JP2011086658A - 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、及び撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】斜めストライプ配列のカラーフィルタの膜厚ムラを容易に抑制する固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ50bの表面に平坦化層51を形成する工程、平坦化層51上にGフィルタ材料をスピンコート法によって塗布する工程、平面視においてウエハ50bに形成する受光素子領域同士の隙間で形成される通路のうち、少なくともウエハ50bの中心点から十字の方向に延びる通路(以下、十字通路という)内の平坦化層51に凹部51aを形成する工程、上記Gフィルタ材料をパターニングして、受光領域の平坦化層51上に十字通路に対して斜め方向に延びるストライプ状のGカラーフィルタを形成する工程、Gカラーフィルタ及び凹部51aの形成後、平坦化層51上にRフィルタ材料をスピンコート法によって塗布し、当該材料をパターニングしてRカラーフィルタ52bを形成する工程を備える。
【選択図】図9
【解決手段】半導体ウエハ50bの表面に平坦化層51を形成する工程、平坦化層51上にGフィルタ材料をスピンコート法によって塗布する工程、平面視においてウエハ50bに形成する受光素子領域同士の隙間で形成される通路のうち、少なくともウエハ50bの中心点から十字の方向に延びる通路(以下、十字通路という)内の平坦化層51に凹部51aを形成する工程、上記Gフィルタ材料をパターニングして、受光領域の平坦化層51上に十字通路に対して斜め方向に延びるストライプ状のGカラーフィルタを形成する工程、Gカラーフィルタ及び凹部51aの形成後、平坦化層51上にRフィルタ材料をスピンコート法によって塗布し、当該材料をパターニングしてRカラーフィルタ52bを形成する工程を備える。
【選択図】図9
Description
本発明は、固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、及び撮像装置に関する。
ダイナミックレンジを拡大することのできる固体撮像素子が特許文献1に開示されている。特許文献1に記載の固体撮像素子は、正方格子状に配列された主画素と、主画素と同一配列で配列された副画素であって、各画素の配列ピッチの1/2だけ主画素の位置から水平及び垂直方向にずらして配列された副画素とを備えている。そして、この固体撮像素子では、主画素の露光時間と副画素の露光時間を異ならせる駆動を行うことで、主画素と副画素の感度を変え、主画素から得られる信号と副画素から得られる信号を合成することにより、ダイナミックレンジを拡大している。
特許文献1に開示された固体撮像素子は、主画素の上方に設けられたカラーフィルタと、副画素の上方に設けられたカラーフィルタとがいずれもベイヤー配列となっているため、そのフィルタ配列は図15に示したようになる。
図15は、従来の固体撮像素子のカラーフィルタ配列を示した図である。図15において、“R1”,“R2”は、赤色(R)の光を透過するRカラーフィルタを示し、“G1”,“G2”は、緑色(G)の光を透過するGカラーフィルタを示し、“B1”,“B2”は、青色(B)の光を透過するBカラーフィルタを示している。各カラーフィルタの添え字“1”、“2”は、それぞれ主画素上方に設けられたフィルタ、副画素上方に設けられたフィルタを示している。
図15に示すように、特許文献1に開示された固体撮像素子では、斜め左上の方向に見たとき、Gカラーフィルタだけを並べた列と、Rカラーフィルタ及びBカラーフィルタを2個ずつ交互に並べた列とを、該方向に直交する方向に交互に配置したカラーフィルタ配列となっている。このように、1つのカラーフィルタ(図15の例ではGカラーフィルタ)がストライプ状に配置され、残りのカラーフィルタ(図15の例ではRカラーフィルタ及びBカラーフィルタ)がストライプの間に島状に配置されたカラーフィルタ配列のことを以下では斜めストライプ配列という。
斜めストライプ配列のカラーフィルタの製造方法としては、ストライプ状に配置されたカラーフィルタを最初に形成し、その後に、ストライプ状に配置されたカラーフィルタの間に島状のカラーフィルタを形成する方法が考えられる。しかし、このような方法で斜めストライプ配列のカラーフィルタを形成すると、チップ毎にカラーフィルタの厚みにムラが生じてしまう。このムラが発生する原理を以下に説明する。
図16は、固体撮像素子が作りこまれた半導体ウエハの平面模式図である。半導体ウエハWには、複数の固体撮像素子チップCが敷き詰められている。固体撮像素子チップCは、半導体ウエハWの中心点Pを中心に放射状に配置されている。次に、図16に示した半導体ウエハの製造方法を説明する。
