JP2010093160A - 固体撮像装置とその製造方法並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】画素領域と周辺領域で埋め込み層の表面の高さが均一となり、画面の中央と端部での撮像特性のムラを低減できる固体撮像装置と製造方法及びカメラを提供する。
【解決手段】半導体基板10の素子領域A1において画素ごとにフォトダイオードが形成され、画素領域及び周辺領域A2において半導体基板上に絶縁膜20が形成され、画素領域において光導波路用凹部20bが形成され、周辺領域内の所定の領域において絶縁膜の上面の位置を半導体基板側に後退させるように絶縁膜に調整用凹部20aが形成されており、画素領域における光導波路用凹部と周辺領域における調整用凹部に埋め込まれて光透過性の埋め込み層22が形成され、埋め込み層の上層にカラーフィルタ23が形成されている構成とする。
【選択図】図1
【解決手段】半導体基板10の素子領域A1において画素ごとにフォトダイオードが形成され、画素領域及び周辺領域A2において半導体基板上に絶縁膜20が形成され、画素領域において光導波路用凹部20bが形成され、周辺領域内の所定の領域において絶縁膜の上面の位置を半導体基板側に後退させるように絶縁膜に調整用凹部20aが形成されており、画素領域における光導波路用凹部と周辺領域における調整用凹部に埋め込まれて光透過性の埋め込み層22が形成され、埋め込み層の上層にカラーフィルタ23が形成されている構成とする。
【選択図】図1
Description
本発明は固体撮像装置とその製造方法並びに電子機器に関し、特に、受光面にフォトダイオードを有する画素がマトリクス状に並べられてなる固体撮像装置と、当該固体撮像装置その製造方法並びに当該固体撮像装置を備えた電子機器に関する。
例えば、CMOSセンサあるいはCCD素子などの固体撮像装置では、半導体基板の表面に形成されたフォトダイオード(光電変換部)に光を入射させ、そのフォトダイオードで発生した信号電荷によって映像信号を得る構成となっている。
CMOSセンサでは、例えば、受光面において二次元マトリクス状に並べられた画素ごとにフォトダイオードが設けられている。受光時に各フォトダイオードに発生及び蓄積される信号電荷はCMOS回路の駆動でフローティングディフュージョンに転送される。信号電荷は信号電圧に変換して読み取られる構成となっている。
また、CCD素子では、例えば、CMOSセンサと同様に受光面において二次元マトリクス状に並べられた画素ごとにフォトダイオードが設けられている。受光時に各フォトダイオードに発生及び蓄積される信号電荷はCCD垂直転送路及び水平転送路により転送され、読み取られる構成となっている。
CCD型やCMOS型の固体撮像素子において、光の集光効率の向上を図るべく、画素の受光部上に光導波路及びオンチップレンズを設け、オンチップレンズ及び光導波路を透過した入射光の焦点を受光部近傍に導く技術が提案されている。
図11は、従来例に係る固体撮像装置の画素部の模式断面図である。
図面は、画素が集積された画素領域A1と、画素領域A1の外周部に設けられた周辺領域A2について示している。
図面は、画素が集積された画素領域A1と、画素領域A1の外周部に設けられた周辺領域A2について示している。
以下、画素領域A1について説明する。
例えば、半導体基板110に、フォトダイオードからなる不図示の受光部を有する画素がマトリクス状に集積して設けられている。
上記の半導体基板110上に、例えば、酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜の積層体などからなる絶縁膜120が形成されている。
例えば、半導体基板110に、フォトダイオードからなる不図示の受光部を有する画素がマトリクス状に集積して設けられている。
上記の半導体基板110上に、例えば、酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜の積層体などからなる絶縁膜120が形成されている。
上記の絶縁膜120中に銅配線などからなる配線121が埋め込まれている。
上記の配線は、受光部への光の入射を妨げないように受光部を除く領域において上記絶縁膜中に埋め込まれて形成された構成となっている。
上記の配線は、受光部への光の入射を妨げないように受光部を除く領域において上記絶縁膜中に埋め込まれて形成された構成となっている。
例えば、フォトダイオードの上方部分における絶縁膜120の上面から個々のフォトダイオードに対して伸び、底部が半導体基板110から離間した位置となるように、光導波路となる凹部120bが形成されている。
凹部120b内を埋め込んで、絶縁膜120の上層に全面に、光透過性の樹脂からなる埋め込み層122が形成されており、凹部120b内の埋め込み層122が光導波路となる。
凹部120b内を埋め込んで、絶縁膜120の上層に全面に、光透過性の樹脂からなる埋め込み層122が形成されており、凹部120b内の埋め込み層122が光導波路となる。
埋め込み層122の上層に、赤(R)、緑(G)及び青(B)の各色のカラーフィルタ123が画素ごとに区分されて設けられている。
カラーフィルタ123の上層にオンチップレンズ124が形成されている。
カラーフィルタ123の上層にオンチップレンズ124が形成されている。
一方、周辺領域A2においては、画素及び光導波路は設けられていない。
また、例えば画素領域A1と同様のパターンで設けられた赤(R)フィルタ及び緑(G)フィルタと、それらを被覆する全面のパターンの青(B)フィルタを有するカラーフィルタ123aが設けられている。周辺領域には画素が設けられてないのでカラーフィルタ123aは本来不要であるが、迷光を低減する目的で設けられている。
また、周辺領域A2においては、オンチップレンズは設けられておらず、オンチップレンズを設けるために塗布された樹脂材料の一部が残されている状態となっている。
また、例えば画素領域A1と同様のパターンで設けられた赤(R)フィルタ及び緑(G)フィルタと、それらを被覆する全面のパターンの青(B)フィルタを有するカラーフィルタ123aが設けられている。周辺領域には画素が設けられてないのでカラーフィルタ123aは本来不要であるが、迷光を低減する目的で設けられている。
また、周辺領域A2においては、オンチップレンズは設けられておらず、オンチップレンズを設けるために塗布された樹脂材料の一部が残されている状態となっている。
図12は、別の従来例に係る固体撮像装置の画素部の模式断面図である。
図11と同様に、画素が集積された画素領域A1と、画素領域A1の外周部に設けられた周辺領域A2について示している。
