CN108899190A - 一种梯度钕铁硼磁体及其制作方法 - Google Patents

一种梯度钕铁硼磁体及其制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种梯度钕铁硼磁体及其制作方法，其特点是，通过在钕铁硼磁体薄片的局部区域进行重稀土元素覆盖并扩散处理制备一种性能梯度变化的磁体，该梯度钕铁硼磁体沿垂直于磁化方向按照矫顽力大小及变化规律可以划分为3个不同区域，且呈现靠近边缘的区域矫顽力高，靠近中心的区域矫顽力低；本发明的梯度钕铁硼磁体只在磁体边缘的易退磁区进行了重稀土扩散处理具有较高的矫顽力，而在其余部分不进行扩散处理，重稀土原料使用量少。

Description

一种梯度钕铁硼磁体及其制作方法
技术领域：
本发明涉及钕铁硼磁体加工技术领域，具体地讲是一种梯度钕铁硼磁体及其制作方法。
背景技术：
钕铁硼磁体自1983出现以来，被广泛的应用于计算机、汽车、医疗及风力发电等领域；钕铁硼磁体在应用过程中会产生剩磁降低的情况，对钕铁硼磁体的应用产生了不好的影响。在诸多的应用领域，钕铁硼磁体的退磁场主要作用在磁体的边缘区域，提高该区域的矫顽力能显著提高钕铁硼磁体在实际使用过程中的整体抗退磁性。
目前扩散工艺被广泛的用于增加钕铁硼磁体的矫顽力，常规的扩散工艺为通过将钕铁硼磁体置于含有镝，铽等重稀土元素的环境中，并经过高温扩散和时效处理，使得镝，铽元素沿晶界扩散至钕铁硼磁体的Nd2Fe14B相边界，提高Nd2Fe14B的磁各向异性，进而有效的提高钕铁硼磁体矫顽力。但此类方法一般会将磁体的垂直磁化方向的两个面全部涂抹重稀土材料或者将磁体的所有面均涂抹重稀土元素（包含将整个磁体埋入重稀土元素中）后进行扩散处理，此种扩散并未针对磁体实际应用中的易退磁区域进行局部扩散处理提高局部区域的矫顽力，而是通过整体扩散的方式提高磁体整体矫顽力来提高实际应用过程中的抗退磁性，因此重稀土元素整体涂覆面积较大，重稀土元素的整体使用量相对较大。
信越化学工业柱式会社，公开号为CN101939804B 的文件中公开了：在钕铁硼磁体的四个平行于充磁方向的表面上涂覆Dy或Tb的氧化物，Dy或Tb的氟化物，或含Dy或Tb的合金粉末，高温扩散后，将磁体沿垂直于充磁方向的平面中切割成一定厚度的磁体，获得在切割截面上的边缘易退磁区具有较高的矫顽力，而向内部矫顽力较低的钕铁硼磁体。但此方法中重稀土元素的扩散方向垂直磁化方向，高矫顽力区尺寸范围完全由重稀土元素扩散深度控制，导致可控性差，难以根据磁体实际使用环境及使用需求调整高矫顽力区的尺寸范围。
发明内容：
本发明的目的是克服上述已有技术的不足，而提供一种梯度钕铁硼磁体。
本发明的另一目的是提供一种梯度钕铁硼磁体的制作方法。
本发明主要解决现有的扩散工艺用提高磁体整体矫顽力来提高实际应用过程中的抗退磁性，重稀土元素的整体使用量相对较大，及采用在钕铁硼磁体的四个平行于充磁方向的表面上涂覆Dy或Tb的氧化物的方法，可控性差等问题。
本发明的技术方案是：一种梯度钕铁硼磁体，其特殊之处在于，所述的梯度钕铁硼磁体是由钕铁硼磁体薄片垂直磁化方向的两个表面覆盖镝、铽或含镝，铽元素的合金或化合物粉末层，采用激光照射使钕铁硼磁体薄片表面边缘位置处的粉末固化成重稀土膜层并与钕铁硼磁体薄片表面发生粘连，然后将钕铁硼磁体薄片表面未成膜的粉末层清理干净，将覆盖有重稀土膜层的钕铁硼磁体薄片放入到真空烧结炉内，进行高温扩散和时效处理制得；所述的梯度钕铁硼磁体在垂直于磁化方向的面上，分为边缘区、过渡区和中心区三个区域；所述的边缘区内的矫顽力，沿垂直磁化方向上具有恒定值，沿磁化方向，矫顽力由表面到中心呈现逐步降低的趋势，过渡区内的矫顽力沿垂直磁化方向由外到内逐步减小，沿磁化方向，矫顽力由表面到中心呈现逐步降低的趋势，中心区内的矫顽力，沿垂直磁化方向和磁化方向具有恒定值。
