CN108648853B - 石墨烯附着增强的复合导电结构及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种能够实现石墨烯对目标基底附着增强的石墨烯附着增强的复合导电结构及其制备方法。该石墨烯附着增强的复合导电结构包括至上而下的CVD石墨烯层、导电高分子层、目标基底；制备方法包括以下步骤：S1、在催化衬底上生成石墨烯层；S2、在石墨烯表面涂覆热塑性树脂Ⅰ，形成过渡支撑层Ⅰ；S3、表面继续涂覆热塑性树脂Ⅱ，形成过渡支撑层Ⅱ；S4、分离催化衬底，得到结构Ⅳ；S5、在目标基底上涂布导电高分子，得到结构Ⅴ；S6、结构Ⅴ从水中湿法捞取结构Ⅳ，S7、去除过渡支撑层Ⅱ；S8、去除过渡支撑层Ⅰ，从而得到复合结构Ⅶ。采用该石墨烯附着增强的复合导电结构及其制备方法，保持石墨烯完整不破损，能实现大面积石墨烯完整转移制备。

Description

石墨烯附着增强的复合导电结构及其制备方法

技术领域

本发明涉及石墨烯生产技术领域，尤其是一种CVD石墨烯附着增强且高平整度的大面积洁净无损转移的复合导电结构及其制备方法。

背景技术

众所周知的：石墨烯是尽十几年来发现的新型二维碳纳米材料，具有优异的力、光、电、热等方面性能，作为全新的透明导电材料而倍受业内关注。理论上的完美石墨烯，是二维连续的六元环状结构，所有碳均呈次甲基结构，无任何极性侧基。

更接近理想结构的CVD法(化学气相沉积技术)制备的高品质单层石墨烯，微观尺度含氧极性基团极少，从而宏观表现完全化学惰性；与常见目标基底附着力很差，同时表面极易受外力破坏，即使低粘力(5～20g/cm)的保护膜的贴覆与撕除操作也会使其发生严重地破坏损伤，因而无法直接使用保护膜封装。目前CVD石墨烯透明导电膜，使用表面非接触的包装盒包装运输，占用空间很大，极大地提高了存储与运输成本；同时，极易损伤的表面特性也为后端的加工应用带来了极大地困难，严重影响成品率，并极易出现功能不良，从而极大程度地限制了CVD石墨烯薄膜的实际应用领域。

目前常见的CVD石墨烯转移方法包括：

1)热塑性刚硬树脂的湿法转移，如聚甲基丙烯酸甲酯等，石墨烯能够转移完整，但干膜薄而脆，易碎，只能小尺寸操作，不适用于大面积转移；

2)热释胶带的干法转移，能够实现大面积转移，但胶膜呈固态，难以与石墨烯形成分子间的充分贴紧，且释放内应力大，转移不完整，形成大量石墨烯碎片，难以制备完整连续的石墨烯层；

3)UV胶或热熔胶固化转移，固化过程，由液态到固态，能实现完整大面积转移，但清晰复刻催化衬底的多晶纹路，表面粗糙度高，雾度大，难以满足微纳电子器件、显示、太阳能电池等透明电极的高端应用技术需求。

试验表明，经上述各种转移方法制备的CVD石墨烯导电层均表现为，用附着力专用测试胶带粘揭，显微镜观察，石墨烯几乎完全脱落，只有零星残留，宏观完全不导电。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种能够实现石墨烯对目标基底明显附着增强，且具有高平整度、高透过率、低雾度的稳定复合导电结构的石墨烯附着增强的复合导电结构及其制备方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：，包括由上至下的CVD石墨烯层、实现附着增强的导电高分子层、目标基底。

本发明为了解决其技术问题还提供一种石墨烯附着增强的复合导电结构的制备方法，包括以下步骤：

S1、在催化衬底上生成具有二维连续结构的石墨烯层，得到结构Ⅰ；

S2、在结构Ⅰ的石墨烯表面涂覆薄而刚硬的热塑性树脂Ⅰ，并烘干成膜，形成保护石墨烯微观结构的过渡支撑层Ⅰ，得到结构Ⅱ；

S3、在结构Ⅱ表面继续涂覆厚而柔韧的热塑性树脂Ⅱ，并烘干成膜，形成保持膜宏观强度的过渡支撑层Ⅱ，得到结构Ⅲ；

S4、分离催化衬底，得到依次有CVD石墨烯层、过渡支撑衬底Ⅰ、过渡支撑衬底Ⅱ组成的结构Ⅳ；

S5、在目标基底上涂布具有长程共轭一维连续环状结构的导电高分子，并烘干成膜，得到结构Ⅴ；石墨烯附着增强的复合导电结构的制备方法

S6、结构Ⅴ从水中湿法捞取结构Ⅳ，并充分晾干，随着中间水分挥发，产生的毛细管力，使石墨烯层与导电高分子层在微观分子尺度实现充分贴紧，形成强分子间耦合作用，从而实现附着增强，得到从上而下依次为过渡支撑层Ⅱ、过渡支撑层Ⅰ、CVD石墨烯层、附着增强导电高分子层、目标基底的复合结构Ⅵ；

