CN102741913A - 显示装置 - Google Patents

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菊池哲郎
岛田纯也
吉田昌弘
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Abstract

在信号分配电路(3)中，具备以具有与驱动TFT元件(7)相同的沟道宽度的方式形成的冗余TFT元件(8)、第1冗余配线(9a、9b)、第2冗余配线(10)以及第3冗余配线(11)。因此，可以实现具备信号分配电路(3)的液晶显示装置，信号分配电路(3)即使在信号分配电路(3)所具备的驱动TFT(7)中产生了漏电部(缺陷部)的情况下，漏电部(缺陷部)的修复也不费时、可以实现生产性的提高并且在修复后也不具有成为不同的沟道宽度的TFT。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及具备驱动电路的显示装置，上述驱动电路使用了在显示面板中形成为单片、与现有的TFT相比TFT的沟道宽度较大的TFT。
背景技术
以往以来，在显示装置、特别在液晶显示装置的领域中，为了实现可靠性的提高、边框区域的窄小化以及制造成本的削减等，使用如p-Si(Poly Silicon：多晶硅)、CG-Si(Continuous Grain Silicon：连续晶界结晶硅)、微晶Si(μc-Si：微晶硅)那样具有比较高的迁移率的半导体膜单片地形成有在液晶显示装置的显示区域中形成的像素TFT和在上述显示区域的周边区域中形成的扫描信号线驱动电路及数据信号线驱动电路所具备的驱动TFT。
另外，近年来，作为削减制造成本的其它方法，提出了使用a-Si(Amorphous Silicon：非晶硅)半导体膜单片地形成上述像素TFT和上述扫描线驱动电路所具备的驱动TFT的、所谓的使用a-Si半导体膜的扫描线驱动电路的GDM化(栅极驱动器单片化)，上述a-Si半导体膜的迁移率比由上述p-Si、上述CG硅以及上述微晶硅形成的半导体膜的迁移率低，但是可以省去结晶化工序，可以更便宜地形成。
另一方面，伴随着液晶显示装置的高精细化，数据信号线的根数增加，因此，如图18所示，数据信号线驱动电路多是包括多个数据信号线驱动电路116a、116b、116c。
图18示出具备多个数据信号线驱动电路116a、116b、116c的现有的液晶显示装置141的构成。
液晶显示装置141具备显示面板112、柔性印刷基板113以及控制基板114。
在液晶显示装置141所具备的显示面板112中，使用形成在玻璃基板上的a-Si制作在显示区域112a的各像素的每一个中形成的像素TFT 121和扫描信号线驱动电路115所具备的驱动TFT。
像素区域112a是多个像素PIX矩阵状地配置的区域，在像素PIX中，具备像素TFT121和液晶电容CL以及辅助电容Cs。
像素TF T121的栅极电极与扫描线GL连接，像素TFT121的源极电极与数据信号线SL连接。另外，液晶电容CL和辅助电容Cs与像素TFT121的漏极电极连接。
多根扫描线包括扫描线GL1、GL2、GL3…GLn，分别与扫描信号线驱动电路115的输出连接，另一方面，多根数据信号线包括数据信号线SL1、SL2、SL3…SLm，分别与多个数据信号线驱动电路116a、116b、116c的输出连接。
而且，虽未图示，但形成有辅助电容配线，其向各像素PIX的每一个所具备的辅助电容Cs的一方电极施加辅助电容电压。
如图所示，扫描信号线驱动电路115针对显示面板112的显示区域112a设置在与扫描线GL1、GL2、GL3…GLn的延伸方向的一方侧相邻的区域，按顺序向各扫描线GL1、GL2、GL3…GLn提供扫描脉冲(栅极脉冲)。
扫描信号线驱动电路115可以在显示面板112中使用p-Si膜、CG-Si膜、微晶Si膜、a-Si膜而与显示区域112a制作成单片。
另一方面，柔性印刷基板113具备多个数据信号线驱动电路116a、116b、116c。数据信号线驱动电路116a、116b、116c分别对数据信号线SL1、SL2、SL3…SLm提供数据信号。
另外，控制基板114与柔性印刷基板113连接，向扫描信号线驱动电路115和数据信号线驱动电路116a、116b、116c提供必要的信号、电源。即，从控制基板114输出、向扫描信号线驱动电路115提供的信号和电源经由柔性印刷基板113向显示面板112的扫描信号线驱动电路115提供。
如图18的液晶显示装置141所示，在数据信号线驱动电路包括多个数据信号线驱动电路116a、116b、116c的情况下，存在导致制造单价提高、安装面积增加的问题。
因此，提出了减少数据信号线驱动电路的输出数量而进行分时地驱动RGB的各数据信号线的SSD(Source Shared Driving：源极共享驱动)方式的驱动的液晶显示装置。
图19示出SSD方式的液晶显示装置151的一个例子。
此外，图19所示的矩阵状地配置的多个像素PIX的结构与图18相同，因此，省略其说明。
如图所示，液晶显示装置151具备显示面板112和柔性印刷基板113，在显示面板112中，设有像素PIX、扫描信号线驱动电路(栅极驱动器)153以及SSD电路155，在柔性印刷基板113中，安装有芯片状的数据信号线驱动电路(源极驱动器)152。
连接有R(红色)的像素PIX的数据信号线RSL、连接有G(绿色)的像素PIX的数据信号线GSL以及连接有B(蓝色)的像素PIX的数据信号线BSL构成组，各组被相邻地配置。
在图19中，示出第n-1组数据信号线SLn-1(RSLn-1、GSLn-1、BSLn-1)、第n组数据信号线SLn(RSLn、GSLn、BSLn)以及第n+1组数据信号线SLn+1(RSLn+1、GSLn+1、BSLn+1)。
SSD电路155具备：晶体管(TFT)ASWR(图19中的ASWRn-1、ASWRn、ASWRn+1)，其与各数据信号线RSL的数据信号提供侧的一端连接；晶体管ASWG(图19中的ASWGn-1、ASWGn、ASWGn+1)，其与各数据信号线GSL的数据信号提供侧的一端连接以及晶体管ASWB(图19中的ASWBn-1、ASWBn、ASWBn+1)，其与各数据信号线BSL的数据信号提供侧的一端连接。
