CN108780804B - 电路板、半导体装置、摄像装置、固态摄像元件、制造固态摄像元件的方法以及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及一种抑制特性和产量降低的电路板、半导体装置、成像装置、固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法以及电子设备。形成在衬底表面上的台阶部分以分割状态配置。采用此配置，在光刻工艺中滴落的光致抗蚀剂液体流过分割的台阶部分之间的间隙，使得光致抗蚀剂液体在成像表面上均匀流动，由此可以抑制由于涂布不均匀所致的特性和产量的降低。本公开可以应用于固态图像传感器。
Description
技术领域
本公开涉及一种电路板、半导体装置、成像装置、固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法以及电子设备。具体地，本公开涉及一种抑制特性降低并且抑制产量降低的电路板、半导体装置、成像装置、固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法以及电子设备。
背景技术
近年来，已知一种具有分层结构的背照射互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，其中除其上形成有光电转换器的传感器板以外还准备其上形成有驱动电路的电路板，并且电路板结合到与传感器板的光接收表面相对的表面。
在此CMOS图像传感器中，所述分层结构是通过连接传感器板的布线层的表面和电路板的布线层的表面而形成的。此外，提供用于电连接传感器板和电路板的连接部分。在所述连接部分中，穿透传感器板的半导体层并且连接到传感器板的布线层的导通孔和穿透传感器板并且连接到电路板的布线层的另一个导通孔通过形成在传感器板的半导体层的光接收表面的上部部分上的布线部分彼此连接。此外，对应于每个像素的滤色器和芯片上透镜提供在传感器板的半导体层的光接收表面侧上。
此处，滤色器与光电转换器之间的距离变得越短，灵敏度和颜色混合特性就变得越好。此外，光接收表面侧上半导体层的厚度(垂直于传感器板方向上的长度)优选地较小，以便放松对电路布线和对齐标记的限制、传感器板的应力等等。因此，使布线部分周围的区域的厚度比布线部分薄，并且布线部分在半导体层的光接收表面侧上形成台阶。因此，在形成布线部分之后涂布滤色器的情况下，由于台阶而导致滤色器的涂层不均匀。
此外，对于固态成像装置，例如前照射CMOS图像传感器以及电荷耦合装置(CCD)图像传感器，在布线部分形成在半导体基板上形成像素的区域周围的情况下，以布线部分的厚度大于该区域的厚度的方式形成，由于布线部分的台阶而引起滤色器的涂层不均匀。
鉴于以上内容，已经提出一种技术(参见专利文献1)，其中使成为台阶结构的端部区域的拐角部分具有弯曲形状，作为用于抑制由设置在背照射CMOS图像传感器的成像区域周围的台阶结构而导致的抗蚀剂涂布不均匀(上述涂层不均匀)的方法。
此外，在专利文献1中公开的技术中，拐角部分的形状并不限于弯曲形状，并且还提出通过添加钝角拐角来使拐角部分具有钝角形状或圆角和钝角组合的形状。
此外，已经提出一种技术(参见专利文献2)，其中通过在纵向或横向方向上在仅一个方向上设置穿芯片导通孔(Through Chip Via，TCV)并且减小台阶区域的面积来减少涂布不均匀。
引用列表
专利文献
专利文献1：国际公开号2014/156657
专利文献2：国际公开号2015/133324
发明内容
本发明要解决的问题
顺便提及，堆叠CMOS图像传感器(CIS)包含CIS衬底和逻辑衬底，并且衬底通过称为穿硅导通孔(TSV)的通孔连接。TSV在两个衬底结合和薄化之后形成。TSV主要形成在CIS衬底的成像区域周围的位置处。通过蚀刻钻孔的TSV镀覆有高导电材料，例如Cu。为了防止这些材料在晶片表面上的扩散，TSV覆盖有膜，例如SiON和SiN。
由于对成像区域的分层结构来说是不必要的，因此去除覆盖膜。因此，对应于覆盖膜厚度的台阶结构形成在形成TSV的区域中。由于台阶相邻于成像区域存在，因此在TSV形成工艺之后，在光刻工艺中的抗蚀剂涂布工艺中引起由于台阶结构导致的抗蚀剂涂层不均匀。
在专利文献1中公开的技术中，执行针对涂层不均匀的对策，例如将弯曲形状应用到拐角部分并且降低台阶的高度。
然而，根据专利文献1和2中公开的技术，抑制涂布不均匀的效果不充分，并且存在装置特性受损并且产量降低的风险。
考虑到此情况构思本公开，并且具体地，通过减少由台阶导致的涂布不均匀来抑制特性的降低并且抑制产量的降低。
问题的解决方案
根据本公开的一方面的固态图像传感器是一种衬底表面上的台阶结构处于分割状态的固态图像传感器。
衬底表面上的台阶结构可以处于分割成相同形状的状态。
处于分割状态的台阶结构可以包括预定宽度的间隙。
在分割的台阶结构在平面方向上的尺寸设置为1的情况下，间隙的预定宽度可以大于0.2。
处于分割状态下的台阶结构在几何上相对于一个预定轴向以间隙的预定宽度设置。
处于分割状态下的台阶结构可以以如下方式在几何上相对于一个预定轴向以间隙的预定宽度设置：在其中流体滴落到衬底表面上的情况下，在其上形成有多个固态图像传感器的晶片旋转使得流体在衬底表面上流动的状态下，因台阶结构所致的间隙而改变的流体速度整体上被抵消。
多个处于分割状态的台阶结构可以关于一个预定的轴向方向以间隙的预定宽度按几何方式设置在二维平面上。
