CN108735265A - 一种读操作方法和装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供一种读操作方法和装置，应用于包括多个字线的NAND FLASH，方法包括以下步骤：接收读操作信号；向所述读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与所述选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与所述选中字线相邻的非选中字线施加第三电压；所述第一电压小于所述第二电压，所述第二电压小于所述第三电压；读取所述读操作信号对应存储单元中的数据。本发明实施例可以确保与选中字线相邻的非选中字线下的NAND FLASH存储单元串导通，避免了现有技术中误读的情况，有效提高了读操作的准确性。

Description

一种读操作方法和装置

技术领域

本发明涉及存储技术领域，特别是涉及一种读操作方法和一种读操作装置。

背景技术

参照图1，现有技术中，在对NAND FLASH(闪存)进行读操作时，向选中字线施加一个低电压V_CGRV_A’，而向非选中字线施加一个高电压V_READ’，以使待读FLASH cell(存储单元)之外的其它FLASH cell都导通，从而能正确判断选中字线下待读FLASH cell的阈值。

现有技术中的读操作方式存在以下缺陷：由于NAND FLASH的工艺尺寸小，字线上的电压会对FLASH cell中的floating gate(浮栅)产生显著的coupling(耦合)效应。即对于与选中字线不相邻的非选中字线，非选中字线下FLASH cell的floating gate左右两侧均被V_READ’电压couple，非选中字线下FLASH cell的floating gate会被couple到一个比较高的电压。而如图1中箭头所示，对于与选中字线相邻的非选中字线下的FLASH cell，couple一侧的电压是低压V_CGRV_A’，与选中字线相邻的非选中字线下的floating gate被couple的电压低于其他非选中字线下FLASH cell的floating gate电压，这可以看作抬高与选中字线相邻的非选中下的FLASH cell的阈值。如果与选中字线相邻的非选中下的pgm(被编程后的FLASH cell)cell本身的阈值电压比较高，而与选中字线相邻的非选中字线下的floating gate被couple的电压不够高，则会导致与选中字线相邻的非选中字线的导通电阻大，与选中字线相邻的非选中下的pgm cell的导通电流很小，最终出现误读的情况。

发明内容

鉴于上述问题，本发明实施例的目的在于提供一种读操作方法和相应的一种读操作装置，以解决现有技术中的读操作方式会造成与选中字线相邻的非选中字线下的floating gate被couple的电压低，而出现误读的情况的问题。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种读操作方法，应用于包括多个字线的NAND FLASH，包括以下步骤：

接收读操作信号；

向所述读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与所述选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与所述选中字线相邻的非选中字线施加第三电压；所述第一电压小于所述第二电压，所述第二电压小于所述第三电压；

读取所述读操作信号对应存储单元中的数据。

具体地，所述第三电压根据所述第一电压、所述第二电压和NAND FLASH存储单元的特性确定。

可选地，所述向所述读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与所述选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与所述选中字线相邻的非选中字线施加第三电压同时进行。

可选地，读操作方法还包括：

接收电压调整信号；

根据所述电压调整信号调整所述第三电压的大小。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种读操作装置，应用于包括多个字线的NAND FLASH，包括：

第一信号接收模块，用于接收读操作信号；

施加电压模块，用于向所述读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与所述选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与所述选中字线相邻的非选中字线施加第三电压；所述第一电压小于所述第二电压，所述第二电压小于所述第三电压；

数据读取模块，用于读取所述读操作信号对应存储单元中的数据。

具体地，所述第三电压根据所述第一电压、所述第二电压和NAND FLASH存储单元的特性确定。

可选地，所述向所述读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与所述选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与所述选中字线相邻的非选中字线施加第三电压同时进行。

可选地，读操作装置还包括：

第二信号接收模块，用于接收电压调整信号；

电压调整模块，用于根据所述电压调整信号调整所述第三电压的大小。

本发明实施例包括以下优点：在接收读操作信号后，向读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与选中字线相邻的非选中字线施加第三电压，其中，第一电压小于第二电压，第二电压小于第三电压，最后读取读操作信号对应存储单元中的数据。由于第二电压小于第三电压，即便选中字线上施加低电压，与选中字线相邻的非选中字线的浮栅电压也可以被couple到高电压，确保与选中字线相邻的非选中字线下cell string(串)导通，有效避免了现有技术中误读的情况，提高了读操作的准确性。

附图说明

图1是现有技术的读操作方式中NAND FLASH各字线施加电压时的示意图；

图2是本发明的一种读操作方法实施例的步骤流程图；

图3是本发明的一种读操作方法实施例中NAND FLASH各字线施加电压时的示意图；

图4是本发明的另一种读操作方法实施例的步骤流程图；

图5是本发明的一种读操作装置实施例的结构框图；

图6是本发明的另一种读操作装置实施例的结构框图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

本发明实施例的读操作方法和读操作装置可以应用于包括多个字线的NANDFLASH。

参照图2，其示出了本发明的一种读操作方法实施例的步骤流程图，具体可以包括如下步骤：

步骤10，接收读操作信号。

步骤20，向读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与选中字线相邻的非选中字线施加第三电压；第一电压小于第二电压，第二电压小于第三电压。

其中，读操作信号对应的选中字线，为读操作信号对应存储单元所对应的字线。

具体地，在本发明的一个实施例中，参照图3，图3为NAND FLASH各字线施加电压时的示意图，其中，第一电压为V_CGRV_A，第二电压为V_READ，第三电压为V_CGRV_H，1为选中字线，2为与选中字线相邻的非选中字线，3为与选中字线不相邻的非选中字线。

