CN106847142A - 栅极驱动电路的检测装置及检测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种栅极驱动电路的检测装置及检测方法。该检测装置包括测试垫和连接栅极驱动电路和测试垫的连接件。连接件包括第一连接部、第二连接部和第三连接部。第一连接部的第一端与栅极驱动电路的输出端电性连接,第二连接部的第一端与测试垫电性连接。第一连接部的第二端与第三连接部连接。所述第二连接部的第二端与所述第三连接部电性绝缘。本发明能够避免由栅极驱动电路的输出端始终与测试垫连接导致的静电释放对栅极驱动电路的破坏,有利于提高液晶显示面板的产品良率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种栅极驱动电路的检测装置,还涉及一种栅极驱动电路的检测方法。
背景技术
目前,越来越多的液晶显示面板采用在阵列基板上制作栅极驱动电路(GateDriver on Array,GOA)技术来减少阵列基板的边框宽度,从而迎合液晶显示面板的窄边框设计趋势。为了对异常液晶显示面板进行输出信号检测和分析,需要增加对应检测电路。
在现有的用于检测薄膜晶体管显示器(TFT-LCD)的栅极驱动电路的检测电路中,通常利用金属走线将栅极驱动电路的输出端与测试垫(Test Pad,也称为测试点位)直接连接在一起。在检测面板异常时,薄膜晶体管显示器的探针部件检测测试垫输出的信号,并据此判定该薄膜晶体管显示器的栅极驱动电路是否出现异常。然而,测试垫一般采用大块金属,而大块金属通常易引起静电风险。在产品生产运输等过程中,由于测试垫与栅极驱动电路的输出端始终连接,因此由栅极驱动电路的输出端始终与测试垫连接导致的静电释放(ESD)容易导入栅极驱动电路,导致构成栅极驱动电路的薄膜晶体管的击穿和损坏。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:由于现有技术将栅极驱动电路的输出端始终与由大块金属构成的测试垫连接在一起,因此在产品生产运输等过程中,由栅极驱动电路的输出端始终与测试垫连接导致的静电释放(ESD)容易导入栅极驱动电路,导致构成栅极驱动电路的薄膜晶体管的击穿和损坏。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种栅极驱动电路的检测装置及检测方法。
根据本发明的第一个方面,提供了一种栅极驱动电路的检测装置,其包括测试垫及电连接所述栅极驱动电路和所述测试垫的连接件,所述连接件包括第一连接部、第二连接部和第三连接部;
其中,所述第一连接部的第一端与所述栅极驱动电路的输出端电性连接,所述第二连接部的第一端与所述测试垫电性连接;
所述第一连接部的第二端与所述第三连接部电性连接,所述第二连接部的第二端与所述第三连接部电性绝缘。
优选的是,所述第一连接部和所述第二连接部设置在第一金属层,所述第三连接部设置在第二金属层,且所述第一金属层和第二金属层绝缘设置。
优选的是,所述第一金属层和第二金属层之间设置有绝缘层,以使所述第一金属层和第二金属层绝缘设置。
优选的是,所述绝缘层上设置有至少一个过孔,所述第一连接部的第二端通过所述过孔与所述第三连接部电性连接。
优选的是,所述第一金属层还包括显示面板的扫描线的图案以及所述显示面板的开关元件的栅极的图案。
优选的是,所述第二金属层还包括显示面板的数据线的图案以及所述显示面板的开关元件的源极和漏极的图案。
优选的是,所述绝缘层由氮化硅制成;和/或
所述第一金属层由钼/铝制成,所述第二金属层由钼/铝/锗制成。
优选的是,在检测面板异常时,所述第二连接部的第二端与所述第三连接部之间的绝缘材料通过镭射被熔化,以使得所述第二连接部的第二端与所述第三连接部电性连接。
根据本发明的第二个方面,提供了一种栅极驱动电路的检测方法,其包括:
提供一检测装置,并使所述检测装置包括测试垫及电连接所述栅极驱动电路和所述测试垫的连接件,所述连接件包括第一连接部、第二连接部和第三连接部;其中,所述第一连接部的第一端与所述栅极驱动电路的输出端电性连接,所述第二连接部的第一端与所述测试垫电性连接;所述第一连接部的第二端与所述第三连接部电性连接,所述第二连接部的第二端与所述第三连接部电性绝缘;
判断是否需要检测所述栅极驱动电路;
在判断出需要检测所述栅极驱动电路时,通过镭射熔化所述第二连接部的第二端与所述第三连接部之间的绝缘材料,以使所述第二连接部的第二端与所述第三连接部电性连接,从而使栅极驱动电路的输出信号依次经过所述连接件和所述测试垫输出。
优选的是,还包括:
根据所述测试垫输出的信号,确定所述栅极驱动电路的状态。
与现有技术相比,上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果:
