CN108598094A - 一种显示装置及该显示装置的薄膜晶体管的修补检测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种显示装置及其薄膜晶体管的修补检测方法，其中，显示装置包含多个薄膜晶体管、闸极线、数据线以及修补检测电路。修补检测电路包含第一检测垫、第二检测垫、第三检测垫、第一检测金属线以及第二检测金属线，第一检测金属线连接于第二检测垫，第二检测金属线具有第一支线、检测金属垫与第二支线，第一支线连接第一检测垫与检测金属垫，第二支线连接第三检测垫与检测金属垫，且检测金属垫与第一检测金属线于一垂直方向上有重叠区域。其中，第一检测金属线的宽度与闸极线的宽度相同，且检测金属垫的宽度与数据线的宽度相同。本发明的能够实时地监控激光修补状态，并根据监控结果调整激光能量，从而确保修补成功率。

Description

一种显示装置及该显示装置的薄膜晶体管的修补检测方法
技术领域
本发明涉及一种显示装置，也涉及一种显示装置的薄膜晶体管的修补检测方法。
背景技术
随着显示装置制造技术的提升，提供大尺寸、高解析度、高亮度的显示装置已非难事，而在生产制造过程中，除了提高产品的品质及较佳的规格外，良好的品管亦是提高整体合格率的重要环节。
显示装置一般在制作主动元件阵列基板的过程中，会进行检查程序以检测出缺陷(Defect)所在，并对此缺陷进行激光修补加工。现有的激光修补技术可在适当的能量下将金属残膜砍断却不伤到下方的绝缘层，以修补膜层之间短路类的缺陷。但是，当激光能量不稳定或不适宜时，其在缺陷处形成的修补线可能无法达成修补的目的，进而导致修补动作失败。而且，金属膜层短路缺陷的修补失败无法被在线工作人员实时检出，而是直至后续的导电玻璃层量测后才能确认修补结果。于进行上述量测阻值动作的同时，许多因激光能量不佳而导致修复失败的主动元件阵列基板已续流至后段加工中，造成后段加工的人力与物料的浪费。
承上述，如何在激光修补加工中，实时地监控激光修补能量是否适宜，以使激光修补失败的问题被及时地发现，而降低修补失败的主动元件阵列基板续留至后段加工中的机率，实为研发者所欲解决的问题之一。
发明内容
本发明的实施例的显示装置，包含多个薄膜晶体管、闸极线、数据线以及修补检测电路。每一该些薄膜晶体管具有一闸极电极、一源极电极与一汲极电极，闸极线耦接于其一的该些薄膜晶体管的该闸极电极，数据线耦接于其一的该些薄膜晶体管的该汲极电极或该源极电极。修补检测电路包含第一检测垫、第二检测垫、第三检测垫、第一检测金属线以及第二检测金属线，第一检测金属线连接于该第二检测垫，第二检测金属线具有第一支线、检测金属垫与第二支线，该第一支线连接该第一检测垫与该检测金属垫，该第二支线连接该第三检测垫与该检测金属垫，且该检测金属垫与该第一检测金属线于一垂直方向上有重叠区域。其中，该第一检测金属线的宽度与该闸极线的宽度相同，且该检测金属垫的宽度与该数据线的宽度相同。
上述的显示装置的一实施方式中，该第一检测金属线与该闸极线的材料相同，且该检测金属垫与该数据线的材料相同。
上述的显示装置的一实施方式中，该第一检测金属线与该闸极线为同一道光罩而制成，且该检测金属垫与该数据线为同一道光罩而制成。
上述的显示装置的一实施方式中，该检测金属垫具有一开口。
本发明的实施例提供另一种显示装置，包含基板、第一金属层、绝缘层、第二金属层、薄膜晶体管以及修补检测电路。第一金属层设置于该基板，绝缘层设置于该第一金属层，第二金属层设置于该绝缘层，使得该绝缘层位于该第一金属层与该第二金属层之间，薄膜晶体管包含闸极电极、源极电极与汲极电极，该闸极电极形成于该第一金属层，该源极电极与该汲极电极分别形成于该第二金属层。修补检测电路包括第一检测垫、第二检测垫、第三检测垫、第一检测金属线以及第二检测金属线。第一检测垫、第二检测垫以及第三检测垫分别设置于该基板，第一检测金属线形成于该第一金属层，其中该第一检测金属线与该第二检测垫电连接，该第一检测金属线与该闸极电极为彼此绝缘结构，第二检测金属线形成于该第二金属层，其中该第二检测金属线分别与该第一检测垫、该第三检测垫电连接，该第二检测金属线与该源极电极、该汲极电极为彼此绝缘结构。其中，该第二检测金属线与该第一检测金属线具有一交叉部。
