱透镜构成的图。

图15显示以第2实施形态的曝光装置描绘在基板上的图案与描绘线的配置关系一例的图。

图16显示以第2实施形态的曝光装置描绘在基板上的图案与描绘线的配置关系一例的图。

图17显示以第3实施形态的曝光装置描绘在基板上的图案与描绘线的配置关系一例的图。

图18显示以第4实施形态的曝光装置在不进行描绘线的倾斜修正的情形时描绘在基板上的图案与描绘线的配置关系一例的图。

图19显示以第4实施形态的曝光装置在进行描绘线的倾斜修正后描绘在基板上的图案与描绘线的配置关系一例的图。

图20是以第4实施形态的曝光装置在将描绘线的倾斜修正依据基板的搬送速度不均而修正后的情形时描绘在基板上的图案与描绘线的配置关系一例的图。

图21显示使用了第1～第4实施形态的曝光装置的元件制造方法的流程图。

具体实施方式

针对用以实施本发明的形态(实施形态)，一边参照图面一边详细说明。本发明当然不受限于以下实施形态记载的内容。又，以下记载的构成要素中，包含发明所属技术领域中相关技术人员容易想定者、以及实质相同的物。此外，以下记载的构成要素可适当组合。又，在不脱离本发明要旨范围内，可进行构成要素的各种省略、置换或变更。

[第1实施形态]

图1显示第1实施形态的曝光装置(基板处理装置)的全体构成的图。第1实施形态的基板处理装置对基板P施以曝光处理的曝光装置EX，曝光装置EX组装在对曝光后基板P施以各种处理以制造元件的元件制造系统1中。首先，说明元件制造系统1。

＜元件制造系统＞

元件制造系统1，制造作为元件的可挠性显示器、多层可挠性配线、可挠性感测器等电子元件的生产线(可挠性电子元件制造线)。以下实施态样，作为电子元件以可挠性显示器为例进行说明。可挠性显示器，例如有机EL显示器等。此元件制造系统1，将可挠性(flexible)长条基板P卷成筒状的未图示的供应用卷筒送出该基板P，在对送出的基板P连续的施以各种处理后，将处理后的基板P作为可挠性元件卷绕于未图示的回收用卷筒的所谓的卷对卷(Ro11 to Ro11)方式。于第1实施形态的元件制造系统1，将薄膜状的片状基板P从供应用卷筒送出，从供应用卷筒送出的基板P依序经处理装置U1、曝光装置EX、处理装置U2后，卷绕于回收用卷筒之例。此处，说明元件制造系统1的处理对象的基板P。

基板P，由例如树脂薄膜、不锈钢等的金属或合金构成的箔(foil)等。树脂薄膜的材质，可使用包含例如聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酯树脂、乙烯乙烯基共聚物树脂、聚氯乙烯树脂、纤维素树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚碳酸酯树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯醇树脂等材料中的一种或二种以上者。

基板P，以选择例如热膨胀系数显著不大、可实质忽视在对基板P实施的各种处理中因受热而产生的变形量者较佳。热膨胀系数，可通过例如将无机填充物混合于树脂薄膜据以设定为较对应处理温度等的阈值小。无机填充物，可以是例如氧化钛、氧化锌、氧化铝、氧化硅等。又，基板P可以是以浮制法等制造的厚度100μm程度的极薄玻璃的单层体、或于此极薄玻璃贴合上述树脂薄膜、或箔等的积层体。

以此方式构成的基板P，被卷绕成卷筒状而成为供应用卷筒，此供应用卷筒被装着于元件制造系统1。装有供应用卷筒的元件制造系统1，对从供应用卷筒往长条方向送出的基板P反复实行用以制造元件的各种处理。因此，于处理后的基板P上，于长条方向以既定间隔连接的状态形成有多个元件(例如电视用、电脑用的显示面板)用的图案。也就是说，从供应用卷筒送出的基板P，为多面用的基板。此外，基板P亦可以是预先通过既定前处理，将其表面予以改质而活性化者、或于表面形成用以精密图案化的微细间隔壁构造(凹凸构造)者。

经处理后的基板P，被卷绕成卷筒状作为回收用卷筒加以回收。回收用卷筒，被安装于未图示的切割装置。装有回收用卷筒的切割装置，将处理后的基板P分割(切割)成各个元件，据以成为多个元件。基板P的尺寸，例如，宽度方向(短边的方向)的尺寸为10cm～2m程度、而长度方向(长条的方向)尺寸虽亦会取决于能安装于处理装置的供应用卷筒或回收用卷筒的最大直径，但有成为数百m～数千m的情形。此外，基板P的尺寸(短边/长边的各尺寸)不限定于上述尺寸。又，不一定要是从供应用卷筒供应且回收至回收用卷筒的基板的搬送形态。

接着，参照图1说明元件制造系统1。元件制造系统1具备处理装置U1、曝光装置EX、以及处理装置U2。又，图1，为X方向、Y方向及Z方向成正交的正交座标系。X方向，为于水平面内从处理装置U1经曝光装置EX朝向处理装置U2的方向。Y方向，为于水平面内与X方向正交的方向，为基板P的宽度方向。Z方向，为X方向与Y方向正交的方向(铅直方向)。

处理装置U1，对于曝光装置EX进行曝光处理的基板P进行前工艺的处理(前处理)。处理装置U1，将经前处理的基板P送向曝光装置EX。此时，被送至曝光装置EX的基板P，其表面形成有感光性机能层(光感应层)的基板(感光基板)P。

此处，感光性机能层作为溶液一样地或选择性地涂于基板P上，经干燥而成为层(膜)。典型的感光性机能层有光刻胶剂，但作为显影处理后无需的材料，在受紫外线照射的部分的亲拨液性经改质的感光性硅烷耦合剂材(SAM)、或受紫外线照射的部分露出镀敷还元基的感光性还元材等。作为感光性机能层使用感光性硅烷耦合剂材时，由于基板P上被紫外线曝光的图案部分由拨液性改质为亲液性，因此于成为亲液性的部分上选择性涂布导电性墨水(含有银或铜等导电性奈米粒子的墨水)，以形成图案层。作为感光性机能层使用感光性还元材时，由于会在基板P上被紫外线曝光的图案部分露出镀敷还元基，因此，曝光后，立即将基板P浸渍于含钯离子等的无电镀液中一定时间，以形成(析出)钯的图案层。

曝光装置EX，对从处理装置U1供应的基板P描绘例如显示器面板用的电路或配线等的图案。详情留待后叙，此曝光装置EX，通过将多个描绘光束LB的各个扫描于既定扫描方向所得的多个描绘线LL1～LL5，于基板P上曝光出既定图案。于曝光装置EX进行曝光处理后的基板P被送至处理装置U2，处理装置U2对基板P进行后工艺的处理(后处理)。藉此，于基板P的表面上形成电子元件的特定图案层。

＜曝光装置(基板处理装置)＞

接着，参照图1至图9说明曝光装置EX。图2显示图1的曝光装置主要部的配置的立体图。图3显示在基板上的对准显微镜与描绘线的配置关系的图。图4显示图1的曝光装置的旋转圆筒及描绘装置的构成的图。图5显示图1的曝光装置主要部的配置的俯视图。图6显示图1的曝光装置的分歧光学系的构成的立体图。图7显示设于图1的曝光装置的多个描绘单元内的各扫描器的配置关系的图。图8显示在基板上的对准显微镜与描绘线的编码器读头的配置关系的立体图。图9显示图1的曝光装置的旋转圆筒表面构造的立体图。

如图1所示，曝光装置EX，不使用光罩的曝光装置、所谓的无光罩方式的描绘曝光装置(直描曝光机)，通过将基板P一边搬送方向搬送、一边将描绘光束LB的点(spot)光于既定扫描方向扫描，据以对基板P表面进行描绘，以形成既定图案。

如图1所示，曝光装置EX具备描绘装置11、基板搬送机构12、对准显微镜AM1、AM2、以及控制装置16。描绘装置11，通过多个描绘模块UW1～UW5于被基板搬送机构12搬送的基板P的一部分描绘既定图案。基板搬送机构12，将从前工艺的处理装置U1搬送而来的基板P，以既定速度往后工艺的处理装置U2搬送。对准显微镜AM1、AM2，为进行待描绘于基板P上的图案与基板P的相对的位置对准(alignment)，检测预先形成在基板P的对准标记等。控制装置16，控制曝光装置EX的各部，使各部实施处理。控制装置16可以是控制元件制造系统1的上位控制装置的一部分或全部。又，控制装置16亦可是受上位控制装置控制的与上位控制装置不同的装置。控制装置16，例如包含电脑。

再者，如图2所示，曝光装置EX具备支承描绘装置11及基板搬送机构12的装置框架13、以及受装置框架13而测量亦为基板搬送机构12一部分的旋转圆筒DR的旋转位置(角度位置)的旋转位置检测机构(详细构成参照图4及图8)14。再者，于曝光装置EX内设有射出作为描绘光束LB的激光(脉冲光)的光源装置CNT。从光源装置CNT射出的紫外波长带域的描绘光束LB，一边在描绘装置11内被整理成既定光学状态且被光学式扫描机构一维地扫描、一边成为既定直径的点光投射于在基板搬送机构12的旋转圆筒DR外周面被保持而被搬送的基板P上。

图1所示的曝光装置EX收纳在调温室EVC内。调温室EVC，通过被动或主动的防振单元SU1、SU2设置在制造工厂的设置面E。防振单元SU1、SU2设在设置面E上，用以降低来自设置面E的振动。调温室EVC，通过将内部保持于既定温度，据以抑制在内部搬送的基板P因温度造成的形状变化。

其次，参照图1说明曝光装置EX的基板搬送机构12。基板搬送机构12，从基板P的搬送方向上游侧起依序具有边缘位置控制器EPC、驱动滚轮DR4、张力调整滚轮RT1、旋转圆筒DR、张力调整滚轮RT2、驱动滚轮DR6、及驱动滚轮DR7。

边缘位置控制器EPC调整从处理装置U1搬送的基板P于宽度方向(Y方向)的位置。边缘位置控制器EPC，以从处理装置U1送来的基板P的宽度方向端部(边缘)位置，能相对目标位置在±十数μm～数十μm程度的范围内，而使基板P于宽度方向移动，修正基板P于宽度方向的位置。此外，边缘位置控制器EPC对基板P的宽度方向(Y方向)的定位精度，较佳为在曝光位置(描绘位置)的可调整范围、亦即描绘装置11能调整点光的扫描位置的范围。

驱动滚轮DR4，一边夹持从边缘位置控制器EPC搬送而来的基板P的正反两面一边旋转，将基板P送向搬送方向的下游侧，以将基板P往旋转圆筒DR搬送。旋转圆筒DR，一边将基板P上的图案待曝光的部分支承成圆筒面状、一边以延伸于Y方向的旋转中心线AX2为中心绕旋转中心线X2旋转，藉此搬送基板P。为使此种旋转圆筒DR绕旋转中心线AX2旋转，于旋转圆筒DR的两侧设有与旋转中心线AX2同轴的轴(shaft)部Sf2，此轴部Sf2，被赋予来自未图示的驱动源(马达或减速齿轮机构等)的旋转力矩。又，通过旋转中心线AX2且延伸于Z方向的面为中心面p3。2组张力调整滚轮RT1、RT2，对被卷绕支承于旋转圆筒DR的基板P赋予既定张力。2组驱动滚轮DR6、DR7于基板P的搬送方向相隔既定间隔配置，对曝光后的基板P赋予既定的松弛DL。通过驱动滚轮DR6夹持搬送的基板P的上游侧旋转、驱动滚轮DR7夹持搬送的基板P的下游侧旋转，据以将基板P搬送向处理装置U2。此时，基板P由于被赋予有松弛DL，因能吸收较驱动滚轮DR6在搬送方向下游侧产生的基板P的搬送速度的变动，隔绝因搬送速度的变动对基板P造成的曝光处理的影响。

从而，基板搬送机构12，能对从处理装置U1搬送而来的基板P，通过边缘位置控制器EPC调整于宽度方向的位置。基板搬送机构12，将宽度方向的位置经调整的基板P，通过驱动滚轮DR4搬送至张力调整滚轮RT1，将通过张力调整滚轮RT1的基板P搬送至旋转圆筒DR。藉此，基板P在长条方向被赋予既定张力的状态下紧贴于旋转圆筒DR外周面而被支承。基板搬送机构12，通过使旋转圆筒DR旋转，据以将被支承于旋转圆筒DR的基板P搬送向张力调整滚轮RT2。基板搬送机构12，将搬送至张力调整滚轮RT2的基板P搬送至驱动滚轮DR6，将搬送至驱动滚轮DR6的基板P搬送至驱动滚轮DR7。接着，基板搬送机构12通过驱动滚轮DR6及驱动滚轮DR7，一边对基板P赋予松弛DL、一边将基板P搬送向处理装置U2。

其次再次参照图2，说明曝光装置EX的装置框架13。图2显示图1的曝光装置主要部的配置的立体图。图2中，X方向、Y方向及Z方向为一正交的正交座标系，是与图1相同的正交座标系。曝光装置EX具备图1所示的描绘装置11与支承基板搬送机构12的旋转圆筒DR的装置框架13。

图2所示的装置框架13，从Z方向的下方侧依序具有本体框架21、三点座支承部22、第1光学平台23、旋转机构24、以及第2光学平台25。本体框架21如图1所示通过防振单元SU1、SU2设置在设置面E上。本体框架21，将旋转圆筒DR及张力调整滚轮RT1(未图示)、RT2支承成可旋转。第1光学平台23，设在旋转圆筒DR的铅直方向上方侧，通过三点座支承部22设置于本体框架21。三点座支承部22，将第1光学平台23以3个支承点(由钢球与V槽支承)动态地支承，于各支承点的Z方向位置可调整。因此，三点座支承部22可调整第1光学平台23的平台面的Z方向高度或相对水平面的倾斜。又，于装置框架13的组装时，本体框架21与三点座支承部22之间，可在XY面内，于X方向及Y方向进行位置调整。另一方面，于装置框架13的组装后，本体框架21与三点座支承部22之间则成为被固定的状态(刚性状态)。不过，在维护时的校准等时，可视必要使三点座支承部22成为能在本体框架21上微动于XY方向的构造。