进一步的，所述的边缘区的平均矫顽力大于过渡区的平均矫顽力，过渡区的平均矫顽力大于中心区的平均矫顽力。
本发明的一种梯度钕铁硼磁体的制作方法，其特殊之处在于，包括如下工艺步骤：
a将磁化方向厚度为2-10mm钕铁硼磁体薄片，按照磁化方向竖直的方式放置到氩气保护仓内，将镝、铽或含镝，铽元素的合金或化合物粉末均匀的覆盖在钕铁硼磁体薄片上表面，并采用激光照射覆盖有重稀土粉末的钕铁硼磁体薄片表面的边缘位置，使得钕铁硼磁体薄片表面边缘位置处的重稀土粉末迅速加热固化成重稀土膜层并与钕铁硼磁体薄片发生粘连；
b将钕铁硼磁体薄片表面未成膜的重稀土粉末清理干净;
c将钕铁硼磁体薄片进行翻转180°，在钕铁硼磁体薄片的另一个垂直磁化方向的面上重复上述步骤；
d将覆盖有重稀土膜层的钕铁硼磁体薄片放入到真空烧结炉内，在真空条件或者氩气保护条件下对钕铁硼磁体薄片进行高温扩散和时效处理。
进一步的，所述的钕铁硼磁体薄片长度和宽度方向最小尺寸为10mm。
进一步的，所述的镝、铽或含镝，铽元素的合金或化合物粉末的粒径为1-300μm。
进一步的，所述的钕铁硼磁体薄片上所覆盖的重稀土粉末与钕铁硼磁体薄片的质量百分比在激光照射前为0.1%-2%。
进一步的，所述的激光照射后钕铁硼磁体薄片表面的重稀土膜层面积占钕铁硼磁体薄片粉末覆盖面面积的10%-65%。
进一步的，所述的d步骤的扩散温度为850-950℃，扩散时间为6-72h，时效温度为450-650℃，时效时间为3-15h。
本发明所述的一种梯度钕铁硼磁体及其制作方法，根据钕铁硼磁体实际应用过程中边缘区域易退磁的原理，通过激光成膜的方式将重稀土粉末固定在钕铁硼磁体表面的边缘区域，并经过扩散后制备出一种边缘易退磁区域具有较高矫顽力的梯度钕铁硼磁体，由于扩散过程只需在局部区域进行，因此最大限度的节约了重稀土元素。
本发明所述的一种梯度钕铁硼磁体及其制作方法与已有技术相比具有突出的实质性特点和显著进步，利用重稀土金属粉末激光熔覆成膜的方式，在钕铁硼磁体易退磁的边缘区域表面获得重稀土膜层，并结合晶界扩散技术使得钕铁硼磁体的边缘易退磁区域的矫顽力得到提升，从而提升钕铁硼磁体的整体抗退磁性；与传统的扩散技术和扩散产品相比，磁体局部区域性能可控性强，重稀土材料的有效利用率高。
附图说明：
图1是钕铁硼磁体薄片表面均匀覆盖重稀土粉末后的俯视图；
图2是图1的侧面图；
图3是覆盖有重稀土粉末的钕铁硼磁体薄片表面经过激光照射后的俯视图；
图4是图3的侧面图；
图5是钕铁硼磁体薄片表面激光照射并清理后的俯视图；
图6是图5的侧面图；
图7是梯度钕铁硼磁体的三个区域在沿垂直于磁化方向的平面上的矫顽力分布示意图；
图8是边缘区内矫顽力沿磁化方向上的分布示意图；
图9是过渡区内矫顽力沿磁化方向上的分布示意图；
图10是中心区内矫顽力沿磁化方向上的分布示意图。
具体实施方式：
以下对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限制本发明的范围。
实施例1，参见图1、2、3、4、5、6，梯度钕铁硼磁体的制作方法如下：