図11と同様に、画素が集積された画素領域A1と、画素領域A1の外周部に設けられた周辺領域A2について示している。
図11の固体撮像装置に対して、画素領域A1において、絶縁膜120に設けられた凹部120bの縁部120cがテーパ形状に加工されていることが異なる。さらに、縁部120cの加工が周辺領域A2まで延長されている。
また、周辺領域A2においては、絶縁膜120中に周辺部配線125が埋め込まれており、絶縁膜120上に上層配線127が形成されており、周辺部配線125と上層配線127を接続するコンタクト126が形成されている。
上記以外は、図11と同様である。
上記以外は、図11と同様である。
特許文献1〜6には、形状や構成要素などにおいて種々の特徴を有する光導波路が設けられた固体撮像装置が開示されている。
特開2000−150845号公報
特開2002−359363号公報
特開2003−324189号公報
特開2004−221532号公報
特開2005−294749号公報
特開2006−86320号公報
ここで、図11及び図12に示す固体撮像装置の製造工程において、画素領域A1では光導波路となる凹部120bが形成されているので、埋め込み層122を形成する際に光透過性の樹脂が凹部内に埋め込まれていく。
一方で、周辺領域A2では凹部120bが設けられていないことから、画素領域A1より樹脂が余剰となってしまう。
即ち、画素領域A1と周辺領域A2で埋め込み層122の膜厚が不均一となり、図中に示すようにt1<t2となり、周辺領域A2では埋め込み層122の表面高さが画素領域A1よりも高くなってしまう。
一方で、周辺領域A2では凹部120bが設けられていないことから、画素領域A1より樹脂が余剰となってしまう。
即ち、画素領域A1と周辺領域A2で埋め込み層122の膜厚が不均一となり、図中に示すようにt1<t2となり、周辺領域A2では埋め込み層122の表面高さが画素領域A1よりも高くなってしまう。
図11及び図12に示すように、埋め込み層122の上層にカラーフィルタ123とオンチップレンズ124が形成されている。
カラーフィルタ123とオンチップレンズ124は形成材料を塗布することで形成されている。
このため、下地である埋め込み層122の表面の高さが画素領域A1から周辺領域A2にかけて高くなっていると、画素領域A1の中央と端部でカラーフィルタ123の膜厚にムラが生じたり、オンチップレンズ124の形状に歪みが発生する。
この結果、画面の中央と端部で撮像特性にムラが生じることになる。
カラーフィルタ123とオンチップレンズ124は形成材料を塗布することで形成されている。
このため、下地である埋め込み層122の表面の高さが画素領域A1から周辺領域A2にかけて高くなっていると、画素領域A1の中央と端部でカラーフィルタ123の膜厚にムラが生じたり、オンチップレンズ124の形状に歪みが発生する。
この結果、画面の中央と端部で撮像特性にムラが生じることになる。
また、図12に示すように、周辺領域A2において、絶縁膜120上に、あるいは、画素領域A1における絶縁膜120の表面と同程度の高さの位置に、上層配線127が形成されている場合、上記の埋め込み層122の膜厚の不均一の程度がさらに大きくなる。これにより、画面の中央と端部での撮像特性のムラを悪化させる。
解決しようとする問題点は、画素領域A1と周辺領域A2で埋め込み層122の表面の高さを均一にし、画面の中央と端部での撮像特性のムラを低減することである。
本発明の固体撮像装置は、素子領域及び周辺領域を有する半導体基板と、前記素子領域において、前記半導体基板の複数の画素が集積された受光面に前記画素ごとに形成されたフォトダイオードと、前記画素領域及び前記周辺領域において前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記画素領域において、前記フォトダイオードの上方部分における前記絶縁膜の上面から個々の前記フォトダイオードに対して伸びるように形成された光導波路用凹部と、前記周辺領域内の所定の領域において、前記絶縁膜の上面の位置を前記半導体基板側に後退させるように前記絶縁膜に形成された調整用凹部と、前記画素領域における前記光導波路用凹部と前記周辺領域における前記調整用凹部に埋め込まれて形成された光透過性の埋め込み層と、前記埋め込み層の上層に形成されたカラーフィルタとを有する。
上記の本発明の固体撮像装置は、素子領域及び周辺領域を有する半導体基板の素子領域において、半導体基板の複数の画素が集積された受光面に画素ごとにフォトダイオードが形成されている。画素領域及び周辺領域において半導体基板上に絶縁膜が形成され、画素領域において、フォトダイオードの上方部分における絶縁膜の上面から個々のフォトダイオードに対して伸びるように光導波路用凹部が形成されている。また、周辺領域内の所定の領域において、絶縁膜の上面の位置を半導体基板側に後退させるように絶縁膜に調整用凹部が形成されている。画素領域における光導波路用凹部と周辺領域における調整用凹部に埋め込まれて光透過性の埋め込み層が形成され、埋め込み層の上層にカラーフィルタが形成されている。
また、本発明の固体撮像装置の製造方法は、素子領域及び周辺領域を有する半導体基板の前記素子領域において、前記半導体基板の複数の画素が集積された受光面に前記画素ごとにフォトダイオードを形成する工程と、前記画素領域及び前記周辺領域において前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記画素領域において、前記フォトダイオードの上方部分における前記絶縁膜の上面から個々の前記フォトダイオードに対して伸びるように光導波路用凹部を形成する工程と、前記周辺領域内の所定の領域において、前記絶縁膜の上面の位置を前記半導体基板側に後退させるように前記絶縁膜に調整用凹部を形成する工程と、前記画素領域における前記光導波路用凹部と前記周辺領域における前記調整用凹部に埋め込んで光透過性の埋め込み層を形成する工程と、前記埋め込み層の上層にカラーフィルタを形成する工程とを有する。
上記の本発明の固体撮像装置の製造方法は、素子領域及び周辺領域を有する半導体基板の前記素子領域において、半導体基板の複数の画素が集積された受光面に画素ごとにフォトダイオードを形成する。次に、画素領域及び周辺領域において半導体基板上に絶縁膜を形成する。次に、画素領域において、フォトダイオードの上方部分における絶縁膜の上面から個々のフォトダイオードに対して伸びるように光導波路用凹部を形成する。また、周辺領域内の所定の領域において、絶縁膜の上面の位置を半導体基板側に後退させるように絶縁膜に調整用凹部を形成する。次に、画素領域における光導波路用凹部と周辺領域における調整用凹部に埋め込んで光透過性の埋め込み層を形成する。次に、埋め込み層の上層にカラーフィルタを形成する。
