CN107884693A - 电气特性测试方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电气特性测试方法，应用于显示面板，所述显示面板的像素补偿电路包括多个薄膜晶体管，所述方法包括：去除所述显示面板中位于待测薄膜晶体管的漏极走线上方的膜层；使用第一激光对所述像素补偿电路中的待测试薄膜晶体管与所述像素补偿电路中的其他薄膜晶体管连接的位置以及所述待测试薄膜晶体管与其他像素电路连接的位置进行切割操作；使用探针扎入探测位置，并向所述探针施加预设电压以对所述待测薄膜晶体管的电气特性进行测试。本发明的电气特性测试方法，可以使得探针更精准地接触到显示区域内的金属层，方便对密集阵列显示区域内的薄膜晶体管器件进行电气特性测试与评价，还可以避免其他薄膜晶体管带来的漏电，影响测试结果。

Description

电气特性测试方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种应用于显示面板的电气特性测试方法。

背景技术

在显示领域，有源矩阵有机发光二极体(Active Matrix Organic LightEmitting Diode，AMOLED)具有宽广的色域、高的对比度、节能且可折叠等优点，在新一代显示技术中是最具竞争力的技术之一。

目前，AMOLED的驱动电路大多具有7T1C结构(即像素补偿电路中包括7个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)和1个电容的结构)，该结构的电路可以有效地进行像素补偿，还可以有效地补偿驱动(Drive)TFT的阈值电压，从而改善画质。但是，相较于具有1T1C结构的液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)的驱动电路，AMOLED的驱动电路存在结构复杂、有限的空间内的TFT个数较多、连接关系复杂、而且金属裸露面积过小的问题，如此会导致对显示区域内的TFT器件(如Drive TFT)进行电气特性测试较为困难。

发明内容

本发明实施例提供一种用于测量显示面板的像素补偿电路的电气特性测试方法，其可以使得探针更精准地接触到显示区域内的金属层，方便对密集阵列显示区域内的薄膜晶体管器件进行电气特性测试与评价，还可以避免其他薄膜晶体管带来的漏电，影响测试结果。

本发明实施例提供了一种电气特性测试方法，用于测量显示面板的像素补偿电路，所述显示面板的像素补偿电路包括多个薄膜晶体管，所述电气特性测试方法包括：

去除所述显示面板中位于待测薄膜晶体管的漏极走线上方的膜层；

使用第一激光对所述像素补偿电路中的待测试薄膜晶体管与所述像素补偿电路中的其他薄膜晶体管连接的位置以及所述待测试薄膜晶体管与其他像素电路连接的位置进行切割操作；

使用探针扎入探测位置，并向所述探针施加预设电压以对所述待测薄膜晶体管的电气特性进行测试，其中，所述探测位置至少包括第一探测位置、第二探测位置和第三探测位置；

其中，所述第一探测位置和所述第二探测位置分别用于为所述待测薄膜晶体管的栅极和漏极提供电压，所述第三探测位置用于为发光信号线提供电压，所述发光信号线用于提供发光信号，所述发光信号为使得像素发光的开启信号。

其中，所述去除所述显示面板中位于待测薄膜晶体管的漏极走线上方的膜层，包括：

对所述待测薄膜晶体管进行加热操作；

当进行加热操作时，将浓酸滴在需要除膜的区域；

使用超声清洗仪对所述薄膜晶体管进行清洗操作，去除位于所述待测薄膜晶体管的漏极走线上方的膜层，所述膜层包括有机膜层和/或无机膜层。

其中，所述对所述待测薄膜晶体管进行加热操作，包括：

在加热板上对所述待测薄膜晶体管进行加热操作，所述加热操作的温度为180℃，所述加热操作的时间为25至30分钟。

其中，所述浓酸包括浓硝酸。

其中，所述清洗操作的温度为80℃，所述清洗操作的时间为10分钟。

其中，所述第一激光的波长为1064nm。

其中，所述使用探针扎入探测位置，并向所述探针施加预设电压以对所述待测薄膜晶体管的电气特性进行测试，包括：

使用第一探针、第二探针、第三探针和第四探针分别扎入所述第一探测位置、所述第二探测位置、所述第三探测位置和第四探测位置，其中，所述第四探测位置用于为所述待测薄膜晶体管的源极提供电压；