将多个尺寸20mm*20mm*5mm（T）的钕铁硼磁体薄片1按照磁化方向竖直的方式紧密且均匀的摆放在氩气仓内，将平均粒度为5微米的铽粉末，均匀的覆盖在钕铁硼磁体薄片表面，铽粉末重量为钕铁硼磁体薄片重量的0.5%，之后将覆盖有铽粉末层2的钕铁硼磁体薄片1移动至激光器下，使用激光器对钕铁硼磁体薄片1表面距离边缘2mm内的区域进行照射（照射面积约占重稀土粉末覆盖面积的36%），使得此区域内的铽粉末迅速加热固化成重稀土膜层3并与钕铁硼磁体薄片1表面发生粘连，将钕铁硼磁体薄片表面未成膜的粉末清理干净后，将钕铁硼磁体薄片翻面，并在另一面上均匀覆盖铽粉末，铽粉末重量为钕铁硼磁体薄片重量的0.5%，之后使用激光器对钕铁硼磁体薄片表面距离边缘2mm内的区域进行扫描，使得此区域内的粉末迅速加热固化成重稀土膜层3并与钕铁硼磁体[杨昆昆1] [杨昆昆2] 1表面发生粘连，将钕铁硼磁体薄片表面未成膜的粉末清理干净后，放入到真空炉内进行900℃*24h+500℃*6h时效处理；扩散处理后形成梯度钕铁硼磁体，在垂直于磁化方向的面上，分为边缘区4、过渡区5和中心区6三个区域，边缘区4内的矫顽力，沿垂直磁化方向上具有恒定值，沿磁化方向，矫顽力由表面到中心呈现逐步降低的趋势，过渡区5内的矫顽力沿垂直磁化方向由外到内逐步减小，沿磁化方向，矫顽力由表面到中心呈现逐步降低的趋势，中心区6内的矫顽力，沿垂直磁化方向和磁化方向具有恒定值，边缘区4的平均矫顽力大于过渡区5的平均矫顽力，过渡区5的平均矫顽力大于中心区6的平均矫顽力。
将上述扩散时效后的钕铁硼磁体薄片，在沿长度或宽度方向（20mm*20mm）的截面方向将磁体切割成20mm*1mm*5mm（T），之后沿长度方向和磁化方向将钕铁硼磁体薄片切割成1mm*1mm*1mm（T）尺寸的磁体块，并将第1行，第1列的磁体块命名为“1，1”，将第2行第1列的磁体块命名为“2，1”，将第3行第3列的磁体块命名为“3，3”，并以此类推，并对编号的磁体块进行性能测试，并将部分测试结果表示在表1中，并根据测试结果绘制出扩散时效后磁体内部的矫顽力分布图7、8、9、10。
实施例2，参见图1、2、3、4、5、6，梯度钕铁硼磁体的制作方法如下：
将多个尺寸40mm*40mm*10mm（T）的钕铁硼磁体薄片1按照磁化方向竖直的方式紧密且均匀的摆放在氩气仓内，将平均粒度为100微米的铽粉末，均匀的覆盖在钕铁硼磁体薄片表面，铽粉末重量为钕铁硼磁体薄片重量的2.0%，之后将覆盖有铽粉末层2的钕铁硼磁体薄片1移动至激光器下，使用激光器对钕铁硼磁体薄片表面距离边缘3mm内区域进行照射（照射面积约占重稀土粉末覆盖面积的28%），使得此区域内的铽粉末迅速加热固化成重稀土膜层3并与钕铁硼磁体薄片1发生粘连；将钕铁硼磁体薄片表面未成膜的粉末清理干净后，将钕铁硼磁体薄片翻面，并在另一面上均匀覆盖铽粉末，铽粉末重量为钕铁硼磁体薄片重量的2.0%，之后使用激光器对钕铁硼磁体薄片表面距离边缘3mm内的区域进行照射，使得此区域内的铽粉末与钕铁硼磁体薄片表面发生粘连，将钕铁硼磁体薄片表面未成膜的粉末清理干净后，放入到真空炉内进行850℃*72h+500℃*15h时效处理；扩散处理后形成梯度钕铁硼磁体，在垂直于磁化方向的面上，分为边缘区4、过渡区5和中心区6三个区域，边缘区4内的矫顽力，沿垂直磁化方向上具有恒定值，沿磁化方向，矫顽力由表面到中心呈现逐步降低的趋势，过渡区5内的矫顽力沿垂直磁化方向由外到内逐步减小，沿磁化方向，矫顽力由表面到中心呈现逐步降低的趋势，中心区6内的矫顽力，沿垂直磁化方向和磁化方向具有恒定值，边缘区4的平均矫顽力大于过渡区5的平均矫顽力，过渡区5的平均矫顽力大于中心区6的平均矫顽力。