また、本発明の電子機器は、固体撮像装置と、前記固体撮像装置の撮像部に入射光を導く光学系と、前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路とを有し、前記固体撮像装置は、素子領域及び周辺領域を有する半導体基板と、前記素子領域において、前記半導体基板の複数の画素が集積された受光面に前記画素ごとに形成されたフォトダイオードと、前記画素領域及び前記周辺領域において前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記画素領域において、前記フォトダイオードの上方部分における前記絶縁膜の上面から個々の前記フォトダイオードに対して伸びるように形成された光導波路用凹部と、前記周辺領域内の所定の領域において、前記絶縁膜の上面の位置を前記半導体基板側に後退させるように前記絶縁膜に形成された調整用凹部と、前記画素領域における前記光導波路用凹部と前記周辺領域における前記調整用凹部に埋め込まれて形成された光透過性の埋め込み層と、前記埋め込み層の上層に形成されたカラーフィルタとを有する。
上記の本発明の電子機器は、固体撮像装置と、固体撮像装置の撮像部に入射光を導く光学系と、固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路とを有する。ここで、固体撮像装置は、上記の本発明の固体撮像装置である。
本発明の固体撮像装置は、周辺領域において絶縁膜の上面に調整用凹部が設けられていることから、画素領域と周辺領域で埋め込み層の表面の高さが均一となり、画面の中央と端部での撮像特性のムラを低減することができる。
本発明の固体撮像装置の製造方法は、周辺領域において絶縁膜の上面に調整用凹部を設けるので、画素領域と周辺領域で埋め込み層の表面の高さが均一となり、画面の中央と端部での撮像特性のムラを低減することができる。
本発明の電子機器は、電子機器に含まれる固体撮像装置において、画素領域と周辺領域で埋め込み層の表面の高さが均一となり、画面の中央と端部での撮像特性のムラを低減することができる。
以下に、本発明に係る固体撮像装置と当該固体撮像装置を備えた電子機器の実施の形態について、図面を参照して説明する。
第1実施形態
図1は、本実施形態に係る固体撮像装置の断面図である。
図面は、画素が集積された画素領域A1と、画素領域A1の外周部に設けられた周辺領域A2について示している。
図1は、本実施形態に係る固体撮像装置の断面図である。
図面は、画素が集積された画素領域A1と、画素領域A1の外周部に設けられた周辺領域A2について示している。
以下、画素領域A1について説明する。
例えば、半導体基板10に、フォトダイオードからなる不図示の受光部を有する画素がマトリクス状に集積して設けられている。
上記の半導体基板10上に、例えば、酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜の積層体などからなる絶縁膜20が形成されている。炭化シリコン膜が積層されていてもよい。
例えば、半導体基板10に、フォトダイオードからなる不図示の受光部を有する画素がマトリクス状に集積して設けられている。
上記の半導体基板10上に、例えば、酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜の積層体などからなる絶縁膜20が形成されている。炭化シリコン膜が積層されていてもよい。
上記の絶縁膜20中に銅配線などからなる配線21が埋め込まれている。
上記の配線は、受光部への光の入射を妨げないように受光部を除く領域において上記絶縁膜中に埋め込まれて形成された構成となっている。
上記の配線は、受光部への光の入射を妨げないように受光部を除く領域において上記絶縁膜中に埋め込まれて形成された構成となっている。
例えば、フォトダイオードの上方部分における絶縁膜120の上面から個々のフォトダイオードに対して伸び、底部が半導体基板10から離間した位置となるように、光導波路用凹部20bが形成されている。
光導波路用凹部20b内を埋め込んで、絶縁膜20の上層に全面に、光透過性の樹脂からなる埋め込み層22が形成されており、光導波路用凹部20b内の埋め込み層22が光導波路となる。
光導波路用凹部20b内を埋め込んで、絶縁膜20の上層に全面に、光透過性の樹脂からなる埋め込み層22が形成されており、光導波路用凹部20b内の埋め込み層22が光導波路となる。
埋め込み層22の上層に、赤(R)、緑(G)及び青(B)の各色のカラーフィルタ23が画素ごとに区分されて設けられている。
カラーフィルタ23の上層にオンチップレンズ24が形成されている。
カラーフィルタ23の上層にオンチップレンズ24が形成されている。
次に、周辺領域A2について説明する。
周辺領域A2においては、半導体基板10上に絶縁膜20が設けられているが、画素及び光導波路は設けられていない。
周辺領域A2内の所定の領域において、絶縁膜20の上面の位置を半導体基板10側に後退させるように、絶縁膜20に調整用凹部20aが形成されている。
上記の埋め込み層22は、調整用凹部20aにおいても埋め込まれて形成されている。
周辺領域A2においては、半導体基板10上に絶縁膜20が設けられているが、画素及び光導波路は設けられていない。
周辺領域A2内の所定の領域において、絶縁膜20の上面の位置を半導体基板10側に後退させるように、絶縁膜20に調整用凹部20aが形成されている。
上記の埋め込み層22は、調整用凹部20aにおいても埋め込まれて形成されている。
埋め込み層22の上層に、例えば画素領域A1と同様のパターンで設けられた赤(R)フィルタ及び緑(G)フィルタと、それらを被覆する全面のパターンの青(B)フィルタを有するカラーフィルタ23aが設けられている。周辺領域には画素が設けられてないのでカラーフィルタ23aは本来不要であるが、迷光を低減する目的で設けられている。
また、オンチップレンズは設けられておらず、オンチップレンズを設けるために塗布された樹脂材料の一部が残されている状態となっている。
また、オンチップレンズは設けられておらず、オンチップレンズを設けるために塗布された樹脂材料の一部が残されている状態となっている。
上記のように、本実施形態の固体撮像装置は、周辺領域A2において絶縁膜20の上面に調整用凹部20aが設けられている。このため、画素領域A1と周辺領域A2で埋め込み層22の表面の高さが均一となり、カラーフィルタ23の膜厚のムラが低減され、画面の中央と端部での撮像特性のムラを低減することができる。