S7、溶剂Ⅱ溶解去除过渡支撑层Ⅱ；

S8、溶剂Ⅰ溶解去除过渡支撑层Ⅰ，从而得到CVD石墨烯层/附着增强导电高分子层/目标基底的附着增强且高平整的复合结构Ⅶ。

具体的，步骤S2中所述热塑性树脂Ⅰ为由丙烯酸及其衍生物合成制备的共聚物树脂。

具体的，在步骤S3中热塑性树脂Ⅱ是具有低玻璃化转变温度的树脂，采用热塑性聚氨酯树脂、聚酰胺树脂、聚烯烃树脂或者聚醚树脂。

具体的，在步骤S4中采用电化学剥离工艺或氧化溶解工艺，分离催化衬底，得到由CVD石墨烯101、过渡支撑层Ⅰ及过渡支撑层Ⅱ组成的至下而上的结构Ⅳ；纯水清洗干净，并浸于水中待用。

进一步的，在步骤S5中所述的目标基底为硅片、石英、塑料或者聚酰亚胺；所述涂布方式可以采用喷涂、旋涂或者滚涂。

具体的，步骤S7中溶剂Ⅱ采用醇或者烷烃。

进一步的，所述醇采用乙醇、异丙醇、正丁醇、或者环己醇；所述烷烃采用环己烷或者正己烷。

具体的，步骤S8中用溶剂Ⅰ，包括酯类、酮类、酰胺类；溶解去除薄而刚硬的过渡支撑层Ⅰ，并彻底清洗干净，消除杂质及残胶。

进一步的，所述酯类采用乙酸乙酯、乙酸丁酯或者乳酸乙酯；所述酮类采用丙酮、丁酮或者环己酮；所述酰胺类采用N,N-二甲基甲酰胺或者N,N-二甲基乙酰胺。

本发明的有益效果是：本发明所述的石墨烯附着增强的复合导电结构及其制备方法，依靠湿法转移，通过毛细管力实现石墨烯层与导电高分子层分子尺度的充分贴紧，从而导电高分子的长程共轭一维连续环状结构与石墨烯的二维连续稠环结构形成强烈耦合作用，提高对石墨烯的附着力；同时，导电高分子涂布液中配位的非导电高分子组分含有大量极性基团，从而与目标基底形成强分子间氢键作用，进而通过导电高分子层实现CVD石墨烯层与目标基底的附着增强。其次，复合结构中的导电高分子层只有纳米级厚度，且足够刚硬，不会复刻催化衬底的晶格纹路，从而复合结构的平整度显著提高，同时，导电高分子能够显著提高复合结构的导电性，从而得到低方阻、高透过率、低雾度及低粗糙度的复合结构。再次，双层热塑性树脂组成的过渡支撑衬底，薄而刚硬的衬底Ⅰ能够支撑微观连续石墨烯层不破坏并便于释放，厚而柔韧的衬底Ⅱ具有足够的宏观强度，能够保持制备过程中膜层不破坏，并能实现晾干过程中与目标基底充分贴紧，从而实现石墨烯的大面积洁净无损转移。

附图说明

图1为本发明实施例中CVD石墨烯附着增强的复合结构的制备示意图；

图2为本发明实施例中催化衬底、石墨烯层及双层过渡支撑衬底组成的结构Ⅲ；

图3为本发明实施例中目标基底、附着增强导电层组成的结构Ⅴ；

图4为本发明实施例中目标基底、附着增强导电层、石墨烯层及双层过渡支撑层组成的结构Ⅵ；

图5为本发明实施例中石墨烯层、附着增强导电层、目标基底组成的成品复合结构Ⅶ；

图6为本发明实施例中制成样品的宏观照片；

图7为本发明实施例中制成样品经历附着力测试胶带粘揭后的微观形貌照片；

图8为本发明对照组中传统湿法转移石墨烯样品经附着力测试胶带粘揭后的微观形貌照片；

图9为本发明对照组中UV胶转移石墨烯样品经附着力测试胶带粘揭后的微观形貌照片；

图中标示：100-催化衬底，101-CVD石墨烯层，111-过渡支撑层Ⅰ，112-过渡支撑层Ⅱ，200-目标基底，201-附着增强的导电高分子层。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