第2光学平台25设在第1光学平台23的铅直方向(Z方向)上方侧，通过旋转机构24设置于第1光学平台23。第2光学平台25，其平台面与第1光学平台23的平台面平行。于第2光学平台25，设有描绘装置11的多个(本实施形态为五个)描绘模块UW1～UW5。旋转机构24，可在将第1光学平台23及第2光学平台25各个的平台面保持成平行的状态下，以延伸于Z方向的既定旋转轴I(亦称为旋转中心线)为中心，相对第1光学平台23使第2光学平台25精密的微幅旋转。此旋转轴I，于基准位置，于图1中的中心面p3内延伸于Z方向且通过卷绕在旋转圆筒DR的基板P表面(顺着圆周面弯曲的描绘面)内的既定点(参照图3)。旋转机构24，通过相对第1光学平台23使第2光学平台25旋转，即能精密的调整旋转圆筒DR或多个描绘模块UW1～UW5整体相对被卷绕于旋转圆筒DR的基板P的在XY面内的角度位置。

旋转机构24，由以包围描绘模块UW1～UW5的最靠旋转圆筒DR侧的部分的内径对向配置于第1光学平台23上面侧与第2光学平台25下面侧的各个的环状台座、与可转动地设于此环状台座之间的轴承滚珠(滚子)等构成。

接着，说明图1、图4、图5所示的光源装置CNT。光源装置CNT设置在装置框架13的本体框架21上。从光源装置CNT射出的描绘光束LB用的激光，适于基板P上的感光性机能层的曝光的既定波长带域的光且设定为光活性作用强的紫外区。作为光源，可利用例如YAG的第三高次谐波激光(波长355nm)且为连续振荡或以50～100MHz程度的频率脉冲振荡的激光等激光光源。

作为紫外区的高输出激光光源，代表性地已知有以KrF、ArF、XeCL等气体作为激光介质的准分子激光。除此的外，亦能使用于波长450nm以下的紫外区具有振荡峰值的激光二极管、发光二极管(LED)等固态光源。本实施形态中，作为一例，如国际公开编号WO1999/046835或国际公开编号WO2001/020733所揭示使用光纤放大器与非线性光学元件，将射出长波长光的来自固态光源的光(红外区的脉冲光)转换成波长355nm的紫外线脉冲光(发光时间为数微微秒程度)的激光光源。

从此种光源装置CNT射出的描绘光束LB，如图4、图5所示，通过包含多个偏光分束器PBS或反射镜等的光束分配系而被导至五个描绘模块UW1～UW5的各个。描绘光束LB为了抑制因在偏光分束器的透射或反射产生的能量损耗，较佳为设成在偏光分束器大致全反射或大致全透射的偏光状态。

其次，针对曝光装置EX的描绘装置11说明。描绘装置11使用多个描绘模块(亦称为描绘头)UW1～UW5的所谓的多光束型(亦称为多头型)描绘装置11。此描绘装置11，将从光源装置CNT射出的描绘光束LB分歧为多条，并将分歧的多个描绘光束LB所形成的点光沿着基板P上的多条(第1实施形态中例如为5条)描绘线LL1～LL5分别加以扫描。描绘装置11，将以多个描绘线LL1～LL5的各个在基板P上描绘的图案彼此于基板P的宽度方向加以接合。首先，参照图3，说明以描绘装置11扫描多个描绘光束LB据以在基板P上形成的多条描绘线LL1～LL5。

如图3所示，多条描绘线LL1～LL5，夹着中心面p3于旋转圆筒DR的周方向配置成2行。于旋转方向上游侧的基板P上，配置奇数号的第1描绘线LL1、第3描绘线LL3及第5描绘线LL5。于旋转圆筒DR旋转方向下游侧的基板P上，配置偶数号的第2描绘线LL2及第4描绘线LL4。

各描绘线LL1～LL5于基板P的宽度方向(Y方向)、也就是沿旋转圆筒DR的旋转中心线AX2形成，较基板P于宽度方向的长度短。严谨来说，各描绘线LL1～LL5，为在通过基板搬送机构12以基准速度搬送基板P时，以多条描绘线LL1～LL5所得的图案的接合误差为最小，可相对旋转圆筒DR的旋转中心线AX2倾斜既定角度量。

奇数号的第1描绘线LL1、第3描绘线LL3及第5描绘线LL5，于旋转圆筒DR的轴方向相距既定间隔配置。又，偶数号的第2描绘线LL2及第4描绘线LL4，于旋转圆筒DR的轴方向相距既定间隔配置。此时，第2描绘线LL2于轴方向配置在第1描绘线LL1与第3描绘线LL3之间。同样的，第3描绘线LL3于轴方向配置在第2描绘线LL2与第4描绘线LL4之间。第4描绘线LL4于轴方向配置在第3描绘线LL3与第5描绘线LL5之间。此外，第1～第5描绘线LL1～LL5配置成涵盖描绘于基板P上的曝光区域A7的Y方向全宽。

沿着奇数号的第1描绘线LL1、第3描绘线LL3及第5描绘线LL5扫描的描绘光束LB的点光的扫描方向(主扫描方向)为一维方向、相同方向。又，沿偶数号的第2描绘线LL2及第4描绘线LL4扫描的描绘光束LB的扫描方向为一维方向、相同方向。此时，沿奇数号描绘线LL1、LL3、LL5扫描的描绘光束LB的扫描方向与沿偶数号描绘线LL2、LL4扫描的描绘光束LB的扫描方向为相同方向。因此，从基板P的搬送方向来看，奇数号描绘线LL3、LL5的描绘开始位置(点光的扫描开始点)与偶数号描绘线LL2、LL4的描绘结束位置(点光的扫描结束点)相邻接(于Y方向一致或一部分重复)，同样的，奇数号描绘线LL1、LL3的描绘结束位置与偶数号描绘线LL2、LL4的描绘开始位置为相邻接(于Y方向一致或一部分重复)。

其次，参照图4至图7说明描绘装置11。描绘装置11，具有上述多个描绘模块UW1～UW5、将来自光源装置CNT的描绘光束LB分歧的分歧光学系(或亦称为光分配系)SL、以及用以进行校准的校准检测系31。

分歧光学系SL将从光源装置CNT射出的描绘光束LB分歧为多条，并将分歧的多条描绘光束LB分别导向多个描绘模块UW1～UW5。分歧光学系SL，具有将从光源装置CNT射出的描绘光束LB分歧为2条的第1光学系41、以第1光学系41分歧的一描绘光束LB所照射的第2光学系42、及以第1光学系41分歧的另一描绘光束LB所照射的第3光学系43。又，分歧光学系SL，包含使第1光学系41内的分歧前光束LB在与光束轴垂直的面内二维横移的XY整体二等分(halving)调整机构44、以及使在第3光学系43内的光束LB在与光束轴垂直的面内二维横移的XY单侧二等分调整机构45。分歧光学系SL，其光源装置CNT侧的一部分设置于本体框架21，另一方面，描绘模块UW1～UW5侧的另一部分则设置于第2光学平台25。

第1光学系41，具有1/2波长板51、偏光分束器52、散光器(beam diffuser)53、第1反射镜54、第1中继透镜55、第2中继透镜56、第2反射镜57、第3反射镜58、第4反射镜59、以及第1分束器60。

从光源装置CNT往+X方向射出的描绘光束LB照射于1/2波长板51。1/2波长板51在描绘光束LB的照射面内可旋转。照射于1/2波长板51的描绘光束LB，其偏光方向为对应1/2波长板51的旋转量的既定偏光方向。通过1/2波长板51的描绘光束LB照射于偏光分束器52。偏光分束器52使成为既定偏光方向的描绘光束LB穿透，另一方面将既定偏光方向以外的描绘光束LB反射向+Y方向。因此，以偏光分束器52反射的描绘光束LB，由于通过1/2波长板51，因此可通过1/2波长板51及偏光分束器52的协力动作，调整描绘光束LB的光束强度。也就是说，使1/2波长板51旋转，以使描绘光束LB的偏光方向变化，藉此能调整在偏光分束器52反射的描绘光束LB的光束强度。

穿透过偏光分束器52的描绘光束LB，通过散光器53而被吸收，抑制照射于散光器53的描绘光束LB往外部的泄漏。被偏光分束器52反射向+Y方向的描绘光束LB照射于第1反射镜54。照射于第1反射镜54的描绘光束LB，被第1反射镜54反射向+X方向，经由第1中继透镜55及第2中继透镜56照射于第2反射镜57。照射于第2反射镜57的描绘光束LB，被第2反射镜57反射向-Y方向而照射于第3反射镜58。照射于第3反射镜58的描绘光束LB，被第3反射镜58反射向-Z方向而照射于第4反射镜59。照射于第4反射镜59的描绘光束LB，被第4反射镜59反射向+Y方向而照射于第1分束器60。照射于第1分束器60的描绘光束LB，其一部分被反射往-X方向而照射于第2光学系42，另一方面，其另一部分透射而照射于第3光学系43。

第3反射镜58与第4反射镜59在旋转机构24的旋转轴I上相距既定间隔设置。又，包含第3反射镜58至光源装置CNT为止的构成(在图4的Z方向上方侧，以二点连线围绕的部分)设于本体框架21侧，包含第4反射镜59至多个描绘模块UW1～UW5的构成(在图4的Z方向下方侧，以二点连线围绕的部分)设于第2光学平台25侧。因此，即使以旋转机构24使第2光学平台25相对第1光学平台23旋转，由于在旋转轴I上设有第3反射镜58与第4反射镜59，因此描绘光束LB的光路不会变更。从而，即使以旋转机构24使第2光学平台25相对第1光学平台23旋转，亦能将从设置在本体框架21侧的光源装置CNT射出的描绘光束LB，非常合适地引导向设在第2光学平台25侧的多个描绘模块UW1～UW5的各个。

第2光学系42，将于第1光学系41分歧的一方的描绘光束LB，分歧导向后述的奇数号描绘模块UW1、UW3、UW5。第2光学系42，具有第5反射镜61、第2分束器62、第3分束器63、以及第6反射镜64。

于第1光学系41的第1分束器60被反射向－X方向的描绘光束LB，照射于第5反射镜61。照射于第5反射镜61的描绘光束LB，被第5反射镜61反射向－Y方向，而照射于第2分束器62。照射于第2分束镜62的描绘光束LB，其一部分被反射而照射于奇数号的1个描绘模块UW5(参照图5、图6)。照射于第2分束器62的描绘光束LB，其他一部分穿透而照射于第3分束器63。照射于第3分束器63的描绘光束LB，其一部分被反射而照射于奇数号的1个描绘模块UW3(参照图5、图6)。照射于第3分束器63的描绘光束LB，其他一部分穿透而照射于第6反射镜64。照射于第6反射镜64的描绘光束LB被第6反射镜64反射而照射于奇数号的1个描绘模块UW1(参照图5、图6)。此外，于第2光学系42，照射于奇数号描绘模块UW1、UW3、UW5的描绘光束LB，相对－Z方向略微倾斜。

第3光学系43将于第1光学系41的第1分束器60分歧的另一方的描绘光束LB，分歧导向后述的偶数号描绘模块UW2、UW4。第3光学系43，具有第7反射镜71、第8反射镜72、第4分束器73、以及第9反射镜74。

于第1光学系41的第1分束器60往Y方向穿透的描绘光束LB，照射于第7反射镜71。照射于第7反射镜71的描绘光束LB，被第7反射镜71反射向X方向，照射于第8反射镜72。照射于第8反射镜72的描绘光束LB，被第8反射镜72反射向-Y方向，照射于第4分束器73。照射于第4分束器73的描绘光束LB，其一部分被反射而照射于偶数号的1个描绘模块UW4(参照图5、图6)。照射于第4分束器73的描绘光束LB，其他一部分穿透而照射于第9反射镜74。照射于第9反射镜74的描绘光束LB，被第9反射镜74反射而照射于偶数号的1个描绘模块UW2。此外，于第3光学系43，照射于偶数号描绘模块UW2、UW4的描绘光束LB，亦相对－Z方向略微倾斜。

如以上所述，于分歧光学系SL，朝向多个描绘模块UW1～UW5，将来自光源装置CNT的描绘光束LB分歧为多条。此时，第1分束器60、第2分束器62、第3分束器63及第4分束器73，其反射率(穿透率)视描绘光束LB的分歧数调整为适当的反射率，以使照射于多个描绘模块UW1～UW5的描绘光束LB的光束强度为相同强度。

XY整体二等分调整机构44，如图6所示，配置在第2中继透镜56与第2反射镜57之间。XY整体二等分调整机构44可使射入第1分束器60的光束LB在与光束轴垂直的面内二维地微幅位移，调整尤其是通过第2光学系42的光束的位置。XY整体二等分调整机构44系以能在图6的XZ面内倾斜的透明平行平板玻璃与能在图6的YZ面内倾斜的透明平行平板玻璃构成。通过调整该两片平行平板玻璃的各倾斜量，而能使射入第1分束器60的光束LB在图6中的X方向或Z方向微幅位移。