例えば、絶縁膜20の膜厚が3000nmであり、光導波路用凹部を2000nm程度の深さで設けられる。
例えば、画素領域A1における光導波路用凹部の占める面積は画素領域全体の10%程度である。上記のような膜厚の場合には、光導波路用凹部の深さの10%程度、即ち200nm程度の深さで、周辺領域において全面に調整用凹部20aが形成された構成とする。
例えば、画素領域A1における光導波路用凹部の占める面積は画素領域全体の10%程度である。上記のような膜厚の場合には、光導波路用凹部の深さの10%程度、即ち200nm程度の深さで、周辺領域において全面に調整用凹部20aが形成された構成とする。
上記のように、本実施形態の固体撮像装置は、好ましくは、上記のようにカラーフィルタ23の上層にオンチップレンズ24が形成されている。
上記のように、画素領域A1と周辺領域A2で埋め込み層22の表面の高さが均一となり、オンチップレンズの形状の歪みが抑制され、画面の中央と端部での撮像特性のムラを低減することができる。
上記のように、画素領域A1と周辺領域A2で埋め込み層22の表面の高さが均一となり、オンチップレンズの形状の歪みが抑制され、画面の中央と端部での撮像特性のムラを低減することができる。
上記のように、本実施形態の固体撮像装置は、好ましくは、絶縁膜20中に埋め込まれて配線21が形成されている。
光導波路が設けられているので、配線に妨げないで入射する光の受光部への集光が可能である。
光導波路が設けられているので、配線に妨げないで入射する光の受光部への集光が可能である。
次に、本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法について説明する。
図2(a)〜図2(c)、図3(a)及び図3(b)は、本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法の製造工程を示す断面図である。
上記の各図面においては、画素領域A1と周辺領域A2について示している。
図2(a)〜図2(c)、図3(a)及び図3(b)は、本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法の製造工程を示す断面図である。
上記の各図面においては、画素領域A1と周辺領域A2について示している。
まず、図2(a)に示すように、例えば、素子領域A1及び周辺領域A2を有する半導体基板10の素子領域A1において、半導体基板10の複数の画素が集積された受光面に画素ごとに不図示のフォトダイオードを形成する。
次に、例えば、画素領域A1及び周辺領域A2において、CVD(Chemical Vapor Deposition)法などにより半導体基板10上に絶縁膜20を3000nmの膜厚で形成する。
例えば、酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜の積層体などから形成する。炭化シリコン膜が積層されるようにしてもよい。
例えば、酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜の積層体などから形成する。炭化シリコン膜が積層されるようにしてもよい。
例えば、上記の絶縁膜20を形成する工程において、絶縁膜20中に埋め込まれるように配線21を形成しながら行う。
例えば、上記の絶縁膜を構成する1層の絶縁膜において配線を形成する領域に配線用の溝を形成し、シード層となるバリアメタル膜を形成する。次に、電解メッキにより銅を堆積し、溝の外部に堆積した導電材料をCMP(Chemical Mechanical Polishing)処理で除去する。上記のようなダマシン法により、上記の工程を各絶縁膜において行うことで、絶縁膜に埋め込まれた配線を形成することができる。
上記の構造においては、窒化シリコン膜や炭化シリコン膜は銅の拡散を防止する膜となる。
例えば、上記の絶縁膜を構成する1層の絶縁膜において配線を形成する領域に配線用の溝を形成し、シード層となるバリアメタル膜を形成する。次に、電解メッキにより銅を堆積し、溝の外部に堆積した導電材料をCMP(Chemical Mechanical Polishing)処理で除去する。上記のようなダマシン法により、上記の工程を各絶縁膜において行うことで、絶縁膜に埋め込まれた配線を形成することができる。
上記の構造においては、窒化シリコン膜や炭化シリコン膜は銅の拡散を防止する膜となる。
次に、図2(b)に示すように、例えば、フォトリソグラフィ工程により周辺領域A2内の所定の領域を開口するパターンのレジスト膜R1を形成し、RIE(反応性イオンエッチング)などのエッチング処理を行う。これにより、周辺領域A2内の所定の領域において、絶縁膜20の上面の位置を半導体基板10側に後退させるように絶縁膜20に調整用凹部20aを形成する。
次に、図2(c)に示すように、例えば、画素領域A1において、フォトダイオードの上方部分における絶縁膜20の上面から個々のフォトダイオードに対して伸び、底部が半導体基板10から離間した位置となるように、光導波路用凹部20bを形成する。光導波路用凹部20bの深さは、例えば2000nm程度とする。
上記のように、例えば、絶縁膜20の膜厚が3000nmであり、光導波路用凹部を2000nm程度の深さであり、画素領域A1における光導波路用凹部の占める面積は画素領域全体の10%程度である場合、調整用凹部20aの深さは200nm程度とする。
次に、図3(a)に示すように、例えば、画素領域A1における光導波路用凹部20bと周辺領域A2における調整用凹部20aに埋め込んで、光透過性の埋め込み層22を形成する。埋め込み層22は、例えば、光透過性の樹脂をスピン塗布などで供給して形成することができる。
次に、図3(b)に示すように、例えば、埋め込み層22の上層にカラーフィルタ23を形成する。例えば、画素領域A1においては、画素のレイアウトに適合するように、リソグラフィによって、最初に赤(R)フィルタを形成し、次に緑(G)フィルタを形成し、最後に青(B)フィルタを形成する。
一方、周辺領域A2においては、リソグラフィによって赤(R)フィルタと緑(G)フィルタを画素領域A1と同様に形成し、最後にそれらを被覆する全面のパターンの青(B)フィルタを形成し、上述の構成のカラーフィルタ23aを形成する。
一方、周辺領域A2においては、リソグラフィによって赤(R)フィルタと緑(G)フィルタを画素領域A1と同様に形成し、最後にそれらを被覆する全面のパターンの青(B)フィルタを形成し、上述の構成のカラーフィルタ23aを形成する。