図17、18、19は、図16に示した領域K内にある4つの固体撮像素子チップの製造工程を説明するための図である。まず、半導体ウエハWのチップCを形成すべき領域C1に、固体撮像素子のカラーフィルタより下の構成要素(半導体基板内のフォトダイオード等の素子、半導体基板上方に設ける電極、配線、遮光膜、絶縁膜、及び層内レンズ等の素子、周辺回路)を形成する。また、図17に示すように、領域C1同士の間にはダイシングラインDLを形成しておく。このダイシングラインDLは、後のダイシング工程で切断される領域であり、切断後は残らない領域である。
次に、図18に示すように、半導体ウエハWの上に透明樹脂等からなる平坦化層C2を形成する。この平坦化層C2は、半導体ウエハW全面で凹凸のない平坦な層である。次に、この平坦化層C2の上に、斜めストライプ配列のカラーフィルタを形成する。
まず、図15に示したカラーフィルタのうち、1色目のカラーフィルタ(Gカラーフィルタ)の材料を半導体ウエハW全面にスピンコートによって塗布して、Gカラーフィルタ材料層を形成する。具体的には、Gカラーフィルタの材料を半導体ウエハWの中心点Pに滴下し、半導体ウエハWを高速でスピンさせる。これにより、Gカラーフィルタの材料が平坦化層C2上に薄く広がり、平坦化層C2上に平坦なGカラーフィルタ材料層が形成される。次に、フォトリソグラフィ及びエッチングによってGカラーフィルタ材料層をパターニングして、各領域C1内の受光領域C4に、図15に示したような斜めストライプ状のGカラーフィルタC3を形成する(図19)。
次に、2色目のカラーフィルタ(例えばRカラーフィルタ)の材料を半導体ウエハW全面にスピンコートによって塗布し、Rカラーフィルタ材料層を形成する。このとき、平坦化層C2上には、カラーフィルタの材料が流れる通路として、受光領域C4同士で挟まれた領域(ダイシングラインDLを含む領域)により形成された第一の通路と、各受光領域C4内にあるGカラーフィルタC3同士の間の領域により形成された第二の通路とが存在する。
半導体ウエハWを回転させているとき、半導体ウエハWの中心点Pから十字方向に延びる第一の通路(以下、十字方向の第一の通路という)においては、カラーフィルタの材料の流れを妨げるものがない。つまり、十字方向の第一の通路においては、カラーフィルタの材料の流速が速くなる。このため、十字方向の第一の通路に隣接する受光領域C4のうち半導体ウエハWの回転方向とは逆方向にある受光領域C4(回転方向を時計回りとした場合、図19の例では、十字方向の第一の通路の上側の受光領域C4)から第一の通路に向かってカラーフィルタ材料が流出しやすくなる。また、十字方向の第一の通路から、この第一の通路に隣接する受光領域C4のうち半導体ウエハWの回転方向と同じ方向にある受光領域C4(図19の例では、十字方向の第一の通路の下側の受光領域C4)の第二の通路に向かってカラーフィルタ材料が流入しやすくなる。
この結果、十字方向の第一の通路に隣接する受光領域C4のうち半導体ウエハWの回転方向とは逆方向にある受光領域C4の第一の通路側の端部(図19の符号K1で示した範囲)に塗布されるRカラーフィルタ材料の厚みは薄くなる。一方、十字方向の第一の通路に隣接する受光領域C4のうち半導体ウエハWの回転方向と同じ方向にある受光領域C4の第一の通路側の端部(図19の符号K2で示した範囲)に塗布されるRカラーフィルタ材料の厚みは厚くなる。この結果、十字方向の第一の通路に隣接する固体撮像素子チップC(図16に斜線で示したチップC)においてカラーフィルタの膜厚ムラが発生してしまう。なお、3色目のカラーフィルタ材料を塗布するときには、2色目のカラーフィルタによって第二の通路が塞がれることになるため、このような膜厚ムラは発生しない。また、十字方向の第一の通路以外の第一の通路に隣接する受光領域C4において膜厚ムラは発生しない。
このような膜厚ムラが発生したチップは感度不良となるため、この対策として、2色目のカラーフィルタ材料塗布時の半導体ウエハWのスピン速度を下げる方法が考えられる。しかし、スピン速度を下げると、カラーフィルタの膜厚が全体的に厚くなり、所望の膜厚を得ることが難しい。また、全ての色のカラーフィルタを形成した後に、CMPによってカラーフィルタを平坦化する方法も考えられるが、これでは工程、設備投資が増えてしまう。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、斜めストライプ配列のカラーフィルタの膜厚ムラを容易に抑制することが可能な固体撮像素子の製造方法、膜厚ムラのない斜めストライプ配列のカラーフィルタを有する安価な固体撮像素子、及びそれを備える撮像装置を提供することを目的とする。
