CN111798780A - 测试装置及测试方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种测试装置及测试方法，属于显示技术领域，其可解决现有的不考虑弯折应力，导致测试结果不精确的问题。本发明的测试装置，用于对显示基板进行测试，显示基板具有显示区及与显示区一侧连接的测试区；测试区设置有多个第一薄膜晶体管，显示区设置有多个第二薄膜晶体管；测试装置包括：应力施加治具和量测平台；应力施加治具用于向第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管施加弯折应力；量测平台用于测量施加弯折应力的第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管的各个电极的电学参数；并根据第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管的各个电极的电学参数及向第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管施加的弯折应力，分析第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管的电学特性。

Description

测试装置及测试方法

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种测试装置及测试方法。

背景技术

随着显示技术的不断发展，可折叠柔性显示设备逐渐进入了人们的视野。在实际应用过程中，可折叠柔性显示设备会经过多次的弯折，弯折过程中产生的弯折应力容易造成柔性显示设备中的电学器件的损坏。为了提高可折叠柔性显示设备的使用寿命，需要制备过程中对柔性显示设备中电学器件的电学性能进行测试。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题：目前显示基板的测试过程中，一般不考虑弯折过程中产生的弯折应力对柔性显示设备中的电学器件的性能的影响，直接对制成的电学器件进行测试，从而容易导致测试结果不精确，影响柔性显示设备使用寿命。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种测试装置及测试方法。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种测试装置，用于对显示基板进行测试，所述显示基板具有显示区及与所述显示区一侧连接的测试区；所述测试区设置有多个第一薄膜晶体管，所述显示区设置有多个第二薄膜晶体管；所述测试装置包括：应力施加治具和量测平台；

所述应力施加治具用于向所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管施加弯折应力；

所述量测平台用于测量施加弯折应力的所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管的各个电极的电学参数；并根据所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管的各个电极的电学参数及向所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管施加的弯折应力，分析所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管的电学特性。

可选地，所述应力施加治具包括：承载部及与所述承载部铰接的压合部；

所述承载部相对所述压合部的一侧设置有凹槽，所述压合部相对所述承载部的一侧设置有与所述凹槽对应的凸起；

所述压合部朝着所述承载部的方向偏转，使得所述凹槽与所述凸起夹持所述显示基板，对所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管施加压应力。

可选地，所述应力施加治具包括：承载部及与所述承载部铰接的压合部；

所述承载部相对所述压合部的一侧设置有凸起，所述压合部相对所述承载部的一侧设置有与所述凸起对应的凹槽；

所述压合部朝着所述承载部的方向偏转，使得所述凸起与所述凹槽夹持所述显示基板，对所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管施加张应力。

可选地，所述凹槽包括弧形凹槽，所述凸起包括弧形凸起；所述弧形凹槽与所述弧形凸起的曲率半径相同，且所述弧形凹槽的深度与所述弧形凸起的高度相等。

可选地，所述承载部相对所述压合部的一侧设置有第一磁力结构；所述压合部相对所述承载部的一侧设置有与所述第一磁力结构对应的第二磁力结构；

所述第一磁力结构相对所述第二磁力结构一侧的极性与所述第二磁力结构相对所述第一磁力结构一侧的极性相反。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种测试方法，用于对显示基板进行测试，所述显示基板具有显示区及与所述显示区一侧连接的测试区；所述测试区设置有多个第一薄膜晶体管，所述显示区设置有多个第二薄膜晶体管；所述测试方法包括：

向所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管施加弯折应力；

测量施加弯折应力的所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管的各个电极的电学参数；并根据所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管的各个电极的电学参数及向所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管施加的弯折应力，分析所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管的电学特性。

可选地，所述向所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管施加弯折应力，包括：

将所述显示基板放置于所述应力施加治具的承载部上，使得所述显示基板中的第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管覆盖所述承载部的凹槽；

将所述压合部朝着所述承载部的方向偏转，使得所述凹槽与所述压合部的凸起夹持所述显示基板，对所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管施加压应力。

可选地，所述向所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管施加弯折应力，包括：

将所述显示基板放置于所述应力施加治具的承载部上，使得所述显示基板中的第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管覆盖所述承载部的凸起；

将所述压合部朝着所述承载部的方向偏转，使得所述凸起与所述压合部的凹槽夹持所述显示基板，对所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管施加张应力。