并且，如图所示，例如，一端与相同组的数据信号线RSLn、GSLn、BSLn连接的晶体管ASWRn、ASWGn、ASWBn分别在另一端侧彼此连接，与数据信号线驱动电路152的输出数据(DATA)(图19的DATAn)连接。
这样，在具备SSD电路155的构成中，可以将数据信号线驱动电路152的输出数据线的根数设为图18所示的液晶显示装置141所具备的包括多个芯片的数据信号线驱动电路116a、116b、116c的输出数据线的合计根数的三分之一，可以将数据信号线驱动电路的个数设为三分之一，因此，可以抑制制造单价的提高、安装面积的增加。
下面，根据图19进一步详细地说明SSD电路155的构成。
晶体管ASWR、ASWG、ASWB根据向栅极电极输入的导通信号Ron、Gon、Bon分别以1个水平期间的大致三分之一分时地按顺序成为导通状态。当导通信号Ron是高电平时，晶体管ASWR成为导通状态，此时，向数据信号线RSL提供从数据信号线驱动电路152输出的R的输出数据。另外，当导通信号Gon是高电平时，晶体管ASWG成为导通状态，此时，向数据信号线GSL提供从数据信号线驱动电路152输出的G的输出数据。而且，当导通信号Bon是高电平时，晶体管ASWB成为导通状态，此时，向数据信号线BSL提供从数据信号线驱动电路152输出的B的输出数据。
即，如图所示，各晶体管ASWR、ASWG、ASWB的源极电极和漏极电极中的一方与各数据信号线RSL、GSL、BSL连接，另一方与数据信号线驱动电路152的输出数据连接。
此外，扫描信号线驱动电路153和SSD电路155可以在显示面板112中使用p-Si膜、CG-Si膜、微晶Si膜、氧化物半导体膜、a-Si膜与显示面板112的显示区域的像素TFT121制作成单片。
如上，在可以使用p-Si膜、CG-Si膜、微晶Si膜、氧化物半导体膜、a-Si膜与形成在液晶显示装置的显示区域中的像素TFT制作成单片的扫描线驱动电路、数据信号线驱动电路、SSD电路的驱动TFT未满足电路驱动所要求的规定迁移率的情况下，特别是在使用a-Si膜形成驱动TFT的情况下，上述驱动TFT与以往的TFT相比，需要使用沟道宽度较大的TFT。
图20是示出沟道宽度较大的TFT的一个例子的图。
图20的(a)是示出具备连续的U字(梳齿)形状的电极的沟道宽度较大的TFT的局部区域的图。
图20的(a)示出在上述TFT中所重复的局部区域200，局部区域200包括栅极电极线210、源极电极线230以及漏极电极线240，源极电极线230的U字形状部分包围漏极电极线240的I字形状部分，在两者之间形成有沟道。
另外，虽未图示，但上述TFT成为具备多个并排地连接的图20的(a)所示的局部区域200的构成。
另外，如图20的(a)所图示的那样，上述TFT的局部区域200的沟道宽度可以用包括2×DL1+DL2的距离W表示，沟道长度可以用源极电极线230的沟道区域与边界线之间的距离L、漏极电极线240的沟道区域与边界线之间的距离L表示。
如上所示，上述TFT是具备多个并排地连接的图20的(a)所示的局部区域200的构成，因此，可以实现沟道宽度非常大的TFT。
但是，在具有图20的(a)所示的结构的TFT中，当在源极电极线230和漏极电极线240之间的任1部位发生漏电时，存在在整个TFT的特性中发生异常的问题。
因此，在源极电极线230的U字形状部分与漏极电极线240的I字形状部分因为工序不良等发生了短路的情况下，可以通过激光熔断使漏极电极线240的I字形状部分的上部分离，正常地使用整个TFT。
但是，具有图20的(a)所示结构的TFT从漏极电极线240的主体到栅极电极线210的上方的区域为止的距离较小，因此，当要激光熔断漏极电极线240的I字形状部分时，激光光点的范围到达在栅极电极线210的上方的区域中设置的半导体层与n+层的层叠体。
当上述层叠体因为激光照射而发生损伤时，上述层叠体与整个TFT相连，因此，进一步向相邻区域传递损伤热，其结果是，在包括因为激光照射而损伤的层叠体的相邻部分的较广范围内发生损伤。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开专利公报“WO2009/104302号公报(2009年8月27日公开)”
发明内容
发明要解决的问题
因此，可以考虑使用具有在专利文献1中记载的图20的(b)所示结构的TFT。
TFT300具备栅极电极302、第1源极/漏极电极303以及第2源极/漏极电极304。第1源极/漏极电极303和第2源极/漏极电极304分别是当一方被用作源极电极时，另一方被用作漏极电极。
栅极电极302形成为コ字状，在玻璃基板上形成在比第1源极/漏极电极303和第2源极/漏极电极304靠下层侧。
在栅极电极302的上层，隔着栅极绝缘膜设有半导体层与n+层的层叠体，当将设有半导体层的区域作为用阴影线示出的第1区域R时，上述层叠体的区域位于第1区域R内，第1源极/漏极电极303设置在第1区域R内的n+层上。此外，第1区域R中的第1源极/漏极电极303以外的区域305是在上方未设有n+层的半导体层的区域。
另一方面，第2源极/漏极电极304具备1根电极线304a和多个支电极304b。
电极线304a是设置在栅极电极302的コ字状区域的中央的间隙区域中的线状电极，支电极304b…是从电极线304a朝向两侧的第1源极/漏极电极303分支并延伸的电极群。各支电极304b延伸到第1区域R内的n+层上为止，第1源极/漏极电极303以离开规定的距离地包围各支电极304b的方式配置。
因此，第1源极/漏极电极303在和位于第1区域R内的支电极304b…之间，在面板面内方向上夹着半导体层的图案，上述半导体层的图案以在上述层叠体中不存在n+层的方式形成，该半导体层的图案成为TFT300的沟道形成区域305a。
在第2源极/漏极电极304的支电极304b与图中施加了阴影线的第1区域R开始交叉的部位D，第1区域R的外缘位于比边界线e靠成为电极线304a侧的线f的位置，上述边界线e位于栅极电极302的コ字的内侧，半导体层与n+层的层叠体设有从边界线e到线f为止延伸的区域306。
另外，在相邻的区域306彼此之间，第1区域R的外缘后退到位于比边界线e远离电极线304a的部位的线g为止。