多个处于分割状态的台阶结构可以以如下方式在几何上相对于一个预定的轴向方向以间隙的预定宽度设置在二维平面上：在其中流体滴落到衬底表面上的情况下，在其上形成有多个固态图像传感器的晶片旋转使得流体在衬底表面上流动的状态下，因台阶结构所致的间隙而改变的流体速度整体上被抵消。
处于分割状态的台阶结构在衬底平面方向上的尺寸可以小于100μm。
当流体滴落到衬底表面上时，在其上形成有多个固态图像传感器的晶片旋转使得流体在衬底表面上流动的状态下，作为流体的膜厚度与衬底的高度之间的比的膜厚度/高度可以小于5。
根据本公开的一方面的制造固态图像传感器的方法是一种其中衬底表面上的台阶结构处于分割状态的制造固态图像传感器的方法。
根据本公开的一方面的成像装置是一种其中衬底表面上的台阶结构处于分割状态的成像装置。
根据本公开的一方面的电子设备是一种其中衬底表面上的台阶结构处于分割状态的电子设备。
根据本公开的一方面的半导体装置是一种其中衬底表面上的台阶结构处于分割状态的半导体装置。
根据本公开的一方面的电路板是一种其中衬底表面上的台阶结构处于分割状态的电路板。
根据本公开的一方面，衬底表面上的台阶结构处于分割状态。
发明效果
根据本公开的一方面，减少了涂布不均匀，由此可以抑制特性的降低，并且可以抑制产量的降低。
附图说明
图1是示出光致抗蚀剂的涂布不均匀发生机制的图示。
图2是示出常规空腔的配置的图示。
图3是示出光致抗蚀剂的涂布不均匀的视图。
图4是示出常规空腔的配置的另一个图示。
图5是示出应用本公开的技术的空腔的配置的图示。
图6是示出常规空腔的配置的另一个图示。
图7是示出图5中的空腔的效果的图示。
图8是示出流过图5中的空腔的间隙的光致抗蚀剂的流速的分布的视图。
图9是示出用于减少涂布不均匀的空腔之间的间隙的间距的相关性的视图。
图10是示出用于减少涂布不均匀的空腔之间的间隙的间距的相关性的图表。
图11是示出用于减少涂布不均匀的空腔的形状的相关性的图表。
图12是示出用于减少涂布不均匀的空腔的尺寸的相关性的图表。
图13是示出用于减少涂布不均匀的空腔的尺寸的相关性的另一个图表。
图14是示出用于减少涂布不均匀的空腔的高度与光致抗蚀剂的膜厚度之间的比的相关性的图表。
图15是示出作为应用本技术的电子设备的成像装置的示例性配置的框图。
图16是示出应用本公开的技术的固态成像装置的示例性使用的图示。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细描述本公开的优选实施例。应注意，在本说明书和附图中，具有基本相同的功能配置的组成元件将由相同的附图标记表示，并且将省略其重复描述。
<光致抗蚀剂涂布不均匀的发生机制>
在描述应用本公开的技术的固态图像传感器的配置时，首先，将描述光致抗蚀剂的上述涂布不均匀发生的机制。
光致抗蚀剂的涂布不均匀发生在光刻工艺中。
光刻工艺是用于形成图案的工艺，其中光致抗蚀剂层在切割之前形成在包含大量固态图像传感器的晶片上，对应于图案的光致抗蚀剂层使用紫外线或类似物通过曝光被剥离，并且其中光致抗蚀剂层被剥离的部分溶解在显影剂或类似物中。
更具体来说，如图1的上部部分所示，例如，在其中包含粘性液体的光致抗蚀剂12滴落到沿箭头方向旋转的盘形晶片11的上表面上的情况下，光致抗蚀剂12因旋转晶片11产生的离心力而从旋转中心朝向晶片11的外周薄薄地散布，从而形成光致抗蚀剂层12a。
如图1的下部部分所示，多个正方形固态图像传感器21形成在晶片11上，并且光致抗蚀剂层12a形成在各处。
顺便提及，如图2的左上部分所示，形成在晶片11上的多个正方形固态图像传感器21连接布线层和逻辑层以环绕正方形成像表面21a，设置具有不同深度的穿硅导通孔(TSV)，并且形成空腔51以覆盖TSV。考虑到TSV使用例如Cu的高导电材料镀覆，空腔51防止例如Cu的材料在晶片表面上的扩散，并且包含膜，例如SiON和SiN。
如图2的右上部分的侧面剖视图所示，固态图像传感器21包含光电转换层31、布线层32和逻辑层33。此处，布线层32的布线和逻辑层33的金属垫33a经由电极34电连接。电极34具有如下结构：TSV 34b与TSV 34a在表面层部分处连接。TSV 34b是一个端子，其包含从表面层到布线层32的布线的通孔；TSV 34a是一个端子，其包含从表面层到布线层33的金属垫33a的通孔。
电极34以预定的间距设置以环绕成像表面21a。电极34包含Cu，并且如上所述，其表面由空腔51保护以防止包含Cu的电极34暴露至表面层部分。如图2的下部部分所示，空腔51以如下方式形成：以预定的间距线性设置的电极34-1、34-2、34-3以及类似物(包含电极之间的间隙)由空腔51环绕，并且成像表面21a由空腔51环绕在正方形形状中，从而保护表面，使得Cu不会暴露于表面层。
然而，如上所述，在设置以此方式形成的多个固态图像传感器21的状态下，光致抗蚀剂12滴落到晶片11上。此处，在每个固态图像传感器21中，空腔51被形成为环绕成像表面21a。在由空腔51产生的台阶(例如，如图3所示)的影响下，关于光致抗蚀剂层12a的厚度发生不均匀。
应注意，图3示出包含成像表面21a的固态图像传感器21的表面，并且是在空腔51形成在拐角部分处(在附图中，拐角部分向左突出)并且光致抗蚀剂12由于离心力而从附图的左侧流动的情况下，使用颜色密度示出光致抗蚀剂12在成像表面21a周围的流速分布的分布图。深色部分的流速高，而浅色部分的流速低。
如图3所示，虽然在成像表面21a上的区域中从位于附图垂直方向上的中心部分处的空腔51的拐角的向右方向上产生高速区域，但是在附图中远离附图垂直方向上的中心部分的上部和下部部分中流速低。因此，发生流速不均匀，由此发生涂布不均匀，并且发生光致抗蚀剂层12a的厚度不均匀。