如图5所示，本发明提供一种附着增强的CVD石墨烯复合导电结构，包括从上而下依次为CVD石墨烯层101，附着增强的导电高分子层201及目标基底200。

本发明所述的CVD石墨烯复合导电结构能够耐受低粘力保护膜的多次反复粘揭，甚至耐受超高粘力的附着力专用测试胶带的粘揭，表现出显著的附着增强效果，从而提高CVD石墨烯的实际使用性。

如图1所示，本发明提供一种CVD石墨烯附着增强的大面积转移复合制备方法，包括以下步骤：

S1、在催化衬底100上生长具有二维连续结构的石墨烯层101；

S2、在石墨烯层101表面涂覆热塑性树脂Ⅰ，并烘干成膜，得到薄而刚硬的过渡支撑层Ⅰ(111)；刚硬性使其能充分支撑单层石墨烯结构，超薄性使其后期能与目标基底实现充分贴紧。

传统的湿法转移工艺，通常采用高聚PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)的均聚物树脂作为过渡支撑层，此树脂在转移释放过程中存在缺陷：1)分子量较高，溶解度低；2)单体侧基(甲基)小，常用的合成工艺不可避免的使聚合物树脂存在部分立构规整性，从而具有10～30％的结晶度，晶体极难溶解，从而存在残胶和石墨烯破损的问题。

本发明在此工艺基础上进行优化改进，由(甲基)丙烯酸(甲酯)及其衍生物合成制备共聚物树脂，控制聚合物分子量，并通过控制软单体组分(具有柔韧侧基的(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸月桂醇酯等)、硬单体组分(具有刚硬侧基的(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸四氢糠醇酯等)的配比的无规共聚工艺，实现玻璃化转变温度可控，并消除结晶性，从而实现过渡支撑层Ⅰ能够快速、洁净去除。

S3、在过渡支撑层Ⅰ(111)上继续涂覆热塑性树脂Ⅱ，并烘干成膜，得到厚而柔韧的过渡支撑层Ⅱ(112)；足够的厚度使其具有足够的物理缠结密度，从而具有足够的宏观强度，保持大面积操作时膜层不会破损(薄而刚硬的过渡支撑层Ⅰ大面积操作极易破损，不能单独支撑)，同时柔韧性使其后期能够使双层支撑层与目标基底实现充分贴紧。

热塑性树脂Ⅱ是具有低玻璃化转变温度的树脂，包括但不局限于热塑性聚氨酯树脂、聚酰胺树脂、聚烯烃树脂、聚醚树脂等；优选的，易于溶解的聚酰胺树脂。

S4、采用电化学剥离工艺或氧化溶解工艺，分离催化衬底，得到由CVD石墨烯101、过渡支撑层Ⅰ(111)及过渡支撑层Ⅱ(112)组成的至下而上的结构Ⅳ；纯水清洗干净，并浸于水中待用，利用水膜保护石墨烯层新鲜，阻止氧气等的侵蚀。

S5、在目标基底上涂覆一层导电高分子材料，并烘干成膜，得到用于附着增强的导电复合层，结构Ⅴ。目标基底可以是硅片、石英、塑料(如PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PI(聚酰亚胺)等)等；涂布方式包括但不局限于喷涂、旋涂、滚涂等。

实现附着增强的导电高分子材料，优选的，PEDOT(聚噻吩)/PSS(聚苯乙烯磺酸)水性涂布液。其中，导电的PEDOT的长程共轭一维连续环状结构，能够与二维连续环状结构的石墨烯形成分子间的强耦合作用；配位的非导电的PSS含有大量极性基团，能够与目标基底形成氢键等强分子间作用力；从而通过导电高分子层实现CVD石墨烯与目标基底的有效附着增强。

S6、结构Ⅴ从水中湿法捞取结构Ⅳ，并充分晾干，得到有过渡支撑层Ⅱ、过渡支撑层Ⅰ、CVD石墨烯层、导电高分子附着增强层及目标基底组成的复合结构Ⅵ。

随着水膜的挥发，产生微观强力的毛细管作用力，迫使CVD石墨烯层与导电高分子层在分子尺度彼此贴近；水分充分挥发，二者充分贴紧，形成分子间的强耦合作用，不仅提高复合导电性，同时实现石墨烯的附着增强。