向所述第一探针施加第一循环电压，向所述第二探针施加第一电压，向所述第三探针施加第一负压，以及向所述第四探针施加第二电压，得到第一电气特性曲线；

向所述第一探针施加所述第一循环电压，向所述第二探针施加第三电压，向所述第三探针施加所述第一负压，以及向所述第四探针施加所述第二电压，得到第二电气特性曲线；

通过对比所述第一电气特性曲线和所述第二电气特性曲线，分析所述待测薄膜晶体管的电气特性。

其中，所述电气特性测试方法还包括：

在第四探测位置，使用第二激光对所述待测薄膜晶体管的栅极走线与所述待测薄膜晶体管的源极走线进行焊接操作，所述第四探测位置用于为所述待测薄膜晶体管的源极提供电压。

其中，所述第二激光的波长为532nm。

其中，所述使用探针扎入探测位置，并通过向所述探针施加预设电压，对所述待测薄膜晶体管的电气特性进行测试，包括：

使用第一探针、第二探针和第三探针分别扎入所述第一探测位置、所述第二探测位置和所述第三探测位置；

向所述第一探针施加第二循环电压，向所述第三探针施加第二负压，向所述第二探针施加第三负压，得到第三电气特性曲线，其中，所述第三负压小于所述第二负压；

向所述第一探针施加所述第二循环电压，向所述第三探针施加所述第二负压，向所述第二探针施加第四负压，得到第四电气特性曲线，其中，所述第四负压小于所述第二负压；

通过对比所述第三电气特性曲线和所述第四电气特性曲线，分析所述待测薄膜晶体管的电气特性。

本发明实施例通过去除金属层上多余的有机膜层和/或无机膜层，可以使得探针更精准地接触到显示区域内的金属层，方便对密集阵列显示区域内的薄膜晶体管器件进行电气特性测试与评价；此外，通过激光切割，本发明实施例的电气特性测试方法还可以避免其他薄膜晶体管带来的漏电，影响测试结果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的应用于显示面板的电气特性测试方法的示意流程图。

图2为本发明实施例提供的像素补偿电路的电路示意图。

图3为本发明实施例提供的探针所接触位置的俯视示意图。

图4为本发明实施例提供的除膜前探针所接触位置的截面示意图。

图5为本发明实施例提供的除膜后探针所接触位置的截面示意图。

图6为本发明实施例提供的激光切割位置示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式是本发明的一部分实施方式，而不是全部实施方式。基在本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施方式，都应属在本发明保护的范围。

此外，以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明中所提到的方向用语，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”等，仅是参考附加图式的方向，因此，使用的方向用语是为了更好、更清楚地说明及理解本发明，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸地连接，或者一体地连接；可以是机械连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

此外，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。若本说明书中出现“工序”的用语，其不仅是指独立的工序，在与其它工序无法明确区域别时，只要能实现所述工序所预期的作用则也包括在本用语中。另外，本说明书中用“～”表示的数值范围是指将“～”前后记载的数值分别作为最小值及最大值包括在内的范围。在附图中，结构相似或相同的单元用相同的标号表示。

本发明实施例提供一种用于测量显示面板的像素补偿电路的电气特性测试方法，其通过去除金属层上多余的有机膜层和/或无机膜层，可以使得探针更精准地接触到显示区域内的金属层，方便对密集阵列显示区域内的薄膜晶体管器件进行电气特性测试与评价；此外，通过激光切割，本发明实施例的电气特性测试方法还可以避免其他薄膜晶体管带来的漏电，影响测试结果。下面将结合图1至图6对本发明实施例提供的应用于显示面板的电气特性测试方法进行具体描述。