因此，光致抗蚀剂层12a的层厚度的不均匀因由空腔51导致的光致抗蚀剂12的涂布不均匀而发生，由此存在固态图像传感器21的特性受损并且产量降低的风险。
由于已知，空腔51如上所述不利地影响固态图像传感器21，因此，传统上采用尽可能降低空腔51的高度的结构。
然而，由于仅降低空腔51的高度是有限的，例如，如图4所示，因此还提出了如下技术：其中内挖部分11a形成在晶片11的上表面上形成空腔51的区域中，并且所述空腔形成在内挖部分11a上，其目的是进一步降低高度。
<根据本公开的空腔的结构>
如上所述，已知，涂布不均匀是因空腔51的结构导致的。因此，在根据本公开的固态图像传感器21中，代替图5的左上部分中所示的堤状空腔51，通过采用相对于垂直和水平方向的预定间距将空腔51分开而构造空腔61-1至61-n，如图5的右上部分所示。应注意，在不需要单独区分空腔61-1至61-n的情况下，以下将简称为空腔61，并且将类似地参考其他配置。
换言之，如图5的下部部分所示，空腔61-1与61-2之间允许光致抗蚀剂12流动的间隙62通过将空腔51分割而配置的空腔61-1至61-n设置成以预定的间距环绕成像表面21a而以预定的间距形成，由此可以分散光致抗蚀剂12的流动，并且可以抑制涂布不均匀的发生。
更具体来说，空腔61被提供成单独地覆盖图2中的每个电极34的表面层上的Cu。因此，电极34被设置成环绕固态图像传感器21的成像表面21a以对应于空腔61的布置，并且空腔61被提供成单独地覆盖设置的电极34。或者，空腔61被提供成覆盖多个设置的电极34。
此外，如图6的上部部分所示，在其中通过形成内挖部分11a来形成空腔51的情况下，用于形成内挖部分11a的工艺是必需的。同时，如图6的下部部分所示，通过使用通过分割空腔51而配置的空腔61-1至61-n，不需要形成内挖部分11a的工艺，并且仅需要执行形成晶片11的表面层，由此可以减少步骤数量。
此外，如图7的上部部分所示，即使在空腔51内部形成布线71-1至71-4的情况下，也必须降低空腔51的高度。因此，使布线71-1至71-4的截面积变得更小，使得布线电阻变大，这可能导致功耗和发热的增加。
同时，在空腔61-1至61-n的情况下，在其中间隙62形成在空腔61之间的情况下，可以产生光致抗蚀剂12的流动，使得可以放松关于高度降低的限制。因此，如图7的下部部分所示，可以形成具有大于布线71-1至71-n的截面积的布线91-1至91-n，使得可以减小布线电阻，由此可以减少功耗，并且可以减少发热。
<根据本公开的空腔减少了涂布的不均匀>
图8示出光致抗蚀剂12在空腔61-1至61-n替代空腔51的情况下在成像表面21a的拐角部分处在y方向(附图中的垂直方向)上的流速分布。在图8中，示出光致抗蚀剂12在附图中从左向右流动的状态，并且具有较浅颜色的区域处的流速较高，而具有较深颜色的区域处的流速较低。此外，图8的上部部分例示了空腔61-1至61-n排列并且设置成整体成正方形的情况，并且图8的下部例示了另一个排列的情况，除了图8的上部中的空腔61-1至61-n的布置之外，还设置空腔，使得总共设置两排空腔61-1至61-n。
如图8的上部部分所示，在每个空腔61的左上部分和右下部分中，在向上方向相对于附图中的垂直方向的y轴为正的情况下，在正y方向上产生其中流速变高的区域。此外，在每个空腔61的右上部分和左下部分中，在向上方向相对于附图中的垂直方向的y轴为正的情况下，在负y方向上产生其中流速变高的区域。
因此，彼此相邻的流速在正y方向上变高的区域和流速在负y方向上变高的区域以垂直交替方式产生，使得流速相互抵消，并且流动整体上抵消，由此在附图中存在设置有空腔61-1至61-n在流动的下游的成像表面21a的向右方向上不产生流动不均匀。
类似地，同样在图8的下部部分中，彼此相邻的流速在正y方向上变高的区域和流速在负y方向上变高的区域以垂直交替方式产生，使得流速相互抵消，并且流动整体上抵消，由此在附图中存在设置有空腔61-1至61-n在流动的下游的成像表面21a的向右方向上不产生流动不均匀。
也就是说，如图8所示，在空腔61-1至61-n设置成环绕成像表面21a的情况下，即，在空腔61-1至61-n以具有预定宽度的间隙线性设置的情况下，换言之，所述空腔以如下方式按几何方式设置：虽然空腔61-1至61-n附近的区域中产生发生不同流动的区域，但是流动整体上抵消，由此抑制在成像表面21a上涂布不均匀的发生。
此外，如图8的下部部分所示，即使空腔61-1至61-n在多个行中的情况下，所述空腔也相对于预定方向以具有预定间距的间隙线性设置，并且所述多个空腔设置在二维平面上，换言之，同样在此情况下，所述空腔以如下方式设置：虽然空腔61-1至61-n附近的区域中产生发生不同流动的区域，但是流动整体上抵消，由此可以抑制涂布不均匀的发生。
<用于涂布不均匀减少的空腔的分割宽度的相关性>
接下来，将参考图9和图10描述对为了减少涂布不均匀的空腔61-1至61-n的分割宽度的相关性。
图9的下部部分示出10μm×10μm的正方形空腔61被设置成环绕成像表面21a(如图9中的上部部分所示)并且光致抗蚀剂12在附图中通过在在成像表面21a的拐角部分附近向左突出的范围内将空腔61之间的间隙宽度改变为四种类型(在其中空腔61的宽度设置为1的情况下)从左向右流动的情况下的流速分布，并且示出空腔61以满足(从左侧起)间隙宽度d＝0、0.25、0.5和1.0的间距设置的情况下的流速分布。同样在图9的下部部分中，具有较深颜色的区域处的流速较低，而具有较浅颜色的区域处的流速较高。