并且，从上述部位D到电极线304a为止的距离d1被设定为5μm以上。
在该构成中，距离d1被设定为5μm以上，由此在第1源极/漏极电极303和第2源极/漏极电极304的支电极304b彼此发生漏电的情况下，如图20的(b)所图示的，例如在部位S处发生了漏电的情况下，可以使激光光点容易地以从部位D和电极线304a离开的方式碰到支电极304b上的点Q。
因此，根据上述构成，记载了可以实现能够容易地修复源极电极和漏极电极之间的漏电的沟道宽度较大的TFT。
但是，在上述TFT的构成中，如图20的(b)所示，沟道宽度较大，因此，在探测出漏电部(缺陷部)，用激光光点进行切断的过程中费时，因此，存在无法实现生产性的提高的问题。
另外，在上述TFT的构成中，用激光光点仅切断漏电部(缺陷部)，因此，在具有用激光光点切断的部位的TFT和不具有用激光光点切断的部位的TFT中，沟道宽度不同，因此，在具备使用该TFT的驱动电路的显示装置中，存在发生显示质量降低的问题。
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供以下显示装置：即使在驱动电路所具备的TFT中产生漏电部(缺陷部)的情况下，漏电部(缺陷部)的修复也不费时、可以实现生产性的提高并且在修复后也具备不具有成为不同的沟道宽度的TFT的驱动电路。
用于解决问颗的方案
为了解决上述问题，本发明的显示装置的特征在于，具有：显示区域，其设有矩阵状地配置的各像素和在上述各像素的每一个中设置的像素TFT元件；以及上述显示区域的周边区域，其设有驱动电路，上述驱动电路具备与上述像素TFT元件形成为单片的多个驱动TFT元件，上述驱动TFT元件具备半导体层、栅极电极、源极电极以及漏极电极，上述栅极电极设于上述半导体层的一个面，上述源极电极和上述漏极电极设于上述半导体层的与一个面相对的另一个面，上述源极电极和上述漏极电极中的任一方电极以包围另一方电极的一部分的方式形成，在以包围上述另一方电极的一部分的方式形成有上述一方电极的区域中，上述一方电极与上述另一方电极隔开一定间隔，在上述驱动电路中，具备以具有与上述驱动TFT元件相同的沟道宽度的方式形成的冗余TFT元件、第1冗余配线、第2冗余配线以及第3冗余配线，上述第1冗余配线按以下方式形成：通过将上述第1冗余配线与为了向上述多个驱动TFT元件的栅极电极输入不同的第1信号而设置的多根配线中的任1根电连接，而向上述冗余TFT元件的栅极电极输入与上述第1冗余配线电连接的配线中的上述第1信号，上述第2冗余配线按以下方式形成：通过将上述第2冗余配线与为了向上述多个驱动TFT元件的上述源极电极输入不同的第2信号而设置的多根配线中的任1根电连接，而向上述冗余TFT元件的源极电极输入与上述第2冗余配线电连接的配线中的上述第2信号，上述第3冗余配线与上述冗余TFT元件的漏极电极电连接，按以下方式形成：通过将上述第3冗余配线与为了从上述多个驱动TFT元件的上述漏极电极输出上述不同的第2信号而设置的多根配线中的任1根电连接而从与上述第3冗余配线电连接的配线输出从上述冗余TFT元件的漏极电极输出的上述第2信号。
根据上述构成，使用具备所谓的U字形状的电极或梳齿形状的电极的沟道幅度较大的驱动TFT元件，上述驱动TFT元件和上述冗余TFT元件的上述源极电极和上述漏极电极中的任一方电极以包围另一方电极的一部分的方式形成，在上述一方电极以包围上述另一方电极的一部分的方式形成的区域中，上述一方电极与上述另一方电极隔开一定间隔。
以往，在上述一方电极和上述另一方电极之间产生了漏电部(缺陷部)的情况下，在上述沟道宽度较大的驱动TFT元件内用激光光点等切断而进行修复，但是根据上述构成，上述驱动TFT元件成为使用另外设置的冗余TFT元件、第1冗余配线、第2冗余配线以及第3冗余配线进行修复的构成。
因此，根据上述构成，不会发生如以往那样由于上述驱动TFT元件的沟道宽度较大，因此，在探测出漏电部(缺陷部)，用激光光点进行切断的过程中费时、生产性降低的问题。
另外，以往，用激光光点仅切断上述沟道宽度较大的驱动TFT元件内的漏电部(缺陷部)，因此，在具有用激光光点切断的部位的驱动TFT元件和不具有用激光光点切断的部位的驱动TFT元件中，沟道宽度不同，因此，在具备使用该驱动TFT元件的驱动电路的显示装置中，存在显示质量降低的问题。
另一方面，根据上述构成，成为不使用产生了漏电部(缺陷部)的驱动TFT元件，而使用以具有与上述驱动TFT元件相同的沟道宽度的方式形成的上述冗余TFT元件、第1冗余配线、第2冗余配线以及第3冗余配线来进行修复的构成，因此，可以实现能够抑制上述显示质量降低的显示装置。
发明效果
如上所示，本发明的显示装置是以下构成：上述驱动TFT元件具备半导体层、栅极电极、源极电极以及漏极电极，上述栅极电极设于上述半导体层的一个面，上述源极电极和上述漏极电极设于上述半导体层的与一个面相对的另一个面，上述源极电极和上述漏极电极中的任一方电极以包围另一方电极的一部分的方式形成，在以包围上述另一方电极的一部分的方式形成有上述一方电极的区域中，上述一方电极与上述另一方电极隔开一定间隔，在上述驱动电路中，具备以具有与上述驱动TFT元件相同的沟道宽度的方式形成的冗余TFT元件、第1冗余配线、第2冗余配线以及第3冗余配线，上述第1冗余配线按以下方式形成：通过将上述第1冗余配线与为了向上述多个驱动TFT元件的栅极电极输入不同的第1信号而设置的多根配线中的任1根电连接，而向上述冗余TFT元件的栅极电极输入与上述第1冗余配线电连接的配线中的上述第1信号，上述第2冗余配线按以下方式形成：通过将上述第2冗余配线与为了向上述多个驱动TFT元件的上述源极电极输入不同的第2信号而设置的多根配线中的任1根电连接，而向上述冗余TFT元件的源极电极输入与上述第2冗余配线电连接的配线中的上述第2信号，上述第3冗余配线与上述冗余TFT元件的漏极电极电连接，按以下方式形成：通过将上述第3冗余配线与为了从上述多个驱动TFT元件的上述漏极电极输出上述不同的第2信号而设置的多根配线中的任1根电连接，而从与上述第3冗余配线电连接的配线输出从上述冗余TFT元件的漏极电极输出的上述第2信号。
因此，可以实现以下显示装置：即使在驱动电路所具备的驱动TFT中产生漏电部(缺陷部)的情况下，漏电部(缺陷部)的修复也不费时、可以实现生产性的提高并且在修复后也具备不具有成为不同的沟道宽度的TFT的驱动电路。