可选地，所述凸起包括弧形凸起，所述凹槽包括弧形凹槽；所述弧形凸起与所述弧形凹槽的曲率半径相同，且所述弧形凸起的高度与所述弧形凹槽的深度相等；

通过更换不同曲率半径的弧形凸起和对应的弧形凹槽，调整对所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管施加的弯折应力。

可选地，所述向所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管施加弯折应力，之前还包括：

将覆盖所述显示基板显示区的保护层去除，并对所述第一薄膜晶体管的连接电路进行修复，以露出所述第一薄膜晶体管的各个电极。

附图说明

图1为相关技术中一种显示基板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的测试装置中一种应力施加治具的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的测试装置中另一种应力施加治具的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的测试方法的流程示意图。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

在阵列基板的生产过程中，往往需要对阵列基板中的电学器件进行测试，以及时发现阵列基板中不良电学器件，并进行拦截，从而提高阵列基板的良率及制备效率。图1为相关技术中一种显示基板的结构示意图，如图1所述，在现有技术中，阵列基板具有显示区10及与显示区10一侧连接的测试区20。测试区20设置有多个第一薄膜晶体管，显示区10设置有多个第二薄膜薄膜晶体管。一般测试区20的第一薄膜晶体管与显示区10的第二薄膜晶体管采用相同工艺及相同材料制备而成，并且第一薄膜晶体管的各个电极连接有测试焊盘。在测试过程中，可以将测试装置中的测试探针插至测试焊盘上，以对测试区20内的第一薄膜晶体管的性能进行测试，从而判断显示区10内的第二薄膜晶体管的性能是否正常。随着显示技术的不断发展，可折叠柔性显示设备逐渐进入了人们的视野，在实际应用过程中，可折叠柔性显示设备会经过多次的弯折，弯折过程中产生的弯折应力容易造成柔性显示设备中的电学器件的损坏。然而，目前显示基板的测试过程中，一般不考虑弯折过程中产生的弯折应力对柔性显示设备中的电学器件的性能的影响，直接对制成的电学器件进行测试，从而容易导致测试结果不精确，影响柔性显示设备使用寿命。为了解决相关技术中的上述技术问题，本发明实施例提供了一种测试装置及测试方法，下面将结合具体实施方式及附图，对本发明实施例提供的测试装置及测试方法进行进一步详细描述。

实施例一

本发明实施例提供了一种测试装置，用于对如图1所示的显示基板进行测试，尤其用于对可折叠柔性显示基板进行测试。测试装置包括：应力施加治具和量测平台；应力施加治具用于向第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管施加弯折应力；量测平台用于测量施加弯折应力的第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管的各个电极的电学参数；并根据第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管的各个电极的电学参数及向第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管施加的弯折应力，分析第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管的电学特性。

本发明实施例提供的测试装置中，应力施加治具可以对测试区20的第一薄膜晶体管施加弯折应力，也可以对显示区10的第二薄膜晶体管施加弯折应力。量测平台可以将测试探针插至施加弯折应力的测试区20内的第一薄膜晶体管连接的测试焊盘上，对第一薄膜晶体管的电学参数进行测量，根据测量的电学参数以及施加应力的大小来分析第一薄膜晶体管的电学特性，从而判断显示区10内的第二薄膜晶体管的电学特性在弯折应力的影响下的变化趋势。量测平台还可以直接对施加应力的显示区10内的第二薄膜晶体管的电学参数直接进行测量，实现对第二薄膜晶体管电学参数的原位测量，直接分析获得第二薄膜晶体管的电学特性在弯折应力的影响下的变化趋势。本发明实施例提供的测试装置可以快速有效评价弯折应力对显示区10内的第二薄膜晶体管以及测试区20内的第一薄膜晶体管的电学特性的影响，因此可以更快更准确地掌握各个薄膜晶体管的电学特征(例如：阈值电压、亚阈值摆幅、漏电流等)在弯折应力作用下的变化规律，从而可以更好地对产品设计和制备工艺条件提供参考，进而保证产品的良率。并且可以通过弯折应力对显示区10内的第二薄膜晶体管以及测试区20内的第一薄膜晶体管的电学特性的影响，可以获得各个薄膜晶体管在弯折应力作用下电学特性的劣化趋势，从而可以为产品的不良解析提供一个新的分析手段，以及为产品的不良机理提供数据支撑和积累，进而可以提高产品良率。