上述的显示装置的一实施方式中，更包含一闸极线，耦接于该闸极电极，且该闸极线的宽度与该第一检测金属线的宽度相同。
上述的显示装置的一实施方式中，更包含一数据线，藕接于该汲极电极或源极电极，且该数据线的宽度与该第二检测金属线的该交叉部的宽度相同。
上述的显示装置的一实施方式中，该第二检测金属线具有一第一支线、一检测金属垫与一第二支线，该第一支线连接该第一检测垫与该检测金属垫，该第二支线连接该第三检测垫与该检测金属垫，且该检测金属垫位于该交叉部。
上述的显示装置的一实施方式中，该基板具有相邻的一显示区与一周边区，该薄膜晶体管设置于该显示区，而该修补检测电路设置于该周边区。
上述的显示装置的一实施方式中，于该交叉部，该第二检测金属线具有一开口。
本发明的实施例还提供一种薄膜晶体管的修补检测方法，其对上所述的显示装置的薄膜晶体管进行修补检测，包括如下步骤：
S100，采用激光对该交叉部处的第二检测金属线进行熔断；
S200，检测第一检测垫和第三检测垫之间的阻值，若检测到的阻值小于一阈值，则调大激光能量；
S300，检测第一检测垫和第二检测垫之间的阻值，若检测到的阻值小于一阈值，则调小激光能量；
S400，直至检测第一检测垫和第三检测垫以及第一检测垫和第二检测垫之间的阻值均大于各自阈值，则修补激光能量适宜。
上述的显示装置的一实施方式中，所述步骤S200在所述步骤S300之前进行，或所述步骤S300在所述步骤S200之前进行。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为本发明的显示装置的修补检测电路的第一实施例的结构示意图；
图2为本发明的显示装置的修补检测电路的第一实施例于实施激光熔断后的结构示意图；
图3为本发明的显示装置的修补检测电路的第一实施例修补后的交叉部的剖视图(修补激光能量适宜)；
图4为本发明的显示装置的修补检测电路的第一实施例修补后的交叉部的剖视图(修补激光能量过小)；
图5为本发明的显示装置的修补检测电路的第一实施例修补后的交叉部的剖视图(修补激光能量过大)；
图6为本发明的显示装置的修补检测电路的第二实施例的结构示意图；
图7为本发明的显示装置的修补检测电路的第二实施例于实施激光熔断后的结构示意图。
其中，附图标记
100 修补检测电路
110 第一检测垫
120 第二检测垫
130 第三检测垫
140 第一检测金属线
150 第二检测金属线
151 第一支线
152 检测金属垫
153 第二支线
200 第一金属层
300 绝缘层
400 第二金属层
500 修补检测电路
510 第一检测垫
520 第二检测垫
530 第三检测垫
540 第一检测金属线
550 第二检测金属线
551 第一支线
552 检测金属垫
553 第二支线
S 开口
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明技术方案进行详细的描述，以更进一步了解本发明的目的、方案及功效，但并非作为本发明所附权利要求保护范围的限制。
本发明的实施例的显示装置包含多个薄膜晶体管、闸极线以及数据线，其中，每一该些薄膜晶体管具有闸极电极、源极电极与汲极电极，闸极线耦接于其一的该些薄膜晶体管的该闸极电极，数据线耦接于其一的该些薄膜晶体管的该汲极电极或该源极电极。上述内容与现有技术相同，本领域技术人员均知悉，其不为本发明的主要技术内容，本专利内容不再详细说明。
本发明的实施例的显示装置包含修补检测电路100，如图1至图6所示的第一实施例，修补检测电路100用于对显示装置的薄膜晶体管进行修补检测。其中，显示装置还包括基板，基板例如是主动元件阵列基板。该基板上依制程形成多个膜层。
本实施例中，显示装置的基板上依序设置有第一金属层200、绝缘层300以及第二金属层400，也可以说，第一金属层200设置于该基板，绝缘层300设置于第一金属层200，第二金属层400设置于绝缘层300，使得绝缘层300位于第一金属层200与第二金属层400之间。具体而言，薄膜晶体管的闸极电极形成于第一金属层200，薄膜晶体管的源极电极与汲极电极分别形成于第二金属层400。