如图9中的最左下部分所示，间隙宽度d＝0的情况是具有与常规空腔51类似的空腔61的行的情况，并且在附图中垂直方向上的中心位置处从对应于成像表面21a的拐角部分的位置起并且在附图中的右侧上产生流速高于周边的区域，由此可能导致涂布不均匀。
同时，对于附图的下部部分中左起第二个的右侧的三种间隙宽度d＝0.25、0.5和1.0中的间隙宽度，空腔61设置在附图中并且成像表面21a应存在于其中的范围的右侧上的区域中示出了均匀的流速分布，这表明涂布不均匀产生的风险降低。
此外，图10的上部部分示出间隙宽度d改变为八种数值0、0.1、0.15、0.2、0.25、0.5、0.75和1.0的情况下，由虚线指示的位置(其在图9中的最左下部分所示的区域中)处的涂布不均匀膜厚度的差。此外，图10的下部部分示出图10的上部部分中的涂布不均匀膜厚度的差相对于间隙宽度d的绝对值分布。
如图10的上部和下部部分所示，在间隙宽度d小于预定值的范围内(例如，小于d＝0.2的情况的范围)，在附图中右侧上的范围的成像表面21a中，产生流速变得低于周边流速的区域，使得光致抗蚀剂12难以在流速变得更低的区域及类似区域中流动，由此使对应于所述区域的光致抗蚀剂膜12a的膜厚度变薄，并且涂布不均匀膜厚度的差趋于变大。
此外，在间隙宽度d大于预定值的范围内(例如，大于间隙宽度d＝0.2的情况的范围)，在附图中右侧上的范围的成像表面21a中，流速分布变得大致均匀，由此涂布不均匀膜厚度的差的绝对值趋于收敛到预定值(例如，约50nm)。
鉴于此趋势，在间隙宽度d大于约0.2的情况下，认为将基本抑制涂布不均匀的发生。因此，通过将空腔61配置成使得间隙宽度d变成大于0.2，抑制由涂布不均匀导致的成像特性的降低，并且可以抑制产量的降低。
<用于涂布不均匀减少的空腔的分割形状的相关性>
接下来，将参考图11描述对用于减少涂布不均匀的空腔的分割形状的相关性。
图11的上部部分示出在间隙宽度d保持恒定并且空腔61的平面形状从附图中左侧起是正方形(Square)、六角形(Penta)、八角形(Octa)和圆形(Circle)的情况下的流速分布。此外，图11的下部部分示出相应光致抗蚀剂层12a在由图11的左上部分中的虚线指示的成像表面21a的范围内的涂层膜厚度分布。
换言之，图11的上部和下部部分表示流速分布和涂层膜厚度分布在任何平面形状中基本相同。
因此，空腔61平面形状的变化被认为不会产生影响。
<通过图案分割的涂布不均匀减少效果的图案尺寸的相关性>
接下来，将参考图12描述通过改变光致抗蚀剂液体的粘度来使抗蚀剂的涂层膜厚度与空腔台阶的高度之间的比保持恒定的情况下，根据图案分割方法用于减少涂布不均匀的衬底平面方向上的尺寸的相关性。
图12的上部部分示出在如下情况下的流速分布：所述情况大致类似于通过相对于10μm×10μm的空腔61随着光致抗蚀剂12的粘度改变为6cP、30cP、60cP和120cP来使空腔61的尺寸改变为10μm×10μm(Square_Scale×1)、50μm×50μm(Square_Scale×5)、100μm×100μm(Square_Scale×10)和200μm×200μm(Square_Scale×20)的情况。
此外，图12的下部部分示出实质上，通过相对于10μm×10μm的空腔61随着改变光致抗蚀剂12的粘度来使空腔61的尺寸分别改变为10μm×10μm(Square_Scale×1)、20μm×20μm(Square_Scale×2)、30μm×30μm(Square_Scale×3)、40μm×40μm(Square_Scale×4)、50μm×50μm(Square_Scale×5)、60μm×60μm(Square_Scale×6)、80μm×80μm(Square_Scale×8)、100μm×100μm(Square_Scale×10)、200μm×200μm(Square_Scale×20)、400μm×400μm(Square_Scale×40)、800μm×800μm(Square_Scale×80)和1000μm×1000μm(Square_Scale×100)的情况下，对应于由图12的最左上部分表示的虚线部分的位置处的涂层膜厚度分布。
换言之，如图12的上部部分中的最左部分、左边第二个和左边第三个中的分布所示，关于空腔61的尺寸，其中空腔61基本上设置在高达约100μm×100μm(Square_Scale×10)的尺寸附近，在设置空腔61范围右侧的成像表面21a上的整个区域内流速分布保持均匀。同时，如图12的最右上部分所示，在空腔61在200μm×200μm(Square_Scale×20)的尺寸的情况下，在设置空腔61的范围右侧的成像表面21a上的整个区域内在横向方向上流速分布具有条纹，处于不均匀状态。
此外，如图12的下部部分所示，涂层膜厚度收敛到预定的厚度并且稳定在成像表面21a的范围右侧内，其中关于空腔61的尺寸，空腔61基本上高达约100μm×100μm(Square_Scale×10)的尺寸。同时，如图12的下部部分所示，在尺寸变得大于100μm×100μm的情况下(Square_Scale×10)，涂层膜厚度在附图中的垂直方向(Y方向)上在设置空腔61的范围右侧的成像表面21a上的整个区域中进入不稳定的波状状态。
因此，在改变光致抗蚀剂12的粘度的情况下，关于空腔61的尺寸，在空腔61基本上高达约100μm×100μm(Square_Scale×10)的尺寸附近，在设置空腔61范围右侧的成像表面21a上涂层膜厚度收敛到预定的厚度并且稳定，由此维持成像传感器的光学特性，并且可以抑制产量的降低。