XY单侧二等分调整机构45，配置在第7反射镜71与第8反射镜72之间。XY单侧二等分调整机构45可使穿透第1分束器60的光束LB在与光束轴垂直的面内二维地微幅位移，调整尤其是通过第3光学系43的光束的位置。XY单侧二等分调整机构45与XY整体二等分调整机构44同样地，以能在图6的XZ面内倾斜的透明平行平板玻璃与能在图6的YZ面内倾斜的透明平行平板玻璃构成。通过调整该两片平行平板玻璃的各倾斜量，而能使射入偶数号的描绘模块UW2、UW4的描绘光束LB位置微幅位移。此外，从图6构成可清楚得知，藉XY整体二等分调整机构44所致的光束LB位置位移，由于亦使穿透第1分束器60而射入第3光学系43的光束LB的位置位移，因此射入偶数号的描绘模块UW2、UW4的光束的位置调整系以XY整体二等分调整机构44与XY单侧二等分调整机构45两者进行。

进一步参照图4、图5及图7，说明多个描绘模块UW1～UW5。多个描绘模块UW1～UW5对应多条描绘线LL1～LL5设置。通过分歧光学系SL而分歧的多条描绘光束LB分别射入多个描绘模块UW1～UW5。各描绘模块UW1～UW5，使多条描绘光束LB在各描绘线LL1～LL5上聚光成点光，并扫描该点光。亦即，第1描绘模块UW1将描绘光束LB导至第1描绘线LL1，同样地，第2～5描绘模块UW2～UW5将描绘光束LB导至第2～第5描绘线LL2～LL5。

如图4(及图1)所示，多个描绘模块UW1～UW5夹着中心面p3于旋转圆筒DR的周方向配置成2行。多个描绘模块UW1～UW5，于夹着中心面p3配置第1、第3、第5描绘线LL1、LL3、LL5的侧(图5的－X方向侧)，配置第1描绘模块UW1、第3描绘模块UW3及第5描绘模块UW5。第1描绘模块UW1、第3描绘模块UW3及第5描绘模块UW5，于Y方向相距既定间隔配置。又，多个描绘模块UW1～UW5，于夹着中心面p3配置第2、第4描绘线LL2、LL4之侧(图5的+X方向侧)，配置第2描绘模块UW2及第4描绘模块UW4。第2描绘模块UW2，于Y方向配置在第1描绘模块UW1与第3描绘模块UW3之间。同样的，第3描绘模块UW3，于Y方向配置在第2描绘模块UW2与第4描绘模块UW4之间。第4描绘模块UW4，于Y方向配置在第3描绘模块UW3与第5描绘模块UW5之间。又，如图4所示，第1描绘模块UW1、第3描绘模块UW3及第5描绘模块UW5与第2描绘模块UW2及第4描绘模块UW4，从Y方向看，以中心面p3为中心对称配置。

其次，参照图4说明各描绘模块UW1～UW5。又，由于各描绘模块UW1～UW5为相同构成，因此以第1描绘模块UW1(以下，仅称描绘模块UW1)为例加以说明。

图4所示的描绘模块UW1，为沿描绘线LL1(第1描绘线LL1)扫描描绘光束LB，而具备光偏向器81、偏光分束器PBS、1/4波长板82、扫描器83、弯折镜84、f－θ透镜系85、以及Y倍率修正用光学构件86。又，与偏向分束器PBS相邻设有校准检测系31。

光偏向器81，以例如声光调变器(AOM：AcoustIic Optic Modulator)构成，通过高速地切换射入的光束的绕射光的产生/非产生，而高速地切换描绘光束LB对基板P的投射/非投射。藉此，照射于基板P的点光的强度，根据施加于调变器(AOM)81的图案描绘信息(串列的位行信号)被调变。具体而言，来自分歧光学系SL的描绘光束LB，透过中继透镜91相对－Z方向略微倾斜的射入光偏向器81。在光偏向器81为OFF状态时，描绘光束LB即以倾斜状态直进，而被设在通过光偏向器81之后的遮光板92遮光。在光偏向器81为ON状态时，经绕射的描绘光束LB即往－Z方向偏向，通过光偏向器81而射入设在光偏向器81的Z方向上的偏光分束器PBS。因此，在光偏向器81为ON的期间，描绘光束LB的点光持续投射于基板P，在光偏向器81为OFF的期间，描绘光束LB的点光对基板P的投射被中断。

偏光分束器PBS反射从光偏向器81透过中继透镜93照射的描绘光束LB。另一方面，偏光分束器PBS与设在偏光分束器PBS与扫描器83之间的1/4波长板82协力动作，穿透在基板P或旋转圆筒DR表面反射的描绘光束LB。也就是说，从光偏向器81射向偏光分束器PBS的描绘光束LB为S偏光的直线偏光的激光，被偏光分束器PBS反射。又，被偏光分束器PBS反射的描绘光束LB，通过1/4波长板82成为圆偏光到达基板P。在基板P或旋转圆筒DR表面反射、透过f－θ透镜系85或扫描器83而返回的描绘光束LB的一部分反射光，再次通过1/4波长板82，藉此成为P偏光的直线偏光。因此，从基板P照射于偏光分束器PBS的描绘光束LB的反射光穿透偏光分束器PBS。此外，穿透偏光分束器PBS的描绘光束LB的反射光，透过中继透镜94照射于校准检测系31。透过中继透镜系93而在偏光分束器PBS反射的描绘光束LB，通过1/4波长板82而射入扫描器83。

如图4及图7所示，扫描器83具有反射镜96、旋转多面镜97、与原点检测器98。通过1/4波长板82的描绘光束LB(平行光束)，透过中继透镜95照射于反射镜96。在反射镜96反射的描绘光束LB照射于旋转多面镜97。旋转多面镜97包含延伸于Z方向的旋转轴97a、与形成在旋转轴97a周围的多个反射面(反射平面)97b而构成。旋转多面镜97，通过以旋转轴97a为中心往既定旋转方向旋转，据以使照射于反射面97b的描绘光束LB的反射角连续变化，据此，使反射的描绘光束LB沿基板P上的描绘线LL1扫描。在旋转多面镜97反射的描绘光束LB照射于弯折镜84。原点检测器98检测沿基板P的描绘线LL1扫描的描绘光束LB的原点(既定扫描开始点)。原点检测器98，夹着于各反射面97b反射的描绘光束LB，配置在反射镜96的相反侧。因此，原点检测器98检测出照射于f－θ透镜系85前的描绘光束LB。也就是说，原点检测器98，检测出点光照射于基板P上的描绘线LL1的描绘开始位置前一刻的反射面97b的角度位置。

从扫描器83照射于弯折镜84的描绘光束LB被弯折镜84反射而照射于f－θ透镜系85。f－θ透镜系85包含远心f－θ透镜，使透过弯折镜84而从旋转多面镜97反射的描绘光束LB垂直地投射于基板P的描绘面。

如图7所示，多个描绘模块UW1～UW5中的多个扫描器83相对中心面p3成左右对称构成。多个扫描器83，其与描绘模块UW1、UW3、UW5对应的3个扫描器83配置在旋转圆筒DR的旋转方向上游侧(图7的－X方向侧)，与描绘模块UW2、UW4对应的2个扫描器83则配置在旋转圆筒DR的旋转方向下游侧(图7的+X方向侧)。而上游侧的3个扫描器83与下游侧的2个扫描器83夹着中心面p3对向配置。此时，配置于上游侧的各扫描器83与配置于下游侧的各扫描器83夹着中心面p3对向配置。再者，上游侧的3个旋转多面镜97，一边在XY内向左(逆时针)旋转、一边扫描描绘光束LB，藉此投射于奇数号的描绘线LL1、LL3、LL5上的各点光，即从描绘开始位置朝向描绘结束位置往既定扫描方向(例如图7的+Y方向)扫描。另一方面，当下游侧的2个旋转多面镜97一边在XY内向右(顺时针)旋转、一边扫描描绘光束LB，藉此投射于偶数号的描绘线LL2、LL4上的各点光，即从描绘开始位置朝向描绘结束位置，往与上游侧的3条描绘线LL1、LL3、LL5相同扫描方向(+Y方向)扫描。

此处，于图4的XZ面内观察时，从奇数号描绘模块UW1、UW3、UW5到达基板P的描绘光束LB的轴线，与设置方位线Le1一致的方向。也就是说，设置方位线Le1，于XZ面内，连结奇数号描绘线LL1、LL3、LL5与旋转中心线AX2的线。同样的，于图4的XZ面内观察时，从偶数号描绘模块UW2、UW4到达基板P的描绘光束LB的轴线，与设置方位线Le2一致的方向。也就是说，设置方位线Le2，于XZ面内，连结偶数号描绘线LL2、LL4与旋转中心线AX2的线。

Y倍率修正用光学构件86，将于Y方向具有正折射力的圆筒透镜与于Y方向具有负折射力的圆筒透镜组合而成者，配置在f－θ透镜系85与基板P之间。通过使构成Y倍率修正用光学构件86的多个圆筒透镜的至少一个微动于f－θ透镜系85的光轴(描绘光束LB的轴)方向，而能使以各描绘模块UW1～UW5形成的描绘线LL1～LL5，于Y方向，等方的微幅放大或缩小。

以此方式构成的描绘装置11，由控制装置16控制各部于基板P上描绘既定图案。也就是说，控制装置16，在投射于基板P的描绘光束LB往扫描方向扫描的期间中，根据待描绘于基板P的图案的CAD(Computer Aided Design)信息，通过对光偏向器81进行ON/OFF调变据以使描绘光束LB偏向，以于基板P的光感应层上描绘出图案。又，控制装置16使沿描绘线LL1扫描的描绘光束LB的扫描方向(扫描开始时点)、与基板P通过旋转圆筒DR的旋转而往搬送方向的移动同步，据以在曝光区域A7中对应描绘线LL1的部分描绘既定图案。

此时，将从各描绘模块UW1～UW5投射的描绘光束LB在基板P上的点光的实效尺寸(点径)设为D(μm)，将沿着描绘线LL1～LL5的点光的扫描速度设为Vp(μm/秒)时，光源装置CNT将射出脉冲光的激光光源的发光反复周期T(秒)设为T<D<Vp的关系。此外，所谓点光的实效尺寸(径)，相对于点光主扫描方向在强度分布上的峰值为半值的宽度(半值全宽)或相对峰值为1/e²的强度的宽度。

其次，参照图3及图8，说明作为图案检测部的对准显微镜AM1、AM2。对准显微镜AM1、AM2在既定观察区域内检测预先形成在基板P上的对准标记、或形成在旋转圆筒DR上的基准标记及基准图案等。以下，将基板P的对准标记及旋转圆筒DR的基准标记及基准图案，仅简称为标记。对准显微镜AM1、AM2用于进行基板P与描绘在基板P上的既定图案的位置对齐(对准)、或旋转圆筒DR与描绘装置11的校准。

对准显微镜AM1、AM2，较以描绘装置11形成的描绘线LL1～LL5，设置在旋转圆筒DR的旋转方向上游侧。又，对准显微镜AM1较对准显微镜AM2配置在旋转圆筒DR的旋转方向上游侧。

对准显微镜AM1、AM2，由将照明光投射于基板P或旋转圆筒DR并射入于标记产生的光的作为检测探针的对物透镜系GA、以及将透过对物透镜系GA受光的标记的像(亮视野像、暗视野像、萤光像等)以二维CCD、CMOS等加以拍摄的摄影系GD等构成。又，对准用的照明光系对基板P上的光感应层几乎不具有感度的波长带域的光、例如波长500～800nm程度的光。

对准显微镜AM1于Y方向(基板P的宽度方向)排成一行设有多个(例如3个)。同样的，对准显微镜AM2于Y方向(基板P的宽度方向)排成一行设有多个(例如3个)。也就是说，对准显微镜AM1、AM2合计设有6个。

图3中，为易于理解，于6个对准显微镜AM1、AM2的各对物透镜系GA中，显示3个对准显微镜AM1的各对物透镜系GA1～GA3的配置。3个对准显微镜AM1的各对物透镜系GA1～GA3对基板P(或旋转圆筒DR的外周面)上的观察区域(检测位置)Vw1～Vw3，如图3所示，在与旋转中心线AX2平行的Y方向，以既定间隔配置。如图8所示，通过各观察区域Vw1～Vw3中心的各对物透镜系GA1～GA3的光轴La1～La3，皆与XZ面平行。同样的，3个对准显微镜AM2的各对物透镜系GA对基板P(或旋转圆筒DR的外周面)上的观察区域Vw4～Vw6，如图3所示，在与旋转中心线AX2平行的Y方向，以既定间隔配置。如图8所示，通过各观察区域Vw4～Vw6中心的各对物透镜系GA的光轴La4～La6，亦皆与XZ面平行。而观察区域Vw1～Vw3与观察区域Vw4～Vw6，于旋转圆筒DR的旋转方向以既定间隔配置。

此对准显微镜AM1、AM2对标记的观察区域Vw1～Vw6，于基板P及旋转圆筒DR上，例如设定在200μm对角程度的范围。此处，对准显微镜AM1的光轴La1～La3、亦即对物透镜系GA的光轴La1～La3，设定成与从旋转中心线AX2延伸于旋转圆筒DR的径方向的设置方位线Le3相同方向。也就是说，设置方位线Le3，于图4的XZ面内观察时，连结对准显微镜AM1的观察区域Vw1～Vw3与旋转中心线AX2的线。同样的，对准显微镜AM2的光轴La4～La6、亦即对物透镜系GA的光轴La4～La6，设定成与从旋转中心线AX2延伸于旋转圆筒DR的径方向的设置方位线Le4相同方向。也就是说，设置方位线Le4，于图4的XZ面内观察时，连结对准显微镜AM2的观察区域Vw4～Vw6与旋转中心线AX2的线。此时，对准显微镜AM1由于与对准显微镜AM2相较系配置在旋转圆筒DR的旋转方向上游侧，因此中心面p3与设置方位线Le3所成的角度，较中心面p3与设置方位线Le4所成的角度大。