请参见图1，图1为本发明实施例提供的应用于显示面板的电气特性测试方法的示意流程图。本发明实施例的电气特性测试方法包括以下步骤：

S1：去除所述显示面板中位于待测薄膜晶体管的漏极走线上方的膜层。

在本发明的实施例中，所述显示面板包括多个像素补偿电路。其中，每个所述像素补偿电路包括多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。在一个具体的实施例中，每个所述像素补偿电路具有7T1C结构，即每个所述像素补偿电路包括7个薄膜晶体管和1个电容。

在本发明的实施例中，所述待测薄膜晶体管所在的像素补偿电路的电路示意图如图2所示。其中，所述待测薄膜晶体管所在的像素补偿电路包括待测薄膜晶体管01，形成所述待测薄膜晶体管01的栅极(GATE)走线的第一金属线02，与所述第一金属线02形成电容的第二金属线03，形成所述待测薄膜晶体管01的源极(Source)/漏极(Drain)走线的第三金属线04以及阳极(图未示)。所述待测薄膜晶体管01、所述第一金属线02、所述第二金属线03和所述第三金属线04两两之间均存在绝缘层(图未示)。其中，第一连接位置05为所述第三金属线04与所述阳极连接的位置，用于传输电源电压VDD给所述阳极；所述第二连接位置06为所述第三金属线04与所述第一金属线02连接的位置，用于将所述第三金属线04中的电位传输到所述待测薄膜晶体管01的栅极。在本发明的实施例中，位于所述第一连接位置05和所述第二连接位置06的所述第三金属线04的金属线面积增加。

请一并参见图2和图3，当采用四探针法对所述待测薄膜晶体管01进行电气特性测试时，探针所接触位置的俯视图如图3所示。其中，所述第一探测位置07为所述待测薄膜晶体管01的栅极提供电压，所述第二探测位置08为所述待测薄膜晶体管01的漏极提供电压，所述第三探测位置09用于为发光(Emit)信号线提供电压，所述第四探测位置10用于为所述待测薄膜晶体管01的源极提供电压。其中，所述发光信号线用于提供发光信号，所述发光信号为使得像素发光的开启信号。

请一并参见图3和图4，当采用四探针法对所述待测薄膜晶体管01进行电气特性测试时，探针所接触位置的截面图如图4所示。在本发明的实施例中，所述显示面板包括阵列基板11，设置于所述阵列基板11上的位于所述第三金属线04下方的膜层12，所述第三金属线04所在的金属层13，依次设置于所述金属层13上的有机膜层14、阳极层15和无机膜层16。

为了对所述待测薄膜晶体管01进行电气特性测试，本发明实施例通过去除位于所述第三金属线04上方的所述有机膜层14和所述无机膜层16，将所述第三金属线04完全裸露出来。

在本发明的实施例中，首先对所述待测薄膜晶体管01进行加热操作，在一个具体的实施例中，在加热板上对所述待测薄膜晶体管01进行加热操作，所述加热操作的温度为180℃，所述加热操作的时间为25至30分钟。

在加热过程中，将浓酸滴在需要除膜的区域，即将浓酸滴在所述第一探测位置07、所述第二探测位置08、所述第三探测位置09和所述第四探测位置10所在的区域。在一个具体的实施例中，所述浓酸包括浓硝酸。

在所述加热操作结束后，使用超声清洗仪对所述待测薄膜晶体管01进行清洗操作。在一个具体的实施例中，所述清洗操作的温度为80℃，所述清洗操作的时间为10分钟。

通过上述基于加热操作和清洗操作的化学试剂(即浓酸)除膜，位于所述第三金属线04上方的所述有机膜层14和所述无机膜层16被去除，所述第三金属线04完全裸露出来。在所述有机膜层14和所述无机膜层16被去除后，所述探针所接触位置的截面图如图5所示。

S2：使用第一激光对所述像素补偿电路中的待测试薄膜晶体管与所述像素补偿电路中的其他薄膜晶体管连接的位置以及所述待测试薄膜晶体管与其他像素电路连接的位置进行切割操作。