于本实施例中，基板具有相邻的显示区与周边区，薄膜晶体管设置于显示区，而修补检测电路100较佳地设置于周边区，且修补检测电路100可视需求而留在产品上或裁切掉。具体地，修补检测电路100包含第一检测垫110、第二检测垫120、第三检测垫130以及第一检测金属线140、第二检测金属线150。第一检测垫110、第二检测垫120以及第三检测垫130可分别设置于基板上。
于本实施例中，第一检测金属线140形成于第一金属层200且连接于第二检测垫120，且第一检测金属线140与薄膜晶体管的闸极电极为彼此绝缘结构。换言之，第一检测金属线140与位于显示区的闸极电极皆为第一金属层200所制成，举例而言，第一检测金属线140与闸极电极可利用同一道光罩而形成，但本发明不以此为限。此外，第一检测金属线140与闸极电极之间没有金属结构相连接，使得两者之间不会有电性相互导通的现象，彼此信号不干扰。第二检测金属线150形成于第二金属层400且分别与第一检测垫110、第三检测垫130电连接，且第二检测金属线150与薄膜晶体管的源极电极、汲极电极为彼此绝缘结构。具体而言，第二检测金属线150与位于显示区的源极电极或汲极电极皆为第二金属层400所制成，举例而言，第二检测金属线150与源极电极或汲极电极可利用同一道光罩而形成，但本发明不以此为限。此外，第二检测金属线150与源极电极或汲极电极之间没有金属结构相连接，使得两者之间不会有电性相互导通的现象，彼此信号不干扰。
进一步地，第二检测金属线150具有第一支线151、检测金属垫152与第二支线153，第一支线151连接第一检测垫110与检测金属垫152，第二支线153连接第三检测垫130与检测金属垫152，且检测金属垫152与第一检测金属线140于一垂直方向上有重叠区域，或者说，第二检测金属线150与第一检测金属线140具有一交叉部(如图1中A处虚线框所示)，该交叉部即为第二检测金属线150的检测金属垫152所在的位置。
于本实施例中，第一检测金属线140的宽度d1与耦接于薄膜晶体管的闸极电极的闸极线的宽度相同，也就是说，第一检测金属线140的宽度d1与位于第一金属层200的闸极线的宽度相同。第二检测金属线150的检测金属垫152(或者说是交叉部)的宽度d2与耦接于薄膜晶体管的汲极电极或源极电极的数据线的宽度相同，也就是说，第二检测金属线150的检测金属垫152(或者说是交叉部)的宽度d2与位于第二金属层400的数据线的宽度相同。
本发明的实施例中，设计第一检测金属线140模拟闸极线，第二检测金属线150的检测金属垫152(或者说是交叉部)模拟数据线。当显示区进行修补时，可同时一并将修补检测电路100进行激光修补。如此一来，通过观察或量测修补检测电路100的电性参数，则可进一步了解显示区内的修补情况。当检测结果不佳时可以马上调整激光能量，确保修补效果。
本发明的第一检测金属线140与闸极线的所采用的材料相同，且检测金属垫152与数据线所采用的材料相同。为方便实施，在具体实施中，第一检测金属线140可与闸极线为同一道光罩而制成，检测金属垫152可与数据线为同一道光罩而制成。以使得第一检测金属线140的宽度与闸极线的宽度相同，且第一检测金属线140与闸极线的所采用的材料相同，以及使得检测金属垫152的宽度与数据线的宽度相同，且检测金属垫152与数据线的所采用的材料相同。
如图1所示，本发明的第一实施例中，修补检测电路100的第二检测金属线150的检测金属垫152与第一检测金属线140于垂直方向上全部重叠，也就是说，第一检测金属线140与第二检测金属线150在垂直投影方向上交会于交叉部，且于交叉部区域中，第一检测金属线140完全被第二检测金属线覆盖。
如图2所示，当显示区进行激光修补时，同时对修补检测电路100进行激光修补。具体而言，设置检测金属垫152的宽度d2与显示区的数据线的宽度相同，以用检测金属垫152模拟显示区的数据线残膜。当对显示区的数据线进行激光修补时，采用相同能量的激光一并照射切割修补检测电路100的检测金属垫152，以仿真显示区的数据线被激光切割修补的情形。
当激光将残膜砍断后(如图2的S处所示)，检测修补检测电路100的第一检测垫110、第二检测垫120以及第三检测垫130之间的电性参数，以进一步了解显示区内的修补情况。具体地，如图3至5所示，图3至图5为图2的P-P’剖视图，显示了不同能量激光修补后交叉部的剖层情形。