S7、复合结构Ⅵ首先用溶剂Ⅱ，包括但不局限于醇类(如乙醇、异丙醇、正丁醇、环己醇等)、烷烃类(如环己烷、正己烷等)，溶解去除厚而柔韧的过渡支撑层Ⅱ。

S8、再用溶剂Ⅰ，包括但不局限于酯类(如乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯等)、酮类(如丙酮、丁酮、环己酮等)、酰胺类(如N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺等)等，溶解去除薄而刚硬的过渡支撑层Ⅰ，并彻底清洗干净，消除杂质及残胶。从而得到由CVD石墨烯层、导电高分子层、目标基底组成复合导电结构Ⅶ。

此复合结构具有明显的CVD石墨烯附着增强效果，能够耐受高粘力胶带粘揭，而保持石墨烯不破损；过渡支撑层易去除，表面洁净无损，平整度高，粗糙度低；附着增强导电高分子层，只有纳米级厚度，且不复刻催化基底晶格纹路，基于透明基底，如石英、PET等，具有高透过率、低雾度的性能；此外，CVD石墨烯位于上层，导电高分子位于下层，阻隔水、氧侵蚀，有效保护亲水的导电高分子层，复合导电性稳定较好。

对照组一

本对照组，通过湿法转移将石墨烯直接释放到PET基底，包括以下实施步骤：

步骤S1，在铜箔上催化生长具有二维连续结构的石墨烯；

步骤S2，在石墨烯层表面涂覆传统的高分子量PMMA均聚物树脂Ⅰ-1溶液，浓度3wt％，其物化参数如表1所示；DSC(视差扫描量热仪)谱图，可见明显的结晶峰。烘干成膜；

表1高聚PMMA树脂Ⅰ-1的物化参数

步骤S3，酸性氧化溶液刻蚀溶解铜箔，如5wt％HCl(盐酸)与5wt％H2O2(双氧水)组成的溶铜液；铜完全溶解后，石墨烯与PMMA膜组成的结构，用纯水漂洗干净，并使石墨烯层浸于水中，保持新鲜；其中，PMMA膜薄而脆，易碎，只能进行小面积操作；

步骤S4，光学级PET薄膜直接从水中捞取石墨烯与PMMA膜组成的结构，并充分晾干，使石墨烯与PET基底充分贴紧；

步骤S5，丙酮溶解去除PMMA，得到在PET基底上的石墨烯单层结构0-1，其物化参数如表2所示(其中，透过率为含基底的绝对透过率)：

表2石墨烯0-1的物化参数

附着力测试：附着力专用测试胶带3M 600，粘力44N/100mm，约合450g/cm；从一侧将胶带缓慢贴在石墨烯表面，避免贴合时产生气泡或褶皱，并压紧，静置1min，呈180°反向匀速撕下胶带。

试验结果表明，宏观表现，石墨烯大部分转移到胶带上，PET基底表面已完全不导电，四探针测试仪完全测不到；微观观察，基底表面只有零星的石墨烯碎片存在，如图8所示。

对照组二

本对照组，通过UV胶将石墨烯转移至PET基底，包括以下实施步骤：

步骤S1，在铜箔上催化生长具有二维连续结构的石墨烯；

步骤S2，在光学级PET基底上涂覆UV胶；并与生长石墨烯的铜箔对位贴合；UV光固化成型；

步骤S3，酸性氧化溶液刻蚀溶解铜箔并掺杂，如5wt％HCl(盐酸)与5wt％H2O2(双氧水)及0.1％BI(咪唑)组成的溶铜掺杂液；铜完全溶解后，用纯水漂洗干净，并吹干，得到石墨烯/UV胶膜/PET基底的透明薄膜结构0-2，其物化参数如表3所示：