在一些实施例中，如图2所示，应力施加治具包括：承载部201及与承载部201铰接的压合部202；承载部201相对压合部202的一侧设置有凹槽203，压合部202相对承载部201的一侧设置有与凹槽203对应的凸起204；压合部202朝着承载部201的方向偏转，使得凹槽203与凸起204夹持显示基板，对第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管施加压应力。

需要说明的是，应力施加治具中承载部201可以承载显示基板，压合部202与承载部201铰接，压合部202可以朝着承载部201的方向偏转，由于承载部201上设置有凹槽203，压合部202上设置有凸起204，可以将显示基板的显示区10或测试区20与承载部201上的凹槽203对应，这样，在压合部202朝着承载部201方向偏转时，凹槽203与凸起204可以相互咬合，从而对显示区10中的第二薄膜晶体管或者测试区20中的第一薄膜晶体管施加压应力。通过改变凹槽203与凸起204的规格，可以对各个薄膜晶体管施加不同大小的压应力。之后，可以对经过施加不同大小压应力的各个薄膜晶体管进行测量，获取不同薄膜晶体管中各个电极对应的电学参数，并结合施加的压应力，分析各个薄膜晶体管的电学特性。利用上述的应力施加治具可以快速有效评价压应力对显示区10内的第二薄膜晶体管以及测试区20内的第一薄膜晶体管的电学特性的影响，因此可以更快更准确地掌握各个薄膜晶体管的电学特征(例如：阈值电压、亚阈值摆幅、漏电流等)在压应力作用下的变化规律，从而可以更好地对产品设计和制备工艺条件提供参考，进而保证产品的良率。并且可以通过压应力对显示区10内的第二薄膜晶体管以及测试区20内的第一薄膜晶体管的电学特性的影响，可以获得各个薄膜晶体管在压应力作用下电学特性的劣化趋势，从而可以为产品的不良解析提供一个新的分析手段，以及为产品的不良机理提供数据支撑和积累，进而可以提高产品良率。

在一些实施例中，如图3所示，应力施加治具包括：承载部201及与承载部201铰接的压合部202；承载部201相对压合部202的一侧设置有凸起204，压合部202相对承载部201的一侧设置有与凸起204对应的凹槽203；压合部202朝着承载部201的方向偏转，使得凸起204与凹槽203夹持显示基板，对第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管施加张应力。

需要说明的是，应力施加治具中承载部201可以承载显示基板，压合部202与承载部201铰接，压合部202可以朝着承载部201的方向偏转，由于承载部201上设置有凸起204，压合部202上设置有凹槽203，可以将显示基板的显示区10或测试区20与承载部201上的凸起204对应，这样，在压合部202朝着承载部201方向偏转时，凸起204与凹槽203可以相互咬合，从而对显示区10中的第二薄膜晶体管或者测试区20中的第一薄膜晶体管施加张应力。通过改变凸起204与凹槽203的规格，可以对各个薄膜晶体管施加不同大小的压应力。之后，可以对经过施加不同大小张应力的各个薄膜晶体管进行测量，获取不同薄膜晶体管中各个电极对应的电学参数，并结合施加的张应力，分析各个薄膜晶体管的电学特性。利用上述的应力施加治具可以快速有效评价张应力对显示区10内的第二薄膜晶体管以及测试区20内的第一薄膜晶体管的电学特性的影响，因此可以更快更准确地掌握各个薄膜晶体管的电学特征(例如：阈值电压、亚阈值摆幅、漏电流等)在张应力作用下的变化规律，从而可以更好地对产品设计和制备工艺条件提供参考，进而保证产品的良率。并且可以通过张应力对显示区10内的第二薄膜晶体管以及测试区20内的第一薄膜晶体管的电学特性的影响，可以获得各个薄膜晶体管在张应力作用下电学特性的劣化趋势，从而可以为产品的不良解析提供一个新的分析手段，以及为产品的不良机理提供数据支撑和积累，进而可以提高产品良率。

