CN108701744B - 玻璃配线基板及其生产方法、安装有部件的玻璃配线基板及其生产方法、以及显示设备用基板 - Google Patents

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Abstract

该玻璃配线基板设置有：玻璃基板10，其中第一配线部20形成在第一表面10A上并且第二配线部30形成在第一表面10A的相对侧的第二表面10B上；通孔40，其形成在玻璃基板10的区域中，所述区域未设置有第一配线部20和第二配线部30，并且其中第二表面10B侧的直径大于第一表面10A侧的直径；以及通孔41，其形成在通孔40内并且具有朝向第一配线部20延伸的一个端部42和朝向第二配线部30延伸的另一个端部43。通孔部41附近的第一配线部20的配线间距P1比通孔部41附近的第二配线部30的配线间距P2窄。

Description

玻璃配线基板及其生产方法、安装有部件的玻璃配线基板及 其生产方法、以及显示设备用基板
技术领域
本公开涉及一种玻璃配线基板、生产其的方法、安装有部件的玻璃配线基板、生产其的方法、以及显示设备基板。
背景技术
在现有的印刷配线板中，形成在印刷配线板的第一表面上的第一配线部和形成在与第一表面相对的印刷配线板的第二表面上的第二配线部经由通孔部彼此连接。此外，在通孔部附近的第一配线部的配线间距和在通孔部附近的第二配线部的配线间距通常是相同的，并且第一表面侧上的通孔部的直径和第二表面侧上的通孔部的直径具有相同大小。
其中配线部仅形成在玻璃基板和多个发光装置的一个表面上，具体地，发光二极管(LED)安装在配线部上的显示设备基板是由例如日本专利申请公开号2009-037164公知的。在这种显示设备基板中，通过使配线部小型化实现配线部的高度集成。具体地，在该专利文献中，实现30μm的配线间距。此外，配线部连接至显示设备中所谓的边框部分中的外部电路。然而，利用这种结构，具有窄边框的显示设备的制造商在某些情况下受到限制，并且难以将其应用于其中布置有多个显示设备基板的拼接型显示设备。
设想一种显示设备基板，其包括具有与现有的双侧印刷配线板的结构相似的结构的玻璃基板。应注意，在使用双侧印刷配线板的情况下，由于水分吸收导致的基板本身的变形并且热量较大，难以以1mm或更小的像素间距处理显示设备的高清晰度。即，设想一种显示设备基板，其中第一配线部形成在玻璃基板的第一表面上，第二配线部形成在与第一表面相对的玻璃基板的第二表面上，并且多个发光装置，具体地发光二极管(LED)安装在第一配线部上。仅需要经由设置在玻璃基板中的通孔部(贯通电极)将第一配线部和第二配线部彼此连接。然后，多个发光装置和驱动多个发光装置的驱动半导体装置安装在第一配线部上。具体地，驱动半导体装置安装在设置在第一配线部中的驱动半导体装置安装部上，并且经由通孔部从驱动半导体装置安装部连接至第二配线部。此外，多个发光装置中的每一个均安装在设置在第一配线部中的发光装置安装部上，并且经由第一配线部连接到驱动半导体装置。此处，发光装置单元(例如，三个发光装置，即，发射红光的发光装置，发射绿光的发光装置，以及发射蓝光的发光装置)构成一个像素。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利申请公开第2009-037164号
发明内容
技术问题
另外，在像素间距为1mm或更小的显示设备中，相邻像素占据的区域之间的距离为例如不超过0.5mm。此外，必须在相邻像素占据的区域之间形成通孔部(贯通电极)。因此，通孔部的直径为例如0.25mm或更小。同时，为了给予显示设备基板足够的强度，必须将玻璃基板的厚度设置为例如不小于0.5mm。因此，通孔部的长径比不小于2。然而，在玻璃基板中形成具有这种高长径比的通孔部是困难的，其会引起显示设备基板的生产率减低的问题。
因此，本公开的目的是提供一种具有能够相对容易地在玻璃基板中形成通孔部(贯通电极)的配置和结构的玻璃配线基板、生产其的方法、安装有部件的玻璃配线基板、生产其的方法、以及显示设备基板。
问题解决方案
为了实现上述目的，生产根据本公开的玻璃配线基板的方法或者生产根据本公开的安装有部件的玻璃配线基板的方法包括：
制备玻璃基板，第一配线部形成在玻璃基板的第一表面上，与第一表面相对的第二表面上未形成配线部；
在玻璃基板中，由第二表面侧形成通孔，通孔处于其中未形成第一配线部的区域中，通孔在第二表面侧上的直径大于在第一表面侧上的直径；然后，
由通孔的内部到第一配线部形成通孔部，并且在第二表面上形成由通孔部延伸的第二配线部。此外，根据本公开的生产安装有部件的玻璃配线基板的方法进一步包括
将电子部件安装到第一配线部上。
为了实现上述目的，根据本公开的玻璃配线基板或者根据本公开的安装有部件的玻璃配线基板包括：
玻璃基板，第一配线部形成在玻璃基板的第一表面上，第二配线部形成在与第一表面相对的第二表面上；
通孔，形成在其中未形成有第一配线部和第二配线部的玻璃基板的区域中，通孔在第二表面侧上的直径大于在第一表面侧上的直径；以及
通孔部，形成在通孔中，通孔部的一个端部延伸至第一配线部，通孔部的另一个端部延伸至第二配线部。根据本公开的安装有部件的玻璃配线基板进一步包括
电子部件，安装在第一配线部上。此外，在根据本公开的玻璃配线基板或者根据本公开的安装有部件的玻璃配线基板中，
通孔部附近的第一配线部的配线间距P1比通孔部附近的第二配线部的配线间距P2窄。
为了实现上述目的，根据本公开的显示设备基板包括：
玻璃基板，第一配线部形成在玻璃基板的第一表面上，第二配线部形成在与第一表面相对的第二表面上；
通孔，形成在其中未形成第一配线部和第二配线部的玻璃基板的区域中，通孔在第二表面侧上的直径大于在第一表面侧上的直径；
通孔部，形成在通孔中，通孔部的一个端部延伸至第一配线部，通孔部的另一个端部延伸至第二配线部；以及
电子部件，安装在第一配线部上，其中
通孔部附近的第一配线部的配线间距P1比通孔部附近的第二配线部的配线间距P2窄，
电子部件包括多个发光装置和驱动多个发光装置的驱动半导体设备，
驱动半导体设备安装在设置在第一配线部上的驱动半导体装置安装部上，并且经由通孔部从驱动半导体装置安装部连接至第二配线部，并且
多个发光装置中的每一个均安装在设置在第一配线部上的发光装置安装部上，并且经由第一配线部连接到驱动半导体设备。
本发明的有益效果
在根据本公开的玻璃配线基板、生产其的方法、安装有部件的玻璃配线基板、生产其的方法、以及显示设备基板中，由于在第二表面侧上的直径大于第一表面侧上的直径的通孔形成于玻璃基板中并且通孔部形成于通孔中，可以相对容易地形成具有高长径比的通孔部，其不会导致显示设备基板的生产率降低等等。应注意，本文中描述的效果仅是示例性的并且不是限制性的而且可以提供另外的效果。
附图说明
[图1]图1是实施方式1的玻璃配线基板、安装有部件的玻璃配线基板以及显示设备基板的示意性的部分端视图。