さらに、カラーフィルタ23の上層にオンチップレンズ24を形成する。例えば、オンチップレンズ24は、レンズとなる樹脂材料をスピン塗布などで供給し、レンズ形状となるようにエッチング加工することで形成できる。
以上で、図1に示す構成の固体撮像装置を製造することができる。
以上で、図1に示す構成の固体撮像装置を製造することができる。
上記のように、本実施形態の固体撮像装置の製造方法は、周辺領域A2において絶縁膜20の上面に調整用凹部20aを設ける。このため、画素領域A1と周辺領域A2で埋め込み層22の表面の高さが均一となり、カラーフィルタ23の膜厚のムラが低減され、画面の中央と端部での撮像特性のムラを低減することができる。
上記のように、本実施形態の固体撮像装置の製造方法は、好ましくは、上記のようにカラーフィルタ23の上層にオンチップレンズ24を形成する。
上記のように、画素領域A1と周辺領域A2で埋め込み層22の表面の高さが均一となり、オンチップレンズの形状の歪みが抑制され、画面の中央と端部での撮像特性のムラを低減することができる。
上記のように、画素領域A1と周辺領域A2で埋め込み層22の表面の高さが均一となり、オンチップレンズの形状の歪みが抑制され、画面の中央と端部での撮像特性のムラを低減することができる。
上記のように、本実施形態の固体撮像装置は、好ましくは、絶縁膜20を形成する工程において、絶縁膜20中に埋め込んで配線21を形成する。
光導波路が設けられているので、配線に妨げないで入射する光の受光部への集光が可能である。
光導波路が設けられているので、配線に妨げないで入射する光の受光部への集光が可能である。
第2実施形態
図4は、本実施形態に係る固体撮像装置の断面図である。
第1実施形態と同様に、画素が集積された画素領域A1と、画素領域A1の外周部に設けられた周辺領域A2について示している。
図4は、本実施形態に係る固体撮像装置の断面図である。
第1実施形態と同様に、画素が集積された画素領域A1と、画素領域A1の外周部に設けられた周辺領域A2について示している。
第1実施形態の固体撮像装置に対して、画素領域A1において、絶縁膜20に設けられた光導波路用凹部20bの縁部20cがテーパ形状に加工されていることが異なる。
また、周辺領域A2においては、絶縁膜20中に周辺部配線25が埋め込まれており、絶縁膜20中の周辺部配線25の上方に上層配線27が形成されており、周辺部配線25と上層配線27を接続するコンタクト26が形成されている。
上記以外は、第1実施形態と同様である。
上記以外は、第1実施形態と同様である。
本実施形態の固体撮像装置においては、周辺領域A2において、画素領域A1における絶縁膜20の表面と同程度の高さの位置に、上層配線27が形成されている。
ここで、周辺領域A2内の上層配線27を除く領域に、調整用凹部20dが形成されている。
ここで、周辺領域A2内の上層配線27を除く領域に、調整用凹部20dが形成されている。
調整用凹部20dとしては、上層配線27の領域を含むように設けることはできないので、上層配線27を除く領域に設ける。
上記のような上層配線27は、埋め込み層22の膜厚の不均一の原因となるので、本実施形態における調整用凹部20dの深さは、上層配線27により引き起こされる不均一を吸収できるような深さとなっている。
上記のような上層配線27は、埋め込み層22の膜厚の不均一の原因となるので、本実施形態における調整用凹部20dの深さは、上層配線27により引き起こされる不均一を吸収できるような深さとなっている。
上記のように、本実施形態の固体撮像装置は、周辺領域A2において絶縁膜20の上面に調整用凹部20dが設けられている。このため、画素領域A1と周辺領域A2で埋め込み層22の表面の高さが均一となり、カラーフィルタ23の膜厚のムラが低減され、画面の中央と端部での撮像特性のムラを低減することができる。
特に、上層配線によって埋め込み層22の膜厚の不均一が増大しやすいが、上記のように調整用凹部20dにより埋め込み層22の表面の高さが均一となる。これにより、カラーフィルタ23の膜厚のムラが低減され、画面の中央と端部での撮像特性のムラを低減することができる。
特に、上層配線によって埋め込み層22の膜厚の不均一が増大しやすいが、上記のように調整用凹部20dにより埋め込み層22の表面の高さが均一となる。これにより、カラーフィルタ23の膜厚のムラが低減され、画面の中央と端部での撮像特性のムラを低減することができる。
次に、本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法について説明する。
図5(a)〜図5(c)、図6(a)〜図6(c)は、本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法の製造工程を示す断面図である。
上記の各図面においては、画素領域A1と周辺領域A2について示している。
図5(a)〜図5(c)、図6(a)〜図6(c)は、本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法の製造工程を示す断面図である。
上記の各図面においては、画素領域A1と周辺領域A2について示している。
まず、図5(a)に示すように、例えば、素子領域A1及び周辺領域A2を有する半導体基板10の素子領域A1において、半導体基板10の複数の画素が集積された受光面に画素ごとに不図示のフォトダイオードを形成する。
次に、例えば、画素領域A1及び周辺領域A2において、半導体基板10上に絶縁膜20を膜厚で形成する。
例えば、上記の絶縁膜20を形成する工程において、画素領域A1において絶縁膜20中に埋め込まれるように配線21を形成しながら行う。
また、周辺領域A2において絶縁膜20中に埋め込まれるように周辺部配線25を形成しながら行う。
例えば、上記の絶縁膜20を形成する工程において、画素領域A1において絶縁膜20中に埋め込まれるように配線21を形成しながら行う。
また、周辺領域A2において絶縁膜20中に埋め込まれるように周辺部配線25を形成しながら行う。
次に、図5(b)に示すように、例えば、フォトリソグラフィ工程により周辺領域A2内の所定の領域を開口するパターンのレジスト膜R1を形成し、RIE(反応性イオンエッチング)などのエッチング処理を行う。これにより、周辺領域A2内の所定の領域において、絶縁膜20の上面の位置を半導体基板10側に後退させるように絶縁膜20に調整用凹部20aを形成する。
次に、図5(c)に示すように、例えば、周辺領域A2の調整用凹部20aが形成された領域内において、周辺部配線25に接続するコンタクト26を形成し、コンタクトに接続するように上層配線27を形成する。