<通过图案分割的涂布不均匀减少效果的图案尺寸的相关性>
接下来，将参考图13，在抗蚀剂的涂层膜厚度与腔体台阶的高度之间的比保持恒定的情况下，通过改变光致抗蚀剂12流动的加速度水平，描述根据图案分割方法用以减小涂布不均匀性的基板平面方向上的尺寸的相关性。
图13的上部部分示出在如下情况下的流速分布：所述情况大致类似于相对于10μm×10μm的空腔61通过将光致抗蚀剂12流动的加速度水平改变为5×106cm/sec2、1×106cm/sec2、2.5×105cm/sec2和5×103cm/sec2来使空腔61的尺寸改变为10μm×10μm(Square_Scale×1)、50μm×50μm(Square_Scale×5)、200μm×200μm(Square_Scale×20)和1000μm×1000μm(Square_Scale×100)的情况。
此外，图13的下部部分示出了，相对于10μm×10μm的空腔61通过改变光致抗蚀剂12流动的加速度水平来使空腔61的尺寸分别改变为10μm×10μm(Square_Scale×1)、20μm×20μm(Square_Scale×2)、30μm×30μm(Square_Scale×3)、40μm×40μm(Square_Scale×4)、50μm×50μm(Square_Scale×5)、60μm×60μm(Square_Scale×6)、80μm×80μm(Square_Scale×8)、100μm×100μm(Square_Scale×10)、200μm×200μm(Square_Scale×20)、400μm×400μm(Square_Scale×40)、800μm×800μm(Square_Scale×80)和1000μm×1000μm(Square_Scale×100)的情况下，对应于由图13的最左上部分表示的虚线部分的位置处的涂层膜厚度分布。
换言之，如图13的上部部分中的最左部分、左边第二个和左边第三个中的分布所示，关于空腔61的尺寸，其中空腔61基本上设置在高达约200μm×200μm(Square_Scale×20)的尺寸附近，流速分布在成像表面21a上的整个区域内保持均匀。同时，如图13的最右上部分所示，在空腔61在1000μm×1000μm(Square_Scale×100)尺寸的情况下，在设置空腔61的范围右侧的成像表面21a上的整个区域内在横向方向上具有条纹，处于不均匀状态。此外，如图13的下部部分所示，关于空腔61的尺寸，其中在空腔61基本上高达约200μm×200μm(Square_Scale×20)的尺寸附近，在设置空腔61范围右侧的成像表面21a上涂层膜厚度收敛到预定的厚度并且稳定。同时，如图13的下部部分所示，在尺寸变成大于200μm×200μm(Square_Scale×20)的情况下，在设置空腔61范围右侧的成像表面21a上在附图中的垂直方向(Y方向)上的整个区域内涂层膜厚度进入不稳定波状状态。
因此，在改变光致抗蚀剂12流动的加速度水平的情况下，关于空腔61的尺寸，其中在空腔61基本上高达约200μm×200μm(Square_Scale×20)的尺寸附近，在设置空腔61范围右侧的成像表面21a上涂层膜厚度收敛到预定的厚度并且稳定，由此维持成像传感器的光学特性，并且可以抑制产量的降低。
以此方式，在改变光致抗蚀剂12的粘度的情况下，关于空腔61的尺寸，其中在空腔61基本上高达约100μm×100μm(Square_Scale×10)的尺寸附近，光致抗蚀剂12的流速分布稳定，并且在改变使光致抗蚀剂12流动的加速度水平的情况下，关于空腔61的尺寸，其中在空腔61基本上高达约200μm×200μm(Square_Scale×20)的尺寸附近，光致抗蚀剂12的流速分布稳定。
综合这些结果，在改变光致抗蚀剂12的粘度和加速度水平的情况下，可以说，关于空腔61的尺寸，其中在空腔61基本上高达约100μm×100μm(Square_Scale×10)的尺寸附近，光致抗蚀剂12的流速分布在衬底平面方向上稳定。
<通过改变流动光致抗蚀剂的加速度水平获得的用于涂布不均匀减少的空腔台阶高度与涂层膜厚度之间的比的相关性>
接下来，将参考图14描述通过改变使光致抗蚀剂12流动的加速度水平获得的用于减少涂布不均匀的空腔台阶的高度与涂层膜厚度之间的比的相关性。
图14的上部部分示出了通过从图中左侧到右侧改变加速度水平，光致抗蚀剂12在拐角部分处流动的情况下，在图14的下部部分的最左上部部分中由虚线表示的水平方向上的涂层膜厚度的高度。在图14的下部部分，空腔61具有1μm的膜厚度的台阶高度，以预定间距线性地设置在成像表面21a周围的拐角部分处。此外，图14的下部部分示出了使光致抗蚀剂12流动的每个加速度水平的流速分布。
此处，加速度水平从图14的下部部分的最左上部分到右部依次为：1.0×106cm/sec2(acc1.0×10^6)、2.5×106cm/sec2(acc2.5×10^6)、5.0×106cm/sec2(acc5.0×10^6)、7.5×106cm/sec2(acc7.5×10^6)、1.0×107cm/sec2(acc2.5×10^7)、2.5×107cm/sec2(acc2.5×10^7)、5.0×107cm/sec2(acc5.0×10^7)、7.5×107cm/sec2(acc7.5×10^7)、1.0×108cm/sec2(acc2.5×10^8)、2.5×108cm/sec2(acc2.5×10^8)和5.0×108cm/sec2(acc5.0×10^8)，并且图14的下部部分示出了每个加速度水平的流速分布。