[图2]图2是实施方式1的玻璃配线基板、安装有部件的玻璃配线基板以及显示设备基板的修改实施例的示意性的部分端视图。
[图3]图3A和图3B各自是实施方式1中的发光装置(发光二极管)的示意性的部分端视图。
[图4]图4A和图4B各自是实施方式1中的发光装置(发光二极管)的修改实施例的示意性的部分端视图。
[图5]图5A和图5B各自是玻璃基板等的示意性的部分端视图，用于描述实施方式1的生产玻璃配线基板的方法和生产安装有部件的玻璃配线基板的方法。
[图6]图6A和图6B分别是玻璃基板等的示意性的部分端视图，用于继图5B之后描述实施方式1的生产玻璃配线基板的方法和生产安装有部件的玻璃配线基板的方法。
[图7]图7是玻璃基板等的示意性的部分端视图，用于继图6B之后描述实施方式1的生产玻璃配线基板的方法和生产安装有部件的玻璃配线基板的方法。
[图8]图8A和图8B各自是示出发光装置等的截面的概念图，用于描述实施方式1中安装发光装置的方法。
[图9]图9A和图9B分别是示出发光装置等的截面的概念图，用于继图8B之后描述实施方式1中的安装发光装置的方法。
[图10]图10A和图10B分别是示出发光装置等的截面的概念图，用于继图9B之后描述实施方式1中的安装发光装置的方法。
[图11]图11A和图11B分别是示出发光装置等的截面的概念图，用于继图10B之后描述实施方式1中的安装发光装置的方法。
具体实施方式
在下文中，将参照附图基于实施方式描述本公开。本公开并不局限于实施方式，并且实施方式中使用的各个数值或材料均是示例。应注意，将按以下顺序进行说明。
1.有关本公开的玻璃配线基板、生产玻璃配线基板的方法、安装有部件的玻璃配线基板、生产安装有部件的玻璃配线基板的方法、以及显示设备基板的总体描述
2.实施方式1(本公开的玻璃配线基板、生产其的方法、安装有部件的玻璃配线基板、生产其的方法、以及显示设备基板)
3.其他
<有关本公开的玻璃配线基板、生产其的方法、安装有部件的玻璃配线基板、生产其的方法、以及显示设备基板的总体描述>
在根据本公开的安装有部件的玻璃配线基板和生产其的方法中，
电子部件可以包括多个发光装置和驱动多个发光装置的驱动半导体设备，
驱动半导体设备可以安装在设置在第一配线部中的驱动半导体装置安装部上，并且经由通孔部从驱动半导体装置安装部连接至第二配线部，并且
多个发光装置中的每一个均可以安装在设置在第一配线部上的发光装置安装部上，并且经由第一配线部连接到驱动半导体设备。此外，在这种情况下，可替换地，在根据本公开的显示设备基板中，
发光装置单元可以构成一个像素，并且
其中由相邻像素占据的区域之间的距离由L0表示并且第一表面侧上的通孔的直径由
Figure BDA0001792459560000061
表示，可以满足
Figure BDA0001792459560000062
的关系，但不限于此。L0的值的具体实例包括但不限于0.2mm至0.9mm。
在此，当发光装置的数量由“M”表示时，M的值可以不小于三。只要驱动半导体设备能够适当驱动M个发光装置，连接到一个驱动半导体设备的发光装置的数量M的值的上限没有特别限制。此外，当构成一个像素的发光装置单元中发光装置的数量由“N”表示时，N的值可不小于三，如以下将描述的。此外，当发光装置单元的数量由U0表示时，满足M＝U0×N的关系。
取决于包括显示设备基板的显示设备(发光装置显示设备)的用途和功能，显示设备所要求的规范等，确定构成发光装置单元的发光装置的数量、类型、安装(排列)、间隔等。在彩色显示器的显示设备的情况下，显示设备中的一个像素包括，例如，红色发光装置(红色发光子像素)、绿色发光装置(绿色发光子像素)、以及蓝色发光装置(蓝色发光子像素)的组合(发光装置单元)。此外，每个发光装置构成一个子像素。此外，多个发光装置单元沿第一方向和与第一方向正交的第二方向以二维矩阵图案布置。当构成发光装置单元的红色发光装置的数量为NR，构成发光装置单元的绿色发光装置的数量为NG，并且构成发光装置单元的蓝色发光装置的数量为NB时，NR可以是1或2或更大的整数，NG可以是1或2或更大的整数，且NB可以是1或2或更大的整数。NR、NG、和NB的值可以是相等的或彼此不同。在NR、NG、和NB的值均为2或更大的整数的情况下，发光装置可以在一个发光装置单元中串联或并联连接。(NR、NG、和NB)的值的组合的实例包括但不限于(1,1,1)、(1,2,1)、(2,2,2)、以及(2,4,2)。在一个像素包括三种类型的子像素的情况下，三种子像素的排列的实例包括三角排列、条状排列、对角排列、以及矩形排列。此外，仅需要基于PWM驱动方法使得发光装置以恒定电流驱动。可替换地，通过制备三种面板，即包括包含红色发光装置的发光单元的第一面板，包括包含绿色发光装置的发光单元的第二面板，以及包括包含蓝色发光装置的发光单元的第三面板，也可以应用于通过使用例如分色棱镜从三个面板收集光的投影仪。
包括上述有利配置的本公开的生产安装有部件的玻璃配线基板的方法和生产玻璃配线基板的方法可以进一步包括
通过基于物理气相沉积法(PVD方法)在玻璃基板的第一表面上形成金属层(包括合金层)并且然后图案化金属层而在玻璃基板的第一表面上形成第一配线部；以及
基于镀层法形成通孔部和第二配线部。此外，在包括上述各种有利配置的本公开的生产安装有部件的玻璃配线基板的方法和生产玻璃配线基板的方法中，在通孔部附近的第一配线部的配线间距P1可以比在通孔部附近第二配线部的配线间距P2窄。具体地，可以满足P2/P1≥10的关系。通过在通孔部附近安装在第一配线部和第二配线部上的电子部件和各种部件的端子间距确定配线间距P1和配线间距P2。例如，在具有100μm的大小的电子部件在一个端部中包括三个端子的情况下，端子间距为100/3＝33μm并且配线间距P1为33μm。
金属层基于PVD方法形成在玻璃基板的第一表面上。方法的具体实例包括溅射方法和真空蒸发法。可以基于众所周知的方法(如湿刻蚀法和干蚀刻法)进行金属层的图案化。第一配线部可以设置在两个或更多个层中的一层或多层中。即，第一配线部可具有单层配线结构或多层配线结构。
通孔部和第二配线部基于镀层法形成。具体地，它们可以基于化学镀方法和电解镀方法的组合，更具体地，例如，化学镀铜方法和电解镀铜方法的组合形成。可替换地，它们可以基于PVD方法和电解镀方法的组合形成。然而，通孔部和第二配线部的形成不限于这些方法，并且可以采用PVD方法和蚀刻法(如溅射方法和真空蒸发方法)的组合。
在包括上述有利配置的本公开的安装有部件的玻璃配线基板、玻璃配线基板、以及显示设备基板中，
第二配线部和通孔部可以由相同的材料形成，并且
第一配线部可以由与形成第二配线部的材料不同的材料形成。此外，在包括上述有利配置的本公开的安装有部件的玻璃配线基板、玻璃配线基板、以及显示设备基板中，可以满足P2/P1≥10的关系。