表3石墨烯0-2的物化参数

附着力测试：同对照组一。

试验结果表明，宏观表现，石墨烯大部分转移到胶带上，UV胶膜表面已完全不导电，四探针测试仪完全测不到；微观观察，基底表面只有零星的石墨烯碎片存在，如图9所示。

实施例一

本实施例通过湿法转移，实现石墨烯与高分子导电层形成分子间强耦合作用，进而实现石墨烯对PET基底附着增强，包括以下步骤：

步骤S1，在铜箔上催化生长具有二维连续结构的石墨烯；

步骤S2，在石墨烯层表面涂覆特制的MMA及其衍生物的共聚物树脂Ⅰ-2溶液，浓度5wt％；以BMA(甲基丙烯酸丁酯)：MMA(甲基丙烯酸甲酯)＝80:20的组分配比，进行自由基溶液无规共聚，合成树脂Ⅰ-2。其物化参数如表4所示，GPC(液相凝胶色谱)谱图表明，其分子量在保证足够物理缠结密度的前提下，明显小于传统的高聚PMMA树脂，溶解度更高，更易去除；DSC(视差扫描量热仪)谱图表明，不具立构规整性，无结晶峰；去胶时，无残胶颗粒。烘干成膜，形成薄而刚硬的过渡支撑层Ⅰ；薄而刚硬的特性，既足够支撑石墨烯结构，后续又能与目标基底充分贴紧。

表4高聚PBMA树脂Ⅰ-2的物化参数

步骤S3，在过渡支持层Ⅰ上继续涂覆热塑性聚酰胺树脂溶液，浓度40wt％；并烘干成膜，形成厚而柔韧的过渡支撑层Ⅱ；足够的厚度保证足够的物理缠结密度，具有足够的宏观强度，从而保持大面积操作不破损，同时柔韧性又能实现后续与目标基底充分贴紧；

步骤S4，酸性氧化溶液刻蚀溶解铜箔，如5wt％HCl(盐酸)与5wt％H2O2(双氧水)组成的溶铜液；铜完全溶解后，大面积石墨烯与双层支撑层组成的结构，用纯水漂洗干净，并使石墨烯层朝下，浸于水中，保持新鲜；得到结构Ⅳ；

步骤S5，在光学级PET基底上涂布1.5wt％的PEDOT/PSS导电高分子水性涂布液，并烘干成膜，初始方阻550Ω/□，得到结构Ⅴ；

步骤S6，用结构Ⅴ从水下捞取结构Ⅳ；并充分晾干，随着水分的挥发，形成强毛细管作用力，从而实现石墨烯与高分子导电层在分子尺度的充分贴紧。一方面，具有长程共轭主链的一维连续环状结构的PEDOT与具有二维连续环状结构的CVD石墨烯分子尺度的贴近距离，形成强分子间耦合作用；另一方面，配位的非导电组分PSS与PET基底形成强分子间氢键作用，从而通过高分子导电层实现石墨烯层与PET基底的有效附着增强。得到由上而下依次为过度支撑层Ⅱ、过渡支撑层Ⅰ、CVD石墨烯层、导电高分子层及PET基底的透明复合结构Ⅵ；

步骤S7，用异丙醇溶解去除聚酰胺树脂膜，即过渡支撑层Ⅱ；

步骤S8，用乙酸乙酯溶解去除特制树脂Ⅰ-2膜，即过渡支撑层Ⅰ；得到至上而下的CVD石墨烯层、附着增强的导电高分子层、PET基底组成的透明复合导电结构1-1，如图6所示，其物化参数如表5所示：

表5石墨烯1-1的物化参数

其中，高分子导电层即可提高石墨烯对基底的附着力，又可与石墨烯复合，提高复合导电性，明显降低方阻；同时，石墨烯层位于表面，又可有效阻隔水氧侵蚀，从而提高亲水的导电高分子层的耐受稳定性。此复合结构，双层过渡支撑层实现石墨烯大面积洁净无损转移；导电高分子层只有纳米级厚度，且足够刚硬而平整，不会复合铜晶格纹路，故复合结构具有高平整度、低粗糙度、高透过率、低雾度的特性。

附着力测试：同对照组一。

试验结果表明，宏观表现，石墨烯未转移到胶带上，四探针测试仪测试，各区域方阻几乎不变；微观观察，石墨烯表面洁净清晰完整，无明显破损，如图7所示。表明石墨烯对基底的附着力得到显著增强。

实施例二

本实施的实施步骤S1～8与实施例一相同，制备透明复合导电结构1-2。

附着力测试：低粘力保护膜，8g/cm；从一侧将保护膜缓慢贴在石墨烯表面，避免贴合时产生气泡或褶皱，并压紧，静置1min，呈180°反向快速匀速撕下胶带。测试导电性，观察形貌，反复重复上述操作步骤多次，如表6所示：

表6石墨烯1-2耐保护膜多次粘揭性能

续表

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试验表明，此复合结构的石墨烯透明导电膜能够耐受低粘力的保护膜的多次反复粘揭，而保持方阻基本不变；微观形貌观察，石墨烯几乎完全无损伤；石墨烯对基底的附着力显著增强，同时表面抗正拉力破坏性显著改善。

