CN101969043B - 主动元件阵列基板及其制造方法 - Google Patents
主动元件阵列基板及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101969043B CN101969043B CN201010265856A CN201010265856A CN101969043B CN 101969043 B CN101969043 B CN 101969043B CN 201010265856 A CN201010265856 A CN 201010265856A CN 201010265856 A CN201010265856 A CN 201010265856A CN 101969043 B CN101969043 B CN 101969043B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- scan line
- contact
- those
- conductive layer
- patterned conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 105
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 184
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 61
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 50
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 36
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 31
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 15
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 13
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- -1 ITO) Chemical compound 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
Abstract
一种主动元件阵列基板及其制造方法。于基板上形成包括多个分离扫描线图案的第一图案化导电层。各扫描线图案包括相邻的第一扫描线及第二扫描线,第一扫描线及第二扫描线各自具有第一接点及第二接点。对扫描线图案进行断线检测。形成多个通道层于基板上。形成第二图案化导电层于基板上,包括多条与第一扫描线及第二扫描线交错的数据线、多个位于通道层上方的源极及漏极、多个连接线。源极对应地与数据线电性连接。连接线中的至少一个将每一扫描线图案中的第一扫描线及第二扫描线电性连接以构成回路图案。形成多个与漏极电性连接的像素电极。
Description
技术领域
本发明涉及一种阵列基板及其制造方法,且尤其涉及一种主动元件阵列基板及其制造方法。
背景技术
随着显示科技的日益进步,人们借着显示器的辅助可使生活更加便利,为求显示器轻、薄的特性,促使平面显示器(flat panel display,FPD)成为目前的主流。在诸多平面显示器中,液晶显示器(liquid crystal display,LCD)具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等优越特性,因此液晶显示器深受消费者欢迎。
一般而言,液晶显示面板主要是由主动元件阵列基板、对向基板以及夹于主动元件阵列基板与对向基板之间的液晶层所构成,其中主动元件阵列基板具有显示区(display region)与非显示区(non-display region),显示区内配置有多个阵列排列的像素单元,而每一像素单元包括主动元件以及与主动元件连接的像素电极。此外,显示区内更配置有多条扫描线(scan line)与数据线(data line),每一个像素单元的主动元件与对应的扫描线与数据线电性连接。
虽然目前技术已趋成熟,但主动元件阵列基板在制造过程之中难免会产生一些瑕疵(defect)。举例来说,主动元件阵列基板上的扫描线因其长度很长,故容易发生断路的情形,而导致一部分的像素单元无法动作,因此,必须对扫描线进行检测以判断是否有断线的问题发生。然而,在栅极采用双扫描线布局的设计下,因每一组双扫描线图案中的两条扫描线相互连接而形成回路,当其中一条扫描线发生断线时,测试信号依然可以通过回路中另一条扫描线传递。如此一来,无法有效地通过检测机台来判断回路设计的其中一条扫描线是否有断线的问题,使得检测机台对于主动元件阵列基板的瑕疵检测率极低,而导致产品可靠度受到冲击。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种主动元件阵列基板及其制造方法,可有助于检测断线缺陷以提高检测率。