在一些实施例中，凹槽203包括弧形凹槽，凸起204包括弧形凸起；弧形凹槽与弧形凸起的曲率半径相同，且弧形凹槽的深度与弧形凸起的高度相等。

需要说明的是，在实际应用中，可以将凹槽203和凸起204的表面做成尽量平滑，这样可以防止施加弯折应力时对显示基板造成损坏，在本发明实施例中，凹槽203可以为弧形凹槽，凸起204可以为弧形凸起，并且弧形凹槽与弧形凸起的曲率半径相同，且弧形凹槽的深度与弧形凸起的高度相等，这样可以保证弧形凹槽与弧形凸起相互咬合，以对显示基板施加弯折应力。在实际应用中，弧形凹槽和弧形凸起对应的弧长可以半圆，1/3圆或者其他的弧长，在此不做限定。可以通过更换不同曲率半径的弧形凹槽和弧形凸起，来对显示基板施中的各个薄膜晶体管施加不同的弯折应力。之后，可以对经过施加不同大小弯折应力的各个薄膜晶体管进行测量，获取不同薄膜晶体管中各个电极对应的电学参数，并结合施加的弯折应力，分析各个薄膜晶体管的电学特性。

在一些实施例中，如图2和图3所示，承载部201相对压合部202的一侧设置有第一磁力结构205；压合部202相对承载部201的一侧设置有与第一磁力结构205对应的第二磁力结构206；第一磁力结构205相对第二磁力结构206一侧的极性与第二磁力结构206相对第一磁力结构205一侧的极性相反。

需要说明的是，承载部201与压合部202上分别设置有极性相反的第一磁力结构205和第二磁力结构206，第一磁力结构205和第二磁力结构206之间可以相互吸引，以使得压合部202朝着承载部201的方向偏转，从而便于对显示基板中的各个薄膜晶体管施加弯折应力。在实际应用中，第一磁力结构205和第二磁力结构206的数量可以为多个，例如图2所示，第一磁力结构205的数量可以为两个，且两个第一磁力结构205分别位于弧形凹槽的两侧，第二磁力结构206与第一磁力结构205对应设置。可以理解的是，第一磁力结构205和第二磁力结构206可以采用磁铁制成。

实施例二

本发明实施例提供了一种测试方法，用于对如图1所示的显示基板进行测试，尤其用于对可折叠柔性显示基板进行测试。图4为本发明实施例提供的测试方法的流程示意图，如图4所示，该测试方法包括如下步骤：

S401，向第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管施加弯折应力。

S402，测量施加弯折应力的第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管的各个电极的电学参数；并根据第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管的各个电极的电学参数及向第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管施加的弯折应力，分析第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管的电学特性。

本发明实施例提供的测试装置中，可以利用应力施加治具对测试区20的第一薄膜晶体管施加弯折应力，以及对显示区10的第二薄膜晶体管施加弯折应力。再利用量测平台将测试探针插至施加弯折应力的测试区20内的第一薄膜晶体管连接的测试焊盘上，对第一薄膜晶体管的电学参数进行测量，根据测量的电学参数以及施加应力的大小来分析第一薄膜晶体管的电学特性，从而判断显示区10内的第二薄膜晶体管的电学特性在弯折应力的影响下的变化趋势。或者还可以直接对施加应力的显示区10内的第二薄膜晶体管的电学参数直接进行测量，实现对第二薄膜晶体管电学参数的原位测量，直接分析获得第二薄膜晶体管的电学特性在弯折应力的影响下的变化趋势。本发明实施例提供的测试方法可以快速有效评价弯折应力对显示区10内的第二薄膜晶体管以及测试区20内的第一薄膜晶体管的电学特性的影响，因此可以更快更准确地掌握各个薄膜晶体管的电学特征(例如：阈值电压、亚阈值摆幅、漏电流等)在弯折应力作用下的变化规律，从而可以更好地对产品设计和制备工艺条件提供参考，进而保证产品的良率。并且可以通过弯折应力对显示区10内的第二薄膜晶体管以及测试区20内的第一薄膜晶体管的电学特性的影响，可以获得各个薄膜晶体管在弯折应力作用下电学特性的劣化趋势，从而可以为产品的不良解析提供一个新的分析手段，以及为产品的不良机理提供数据支撑和积累，进而可以提高产品良率。

在一些实施例中，向第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管施加弯折应力，包括：将显示基板放置于应力施加治具的承载部上，使得显示基板中的第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管覆盖承载部的凹槽；将压合部朝着承载部的方向偏转，使得凹槽与压合部的凸起夹持显示基板，对第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管施加压应力。