将上述扩散时效后的钕铁硼磁体薄片，在沿长度或宽度方向（40mm*40mm）的截面方向将磁体切割成40mm*1mm*10mm（T），之后沿长度方向和磁化方向将磁体切割成，1mm*1mm*1mm（T）尺寸的磁体块，并将第1行，第1列的磁体块命名为“1，1”，将第2行第1列的磁体块命名为“2，1”，将第3行第3列的磁体块命名为“3，3”，并以此类推，并对编号的磁体块进行性能测试，并将部分测试结果表示在表1中。
实施例3，参见图1、2、3、4、5、6，梯度钕铁硼磁体的制作方法如下：
将多个尺寸80mm*20mm*5mm（T）的钕铁硼磁体薄片1按照磁化方向竖直的方式紧密且均匀的摆放在氩气仓内，将平均粒度为200微米的镝粉末均匀的覆盖在钕铁硼磁体薄片表面，镝粉末重量为钕铁硼磁体薄片重量的0.5%，之后将覆盖有镝粉末层2的钕铁硼磁体薄片1移动至激光器下，使用激光器对钕铁硼磁体薄片表面距离边缘距离为2mm内的区域进行照射（照射面积约占重稀土粉末覆盖面积的24%），使得此区域内的镝粉末迅速加热固化成重稀土膜层3并与钕铁硼磁体薄片1发生粘连；将钕铁硼磁体薄片表面未成膜的粉末清理干净后，将钕铁硼磁体薄片翻面，并在另一面上均匀覆盖镝粉末，镝粉末重量为钕铁硼磁体薄片重量的0.5%，之后使用激光器对钕铁硼磁体表面距离边缘距离为2mm内的区域内进行扫描，使得此区域内的镝粉末与钕铁硼磁体薄片表面发生粘连，将钕铁硼磁体表面未成膜的粉末清理干净后，放入到真空炉内进行950℃*6h+450℃*8h时效处理；扩散处理后形成梯度钕铁硼磁体，在垂直于磁化方向的面上，分为边缘区4、过渡区5和中心区6三个区域，边缘区4内的矫顽力，沿垂直磁化方向上具有恒定值，沿磁化方向，矫顽力由表面到中心呈现逐步降低的趋势，过渡区5内的矫顽力沿垂直磁化方向由外到内逐步减小，沿磁化方向，矫顽力由表面到中心呈现逐步降低的趋势，中心区6内的矫顽力，沿垂直磁化方向和磁化方向具有恒定值，边缘区4的平均矫顽力大于过渡区5的平均矫顽力，过渡区5的平均矫顽力大于中心区6的平均矫顽力。
将上述扩散时效后的钕铁硼磁体薄片，在沿宽度方向（20mm）的截面方向将磁体切割成20mm*1mm*5mm（T），之后沿长度方向和磁化方向将磁体切割成，1mm*1mm*1mm（T）尺寸的磁体块，并将第1行，第1列的磁体块命名为“1，1”，将第2行第1列的磁体块命名为“2，1”，将第3行第3列的磁体块命名为“3，3”，并以此类推，并对编号的磁体块进行性能测试，并将部分测试结果表示在表1中。
实施例4，参见图1、2、3、4、5、6，梯度钕铁硼磁体的制作方法如下：
将多个尺寸80mm*80mm*5mm（T）的钕铁硼磁体薄片1按照磁化方向竖直的方式紧密且均匀的摆放在氩气仓内，将平均粒度为250微米的铽钴合金粉末（铽质量分数为90%）均匀的覆盖在钕铁硼磁体薄片表面，铽钴合金粉末重量为钕铁硼磁体重量的0.5%，之后将覆盖有铽钴合金粉末层2的钕铁硼磁体薄片1移动至激光器下，使用激光器对钕铁硼磁体薄片表面距离边缘2mm内区域进行照射（照射面积约占重稀土粉末覆盖面积的10%），使得此区域内的铽钴合金粉末迅速加热固化成重稀土膜层3并与钕铁硼磁体薄片1发生粘连；将钕铁硼磁体薄片表面未成膜的粉末清理干净后，将钕铁硼磁体翻面，并在另一面上均匀覆盖铽钴合金粉末，铽钴合金粉末重量为钕铁硼磁体薄片重量