于基板P上，如图3所示，以5条描绘线LL1～LL5的各个描绘的曝光区域A7，于X方向相距既定间隔配置。于基板P上的曝光区域A7周围，有用以进行位置对准的多个对准标记Ks1～Ks3(以下，简称标记)，例如形成为十字状。各描绘模块，虽根据对准显微镜AM1、AM2对对准标记Ks1～Ks2的检测结果，特定出待描绘图案的基板P上的位置而对齐(修正)点光的主扫描位置，但对位不限定于此。例如，亦可通过对准显微镜AM1、AM2检测出形成于基板P的电路图案等的一部分形状后进行对位。

图3中，标记Ks1在曝光区域A7的－Y侧周边区域于X方向以一定间隔设置，标记Ks3在曝光区域A7的+Y侧周边区域于X方向以一定间隔设置。进一步的，标记Ks2，在X方向相邻的2个曝光区域A7间的空白区域中，设在Y方向的中央。

标记Ks1，以在对准显微镜AM1的对物透镜系GA1的观察区域Vw1内、及对准显微镜AM2的对物透镜系GA的观察区域Vw4内，于基板P的搬送期间能被依序捕捉的方式形成。又，标记Ks3，以在对准显微镜AM1的对物透镜系GA3的观察区域Vw3内、及对准显微镜AM2的对物透镜系GA的观察区域Vw6内，于基板P的搬送期间能被依序捕捉的方式形成。进一步的，标记Ks2，以分别在对准显微镜AM1的对物透镜系GA2的观察区域Vw2内、及对准显微镜AM2的对物透镜系GA的观察区域Vw5内，于基板P的搬送期间被依序捕捉的方式形成。

因此，3个对准显微镜AM1、AM2中的旋转圆筒DR的Y方向两侧的对准显微镜AM1、AM2，可随时观察或检测形成在基板P的宽度方向两侧的标记Ks1、Ks3。此外，3个对准显微镜AM1、AM2中的旋转圆筒DR的Y方向中央的对准显微镜AM1、AM2，可随时观察或检测形成在描绘于基板P上的曝光区域A7彼此间的长条方向空白部等的标记Ks2。

此处，曝光装置EX由于适用了所谓的多光束型描绘装置11，因此为了将以多个描绘模块UW1～UW5的各描绘线LL1～LL5于基板P上描绘的多个图案彼此于Y方向适当的加以接合，用以将多个描绘模块UW1～UW5的接合精度抑制在容许范围内的校准是必须的。此外，对准显微镜AM1、AM2对多个描绘模块UW1～UW5的各描绘线LL1～LL5的观察区域Vw1～Vw6的相对位置关系，须以基准线管理加以精密的求出。为进行此基准线管理，亦须校准。

于用以确认多个描绘模块UW1～UW5的接合精度的校准、用以进行对准显微镜AM1、AM2的基准线管理的校准中，须于支承基板P的旋转圆筒DR外周面的至少一部设置基准标记或基准图案。因此，如图9所示，于曝光装置EX，使用在外周面设有基准标记或基准图案的旋转圆筒DR。

旋转圆筒DR于其外周面的两端侧，形成有构成后述旋转位置检测机构14的一部分的标尺部GPa、GPb。又，旋转圆筒DR，于标尺部GPa、GPb的内侧，于全周刻设有由凹状槽、或凸状边缘构成的宽度窄的限制带CLa、CLb。基板P的Y方向宽度被设定为较该2条限制带CLa、CLb的Y方向间隔小，基板P在旋转圆筒DR的外周面中紧贴以限制带CLa、CLb所夹的内侧区域而被支承。

旋转圆筒DR，在以限制带CLa、CLb所夹的外周面，设有将相对旋转中心线AX2以+45度倾斜的多个线图案RL1、与相对旋转中心线AX2以－45度倾斜的多个线图案RL2以一定间距(周期)Pf1、Pf2重复刻设的网格状的基准图案(亦可利用为基准标记)RMP。作为一例，线图案RL1与线图案RL2的线宽LW设定为数μm～20μm程度，间距(周期)Pf1、Pf2设定为数十μm～数百μm程度。

基准图案RMP，为避免在基板P与旋转圆筒DR外周面的接触部分产生摩擦力或基板P的张力等的变化，全面均一的斜图案(斜格子状图案)。又，线图案RL1、RL2并不一定必须是倾斜45度，亦可以是将线图案RL1作成与Y轴平行、线图案RL2作成与X轴平行的纵横的网格状图案。此外，不一定须使线图案RL1、RL2以90度交叉，亦可使相邻的2条线图案RL1与相邻的2条线图案RL2所围成的矩形区域，以成为正方形(或长方形)以外的菱形的角度使线图案RL1、RL2交叉。

其次，参照图3、图4及图8说明旋转位置检测机构14。如图8所示，旋转位置检测机构14以光学方式检测旋转圆筒DR的旋转位置之物，可适用例如使用旋转编码器等的编码器系统。旋转位置检测机构14具有设在旋转圆筒DR两端部的标尺部GPa、GPb、以及与标尺部GPa、GPb的各个对向的多个编码器读头EN1、EN2、EN3、EN4。图4及图8中，虽仅显示与标尺部GPa对向的4个编码器读头EN1、EN2、EN3、EN4，但在标尺部GPb亦同样的有对向配置的编码器读头EN1、EN2、EN3、EN4。

标尺部GPa、GPb于旋转圆筒DR的外周面周方向全体分别形成为环状。标尺部GPa、GPb系于旋转圆筒DR的外周面周方向以一定间距(例如20μm)刻设凹状或凸状的格子线的绕射光栅，构成为递增(incremental)型标尺。在本实施形态的场合，标尺部GPa、GPb的格子线(刻度)与图9所示的基准图案RMP由于是通过对旋转圆筒DR表面进行加工的装置(图案刻设机等)同时形成，因此能以微米等级作成唯一的位置关系。此外，于标尺部GPa、GPb周方向的一处并设有原点标记，编码器读头EN1、EN2、EN3、EN4的各个具备检测出该原点标记并输出原点信号的功能。是以，对该原点标记亦为在基准图案RMP、周方向为唯一的位置关系(已知角度位置关系)。

基板P，在避开旋转圆筒DR两端的标尺部GPa、GPb的内侧、亦即卷绕在限制带CLa、CLb的内侧。若须有严格的配置关系时，设定标尺部GPa、GPb的外周面、与卷绕在旋转圆筒DR的基板P的部分的外周面成同一面(距中心线AX2同一半径)。为达成此，将标尺部GPa、GPb的外周面，相对旋转圆筒DR的基板卷绕用外周面，作成于径方向高基板P的厚度量即可。因此，可将形成于旋转圆筒DR的标尺部GPa、GPb的外周面，设定为与基板P的外周面大致同一半径。从而，编码器读头EN1、EN2、EN3、EN4，可在与卷绕于旋转圆筒DR的基板P上的描绘面相同径方向位置检测标尺部GPa、GPb，缩小测量位置与处理位置因旋转系的径方向相异而产生的阿贝误差。此外，在无法将标尺部GPa、GPb直接形成于旋转圆筒DR两端部的情形时，亦可将在与旋转圆筒DR直径大致相同直径的圆盘状构件外周面刻设有标尺部GPa(GPb)的标尺圆盘同轴安装于旋转圆筒DR的轴部Sf2。

编码器读头EN1、EN2、EN3、EN4，从旋转中心线AX2观察分别配置在标尺部GPa、GPb的周围，于旋转圆筒DR的周方向的不同位置。此编码器读头EN1、EN2、EN3、EN4连接于控制装置16。编码器读头EN1、EN2、EN3、EN4朝标尺部GPa、GPb投射测量用光束，对其反射光束(绕射光)进行光电检测，据以将对应标尺部GPa、GPb的周方向位置变化的检测信号(例如具有90度相位差的2相信号)输出至控制装置16。控制装置16，通过对该检测信号以未图示的计数回路加以内插进行数字处理，即能以次微米的分解能力测量旋转圆筒DR的角度变化、亦即测量其外周面的周方向位置变化。此时，控制装置16，亦可从旋转圆筒DR的角度变化测量基板P在旋转圆筒DR的搬送速度。

又，如图4及图8所示，编码器读头EN1配置在设置方位线Le1上。设置方位线Le1，于XZ面内，为连结编码器读头EN1的测量用光束对标尺部GPa(GPb)上的投射区域(读取位置)与旋转中心线AX2的线。又，如上所述，设置方位线Le1，于XZ面内，为连结描绘线LL1、LL3、LL5与旋转中心线AX2的线。由以上可知，连结编码器读头EN1的读取位置与旋转中心线AX2的线、与连结描绘线LL1、LL3、LL5与旋转中心线AX2的线为相同方位线(从中心轴AX2观察时为相同方位)。

同样的，如图4及图8所示，编码器读头EN2配置在设置方位线Le2上。设置方位线Le2，于XZ面内，为连结编码器读头EN2的测量用光束对标尺部GPa(GPb)上的投射区域(读取位置)与旋转中心线AX2的线。又，如上所述，设置方位线Le2，于XZ面内，为连结描绘线LL2、LL4与旋转中心线AX2的线。由以上可知，连结编码器读头EN2的读取位置与旋转中心线AX2的线、与连结描绘线LL2、LL4与旋转中心线AX2的线为相同方位线(从中心轴AX2观察时为相同方位)。

又，如图4及图8所示，编码器读头EN3配置在设置方位线Le3上。设置方位线Le3，于XZ面内，为连结编码器读头EN3的测量用光束对标尺部GPa(GPb)上的投射区域(读取位置)与旋转中心线AX2的线。又，如上所述，设置方位线Le3，于XZ面内，为连结对准显微镜AM1对基板P的观察区域Vw1～Vw3与旋转中心线AX2的线。由以上可知，连结编码器读头EN3的读取位置与旋转中心线AX2的线、与连结对准显微镜AM1的观察区域Vw1～Vw3与旋转中心线AX2的线，为相同方位线(从中心轴AX2观察时为相同方位)。通过此种构成，在从旋转中心轴AX2延伸的方向观察时，在标尺部GPa、GPb上的编码器读头EN3的测量区域与对准显微镜AM1的观察区域Vw1～Vw3，在旋转圆筒DR的周方向上为相同位置。

同样的，如图4及图8所示，编码器读头EN4配置在设置方位线Le4上。设置方位线Le4，于XZ面内，为连结编码器读头EN4的测量用光束对标尺部GPa(GPb)上的投射区域(读取位置)与旋转中心线AX2的线。又，如上所述，设置方位线Le4，于XZ面内，为连结对准显微镜AM2对基板P的观察区域Vw4～Vw6与旋转中心线AX2的线。由以上可知，连结编码器读头EN4的读取位置与旋转中心线AX2的线、与连结对准显微镜AM2的观察区域Vw4～Vw6与旋转中心线AX2的线，为相同方位线(从中心轴AX2观察时为相同方位)。通过此种构成，在从旋转中心轴AX2延伸的方向观察时，在标尺部GPa、GPb上的编码器读头EN4的测量区域与对准显微镜AM2的观察区域Vw4～Vw6，在旋转圆筒DR的周方向上为相同位置。

将编码器读头EN1、EN2、EN3、EN4的设置方位(以旋转中心线AX2为中心的在XZ面内的角度方向)以设置方位线Le1、Le2、Le3、Le4表示的情形时，如图4所示，将多个描绘模块UW1～UW5及编码器读头EN1、EN2配置成设置方位线Le1、Le2相对中心面p3成角度±θ°。

此处，控制装置16，根据以编码器读头EN1、EN2与计数电路检测的标尺部(旋转圆筒DR)GPa、GPb的旋转角度位置、亦即旋转圆筒DR外周面的周方向移动位置或移动量，控制使用奇数号及偶数号描绘模块UW1～UW5的描绘开始位置。也就是说，控制装置16，在投射于基板P的描绘光束LB往扫描方向扫描的期间中，根据待描绘于基板P的图案的CAD信息进行光偏向器81的ON/OFF调变，但亦可将使用光偏向器81的1次扫描量的CAD信息的ON/OFF调变的开始时序，根据所检测的旋转角度位置来进行，藉此能于基板P的光感应层上以良好精度描绘图案。

又，控制装置16，可通过储存以对准显微镜AM1、AM2检测基板P上的对准标记Ks1～Ks3时，以编码器读头EN3、EN4检测的标尺部GPa、GPb(旋转圆筒DR)的旋转角度位置，能求出基板P上的对准标记Ks1～Ks3的位置与旋转圆筒DR的旋转角度位置的对应关系。同样的，控制装置16，通过储存以对准显微镜AM1、AM2检测旋转圆筒DR上的基准图案RMP时，以编码器读头EN3、EN4检测的标尺部GPa、GPb(旋转圆筒DR)的旋转角度位置，能求出旋转圆筒DR上的基准图案RMP的位置与旋转圆筒DR的旋转角度位置的对应关系。如以上所述，对准显微镜AM1、AM2，可精密的测量于观察区域Vw1～Vw6内，对基准标记或标记进行取样(sampling)的瞬间的旋转圆筒DR的旋转角度位置(或周方向位置)。于曝光装置EX，即根据此测量结果，进行基板P与描绘于基板P上的既定图案的对位(对准)、或旋转圆筒DR与描绘装置11的各描绘模块UW1～UW5的描绘线LL1～LL5的位置关系的校准。

此外，多光束型的曝光装置EX，一边将基板P搬送于搬送方向、一边沿着基板P上的多条描绘线LL1～LL5，扫描描绘光束LB的点光。此处，沿着各描绘线LL1～LL5扫描的描绘光束LB的扫描方向为相同方向，又，在各描绘线LL1～LL5的各线设定成与中心面p3(中心轴AX2)精密地平行的情形时，通过多条描绘线LL1～LL5分别形成于基板P上的图案PT1～PT5成为如图10所示的图案。