应用本发明提供的栅极驱动电路检测装置,第三连接部相当于用于使第一连接部和第二连接部在需要检测面板异常时才电性连接的一次性开关。可见,在不需要检测面板时,第一连接部与第二连接部彼此断开。只有在检测面板异常时,才通过第三连接部使第一连接部和第二连接部电性连接,以使栅极驱动电路的输出信号依次通过第一连接部、第三连接部和第二连接部传导到测试垫上。因此,由栅极驱动电路的输出端始终与测试垫连接导致的静电释放不会对栅极驱动电路造成破坏,从而避免了构成栅极驱动电路的薄膜晶体管的击穿与损坏。换句话说,本发明有利于提高液晶显示面板的产品良率。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本发明的实施例共同用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1示出了本发明实施例栅极驱动电路的检测装置的结构示意图;
图2示出了在不需要检测面板时第二连接部与第三连接部交叠区域的剖面示意图;
图3示出了在检测面板异常时第二连接部与第三连接部交叠区域的剖面示意图;
图4示出了本发明实施例栅极驱动电路的检测方法的流程示意图。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式,借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题,并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是,只要不构成冲突,本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合,所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
本发明所要解决的技术问题是:由于现有技术将栅极驱动电路的输出端始终与由大块金属构成的测试垫连接在一起,因此在产品生产运输等过程中,由栅极驱动电路的输出端4始终与测试垫5连接导致的静电释放(ESD)容易导入栅极驱动电路,导致构成栅极驱动电路的薄膜晶体管的击穿和损坏。为解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种栅极驱动电路的检测装置。
实施例一
图1示出了本实施例栅极驱动电路检测装置的结构示意图。如图1所示,本发明实施例栅极驱动电路的检测装置主要包括第一连接部11、第二连接部12和第三连接部21。其中,第一连接部11、第二连接部12和第三连接部21均为金属连接部。第一连接部11和第二连接部12设置在第一金属层。即,第一金属层包括第一连接部11的图案和第二连接部12的图案。并且,第一连接部11和第二连接部12之间间隔设置。第三连接部21设置在第二金属层。这里,第二金属层和第一金属层是不同的金属层。即,第二金属层包括第三连接部21的图案。如图2所示,第一金属层和第二金属层之间设置有绝缘层30。
第一连接部11的第一端与栅极驱动电路的输出端4电性连接。即,第一连接部11的第一端与被测对象(即栅极驱动电路)电性连接。第二连接部12的第一端与测试垫5电性连接。
第一连接部11的第二端通过设置在绝缘层30上的过孔31与第三连接部21电性连接。这样,第一连接部11的第二端始终与第三连接部21电性连接。
这里,在本发明一优选的实施例中,第一连接部11的第二端通过设置在绝缘层30上的至少两个过孔31与第三连接部21电性连接。这里,过孔31的数量为大于或者等于2的整数。可见本实施例有利于保证第一连接部11与第三连接部21的可靠连接,从而使得信号传输得更稳定、可靠。
重要地,第二连接部12的第二端与第三连接部21电性绝缘。本实施例中,第三连接部21与第二连接部12之间通过绝缘层30隔离。
应用本发明实施例提供的栅极驱动电路检测装置,在液晶显示面板的常态(即不需要检测面板异常时)下,第二连接部12的第二端与第三连接部21电性绝缘,从而栅极驱动电路的输出端4与测试垫5电性绝缘。这样,由栅极驱动电路的输出端4始终与测试垫5连接导致的静电释放不会传导到栅极驱动电路中,也就不会对栅极驱动电路造成破坏,从而避免了构成栅极驱动电路的薄膜晶体管的击穿与损坏。换句话说,本发明实施例有利于提高液晶显示面板的产品良率。
实施例二
本实施例对实施例一中检测装置的结构做进一步优化。
在本实施例中,当液晶面板出现异常,需要查找异常的原因而检测电性时,第二连接部12的第二端与第三连接部21之间的绝缘材料(即绝缘层30中的绝缘材料)通过镭射而熔化,以使得第二连接部12的第二端与第三连接部21电性连接。
图2示出了在不需要检测面板时第二连接部12与第三连接部21交叠区域的剖面示意图。参照图2,在不需要检测面板时,由于绝缘层30的作用,第二连接部12的第二端与第三连接部21彼此绝缘。图3示出了在检测面板异常时第二连接部12与第三连接部21交叠区域的剖面示意图。参照图3,在检测面板异常时,通过镭射的方法熔化第三连接部21与第二连接部12的第二端之间的绝缘材料。
具体地,镭射(激光)具有高亮度、高方向性、高单色性和高相干性的特性。激光束能在第三连接部21的正上方产生数千度乃至上万度的高温。第三连接部21表面被激光束照射的区域开始溶解,从而形成流动的液态金属。该液态金属穿过(相当于熔解)绝缘层30后与第二连接部12熔接在一起。这样,第二连接部12的第二端与第三连接部21能够电性连接。可见,通过镭射熔接的作用,使得第二连接部12的第二端与第三连接部21导通,从而使第二连接部12的第二端与第三连接部21电性导通。