在包括上述各种有利配置的本公开的玻璃配线基板、生产其的方法、安装有部件的玻璃配线基板、生产其的方法中(在下文中，在一些情况下统称为“本公开”)，玻璃基板的实例包括高应变点玻璃、钠玻璃(Na2O·CaO·SiO2)、硼硅玻璃(Na2O·B2O3·SiO2)、镁橄榄石(2MgO·SiO2)、以及铅玻璃(Na2O·PbO·SiO2)。玻璃基板的厚度的实例包括0.1mm至1.1mm。形成第二配线部和通孔部的材料的实例包括铜(Cu)、镍(Ni)、银(Ag)、金(Au)、铝(Al)、以及包含这些金属的合金。此外，将由这些金属等形成的金属层粘附到基底的底层的实例包括镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)、以及包含这些金属的合金。形成第一配线部的材料的实例包括铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、银(Ag)、金(Au)、以及包含这些金属的合金。此外，将由这些金属等形成的金属层粘附到基底的底层的实例包括镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)、以及包含这些金属的合金。具有其上形成有第一配线部的第一表面和与第一表面相对的其上未形成配线部的第二表面的玻璃基板的具体实例包括与用于液晶显示设备的玻璃基板相似的玻璃基板。
只要第二表面侧上的直径
Figure BDA0001792459560000081
大于第一表面侧上的直径
Figure BDA0001792459560000082
玻璃基板中的通孔的内表面(内壁)的形状(即，当用包括通孔的轴线的虚拟面分割玻璃基板时通孔的内表面(内壁)的形状)可以是任何形状，并且可以是例如锥形形状或者阶梯形状。例如，可以通过使用激光形成玻璃基板中的通孔。具体地，例如，可以基于使用激光的开孔处理在玻璃基板中形成通孔。此外，通过使用激光，可以形成具有锥形形状或者阶梯形状的通孔。此外，通过用激光优化处理条件，可以形成第二表面侧上的直径
Figure BDA0001792459560000083
大于第一表面侧上的直径
Figure BDA0001792459560000084
的通孔。可替换地，通过进行钻孔处理，可以形成具有阶梯形状的通孔。可替换地，通过采用喷砂法，可以形成具有锥形形状的通孔。
Figure BDA0001792459560000085
的值的实例包括
Figure BDA0001792459560000086
将驱动半导体设备安装到设置在第一配线部上的驱动半导体装置安装部上的方法和将发光装置安装到设置在第一配线部上的发光装置安装部上的方法的实例包括但不限于镀层法。此外，例如，可以使用使用焊球或焊料隆起的方法。
在本公开中，发光装置可以包括发光二极管(LED)。然而，本公开不限于此，并且其可以包括半导体激光装置等。在发光装置包括发光二极管或半导体激光装置的情况下，发光装置的大小(例如，芯片尺寸)没有特别限制，但通常较小，具体地，例如，不大于1mm，不大于0.3mm，或者不大于0.1mm，更具体地，不大于0.03mm。形成发射红光的红色发光装置、发射绿光的绿色发光装置、以及发射蓝光的蓝色发光装置中各自的发光层的材料的实例包括使用III-V化合物半导体的材料。此外，形成红色发光装置的发光层的材料的实例包括使用基于AlGaInP的化合物半导体的材料。III-V化合物半导体的实例包括基于GaN的化合物半导体(包含AlGaN混晶、AlGaInN混晶、和GaInN混晶)、基于GaInNAs的化合物半导体(包含GaInAs混晶和GaNAs混晶)、基于AlGaInP的化合物、基于AlAs的化合物半导体、基于AlGaInAs的化合物半导体、基于AlGaAs-的化合物半导体、基于GaInAs的化合物半导体、基于GaInAsP的化合物半导体、基于GaInP的化合物半导体、基于GaP的化合物半导体、基于InP的化合物半导体、基于InN的化合物半导体以及基于AlN的化合物半导体。
发光层具有拥有第一导电型的第一化合物半导体层、有源层和具有与第一导电型不同的第二导电型的第二化合物半导体层的层叠结构。应注意，在第一导电型是n型的情况下，第二导电型是p型。在第一导电型是p型的情况下，第二导电型是n型。加入化合物半导体层的n型杂质的实例包括硅(Si)、硒(Se)、锗(Ge)、锡(Sn)、碳(C)、和钛(Ti)。p型杂质的实例包括锌(Zn)、镁(Mg)、铍(Be)、镉(Cd)、钙(Ca)、钡(Ba)、和氧(O)。有源层可以包括单个化合物半导体层，或者可以具有单量子阱结构(SQW结构)或多量子阱结构(MQW结构)。形成(沉积)包括有源层的各种化合物半导体层的实例包括金属有机物化学气相淀积(MOCVD法，MOVPE法)、金属有机分子束外延方法(MOMBE法)、其中卤素有助于传输或反应的氢化物汽相处延方法(HVPE法)、等离子体辅助物理气相沉积(PPD法)、原子层沉积法(ALD法，原子层沉积法)、以及迁移增强外延法(迁移增强外延，MEE法)。为了生产红色发光装置、绿色发光装置、以及蓝色发光装置，仅需要适当选择上述化合物半导体及其组合物。
在第一导电型为n型且第二导电型为p型的情况下，第一电极是n侧电极且第二电极是p侧电极。同时，在第一导电型为p型且第二导电型为n型的情况下，第一电极为p侧电极且第二电极为n侧电极。在此，p侧电极的实例包括Au/AuZn、Au/Pt/Ti(/Au)/AuZn、Au/Pt/TiW(/Ti)(/Au)/AuZn、Au/AuPd、Au/Pt/Ti(/Au)/AuPd、Au/Pt/TiW(/Ti)(/Au)/AuPd、Au/Pt/Ti、Au/Pt/TiW(/Ti)、Au/Pt/TiW/Pd/TiW(/Ti)、Ti/Cu、Pt、Ni、Ag、以及Ge。此外，n侧电极的实例包括Au/Ni/AuGe、Au/Pt/Ti(/Au)/Ni/AuGe、AuGe/Pd、Au/Pt/TiW(/Ti)/Ni/AuGe、以及Ti。应注意，在比“/”进一步前方的层在电气上更加远离有源层定位。可替换地，第二电极可以由透明导电材料(如ITO、IZO、ZnO:Al、以及ZnO:B)形成。在由透明导电材料形成的层用作电流扩散层并且第二电极是n侧电极的情况下，可以组合在使用p侧电极的第二电极的情况下提及的金属堆叠结构。第一极板部可以形成在第一电极(的表面)上，并且第二极板部可以形成在第二电极(的表面)上。期望的是极板部具有单层结构或者包含选自由Ti(钛)、铝(Al)、Pt(铂)、Au(金)、及Ni(镍)组成的组的至少一种类型的金属的多层结构。可替换地，极板部可具有由Ti/Pt/Au的多层配置和Ti/Au的多层配置所示例的多层结构。
用于生产发光装置的发光装置生产基板的实例包括GaAs基板、GaP基板、AlN基板、AlP基板、InN基板、InP基板、AlGaInN基板、AlGaN基板、AlInN基板、GaInN基板、AlGaInP基板、AlGaP基板、AlInP基板、GaInP基板、ZnS基板、蓝宝石基板、SiC基板、氧化铝基板、ZnO基板、LiMgO基板、LiGaO2基板、MgAl2O4基板、Si基板、Ge基板、以及通过在这些基板的表面(主表面)上形成底层或者缓冲层获得的基板。应注意，为了生产红色发光装置、绿色发光装置、及蓝色发光装置仅需要适当选择这些基板中的一种。