本発明の固体撮像素子の製造方法は、半導体ウエハの表面に平坦化層を形成する第一の工程と、前記平坦化層上にカラーフィルタ材料をスピンコート法によって塗布する第二の工程と、平面視において、前記半導体ウエハに形成する複数の固体撮像素子の各々の受光素子を形成すべき領域である受光素子領域同士の隙間で形成される通路のうち、少なくとも前記半導体ウエハの中心点から十字の方向に延びる通路(以下、十字通路という)内の前記平坦化層に凹部又は凸部を形成する第三の工程と、前記第二の工程で塗布した前記カラーフィルタ材料をパターニングして、前記受光領域の前記平坦化層上に前記十字通路に対して斜め方向に延びるストライプ状の第一色目のカラーフィルタを形成する第四の工程と、前記第三の工程及び前記第四の工程の後、前記平坦化層上にカラーフィルタ材料をスピンコート法によって塗布し、当該カラーフィルタ材料をパターニングして前記受光領域の前記平坦化層上にある前記第一色目のカラーフィルタ同士の間に第二色目のカラーフィルタを形成する第五の工程とを備える。
本発明の固体撮像素子は、受光素子が形成される受光素子領域を有する固体撮像素子であって、前記受光素子領域上方に設けられたカラーフィルタと、前記カラーフィルタの下に設けられたカラーフィルタ下地層とを備え、前記固体撮像素子が形成されたチップの前記受光素子領域の外側の前記カラーフィルタ下地層には凹部又は凸部が設けられている。
本発明の撮像装置は、前記固体撮像素子を備える。
本発明によれば、斜めストライプ配列のカラーフィルタの膜厚ムラを容易に抑制することが可能な固体撮像素子の製造方法、膜厚ムラのない斜めストライプ配列のカラーフィルタを有する安価な固体撮像素子、及びそれを備える撮像装置を提供することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図1は、本発明の一実施形態を説明するための固体撮像素子の概略構成を示す図である。この固体撮像素子1は、デジタルカメラ及びデジタルビデオカメラ等の撮像装置、電子内視鏡及びカメラ付携帯電話機等に搭載される撮像モジュール、等に搭載して用いられる。
シリコン等の半導体基板をダイシングして得られたチップ2は、素子形成領域50eと、それ以外のパッド等形成領域50fとで構成されている。素子形成領域50eには、受光部5と、水平電荷転送路6と、出力部7とが形成されている。
受光部5には、フォトダイオード等の光電変換素子を水平方向Xに複数並べたラインが、水平方向Xに直交する垂直方向Yに複数配列されている。
受光部5の各光電変換素子で発生した電荷は、受光部5内の図示しない垂直電荷転送路に読み出され、ここで垂直方向Yに転送される。垂直電荷転送路を転送されてきた1ライン分の電荷は、水平電荷転送路6によって水平方向Xに転送される。水平電荷転送路6の終端にはフローティングディフュージョアンプ(FDA)等の、電荷をその電荷量に比例した電圧信号に変換して出力する出力部7が設けられ、水平方向Xに転送されてきた電荷がこの出力部7で電圧信号に変換されて外部に出力される。
パッド等形成領域50fには、素子形成領域50eに形成された配線等と接続されるボンディングパッド3aが形成されている。
図2は、図1に示す固体撮像素子における受光部5の部分拡大模式図である。図2に示す“R1”,“R2”を付したブロックは、赤色のカラーフィルタ(Rカラーフィルタ)を受光面上方に持つ光電変換素子を示している。“G1”,“G2”を付したブロックは、緑色のカラーフィルタ(Gカラーフィルタ)を受光面上方に持つ光電変換素子を示している。“B1”,“B2”を付したブロックは、青色のカラーフィルタ(Bカラーフィルタ)を受光面上方に持つ光電変換素子を示している。
図2に示した例は、水平方向と垂直方向に正方格子状に配列された6角形状の光電変換素子5aと、光電変換素子5aと同一ピッチ及び同一数で正方格子状に配列された6角形状の光電変換素子5bとを、各光電変換素子の配列ピッチの1/2だけ水平及び垂直方向にずらして配置した構成となっている。図2中、R1,G1,B1を付したブロックが光電変換素子5aであり、R2,G2,B2を付したブロックが光電変換素子5bである。
図2に示したように、光電変換素子5a上方のカラーフィルタ配列はベイヤー配列となっており、光電変換素子5b上方のカラーフィルタ配列もベイヤー配列となっている。このような配置により、光電変換素子5aの斜め隣には、その光電変換素子5aの上方にあるカラーフィルタと同色のカラーフィルタを上方に持つ光電変換素子5bが存在するようになっている。
垂直方向に並ぶ光電変換素子からなる光電変換素子列には垂直電荷転送路54が対応して設けられている。垂直電荷転送路54は、対応する光電変換素子列の右側部に配置され、対応する光電変換素子列の各光電変換素子から読み出された電荷を垂直方向に転送する。垂直電荷転送路54と、これに対応する光電変換素子列の各光電変換素子との間には、光電変換素子から垂直電荷転送路54に電荷を読み出すための電荷読み出し領域56(図中では模式的に矢印で示してある)が形成されている。