请一并参见图3和图6，当所述显示面板的像素驱动电路包括7个薄膜晶体管，且所述待测薄膜晶体管01为驱动(Drive)薄膜晶体管时，第一激光切割的位置如图6所示。其中，第一切割位置17用于将所述待测薄膜晶体管01所在的像素(或像素驱动电路)与其他像素(或其他像素驱动电路)之间的连接断开，第二切割位置18用于将所述待测薄膜晶体管01与双栅极(Dual GATE)薄膜晶体管之间的连接断开，第三切割位置19用于将所述待测薄膜晶体管01与除所述双栅极薄膜晶体管之外的5个薄膜晶体管之间的连接断开。

在本发明的实施例中，使用所述第一激光对所述第一切割位置17、所述第二切割位置18和所述第三切割位置19进行切割操作。在一个具体的实施例中，所述第一激光的波长为1064nm。

S3：使用探针扎入探测位置，并向所述探针施加预设电压以对所述待测薄膜晶体管的电气特性进行测试。

当采用四探针法对所述待测薄膜晶体管01进行电气特性测试时，所述探测位置包括所述第一探测位置07、所述第二探测位置08和所述第三探测位置09和所述第四探测位置10。从而，所述使用探针扎入探测位置，并向所述探针施加预设电压以对所述待测薄膜晶体管的电气特性进行测试具体包括以下步骤：

使用第一探针、第二探针、第三探针和第四探针分别扎入所述第一探测位置07、所述第二探测位置08、所述第三探测位置09和所述第四探测位置10；

向所述第一探针施加第一循环电压，向所述第三探针施加第一负压，向所述第四探针施加第一电压，向所述第二探针施加第二电压和第三电压，分别得到第一电气特性曲线和第二电气特性曲线；在一个具体的实施例中，所述第一循环电压的电压范围为-15V至15V，且所述第一循环电压的电压间隔为0.2V，所述第一负压的电压值为-9V，所述第一电压的电压值为0V，所述第二电压的电压值为0.1V，所述第三电压的电压值为10V；

通过对比所述第一电气特性曲线和所述第二电气特性曲线，分析所述待测薄膜晶体管01的电气特性。

在一个具体的实施例中，所述电气特性测试方法还包括：在所述第四探针位置10，使用第二激光对所述第一金属线02与所述第三金属线04进行焊接操作，在一个具体的实施例中，所述第二激光的波长为532nm。

当位于所述第四探针位置10的所述第一金属线02与所述第三金属线04焊接在一起时，所述第三探针上的信号同时能够到达所述待测薄膜晶体管01的源极，因此，仅使用所述第一探针、所述第二探针和所述第三探针(称为三探针法)也能够实现对所述待测薄膜晶体管的电气特性进行测试。

当采用上述的三探针法对所述待测薄膜晶体管01进行电气特性测试时，所述使用探针扎入探测位置，并向所述探针施加预设电压以对所述待测薄膜晶体管的电气特性进行测试具体包括以下步骤：

使用所述第一探针、所述第二探针和所述第三探针分别扎入所述第一探测位置07、所述第二探测位置08和所述第三探测位置09；

向所述第一探针施加第二循环电压，向所述第三探针施加第二负压，向所述第二探针施加小于第三负压和第四负压，分别得到第三电气特性曲线和第四电气特性曲线，其中，所述第三负压和所述第四负压均小于所述第二负压；在一个具体的实施例中，所述第二循环电压的电压范围为-15V至15V，且所述第二循环电压的电压间隔为0.2V，所述第二负压的电压值为-9V；

通过对比所述第三电气特性曲线和所述第四电气特性曲线，分析所述待测薄膜晶体管01的电气特性。

本发明实施例通过增加金属线面积以及去除金属层上多余的有机膜层和无机膜层，可以使得探针更精准地接触到显示区域内的金属层，方便对密集阵列显示区域内的薄膜晶体管器件进行电气特性测试与评价；此外，通过激光切割，本发明实施例的电气特性测试方法还可以避免其他薄膜晶体管带来的漏电，影响测试结果。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含在本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上对本发明实施例所提供的应用于显示面板的电气特性测试方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种电气特性测试方法，用于测量显示面板的像素补偿电路，所述显示面板的像素补偿电路包括多个薄膜晶体管，其特征在于，所述电气特性测试方法包括：