需要说明的是，可以将显示基板放置于设置有凹槽的承载部上，将设置有与凹槽对应的凸起的压合部朝着承载部方向偏转，凹槽与凸起可以相互咬合，这样，可以对显示区中的第二薄膜晶体管或者测试区中的第一薄膜晶体管施加压应力。通过改变凹槽与凸起的规格，可以对各个薄膜晶体管施加不同大小的压应力。之后，可以对经过施加不同大小压应力的各个薄膜晶体管进行测量，获取不同薄膜晶体管中各个电极对应的电学参数，并结合施加的压应力，分析各个薄膜晶体管的电学特性。利用上述的应力施加治具可以快速有效评价压应力对显示区内的第二薄膜晶体管以及测试区内的第一薄膜晶体管的电学特性的影响，因此可以更快更准确地掌握各个薄膜晶体管的电学特征(例如：阈值电压、亚阈值摆幅、漏电流等)在压应力作用下的变化规律，从而可以更好地对产品设计和制备工艺条件提供参考，进而保证产品的良率。并且可以通过压应力对显示区内的第二薄膜晶体管以及测试区内的第一薄膜晶体管的电学特性的影响，可以获得各个薄膜晶体管在压应力作用下电学特性的劣化趋势，从而可以为产品的不良解析提供一个新的分析手段，以及为产品的不良机理提供数据支撑和积累，进而可以提高产品良率。

在一些实施例中，向第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管施加弯折应力，包括：将显示基板放置于应力施加治具的承载部上，使得显示基板中的第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管覆盖承载部的凸起；将压合部朝着承载部的方向偏转，使得凸起与压合部的凹槽夹持显示基板，对第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管施加张应力。

需要说明的是，可以将显示基板放置于设置有凸起的承载部上，将设置有与凸起对应的凹槽的压合部朝着承载部方向偏转，凸起与凹槽可以相互咬合，这样，可以对显示区中的第二薄膜晶体管或者测试区中的第一薄膜晶体管施加张应力。通过改变凸起与凹槽的规格，可以对各个薄膜晶体管施加不同大小的压应力。之后，可以对经过施加不同大小张应力的各个薄膜晶体管进行测量，获取不同薄膜晶体管中各个电极对应的电学参数，并结合施加的张应力，分析各个薄膜晶体管的电学特性。利用上述的应力施加治具可以快速有效评价张应力对显示区内的第二薄膜晶体管以及测试区内的第一薄膜晶体管的电学特性的影响，因此可以更快更准确地掌握各个薄膜晶体管的电学特征(例如：阈值电压、亚阈值摆幅、漏电流等)在张应力作用下的变化规律，从而可以更好地对产品设计和制备工艺条件提供参考，进而保证产品的良率。并且可以通过张应力对显示区内的第二薄膜晶体管以及测试区内的第一薄膜晶体管的电学特性的影响，可以获得各个薄膜晶体管在张应力作用下电学特性的劣化趋势，从而可以为产品的不良解析提供一个新的分析手段，以及为产品的不良机理提供数据支撑和积累，进而可以提高产品良率。

在一些实施例中，凸起包括弧形凸起，凹槽包括弧形凹槽；弧形凸起与弧形凹槽的曲率半径相同，且弧形凸起的高度与弧形凹槽的深度相等；通过更换不同曲率半径的弧形凸起和对应的弧形凹槽，调整对第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管施加的弯折应力。

需要说明的是，在实际应用中，可以将凹槽和凸起的表面做成尽量平滑，这样可以防止施加弯折应力时对显示基板造成损坏，在本发明实施例中，凹槽可以为弧形凹槽，凸起可以为弧形凸起，并且弧形凹槽与弧形凸起的曲率半径相同，且弧形凹槽的深度与弧形凸起的高度相等，这样可以保证弧形凹槽与弧形凸起相互咬合，以对显示基板施加弯折应力。在实际应用中，弧形凹槽和弧形凸起对应的弧长可以半圆，1/3圆或者其他的弧长，在此不做限定。可以通过更换不同曲率半径的弧形凹槽和弧形凸起，来对显示基板施中的各个薄膜晶体管施加不同的弯折应力。之后，可以对经过施加不同大小弯折应力的各个薄膜晶体管进行测量，获取不同薄膜晶体管中各个电极对应的电学参数，并结合施加的弯折应力，分析各个薄膜晶体管的电学特性。

在一些实施例中，向第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管施加弯折应力，之前还包括：将覆盖显示基板显示区的保护层去除，并对第一薄膜晶体管的连接电路进行修复，以露出第一薄膜晶体管的各个电极。