附图说明
图1是概要地示出本发明的一种实施方式的液晶显示装置所具备的信号分配电路的一部分的图。
图2是示出本发明的一种实施方式的液晶显示装置的概要构成的图。
图3是示出在本发明的一种实施方式的液晶显示装置所具备的信号分配电路中的某驱动TFT元件中产生了漏电(缺陷)时的一个例子的图。
图4是用于说明使用冗余TFT元件、第1冗余配线、第2冗余配线以及第3冗余配线来修复图3所示的信号分配电路时的图。
图5是示出如图4所示进行修复时从数据信号线驱动电路的输出端子输出的输出数据的流向的图。
图6是示出在本发明的一种实施方式的液晶显示装置所具备的信号分配电路中的某控制线号线SEL G中发生了断线时的一个例子的图。
图7是用于说明使用第4冗余配线来修复图6所示的信号分配电路的断线时的图。
图8是示出在如图7所示进行了修复时经由控制信号线SEL G提供的控制信号的流向的图。
图9是示出本发明的一种实施方式的液晶显示装置所具备的信号分配电路的布局的图。
图10是示出本发明的一种实施方式的液晶显示装置可以具备的其它信号分配电路的布局的图。
图11是概要地示出本发明的其它实施方式的液晶显示装置所具备的信号分配电路的一部分的图。
图12是示出在本发明的其它实施方式的液晶显示装置所具备的信号分配电路中的某驱动TFT元件中发生了漏电(缺陷)时的一个例子的图。
图13是用于说明使用冗余TFT元件、第1冗余配线、第2冗余配线以及第3冗余配线来修复图12所示的信号分配电路时的图。
图14是示出如图13所示进行了修复时从数据信号线驱动电路的输出端子输出的输出数据的流向的图。
图15是示出在本发明的其它实施方式的液晶显示装置所具备的信号分配电路的某控制线号线SEL G中发生了断线时的一个例子的图。
图16是用于说明使用第4冗余配线来修复图15所示的信号分配电路的断线时的图。
图17是示出如图16所示进行了修复时经由控制信号线SEL G提供的控制信号的流向的图。
图18示出具备多个数据信号线驱动电路的现有的液晶显示装置的构成。
图19示出SSD方式的液晶显示装置的一个例子。
图20是示出沟道宽度较大的TFT的一个例子的图。
具体实施方式
下面，根据附图详细地说明本发明的实施方式。但是，在该实施方式中记载的构成部件的尺寸、材质、形状以及其相对配置等终究只是一种实施方式，不应根据它们来限定解释本发明的范围。
[实施方式1]
下面，根据图1～图10，作为本发明的具备使用了沟道宽度较大的驱动TFT元件的驱动电路的显示装置，将具备使用了沟道宽度较大的驱动TFT元件的信号分配电路(SSD电路)的液晶显示装置举作例子进行说明，作为上述驱动电路，不限于上述信号分配电路，只要是使用了沟道宽度较大的驱动TFT元件的构成，则可以是例如扫描信号线驱动电路、数据信号线驱动电路等。
另外，在本实施方式中，将液晶显示装置举作显示装置的一个例子，但是不限于此，也可以是EL显示装置等。
图2是示出本实施方式的液晶显示装置1的概要构成的图。
如图2所示，液晶显示装置1具备：液晶显示面板2，其具备显示区域R1、信号分配电路3以及扫描信号线驱动电路4；和数据信号线驱动电路6，其安装在柔性印刷基板5上。
虽未图示，但在显示区域R1中，设有：矩阵状地配置的各像素、在上述各像素的每一个中设置的像素TFT元件、与上述各像素TFT元件的栅极电极连接的扫描信号线以及与上述各像素TFT元件的源极电极连接的数据信号线。
另一方面，在显示区域R1的周边区域内，信号分配电路3、扫描信号线驱动电路4与上述像素TFT元件形成为单片。
在本实施方式中，为了抑制液晶显示装置1的制造单价的提高，用非晶硅形成信号分配电路3和扫描信号线驱动电路4所具备的驱动TFT元件以及上述像素TFT元件的半导体层，但不限于此，作为上述半导体层，例如也可以使用氧化物层、微晶硅层、层叠有微晶硅和非晶硅的层、多晶硅层、连续晶界结晶硅层等。
而且，也可以使用非晶锗、多晶锗、非晶硅锗、多晶硅锗、非晶硅碳化物、多晶硅碳化物等。
此外，上述氧化物层可以由包括例如从In、Ga、Zn中选择的至少一种元素的非晶氧化物形成，但是不限于此。
而且，在本实施方式中，作为上述半导体层，使用迁移率比较低的非晶硅，因此，在柔性印刷基板5上通过其它工序设置数据信号线驱动电路6，但是在使用迁移率比较高的半导体层的情况下，数据信号线驱动电路6也可以与上述像素TFT元件形成为单片。
此外，液晶显示装置1所具备的信号分配电路3除了具备冗余TFT元件、第1冗余配线、第2冗余配线、第3冗余配线以及第4冗余配线方面以外，与图19所示的现有的液晶显示装置151所具备的SSD电路155是相同的。
图1是概要地示出本实施方式的液晶显示装置1所具备的信号分配电路3的一部分的图。
如图所示，连接有R(红色)的像素PIX的数据信号线SRn、连接有G(绿色)的像素PIX的数据信号线SGn以及连接有B(蓝色)的像素PIX的数据信号线SBn构成组，各组被相邻地配置。
在图1中示出第n组数据信号线SRn、SGn、SBn和第n+1组数据信号线SRn+1、SGn+1、SBn+1。
在信号分配电路3中，在各数据信号线SRn、SGn、SBn…的数据信号提供侧的一端，分别设有驱动TFT元件7。
驱动TFT元件7的半导体层由非晶硅形成，迁移率较低，因此，如图20所示，设为沟道宽度较大的TFT，因此，驱动TFT元件7的源极电极或漏极电极中的任一方电极以包围另一方电极的一部分的方式形成，在上述一方电极以包围上述另一方电极的一部分的方式形成的区域中，具备上述一方电极与上述另一方电极隔开一定间隔的、所谓的U字形状的电极或梳齿形状的电极。
并且，如图所示，相同组的数据信号线SRn、SGn、SBn在驱动TFT元件7的一方端侧彼此连接，与数据信号线驱动电路6的输出端子SINn连接，另一方面，其它相同组的数据信号SRn+1、SGn+1、SBn+1与数据信号线驱动电路6的其它输出端子SINn+1连接。
另外，向驱动TFT元件7的栅极电极输入的控制信号(第1信号)经由第1控制信号线SEL R、第2控制信号线SEL G以及第3控制信号线SEL B输入，与相同的组的数据信号线SRn、SGn、SBn连接的驱动TFT元件7分别以1个水平期间的大致三分之一分时地顺序成为导通状态。