此外，图14的上部部分示出上述每个加速度水平的涂层膜厚度的高度。
因此，如图14的下部部分的最左上部分所示，在光致抗蚀剂12的加速度水平为1.0×106cm/sec2(acc1.0×10^6)时的流速分布下，涂布不均匀的外部形状不存在，并且认为空腔61的效果低。
同时，如图14的下部部分中左边第二个右上侧上的实例所示，在光致抗蚀剂12的加速度水平大于2.5×106cm/sec2(acc2.5×10^6)的加速度水平的实例中，涂布不均匀的外部形状存在于成像表面21a上，并且空腔61的效果产生。
因此，在光致抗蚀剂12的加速度水平大于1.0×106cm/sec2(acc1.0×10^6)的加速度水平的情况下，可以认为空腔61的效果产生。此处，在图14的上部部分中，光致抗蚀剂12的加速度水平为1.0×106cm/sec2(acc1.0×10^6)的情况下涂层膜厚度为约5μm。此外，在此情况下，空腔61的台阶高度为1μm。因此，膜厚度/高度(空腔台阶高度)为5(＝5μm/1μm)。换言之，关于膜厚度/高度(空腔台阶高度)，可以认为空腔61的效果在膜厚度/高度小于5的情况下发挥。
因此，通过使膜厚度/高度相对于膜厚度/高度小于5，在提供空腔61的范围的右侧的成像表面21a上，涂层膜厚度可以设置为预定的厚度，由此抑制成像传感器的光学特性的降低，并且可以抑制产量的降低。
应注意，虽然上文已经描述应用于固态图像传感器21的示例性情况，但是采用半导体装置、电路板等，其中半导体装置、电路板等具有在表面层等上产生诸如空腔的台阶的配置，在光刻工艺中在表面层等上形成光致抗蚀剂层，可以通过类似工艺发挥类似效果。换言之，除固态图像传感器21以外，采用半导体装置、电路板等，其中半导体装置、电路板等具有在表面层等上产生诸如空腔的台阶的配置，在光刻工艺中在表面层等上形成光致抗蚀剂层，可以通过形成处于分割状态的台阶来抑制光致抗蚀剂层的涂布不均匀的发生，由此可以抑制因涂布不均匀所致的产量的降低和特性的降低。
<电子设备的示例性应用>
上述固态图像传感器21可以应用于各种电子设备，例如成像装置(例如数码相机和数码摄像机)、具有成像功能的移动电话以及其他具有成像功能的装置。
图15是示出作为应用本技术的电子设备的成像装置的示例性配置的框图。
图15所示的成像装置201包含光学系统202、快门装置203、固态图像传感器204、驱动电路205、信号处理电路206、监视器207和存储器208，并且能够捕获静止图像和运动图像。
光学系统202包含一个或多个透镜，将来自物体的光(入射光)引导到固态图像传感器204，并且在固态图像传感器204的光接收表面上形成图像。
快门装置203设置在光学系统202与固态图像传感器204之间，并且在驱动电路1005的控制下控制关于固态图像传感器204的光照周期和遮光周期。
固态图像传感器204包含具有上述固态图像传感器的封装。固态图像传感器204根据用于经由光学系统202和快门装置203在光接收表面上形成图像的光，在一定时间周期累积信号电荷。累积在固态图像传感器204中的信号电荷根据从驱动电路205提供的驱动信号(时序信号)传输。
驱动电路205输出用于控制固态图像传感器204的传送操作和快门装置203的快门操作的驱动信号，从而驱动固态图像传感器204和快门装置203。
信号处理电路206对从固态图像传感器204输出的信号电荷实施各种信号处理。通过应用由信号处理电路206实施的信号处理而获得的图像(图像数据)提供到监视器207并显示，或者提供到存储器208并存储(记录)。
在同样具有上述配置的成像装置201中，通过应用固态图像传感器21替代上述固态图像传感器204，可以抑制特性的降低和产量的降低。
<固态图像传感器的示例性使用>
图16是示出上述固态图像传感器21的示例性使用的图示。
上述图像传感器可以在各种情况下用于感测光，例如可见光、红外光、紫外光、X射线等等，如下文例示。
-用于捕获要用于观看的图像的装置，例如数码相机和具有相机功能的移动装置
-用于运输的装置，例如用于出于安全驾驶目的(例如自动停车、对驾驶员的状态的识别等等)捕获车辆的前侧、后侧、周围环境、内部等等的车载传感器、用于监视行进车辆和道路的监视相机以及用于测量车辆之间的距离的测距传感器等等
-用于捕获用户的手势并且根据所述手势实施装置操作的家用电器(例如TV、电冰箱和空调)使用的装置
-用于保健和医疗用途的装置，例如内窥镜和用于基于红外光接收实施血管造影的装置
-用于安全性的装置，例如预防犯罪监视相机和用于验证人的相机
-用于美容目的的装置，例如用于拍摄皮肤的皮肤测量装置和用于拍摄头皮的显微镜
-用于运动的装置，例如用于运动用途等等的运动相机和可穿戴相机
-用于农业的装置，例如用于监视田地和农作物的状况的相机
应注意，本公开还可以采用以下配置。
<1>一种固态图像传感器，其中
衬底表面上的台阶结构处于分割状态。
<2>根据<1>所述的固态图像传感器，其中
衬底表面上的台阶结构处于分割为相同形状的状态。
<3>根据<1>或<2>所述的固态图像传感器，其中
处于分割状态的台阶结构包含具有预定宽度的间隙。
<4>根据<3>所述的固态图像传感器，其中
在分割的台阶结构在平面方向上的尺寸设置为1的情况下，间隙的预定宽度大于0.2。
<5>根据<3>所述的固态图像传感器，其中
处于分割状态的台阶结构相对于一个预定的轴向方向以间隙的预定宽度按几何方式设置。
<6>根据<5>所述的固态图像传感器，其中
处于分割状态的台阶结构以如下方式相对于一个预定的轴向方向以间隙的预定宽度按几何方式设置：在流体滴落到衬底表面上的情况下，其上形成多个固态图像传感器的晶片旋转使得流体在衬底表面上流动的状态下，由于台阶结构所致的间隙而改变的流体速度整体上被抵消。