在发光装置中，遮光膜可以形成在发光装置的期望区域中使得不期望的区域不会被从发光装置输出的光照射。形成遮光膜的材料的实例包括能够阻挡光的材料，如钛(Ti)、铬(Cr)、钨(W)、钽(Ta)、铝(Al)、以及MoSi2。
实施方式1
实施方式1涉及玻璃配线基板，生产其的方法、安装有部件的玻璃配线基板、生产其的方法、以及本公开的显示设备基板。
如图1的示意性的部分端视图所示，实施方式1的玻璃配线基板、安装有部件的玻璃配线基板、或显示设备基板包括：
玻璃基板10、形成在玻璃基板10的第一表面10A上的第一配线部20、形成在与第一表面10A相对的第二表面10B上的第二配线部30；
形成在玻璃基板10的其中未形成第一配线部20和第二配线部30的区域中的通孔40，通孔40在第二表面侧上的直径
Figure BDA0001792459560000111
大于在第一表面侧上的直径
Figure BDA0001792459560000112
以及
形成在通孔40中的通孔部41，通孔部41的一个端部延伸至第一配线部20，通孔部41的另一个端部延伸至第二配线部30。
此外，显示设备基板或实施方式1的显示设备基板进一步包括
安装在第一配线部20上的电子部件52和60。此外，在实施方式1的玻璃配线基板、安装有部件的玻璃配线基板、或显示设备基板中，
通孔部41附近的第一配线部20的配线间距P1比通孔部41附近的第二配线部30的配线间距P2窄。
在此，在实施方式1的显示设备基板或安装有部件的玻璃配线基板中，
电子部件包括多个发光装置(具体地，发光二极管LED)52和驱动多个发光装置52的驱动半导体设备60，
驱动半导体设备60安装在设置在第一配线部20上的驱动半导体装置安装部21上，并且经由通孔部41从驱动半导体装置安装部21连接至第二配线部30，并且
多个发光装置52中的每一个均安装在设置在第一配线部20中的发光装置安装部22上，并且经由第一配线部20连接到驱动半导体设备60。此外，第二配线部30和通孔部41由相同的材料(具体地，铜)形成，并且
第一配线部20由与形成第二配线部30的材料不同的材料(具体地，铝)形成。此外，发光装置单元51构成一个像素，并且当相邻像素占据的区域50之间的距离由L0表示且第一表面1上的通孔40的直径由
Figure BDA0001792459560000121
表示时，满足
Figure BDA0001792459560000122
的关系。具体地，满足P2/P1≥10的关系。具体地，P1、P2、
Figure BDA0001792459560000123
以及L0的值的实例包括以下值。
P1＝0.02mm
P2＝0.2mm
Figure BDA0001792459560000124
Figure BDA0001792459560000125
L0＝0.6mm
在所示出的实施例中，玻璃基板10中的通孔40的内表面(内壁)的形状是锥形形状。此外，连接到一个驱动半导体设备60的多个发光装置52的数量M的实例包括U0＝100、N＝3、以及M＝U0×N＝300。尽管第二配线部30上还安装各种电子部件，省去对其的说明。如上所述，驱动半导体设备60经由通孔部41从驱动半导体装置安装部21连接至第二配线部30和安装在第二配线部30上的显示设备驱动电路。可替换地，其经由第二配线部30连接至设置在外部的显示设备驱动电路。
在实施方式1的显示设备基板中，一个像素包括例如一个红色发光装置52R、一个绿色发光装置52G、以及一个蓝色发光装置52B的组合(发光装置单元51)。即，NR＝NG＝NB＝1。每个发光装置52构成一个子像素。此外，多个发光装置单元51沿第一方向和与第一方向正交的第二方向以二维矩阵图案布置。一个发光装置52的尺寸的具体实例包括30μm×30μm。发光装置单元51的尺寸的具体实例包括0.1mm×0.1mm。然而本公开不限于这些值。在附图中，示出了一个红色发光装置52R和一个绿色发光装置52G。
如图3A或图3B的示意性的部分端视图所示，发光装置(具体地，发光二极管)52包括发光层120、第一电极131、以及电连接至发光层120的第二电极132。在此，发光层120具有拥有第一导电型(具体地，p型)的第一化合物半导体层121、有源层123、以及拥有与第一导电型不同的第二导电型(具体地，n型)的第二化合物半导体层122的层叠结构。从有源层123发出的光经由第二化合物半导体层122发射到外部。发光装置52包括一个红色发光装置52R、一个绿色发光装置52G、或一个蓝色发光装置52B。例如，如在以下表1和表2中示出的是红色发光装置52R、绿色发光装置52G、以及蓝色发光装置52B的具体配置。应注意，图3A所示的发光装置和图3B所示的发光装置在第二电极132所定位的位置上是不同的。此外，最终去除接下来将描述的发光装置生产基板210。
即，在红色发光装置52R中，包括具有n-导电型的第二化合物半导体层122的发光层(层叠结构)120、有源层123、以及具有p-导电型的第一化合物半导体层121由基于AlGaInP的化合物半导体形成。作为用于生产红色发光装置52R的发光装置生产基板210，使用n-GaAs基板。第二化合物半导体层122形成在发光装置生产基板210上。有源层123具有其中各自包括GaInP层或AlGaInP层的阱层和各自包括具有不同的组成的AlGaInP层的势垒层层叠的多量子阱结构。具体地，势垒层具有四个层，并且阱层具有三个层。除第二化合物半导体层122的光输出表面122B之外，发光层120由第一绝缘膜124覆盖。第二绝缘膜125形成在第一电极131和第一绝缘膜124上。此外，位于第一化合物半导体层121的上表面之上的第二绝缘膜125的一部分已去除，并且第一极板部133由暴露于第二绝缘膜125的第一电极131形成。此外，位于第二化合物半导体层122的上表面之上的第二绝缘膜125的一部分已去除，并且第二极板部134由暴露于第二绝缘膜125的第二电极132形成。第一绝缘膜由例如氮化硅(SiNY)形成，并且第二绝缘膜由例如氧化硅(SiOX)形成。
<表1>红色发光装置52R
第一化合物半导体层
接触层 p-GaAs：Zn掺杂
第二包覆层 p-AlInP：Zn掺杂
第二引导层 AlGaInP
有源层
阱层/势垒层 GaInP/AlGaInP
第二化合物半导体层
第一引导层 AlGaInP
第一包覆层 n-AlInP：Si掺杂
在绿色发光装置52G和蓝色发光装置52B中，包括具有n-导电型的第二化合物半导体层122、有源层123、以及具有p-导电型的第一化合物半导体层121的发光层(层叠结构)120由基于GaInN的化合物半导体形成。作为用于生产绿色发光装置52G和蓝色发光装置52B的发光装置生产基板210，使用n-GaN基板。第二化合物半导体层122形成在发光装置生产基板210上。有源层123具有其中包含AlInGaN层的阱层和包含具有不同的In组成的AlInGaN层的势垒层层叠的量子阱结构。可替换地，有源层123具有其中包含InGaN层的阱层和包含GaN层的势垒层层叠的量子阱结构。