图10为将通过第1实施形态的曝光装置描绘于基板上的图案与描绘线的配置关系的一例夸大显示图。此外，图10中，由于于基板P的搬送方向(Xs方向)展开后的图，因此为Xs方向、Y方向及Z方向正交的正交座标系。又，图10中，为了容易了解描绘线LL1～LL5与图案PT1～PT5的关系，于基板P的搬送方向将描绘线LL1～LL5及图案PT1～PT5加粗。

如图10所示，从多个描绘模块UW1～UW5的各个投射至基板P的描绘光束LB的点光，沿着描绘线LL1～LL5从描绘开始位置PO1往描绘结束位置PO2扫描于+Y方向。此时，描绘光束LB的点光，沿着描绘线LL1～LL5扫描的扫描方向均为相同方向。因此，在从基板P的搬送方向Xs观看时，在描绘线LL1～LL5的描绘开始位置PO1中形成的图案PT1～PT5的端部PTa与在描绘线LL1～LL5的描绘结束位置PO2中形成的图案PT1～PT5的端部PTb，于在基板P宽度方向相邻的图案PT1～PT5彼此中相邻接。

此处，在描绘光束LB的点光对基板P扫描一次时的形成于基板P的图案PT1～PT5，由于基板P于搬送方向被等速搬送，因此形成为些微倾斜。其倾斜量虽于图10中夸大显示，但以基板P的搬送速度Vxs与描绘光束LB的点光的扫描速度Vp的比Vxs/Vp来表示。扫描速度Vp与作为扫描器83的旋转多面镜97的旋转速度Rv(rps)成正比，例如在旋转多面镜97的反射面为8面，各反射面的实质扫描期间为40％，描绘线(LL1～LL5)的长度为YL(mm)时，点光的扫描速度Vp(mm/S)通过下式求出：

Vp＝(8·Rv·YL)/0.4＝20·Rv·YL〔mm/S〕

若旋转多面镜97为每分6000转(旋转速度Rv＝100rps)，长度YL为50mm，则扫描速度Vp为10万mm/S。若基板P的搬送速度Vxs为50mm/S，则在基板P上的描绘线的倾斜量Vxs/Vp为1/2000。此倾斜量，指描绘线的Y方向两端(描绘开始点PO1与描绘结束点PO2)在基板P上往Xs方向错开25μm的意思。当然，只要提高旋转多面镜97的旋转速度Rv且使基板P的搬送速度Vxs降低，则能使描绘线的倾斜量Vxs/Vp较小，但为了使描绘线的Y方向两端(描绘开始点PO1与描绘结束点PO2)在Xs方向的错开量成为待描绘图案的最小线宽的数分之一程度，需使旋转多面镜97的旋转速度Rv成为数倍以上同时大幅降低基板P的搬送速度Vxs。亦即，在描绘线LL1～LL5的描绘开始位置PO1形成的图案PT1～PT5的端部PTa，较在描绘线LL1～LL5的描绘结束位置PO2形成的图案PT1～PT5的端部PTb，形成于搬送方向的更下游侧。因此，图案PT1～PT5的端部PTa与端部PTb，在搬送方向会成为不同位置。此情形下，于基板P的宽度方向相接合的图案PT1～PT5，会于相邻的图案PT1～PT5彼此之间产生在搬送方向的接合误差。

如上述，图案PT1～PT5的接合误差，在描绘光束LB的点光在主扫描方向的扫描速度Vp为一定的情形时，描绘线LL1～LL5相对于基板P宽度方向的倾斜，未成为与基板P搬送速度对应的倾斜而产生。此处，描绘线LL1～LL5相对于基板P宽度方向的倾斜，分别在曝光装置EX的描绘前与曝光装置EX的描绘时进行调整。

具体而言，在曝光装置EX的描绘前(例如对准时)，曝光装置EX以预先设定的基准的基准速度(Vxs)搬送基板P。此时，基准速度，有因应使用的基板P而适当变更的场合。例如在涂布于基板P的光感应层的感度低的场合，亦有降低基准速度而将以点光进行的主扫描重复多次以增加曝光量的情形。因此，为了对以基准速度搬送的基板，将图案PT1～PT5在基板P宽度方向非常合适地相接合，因应对基板P设定的基准速度，调整成描绘线LL1～LL5相对于中心面p3(中心轴AX2)适当倾斜。

又，以曝光装置EX进行的描绘动作中，虽将旋转圆筒DR的旋转驱动控制成基板P的搬送速度成为基准速度，但此时，有时会因旋转圆筒DR的旋转轴承部的构造(轴承特性)或旋转驱动机构(马达的力矩特性、减速齿轮的特性等)，使被搬送的基板P的搬送速度因应于旋转圆筒DR的旋转周期而从基准速度些微变动速度。亦即，被旋转圆筒DR搬送的基板P的搬送速度会周期性地产生速度不均。是以，为了对从基准速度些微变化速度的基板P，使图案PT1～PT5在基板P宽度方向非常合适地相接合，可组装追随基板P搬送速度的变动而使描绘线LL1～LL5的各线动态地(active)倾斜的构成(控制系)。

其次，参照图11说明描绘线LL1～LL5相对于基板P宽度方向的倾斜的调整。图11显示通过第1实施形态的曝光装置而描绘于基板上的图案与描绘线的配置关系一例的图。第1实施形态的曝光装置EX，系以旋转机构24使第2光学平台25相对于第1光学平台23旋转，藉此相对于基板P宽度方向，使描绘线LL1～LL5整体倾斜。亦即，旋转机构24发挥调整描绘线LL1～LL5的倾斜的倾斜调整机构功能。

旋转机构24，通过使第2光学平台25相对于第1光学平台23旋转，而以旋转轴I为中心相对于基板P使描绘装置11旋转。在描绘装置11以旋转轴I为中心旋转后，描绘线LL1～LL5，其相互的位置关系不变化而相对基板P宽度方向(亦即，旋转圆筒DR的旋转中心线AX2或中心面p3)倾斜。

此处，说明在曝光装置EX的对准时对以基准速度搬送的基板P将图案PT1～PT5于基板P宽度方向相接合时的描绘线LL1～LL5的倾斜调整。如图11所示，控制装置16，根据以旋转位置检测机构14检测的基板P的基准速度使旋转机构24旋转。此处，基板P的基准速度，与旋转机构24的旋转量建立对应关系。此旋转量，为图案PT1～PT5的端部PTa与端部PTb在搬送方向会成为相同位置的旋转量、亦即图案PT1～PT5会沿着基板P宽度方向形成的旋转量(倾斜量)。亦即，控制装置16，系根据与被检测的基板P基准速度建立对应关系的旋转量使旋转机构24旋转。具体而言，控制装置16，在形成有图10所示的图案PT1～PT5时，根据基板P的基准速度使旋转机构24旋转，藉此以描绘线LL1～LL5的描绘开始位置PO1位于搬送方向上游侧、描绘线LL1～LL5的描绘结束位置PO2位于搬送方向的下游侧的方式，相对基板P使描绘装置11旋转。

如图11所示，不变化描绘线LL1～LL5的相互位置关系而由旋转机构24使描绘线LL1～LL5整体地倾斜后，与旋转轴I相距较远之侧的描绘线LL1及描绘线LL5，在搬送方向的移动量变大，另一方面，较接近旋转轴I之侧的描绘线LL3，在搬送方向的移动量变小。亦即，描绘线LL1往搬送方向的上游侧大幅移动，而描绘线LL2则往搬送方向的上游侧些微移动。描绘线LL3大致没有在搬送方向的移动。描绘线LL4往搬送方向的下游侧些微移动，描绘线LL5往搬送方向的下游侧大幅移动。因此，通过旋转机构24进行旋转后(倾斜修正后)的描绘线LL1～LL5而描绘于基板P上的各图案PT1～PT5，如图11的虚线所示，形成为在与基板P宽度方向大致相同的方向无倾斜。

另一方面，旋转后(倾斜修正后)曝光的各图案PT1～PT5，在基板P的搬送方向，相应于描绘线LL1～LL5的倾斜形成于略为不同的位置。亦即，图案PT5相对图案PT4形成于搬送方向的下游侧，图案PT4相对图案PT3形成于搬送方向的下游侧，图案PT3相对图案PT2形成于搬送方向的下游侧，图案PT2相对图案PT1形成于搬送方向的下游侧。如上述，在以旋转轴I为中心通过旋转机构24使描绘装置11旋转的情形时，因旋转后的图案PT1～PT5在搬送方向的位置不同，将导致旋转后的图案PT1～PT5在搬送方向产生既定偏移量。因此，控制装置16，根据以旋转位置检测机构14检测的基板P的基准速度，控制各描绘模块UW1～UW5的描绘时点，藉此修正旋转后的图案PT1～PT5在搬送方向的位置。亦即，基板P的基准速度亦与描绘时点的修正量建立对应关系。此处，控制装置16，为了修正描绘时点，将为了描绘于基板P而使用的CAD信息在搬送方向予以修正。

图12，显示在第1实施形态的曝光装置所使用的CAD信息的影像的图。此外，图12中，作为待描绘于基板P上的图案的CAD信息，图示有与图11所示图案PT1～PT5对应的CAD图案CAD1～CAD5。又，图12的以虚线所示的CAD图案CAD1～CAD5，为描绘时点的修正前的CAD图案(设计上的原始数据)CAD1～CAD5，图12的以实线所示的CAD图案CAD1～CAD5，为描绘时点的修正后的CAD图案CAD1～CAD5。

如图12的虚线所示，修正前的CAD图案CAD1～CAD5的各个，为了以与待描绘于基板P上的图案PT1～PT5相同的配置描绘而存放于描绘数据(位图案)用的存储器电路中，在基板P的搬送方向中为相同位置。因此，修正前的CAD图案CAD1～CAD5，沿着基板P的宽度方向配置成一行。

控制装置16，将此修正前的CAD图案CAD1～CAD5，以图11所示的旋转后的图案PT1～PT5在搬送方向成为相同位置的方式、亦即图案PT1～PT5的端部PTa,PTb彼此相接合的方式，以CAD图案CAD5作为基准将CAD图案CAD1～CAD4在搬送方向予以修正。亦即，控制装置16，如图12的实线所示，相应于图11所示的旋转后图案PT1～PT5在搬送方向的位置偏移量，将修正前的CAD图案CAD1～CAD5的各个在搬送方向予以修正。该修正，例如通过将从存储器电路陆续读出修正前的CAD图案CAD1～CAD5各自的描绘数据(位图案)的开始时点错开来进行。

此外，以图11的虚线所示的图案PT1～PT5在搬送方向的偏移量，由于如上述般与基板P的搬送速度建立对应关系，因此控制装置16根据基板P的搬送速度，进行CAD图案CAD1～CAD5在搬送方向的修正(描绘数据的读出开始时点的错开等)。修正后的CAD信息中，CAD图案CAD5相对CAD图案CAD4而位于搬送方向的上游侧，CAD图案CAD4相对CAD图案CAD3而位于搬送方向的上游侧，CAD图案CAD3相对CAD图案CAD2而位于搬送方向的上游侧，CAD图案CAD2相对CAD图案CAD1而位于搬送方向的上游侧。此外，控制装置16，虽以CAD图案CAD5为基准修正其他CAD图案CAD1～CAD4，但亦可以其他CAD图案CAD1～4为基准进行修正。

如此，控制装置16，在曝光装置EX的对准时，与以旋转位置检测机构14检测出的基板P的搬送速度相应地，修正以图12的实线所示的CAD图案CAD1～CAD5在搬送方向的位置，藉此能作为图11的实线所示的图案PT1～PT5而描绘于基板P上。

此外，在曝光装置EX的对准时的描绘线LL1～LL5倾斜的调整，可通过手动使旋转机构24旋转，亦可以控制装置16驱动控制旋转机构24来使之旋转。

其次，说明在曝光装置EX的描绘时，对从基准速度因速度不均而速度仅些微变化且同时被搬送的基板P，将图案PT1～PT5于基板P的宽度方向相接合时的描绘线LL1～LL5的倾斜调整。如图11所示，旋转机构24，对以基准速度搬送的基板P，使描绘线LL1～LL5相对于基板P宽度方向倾斜既定程度，藉此将图案PT1～PT5于基板P宽度方向非常合适地相接合。

在从图11所示状态，使基板P以较基准速度快的搬送速度搬送后，形成于基板P上的图案PT1～PT5，如图10所示倾斜地形成。亦即，图案PT1～PT5的端部PTa，较图案PT1～PT5的端部PTb形成于搬送方向的更下游侧。另一方面，在基板P以较基准速度慢的搬送速度搬送后，形成于基板P上的图案PT1～PT5，与图10所示的图案PT1～PT5逆向地倾斜(图10中往右下倾斜)形成。亦即，图案PT1～PT5的端部PTa，较图案PT1～PT5的端部PTb形成于搬送方向的更上游侧。

控制装置16，在以旋转位置检测机构14检测出的基板P的搬送速度变得较基准速度快时，以描绘线LL1～LL5的描绘开始位置PO1较基准速度的描绘线LL1～LL5的描绘开始位置PO1位于搬送方向的更上游侧、描绘线LL1～LL5的描绘结束位置PO2较基准速度的描绘线LL1～LL5的描绘结束位置PO2位于搬送方向的更下游侧的方式，使旋转机构24旋转，从图11的状态使描绘线LL1～LL5整体进一步绕顺时针旋转。又，在使旋转机构24旋转后，旋转后的图案PT1～PT5的位置会在搬送方向偏移成，图案PT1～PT4较图案PT2～PT5位于搬送方向的更上游侧。因此，控制装置16，使用以描绘于基板P的CAD信息，以CAD图案CAD1～CAD4较CAD图案CAD2～CAD5位于搬送方向的更下游侧的方式，在搬送方向修正描绘时点(从存储器电路读出描绘数据的读出开始时点)。