当修补激光能量适当时，从图3的剖视图可以看出第二金属层400(即检测金属垫152)恰能够完全被切断。同时请参照图2，此时检测第一检测垫110和第三检测垫130之间，以及第一检测垫110和第二检测垫120之间的阻值均大于一阈值(例如阻值>1E+11欧姆)。
也就是说，当检测第一检测垫110和第三检测垫130之间的阻值，以及第一检测垫110和第二检测垫120之间的阻值均大于一阈值时，说明此时采用的修补激光能量适当，恰能够将残膜砍断。
如图4所示，当修补激光能量过小时，从图4的剖视图可以看出第二金属层400(即检测金属垫152)不能够完全被切断。同时请参照图2，此时检测得到的第一检测垫110和第三检测垫130之间的阻值小于一阈值(例如阻值<1E+11欧姆)，具体而言，检测金属垫152并未完全被切断，亦即有残膜存在，使得第一检测垫110与第三检测垫130之间有金属层相连而形成短路(short)。也就是说，当检测第一检测垫110和第三检测垫130之间的阻值小于一阈值时，说明此时采用的激光能量过小，需调大激光能量。
如图5所示，当修补激光能量过大时，从图5的剖视图可以看出第二金属层400(即检测金属垫152)不仅完全被切断，且绝缘层300一并被熔断。同时请参照图2，此时检测得到的第一检测垫110和第二检测垫120之间的阻值小于一阈值(例如阻值<1E+11欧姆)，这是因为，由于修补激光能量过大，第二金属层400与第一金属层200之间的绝缘层300砍穿，导致第二金属层400遇热融化往下流并与下方的第一金属层200连接，造成第一检测垫110与第二检测垫120形成短路(short)。
也就是说，当检测第一检测垫110和第二检测垫120之间的阻值小于一阈值时，说明此时采用的激光能量较大，需调小激光能量。
需说明的是，本实施例中，也可使第一检测金属线140模拟薄膜晶体管的闸极电极，第二检测金属线150的检测金属垫152模拟薄膜晶体管的汲极电极或源极电极。当显示区进行修补时，可同时一并将修补检测电路100进行激光修补，通过观察或量测修补检测电路100的电性参数，以了解显示区内的修补情况。
其中，第一检测金属线140与薄膜晶体管的闸极电极所采用的材料相同，且检测金属垫152与薄膜晶体管的汲极电极或源极电极所采用的材料相同。为方便实施，在具体实施中，第一检测金属线140可与薄膜晶体管的闸极电极为同一道光罩而制成，检测金属垫152可与薄膜晶体管的汲极电极或源极电极为同一道光罩而制成。以使得第一检测金属线140的宽度与闸极线的宽度相同，且第一检测金属线140与闸极线的所采用的材料相同，以及使得检测金属垫152的宽度与数据线的宽度相同，且检测金属垫152与数据线的所采用的材料相同。
由上可以看出，本发明的修补检测电路100不仅可以仿真闸极线、数据线的残膜修补情形，也可以仿真薄膜晶体管的闸极电极、汲极电极或源极电极的残膜修补情形。
本发明的实施例的薄膜晶体管的修补检测方法，包括如下步骤：
S100，采用激光对交叉部处的第二检测金属线进行熔断；
S200，检测第一检测垫和第三检测垫之间的阻值，若检测到的阻值小于一阈值，则调大激光能量；
S300，检测第一检测垫和第二检测垫之间的阻值，若检测到的阻值小于一阈值，则调小激光能量；
S400，直至检测第一检测垫和第三检测垫以及第一检测垫和第二检测垫120之间的阻值均大于各自阈值，则修补激光能量适宜。
其中，上述的步骤S200可以在步骤S300之前进行，也可以上述的步骤S300在步骤S200之前进行。
具体地，如图1至图5所示，首先，进行步骤S100，即采用激光对第二检测金属线150的检测金属垫152进行熔断。
之后采用步骤S200的检测第一检测垫110和第三检测垫130之间的阻值。如果检测得到的第一检测垫110和第三检测垫130之间的阻值大于一阈值(例如阻值>1E+11欧姆)，如图3所示，说明此时采用的激光能量足够将残膜砍断。但是，如果此时检测得到的第一检测垫110和第三检测垫130之间的阻值小于该阈值，如图4所示，则说明此时采用的激光能量不足以将残膜砍断，需要将激光能量适当调大。
直至检测第一检测垫110和第三检测垫130之间的阻值大于该阈值时，进行步骤S300。