<表2>绿色发光装置52G/蓝色发光装置52B
第一化合物半导体层
接触层 p-GaN：Mg掺杂
第二包覆层 p-AlGaN：Mg掺杂
第二引导层 InGaN
有源层
阱层/势垒层 InGaN/GaN
第二化合物半导体层
第一引导层 InGaN
第一包覆层 n-AlGaN：Si-掺杂
在下文中，将参照图5A、图5B、图6A、图6B、和图7(其各自是玻璃基板的示意性的部分端视图)描述实施方式1的生产玻璃配线基板的方法和生产安装有部件的玻璃配线基板的方法。
[步骤-100]
制备具有0.5mm的厚度的玻璃基板10，第一配线部20形成在玻璃基板10的第一表面10A上，与第一表面10A相对的第二表面10B上未形成配线部。具体地，通过基于PVD方法(例如，溅射方法)在玻璃基板10的第一表面10A上形成由铝(Al)形成的金属层并且然后基于蚀刻法图案化金属层，在玻璃基板10的第一表面10A上形成第一配线部20。随后，在玻璃基板10的第一表面10A上形成绝缘层23，在位于第一配线部20上方的绝缘层23的一部分中提供开口，并且在包括开口的内部的绝缘层23上形成导电材料层。随后，通过图案化导电材料层，可以形成驱动半导体装置安装部21、发光装置安装部22、将第一配线部20和驱动半导体装置安装部21彼此连接的接触孔24、以及将第一配线部20和发光装置安装部22彼此连接的接触孔25。应注意，第一配线部20、驱动半导体装置安装部21、以及发光装置安装部22的配置和结构不限于所示的实施例，并且驱动半导体装置安装部21和发光装置安装部22可以直接设置在第一配线部20中。可替换地，第一配线部可以具有多层配线结构。尽管在附图以切开一半的状态示出了第一配线部20的一部分和接触孔24和25的一部分，实际上，它们适当地彼此连接。以这种方式可以实现图5A中所示的结构。
[步骤-110]
此外，在玻璃基板10中，通孔40通过使用激光器由第二表面侧形成，通孔40处于其中未形成第一配线部20的区域，通孔40在第二表面侧上的直径大于在第一表面侧上的直径。以这种方式可以实现图5B中所示的结构。可以基于众所周知的技术使用激光进行钻孔处理。当使用激光进行钻孔处理时，有利的是通过用保护膜覆盖第一表面10A和第二表面10B而防止在钻孔处理期间产生的玻璃碎片等附着至第一表面10A和第二表面10B。然后，有利的是使用氢氟酸洗涤通孔40的内壁。
[步骤-120]
随后，在第一表面10A和包含通孔40的内部的第二表面10B上形成晶种层71(参见图6A)。晶种层71的形成可例如基于化学镀铜方法进行。可替换地，这可以通过基于溅射方法形成包含Ti层/Cu层的晶种层71实现。此外，通过用防镀层覆盖不应镀铜的区域并且然后进行电解镀铜，由通孔40的内部到第一配线部20形成通孔部41并且在第二表面10B上形成从通孔部41延伸的第二配线部30。然后，通过去除防镀层并且进行软蚀刻，去除晶种层71。以这种方式可以实现图6B中所示的结构。应注意，仅在图6A中示出晶种层71。此外，尽管第一配线部20的侧表面和通孔部41的一个端部42的侧表面在附图中彼此接触，实际上，通孔部41的一个端部42形成为使得通孔部41的一个端部42延伸到第一配线部20上方。同时，尽管第二配线部30的侧表面和通孔部41的另一个端部43的侧表面在附图中彼此接触，实际上，通孔部41的另一个端部43和第二配线部30形成为一体。
应注意，如上所述，通孔部41附近的第一配线部20的配线间距P1比通孔部41附近的第二配线部30的配线间距P2窄。具体地，满足P2/P1≥10的关系。
[步骤-130]
然后，玻璃基板10的第二表面10B基于例如丝网印刷方法由阻焊剂层72覆盖，并且通孔部41填充有阻焊剂层72(参见图7)。由玻璃基板10的第二表面侧进行基于丝网印刷方法的阻焊剂层72的形成。这时，有利的是通过用保护膜覆盖玻璃基板10的第一表面侧而保护玻璃基板10的第一表面10A。
[步骤-140]
此外，电子部件52和60安装在第一配线部20上(参见图1)。
具体地，热固性粘合剂施加于其中待安装电子部件52和60并且未形成第一配线部20(具体地，驱动半导体装置安装部21、发光装置安装部22)的玻璃基板10的第一表面10A的区域上。此外，通过将电子部件52和60各自置于热固性粘合剂上并且然后热固化热固性粘合剂，将电子部件52和60固定在玻璃基板10的第一表面10A上。随后，第一配线部20和电子部件52和60基于电解镀铜方法通过镀层73彼此连接。具体地，驱动半导体装置安装部21和驱动半导体设备60的连接端子部分基于电解镀铜方法通过镀层73彼此连接。此外，发光装置安装部22和发光装置52的第一电极131(更具体地，第一极板部133)和第二电极132(更具体地，第二极板部134)通过镀层73彼此连接。在其中不应形成镀层73的区域中，仅需要根据需要预先形成抗蚀剂掩模层。
可替换地，在玻璃基板10的第一表面10A(具体地，包含以上驱动半导体装置安装部21和发光装置安装部22的第一表面10A)上涂覆紫外固化粘合剂层。此外，通过将电子部件52和60各自置于紫外固化粘合剂上并且然后由玻璃基板10的第二表面侧施加紫外线，使紫外固化粘合剂固化以将电子部件52和60固定到玻璃基板10的第一表面10A(具体地，驱动半导体装置安装部21和发光装置安装部22)上。随后，在去除未固化的紫外固化粘合剂之后，第一配线部20和电子部件52和60基于电解镀铜方法通过镀层73彼此连接。具体地，驱动半导体装置安装部21和驱动半导体设备60的连接端子部基于电解镀铜方法通过镀层73彼此连接。此外，发光装置安装部22以及发光装置52的第一电极131(更具体地，第一极板部133)和第二电极132(更具体地，第二极板部134)通过镀层73彼此连接。在其中不应形成镀层73的区域中，仅需要根据需要预先形成抗蚀剂掩模层。应注意，然后，可以去除固化的紫外固化粘合剂。
在下文中，将描述在第一配线部20上安装电子部件52和60的步骤。
[步骤-200]
首先，通过使用众所周知的方法在发光装置生产基板210上形成底层层、第二化合物半导体层122、有源层123、以及第一化合物半导体层121之后，通过使用众所周知的方法将第一电极131形成在第一化合物半导体层121上并且然后图案化。此外，尽管取决于发光装置的结构，形成第二电极132。以这种方式，可以获得图3A中所示的未完工的发光装置的产品。在下文中，为了方便，未完工的发光装置的产品将称为“发光装置200”。
[步骤-210]
随后，发光装置经由第一电极131被临时固定到第一临时固定基板221上。具体地，制备包含玻璃基板的第一临时固定基板221，由未固化的粘合剂形成的粘合层222形成在玻璃基板的表面上。此外，通过将发光装置200和粘合层222彼此结合并且固化粘合层222，发光装置200可以临时被固定到第一临时固定基板221上(参见图8A和图8B)。