另一方面，控制装置16，在以旋转位置检测机构14检测出的基板P的搬送速度较基准速度慢时，以描绘线LL1～LL5的描绘开始位置PO1较基准速度的描绘线LL1～LL5的描绘开始位置PO1位于搬送方向的更下游侧、描绘线LL1～LL5的描绘结束位置PO2较基准速度的描绘线LL1～LL5的描绘结束位置PO2位于搬送方向的更上游侧的方式使旋转机构24旋转。又，在使旋转机构24旋转后，旋转后的图案PT1～PT5的位置会在搬送方向偏移成，图案PT1～PT4较图案PT2～PT5位于搬送方向的更下游侧。因此，控制装置16，使用以描绘于基板P的CAD信息，以CAD图案CAD1～CAD4较CAD图案CAD2～CAD5位于搬送方向的更上游侧的方式，在搬送方向修正描绘时点(从存储器电路读出描绘数据的读出开始时点)。

如上述，控制装置16，在曝光装置EX的描绘时，即使基板P因速度不均而从基准速度仅些微变化速度且同时被搬送，亦能根据以旋转位置检测机构14检测出的搬送速度与基准速度的差分，调整描绘线LL1～LL5的整体倾斜。又，控制装置16，将旋转后的图案PT1～PT5在搬送方向的偏移量作为修正量，修正CAD图案CAD1～CAD5在搬送方向的位置(修正描绘开始时点)，藉此能以于基板P宽度方向直线地连结的状态将图案PT1～PT5描绘于基板P上。

此外，旋转机构24的旋转量，较佳为依据基板P的基准速度、搬送速度预先求出。同样地，CAD信息的修正量亦较佳为依据基板P的基准速度、搬送速度预先求出。进而，亦可将基板P的基准速度、自基准速度起的位移、旋转机构24的旋转量、CAD信息的修正量作为建立相关关系的相关图来求出。又，在修正CAD图案CAD1～CAD5在搬送方向的位置(修正描绘开始时点)时，根据以图4或图8所示的高分解能力的编码器读头EN1,EN2(旋转位置检测机构14)的各个检测出的旋转圆筒DR的角度位置(基板P的搬送位置)，开始各描绘线LL1～LL5的描绘(开始从存储器电路存取描绘数据)。具体而言，在以控制装置16计算出通过旋转机构24进行的旋转修正后可能产生的图案PT1～PT5的各个的描绘开始位置PO1与描绘结束位置PO2在搬送方向的偏移量后，即生成于以编码器读头EN1,EN2的各个检测出的旋转圆筒DR的角度位置加上对应该偏移量的±ΔXs的修正的修正位置信息。接着，根据该修正位置信息开始各描绘线LL1～LL5的描绘(开始从存储器电路存取描绘数据)。

以上，第1实施形态能通过根据以旋转位置检测机构14检测出的基板P的搬送速度，以旋转机构24使第2光学平台25旋转，而能调整描绘线LL1～LL5的倾斜。因此，能通过沿着描绘线LL1～LL5扫描的描绘光束LB，将描绘于基板P上的图案PT1～PT5，沿着基板P宽度方向直线地形成。又，在通过旋转机构24进行的第2光学平台25的旋转后，修正CAD图案CAD1～CAD5的描绘时点，而能使描绘于基板P上的图案PT1～PT5在基板P的搬送方向上成为相同位置。是以，由于能将描绘于基板P上的图案PT1～PT5修正成于基板P的宽度方向及搬送方向(长条方向)非常合适地相接合，因此能抑制因速度不均导致的接合误差。

又，第1实施形态，能与以旋转位置检测机构14检测出的基板P的搬送速度相应地，通过控制装置16使旋转机构24即时地旋转。因此，即使在以曝光装置EX进行的描绘中，亦能调整描绘线LL1～LL5相对于基板P宽度方向的倾斜，亦能抑制因旋转圆筒DR的周期性速度不均而产生的接合误差。

又，第1实施形态，在基板P的搬送速度较基准速度快时，使相对于基板P宽度方向的描绘线LL1～LL5，倾斜成较基准速度的描绘线LL1～LL5的描绘开始位置PO1更靠上游侧、且较描绘结束位置PO2更靠下游侧，藉此能非常合适地修正图案PT1～PT5。又，在基板P的搬送速度较基准速度慢时，使相对于基板P宽度方向的描绘线LL1～LL5，倾斜成较基准速度的描绘线LL1～LL5的描绘开始位置PO1更靠下游侧、且较描绘结束位置PO2更靠上游侧，而能非常合适地修正图案PT1～PT5。

又，第1实施形态，由于能包含光偏向器81与扫描器83而构成各描绘模块UW1～UW5，因此能沿着描绘线LL1～LL5于一维方向扫描描绘光束LB。

又，第1实施形态，通过以旋转机构24使设置于第2光学平台25的描绘装置11旋转，藉此能一边维持描绘线LL1～LL5相互的位置关系、一边调整所有描绘线LL1～LL5的倾斜。因此，控制装置16，由于只要控制旋转机构24的旋转即可，因此控制相关的构成能作成简易的构成。

又，第1实施形态，在将从各描绘模块UW1～UW5投射的描绘光束LB在基板P上的尺寸(点径)设为D(μm)，将描绘光束LB沿着描绘线LL1～LL5的扫描速度设为Vp(μm/秒)时，光源装置CNT，能使射出脉冲光的激光光源的发光反复周期T(秒)设为T＜D/Vp的关系。因此，由于能一边使描绘光束LB的点光在基板P上重复，一边将描绘光束LB扫描于扫描方向，因此在光偏向器81为ON状态的期间，描绘光束LB的描绘线为在扫描方向不中断地描绘成连续线。

此外，第1实施形态中，通过以旋转机构24使第2光学平台25旋转，使描绘装置11相对基板P而旋转，而相对基板P宽度方向调整描绘线LL1～LL5的倾斜。然而，并不限定于此构成，只要相对于基板P宽度方向，相对地调整描绘线LL1～LL5的倾斜即可。亦即，曝光装置EX，亦可在XY面内使旋转圆筒DR的旋转中心线AX2以旋转轴I为中心在XY面内旋转的构成。此情形下，可为在基板P的搬送路径中，至少配置于旋转圆筒DR前后的滚轮RT1,RT2(图1)亦成为一体而以旋转轴I为中心在XY面内旋转的构成。

[第2实施形态]

其次，参照图13至图16说明第2实施形态的曝光装置EX。此外，第2实施形态中，为了避免与第1实施形态重复的记载，亦有仅针对与第1实施形态不同的部分进行说明，对与第1实施形态相同的构成要素赋予与第1实施形态相同的符号而省略说明的情形。图13显示第2实施形态的曝光装置的f－θ透镜系的一部分构成的图。图14显示图13的f－θ透镜系的圆柱透镜的构成的图。图15显示通过第2实施形态的曝光装置而描绘于基板上的图案与描绘线的配置关系一例的图。图16显示通过第2实施形态的曝光装置而描绘于基板上的图案与描绘线的配置关系一例的图。第1实施形态的曝光装置EX，通过以旋转机构24使第2光学平台25旋转，而将描绘线LL1～LL5的倾斜整体地调整。相对于此，第2实施形态的曝光装置EX，个别地调整描绘线LL1～LL5的各线的倾斜。

第2实施形态的曝光装置EX中，如图13所示，f－θ透镜系85包含远心f－θ透镜85a与圆柱透镜85b而构成。此外，图13中，省略了在f－θ透镜系85中远心f－θ透镜85a及圆柱透镜85b以外的其他透镜的图示。

远心f－θ透镜85a，使被照射的描绘光束LB在XZ面中成为平行光，在Y方向(扫描方向)则成为会聚光。在XZ面中为平行光的描绘光束LB，往圆柱透镜85b照射。圆柱透镜85b设于远心f－θ透镜85a与基板P之间。圆柱透镜85b具有与描绘线LL1(LL2～LL5亦相同)延伸的扫描方向大致平行的母线，在与母线正交的方向具有既定倍率(屈折力)而将描绘光束LB聚光成点光。又，如图14所示，圆柱透镜85b，为了微调描绘线LL1～LL5的各线相对于基板P宽度方向的倾斜而能以旋转轴I1～I5为中心旋转。旋转轴I1～I5，以包含形成于基板P上的描绘线LL1～LL5的描绘面内的既定点为中心的旋转轴。旋转轴I1～I5，例如以描绘线LL1～LL5延伸的方向的中央为中心的旋转轴，为与描绘光束LB的轴线相同的方向。亦即，奇数号的描绘线LL1,LL3,LL5的旋转轴I1,I3,I5，与设置方位线Le1相同的方向，偶数的描绘线LL2,LL4的旋转轴I2,I4，与设置方位线Le2相同的方向。此圆柱透镜85b，通过驱动部100以旋转轴I1～I5为中心旋转，通过连接于驱动部100的控制装置16控制圆柱透镜85b的旋转。在以圆柱透镜85b的旋转轴I1～I5为中心的旋转下，相对于通过旋转轴I1～I5附近而投射于基板P上的描绘光束的主光线，通过圆柱透镜85b的母线方向(Y方向)两端侧而投射于基板P上的描绘光束的主光线，由于在与圆柱透镜85b的母线及旋转轴I1～I5的任一者均正交的方向些微倾斜，因此能使基板P上的描绘线LL1～LL5些微倾斜。

其次，参照图15，说明描绘线LL1～LL5相对于基板P宽度方向的倾斜的调整。第2实施形态的曝光装置EX，通过以驱动部100使圆柱透镜85b旋转，来相对于基板P的宽度方向使描绘线LL1～LL5倾斜。亦即，圆柱透镜85b，发挥调整描绘线LL1～LL5各自的倾斜的描绘线旋转机构的功能。

驱动部100以旋转轴I1～I5为中心使圆柱透镜85b分别旋转，藉此使各描绘模块UW1～UW5的描绘线LL1～LL5相对基板P的宽度方向倾斜。

此处，说明在曝光装置EX的描绘前(例如对准时)对以基准速度搬送的基板P将图案PT1～PT5在基板P的宽度方向相接合时的描绘线LL1～LL5的倾斜调整。此外，上述情形的第2实施形态中的描绘线LL1～LL5的倾斜调整，由于与第1实施形态中的描绘线LL1～LL5的倾斜调整大致相同，因此针对重复部分省略一部分说明。如图15所示，控制装置16，根据以旋转位置检测机构14检测的基板P的基准速度控制驱动部100使圆柱透镜85b旋转。此时亦同样地，基板P的基准速度，与圆柱透镜85b的旋转量建立对应关系。具体而言，控制装置16，根据基板P的基准速度使圆柱透镜85b旋转，藉此以描绘线LL1～LL5的描绘开始位置PO1位于搬送方向上游侧、描绘线LL1～LL5的描绘结束位置PO2位于搬送方向的下游侧的方式，相对基板P使圆柱透镜85b旋转。

如图15所示，在以旋转轴I1～I5为中心使描绘线LL1～LL5分别倾斜后，各描绘线LL1～LL5在搬送方向的位置大致不变化。因此，通过旋转后的描绘线LL1～LL5而描绘于基板P上的各图案PT1～PT5，如以图15的实线所示，在与基板P宽度方向大致相同的方向直线地形成，又，在基板P搬送方向亦成为相同位置。如上述，图案PT1～PT5，沿着基板P宽度方向相接合成一行而形成。

其次，说明在曝光装置EX的描绘时，对从基准速度因速度不均而速度仅些微变化且同时被搬送的基板P，将图案PT1～PT5于基板P的宽度方向相接合时的描绘线LL1～LL5的倾斜调整。此外，上述情形的第2实施形态中的描绘线LL1～LL5的倾斜调整，由于与第1实施形态中的描绘线LL1～LL5的倾斜调整大致相同，因此对重复部分省略一部分说明。如图15所示，驱动部100，对以基准速度搬送的基板P，使描绘线LL1～LL5相对于基板P宽度方向倾斜既定程度，藉此将图案PT1～PT5于基板P宽度方向非常合适地相接合。

在从图15所示状态，使基板P以较基准速度快的搬送速度搬送后，形成于基板P上的图案PT1～PT5，即以端部PTa较端部PTb位于搬送方向的更下游侧的方式倾斜地形成。另一方面，在基板P以较基准速度慢的搬送速度搬送后，形成于基板P上的图案PT1～PT5，即以端部PTa较端部PTb位于搬送方向的更上游侧的方式倾斜地形成。

控制装置16，在以旋转位置检测机构14检测出的基板P的搬送速度变得较基准速度快时，与第1实施形态同样地，以描绘线LL1～LL5的描绘开始位置PO1较基准速度的描绘线LL1～LL5的描绘开始位置PO1位于搬送方向的更上游侧、描绘线LL1～LL5的描绘结束位置PO2较基准速度的描绘线LL1～LL5的描绘结束位置PO2位于搬送方向的更下游侧的方式，控制各圆柱透镜85b的驱动部100使描绘线LL1～LL5倾斜。另一方面，控制装置16，在以旋转位置检测机构14检测出的基板P的搬送速度较基准速度慢时，以描绘线LL1～LL5的描绘开始位置PO1较基准速度的描绘线LL1～LL5的描绘开始位置PO1位于搬送方向的更下游侧、描绘线LL1～LL5的描绘结束位置PO2较基准速度的描绘线LL1～LL5的描绘结束位置PO2位于搬送方向的更上游侧的方式，控制各圆柱透镜85b的驱动部100使描绘线倾斜。

此处，第2实施形态的曝光装置EX，个别调整描绘线LL1～LL5的倾斜。因此，能隔着中心面p3，区分为上游侧的(奇数号的)描绘模块UW1,UW3,UW5的描绘线LL1,LL3,LL5与下游侧的(偶数号的)描绘模块UW2,UW4的描绘线LL2,LL4而分别调整倾斜。