的0.5%，之后使用激光器对钕铁硼磁体薄片表面距离边缘2mm内的区域进行照射，使得此区域内的铽钴合金粉末与钕铁硼磁体表面发生粘连，将钕铁硼磁体薄片表面未成膜的粉末清理干净后，放入到真空炉内进行900℃*24h+650℃*6h时效处理；扩散处理后形成梯度钕铁硼磁体，在垂直于磁化方向的面上，分为边缘区4、过渡区5和中心区6三个区域，边缘区4内的矫顽力，沿垂直磁化方向上具有恒定值，沿磁化方向，矫顽力由表面到中心呈现逐步降低的趋势，过渡区5内的矫顽力沿垂直磁化方向由外到内逐步减小，沿磁化方向，矫顽力由表面到中心呈现逐步降低的趋势，中心区6内的矫顽力，沿垂直磁化方向和磁化方向具有恒定值，边缘区4的平均矫顽力大于过渡区5的平均矫顽力，过渡区5的平均矫顽力大于中心区6的平均矫顽力。
将上述扩散时效后的钕铁硼磁体薄片，在沿长度或宽度方向（80mm*80mm）的截面方向将磁体切割成80mm*1mm*5mm（T），之后沿长度方向和磁化方向将磁体切割成，1mm*1mm*1mm（T）尺寸的磁体块，并将第1行，第1列的磁体块命名为“1，1”，将第2行第1列的磁体块命名为“2，1”，将第3行第3列的磁体块命名为“3，3”，并以此类推，并对编号的磁体块进行性能测试，并将部分测试结果表示在表1中。
实施例5，参见图1、2、3、4、5、6，梯度钕铁硼磁体的制作方法如下：
将多个尺寸10mm*10mm*2mm（T）的钕铁硼磁体薄片1按照磁化方向竖直的方式紧密且均匀的摆放在氩气仓内，将平均粒度为10微米的氢化铽粉末，均匀的覆盖在钕铁硼磁体薄片表面，氢化铽粉末重量为钕铁硼磁体薄片重量的0.1%，之后将覆盖有氢化铽粉末层2的钕铁硼磁体薄片1移动至激光器下，使用激光器对钕铁硼磁体薄片表面距离边缘2mm内区域进行照射（照射面积约占重稀土粉末覆盖面积的64%），使得此区域内的氢化铽粉末迅速加热固化成重稀土膜层3并与钕铁硼磁体薄片1发生粘连；将钕铁硼磁体薄片表面未成膜的粉末清理干净后，将钕铁硼磁体薄片翻面，并在另一面上均匀覆盖氢化铽粉末，氢化铽粉末重量为钕铁硼磁体薄片重量的0.1%，之后使用激光器对钕铁硼磁体表面距离边缘2mm内的区域进行照射，使得此区域内的氢化铽粉末与钕铁硼磁体薄片表面发生粘连，将钕铁硼磁体薄片表面未成膜的粉末清理干净后，放入到真空炉内进行900℃*6h+650℃*3h时效处理；扩散处理后形成梯度钕铁硼磁体，在垂直于磁化方向的面上，分为边缘区4、过渡区5和中心区6三个区域，边缘区4内的矫顽力，沿垂直磁化方向上具有恒定值，沿磁化方向，矫顽力由表面到中心呈现逐步降低的趋势，过渡区5内的矫顽力沿垂直磁化方向由外到内逐步减小，沿磁化方向，矫顽力由表面到中心呈现逐步降低的趋势，中心区6内的矫顽力，沿垂直磁化方向和磁化方向具有恒定值，边缘区4的平均矫顽力大于过渡区5的平均矫顽力，过渡区5的平均矫顽力大于中心区6的平均矫顽力。
对比例，将上述5组实施例采用的钕铁硼磁体薄片的母材加工成20*20*5mm（T）的钕铁硼磁体薄片并作为对比例，将上述20*20*5（T）钕铁硼磁体薄片，沿长度或宽度方向（20mm*20mm）的截面方向将磁体切割成20mm*1mm*5mm（T），之后沿长度方向和磁化方向将磁体切割成，1mm*1mm*1mm（T）尺寸的磁体块，并将第1行，第1列的磁体块命名为“1，1”，将第2行第1列的磁体块命名为“2，1”，将第3行第3列的磁体块命名为“3，3”，并以此类推，并对编号的磁体块进行性能测试，并将部分测试结果表示在表1中。
表1