可以看出,在不需要检测面板时,第三连接部21与第二连接部12的第二端电性绝缘。只有在检测面板异常时,第三连接部21与第二连接部12的第二端才电性导通。
于是,在第三连接部21与第二连接部12的第二端电性导通后,即形成了以下信号传输通道:栅极驱动电路的输出端4—第一连接部11—第三连接部21—第二连接部12—测试垫5。即,栅极驱动电路的输出信号依次通过第一连接部11、第三连接部21和第二连接部12传导到测试垫5上。上述信号传输通道只有在检测面板异常时才形成。这样,能够避免现有技术中由栅极驱动电路的输出端4始终与测试垫5连接导致的静电释放对栅极驱动电路的破坏,从而避免了构成栅极驱动电路的薄膜晶体管的击穿与损坏。
在本实施例中,巧妙地采用镭射熔接的方式,在检测面板异常时使第二连接部12的第二端与第三连接部21电性导通。
应用本实施例的检测装置,第三连接部21相当于用于使第一连接部11和第二连接部12在检测面板异常时才电性连接的一次性开关。可见,在不需要检测面板时,第一连接部11与第二连接部12彼此断开。只有在检测面板异常时,才通过第三连接部21使第一连接部11和第二连接部12电性连接,以使栅极驱动电路输出端4的输出信号依次通过第一连接部11、第三连接部21和第二连接部12传导到测试垫5上。
因此,由栅极驱动电路的输出端4始终与测试垫5连接导致的静电释放不会传导到栅极驱动电路中,也就不会对栅极驱动电路造成破坏,从而避免了构成栅极驱动电路的薄膜晶体管的击穿与损坏。换句话说,本发明实施例有利于提高液晶显示面板的产品良率。
此外,本实施例中各连接部的连接结构简单不复杂,有利于在检测面板异常时输出信号到测试垫5的有效传输。
实施例三
本实施例在实施例一或实施例二的基础上,对第一金属层和第二金属层的图案,以及各金属和绝缘层30的材料进行了优化。
在本实施例中,第一金属层除了包括第一连接部11的图案和第二连接部12的图案外,还包括显示面板的扫描线的图案以及显示面板的开关元件的栅极的图案。即,第一连接部11、第二连接部12与显示面板的扫描线和开关元件的栅极同层设置。可见,本实施例有利于减少显示面板的制作工艺。这里,第一金属层优选采用钼/铝双层金属结构形成,但本发明并不限制于此。例如,第一金属层也可采用钼/钨双层金属结构或铝单层金属结构形成。
在本实施例中,第二金属层除了包括第三连接部21的图案外,还包括显示面板的数据线的图案以及显示面板的开关元件的源极和漏极的图案。即,第三连接部21与显示面板的数据线和开关元件的漏极和源极同层设置。可见,本实施例有利于减少显示面板的制作工艺。这里,第二金属层优选采用钼/铝/锗三层金属结构形成,但本发明并不限制于此。例如,第二金属层也可采用钛/铝/钛三层金属结构。
在本实施例中,绝缘层30可以由氮化硅制成。绝缘层30的材料也可为氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)中的一种或两种。需要说明的是,本发明实施例并不限制绝缘层30的材料,只要是所采用的绝缘层30的材料性能可以满足栅极驱动电路的检测装置的性能要求即可。
实施例四
本实施例提供了基于上述实施例一、实施例二或者实施例三中栅极驱动电路的检测装置的检测方法。
图4示出了本发明实施例栅极驱动电路的检测方法的流程示意图。参照图4,本实施例栅极驱动电路的检测方法主要包括步骤S101至步骤S103。
结合图1至图3,在步骤101中,提供一检测装置,并使检测装置包括测试垫5及电连接栅极驱动电路和测试垫5的连接件。连接件包括第一连接部11、第二连接部12和第三连接部21。其中,第一金属层包括第一连接部11的图案和第二连接部12的图案,第二金属层包括第三连接部21的图案,并且,第一金属层和第二金属层之间设置有绝缘层30。此外,第一连接部11的第一端与栅极驱动电路的输出端4电性连接,第二连接部12的第一端与测试垫5电性连接。第一连接部11的第二端与第三连接部21电性连接,第二连接部12的第二端与第三连接部21电性绝缘。
具体地,此步骤中提供的检测装置为上述实施例一至实施例三中任意一个实施例的检测装置。
在步骤102中,判断是否需要检测栅极驱动电路。
在步骤103中,在步骤102判断出需要检测栅极驱动电路时,通过镭射熔化第二连接部12的第二端与第三连接部21之间的绝缘材料,以使第二连接部12的第二端与第三连接部21电性连接,从而使栅极驱动电路的输出信号依次经过连接件和测试垫5输出。在步骤102判断出不需要检测栅极驱动电路时,返回步骤102继续进行上述判断。在一优选的实施例中,上述方法还包括根据测试垫5输出的信号,确定栅极驱动电路的状态。
具体地,镭射(激光)具有高亮度、高方向性、高单色性和高相干性的特性。激光束能在第三连接部21的正上方产生数千度乃至上万度的高温。第三连接部21表面被激光束照射的区域开始溶解,从而形成流动的液态金属。该液态金属穿过绝缘层30后与第二连接部12熔接在一起。这样,第二连接部12的第二端与第三连接部21能够电性连接。可见,通过镭射熔接的作用,使得第二连接部12的第二端与第三连接部21导通,从而使第二连接部12的第二端与第三连接部21电性导通。