水平方向に並ぶ光電変換素子からなる光電変換素子行をラインというと、各ラインの間には、固体撮像素子1を搭載する撮像装置から駆動パルスが供給される転送電極V1〜V8が水平方向に蛇行して形成されている。
光電変換素子5aの水平電荷転送路6とは反対側から数えて奇数番目のラインの上側部には、転送電極V2が形成され、下側部には転送電極V3が形成されている。光電変換素子5aの偶数番目のラインの上側部には、転送電極V6が形成され、下側部には転送電極V7が形成されている。
光電変換素子5bの水平電荷転送路6とは反対側から数えて奇数番目のラインの上側部には、転送電極V4が形成され、下側部には転送電極V5が形成されている。光電変換素子5bの偶数番目のラインの上側部には、転送電極V8が形成され、下側部には転送電極V1が形成されている。
転送電極V3と転送電極V7は、光電変換素子5aに隣接する電荷読み出し領域56上方も覆っており、読み出し電極を兼ねている。転送電極V3と転送電極V7に読み出しパルスを印加することで、光電変換素子5aから垂直電荷転送路54に電荷を読み出すことができる。
転送電極V1と転送電極V5は、光電変換素子5bに隣接する電荷読み出し領域56上方も覆っており、読み出し電極を兼ねている。転送電極V1と転送電極V5に読み出しパルスを印加することで、光電変換素子5bから垂直電荷転送路54に電荷を読み出すことができる。
このように、光電変換素子5aの読み出し電極と光電変換素子5bの読み出し電極は独立して設けられているため、光電変換素子5aと光電変換素子5bのそれぞれの露光時間を異ならせる制御が可能になっている。このような構成により、光電変換素子5aと光電変換素子5bを同一構造としながらも、光電変換素子5aと光電変換素子5bからは、それぞれ感度の異なる信号を出力させることが可能になっている。
固体撮像素子1の受光部5は、図2に示したような構成となっているため、この固体撮像素子1のカラーフィルタ配列は、図15に示したように、略菱形のフィルタをつなぎ合わせた配列とすることが好ましく、この固体撮像素子1でもこのようなカラーフィルタ配列を採用している。なお、図2では、光電変換素子5bが光電変換素子5aに対して斜め右下に配置されるように、各光電変換素子を配置しているが、光電変換素子5bが光電変換素子5aに対して斜め左下に配置されるように、各光電変換素子を配置してもよい。
次に、このような構成の固体撮像素子1の製造方法を説明するが、基本的な製造工程は従来と同じである。即ち、光電変換素子5a,5b、垂直電荷転送路54、電荷読み出し領域56、水平電荷転送路6、及び出力部7等と、これらとボンディングパッド3aとを接続する配線とを形成した後、平坦化層を形成し、この上にカラーフィルタを形成する。カラーフィルタは、第一色目のカラーフィルタであるGカラーフィルタを最初に形成し、続いて第二色目のカラーフィルタ、第三色目のカラーフィルタを順番に形成する。この製造方法で特徴的なのは、第二色目のカラーフィルタを形成する前に、平坦化層の所定箇所に凹凸を形成し、第二色目のカラーフィルタの材料をスピンコート法で塗布したときに、その材料がウエハ全面に均一に塗布されるようにした点である。以下、この製造方法を、図3〜図12を参照しながら詳しく説明する。なお、この固体撮像素子1が作りこまれる半導体ウエハは、たとえば図16に示した半導体ウエハWを例にして説明するが、以下では、半導体ウエハの符号を従来構成とは区別するため“W”ではなく“50b”としている。
図3は、図1に示す固体撮像素子の製造工程を説明する図であり、半導体ウエハに作りこまれた隣接する4つの固体撮像素子チップの平面模式図である。図4は、図3に示した平面図の部分断面図であり、FIG4Aは、図3に示したA−A’線の断面模式図であり、FIG4Bは、図3に示したB−B’線の断面模式図である。図5は、図3に続く製造工程における4つの固体撮像素子チップの平面模式図である。図6は、図5に示した平面図の部分断面図であり、FIG6Aは、図5に示したA−A’線の断面模式図であり、FIG6Bは、図5に示したB−B’線の断面模式図である。図7は、図5に続く製造工程における4つの固体撮像素子チップの平面模式図である。図8は、図7に示した平面図の部分断面図であり、FIG8Aは、図7に示したA−A’線の断面模式図であり、FIG8Bは、図7に示したB−B’線の断面模式図である。図9は、図7に続く製造工程における4つの固体撮像素子チップの平面模式図である。図10は、図9に示した平面図の部分断面図であり、FIG10Aは、図9に示したA−A’線の断面模式図であり、FIG10Bは、図9に示したB−B’線の断面模式図である。図11は、図9に続く製造工程における4つの固体撮像素子チップの平面模式図である。図12は、図11に示した平面図の部分断面図であり、FIG12Aは、図11に示したA−A’線の断面模式図であり、FIG12Bは、図11に示したB−B’線の断面模式図である。