当向第1控制信号线SEL R输入的控制信号为高电平时，与数据信号线SRn、SRn+1…连接的驱动TFT元件7成为导通状态，此时，从数据信号线驱动电路6的输出端子SINn、SINn+1…输出的R的输出数据(第2信号、图像信号)向数据信号线SRn、SRn+1…提供。
当向第2控制信号线SEL G输入的控制信号为高电平时，与数据信号线SGn、SGn+1…连接的驱动TFT元件7成为导通状态，此时，从数据信号线驱动电路6的输出端子SINn、SINn+1…输出的G的输出数据向数据信号线SGn、SGn+1…提供。
另外，当向第3控制信号线SEL B输入的控制信号为高电平时，与数据信号线SBn、SBn+1…连接的驱动TFT元件7成为导通状态，此时，从数据信号线驱动电路6的输出端子SINn、SINn+1…输出的B的输出数据向数据信号线SBn、SBn+1…提供。
即，如图所示，驱动TFT元件7的漏极电极与各数据信号线SRn、SGn、SBn…连接，驱动TFT元件7的源极电极与数据信号线驱动电路6的输出端子SINn、SINn+1…连接。
如图所示，在信号分配电路3中，具备：以具有与驱动TFT元件7相同的沟道宽度的方式形成的冗余TFT元件8、第1冗余配线9a、9b、第2冗余配线10、第3冗余配线11以及第4冗余配线12a、12b。
图3是示出在本实施方式的液晶显示装置1所具备的信号分配电路3中的某驱动TFT元件7中发生了漏电(缺陷)时的一个例子的图。
在图3中，示出在与数据信号线SGn连接的驱动TFT元件7中发生了漏电(缺陷)时的一个例子的图。
图4是用于说明使用冗余TFT元件8、第1冗余配线9a、9b、第2冗余配线10以及第3冗余配线11来修复图3所示的信号分配电路3时的图。
图4中的○部位示出使用激光进行电连接的部位，×部位示出使用激光进行电切断的部位，V部位示出按照周边的负载(电阻、电容)而适当地使用激光进行电切断的部位。
如图所示，在与数据信号线SGn连接的驱动TFT元件7中发生了漏电(缺陷)的情况下，电切断与数据信号线SGn连接的驱动TFT元件7的两端，使驱动TFT元件7从数据信号线SGn电分离。
并且，以与和各驱动TFT元件7的栅极电极电连接的控制信号线SEL R、SEL G、SEL B交叉的方式形成有第1冗余配线9a，与控制信号线SEL R、SEL G、SEL B平行地形成有第1冗余配线9b。
然后，将第1冗余配线9a与第2控制信号线SEL G交叉的部位和第1冗余配线9a、9b彼此交叉的部位电连接，向冗余TFT元件8的栅极电极提供经由第2控制信号线SEL G提供的控制信号。
另外，如图所示，第2冗余配线10与数据信号线驱动电路6的输出端子SINn、SINn+1…中的任一个连接。
在本实施方式中，相对于数据信号线驱动电路6的输出端子SINn、SINn+1设有1个冗余TFT元件8(即，相对于数据信号线驱动电路6的2个输出端子设有1个冗余TFT元件8)，因此事先使第2冗余配线10与数据信号线驱动电路6的输出端子SINn、SINn+1连接，但是不限于此，可以按照数据信号线驱动电路6的输出端子的数量来设置冗余TFT元件8，也可以将第2冗余配线10如后述的实施方式2那样进行设置。
并且，第3冗余配线11以与各数据信号线SRn、SGn、SBn…交叉的方式形成，与冗余TFT元件8的漏极电极和数据信号线SGn连接。
图5是示出在如图4所示进行了修复时，从数据信号线驱动电路6的输出端子输出的输出数据的流向的图。
如图所示，根据上述构成，可以代替发生了漏电(缺陷)的驱动TFT元件7，而经由冗余TFT元件8向数据信号线SGn提供从数据信号线驱动电路6的输出端子SINn输出的输出数据。
根据上述构成，如以往那样，可以无需使用激光来电切断驱动TFT元件7内的漏电部(缺陷部)，而使用信号分配电路3所具备的冗余TFT元件8、第1冗余配线9a、9b、第2冗余配线10以及第3冗余配线11来进行修复。
因此，如以往那样，驱动TFT元件7的沟道宽度较大，因此，在探测出漏电部(缺陷部)，用激光进行切断的过程中，不会发生费时、生产性降低的问题。
另外，在以往的构成中，需要用激光仅切断沟道宽度较大的驱动TFT元件7内的漏电部(缺陷部)，因此，在具有用激光切断的部位的驱动TFT元件7和不具有用激光切断的部位的其它驱动TFT元件7中，沟道宽度不同，因此，在具备使用该驱动TFT元件7的信号分配电路3的液晶显示装置中，存在发生显示质量降低的问题。
另一方面，根据上述构成，成为不使用产生了漏电部(缺陷部)的驱动TFT元件7，而使用以具有与驱动TFT元件7相同的沟道宽度的方式形成的冗余TFT元件8、第1冗余配线9a、9b、第2冗余配线10以及第3冗余配线11来进行修复的构成，因此，可以实现能够抑制上述显示质量降低的液晶显示装置1。
此外，在本实施方式的液晶显示装置1中，示例地举出了以RGB 3个分割数分时地进行驱动的构成，但是不限于此，当然可以以2分割、4分割以上等任意的分割数分时地进行驱动。如果分割数增加，则可以更大地减少数据信号线驱动电路6的输出端子SINn、SINn+1…的数量、数据信号线驱动电路6的个数。
下面，根据图6～图8说明在用于对驱动TFT元件7的栅极电极分别输入不同的控制信号的控制信号线SEL R、SEL G、SEL B中发生了断线的情况下，使用第4冗余配线12a、12b进行修复的构成。
图6是示出在本实施方式的液晶显示装置1所具备的信号分配电路3中的某控制信号线SEL G中发生了断线时的一个例子的图。
如图所示，在控制信号线SEL G中的与控制信号线SEL G连接的驱动TFT元件7、7之间发生断线。
图7是用于说明使用第4冗余配线12a、12b修复图6所示的信号分配电路3的断线时的图。
在本实施方式中，为了缩小信号分配电路3的形成面积，将第1冗余配线9a共用作第4冗余配线12a，但是不限于此，也可以另外设置相当于第1冗余配线9a的配线作为第4冗余配线12a。
图7中的○部位示出使用激光进行电连接的部位，V部位示出按照周边的负载(电阻、电容)适当地使用激光进行电切断的部位。
如图所示，第4冗余配线12b以与2根第1冗余配线9a、9b交叉的方式形成，将控制信号线SEL G与2根第1冗余配线9a、9a交叉的部位和第4冗余配线12b与2根第1冗余配线9a、9a交叉的部位电连接，由此可以修复图6所示的信号分配电路3的断线。