于是,即形成了以下信号传输通道:栅极驱动电路的输出端4—第一连接部11—第三连接部21—第二连接部12—测试垫5。即,栅极驱动电路的输出信号依次通过第一连接部11、第三连接部21和第二连接部12传导到测试垫5上。第二连接部12与第三连接部21只在检测面板异常时才电性导通。因此,能够避免现有技术中由栅极驱动电路的输出端4始终与测试垫5连接导致的静电释放对栅极驱动电路的破坏,进而避免了构成栅极驱动电路的薄膜晶体管的击穿与损坏。
应用本实施例,巧妙地采用镭射熔接的方式,在检测面板异常时使第二连接部12的第二端与第三连接部21电性导通。
总体来讲,应用本发明实施例提供的栅极驱动电路检测方法,所提供的检测装置包括的第三连接部21相当于用于使第一连接部11和第二连接部12在检测面板异常时才电性连接的一次性开关。可见,在不需要检测面板时,第一连接部11与第二连接部12彼此断开。只有在检测面板异常时,才通过第三连接部21使第一连接部11和第二连接部12电性连接,以使栅极驱动电路输出端4的输出信号依次通过第一连接部11、第三连接部21和第二连接部12传导到测试垫5上。
因此,由栅极驱动电路的输出端4始终与测试垫5连接导致的静电释放不会传导到栅极驱动电路中,也就不会对栅极驱动电路造成破坏,从而避免了构成栅极驱动电路的薄膜晶体管的击穿与损坏。换句话说,本实施例有利于提高液晶显示面板的产品良率。
虽然本发明所公开的实施方式如上,但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式,并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员,在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下,可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化,但本发明的保护范围,仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种栅极驱动电路的检测装置,其特征在于,包括测试垫及电连接所述栅极驱动电路和所述测试垫的连接件,所述连接件包括第一连接部、第二连接部和第三连接部;
其中,所述第一连接部的第一端与所述栅极驱动电路的输出端电性连接,所述第二连接部的第一端与所述测试垫电性连接;
所述第一连接部的第二端与所述第三连接部电性连接,所述第二连接部的第二端与所述第三连接部电性绝缘。
2.根据权利要求1所述的检测装置,其特征在于,所述第一连接部和所述第二连接部设置在第一金属层,所述第三连接部设置在第二金属层,且所述第一金属层和第二金属层绝缘设置。
3.根据权利要求2所述的检测装置,其特征在于,所述第一金属层和第二金属层之间设置有绝缘层,以使所述第一金属层和第二金属层绝缘设置。
4.根据权利要求3所述的检测装置,其特征在于,所述绝缘层上设置有至少一个过孔,所述第一连接部的第二端通过所述过孔与所述第三连接部电性连接。
5.根据权利要求2所述的检测装置,其特征在于,所述第一金属层还包括显示面板的扫描线的图案以及所述显示面板的开关元件的栅极的图案。
6.根据权利要求2所述的检测装置,其特征在于,所述第二金属层还包括显示面板的数据线的图案以及所述显示面板的开关元件的源极和漏极的图案。
7.根据权利要求2所述的检测装置,其特征在于,所述绝缘层由氮化硅制成;和/或
所述第一金属层由钼/铝制成,所述第二金属层由钼/铝/锗制成。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的检测装置,其特征在于,
在检测面板异常时,所述第二连接部的第二端与所述第三连接部之间的绝缘材料通过镭射被熔化,以使得所述第二连接部的第二端与所述第三连接部电性连接。
9.一种栅极驱动电路的检测方法,其特征在于,包括:
提供一检测装置,并使所述检测装置包括测试垫及电连接所述栅极驱动电路和所述测试垫的连接件,所述连接件包括第一连接部、第二连接部和第三连接部;其中,所述第一连接部的第一端与所述栅极驱动电路的输出端电性连接,所述第二连接部的第一端与所述测试垫电性连接;所述第一连接部的第二端与所述第三连接部电性连接,所述第二连接部的第二端与所述第三连接部电性绝缘;
判断是否需要检测所述栅极驱动电路;
在判断出需要检测所述栅极驱动电路时,通过镭射熔化所述第二连接部的第二端与所述第三连接部之间的绝缘材料,以使所述第二连接部的第二端与所述第三连接部电性连接,从而使栅极驱动电路的输出信号依次经过所述连接件和所述测试垫输出。
10.根据权利要求9所述的检测方法,其特征在于,还包括:
根据所述测试垫输出的信号,确定所述栅极驱动电路的状态。