まず、半導体ウエハ50bの固体撮像素子チップ2を形成すべきチップ形成領域50の素子形成領域50e内に、受光部5、水平電荷転送路6、出力部7、垂直電荷転送路の転送電極、水平電荷転送路6の転送電極、各種回路の電極50d、層内レンズ等を形成し、パッド等形成領域50fに各種配線、ボンディングパッド3a等を形成する。次に、これらの素子の上に透明な絶縁材料を成膜し、これをパターニングして保護層50cを形成する(図4参照)。保護層50cは、図3及び図4に示すように、後のダイシング工程で切断される切断領域であるダイシング領域50aによってチップ形成領域50が分離されるように、パターニングされて形成される。
次に、半導体ウエハ50bの全面に透明樹脂等を成膜し、これをCMP等によって平坦化して、保護層50c及びダイシング領域50a上に、カラーフィルタ下地層としての平坦化層51を形成する。次に、隣接する素子形成領域50e同士の隙間で形成される通路(図5において、素子形成領域50eの外周で区画された領域)にある平坦化層51に部分的に凹部51aを形成する(図5、図6参照)。図5及び図6では、この通路のうち、ダイシング領域50a内に凹部51aを形成した例を示している。
凹部51aは、平坦化層51上にレジストパターンを形成し、これをマスクにして平坦化層51の一部をエッチングによって除去することで形成することができる。また、平坦化層51を透明樹脂剤のスピンコート法により形成した後、凹部51aをフォトリソグラフィで形成することもできる。なお、凹部51aを形成するのは、通路内の平坦化層51に凹凸を形成することが目的である。このため、凹部51aの代わりに凸部を形成してもよい。凸部は、例えば、平坦化層51の上に平坦化層51とはエッチングレートの異なる材料層を形成し、この材料層をフォトリソグラフィ及びエッチングによってパターニングして形成すればよい。
次に、半導体ウエハ50b全面に、第一色目のカラーフィルタであるGカラーフィルタの材料をスピンコート法によって成膜する。具体的には、半導体ウエハ50bの中心点に材料を滴下し、半導体ウエハ50bを高速で回転させることで成膜を行う。そして、成膜したGカラーフィルタ材料をフォトリソグラフィ及びエッチングによってパターニングして、図7、8に示したように、斜めストライプ形状のGカラーフィルタ52gを素子形成領域50e内の平坦化層51上に形成する。
次に、半導体ウエハ50b全面に第二色目のカラーフィルタであるBカラーフィルタ(又はRカラーフィルタ)の材料をスピンコート法によって成膜する。従来の製造方法では、第二色目のカラーフィルタの材料を成膜するときに、平坦化層51に凹部51aは存在していない。このため、素子形成領域50eで区画される通路のうち、半導体ウエハ50bの中心点から十字の方向に延びる通路(以下、十字通路という)において、第二色目のカラーフィルタの材料の流れが速くなってしまう。これに対し、本製造方法では、第二色目のカラーフィルタ材料の成膜前に、十字通路にある平坦化層51に凹凸を形成している。このため、第二色目のカラーフィルタ材料は、この凹凸によって流れが妨げられる。この結果、第二色目のカラーフィルタ材料を素子形成領域50e全体で均一な厚みで成膜することができる。
Bカラーフィルタ材料を均一の厚みで成膜した後、成膜したBカラーフィルタ材料をフォトリソグラフィ及びエッチングによってパターニングする。これにより、図9、10に示したように、素子形成領域50e内の平坦化層51上のGカラーフィルタ52g同士の間に、島状のBカラーフィルタ52bを形成する。
次に、半導体ウエハ50b全面に第三色目のカラーフィルタであるRカラーフィルタ(又はBカラーフィルタ)の材料をスピンコート法によって成膜する。第三色目のカラーフィルタの成膜前において、Gカラーフィルタ52g同士の隙間はBカラーフィルタ52bによって埋められており、この隙間を第三色目のカラーフィルタ材料が流れることはない。また、平坦化51には凹凸が設けられている。このため、第三色目のカラーフィルタ材料を均一な厚みで成膜することができる。Rカラーフィルタ材料を均一の厚みで成膜した後は、このRカラーフィルタ材料をフォトリソグラフィ及びエッチングによってパターニングする。これにより、図11、12に示したように、素子形成領域50e内の平坦化層51上のGカラーフィルタ52g同士の間かつBカラーフィルタ52b同士の間に、島状のRカラーフィルタ52rを形成する。
この後は、カラーフィルタ52r,g,bの上にマイクロレンズを形成し、ダイシング領域50aをダイシングして半導体ウエハ50bを複数の固体撮像素子チップ2に分割し、固体撮像素子の製造を完了する。