需要说明的是，显示基板的测试区内的第一薄膜晶体管一般连接有测试焊盘，测试焊盘可以裸露，测试探针可以直接插至各个测试焊盘上，从而连接第一薄膜晶体管的各个电极，进行测试。显示区的第二薄膜晶体管一般覆盖有保护层，在对显示区的第二薄膜晶体管施加弯折应力前，可以采用泡酸的方式将覆盖在显示区的保护层去除，并对显示区的连接电路进行修复，使得第二薄膜晶体管的各个电极裸露，从而使得测试探针可以插至第二薄膜晶体管的各个电极，进而可以对显示区的各个薄膜晶体管直接进行测试。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种测试装置，用于对显示基板进行测试，所述显示基板具有显示区及与所述显示区一侧连接的测试区；所述测试区设置有多个第一薄膜晶体管，所述显示区设置有多个第二薄膜晶体管；其特征在于，所述测试装置包括：应力施加治具和量测平台；

所述应力施加治具用于向所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管施加弯折应力；

所述量测平台用于测量施加弯折应力的所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管的各个电极的电学参数；并根据所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管的各个电极的电学参数及向所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管施加的弯折应力，分析所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管的电学特性。

2.根据权利要求1所述的测试装置，其特征在于，所述应力施加治具包括：承载部及与所述承载部铰接的压合部；

所述承载部相对所述压合部的一侧设置有凹槽，所述压合部相对所述承载部的一侧设置有与所述凹槽对应的凸起；

所述压合部朝着所述承载部的方向偏转，使得所述凹槽与所述凸起夹持所述显示基板，对所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管施加压应力。

3.根据权利要求1所述的测试装置，其特征在于，所述应力施加治具包括：承载部及与所述承载部铰接的压合部；

所述承载部相对所述压合部的一侧设置有凸起，所述压合部相对所述承载部的一侧设置有与所述凸起对应的凹槽；

所述压合部朝着所述承载部的方向偏转，使得所述凸起与所述凹槽夹持所述显示基板，对所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管施加张应力。

4.根据权利要求2或3所述的测试装置，其特征在于，所述凹槽包括弧形凹槽，所述凸起包括弧形凸起；所述弧形凹槽与所述弧形凸起的曲率半径相同，且所述弧形凹槽的深度与所述弧形凸起的高度相等。

5.根据权利要求2或3所述的测试装置，其特征在于，所述承载部相对所述压合部的一侧设置有第一磁力结构；所述压合部相对所述承载部的一侧设置有与所述第一磁力结构对应的第二磁力结构；

所述第一磁力结构相对所述第二磁力结构一侧的极性与所述第二磁力结构相对所述第一磁力结构一侧的极性相反。

6.一种测试方法，用于对显示基板进行测试，所述显示基板具有显示区及与所述显示区一侧连接的测试区；所述测试区设置有多个第一薄膜晶体管，所述显示区设置有多个第二薄膜晶体管；其特征在于，所述测试方法包括：

向所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管施加弯折应力；

测量施加弯折应力的所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管的各个电极的电学参数；并根据所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管的各个电极的电学参数及向所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管施加的弯折应力，分析所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管的电学特性。

7.根据权利要求6所述的测试方法，其特征在于，所述向所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管施加弯折应力，包括：

将所述显示基板放置于所述应力施加治具的承载部上，使得所述显示基板中的第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管覆盖所述承载部的凹槽；

将所述压合部朝着所述承载部的方向偏转，使得所述凹槽与所述压合部的凸起夹持所述显示基板，对所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管施加压应力。

8.根据权利要求6所述的显示基板测试方法，其特征在于，所述向所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管施加弯折应力，包括：

将所述显示基板放置于所述应力施加治具的承载部上，使得所述显示基板中的第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管覆盖所述承载部的凸起；

将所述压合部朝着所述承载部的方向偏转，使得所述凸起与所述压合部的凹槽夹持所述显示基板，对所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管施加张应力。

9.根据权利要求7或8所述的显示基板测试方法，其特征在于，所述凸起包括弧形凸起，所述凹槽包括弧形凹槽；所述弧形凸起与所述弧形凹槽的曲率半径相同，且所述弧形凸起的高度与所述弧形凹槽的深度相等；

通过更换不同曲率半径的弧形凸起和对应的弧形凹槽，调整对所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管施加的弯折应力。

10.根据权利要求7所述的测试方法，其特征在于，所述向所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管施加弯折应力，之前还包括：

将覆盖所述显示基板显示区的保护层去除，并对所述第一薄膜晶体管的连接电路进行修复，以露出所述第一薄膜晶体管的各个电极。

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