由表1和图7、8、9、10所示结果所示，通过此方法可以有效对钕铁硼磁体的边缘部位进行局部扩散，制备出包含“边缘区”，“过渡区”和“中心区”的磁性梯度分布的梯度钕铁硼磁体。
以上实施例均为本发明的较佳实施例，对本发明的制备方法及相应产品特征做了详细介绍，并不限制本发明，凡在本发明的原则内所做的任何修改，改进等，均包含在本发明的保护范围内。

Claims (8)

1.一种梯度钕铁硼磁体，其特征在于，所述的梯度钕铁硼磁体是由钕铁硼磁体薄片（1）垂直磁化方向的两个表面覆盖镝、铽或含镝，铽元素的合金或化合物粉末层（2），采用激光照射使钕铁硼磁体薄片表面边缘位置处的粉末固化成重稀土膜层（3）并与钕铁硼磁体薄片（1）表面发生粘连，然后将钕铁硼磁体薄片表面未成膜的粉末层（2）清理干净，将覆盖有重稀土膜层（3）的钕铁硼磁体薄片（1）放入到真空烧结炉内，进行高温扩散和时效处理制得；所述的梯度钕铁硼磁体在垂直于磁化方向的面上，分为边缘区（4）、过渡区（5）和中心区（6）三个区域；所述的边缘区（4）内的矫顽力，沿垂直磁化方向上具有恒定值，沿磁化方向，矫顽力由表面到中心呈现逐步降低的趋势，过渡区（5）内的矫顽力沿垂直磁化方向由外到内逐步减小，沿磁化方向，矫顽力由表面到中心呈现逐步降低的趋势，中心区（6）内的矫顽力，沿垂直磁化方向和磁化方向具有恒定值。
2.根据权利要求1所述的一种梯度钕铁硼磁体，其特征在于，所述的边缘区（4）的平均矫顽力大于过渡区（5）的平均矫顽力，过渡区（5）的平均矫顽力大于中心区（6）的平均矫顽力。
3.权利要求1或2所述的一种梯度钕铁硼磁体的制作方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：
a将磁化方向厚度为2-10mm钕铁硼磁体薄片，按照磁化方向竖直的方式放置到氩气保护仓内，将镝、铽或含镝，铽元素的合金或化合物粉末均匀的覆盖在钕铁硼磁体薄片上表面，并采用激光照射覆盖有重稀土粉末的钕铁硼磁体薄片表面的边缘位置，使得钕铁硼磁体薄片表面边缘位置处的重稀土粉末迅速加热固化成重稀土膜层并与钕铁硼磁体薄片发生粘连；
b将钕铁硼磁体薄片表面未成膜的重稀土粉末清理干净;
c将钕铁硼磁体薄片进行翻转180°，在钕铁硼磁体薄片的另一个垂直磁化方向的面上重复上述步骤；
d将覆盖有重稀土膜层的钕铁硼磁体薄片放入到真空烧结炉内，在真空条件或者氩气保护条件下对钕铁硼磁体薄片进行高温扩散和时效处理。
4.根据权利要求3所述的一种梯度钕铁硼磁体的制作方法，其特征在于，所述的钕铁硼磁体薄片长度和宽度方向最小尺寸为10mm。
5.根据权利要求3所述的一种梯度钕铁硼磁体的制作方法，其特征在于，所述的镝、铽或含镝，铽元素的合金或化合物粉末的粒径为1-300μm。
6.根据权利要求3所述的一种梯度钕铁硼磁体的制作方法，其特征在于，所述的钕铁硼磁体薄片上所覆盖的重稀土粉末与钕铁硼磁体薄片的质量百分比在激光照射前为0.1%-2%。
7.根据权利要求3所述的一种梯度钕铁硼磁体的制作方法，其特征在于，所述的激光照射后钕铁硼磁体薄片表面的重稀土膜层面积占钕铁硼磁体薄片粉末覆盖面面积的10%-65%。
8.根据权利要求3所述的一种梯度钕铁硼磁体的制作方法，其特征在于，所述的d步骤的扩散温度为850-950℃，扩散时间为6-72h，时效温度为450-650℃，时效时间为3-15h。
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