<7>根据<3>所述的固态图像传感器，其中
多个处于分割状态的台阶结构相对于一个预定的轴向方向以间隙的预定宽度按几何方式设置在二维平面上。
<8>根据<7>所述的固态图像传感器，其中
多个处于分割状态的台阶结构以如下方式相对于一个预定的轴向方向以间隙的预定宽度按几何方式设置在二维平面上：在流体滴落到衬底表面上的情况下，其上形成多个固态图像传感器的晶片旋转使得流体在衬底表面上流动的状态下，由于台阶结构所致的间隙而改变的流体速度整体上被抵消。
<9>根据<1>至<8>中的任一项所述的固态图像传感器，其中
处于分割状态的台阶结构在衬底平面方向上的尺寸小于100μm。
<10>根据<1>至<9>中的任一项所述的固态图像传感器，其中
当流体滴落到衬底表面上时，其上形成多个固态图像传感器的晶片旋转使得流体在衬底表面上流动的状态下，作为流体的膜厚度与衬底的高度之间的比的膜厚度/高度小于5。
<11>一种制造固态图像传感器的方法，其中
衬底表面上的台阶结构处于分割状态。
<12>一种成像装置，其中
衬底表面上的台阶结构处于分割状态。
<13>一种电子设备，其中
衬底表面上的台阶结构处于分割状态。
<14>一种半导体装置，其中
衬底表面上的台阶结构处于分割状态。
<15>一种电路板，其中
衬底表面上的台阶结构处于分割状态。
参考符号列表
11 晶片
12 光致抗蚀剂
12a 光致抗蚀剂层
21 固态图像传感器
21a 成像表面
31 光电转换层
32 布线层
33 逻辑层
33a 金属垫
34 电极
51 空腔
61以及61-1至61-n 空腔
71以及71-1至71-4 布线
91以及91-1至91-4 布线。
Claims (13)
1.一种固态图像传感器，包括：
衬底表面上的台阶结构，其中，
所述台阶结构被分割为多个空腔，并且
当所述多个空腔中的每个空腔在平面方向上的尺寸设置为1时，所述多个空腔中的两个相邻空腔之间的间隙的特定宽度大于0.2。
2.根据权利要求1所述的固态图像传感器，其中
所述多个空腔中的每个空腔具有相同形状。
3.根据权利要求1所述的固态图像传感器，其中
所述多个空腔相对于轴向方向按几何方式设置。
4.根据权利要求3所述的固态图像传感器，其中
所述固态图像传感器在晶片上，
当所述晶片在旋转状态时，滴落到所述衬底表面的流体在所述衬底表面上能够流动，并且
基于具有所述特定宽度的所述间隙的所述多个空腔的所述几何方式的设置，由于所述间隙而改变的所述流体的速度整体上被抵消。
5.根据权利要求1所述的固态图像传感器，其中
所述多个空腔相对于轴向方向按几何方式设置在二维平面上。
6.根据权利要求5所述的固态图像传感器，其中
所述固态图像传感器在晶片上，
当所述晶片在旋转状态时，滴落到所述衬底表面的流体在所述衬底表面上能够流动，并且
基于具有所述特定宽度的所述间隙的所述多个空腔在所述二维平面的所述几何方式的设置，由于所述间隙而改变的流体速度整体上被抵消。
7.根据权利要求1所述的固态图像传感器，其中
所述多个空腔中的每个空腔在所述平面方向上的所述尺寸小于100μm。
8.根据权利要求1所述的固态图像传感器，其中
所述固态图像传感器在晶片上，
当所述晶片在旋转状态时，滴落到所述衬底表面的流体在所述衬底表面上能够流动，并且
所述流体的膜厚度与所述台阶结构的高度之间的比小于5。
9.一种制造固态图像传感器的方法，包括：
在衬底表面上形成台阶结构，其中，所述台阶结构被分割为多个空腔，并且
当所述多个空腔中的每个空腔在平面方向上的尺寸设置为1时，所述多个空腔中的两个相邻空腔之间的间隙的特定宽度大于0.2。
10.一种成像装置，包括：
衬底表面上的台阶结构，其中，
所述台阶结构被分割为多个空腔，并且
当所述多个空腔中的每个空腔在平面方向上的尺寸设置为1时，所述多个空腔中的两个相邻空腔之间的间隙的特定宽度大于0.2。
11.一种电子设备，包括：
衬底表面上的台阶结构，其中，
所述台阶结构被分割为多个空腔，并且
当所述多个空腔中的每个空腔在平面方向上的尺寸设置为1时，所述多个空腔中的两个相邻空腔之间的间隙的特定宽度大于0.2。
12.一种半导体装置，包括：
衬底表面上的台阶结构，其中，
所述台阶结构被分割为多个空腔，并且
当所述多个空腔中的每个空腔在平面方向上的尺寸设置为1时，所述多个空腔中的两个相邻空腔之间的间隙的特定宽度大于0.2。
13.一种电路板，包括：
衬底表面上的台阶结构，其中，
所述台阶结构被分割为多个空腔，并且
当所述多个空腔中的每个空腔在平面方向上的尺寸设置为1时，所述多个空腔中的两个相邻空腔之间的间隙的特定宽度大于0.2。
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|---|---|---|---|---|
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Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001189286A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| CN1658022A (zh) * | 2004-01-27 | 2005-08-24 | 株式会社液晶先端技术开发中心 | 光施加装置、结晶装置和光学调制组件 |
| CN101022207A (zh) * | 2006-01-13 | 2007-08-22 | 夏普株式会社 | 半导体激光元件、其安装结构、其制造方法及其安装方法 |