步骤S300为检测第一检测垫110和第二检测垫120之间的阻值，如果检测得到的第一检测垫110和第二检测垫120之间的阻值大于一阈值(例如阻值>1E+11欧姆)，如图3所示，说明第一检测金属线140与第二检测金属线150没有短路。但是，如果此时检测得到的第一检测垫110和第二检测垫120之间的阻值小于该阈值，如图5所示，则说明此时采用的激光能量太强，而将第二金属层400与第一金属层200之间的绝缘层300砍穿，导致第二金属层400遇热融化往下流并与下方的第一金属层200连接，此时需要将激光能量适当调小。
上述的步骤S200和S300的顺序没有特定要求，也就说，在采用激光对第二检测金属线150的检测金属垫152(交叉部)进行熔断后，可以先检测第一检测垫110和第三检测垫130之间的阻值，再检测第一检测垫110和第二检测垫120之间的阻值；也可以先检测第一检测垫110和第二检测垫120之间的阻值，再检测第一检测垫110和第三检测垫130之间的阻值。
直至检测第一检测垫110和第三检测垫130以及第一检测垫110和第二检测垫120之间的阻值均大于阈值时，则说明修补激光能量已调整适宜。
修补完成后，如图2所示，由于激光切割，于检测金属垫152上形成一开口S，或者是说于第二检测金属线150的交叉部形成一开口S。根据激光能量的大小，该开口S可能是将检测金属垫152恰完全切断的开口(如图3所示)，可能是将检测金属垫152部分切断的开口(如图4所示)，也可能是第二金属层400遇热融化往下流并与下方的第一金属层200连接形成的开口(如图5所示)。
在显示区中，因为第二金属层的残膜不一定会完全覆盖第一金属层的线路，有可能仅是部分覆盖，采用激光修补时，激光路径一定会打在没有覆盖第二金属层的地方。在金属层厚度、材料等相同的情形下，如采用适用于第一实施例所模拟的完全覆盖的情形的激光能量进行修补的话，有可能将绝缘层打穿，造成第二金属层与第一金属层短路。为此，本发明的第二实施例的修补检测电路模拟了第二金属层的残膜部分覆盖第一金属层的线路的情形。
在如图6和图7所示的本发明的修补检测电路500的第二实施例中，修补检测电路500包含第一检测垫510、第二检测垫520、第三检测垫530以及第一检测金属线540、第二检测金属线550。其中，第一检测金属线140与薄膜晶体管的闸极电极为彼此绝缘结构，第二检测金属线150与薄膜晶体管的源极电极、汲极电极为彼此绝缘结构。进一步地，第二检测金属线550具有第一支线551、检测金属垫552与第二支线553，第一支线551连接第一检测垫510与检测金属垫552，第二支线553连接第三检测垫530与检测金属垫552。
本实施例与第一实施例的区别在，本实施例中的检测金属垫552与第一检测金属线540于垂直方向上部分重叠，也就是说，第一检测金属线540与第二检测金属线550在垂直投影方向上交会于交叉部(如图6中B处虚线框所示)，且于交叉部区域中，第一检测金属线540被第二检测金属线550部分覆盖。
与第一实施例相同，本实施例中，可使第一检测金属线140模拟位于显示区的第一金属层的闸极线，第二检测金属线150的检测金属垫152模拟位于显示区的第二金属层的数据线。也可使第一检测金属线540模拟薄膜晶体管的闸极电极，第二检测金属线550的检测金属垫552模拟薄膜晶体管的汲极电极或源极电极。
修补检测电路500仿真闸极线、数据线的残膜修补情形，或仿真薄膜晶体管的闸极电极、汲极电极或源极电极的残膜修补情形。当显示区进行修补时，可同时一并将修补检测电路500进行激光修补，并按照上述的修补检测方法检测修补检测电路500的第一检测垫510、第二检测垫520、第三检测垫530的电性参数，以了解显示区内的修补情况。当检测结果不佳时可以马上调整激光能量，确保了修补效果。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (13)

1.一种显示装置，包含：
多个薄膜晶体管，每一该些薄膜晶体管具有一闸极电极、一源极电极与一汲极电极；
一闸极线，耦接于其一的该些薄膜晶体管的该闸极电极；
一数据线，耦接于其一的该些薄膜晶体管的该汲极电极或该源极电极，其特征在于，更包含一修补检测电路，其包含：