次に、図6(a)に示すように、例えば、CVD法により全面に酸化シリコンを堆積させ、絶縁膜20を厚膜化する。図面上、点線で境界を示している。
このとき、上層配線27は上記の酸化シリコン膜に被覆され、上層配線27の領域を除く領域が実質的な調整用凹部20dとなる。
このとき、上層配線27は上記の酸化シリコン膜に被覆され、上層配線27の領域を除く領域が実質的な調整用凹部20dとなる。
次に、例えば、画素領域A1において、光導波路用凹部20bを形成する。
また、光導波路用凹部20bの縁部20cをテーパ形状に加工する。
また、光導波路用凹部20bの縁部20cをテーパ形状に加工する。
次に、図6(b)に示すように、例えば、画素領域A1における光導波路用凹部20bと周辺領域A2における調整用凹部20dに埋め込み層22を形成する。
次に、図6(c)に示すように、例えば、画素領域A1で埋め込み層22の上層にカラーフィルタ23を形成し、周辺領域で上述のカラーフィルタ23aを形成する。
次に、カラーフィルタ23の上層にオンチップレンズ24を形成する。
以上で、図4に示す構成の固体撮像装置を製造することができる。
次に、カラーフィルタ23の上層にオンチップレンズ24を形成する。
以上で、図4に示す構成の固体撮像装置を製造することができる。
上記のように、本実施形態の固体撮像装置の製造方法は、周辺領域A2において絶縁膜20の上面に調整用凹部20aを設ける。このため、画素領域A1と周辺領域A2で埋め込み層22の表面の高さが均一となり、カラーフィルタ23の膜厚のムラが低減され、画面の中央と端部での撮像特性のムラを低減することができる。
特に、上層配線によって埋め込み層22の膜厚の不均一が増大しやすいが、上記のように調整用凹部20dにより埋め込み層22の表面の高さが均一となる。これにより、カラーフィルタ23の膜厚のムラが低減され、画面の中央と端部での撮像特性のムラを低減することができる。
特に、上層配線によって埋め込み層22の膜厚の不均一が増大しやすいが、上記のように調整用凹部20dにより埋め込み層22の表面の高さが均一となる。これにより、カラーフィルタ23の膜厚のムラが低減され、画面の中央と端部での撮像特性のムラを低減することができる。
第3実施形態
図7は、本実施形態に係る固体撮像装置の断面図である。
第2実施形態と同様の構成であるが、周辺領域A2において、絶縁膜20上に上層配線27が形成されていることが異なる。
上記以外は、第2実施形態と同様である。
図7は、本実施形態に係る固体撮像装置の断面図である。
第2実施形態と同様の構成であるが、周辺領域A2において、絶縁膜20上に上層配線27が形成されていることが異なる。
上記以外は、第2実施形態と同様である。
本実施形態においても、周辺領域A2内の上層配線27を除く領域が、画素領域A1と周辺領域A2で埋め込み層22の表面の高さの均一化に寄与する実質的な調整用凹部となる。
上記のように、本実施形態の固体撮像装置は、周辺領域A2において絶縁膜20の上面に調整用凹部20dが設けられている。このため、画素領域A1と周辺領域A2で埋め込み層22の表面の高さが均一となり、カラーフィルタ23の膜厚のムラが低減され、画面の中央と端部での撮像特性のムラを低減することができる。
第4実施形態
図8は、本実施形態に係る固体撮像装置の断面図である。
画素が集積された画素領域A1と、画素領域A1の外周部に設けられた周辺領域A2の全体の構成については第2及び第3実施形態と同様であるが、図面上、画素が集積された画素領域A1における緑色画素PXGと青色画素PXBについて示している。
図8は、本実施形態に係る固体撮像装置の断面図である。
画素が集積された画素領域A1と、画素領域A1の外周部に設けられた周辺領域A2の全体の構成については第2及び第3実施形態と同様であるが、図面上、画素が集積された画素領域A1における緑色画素PXGと青色画素PXBについて示している。
第2及び第3実施形態の固体撮像装置に対して、画素領域A1において、絶縁膜20に設けられた光導波路用凹部20bのテーパ形状に加工された縁部20cについて、緑色画素PXGの方が青色画素PXBより大きく開口されていることが異なる。
上記以外は、第2及び第3実施形態と同様である。
上記以外は、第2及び第3実施形態と同様である。
上記のように、本実施形態の固体撮像装置は、テーパ形状に加工された縁部20cについて、緑色画素PXGの方が青色画素PXBより大きく開口されている。
従来、感度の入射角依存性が画素(カラーフィルタ)の色によって異なることに起因して、感度のF値依存性が画素(カラーフィルタ)の色によって異なる現象が生じていた。
本実施形態においては、テーパ形状に加工された縁部20cについて、緑色画素PXGの方が青色画素PXBより大きく開口されていることにより、感度の入射角依存性の色間差が補正され、F値依存性の色間差が抑制される構成とすることができる。
従来、感度の入射角依存性が画素(カラーフィルタ)の色によって異なることに起因して、感度のF値依存性が画素(カラーフィルタ)の色によって異なる現象が生じていた。
本実施形態においては、テーパ形状に加工された縁部20cについて、緑色画素PXGの方が青色画素PXBより大きく開口されていることにより、感度の入射角依存性の色間差が補正され、F値依存性の色間差が抑制される構成とすることができる。
また、赤色画素の光導波路用凹部20bのテーパ形状に加工された縁部20cについては、例えば、緑色画素PXGの縁部20cと同等の構成とする。
さらに、本実施形態においては、上記の実施形態と同様に、周辺領域A2において絶縁膜20の上面に調整用凹部20dが設けられている構成となっている。
このため、画素領域A1と周辺領域A2で埋め込み層22の表面の高さが均一となり、カラーフィルタ23の膜厚のムラが低減され、画面の中央と端部での撮像特性のムラを低減することができる。
このため、画素領域A1と周辺領域A2で埋め込み層22の表面の高さが均一となり、カラーフィルタ23の膜厚のムラが低減され、画面の中央と端部での撮像特性のムラを低減することができる。
次に、本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法について説明する。
図9(a)〜図9(b)は、本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法の製造工程を示す断面図である。
上記の各図面においては、緑色画素PXGと青色画素PXBについて示している。
図9(a)〜図9(b)は、本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法の製造工程を示す断面図である。