图8是示出如图7所示进行了修复时的经由控制信号线SEL G提供的控制信号的流向的图。
如图所示，根据上述构成，可以代替在控制信号线SEL G中发生了断线的区域，而经由第4冗余配线12a、12b向与控制信号线SELG连接的下面的驱动TFT元件7提供控制信号。
图9是示出本实施方式的液晶显示装置1所具备的信号分配电路3的布局的一个例子的图。
如图所示，信号分配电路3所具备的驱动TFT元件7和冗余TFT元件8成为具备梳齿形状的电极的构成。
此外，驱动TFT元件7和冗余TFT元件8被设计为：其电极形状不同而沟道宽度成为相同的。
如图所示，驱动TFT元件7以夹在数据信号线驱动电路6和上述冗余TFT元件8之间的方式形成，以驱动TFT元件7的长边方向与数据信号线驱动电路6的各输出端子所排列的方向正交的方式配置，冗余TFT元件8的长边方向与数据信号线驱动电路6的各输出端子所排列的方向平行地配置。
根据上述构成，可以缩小信号分配电路3的形成面积，因此，可以实现上述液晶显示装置1的成为非显示区域的边框区域的窄小化。
图10是示出后述的实施方式2的液晶显示装置1所具备的信号分配电路3a的布局的一个例子的图。
如图所示，信号分配电路3a所具备的驱动TFT元件7和冗余TFT元件8均是具备梳齿形状的电极的构成，冗余TFT元件8与上面的图9不同，在形成有驱动TFT元件7的区域内形成。
此外，在图10中，也与上述图9同样地，驱动TFT元件7和冗余TFT元件8被设计为：其沟道宽度成为相同的。
根据上述构成，即使是具备信号分配电路3a的构成，也可以缩短数据信号线驱动电路6的与各输出端子所排列的方向正交的方向上的宽度，即，可以缩短数据信号线驱动电路6的一端和显示区域的一端之间的距离，因此，可以实现上述液晶显示装置1的成为非显示区域的边框区域的窄小化。
下面，说明例如在与图1的数据信号线SGn+1连接的驱动TFT元件7中发生了漏电(缺陷)时的修复方法的一个例子。
虽省略图示，但在与图1的数据信号线SGn+1连接的驱动TFT元件7中发生了漏电(缺陷)的情况下，电切断与数据信号线SGn+1连接的驱动TFT元件7的两端，将驱动TFT元件7从数据信号线SGn+1电分离。
并且，可以将第1冗余配线9a与第2控制信号线SEL G交叉的部位和第1冗余配线9a、9b彼此交叉的部位电连接，向冗余TFT元件8的栅极电极提供经由第2控制信号线SEL G提供的控制信号。
然后，使与数据信号线驱动电路6的输出端子SINn+1连接的第2冗余配线10与第4冗余配线12b交叉的部位和第4冗余配线12b与和数据信号线驱动电路6的输出端子SINn连接的第2冗余配线10交叉的部位连接。
并且，电切断与数据信号线驱动电路6的输出端子SINn连接的第2冗余配线10，不向冗余TFT元件8的源极电极提供从数据信号线驱动电路6的输出端子SINn输出的输出数据。
最后，使第3冗余配线11与冗余TFT元件8的漏极电极和数据信号线SGn+1连接。
通过上面的方式，可以无需如以往那样使用激光来电切断驱动TFT元件7内的漏电部(缺陷部)，可以使用信号分配电路3所具备的冗余TFT元件8、第1冗余配线9a、9b、第2冗余配线10、第3冗余配线11以及第4冗余配线12b进行修复。
[实施方式2]
下面，根据图11～图17，说明本发明的第2实施方式。本实施方式的第2冗余配线10a、10b的配置位置和形状与实施方式1不同，除了在可以比数据信号线驱动电路6的输出端子SINn、SINn+1…的数量更少地设置冗余TFT元件8的数量方面以外，如在实施方式1中所说明的。为了便于说明，对具有与上述实施方式1的附图所示的构件相同的功能的构件，附上相同的附图标记，省略其说明。
图11是概要地示出本实施方式的液晶显示装置1所具备的信号分配电路3a的一部分的图。
如图所示，第2冗余配线10a与冗余TFT元件8的源极电极连接，另一方面，第2冗余配线10b以与第2冗余配线10a和数据信号线驱动电路6的输出端子SINn、SINn+1…交叉的方式形成在数据信号线驱动电路6的输出端子SINn、SINn+1…附近。
图12是示出在本实施方式的液晶显示装置1所具备的信号分配电路3a的某驱动TFT元件7中发生了漏电(缺陷)时的一个例子的图。
在图12中，示出在与数据信号线SRn+1连接的驱动TFT元件7中发生了漏电(缺陷)时的一个例子。
图13是用于说明使用冗余TFT元件8、第1冗余配线9a、9b、第2冗余配线10a、10b以及第3冗余配线11修复图12所示的信号分配电路3时的图。
图13中的○部位示出使用激光进行电连接的部位，×部位示出使用激光进行电切断的部位，V部位示出按照周边的负载(电阻、电容)而适当地使用激光进行电切断的部位。
如图所示，在与数据信号线SRn+1连接的驱动TFT元件7中发生了漏电(缺陷)的情况下，电切断与数据信号线SRn+1连接的驱动TFT元件7的两端，使驱动TFT元件7从数据信号线SRn+1电分离。
并且，可以将第2冗余配线10b与数据信号线驱动电路6的输出端子SINn+1和第2冗余配线10a交叉的部位电连接，向冗余TFT元件8的源极电极提供从数据信号线驱动电路6的输出端子SINn+1输出的输出数据。
然后，将第1冗余配线9a与控制信号线SEL R和第1冗余配线9b交叉的部位电连接，向冗余TFT元件8的栅极电极提供经由控制信号线SEL R提供的控制信号。
并且，可以将第3冗余配线11与数据信号线SRn+1交叉的部位电连接，使从冗余TFT元件8的漏极电极输出的输出数据向数据信号线SRn+1输出。
图14是示出如图13所示进行了修复时的从数据信号线驱动电路6的输出端子SINn+1输出的输出数据的流向的图。
如图所示，根据上述构成，可以代替发生了漏电(缺陷)的驱动TFT元件7，而经由冗余TFT元件8向数据信号线SRn+1提供从数据信号线驱动电路6的输出端子SINn+1输出的输出数据。
根据上述构成，可以比数据信号线驱动电路6的输出端子SINn、SINn+1…的数量更少地设置冗余TFT元件8的数量，可以实现上述液晶显示装置1的成为非显示区域的边框区域的窄小化。
下面，根据图15～图17，说明在用于向驱动TFT元件7的栅极电极分别输入不同的控制信号的控制信号线SEL R、SEL G、SEL B中发生了断线的情况下，使用第4冗余配线12a、12b进行修复的构成。