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KR20210135385A (ko) * | 2020-05-04 | 2021-11-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 게이트 검사부 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101515442A (zh) * | 2008-02-21 | 2009-08-26 | 中华映管股份有限公司 | 周边电路 |
JP2009210867A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Sony Corp | 表示装置とその製造方法および製造装置 |
CN103559856A (zh) * | 2013-10-17 | 2014-02-05 | 友达光电(厦门)有限公司 | 显示面板与显示面板的出厂来源的识别系统与方法 |
CN104777637A (zh) * | 2015-05-08 | 2015-07-15 | 上海中航光电子有限公司 | 阵列基板、触控显示装置及其测试方法 |
CN105609023A (zh) * | 2015-12-31 | 2016-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种测试元件组、阵列基板、检测设备及检测方法 |
US20170017328A1 (en) * | 2015-07-17 | 2017-01-19 | Innolux Corporation | Touch display panel and fabrication thereof |
Family Cites Families (7)
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---|---|---|---|---|
JPH10198292A (ja) * | 1996-12-30 | 1998-07-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
CN101021628B (zh) * | 2007-02-16 | 2011-07-20 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示面板的测试系统及方法及阵列基板 |
JP2010182921A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Toshiba Corp | 放電検知回路 |
US8970508B2 (en) * | 2010-02-11 | 2015-03-03 | Lg Display Co., Ltd. | Touch screen panel |
CN202042156U (zh) * | 2010-11-09 | 2011-11-16 | 华映视讯(吴江)有限公司 | Gip面板的测试结构 |
KR101447740B1 (ko) * | 2012-08-13 | 2014-10-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 일체형 디스플레이 장치와 이의 구동방법 |
CN104851404B (zh) * | 2015-06-04 | 2018-09-04 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 阵列基板及其修复方法、测试方法、制作方法、显示装置 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101515442A (zh) * | 2008-02-21 | 2009-08-26 | 中华映管股份有限公司 | 周边电路 |
JP2009210867A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Sony Corp | 表示装置とその製造方法および製造装置 |
CN103559856A (zh) * | 2013-10-17 | 2014-02-05 | 友达光电(厦门)有限公司 | 显示面板与显示面板的出厂来源的识别系统与方法 |
CN104777637A (zh) * | 2015-05-08 | 2015-07-15 | 上海中航光电子有限公司 | 阵列基板、触控显示装置及其测试方法 |
US20170017328A1 (en) * | 2015-07-17 | 2017-01-19 | Innolux Corporation | Touch display panel and fabrication thereof |
CN105609023A (zh) * | 2015-12-31 | 2016-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种测试元件组、阵列基板、检测设备及检测方法 |
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