一第一检测垫；
一第二检测垫；
一第三检测垫；
一第一检测金属线，连接于该第二检测垫；
一第二检测金属线，具有一第一支线、一检测金属垫与一第二支线，该第一支线连接该第一检测垫与该检测金属垫，该第二支线连接该第三检测垫与该检测金属垫，且该检测金属垫与该第一检测金属线于一垂直方向上有重叠区域；
其中，该第一检测金属线的宽度与该闸极线的宽度相同，且该检测金属垫的宽度与该数据线的宽度相同。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该第一检测金属线与该闸极线的材料相同，且该检测金属垫与该数据线的材料相同。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该第一检测金属线与该闸极线为同一道光罩而制成，且该检测金属垫与该数据线为同一道光罩而制成。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该检测金属垫具有一开口。
5.一种显示装置，包含：
一基板；
一第一金属层，设置于该基板；
一绝缘层，设置于该第一金属层；
一第二金属层，设置于该绝缘层，使得该绝缘层位于该第一金属层与该第二金属层之间；以及
一薄膜晶体管，包含一闸极电极、一源极电极与一汲极电极，该闸极电极形成于该第一金属层，该源极电极与该汲极电极分别形成于该第二金属层，其特征在于，该显示装置更包含一修补检测电路，其包括：
一第一检测垫，设置于该基板；
一第二检测垫，设置于该基板；
一第三检测垫，设置于该基板；
一第一检测金属线，形成于该第一金属层，其中该第一检测金属线与该第二检测垫电连接，该第一检测金属线与该闸极电极为彼此绝缘结构；
一第二检测金属线，形成于该第二金属层，其中该第二检测金属线分别与该第一检测垫、该第三检测垫电连接，该第二检测金属线与该源极电极、该汲极电极为彼此绝缘结构，
其中，该第二检测金属线与该第一检测金属线具有一交叉部。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，更包含一闸极线，耦接于该闸极电极，且该闸极线的宽度与该第一检测金属线的宽度相同。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，更包含一数据线，藕接于该汲极电极或源极电极，且该数据线的宽度与该第二检测金属线的该交叉部的宽度相同。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，该第二检测金属线具有一第一支线、一检测金属垫与一第二支线，该第一支线连接该第一检测垫与该检测金属垫，该第二支线连接该第三检测垫与该检测金属垫，且该检测金属垫位于该交叉部。
9.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，该基板具有相邻的一显示区与一周边区，该薄膜晶体管设置于该显示区，而该修补检测电路设置于该周边区。
10.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，于该交叉部，该第二检测金属线具有一开口。
11.一种薄膜晶体管的修补检测方法，其特征在于，对权利要求5至10任一项所述的显示装置的薄膜晶体管进行修补检测，包括如下步骤：
S100，采用激光对该交叉部处的第二检测金属线进行熔断；
S200，检测第一检测垫和第三检测垫之间的阻值，若检测到的阻值小于一阈值，则调大激光能量；
S300，检测第一检测垫和第二检测垫之间的阻值，若检测到的阻值小于一阈值，则调小激光能量；
S400，直至检测第一检测垫和第三检测垫以及第一检测垫和第二检测垫之间的阻值均大于各自阈值，则修补激光能量适宜。
12.根据权利要求11所述的用于覆膜晶体管的修补检测方法，其特征在于，所述步骤S200在所述步骤S300之前进行。
13.根据权利要求11所述的用于覆膜晶体管的修补检测方法，其特征在于，所述步骤S300在所述步骤S200之前进行。
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