此外，在本实施方式中，为了缩小信号分配电路3a的形成面积，将第2冗余配线10b共用作第4冗余配线12b，但是不限于此，也可以另外设置相当于第2冗余配线10b的配线作为第4冗余配线12b。
图15是示出在本实施方式的液晶显示装置1所具备的信号分配电路3a中的某控制信号线SEL G中发生了断线时的一个例子的图。
如图所示，在控制信号线SEL G中的与控制信号线SEL G连接的驱动TFT元件7、7之间发生断线。
图16是用于说明使用第4冗余配线12a、12b修复图15所示的信号分配电路3a的断线时的图。
图16中的○部位示出使用激光进行电连接的部位，V部位示出按照周边的负载(电阻、电容)而适当地使用激光进行电切断的部位。
如图所示，第4冗余配线12a以与控制信号线SEL R、SEL G、SEL B及第4冗余配线12b交叉的方式形成，第4冗余配线12b以与多根第4冗余配线12a交叉的方式形成。
将第4冗余配线12a与控制信号线SEL G及第4冗余配线12b交叉的部位电连接，由此可以向与数据信号线SGn+1连接的驱动TFT元件7的栅极电极提供经由第4冗余配线12a、12b向控制信号线SELG提供的控制信号。
图17是示出如图16所示进行了修复时的经由控制信号线SELG提供的控制信号的流向的图。
如图所示，根据上述构成，代替在控制信号线SEL G中发生了断线的区域，而经由第4冗余配线12a、12b向与控制信号线SEL G连接的下面的驱动TFT元件7提供控制信号。
另外，虽省略图示，但也可以采用以下构成：在信号分配电路3a中，具备与控制信号线SEL R、控制信号线SEL G以及控制信号线SEL B分别对应的3组(3个)冗余TFT元件8，具备用于提供与各冗余TFT元件8的栅极电极对应的控制信号的第1冗余配线、提供从与各冗余TFT元件8的源极电极对应的数据信号线驱动电路6的输出端子输出的输出数据的第2冗余配线以及使从各冗余TFT元件8的漏极电极输出的输出数据向对应的数据信号配线输出的第3冗余配线。
根据上述构成，可以实现生产时修复时间的短缩化。
优选在本发明的显示装置中，在上述驱动电路中还具备第4冗余配线，上述第4冗余配线按以下方式形成：通过将上述第4冗余配线与为了向上述多个驱动TFT元件的栅极电极输入不同的第1信号而设置的多根配线中的任1根在具有规定间隔的多个部位电连接，而将与上述第4冗余配线电连接的配线中的上述第1信号经由上述第4冗余配线向上述配线输入。
根据上述构成，成为在为了向上述多个驱动TFT元件的栅极电极输入不同的第1信号而设置的多根配线中产生了缺陷部的情况下，使用上述第4冗余配线进行修复的构成。
优选在本发明的显示装置中，上述驱动电路是具备以下部分的信号分配电路，即具备：配线，其将输出在上述显示区域中显示的图像信号的数据信号线驱动电路的各输出端子分支为多个路径；上述驱动TFT元件，其设于上述分支的各配线；以及控制信号线，其用于为了使与上述数据信号线驱动电路的各输出端子电连接的上述各驱动TFT元件以能在水平期间分时地导通的方式驱动，而向上述各驱动TFT元件的栅极电极输入控制信号。
根据上述构成，可以实现具备以下信号分配电路(SSD电路)的显示装置：该信号分配电路具备沟道宽度较大的驱动TFT元件，即使在上述驱动TFT元件、为了向上述多个驱动TFT元件的栅极电极输入不同的第1信号而设置的多根配线中产生了缺陷部的情况下，漏电部(缺陷部)的修复也不费时、可以实现生产性的提高并且在修复后也不具有成为不同的沟道宽度的TFT。
优选在本发明的显示装置中，上述数据信号线驱动电路的各输出端子被分支为第1配线、第2配线以及第3配线，在上述第1配线、上述第2配线以及上述第3配线各自设有上述驱动TFT元件，设有用于向上述各驱动TFT元件的栅极电极输入上述控制信号的第1控制信号线、第2控制信号线以及第3控制信号线，在上述信号分配电路中，具备与上述各控制信号线对应的3组上述冗余TFT元件、上述第1冗余配线、上述第2冗余配线以及上述第3冗余配线。
根据上述构成，成为在上述各控制信号线的每一根中，具备上述冗余TFT元件、上述第1冗余配线、上述第2冗余配线以及上述第3冗余配线的构成，例如，在与第1控制信号线电连接的驱动TFT元件、第1控制信号线中产生了缺陷部的情况下，可以使用与上述第1控制信号线对应的上述冗余TFT元件、上述第1冗余配线、上述第2冗余配线以及上述第3冗余配线进行修复。
因此，可以实现生产时修复时间的短缩化。
优选在本发明的显示装置中，上述驱动TFT元件以被夹在上述数据信号线驱动电路和上述冗余TFT元件之间的方式形成，上述驱动TFT元件的长边方向以与上述数据信号线驱动电路的各输出端子所排列的方向正交的方式配置，上述冗余TFT元件的长边方向与上述数据信号线驱动电路的各输出端子所排列的方向平行地配置。
优选在本发明的显示装置中，上述驱动TFT元件以被夹在上述数据信号线驱动电路和上述显示区域之间的方式形成，上述驱动TFT元件和上述冗余TFT元件的长边方向以与上述数据信号线驱动电路的各输出端子所排列的方向正交的方式配置，上述冗余TFT元件以被夹在上述驱动TFT元件之间的方式形成。
根据上述构成，可以缩小信号分配电路(SSD电路)的形成面积，因此，可以实现上述显示装置的成为非显示区域的边框区域的窄小化。
优选在本发明的显示装置中，上述像素TFT元件和上述驱动TFT元件的半导体层由非晶硅形成。
根据上述构成，可以抑制上述显示装置的制造单价的提高。
优选在本发明的显示装置中，上述像素TFT元件和上述驱动TFT元件的半导体层由氧化物形成。
上述半导体层可以由包括例如从In、Ga、Zn中选择的至少1种元素的非晶氧化物形成，但是不限于此。
优选在本发明的显示装置中，上述像素TFT元件和上述驱动TFT元件的半导体层由微晶硅形成。
优选在本发明的显示装置中，上述像素TFT元件和上述驱动TFT元件的半导体层由微晶硅与非晶硅层叠而形成。
根据上述构成，上述驱动TFT元件中的半导体层是微晶硅或微晶硅与非晶硅层叠而形成的，因此，可以比较便宜地制作上述显示装置。
优选在本发明的显示装置中，上述像素TFT元件和上述驱动TFT元件的半导体层由多晶硅形成。
优选在本发明的显示装置中，上述像素TFT元件和上述驱动TFT元件的半导体层由连续晶界结晶硅形成。