[步骤-220]
然后，发光装置200从发光装置生产基板210剥离(参见图9A)。具体地，通过研磨处理使发光装置生产基板210由其后表面变薄并且然后对发光装置生产基板210和底层进行湿式蚀刻，可以去除发光装置生产基板210以暴露第二化合物半导体层122。
应注意，除玻璃基板之外，形成第一临时固定基板221的材料的实例包括金属板、合金板、陶瓷板、以及塑料板。除使用粘合剂的方法之外，将发光装置临时固定到第一临时固定基板221的方法的实例包括金属结合法、半导体结合法、以及金属/半导体结合法。此外，除蚀刻法之外，从发光装置去除发光装置生产基板210等的方法的实例包括激光烧蚀法和加热法。
[步骤-230]
接下来，尽管取决于发光装置的结构，第二电极132基于所谓的剥离法形成在暴露的第二化合物半导体层122的光输出表面122B上。以这种方式，可以获得发光装置52。
[步骤-240]
制备其上形成有由硅酮橡胶形成的弱粘合层232的第二临时固定基板231。此外，弱粘合层232压靠在留在第一临时固定基板221上的阵列(二维矩阵图案)中的发光装置52(参见图9B和图10A)。形成第二临时固定基板231的材料的实例包括玻璃板、金属板、合金板、陶瓷板、半导体基板、以及塑料板。此外，第二临时固定基板231由定位设备(未示出)固定。可以通过定位设备的操作调整第二临时固定基板231与第一临时固定基板221之间的位置关系。随后，使用例如准分子激光从第一临时固定基板221的后表面侧照射待安装到玻璃基板10上的发光装置52(参见图10B)。因此，发生激光烧蚀，并且从第一临时固定基板221剥离用准分子激光照射的发光装置52。然后，当释放第二临时固定基板231与发光装置52之间的接触时，从第一临时固定基板221剥离的发光装置52粘附于弱粘合层232(参见图11A)。
随后，将发光装置52置于(移动到或转移到)热固性粘合剂上或者在[步骤-140]中描述的紫外固化粘合剂层上(在下文中，称为“粘合层26”)(参见图11B)。应注意，通过简化在图1中示出的玻璃基板10的配置和结构示出在图11B中示出的玻璃基板10。
然后，仅需要执行实施方式1的[步骤-140]。具体地，从第二临时固定基板231将发光装置52置于施加到玻璃基板10A的第一表面侧上的粘合层26上，其中对准标记形成在玻璃基板10的第一表面10A上作为参考。由于在发光装置52与粘合层26接触(压靠)的同时通过沿远离玻璃基板10的方向移动第二临时固定基板231而使发光装置52弱粘附到弱粘合层232，发光装置52留在粘合层26上。此外，根据需要通过使用辊等将发光装置52深入地嵌入到粘合层26中，发光装置52可以安装在玻璃基板10的第一表面10A上。
为了方便，这种使用第二临时固定基板231的方法将称为逐步转移法。此外，通过将这种逐步转移法重复期望的次数，将期望的数量的发光装置52以二维矩阵图案粘附到弱粘合层232上，并转移到玻璃基板10上。具体地，例如，在一次逐步转移中，将160×120个发光装置52以二维矩阵图案粘附到弱粘合层232上，并且转移到玻璃基板10上。因此，通过重复逐步转移法(1920×1080)/(160×120)＝108次，可以将1920×1080个发光装置52转移到玻璃基板10上。此外，通过重复上述步骤总三次，可以将预定数量的红色发光装置52R、绿色发光装置52G、以及蓝色发光装置52B以预定间隔和间距安装在玻璃基板10上。
如上所述，在实施方式1的玻璃配线基板、生产其的方法、安装有部件的玻璃配线基板、生产其的方法、以及显示设备基板中，在第二表面侧上的直径大于在第一表面侧上的直径的通孔形成于玻璃基板中，并且通孔部形成于通孔中。因此，可以相对容易地形成具有高长径比的通孔部，其不会导致显示设备基板等的生产率降低。即，可以形成在玻璃基板的第一表面上具有较低直径的通孔部(贯通电极)，第一表面是具有精细的设计规则和低安装自由度的配线的有源表面，并且在相邻像素占据的区域之间可靠地形成通孔部(贯通电极)。此外，由于在使用激光的钻孔处理时没有直接用激光照射玻璃基板的第一表面，可以防止形成在玻璃基板的第一表面上的第一配线部被损坏。此外，当用[步骤-130]中的阻焊剂层填充通孔部时，由于从玻璃基板的第二表面侧进行阻焊剂层的填充，使丝网印刷装置的涂刷器的滑动面与第二表面接触。因此，可以防止形成在玻璃基板的第一表面上的第一配线部被损坏。此外，由于形成在第二表面侧上的直径大于在第一表面侧上的直径的通孔，在使用激光器进行钻孔处理之后，玻璃基板热收缩时的应力集中被释放，并且连接可靠性能够得到改善。
尽管在此以前基于有利的实施方式描述了本公开，但本公开不限于这些实施方式。在实施方式中描述的玻璃配线基板、安装有部件的玻璃配线基板、显示设备基板的配置和结构、以及发光装置都是示例性的，并且构成它们的构件和材料也是示例性的并且可以适当地改变。此外，制造玻璃配线基板的方法和制造安装有部件的玻璃配线基板的方法也是示例性的并且可以适当改变。例如，化合物半导体层在发光装置中层叠的顺序可以颠倒。
如图2中的实施方式1的玻璃配线基板、安装有部件的玻璃配线基板、以及显示设备基板的修改实施例的示意性的部分端视图所示，玻璃基板10中的通孔40的内表面(内壁)的形状可以是阶梯形状。
保护层可以形成在第一表面侧上的玻璃基板10的整个表面上。此外，除其中发光装置输出光的保护层的部分之外，可以在保护层上形成光吸收层。
如图4A或图4B中的实施方式1的发光装置的修改实施例所示，遮光膜126可以形成在发光装置52的期望区域(在所示出的实施例中，接近发光装置52的外表面的区域)中，使得不用从发光装置输出的光照射不期望的区域。形成遮光膜的材料的实例包括能够阻挡光的材料，如钛(Ti)、铬(Cr)、钨(W)、钽(Ta)、铝(Al)、以及MoSi2。
作为构成发光装置单元的发光装置，可以将第四发光装置、第五发光装置....添加至第一发光装置、第二发光装置、及第三发光装置。其实例包括加入发射白光的子像素以改善亮度的发光装置单元，加入发射补色光的子像素以扩大彩色重现范围的发光装置，加入发发射黄光的子像素以扩大彩色重现范围的发光装置单元，以及加入发出黄光和青色光的子像素以扩大彩色重现范围的发光装置单元。
此外，也可以使用其中布置有多个显示设备基板的拼接型显示设备(发光装置显示设备)。可替换地，可以使用发光二极管将显示设备基板应用于背光、照明设备、广告媒介等。
显示设备(发光装置显示设备)不仅可以是由电视接收器和计算机终端代表的彩色显示器的平面型/直视型图像显示设备而且还是在人类的视网膜上投影图像的图像显示设备及投影式图像显示设备。应注意，在这些图像显示设备中，例如，仅需要采用通过以时分方式控制第一发光装置、第二发光装置、以及第三发光装置中的每一个的发光/非发光状态显示图像的场序驱动方法，但本公开不限于此。
应注意，本公开还可采用下列配置。
[A01]<<生产玻璃配线基板的方法>>