以上のように、上述した製造方法によれば、十字通路の平坦化層51に凹凸を形成してから第二色目のカラーフィルタの形成を行っているため、第二色目のカラーフィルタを均一な厚みで成膜することができる。この方法によれば、平坦化層51に凹凸を形成する工程を追加するだけでよいため、設備投資が増えてしまうことがない。したがって、斜めストライプ配列のカラーフィルタの膜厚ムラを低コストで抑制することができる。
なお、以上の説明では、素子形成領域50eで区画される通路のうち、ダイシング領域50aに凹凸を形成するものとしたが、これに限らない。例えば、図13に示したように、十字通路のうちのパッド等形成領域50f内に凹部51bを規則的に形成してもよい。このようにした場合でも、カラーフィルタ材料が、Gカラーフィルタ52g同士の間から十字通路に流れ出したり、十字通路からGカラーフィルタ52g同士の間に流れ込んだりする際の速度を低下させることができるため、第二色目のカラーフィルタ材料の膜厚を均一化することが可能である。
また、図14に示したように、通路のうち、ダイシング領域50aとパッド等形成領域50fとの両方に、凹部51a,51bを形成するようにしてもよい。このようにすれば、第二色目のカラーフィルタ材料の十字通路における流速を更に低下させることができ、より均一な成膜が可能となる。
また、以上の説明では、平坦化層51に凹凸を形成してからGカラーフィルタ52gを形成するものとした。しかし、本方法の効果を得るには、第二色目のカラーフィルタ材料の成膜前に平坦化層51に凹凸が形成されていればよい。このため、平坦化層51に凹凸を形成するタイミングは、平坦化層51上にGカラーフィルタ52gを形成した後でかつ第二色目のカラーフィルタを形成する前であってもよい。
また、平坦化層51に凸部を形成することで凹凸を形成する場合には、平坦化層51上の凸部とGカラーフィルタ52gとを同時に形成することが可能である。例えば、Gカラーフィルタ52gの材料を平坦化層51上に成膜した後、この材料をパターニングする際に、図5に示した凹部51aを形成すべき位置にもGカラーフィルタ材料を残しておくことで、Gカラーフィルタ52gの材料によって凸部を形成することができる。この凸部は、第二色目のカラーフィルタのパターニング時に無くしてしまってもよい。第三色目のカラーフィルタ形成時には、Gカラーフィルタ52g同士の隙間が第二色目のカラーフィルタによって埋められており、カラーフィルタ材料の膜厚ムラが発生しにくくなっているためである。
また、素子形成領域50eには、光電変換素子5a,5bを形成する領域である受光素子形成領域が少なくとも含まれている必要がある。平坦化層51に形成する凹凸は、素子形成領域50eで区画される通路に形成する必要があるが、受光素子形成領域にはカラーフィルタを形成する必要があり、カラーフィルタを形成すべき領域に凹凸を形成することはできないためである。
また、以上の説明では、平坦化層51に、素子形成領域50eで区画される通路の全体に規則的なパターンの凹凸を形成するものとした。しかし、上述してきたように、第二色目のカラーフィルタの膜厚ムラは、十字通路に隣接する素子形成領域50eにおいて顕著となる。このため、平坦化層51の凹凸は、少なくとも十字通路内に形成しておけばよい。
また、以上の説明では、固体撮像素子1をCCD型としたが、MOS型であっても、同様に本製造方法を適用できることは言うまでもない。
以上説明したように、本明細書には次の事項が開示されている。
開示された固体撮像素子の製造方法は、半導体ウエハの表面に平坦化層を形成する第一の工程と、前記平坦化層上にカラーフィルタ材料をスピンコート法によって塗布する第二の工程と、平面視において、前記半導体ウエハに形成する複数の固体撮像素子の各々の受光素子を形成すべき領域である受光素子領域同士の隙間で形成される通路のうち、少なくとも前記半導体ウエハの中心点から十字の方向に延びる通路(以下、十字通路という)内の前記平坦化層に凹部又は凸部を形成する第三の工程と、前記第二の工程で塗布した前記カラーフィルタ材料をパターニングして、前記受光領域の前記平坦化層上に前記十字通路に対して斜め方向に延びるストライプ状の第一色目のカラーフィルタを形成する第四の工程と、前記第三の工程及び前記第四の工程の後、前記平坦化層上にカラーフィルタ材料をスピンコート法によって塗布し、当該カラーフィルタ材料をパターニングして前記受光領域の前記平坦化層上にある前記第一色目のカラーフィルタ同士の間に第二色目のカラーフィルタを形成する第五の工程とを備える。
この方法により、半導体ウエハの中心点から十字の方向に延びる通路に凹凸を形成した状態で第二色目のカラーフィルタ材料をスピンコート法で塗布するため、スピンコート時における第二色目のカラーフィルタ材料の流速を該凹凸によって低下させることができる。この結果、第二色目のカラーフィルタ材料の塗布後の膜厚を均一化することができ、カラーフィルタの膜厚ムラを抑制することができる。
