JP5319175B2 - パターン描画方法及び装置 - Google Patents
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ビーム照射側もしくは基板側を移動する場合にも、高精度なパターンの形成を可能とするために、
パターンを有するマスクと基板を相対的に移動させつつ、露光用のビームを基板上に照射してパターンを形成するパターンの描画方法において、
前記基板の相対的な移動方向と前記ビームの照射方向及び照射位置とのずれと、これらのずれに伴う前記基板上に形成されるパターンの傾きのずれを解消するように、変化する加工パターンと加工速度に対応した基板の移動速度に合わせて、前記マスクの傾き及び前記基板への前記ビームの照射位置を制御することを最も主要な特徴としている。
露光用のビームを照射するビーム照射手段と、
パターンを有するマスク及びこのマスクの傾きを制御するマスク角度補正手段と、
前記マスクを通過した前記ビームを基板の所定位置に照射するスキャニング装置の制御、及び発振器、ビーム成形手段、反射鏡、マスク、スキャニング装置、集光レンズを一体とする回転制御によりビームの照射位置を制御するビーム位置補正手段と、
前記スキャニング装置を介して前記基板上に照射する前記ビームを集光する集光手段と、
前記基板を載置して移動するステージと、
前記ビーム位置補正手段に、前記基板の相対的な移動方向と前記ビームの照射位置とのずれを補正する制御信号を、
前記マスク角度補正手段に、前記のずれに伴う前記基板上に形成されるパターンの傾きのずれを補正する制御信号を、
それぞれ送信するビーム照射位置補正制御手段を備えた本発明のパターン描画装置を用いて実施できる。
図1のように、発振器1より照射された露光用のビームは、ビーム成形手段2で均一化された後、繰り返しパルスとしてマスク3に照射され、ステージ4上の基板5にマスク3のパターン形状をスタンプしたような描画(スタンピング)を行う。
2 ビーム成形手段
3 マスク
4 ステージ
5 基板
6 反射鏡
7 スキャニング装置
8 集光レンズ
9 ビーム照射位置補正制御手段
10 ビーム位置補正手段
11 マスク補正手段
Claims (3)
- パターンを有するマスクと基板を相対的に移動させつつ、露光用のビームを基板上に照射してパターンを形成するパターンの描画方法において、
前記基板の相対的な移動方向と前記ビームの照射方向及び照射位置とのずれと、これらのずれに伴う前記基板上に形成されるパターンの傾きのずれを解消するように、変化する加工パターンと加工速度に対応した基板の移動速度に合わせて、前記マスクの傾き及び前記基板への前記ビームの照射位置を制御することを特徴とするパターン描画方法。 - 前記ビームの照射位置は、スキャニング装置の制御、及び発振器、ビーム成形手段、反射鏡、マスク、スキャニング装置、集光レンズを一体として回転させることで制御することを特徴とする請求項1に記載のパターン描画方法。
- 露光用のビームを照射するビーム照射手段と、
パターンを有するマスク及びこのマスクの傾きを制御するマスク角度補正手段と、
前記マスクを通過した前記ビームを基板の所定位置に照射するスキャニング装置の制御、及び発振器、ビーム成形手段、反射鏡、マスク、スキャニング装置、集光レンズを一体とする回転制御によりビームの照射位置を制御するビーム位置補正手段と、
前記スキャニング装置を介して前記基板上に照射する前記ビームを集光する集光手段と、
前記基板を載置して移動するステージと、
前記ビーム位置補正手段に、前記基板の相対的な移動方向と前記ビームの照射位置とのずれを補正する制御信号を、
前記マスク角度補正手段に、前記のずれに伴う前記基板上に形成されるパターンの傾きのずれを補正する制御信号を、
それぞれ送信するビーム照射位置補正制御手段を備えたことを特徴とするパターン描画装置。
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