上記の各図面においては、緑色画素PXGと青色画素PXBについて示している。
まず、工程までは第2及び第3実施形態と同様である。
次に、図9(a)に示すように、例えば、半導体基板10の複数の画素が集積された受光面に画素ごとに不図示のフォトダイオードを形成し、半導体基板10上に絶縁膜20を膜厚で形成する。
ここで、絶縁膜20中に埋め込まれるように配線21などを形成しながら行う。
次に、図9(a)に示すように、例えば、半導体基板10の複数の画素が集積された受光面に画素ごとに不図示のフォトダイオードを形成し、半導体基板10上に絶縁膜20を膜厚で形成する。
ここで、絶縁膜20中に埋め込まれるように配線21などを形成しながら行う。
次に、例えば、フォトリソグラフィ工程により光導波路用凹部20bの縁部20cとなる領域を開口するレジスト膜PR1をパターン形成し、凹部の縁部20cがテーパ状になるように、エッチング処理を行って、縁部20cをテーパ形状に加工する。
この後、レジスト膜PR1を除去する。
この後、レジスト膜PR1を除去する。
次に、図9(b)示すように、例えば、フォトリソグラフィ工程により光導波路用凹部20bとなる領域を開口するレジスト膜PR2をパターン形成し、エッチング処理を行って、光導波路用凹部20bを形成する。
この後、レジスト膜PR2を除去する。
以降及び上記以外の工程は、周辺領域A2における調整用凹部20d工程を含めて、実質的に第2及び第3実施形態と同様にして、本実施形態に係る固体撮像装置を製造することができる。
この後、レジスト膜PR2を除去する。
以降及び上記以外の工程は、周辺領域A2における調整用凹部20d工程を含めて、実質的に第2及び第3実施形態と同様にして、本実施形態に係る固体撮像装置を製造することができる。
上記のように、本実施形態の固体撮像装置の製造方法は、画素領域A1と周辺領域A2で埋め込み層22の表面の高さが均一となり、カラーフィルタ23の膜厚のムラが低減され、画面の中央と端部での撮像特性のムラを低減することができる。
第5実施形態
図10は、本実施形態に係る電子機器であるカメラの概略構成図である。本実施形態に係るカメラは、静止画撮影又は動画撮影可能なビデオカメラの例である。
本実施形態に係るカメラは、イメージセンサ(固体撮像装置)50と、光学系51と、信号処理回路53などを有する。
本実施形態において、上記のイメージセンサ50として、上記の第1実施形態に係る固体撮像装置が組み込まれている。
図10は、本実施形態に係る電子機器であるカメラの概略構成図である。本実施形態に係るカメラは、静止画撮影又は動画撮影可能なビデオカメラの例である。
本実施形態に係るカメラは、イメージセンサ(固体撮像装置)50と、光学系51と、信号処理回路53などを有する。
本実施形態において、上記のイメージセンサ50として、上記の第1実施形態に係る固体撮像装置が組み込まれている。
光学系51は、被写体からの像光(入射光)をイメージセンサ50の撮像面上に結像させる。これによりイメージセンサ50内に一定期間当該信号電荷が蓄積される。蓄積された信号電荷は出力信号Voutとして取り出される。
シャッタ装置は、イメージセンサ50への光照射期間および遮光期間を制御する。
シャッタ装置は、イメージセンサ50への光照射期間および遮光期間を制御する。
画像処理部は、イメージセンサ50の転送動作およびシャッタ装置のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。画像処理部から供給される駆動信号(タイミング信号)により、イメージセンサ50の信号転送を行なう。信号処理回路53は、イメージセンサ50の出力信号Voutに対して種々の信号処理を施して映像信号として出力する。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶され、あるいはモニタに出力される。
上記の本実施形態に係る電子機器によれば、内蔵される固体撮像装置において、周辺領域A2において絶縁膜20の上面に調整用凹部20dが設けられている。このため、画素領域A1と周辺領域A2で埋め込み層22の表面の高さが均一となり、カラーフィルタ23の膜厚のムラが低減され、画面の中央と端部での撮像特性のムラを低減することができる。
上記の実施形態では、可視光の光量に応じた信号電荷を物理量として検知する単位画素が行列状に配置されてなるイメージセンサ50に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はイメージセンサ50への適用に限られるものではない。例えば、画素アレイ部の画素列ごとにカラム回路を配置してなるカラム方式の固体撮像装置全般に対して適用可能である。
また、本発明は、可視光の入射光量の分布を検知して画像として撮像する固体撮像装置への適用に限らない。赤外線やX線、あるいは粒子等の入射量の分布を画像として撮像する固体撮像装置や、広義の意味として、圧力や静電容量など、他の物理量の分布を検知して画像として撮像する指紋検出センサ等の固体撮像装置(物理量分布検知装置)全般に対して適用できる。
さらに、画素アレイ部の各単位画素を行単位で順に走査して各単位画素から画素信号を読み出す固体撮像装置に限らず、画素単位で任意の画素を選択して、当該選択画素から画素単位で信号を読み出すX−Yアドレス型の固体撮像装置に対しても適用可能である。
なお、固体撮像装置はワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
また、本発明は、固体撮像装置への適用に限られるものではなく、撮像装置にも適用可能である。ここで、撮像装置とは、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、携帯電話機などの撮像機能を有する電子機器のことを言う。なお、電子機器に搭載される上記モジュール状の形態、即ちカメラモジュールを撮像装置とする場合もある。
ビデオカメラやデジタルスチルカメラ、さらには携帯電話機等のモバイル機器向けカメラモジュールなどの撮像装置において、その固体撮像装置として先述した実施形態に係るイメージセンサ50を用いることができる。これにより、当該イメージセンサ50では、簡単な構成で、良質な画像を得ることができる。
本発明は上記の説明に限定されない。
例えば、実施形態においてはCMOSセンサとCCD素子のいずれにも適用できる。
また、絶縁膜の層構成や絶縁膜中に埋め込まれている配線の構成などは、特に限定はなく、種々の構成が適用できる。