| JP2009266900A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Panasonic Corp | 固体撮像素子 |
| CN102025924A (zh) * | 2009-09-09 | 2011-04-20 | 佳能株式会社 | 固态成像装置和数字照相机 |
| JP2011086658A (ja) * | 2009-10-13 | 2011-04-28 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、及び撮像装置 |
| CN102386198A (zh) * | 2010-08-27 | 2012-03-21 | 佳能株式会社 | 制造光学传感器的方法 |
| JP2013214616A (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
| CN204009300U (zh) * | 2014-07-18 | 2014-12-10 | 广西钦州天山微电子有限公司 | 台阶宽度≥2.5mm之垂直配向型LCD液晶显示器 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4659226A (en) * | 1985-12-04 | 1987-04-21 | Rca Corporation | Method of making a semiconductor device |
| US6030880A (en) * | 1998-04-03 | 2000-02-29 | Sony Corporation Of Japan | Alignment feature that avoids comet tail formation in spin-on materials and production method therefor |
| CN1875617A (zh) * | 2003-10-27 | 2006-12-06 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 相机模块以及该相机模块的制造方法 |
| JP4849509B2 (ja) * | 2005-06-21 | 2012-01-11 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法、電子情報機器 |
| KR100937675B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2010-01-19 | 주식회사 동부하이텍 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
| JP2011088658A (ja) * | 2009-10-26 | 2011-05-06 | Nifco Inc | 容器の開蓋装置 |
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| TW201444069A (zh) | 2013-03-25 | 2014-11-16 | Sony Corp | 固體攝像裝置及其製造方法、以及電子機器 |
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Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001189286A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| CN1658022A (zh) * | 2004-01-27 | 2005-08-24 | 株式会社液晶先端技术开发中心 | 光施加装置、结晶装置和光学调制组件 |
| CN101022207A (zh) * | 2006-01-13 | 2007-08-22 | 夏普株式会社 | 半导体激光元件、其安装结构、其制造方法及其安装方法 |
| JP2009266900A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Panasonic Corp | 固体撮像素子 |
| CN102025924A (zh) * | 2009-09-09 | 2011-04-20 | 佳能株式会社 | 固态成像装置和数字照相机 |
| JP2011086658A (ja) * | 2009-10-13 | 2011-04-28 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、及び撮像装置 |
| CN102386198A (zh) * | 2010-08-27 | 2012-03-21 | 佳能株式会社 | 制造光学传感器的方法 |
| JP2013214616A (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
| CN204009300U (zh) * | 2014-07-18 | 2014-12-10 | 广西钦州天山微电子有限公司 | 台阶宽度≥2.5mm之垂直配向型LCD液晶显示器 |
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