具体地，第三电压可以根据第一电压、第二电压和NAND FLASH存储单元的特性等确定，或第三电压可以根据多次测试数据确定。

可选地，向读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与选中字线相邻的非选中字线施加第三电压可以同时进行，便于缩短施加电压的时间，提高读操作的效率。

步骤20后，各非选中字线下的存储单元(包括与选中字线不相邻的非选中字线和与选中字线相邻的非选中字线)下的存储单元导通，进入步骤30。

步骤30，读取读操作信号对应存储单元中的数据。

由于第二电压小于第三电压，即便选中字线上施加低电压(第一电压)，与选中字线相邻的非选中字线的浮栅电压也可以被couple到高电压，确保与选中字线相邻的非选中字线下cell string(串)导通。因此，有效避免了现有技术中误读的情况，提高了读操作的准确性。

可选地，参照图4，在本发明的另一个实施例中，读操作方法还可以包括：

步骤40，接收电压调整信号。

其中，参照图4，步骤40可以在步骤20向与选中字线相邻的非选中字线施加第三电压之后进行。需要说明的是，步骤40可以在任意时刻进行，包括且不仅限于图4的时刻。

步骤50，根据电压调整信号调整第三电压的大小。

通过步骤40和步骤50调整第三电压的大小，可以便于确保与选中字线相邻的非选中字线下cell string导通。

本发明实施例的读操作方法包括以下优点：在接收读操作信号后，向读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与选中字线相邻的非选中字线施加第三电压，其中，第一电压小于第二电压，第二电压小于第三电压，最后读取读操作信号对应存储单元中的数据，其中，可以根据接收的电压调整信号调整第三电压的大小。由于第二电压小于第三电压，即便选中字线上施加低电压，与选中字线相邻的非选中字线的浮栅电压也可以被couple到高电压，确保与选中字线相邻的非选中字线下cell string导通，有效避免了现有技术中误读的情况，提高了读操作的准确性。

需要说明的是，对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明实施例所必须的。

参照图5，其示出了本发明的一种读操作装置实施例的结构框图，具体可以包括如下模块：

第一信号接收模块10，用于接收读操作信号。

施加电压模块20，用于向读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与选中字线相邻的非选中字线施加第三电压；第一电压小于第二电压，第二电压小于第三电压。

具体地，第三电压可以根据第一电压、第二电压和NAND FLASH存储单元的特性等确定，或第三电压可以根据多次测试数据确定。

可选地，向读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与选中字线相邻的非选中字线施加第三电压可以同时进行，便于缩短施加电压的时间，提高读操作的效率。

数据读取模块30，用于读取读操作信号对应存储单元中的数据。

可选地，参照图6，在本发明的另一个实施例中，读操作装置还可以包括：

第二信号接收模块40，用于接收电压调整信号。

其中，参照图6，第二信号接收模块40可以在施加电压模块20之后进行。需要说明的是，第二信号接收模块40可以在任意时刻进行，包括且不仅限于图6的时刻。

电压调整模块50，用于根据电压调整信号调整第三电压的大小。

通过第二信号接收模块40和电压调整模块50调整第三电压的大小，可以便于确保与选中字线相邻的非选中字线下cell string导通。

本发明实施例的读操作装置包括以下优点：在接收读操作信号后，向读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与选中字线相邻的非选中字线施加第三电压，其中，第一电压小于第二电压，第二电压小于第三电压，最后读取读操作信号对应存储单元中的数据，其中，可以根据接收的电压调整信号调整第三电压的大小。由于第二电压小于第三电压，即便选中字线上施加低电压，与选中字线相邻的非选中字线的浮栅电压也可以被couple到高电压，确保与选中字线相邻的非选中字线下cell string导通，有效避免了现有技术中误读的情况，提高了读操作的准确性。

对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

本领域内的技术人员应明白，本发明实施例的实施例可提供为方法、装置、或计算机程序产品。因此，本发明实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本发明实施例是参照根据本发明实施例的方法、终端设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理终端设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理终端设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理终端设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理终端设备上，使得在计算机或其他可编程终端设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程终端设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明所提供的一种读操作方法和一种读操作装置，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (8)

1.一种读操作方法，应用于包括多个字线的NAND FLASH，其特征在于，包括以下步骤：

接收读操作信号；

向所述读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与所述选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与所述选中字线相邻的非选中字线施加第三电压；所述第一电压小于所述第二电压，所述第二电压小于所述第三电压；

读取所述读操作信号对应存储单元中的数据。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三电压根据所述第一电压、所述第二电压和NAND FLASH存储单元的特性确定。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向所述读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与所述选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与所述选中字线相邻的非选中字线施加第三电压同时进行。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

接收电压调整信号；

根据所述电压调整信号调整所述第三电压的大小。

5.一种读操作装置，应用于包括多个字线的NAND FLASH，其特征在于，包括：

第一信号接收模块，用于接收读操作信号；

施加电压模块，用于向所述读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与所述选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与所述选中字线相邻的非选中字线施加第三电压；所述第一电压小于所述第二电压，所述第二电压小于所述第三电压；

数据读取模块，用于读取所述读操作信号对应存储单元中的数据。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第三电压根据所述第一电压、所述第二电压和NAND FLASH存储单元的特性确定。

7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述向所述读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与所述选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与所述选中字线相邻的非选中字线施加第三电压同时进行。

8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，还包括：

第二信号接收模块，用于接收电压调整信号；

电压调整模块，用于根据所述电压调整信号调整所述第三电压的大小。