根据上述构成，上述驱动TFT元件的半导体层由多晶硅或连续晶界结晶硅形成，因此，除了扫描线驱动电路和信号分配电路(SSD电路)以外，数据信号线驱动电路也可以与上述像素TFT元件形成为单片，因此，可以实现可靠性较高、使成为非显示区域的边框区域窄小化的显示装置。
本发明不限于上述各实施方式，可以在权利要求所示的范围内进行各种变更，将在不同的实施方式中分别公开的技术方案适当组合而得到的实施方式也包括在本发明的技术范围内。
工业上的可利用性
本发明可以在半导体装置、显示装置中使用。
附图标记说明
Figure BPA00001595315900241

Claims (12)

1.一种显示装置，其特征在于，
具有：
显示区域，其设有矩阵状地配置的各像素和在上述各像素的每一个中设置的像素TFT元件；以及
上述显示区域的周边区域，其设有驱动电路，上述驱动电路具备与上述像素TFT元件形成为单片的多个驱动TFT元件，
上述驱动TFT元件具备半导体层、栅极电极、源极电极以及漏极电极，
上述栅极电极设于上述半导体层的一个面，上述源极电极和上述漏极电极设于上述半导体层的与一个面相对的另一个面，
上述源极电极和上述漏极电极中的任一方电极以包围另一方电极的一部分的方式形成，
在以包围上述另一方电极的一部分的方式形成有上述一方电极的区域中，上述一方电极与上述另一方电极隔开一定间隔，
在上述驱动电路中，具备以具有与上述驱动TFT元件相同的沟道宽度的方式形成的冗余TFT元件、第1冗余配线、第2冗余配线以及第3冗余配线，
上述第1冗余配线按以下方式形成：通过将上述第1冗余配线与为了向上述多个驱动TFT元件的栅极电极输入不同的第1信号而设置的多根配线中的任1根电连接，而向上述冗余TFT元件的栅极电极输入与上述第1冗余配线电连接的配线中的上述第1信号，
上述第2冗余配线按以下方式形成：通过将上述第2冗余配线与为了向上述多个驱动TFT元件的上述源极电极输入不同的第2信号而设置的多根配线中的任1根电连接，而向上述冗余TFT元件的源极电极输入与上述第2冗余配线电连接的配线中的上述第2信号，
上述第3冗余配线与上述冗余TFT元件的漏极电极电连接，按以下方式形成：通过将上述第3冗余配线与为了从上述多个驱动TFT元件的上述漏极电极输出上述不同的第2信号而设置的多根配线中的任1根电连接，而从与上述第3冗余配线电连接的配线输出从上述冗余TFT元件的漏极电极输出的上述第2信号。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在上述驱动电路中还具备第4冗余配线，
上述第4冗余配线按以下方式形成：通过将上述第4冗余配线与为了向上述多个驱动TFT元件的栅极电极输入不同的第1信号而设置的多根配线中的任1根在具有规定间隔的多个部位电连接，而将与上述第4冗余配线电连接的配线中的上述第1信号经由上述第4冗余配线向上述配线输入。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，
上述驱动电路是具备以下部分的信号分配电路，即具备：配线，其将输出在上述显示区域中显示的图像信号的数据信号线驱动电路的各输出端子分支为多个路径；上述驱动TFT元件，其设于上述分支的各配线；以及控制信号线，其用于为了使与上述数据信号线驱动电路的各输出端子电连接的上述各驱动TFT元件以能在水平期间分时地导通的方式驱动，而向上述各驱动TFT元件的栅极电极输入控制信号。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
上述数据信号线驱动电路的各输出端子被分支为第1配线、第2配线以及第3配线，
在上述第1配线、上述第2配线以及上述第3配线各自设有上述驱动TFT元件，
设有用于向上述各驱动TFT元件的栅极电极输入上述控制信号的第1控制信号线、第2控制信号线以及第3控制信号线，
在上述信号分配电路中，具备与上述各控制信号线对应的3组上述冗余TFT元件、上述第1冗余配线、上述第2冗余配线以及上述第3冗余配线。
5.根据权利要求3或4所述的显示装置，其特征在于，
上述驱动TFT元件以被夹在上述数据信号线驱动电路和上述冗余TFT元件之间的方式形成，
上述驱动TFT元件的长边方向以与上述数据信号线驱动电路的各输出端子所排列的方向正交的方式配置，
上述冗余TFT元件的长边方向与上述数据信号线驱动电路的各输出端子所排列的方向平行地配置。
6.根据权利要求3或4所述的显示装置，其特征在于，
上述驱动TFT元件以被夹在上述数据信号线驱动电路和上述显示区域之间的方式形成，
上述驱动TFT元件和上述冗余TFT元件的长边方向以与上述数据信号线驱动电路的各输出端子所排列的方向正交的方式配置，
上述冗余TFT元件以被夹在上述驱动TFT元件之间的方式形成。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
上述像素TFT元件和上述驱动TFT元件的半导体层由非晶硅形成。
8.根据权利要求1至6中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
上述像素TFT元件和上述驱动TFT元件的半导体层由氧化物形成。
9.根据权利要求1至6中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
上述像素TFT元件和上述驱动TFT元件的半导体层由微晶硅形成。
10.根据权利要求1至6中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
上述像素TFT元件和上述驱动TFT元件的半导体层由多晶硅形成。
11.根据权利要求1至6中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
上述像素TFT元件和上述驱动TFT元件的半导体层由连续晶界结晶硅形成。
12.根据权利要求1至6中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
上述像素TFT元件和上述驱动TFT元件的半导体层由微晶硅与非晶硅层叠而形成。
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