生产玻璃配线基板的方法，包括：
制备玻璃基板，第一配线部形成在玻璃基板的第一表面上，在与第一表面相对的第二表面上未形成配线部；
在玻璃基板中，由第二表面侧形成通孔，通孔在其中未形成第一配线部的区域中，通孔在第二表面侧上的直径大于在第一表面侧上的直径；然后，
形成从通孔的内部到第一配线部的通孔部，并且在第二表面上形成由通孔部延伸的第二配线部。
[A02]根据[A01]的生产玻璃配线基板的方法，进一步包括：
通过基于物理气相沉积法在玻璃基板的第一表面上形成金属层，并且然后图案化金属层，在玻璃基板的第一表面上形成第一配线部；以及
基于镀层法形成通孔部和第二配线部。
[A03]根据[A01]或[A02]的生产玻璃配线基板的方法，其中
通孔部附近的第一配线部的配线间距P1比通孔部附近的第二配线部的配线间距P2窄。
[A04]根据[A03]的生产玻璃配线基板的方法，其中
满足P2/P1≥10的关系。
[B01]<<生产安装有部件的玻璃配线基板的方法>>
一种生产安装有部件的玻璃配线基板的方法，包括：
制备玻璃基板，第一配线部形成在玻璃基板的第一表面上，在与第一表面相对的第二表面上未形成配线部；
在玻璃基板中，由第二表面侧形成通孔，通孔在其中未形成第一配线部的区域中，通孔在第二表面侧上的直径大于在第一表面侧上的直径；然后，
形成由通孔的内部到第一配线部的通孔部，并且在第二表面上形成由通孔部延伸的第二配线部；然后，
将电子部件安装到第一配线部上。
[B02]根据[B01]的生产安装有部件的玻璃配线基板的方法，其中
电子部件包括多个发光装置和驱动多个发光装置的驱动半导体设备，
将驱动半导体设备安装在设置在第一配线部中的驱动半导体装置安装部上，并且经由通孔部从驱动半导体装置安装部连接至第二配线部，并且
多个发光装置中的每一个安装在设置在第一配线部上的发光装置安装部上，并且经由第一配线部连接到驱动半导体设备。
[B03]根据[B02]的生产安装有部件的玻璃配线基板的方法，其中
发光装置单元构成一个像素，并且
其中由相邻像素占据的区域之间的距离由L0表示并且第一表面侧上的通孔的直径由
Figure BDA0001792459560000221
表示，满足
Figure BDA0001792459560000222
的关系。
[B04]根据[B03]的生产安装有部件的玻璃配线基板的方法，进一步包括：
通过基于物理气相沉积法在玻璃基板的第一表面上形成金属层，并且然后图案化金属层，而在玻璃基板的第一表面上形成第一配线部；以及
基于镀层法形成通孔部和第二配线部。
[B05]根据[B01]至[B04]中任一项的生产安装有部件的玻璃配线基板的方法，其中：
通孔部附近的第一配线部的配线间距P1比通孔部附近的第二配线部的配线间距P2窄。
[B06]根据[B05]的生产安装有部件的玻璃配线基板的方法，其中：
满足P2/P1≥10的关系。
[C01]<<玻璃配线基板>>
一种玻璃配线基板，包括：
玻璃基板，第一配线部形成在玻璃基板的第一表面上，第二配线部形成在与第一表面相对的第二表面上；
通孔，形成在其中未形成第一配线部和第二配线部的玻璃基板的区域中，通孔在第二表面侧上的直径大于在第一表面侧上的直径；以及
通孔部，形成在通孔中，通孔部的一个端部延伸至第一配线部，通孔部的另一个端部延伸至第二配线部，其中
通孔部附近的第一配线部的配线间距P1比通孔部附近的第二配线部的配线间距P2窄。
[C02]根据[C01]的玻璃配线基板，其中
第二配线部和通孔部由相同的材料形成，并且
第一配线部由与形成第二配线部的材料不同的材料形成。
[C03]根据[C01]或[C02]的玻璃配线基板，其中
满足P2/P1≥10的关系。
[D01]<<安装有部件的玻璃配线基板>>
一种安装有部件的玻璃配线基板，包括：
玻璃基板，第一配线部形成在玻璃基板的第一表面上，第二配线部形成在与第一表面相对的第二表面上；
通孔，形成在其中未形成第一配线部和第二配线部的玻璃基板的区域中，通孔在第二表面侧上的直径大于在第一表面侧上的直径；以及
通孔部，形成在通孔中，通孔部的一个端部延伸至第一配线部，通孔部的另一端部延伸至第二配线部；以及
电子部件，安装在第一配线部上，其中
通孔部附近的第一配线部的配线间距P1比通孔部附近的第二配线部的配线间距P2窄。
[D02]根据[D01]的安装有部件的玻璃配线基板，其中
电子部件包括多个发光装置和驱动多个发光装置的驱动半导体设备，
驱动半导体设备安装在设置在第一配线部上的驱动半导体装置安装部上，并且经由通孔部从驱动半导体装置安装部连接至第二配线部，并且
多个发光装置中的每一个均安装在设置在第一配线部上的发光装置安装部上，并且经由第一配线部连接到驱动半导体装置。
[D03]根据[D02]的安装有部件的玻璃配线基板，其中
发光装置单元构成一个像素，并且
其中由相邻像素占据的区域之间的距离由L0表示并且第一表面侧上的通孔的直径由
Figure BDA0001792459560000241
表示，满足
Figure BDA0001792459560000242
的关系。
[D04]根据[D01]至[D03]中任一项的安装有部件的玻璃配线基板，其中
第二配线部和通孔部由相同的材料形成，并且
第一配线部由与形成第二配线部的材料不同的材料形成。
[D05]根据[D01]至[D04]中任一项的安装有部件的玻璃配线基板，其中
满足P2/P1≥10的关系。
[E01]<<显示设备基板>>
一种显示设备基板，包括：
玻璃基板，第一配线部形成在玻璃基板的第一表面上，第二配线部形成在与第一表面相对的第二表面上；
通孔，形成在其中未形成第一配线部和第二配线部的玻璃基板的区域中，通孔在第二表面侧上的直径大于在第一表面侧上的直径；以及
通孔部，形成在通孔中，通孔部的一个端部延伸至第一配线部，通孔部的另一端部延伸至第二配线部；以及
电子部件，安装在第一配线部上，其中
通孔部附近的第一配线部的配线间距P1比通孔部附近的第二配线部的配线间距P2窄，
电子部件包括多个发光装置和驱动多个发光装置的驱动半导体设备，
驱动半导体设备安装在设置在第一配线部中的驱动半导体装置安装部上，并且经由通孔部从驱动半导体装置安装部连接至第二配线部，并且多个发光装置中的每一个安装在设置在第一配线部中的发光装置安装部上，并且经由第一配线部连接到驱动半导体装置。
符号说明
10…玻璃基板、10A…玻璃基板的第一表面、10B…玻璃基板的第二表面、20…第一配线部、21…驱动半导体装置安装部、22…发光装置安装部、23…绝缘层、24、25…接触孔、26…粘合层、30…第二配线部、40…通孔、41…通孔部、42…通孔部的一个端部、43…通孔部的另一端部、51…发光装置单元、52、52R、52G、52B…电子部件(发光装置)、60…电子部件(驱动半导体设备)、71…晶种层、72…阻焊剂层、73…镀层、120…发光层、121…第一化合物半导体层、122…第二化合物半导体层、122B…光输出表面、123…有源层、124…第一绝缘膜、125…第二绝缘膜、126…遮光膜、131…第一电极、132…第二电极、133、134…极板部、200…发光装置、210…发光装置生产基板、221…第一临时固定基板、222…粘合层、231…第二临时固定基板、232…弱粘合层。