開示された固体撮像素子の製造方法は、前記第一の工程の前に、前記半導体ウエハの前記受光素子領域に、第一の光電変換素子とこれに隣接する第二の光電変換素子とからなるペアを規則的な配置で複数形成する第六の工程を備え、前記第六の工程では、前記第一の光電変換素子と前記第二の光電変換素子を、それぞれ同一の配列ピッチで水平方向及びこれに直交する垂直方向に正方格子状に配置すると共に、前記ペアを構成する前記第一の光電変換素子と前記第二の光電変換素子を、前記配列ピッチの1/2だけ前記水平方向及び前記垂直方向にずらして配置することで、前記複数のペアを規則的に配置し、前記第四の工程では、前記第一色目のカラーフィルタとして、前記第一の光電変換素子上方に形成すべきベイヤー配列のカラーフィルタのうちのGカラーフィルタと、前記第二の光電変換素子上方に形成すべきベイヤー配列のカラーフィルタのうちのGカラーフィルタとを形成し、前記第五の工程では、前記第二色目のカラーフィルタとして、前記第一の光電変換素子上方に形成すべきベイヤー配列のカラーフィルタのうちのRカラーフィルタ又はBカラーフィルタと、前記第二の光電変換素子上方に形成すべきベイヤー配列のカラーフィルタのうちのRカラーフィルタ又はBカラーフィルタとを形成する。
開示された固体撮像素子の製造方法は、前記受光素子領域同士の隙間で形成される通路が、前記半導体ウエハをダイシングした後に残るチップのうち前記受光素子領域を除く領域と、前記ダイシング時に切断される切断領域とを含み、前記第三の工程では、前記通路のうち前記受光素子領域を除く領域及び前記切断領域の少なくとも一方に前記凹部又は前記凸部を形成する。
開示された固体撮像素子の製造方法は、前記第三の工程では、前記受光素子領域同士の隙間で形成される通路のうちの、前記十字の方向に延びる通路以外の通路にも、前記凹部又は凸部を規則的なパターンで形成する。
この方法により、凹部又は凸部の形成が容易になる。
開示された固体撮像素子の製造方法は、前記第三の工程では、前記平坦化層に前記凹部を形成する。
この方法により、十字の方向に延びる通路に凹凸を作りやすくなる。
開示された固体撮像素子は、受光素子が形成される受光素子領域を有する固体撮像素子であって、前記受光素子領域上方に設けられたカラーフィルタと、前記カラーフィルタの下に設けられたカラーフィルタ下地層とを備え、前記固体撮像素子が形成されたチップの前記受光素子領域の外側の前記カラーフィルタ下地層には凹部又は凸部が設けられている。
開示された固体撮像素子は、前記受光素子が、第一の光電変換素子とこれに隣接する第二の光電変換素子とからなるペアであって、規則的に配置された複数のペアを有し、前記第一の光電変換素子と前記第二の光電変換素子は、それぞれ同一の配列ピッチで水平方向及びこれに直交する垂直方向に正方格子状に配置されると共に、前記ペアを構成する前記第一の光電変換素子と前記第二の光電変換素子が、前記配列ピッチの1/2だけ前記水平方向及び前記垂直方向にずらして配置されており、第一の光電変換素子及び前記第二の光電変換素子の上方に設けられた前記カラーフィルタの配列がそれぞれベイヤー配列となっている。
開示された固体撮像素子は、前記固体撮像素子が形成されたチップの前記受光素子領域の外側の前記カラーフィルタ下地層には凹部が設けられている。
開示された撮像装置は、前記固体撮像素子を備える。
50b 半導体ウエハ
51 平坦化層
51a 凹部
52g Gカラーフィルタ
52b Bカラーフィルタ
52r Rカラーフィルタ
51 平坦化層
51a 凹部
52g Gカラーフィルタ
52b Bカラーフィルタ
52r Rカラーフィルタ
Claims (9)
- 半導体ウエハの表面に平坦化層を形成する第一の工程と、
前記平坦化層上にカラーフィルタ材料をスピンコート法によって塗布する第二の工程と、
平面視において、前記半導体ウエハに形成する複数の固体撮像素子の各々の受光素子を形成すべき領域である受光素子領域同士の隙間で形成される通路のうち、少なくとも前記半導体ウエハの中心点から十字の方向に延びる通路(以下、十字通路という)内の前記平坦化層に凹部又は凸部を形成する第三の工程と、
前記第二の工程で塗布した前記カラーフィルタ材料をパターニングして、前記受光領域の前記平坦化層上に前記十字通路に対して斜め方向に延びるストライプ状の第一色目のカラーフィルタを形成する第四の工程と、
前記第三の工程及び前記第四の工程の後、前記平坦化層上にカラーフィルタ材料をスピンコート法によって塗布し、当該カラーフィルタ材料をパターニングして前記受光領域の前記平坦化層上にある前記第一色目のカラーフィルタ同士の間に第二色目のカラーフィルタを形成する第五の工程とを備える固体撮像素子の製造方法。 - 請求項1記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記第一の工程の前に、前記半導体ウエハの前記受光素子領域に、第一の光電変換素子とこれに隣接する第二の光電変換素子とからなるペアを規則的な配置で複数形成する第六の工程を備え、