また、カラーフィルタのパターン及びオンチップレンズの形状などの本実施形態に示されたもの以外を適用することも可能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
例えば、実施形態においてはCMOSセンサとCCD素子のいずれにも適用できる。
また、絶縁膜の層構成や絶縁膜中に埋め込まれている配線の構成などは、特に限定はなく、種々の構成が適用できる。
また、カラーフィルタのパターン及びオンチップレンズの形状などの本実施形態に示されたもの以外を適用することも可能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
10…半導体基板、20…絶縁膜、20a,20d…調整用凹部、20b…光導波路用凹部、20c…縁部、21…配線、22…埋め込み層、23,23a…カラーフィルタ、24…オンチップレンズ、25…周辺部配線、26…コンタクト、27…上層配線、A1…画素領域、A2…周辺領域、50…イメージセンサ、51…光学系、53…信号処理回路
Claims (9)
- 素子領域及び周辺領域を有する半導体基板と、
前記素子領域において、前記半導体基板の複数の画素が集積された受光面に前記画素ごとに形成されたフォトダイオードと、
前記画素領域及び前記周辺領域において前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記画素領域において、前記フォトダイオードの上方部分における前記絶縁膜の上面から個々の前記フォトダイオードに対して伸びるように形成された光導波路用凹部と、
前記周辺領域内の所定の領域において、前記絶縁膜の上面の位置を前記半導体基板側に後退させるように前記絶縁膜に形成された調整用凹部と、
前記画素領域における前記光導波路用凹部と前記周辺領域における前記調整用凹部に埋め込まれて形成された光透過性の埋め込み層と、
前記埋め込み層の上層に形成されたカラーフィルタと
を有する固体撮像装置。 - 前記カラーフィルタの上層にオンチップレンズが形成されている
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記絶縁膜中に埋め込まれて配線が形成されている
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記周辺領域において、前記絶縁膜上にあるいは前記画素領域における前記絶縁膜の表面と同程度の高さの位置に、上層配線が形成されており、
前記調整用凹部が前記上層配線を除く領域に形成されている
請求項1〜3のいずれかに記載の固体撮像装置。 - 素子領域及び周辺領域を有する半導体基板の前記素子領域において、前記半導体基板の複数の画素が集積された受光面に前記画素ごとにフォトダイオードを形成する工程と、
前記画素領域及び前記周辺領域において前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記画素領域において、前記フォトダイオードの上方部分における前記絶縁膜の上面から個々の前記フォトダイオードに対して伸びるように光導波路用凹部を形成する工程と、
前記周辺領域内の所定の領域において、前記絶縁膜の上面の位置を前記半導体基板側に後退させるように前記絶縁膜に調整用凹部を形成する工程と、
前記画素領域における前記光導波路用凹部と前記周辺領域における前記調整用凹部に埋め込んで光透過性の埋め込み層を形成する工程と、
前記埋め込み層の上層にカラーフィルタを形成する工程と
を有する固体撮像装置の製造方法。 - 前記カラーフィルタを形成する工程の後に、前記埋め込み層の上層にオンチップレンズを形成する工程をさらに有する
請求項5に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記絶縁膜を形成する工程が、前記絶縁膜中に埋め込まれるように配線を形成する工程を含む
請求項5に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記周辺領域において、前記絶縁膜上にあるいは前記画素領域における前記絶縁膜の表面と同程度の高さとなる位置に、上層配線を形成する工程をさらに有し、
前記調整用凹部を形成する工程において、前記調整用凹部を前記上層配線を除く領域に形成する
請求項5〜7のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。 - 固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の撮像部に入射光を導く光学系と、
前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路と
を有し、
前記固体撮像装置は、
素子領域及び周辺領域を有する半導体基板と、
前記素子領域において、前記半導体基板の複数の画素が集積された受光面に前記画素ごとに形成されたフォトダイオードと、
前記画素領域及び前記周辺領域において前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記画素領域において、前記フォトダイオードの上方部分における前記絶縁膜の上面から個々の前記フォトダイオードに対して伸びるように形成された光導波路用凹部と、
前記周辺領域内の所定の領域において、前記絶縁膜の上面の位置を前記半導体基板側に後退させるように前記絶縁膜に形成された調整用凹部と、
前記画素領域における前記光導波路用凹部と前記周辺領域における前記調整用凹部に埋め込まれて形成された光透過性の埋め込み層と、
前記埋め込み層の上層に形成されたカラーフィルタと
を有する電子機器。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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---|---|
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Family
ID=42255590
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
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---|---|---|---|---|
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-
2008
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