Claims (12)

1.一种生产玻璃配线基板的方法，包括：
制备玻璃基板，在所述玻璃基板的第一表面形成第一配线部，在与所述第一表面相对的第二表面未形成配线部；
在所述玻璃基板中，由第二表面侧形成通孔，所述通孔在其中未形成所述第一配线部的区域中，所述通孔在所述第二表面侧上具有的直径大于在第一表面侧上的直径；然后，
由所述通孔的内部到所述第一配线部形成通孔部，并且在所述第二表面上形成从所述通孔部延伸的第二配线部，
其中，在所述通孔部附近的所述第一配线部的配线间距P1比在所述通孔部附近的所述第二配线部的配线间距P2窄，
满足P2/P1≥10的关系。
2.根据权利要求1所述的生产玻璃配线基板的方法，进一步包括：
通过基于物理气相沉积法在所述玻璃基板的所述第一表面上形成金属层，之后使所述金属层图案化，在所述玻璃基板的所述第一表面上形成所述第一配线部；以及
基于镀层法形成所述通孔部和所述第二配线部。
3.一种生产安装有部件的玻璃配线基板的方法，包括：
制备玻璃基板，在所述玻璃基板的第一表面形成第一配线部，在与所述第一表面相对的第二表面未形成配线部；
在玻璃基板中，由第二表面侧形成通孔，所述通孔在其中未形成所述第一配线部的区域中，所述通孔在所述第二表面侧上具有的直径大于在第一表面侧上的直径；然后，
由所述通孔的内部到所述第一配线部形成通孔部，并且在所述第二表面上形成由所述通孔部延伸的第二配线部；然后，
将电子部件安装到所述第一配线部上，
其中，所述电子部件包括多个发光装置和驱动所述多个发光装置的驱动半导体设备，
将所述驱动半导体设备安装在设置在所述第一配线部上的驱动半导体装置安装部上，并且经由所述通孔部从所述驱动半导体装置安装部连接至所述第二配线部，并且
所述多个发光装置中的每一个安装在设置在所述第一配线部上的发光装置安装部上，并且经由所述第一配线部连接到所述驱动半导体设备，
发光装置单元构成一个像素，并且
其中由相邻像素占据的区域之间的距离由L0表示并且第一表面侧上的通孔的直径由
Figure FDA0002900669790000021
表示，满足
Figure FDA0002900669790000022
的关系。
4.根据权利要求3所述的生产安装有部件的玻璃配线基板的方法，进一步包括：
通过基于物理气相沉积法在所述玻璃基板的所述第一表面上形成金属层，然后使所述金属层图案化，在所述玻璃基板的所述第一表面上形成所述第一配线部；以及
基于镀层法形成所述通孔部和所述第二配线部。
5.根据权利要求3所述的生产安装有部件的玻璃配线基板的方法，其中，
在所述通孔部附近的所述第一配线部的配线间距P1比在所述通孔部附近的所述第二配线部的配线间距P2窄。
6.根据权利要求5所述的生产安装有部件的玻璃配线基板的方法，其中，
满足P2/P1≥10的关系。
7.一种玻璃配线基板，包括：
玻璃基板，在所述玻璃基板的第一表面上形成的第一配线部，在与所述第一表面相对的第二表面上形成的第二配线部；
通孔，形成在其中未形成所述第一配线部和所述第二配线部的所述玻璃基板的区域中，所述通孔在第二表面侧上具有的直径大于在第一表面侧上的直径；以及
通孔部，形成在所述通孔中，所述通孔部的一个端部延伸至所述第一配线部，所述通孔部的另一端部延伸至所述第二配线部，其中
在所述通孔部附近的所述第一配线部的配线间距P1比在所述通孔部附近的所述第二配线部的配线间距P2窄，
其中，满足P2/P1≥10的关系。
8.根据权利要求7所述的玻璃配线基板，其中，
所述第二配线部和所述通孔部由相同的材料形成，并且
所述第一配线部由与形成所述第二配线部的材料不同的材料形成。
9.一种安装有部件的玻璃配线基板，包括：
玻璃基板，在所述玻璃基板的第一表面上形成的第一配线部，在与所述第一表面相对的第二表面上形成的第二配线部；
通孔，形成在其中未形成所述第一配线部和所述第二配线部的所述玻璃基板的区域中，所述通孔在第二表面侧上具有的直径大于在第一表面侧上的直径；
通孔部，形成在所述通孔中，所述通孔部的一个端部延伸至所述第一配线部，所述通孔部的另一端部延伸至所述第二配线部；以及
电子部件，安装在所述第一配线部上，其中
在所述通孔部附近的所述第一配线部的配线间距P1比在所述通孔部附近的所述第二配线部的配线间距P2窄，
其中，所述电子部件包括多个发光装置和驱动所述多个发光装置的驱动半导体设备，
所述驱动半导体设备安装在设置在所述第一配线部上的驱动半导体装置安装部上，并且经由所述通孔部从所述驱动半导体装置安装部连接至所述第二配线部，并且
所述多个发光装置中的每一个安装在设置在所述第一配线部上的发光装置安装部上，并且经由所述第一配线部连接到所述驱动半导体设备，
发光装置单元构成一个像素，并且
其中由相邻像素占据的区域之间的距离由L0表示并且第一表面侧上的通孔的直径由
Figure FDA0002900669790000041
表示，满足
Figure FDA0002900669790000042
的关系。
10.根据权利要求9所述的安装有部件的玻璃配线基板，其中，
所述第二配线部和所述通孔部由相同的材料形成，并且
所述第一配线部由与形成所述第二配线部的材料不同的材料形成。
11.根据权利要求9所述的安装有部件的玻璃配线基板，其中，
满足P2/P1≥10的关系。
12.一种显示设备基板，包括：
玻璃基板，在所述玻璃基板的第一表面上形成的第一配线部，在与所述第一表面相对的第二表面上形成的第二配线部；
通孔，形成在其中未形成所述第一配线部和所述第二配线部的所述玻璃基板的区域中，所述通孔在所述第二表面侧上具有的直径大于在所述第一表面侧上的直径；
通孔部，形成在所述通孔中，所述通孔部的一个端部延伸至所述第一配线部，所述通孔部的另一端部延伸至所述第二配线部；以及
电子部件，安装在所述第一配线部上，其中
在所述通孔部附近的所述第一配线部的配线间距P1比在所述通孔部附近的所述第二配线部的配线间距P2窄，
所述电子部件包括多个发光装置和驱动所述多个发光装置的驱动半导体设备，
所述驱动半导体设备安装在设置在所述第一配线部中的驱动半导体装置安装部上，并且经由所述通孔部从所述驱动半导体装置安装部连接至所述第二配线部，并且
所述多个发光装置中的每一个安装在设置在所述第一配线部上的发光装置安装部上，并且经由所述第一配线部连接到所述驱动半导体设备，
发光装置单元构成一个像素，并且
其中由相邻像素占据的区域之间的距离由L0表示并且第一表面侧上的通孔的直径由
Figure FDA0002900669790000061
表示，满足
Figure FDA0002900669790000062
的关系。
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