前記第六の工程では、前記第一の光電変換素子と前記第二の光電変換素子を、それぞれ同一の配列ピッチで水平方向及びこれに直交する垂直方向に正方格子状に配置すると共に、前記ペアを構成する前記第一の光電変換素子と前記第二の光電変換素子を、前記配列ピッチの1/2だけ前記水平方向及び前記垂直方向にずらして配置することで、前記複数のペアを規則的に配置し、
前記第四の工程では、前記第一色目のカラーフィルタとして、前記第一の光電変換素子上方に形成すべきベイヤー配列のカラーフィルタのうちのGカラーフィルタと、前記第二の光電変換素子上方に形成すべきベイヤー配列のカラーフィルタのうちのGカラーフィルタとを形成し、
前記第五の工程では、前記第二色目のカラーフィルタとして、前記第一の光電変換素子上方に形成すべきベイヤー配列のカラーフィルタのうちのRカラーフィルタ又はBカラーフィルタと、前記第二の光電変換素子上方に形成すべきベイヤー配列のカラーフィルタのうちのRカラーフィルタ又はBカラーフィルタとを形成する固体撮像素子の製造方法。 - 請求項1又は2記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記受光素子領域同士の隙間で形成される通路が、前記半導体ウエハをダイシングした後に残るチップのうち前記受光素子領域を除く領域と、前記ダイシング時に切断される切断領域とを含み、
前記第三の工程では、前記通路のうち前記受光素子領域を除く領域及び前記切断領域の少なくとも一方に前記凹部又は前記凸部を形成する固体撮像素子の製造方法。 - 請求項1〜3のいずれか1項記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記第三の工程では、前記受光素子領域同士の隙間で形成される通路のうちの、前記十字の方向に延びる通路以外の通路にも、前記凹部又は凸部を規則的なパターンで形成する固体撮像素子の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれか1項記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記第三の工程では、前記平坦化層に前記凹部を形成する固体撮像素子の製造方法。 - 受光素子が形成される受光素子領域を有する固体撮像素子であって、
前記受光素子領域上方に設けられたカラーフィルタと、
前記カラーフィルタの下に設けられたカラーフィルタ下地層とを備え、
前記固体撮像素子が形成されたチップの前記受光素子領域の外側の前記カラーフィルタ下地層には凹部又は凸部が設けられている固体撮像素子。 - 請求項6記載の固体撮像素子であって、
前記受光素子が、第一の光電変換素子とこれに隣接する第二の光電変換素子とからなるペアであって、規則的に配置された複数のペアを有し、
前記第一の光電変換素子と前記第二の光電変換素子は、それぞれ同一の配列ピッチで水平方向及びこれに直交する垂直方向に正方格子状に配置されると共に、前記ペアを構成する前記第一の光電変換素子と前記第二の光電変換素子が、前記配列ピッチの1/2だけ前記水平方向及び前記垂直方向にずらして配置されており、
第一の光電変換素子及び前記第二の光電変換素子の上方に設けられた前記カラーフィルタの配列がそれぞれベイヤー配列となっている固体撮像素子。 - 請求項6又は7記載の固体撮像素子であって、
前記固体撮像素子が形成されたチップの前記受光素子領域の外側の前記カラーフィルタ下地層には凹部が設けられている固体撮像素子。 - 請求項6〜8のいずれか1項記載の固体撮像素子を備える撮像装置。
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JP2009236197A JP2011086658A (ja) | 2009-10-13 | 2009-10-13 | 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、及び撮像装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2017169753A1 (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | ソニー株式会社 | 回路基板、半導体装置、撮像装置、固体撮像素子、および固体撮像素子の製造方法、並びに電子機器 |
-
2009
- 2009-10-13 JP JP2009236197A patent/JP2011086658A/ja active Pending
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