在曝光装置EX的描绘时产生的速度不均，有在旋转圆筒DR的周方向的旋转位置会不同的情形。具体而言，有在设置方位线Le1的基板P的搬送速度与在设置方位线Le2的基板P的搬送速度不同的情形。此情形下，使奇数号的描绘线LL1,LL3,LL5与偶数号的描绘线LL2,LL4相对基板P同样地倾斜。如此，例如如图16所示，有以奇数号的描绘线LL1,LL3,LL5形成的图案PT1,PT3,PT5沿着基板P宽度方向形成，而另一方面，以偶数号的描绘线LL2,LL4形成的图案PT2,PT4，如以图16的虚线所示相对基板P宽度方向倾斜地形成的情形。其原因在于，由于奇数号的描绘线LL1,LL3,LL5与偶数号的描绘线LL2,LL4在Xs方向分离设置，因此待描绘于基板P上的Xs方向同一领域的图案的描绘中，会有与基板P搬送速度相应的时间差。

控制装置16，检测以旋转位置检测机构14的编码器读头EN1检测的在设置方位线Le1的基板P的搬送速度，又，检测以旋转位置检测机构14的编码器读头EN2检测的在设置方位线Le2的基板P的搬送速度。接着，控制装置16，检测所检测出的在设置方位线Le1的基板P的搬送速度与所检测出的在设置方位线Le2的基板P的搬送速度的速度差。如此，控制装置16，为包含检测在设置方位线Le1的基板P的搬送速度与在设置方位线Le2的基板P的搬送速度的速度差的作为速度差检测机构的功能的构成。接着，控制装置16，根据所检测出的速度差，控制设于偶数号的描绘模块UW2,UW4的各个的圆柱透镜85b的驱动部100来调整偶数号的描绘线LL2,LL4的倾斜。在圆柱透镜85b的旋转调整后曝光于基板P上的图案PT2,PT4，与图案PT1,PT3,PT5同样地，沿着基板P宽度方向直线地形成。

以上，第2实施形态，根据以旋转位置检测机构14检测的基板P的搬送速度，以驱动部100使圆柱透镜85b旋转，藉此能分别调整描绘线LL1～LL5的倾斜。因此，能通过沿着描绘线LL1～LL5扫描的描绘光束LB，将描绘于基板P上的图案PT1～PT5沿着基板P宽度方向直线地形成，又，在基板P搬送方向亦成为相同位置。从而，能将描绘于基板P上的图案PT1～PT5修正为在基板P宽度方向及搬送方向(长条方向)非常合适地相接合，更加抑制因基板P的搬送速度不均导致的接合误差。

又，第2实施形态中，调整描绘线LL1～LL5的倾斜的机构(描绘线旋转机构)能采用由驱动部100与圆柱透镜85b构成的简易构成。

又，第2实施形态，能检测出上游侧的(奇数号的)描绘模块UW1,UW3,UW5的描绘线LL1,LL3,LL5的搬送速度与下游侧的(偶数号的)描绘模块UW2,UW4的描绘线LL2,LL4的搬送速度的速度差，与所检测出的速度差相应地调整描绘线LL1～LL5的倾斜。因此，即使奇数号的描绘模块UW1,UW3,UW5的描绘线LL1,LL3,LL5的描绘时基板P的搬送速度与偶数号的描绘模块UW2,UW4的描绘线LL2,LL4的描绘时基板P的搬送速度不同的情形，由于能将描绘于基板P上的图案PT1～PT5，修正成在基板P宽度方向及搬送方向非常合适地相接合并加以曝光，因此能抑制因速度不均导致的接合误差。

此外，第2实施形态中，虽使描绘线LL1～LL5以旋转轴I1～I5为中心旋转，但旋转中心并不特别限定。例如，亦可使旋转轴I1～I5为描绘线LL1～LL5的描绘开始位置PO1或描绘结束位置PO2。

[第3实施形态]

其次，参照图17说明第3实施形态的曝光装置EX。此外，第3实施形态亦同样地，为了避免与第1及第2实施形态重复的记载，亦有仅针对与第1及第2实施形态不同的部分进行说明，对与第1及第2实施形态相同的构成要素，赋予与第1及第2实施形态相同的符号省略说明的情形。图17显示通过第3实施形态的曝光装置而描绘于基板上的图案与描绘线的配置关系的一例的图。第1实施形态的曝光装置EX通过以旋转机构24使第2光学平台25旋转来将描绘线LL1～LL5的倾斜整体地调整。相对于此，第3实施形态的曝光装置EX，在不改变描绘线LL1～LL5的倾斜的情形下调整描绘时点。

第3实施形态的曝光装置EX中，如图17所示，控制装置16与以旋转位置检测机构14检测出的基板P的搬送速度或搬送位置相应地修正描绘时点。此外，描绘时点的修正与第1实施形态相同，如图12所示，在搬送方向修正为了描绘于基板P所使用的CAD信息。亦即，控制装置16，将与形成于基板P上的图案PT1～PT5对应的CAD图案CAD1～CAD5，以图案PT1～PT5的端部PTa,PTb彼此相接合的方式将CAD图案CAD1～CAD5在搬送方向予以修正。

如此，控制装置16，通过在曝光装置EX的对准时或描绘时，与以旋转位置检测机构14检测出的基板P的搬送速度或搬送位置相应地修正以图12的实线所示的CAD图案CAD1～CAD5在搬送方向的位置，藉此能作为图17所示的图案PT1～PT5描绘于基板P上。

以上，第3实施形态，能根据以旋转位置检测机构14检测出的基板P的搬送速度或搬送位置，修正描绘模块UW1～UW5的描绘时点。因此，虽描绘于基板P上的图案PT1～PT5相对基板P宽度方向成倾斜，但由于能以相接合于基板P宽度方向的方式修正，因此能抑制因速度不均导致的接合误差。

[第4实施形态]

其次，参照图18说明第4实施形态的曝光装置EX。此外，第4实施形态亦同样地，为了避免与第1～第3实施形态重复的记载，亦有仅针对与第1～第3实施形态不同的部分进行说明，对与第1～第3实施形态相同的构成要素，赋予与第1～第3实施形态相同的符号省略说明的情形。图18显示通过第4实施形态的曝光装置而描绘于基板上的图案与描绘线的配置关系的一例的图。第1～第3实施形态的曝光装置EX，其沿着描绘线LL1～LL5扫描的描绘光束LB的扫描方向均为相同方向。相对于此，第4实施形态的曝光装置EX，其描绘线LL1～LL5中沿着奇数号的描绘模块UW1,UW3,UW5的描绘线LL1,LL3,LL5扫描的描绘光束LB的扫描方向与沿着偶数号的描绘模块UW2,UW4的描绘线LL2,LL4扫描的描绘光束LB的扫描方向为相反方向。

第4实施形态的曝光装置EX中，如图18所示，从多个描绘模块UW1～UW5的各个投射至基板P的描绘光束LB的点光，沿着直线的描绘线LL1～LL5从描绘开始位置PO1往描绘结束位置PO2在Y方向扫描。此时，沿着描绘线LL1,LL3,LL5扫描的描绘光束LB的点光的扫描方向与沿着描绘线LL2,LL4扫描的描绘光束LB的点光的扫描方向为相反方向。此事可通过使图7所示的各描绘模块的旋转多面镜97均往相同方向(例如均绕逆时针)旋转来予以实现。

因此，通过沿着描绘线LL1,LL3,LL5(设定于与中心面p3平行的直线上)扫描的描绘光束LB形成于基板P上的图案PT1,PT3,PT5，受到基板P搬送速度的影响，而例如在图18的纸面内往右上倾斜形成。亦即，图案PT1,PT3,PT5右侧的端部PTa，相较于图案PT1,PT3,PT5左侧的端部PTb形成于搬送方向的更下游侧。另一方面，通过沿着描绘线LL2,LL45(设定于与中心面p3平行的直线上)扫描的描绘光束LB形成于基板P上的图案PT2,PT4，受到基板P搬送速度的影响，而往与图案PT1,PT3,PT5相反方向、亦即在图18的纸面内往左上倾斜形成。亦即，图案PT2,PT4右侧的端部PTb，相较于图案PT2,PT4左侧的端部PTa形成于搬送方向的更上游侧。

进而，若奇数号的描绘线LL1,LL3,LL5与偶数号的描绘线LL2,LL4的Xs方向间隔为一定，无基板P搬送速度的不均，各描绘模块的旋转多面镜97的旋转速度为一致，则以描绘线LL1描绘的图案PT1左侧的端部PTb与以描绘线LL2描绘的图案PT2右侧的端部PTb，在基板P宽度方向(Y方向)与搬送方向(Xs方向)相接合。同样地，以描绘线LL2描绘的图案PT2左侧的端部PTa与以描绘线LL3描绘的图案PT3右侧的端部PTa亦在Y方向与Xs方向相接合，以描绘线LL3描绘的图案PT3左侧的端部PTb与以描绘线LL4描绘的图案PT4右侧的端部PTb亦在Y方向与Xs方向相接合，以描绘线LL4描绘的图案PT4左侧的端部PTa与以描绘线LL5描绘的图案PT5右侧的端部PTa亦在Y方向与Xs方向相接合。

如第4实施形态所示，若使沿着描绘线LL1,LL3,LL5扫描的描绘光束LB的点光的扫描方向与沿着描绘线LL2,LL4扫描的描绘光束LB的点光的扫描方向为相反方向，则只要基板P搬送速度无不均，即使描绘于基板P上的图案PT1～PT5相对基板P宽度方向(Y轴)些微倾斜，仍可在基板P宽度方向相接合。

图19，显示如图18般修正描绘于基板P上的图案PT1～PT5的各个些微倾斜的情形，此处，与先前第2实施形态(图14)同样地，通过以驱动部100使f－θ透镜系85的圆柱透镜85b以旋转轴I1～I5为中心微幅旋转，来个别地调整描绘线LL1～LL5的倾斜。

如图19所示，以描绘线LL1,LL3,LL5的描绘开始位置PO1位于搬送方向的上游侧(－Xs方向)、描绘线LL1,LL3,LL5的描绘结束位置PO2位于搬送方向的下游侧(+Xs方向)的方式，通过驱动部100使各描绘模块UW1,UW3,UW5内的圆柱透镜85b相对基板P旋转。另一方面，以描绘线LL2,LL4的描绘开始位置PO1位于搬送方向的上游侧(－Xs方向)、描绘线LL2,LL4的描绘结束位置PO2位于搬送方向的下游侧(+Xs方向)的方式，通过驱动部100使圆柱透镜85b相对基板P旋转。

如图19所示，在以旋转轴I1～I5为中心使描绘线LL1～LL5分别倾斜后，以旋转后的描绘线LL1～LL5而描绘于基板P上的图案PT1～PT5，如以图19的实线所示在与基板P宽度方向大致相同方向直线地排列形成，又，在基板P的搬送方向(Xs方向)成为相同位置。如此，只要基板P搬送速度精密地一定且无速度不均，则描绘出的图案PT1～PT5，会沿着基板P宽度方向直线地相接而形成为一行。此外，虽亦与第2实施形态相同，但奇数号的f－θ透镜系85的圆柱透镜85b的旋转轴I1,I3,I5与Y－Xs面相交的点，位于与Y轴平行的线上。

在曝光装置EX的描绘时，在设置方位线Le1的基板P的搬送速度与在设置方位线Le2的基板P的搬送速度不同的情形，与第2实施形态同样地，例如如以图20的实线所示，以奇数号的描绘线LL1,LL3,LL5形成的图案PT1,PT3,PT5沿着基板P宽度方向形成，而另一方面，如以图20的虚线所示，以偶数号的描绘线LL2,LL4形成的图案PT2,PT4，相对基板P宽度方向倾斜地形成。

因此，控制装置16，检测以旋转位置检测机构14的编码器读头EN1检测的在设置方位线Le1的基板P的搬送速度与以旋转位置检测机构14的编码器读头EN2检测的在设置方位线Le2的基板P的搬送速度的速度差。接着，控制装置16，根据所检测出的速度差调整偶数号的描绘线LL2,LL4的倾斜。旋转后的图案PT2,PT4，与图案PT1,PT3,PT5同样地沿着基板P宽度方向形成。

以上，第4实施形态，根据以旋转位置检测机构14检测的基板P的搬送速度，以驱动部100使圆柱透镜85b旋转，藉此能分别调整描绘线LL1～LL5的倾斜。因此，能通过沿着描绘线LL1～LL5扫描的描绘光束LB，将描绘于基板P上的图案PT1～PT5沿着基板P宽度方向不倾斜地精密地接合形成，又，在基板P的搬送方向亦能在相同位置接合。从而，由于能将描绘于基板P上的图案PT1～PT5修正为在基板P宽度方向非常合适地相接合，因此即使未如第1实施形态般修正描绘时点，亦能抑制因速度不均导致的接合误差。

此外，第4实施形态亦与第2实施形态同样地，虽使描绘线LL1～LL5以旋转轴I1～I5为中心旋转，但旋转中心并不特别限定。例如，亦可使旋转轴I1～I5为描绘线LL1～LL5的描绘开始位置PO1或描绘结束位置PO2。

又，第1～第4实施形态中，虽使用形成于旋转圆筒DR外周面的标尺部GPa,GPb检测旋转圆筒DR的旋转位置(基板P的移动位置)或搬送速度，但不限定于此构成。例如，亦可于旋转圆筒DR安装高真圆度的标尺圆盘。此标尺圆盘，于外周面刻设有标尺部GPa,GPb，于旋转圆筒DR端部固定成与旋转中心线AX2正交。因此，标尺圆盘，绕旋转中心线AX2而与旋转圆筒DR一体地旋转。又，标尺圆盘，采用低热膨张的金属、玻璃、陶瓷等作为母材，为了提高测量分解能力而作成尽可能大的直径(例如直径20cm以上)。标尺圆盘，通过使卷绕于旋转圆筒DR的基板P的外周面直径与标尺圆盘的标尺部GPa,GPb的直径一致(大致一致)，而能更加减少所谓测量阿贝误差。