去除所述显示面板中位于待测薄膜晶体管的漏极走线上方的膜层；

使用第一激光对所述像素补偿电路中的待测试薄膜晶体管与所述像素补偿电路中的其他薄膜晶体管连接的位置以及所述待测试薄膜晶体管与其他像素电路连接的位置进行切割操作；

使用探针扎入探测位置，并向所述探针施加预设电压以对所述待测薄膜晶体管的电气特性进行测试，其中，所述探测位置至少包括第一探测位置、第二探测位置和第三探测位置；

其中，所述第一探测位置和所述第二探测位置分别用于为所述待测薄膜晶体管的栅极和漏极提供电压，所述第三探测位置用于为发光信号线提供电压，所述发光信号线用于提供发光信号，所述发光信号为使得像素发光的开启信号。

2.如权利要求1所述的电气特性测试方法，其特征在于，所述去除所述显示面板中位于待测薄膜晶体管的漏极走线上方的膜层，包括：

对所述待测薄膜晶体管进行加热操作；

当进行加热操作时，将浓酸滴在需要除膜的区域；

使用超声清洗仪对所述薄膜晶体管进行清洗操作，去除位于所述待测薄膜晶体管的漏极走线上方的膜层，所述膜层包括有机膜层和/或无机膜层。

3.如权利要求2所述的电气特性测试方法，其特征在于，所述对所述待测薄膜晶体管进行加热操作，包括：

在加热板上对所述待测薄膜晶体管进行加热操作，所述加热操作的温度为180℃，所述加热操作的时间为25至30分钟。

4.如权利要求2所述的电气特性测试方法，其特征在于，所述浓酸包括浓硝酸。

5.如权利要求2所述的电气特性测试方法，其特征在于，所述清洗操作的温度为80℃，所述清洗操作的时间为10分钟。

6.如权利要求1所述的电气特性测试方法，其特征在于，所述第一激光的波长为1064nm。

7.如权利要求1至6任一项所述的电气特性测试方法，其特征在于，所述使用探针扎入探测位置，并向所述探针施加预设电压以对所述待测薄膜晶体管的电气特性进行测试，包括：

使用第一探针、第二探针、第三探针和第四探针分别扎入所述第一探测位置、所述第二探测位置、所述第三探测位置和第四探测位置，其中，所述第四探测位置用于为所述待测薄膜晶体管的源极提供电压；

向所述第一探针施加第一循环电压，向所述第二探针施加第一电压，向所述第三探针施加第一负压，以及向所述第四探针施加第二电压，得到第一电气特性曲线；

向所述第一探针施加所述第一循环电压，向所述第二探针施加第三电压，向所述第三探针施加所述第一负压，以及向所述第四探针施加所述第二电压，得到第二电气特性曲线；

通过对比所述第一电气特性曲线和所述第二电气特性曲线，分析所述待测薄膜晶体管的电气特性。

8.如权利要求1所述的电气特性测试方法，其特征在于，还包括：

在第四探测位置，使用第二激光对所述待测薄膜晶体管的栅极走线与所述待测薄膜晶体管的源极走线进行焊接操作，所述第四探测位置用于为所述待测薄膜晶体管的源极提供电压。

9.如权利要求8所述的电气特性测试方法，其特征在于，所述第二激光的波长为532nm。

10.如权利要求8或9所述的电气特性测试方法，其特征在于，所述使用探针扎入探测位置，并通过向所述探针施加预设电压，对所述待测薄膜晶体管的电气特性进行测试，包括：

使用第一探针、第二探针和第三探针分别扎入所述第一探测位置、所述第二探测位置和所述第三探测位置；

向所述第一探针施加第二循环电压，向所述第三探针施加第二负压，向所述第二探针施加第三负压，得到第三电气特性曲线，其中，所述第三负压小于所述第二负压；

向所述第一探针施加所述第二循环电压，向所述第三探针施加所述第二负压，向所述第二探针施加第四负压，得到第四电气特性曲线，其中，所述第四负压小于所述第二负压；

通过对比所述第三电气特性曲线和所述第四电气特性曲线，分析所述待测薄膜晶体管的电气特性。