Claims (10)

1.石墨烯附着增强的复合导电结构的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤：

S1、在催化衬底(100)上生成具有二维连续结构的石墨烯层(101)，得到结构Ⅰ；

S2、在结构Ⅰ的石墨烯表面涂覆薄而刚硬的热塑性树脂Ⅰ，并烘干成膜，形成保护石墨烯微观结构的过渡支撑层Ⅰ(111)，得到结构Ⅱ；

S3、在结构Ⅱ表面继续涂覆厚而柔韧的热塑性树脂Ⅱ，并烘干成膜，形成保持膜宏观强度的过渡支撑层Ⅱ(112)，得到结构Ⅲ；

S4、分离催化衬底(100)，得到依次有CVD石墨烯层、过渡支撑衬底Ⅰ、过渡支撑衬底Ⅱ组成的结构Ⅳ；

S5、在目标基底(200)上涂布具有长程共轭一维连续环状结构的导电高分子，并烘干成膜(201)，得到结构Ⅴ；

S6、结构Ⅴ从水中湿法捞取结构Ⅳ，并充分晾干，随着中间水分挥发，产生的毛细管力，使石墨烯层与导电高分子层在微观分子尺度实现充分贴紧，形成强分子间耦合作用，从而实现附着增强，得到从上而下依次为过渡支撑层Ⅱ(112)、过渡支撑层Ⅰ(111)、CVD石墨烯层(101)、附着增强导电高分子层(201)、目标基底(200)的复合结构Ⅵ；

S7、溶剂Ⅱ溶解去除过渡支撑层Ⅱ；

S8、溶剂Ⅰ溶解去除过渡支撑层Ⅰ，从而得到CVD石墨烯层(101)/附着增强导电高分子(201)层/目标基底(200)的附着增强且高平整的复合结构Ⅶ。

2.如权利要求1所述的石墨烯附着增强的复合导电结构的制备方法，其特征在于：步骤S2中所述热塑性树脂Ⅰ为由(甲基)丙烯酸(甲酯)及其衍生物合成制备的共聚物树脂。

3.如权利要求1所述的石墨烯附着增强的复合导电结构的制备方法，其特征在于：在步骤S3中热塑性树脂Ⅱ是具有低玻璃化转变温度的树脂，采用热塑性聚氨酯树脂、聚酰胺树脂、聚烯烃树脂或者聚醚树脂。

4.如权利要求1所述的石墨烯附着增强的复合导电结构的制备方法，其特征在于：在步骤S4中采用电化学剥离工艺或氧化溶解工艺，分离催化衬底，得到由CVD石墨烯101、过渡支撑层Ⅰ(111)及过渡支撑层Ⅱ(112)组成的至下而上的结构Ⅳ；纯水清洗干净，并浸于水中待用。

5.如权利要求1所述的石墨烯附着增强的复合导电结构的制备方法，其特征在于：在步骤S5中所述的目标基底(200)为硅片、石英、塑料或者聚酰亚胺；所述涂布方式可以采用喷涂、旋涂或者滚涂。

6.如权利要求1所述的石墨烯附着增强的复合导电结构的制备方法，其特征在于：步骤S7中溶剂Ⅱ采用醇或者烷烃。

7.如权利要求6所述的石墨烯附着增强的复合导电结构的制备方法，其特征在于：所述醇采用乙醇、异丙醇、正丁醇、或者环己醇；所述烷烃采用环己烷或者正己烷。

8.如权利要求1所述的石墨烯附着增强的复合导电结构的制备方法，其特征在于：步骤S8中用溶剂Ⅰ，包括酯类、酮类、酰胺类；溶解去除薄而刚硬的过渡支撑层Ⅰ，并彻底清洗干净，消除杂质及残胶。

9.如权利要求8所述的石墨烯附着增强的复合导电结构的制备方法，其特征在于：所述酯类采用乙酸乙酯、乙酸丁酯或者乳酸乙酯；所述酮类采用丙酮、丁酮或者环己酮；所述酰胺类采用N,N-二甲基甲酰胺或者N,N-二甲基乙酰胺。

10.如权利要求5所述的石墨烯附着增强的复合导电结构的制备方法制备的石墨烯附着增强的复合导电结构，其特征在于：包括由上至下的CVD石墨烯层(101)、实现附着增强的导电高分子层(201)、目标基底(200)，所述目标基底(200)为硅片、石英、塑料或者聚酰亚胺。

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