再者，亦可将第1～第4实施形态的各构成适当组合。例如能一边如第1实施形态般以旋转机构24使多个描绘模块UW1～UW5整体微幅旋转，一边如第2实施形态(或第4实施形态)般使各描绘模块UW1～UW5的f－θ透镜系85的圆柱透镜85b个别地微幅旋转。进而，如图3所示，能通过使形成于基板P上的多个对准标记Ks1,Ks2,Ks各自的位置，以对应的对准显微镜AM1来检测，而持续地测量基板P上的曝光领域A7的二维的伸缩变形或非线性的扭曲变形等倾向。

因此，通过以配合以对准显微镜AM1测量的曝光领域A7的二维的伸缩变形或非线性的扭曲变形等的方式，将描绘线LL1～LL5的各线或整体在基板P表面上即时地修正成微幅倾斜，即能将基板P上的曝光领域A7内已形成的图案层与待迭合曝光于其上的描绘图案的迭合精度在曝光领域A7内各处抑制于容许范围内。

又，第1～第4实施形态，均以旋转圆筒DR的外周面支承基板P并使旋转圆筒DR旋转，藉此一边将基板P搬送于长边方向，一边将图案描绘于以基板P的旋转圆筒DR支承的部分的构成，但并不限于此。例如，亦可在吸附支承于将基板P平面地支承的载台表面的状态一边将载台与基板P均搬送于长边方向，一边描绘图案的构成，或亦可在将基板P载置于支承台的平坦表面上的状态下，于支承台表面与基板P背面之间形成空气轴承层，而一边以非接触或低摩擦状态将基板P支承成平面状搬送，一边描绘图案的构成。

再者，第1～第4实施形态的各个中，在调整描绘线LL1～LL5整体在XY面内的倾斜时，虽使图2所示的旋转机构24与第2光学平台25微幅旋转，但亦可将轴支旋转圆筒DR的轴部Sf2两端的轴承等的位置往X方向错开些许，而使旋转圆筒DR整体在XY面内倾斜。又，在将支承于旋转圆筒DR上的基板P的长边方向的搬送速度从基准速度变更时，或者于搬送速度产生速度不均时，亦可与该变更后的速度或速度不均相应地动态地变更描绘单元UW1～UW5各自的旋转多面镜97的旋转速度。亦即，亦可以沿着描绘线LL1～LL5的各线扫描的点光的扫描速度(主扫描速度)Vp与基板P的长边方向的搬送速度(副扫描速度)Vxs的比率，在基板P搬送速度已变化的情形亦大致成为一定的方式，控制旋转多面镜97的旋转速度。

＜元件制造方法＞

其次，参照图21说明元件制造方法。图21显示各实施形态的元件制造方法的流程图。

图21所示的元件制造方法，首先，进行例如使用有机EL等自发光元件形成的显示面板的功能、性能设计，以CAD等设计所需的电路图案及配线图案(步骤S201)。并准备卷绕有作为显示面板的基材的可挠性基板P(树脂薄膜、金属箔膜、塑胶等)的供应用卷筒(步骤S202)。此外，于此步骤S202中准备的卷筒状基板P，可以是视需要将其表面改质者、或事前已形成底层(例如通过印记(imprint)方式的微小凹凸)者、或预先积层有光感应性的功能膜或透明膜(绝缘材料)者。

接着，于基板P上形成构成显示面板元件的以电极或配线、绝缘膜、TFT(薄膜半导体)等构成的底板层，并以积层于该底板的方式形成以有机EL等自发光元件构成的发光层(显示像素部)(步骤S203)。于此步骤S203中，亦包含使用于先前各实施形态说明的曝光装置EX，对光刻胶剂层进行曝光的已知光刻工艺、对取代光刻胶剂而涂有感光性硅烷耦合剂的基板P进行图案曝光以于表面形成亲拨水性的图案的曝光工艺、对光感应性的触媒层进行图案曝光以通过无电解镀敷法形成金属膜图案(配线、电极等)的湿式工艺、或以含有银纳米粒子的导电性墨水等描绘图案的印刷工艺等的处理。

接着，针对以卷筒方式于长条基板P上连续制造的每一显示面板元件切割基板P、或于各显示面板元件表面贴合保护膜(耐环境障壁层)或彩色滤光片膜等，组装元件(步骤S204)。接着，进行显示面板元件是否可正常作动、或是否满足所欲性能及特性的检查步骤(步骤S205)。经由以上方式，即能制造显示面板(可挠性显示器)。

附图标号

1 元件制造系统

11 描绘装置

12 基板搬送机构

13 装置框架

14 旋转位置检测机构

16 控制装置

21 本体框架

22 三点座支承部

23 第1光学平台

24 旋转机构

25 第2光学平台

31 校准检测系

44 XY整体二等分调整机构

45 XY单侧二等分调整机构

51 1/2波长板

52 偏光分束器

53 散光器

60 第1分束器

62 第2分束器

63 第3分束器

73 第4分束器

81 光偏向器

82 1/4波长板

83 扫描器

84 弯折镜

85 f－θ透镜系

86 Y倍率修正用光学构件

92 遮光板

96 反射镜

97 旋转多面镜

98 原点检测器

100 驱动部

P 基板

U1,U2 处理装置

EX 曝光装置

AM1,AM2 对准显微镜

EVC 调温室

SU1,SU2 防振单元

E 设置面

EPC 边缘位置控制器

RT1,RT2 张力调整滚轮

DR 旋转圆筒

AX2 旋转中心线

Sf2 轴部

p3 中心面

DL 松弛

UW1～UW5 描绘模组

CNT 光源装置

LB 描绘光束

I 旋转轴

LL1～LL5 描绘线

PBS 偏光分束器

A7 曝光领域

SL 分歧光学系(光束分配系)

Le1～Le4 设置方位线

Vw1～Vw6 观察区域

Ks1～Ks3 对准标记

GPa,GPb 标尺部

EN1～EN4 编码器读头

PT1～PT5 图案

Claims (15)

1.一种基板处理装置，其使基板往与宽度方向交叉的搬送方向移动，将根据描绘数据而调变强度后的描绘光束，一边投射至前述基板上一边于前述宽度方向进行扫描以于前述基板上描绘图案，该基板处理装置具备：

基板搬送机构，一边支承前述基板、一边将前述基板以既定速度往前述搬送方向搬送；

描绘装置，具有排列于前述宽度方向的多个描绘模块，前述多个描绘模块沿着将投射于前述基板的前述描绘光束于较前述基板的宽度窄的范围远心地扫描于前述宽度方向而得到的描绘线将既定图案描绘于前述基板上，前述描绘装置在将前述多个描绘模块的各个依前述宽度方向的排列顺序设为奇数号与偶数号时，以通过彼此相邻的前述奇数号的描绘模块的描绘线与前述偶数号的描绘模块的描绘线的各个而描绘于前述基板上的图案彼此在前述基板宽度方向相接合的方式，前述奇数号的描绘线与前述偶数号的描绘线于前述搬送方向相隔既定间隔配置，并且从前述宽度方向观察时，前述奇数号的描绘模块与前述偶数号的描绘模块隔着前述既定的间隔而对称地配置，借此，使沿着前述奇数号的描绘线的前述描绘光束的扫描方向，与沿着前述偶数号的描绘线的前述描绘光束的扫描方向为相反方向；

基板速度检测装置，检测出前述基板的搬送速度的变化；

倾斜调整机构，用以调整前述奇数号的描绘线与前述偶数号的描绘线的各个相对于前述基板宽度方向的相对倾斜；以及

控制装置，和以前述基板速度检测装置检测出的前述搬送速度的变化相应地控制前述倾斜调整机构。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，前述控制装置，在以前述基板速度检测装置检测出的前述搬送速度较既定的基准速度快时，控制前述倾斜调整机构，使前述奇数号与前述偶数号的各个的前述描绘线的描绘开始侧位于较前述基准速度的前述描绘线的描绘开始侧在前述搬送方向上游侧，使前述奇数号与前述偶数号的各个的前述描绘线的描绘结束侧位于较前述基准速度的前述描绘线的描绘结束侧在前述搬送方向下游侧。

3.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，前述控制装置，在以前述基板速度检测装置检测出的前述搬送速度较既定的基准速度慢时，控制前述倾斜调整机构，使前述奇数号与前述偶数号的各个的前述描绘线的描绘开始侧位于较前述基准速度的前述描绘线的描绘开始侧在前述搬送方向下游侧，使前述奇数号与前述偶数号的各个的前述描绘线的描绘结束侧位于较前述基准速度的前述描绘线的描绘结束侧在前述搬送方向上游侧。

4.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其中，前述多个描绘模块的各个，具有为了在沿着前述描绘线的一方向扫描前述描绘光束的期间中进行前述图案的描绘动作而产生根据前述图案的描绘数据调变强度后的前述描绘光束的调变器，与将前述描绘光束沿着前述描绘线一维扫描的扫描器。

5.如权利要求4所述的基板处理装置，其中，前述描绘装置具备保持前述多个描绘模块的平台；

前述倾斜调整机构包含旋转机构，该旋转机构以包含以前述多个描绘模块的各个形成的前述描绘线的描绘面内的既定点为中心，在前述描绘面内使前述平台旋转。

6.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其中，前述描绘装置包含保持前述多个描绘模块的平台；

前述倾斜调整机构包含旋转机构，该旋转机构以包含以前述多个描绘模块形成的各前述描绘线的描绘面内的既定点为中心，在前述描绘面内使前述平台旋转；

前述控制装置，和以前述基板速度检测装置检测出的前述搬送速度的变化相应地驱动控制前述旋转机构。

7.如权利要求6所述的基板处理装置，其中，前述控制装置，以由在前述宽度方向彼此相邻的前述奇数号的描绘线与前述偶数号的描绘线的各个所描绘的图案彼此的接合部，在前述旋转机构所致的前述平台的旋转后亦在前述搬送方向或前述宽度方向中于前述基板上为同一位置的方式，修正前述描绘模块的各个的描绘时点。

8.如权利要求4所述的基板处理装置，其中，前述描绘装置更具备产生脉冲光作为前述描绘光束的脉冲光源；

在将从前述描绘模块投射的前述描绘光束在前述基板上的点光的尺寸设为D(μm)，将前述描绘光束的沿着前述描绘线的扫描速度设为Vp(μm/秒)时，使前述脉冲光源的发光反复周期T(秒)成为T<D/Vp的关系。

9.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其中，前述倾斜调整机构具备描绘线旋转机构，该描绘线旋转机构设于前述奇数号与前述偶数号的描绘模块的各个，以包含形成于前述基板上的前述描绘线的描绘面内的既定点为中心，在前述描绘面内使前述奇数号与前述偶数号的描绘线的各个旋转；

前述控制装置，和以前述基板速度检测装置检测出的前述搬送速度的变化相应地，驱动控制于每个前述奇数号与前述偶数号的描绘模块设置的前述描绘线旋转机构的各个。

10.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其中，前述多个描绘模块的各个具有：

旋转多面镜，将射向前述基板的前述描绘光束偏向扫描至一方向；

f－θ透镜，将被以前述旋转多面镜偏向扫描的前述描绘光束引导至前述基板上的前述描绘线；以及

圆柱透镜，设于前述f－θ透镜与前述基板之间，具有与前述描绘线延伸的方向大致平行的母线，将前述描绘光束聚光于与该母线正交的方向；

前述描绘线旋转机构，通过使前述圆柱透镜旋转以使前述描绘线相对倾斜。

11.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其中，前述奇数号的描绘模块与前述偶数号的描绘模块中的一方设于前述基板的搬送方向上游侧，前述奇数号的描绘模块与前述偶数号的描绘模块中的另一方设于前述基板的搬送方向下游侧；

前述控制装置包含速度差检测机构，该速度差检测机构检测前述基板在前述上游侧的描绘模块所形成的前述描绘线的上游侧搬送速度与前述基板在前述下游侧的描绘模块所形成的前述描绘线的下游侧搬送速度的差，

依据该检测出的速度差，以前述倾斜调整机构调整前述下游侧的描绘模块所形成的前述描绘线的倾斜。

12.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其中，前述基板搬送机构具有旋转圆筒，该旋转圆筒具有从延伸于前述基板宽度方向的中心线起一定半径的圆筒状外周面，而于前述圆筒状外周面支承前述基板，通过绕前述中心线旋转，使前述基板往前述搬送方向搬送；

前述多个描绘模块的各个，配置为形成于前述基板上的前述描绘线的方向与前述旋转圆筒的中心线的方向一致。

13.一种具有可挠性的片状的基板上形成电子元件的元件制造方法，包含：

第1步骤，于前述基板的表面一样地或选择性地形成光感应层；

第2步骤，使用权利要求1至12中任一项所述的基板处理装置，将来自前述多个描绘模块的各个的前述描绘光束对前述基板的前述光感应层扫描，以于前述基板上的光感应层描绘用以形成前述电子元件的相接合的图案；以及

第3步骤，藉由对在前述第2步骤中已被描绘的前述光感应层进行处理，于基板上形成与前述相接合的图案对应的前述电子元件的层构造。

14.如权利要求13所述的元件制造方法，其中，在前述第1步骤中，将需要显影处理的感光性机能层与无需显影处理的感光性机能层中任一方的溶液，通过以涂布装置于前述基板的表面一样地或选择性地涂布并干燥而形成前述光感应层。

15.如权利要求14所述的元件制造方法，其中，前述描绘光束是于波长450nm以下的紫外区具有振荡峰值的激光，

前述无需显影处理的感光性机能层是通过在第2步骤中的前述描绘光束的投射与非投射而改质表面的亲拨液性的感光性硅烷耦合剂材，或通过在前述的2步骤中的前述描绘光束的投射与非投射于表面选择性地露出镀敷还元基的感光性还元材。

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