本发明提出一种主动元件阵列基板的制造方法,其包括下列步骤。于基板上形成第一图案化导电层,第一图案化导电层包括多个彼此分离的扫描线图案,其中各扫描线图案包括第一扫描线以及邻近于第一扫描线的第二扫描线,第一扫描线具有第一接点以及第二接点,第二扫描线具有第一接点以及第二接点。对扫描线图案进行断线检测。形成多个通道层于基板上。形成第二图案化导电层于基板上,第二图案化导电层包括多条与第一扫描线及第二扫描线交错的数据线、多个位于通道层上方的源极以及漏极、多个连接线,其中源极对应地与数据线电性连接,连接线中的至少一个将每一扫描线图案中的第一扫描线及第二扫描线电性连接以构成一回路图案。形成多个与漏极电性连接的像素电极。
其中,于该基板上形成该第一图案化导电层的步骤中,该第一扫描线的第一接点不与该第二扫描线的第一接点连接,该第一扫描线的第二接点与该第二扫描线的第二接点连接。
其中,该断线检测通过一非接触式断线检测机台来进行,该非接触式断线检测机台包括一测试信号产生器以及一测试信号传感器,该测试信号产生器适于通过电流感应的方式分别使各该第一扫描线的第一接点产生一感测电流,该测试信号传感器适于在各该第二扫描线的第二接点上方分别感测流经各该第一扫描线的该感测电流。
其中,该非接触式断线检测机台沿着一检测方向移动以逐一对该些第一扫描线及该些第二扫描线进行非接触式断线检测。
其中,该断线检测通过一非接触式断线检测机台来进行,该非接触式断线检测机台包括一测试信号产生器以及一测试信号传感器,该测试信号产生器适于通过电流感应的方式分别使各该第一接点产生一感测电流,该测试信号传感器适于在各该第二接点上方分别感测流经各该第一扫描线及各该第二扫描线的该感测电流。
其中,该非接触式断线检测机台沿着一检测方向移动以逐一对该些第一扫描线及该些第二扫描线进行非接触式断线检测。
其中,该些通道层形成于该些扫描线图案上方或下方。
其中,更包括:在形成该第一图案化导电层之后以及形成第二图案化导电层之前,形成一绝缘层以覆盖该第一图案化导电层,其中该绝缘层具有多个接触窗,而各该连接线分别通过对应的接触窗使得该第一扫描线的第一接点与该第二扫描线的第一接点电性连接。
其中,对该些扫描线图案进行该断线检测的步骤包括:通过该第一接点对该些第一扫描线与该些第二扫描线进行一非接触式断线检测。
其中,该第一图案化导电层更包括至少一共通电极图案,该共通电极图案不与该扫描线图案连接。
其中,更包括对该共通电极图案进行另一断线检测。
其中,于该基板上形成该第一图案化导电层的步骤中,该第一扫描线的第一接点不与该第二扫描线的第一接点连接,该第一扫描线的第二接点不与该第二扫描线的第二接点连接。
其中,该断线检测通过一非接触式断线检测机台来进行,该非接触式断线检测机台包括一测试信号产生器以及一测试信号传感器,该测试信号产生器适于通过电流感应的方式分别使各该第一扫描线及各该第二扫描线的第一接点产生一感测电流,该测试信号传感器适于分别在各该第一扫描线及各该第二扫描线的第二接点上方分别感测流经各该第一扫描线及各该第二扫描线的该感测电流。
其中,该非接触式断线检测机台沿着一检测方向移动以逐一对该些第一扫描线及该些第二扫描线进行非接触式断线检测。
其中,该些通道层形成于该些扫描线图案上方或下方。
其中,更包括:在形成该第一图案化导电层之后以及形成第二图案化导电层之前,形成一绝缘层以覆盖该第一图案化导电层,其中该绝缘层具有多个接触窗,该些连接线分别通过对应的接触窗使得该第一扫描线的第一接点与该第二扫描线的第一接点电性连接,并通过对应的接触窗使得该第一扫描线的第二接点与该第二扫描线的第二接点电性连接。
其中,该第一图案化导电层更包括至少一共通电极图案,该共通电极图案不与该扫描线图案连接。
其中,更包括对该共通电极图案进行另一断线检测。
本发明另提出一种主动元件阵列基板的制造方法,其包括下列步骤。于基板上形成第一图案化导电层,第一图案化导电层包括多个彼此分离的扫描线图案,其中各扫描线图案包括:第一扫描线以及邻近于第一扫描线的至少一第二扫描线,第一扫描线具有第一接点以及第二接点,第二扫描线具有第一接点以及第二接点。对扫描线图案进行断线检测。形成多个通道层于基板上。形成第二图案化导电层于基板上,第二图案化导电层包括多条与该些第一扫描线及该些第二扫描线交错的数据线、多个位于该些通道层上方的源极以及漏极、多个第一连接线,其中源极对应地与数据线电性连接。形成第三图案化导电层,第三图案化导电层包括多个与漏极连接的像素电极以及多个第二连接线,其中第二扫描线透过第一连接线与第二连接线与对应的第一扫描线电性连接并构成一回路图案。
其中,于该基板上形成该第一图案化导电层的步骤中,该第一扫描线的第一接点不与该第二扫描线的第一接点连接,该第一扫描线的第二接点与该第二扫描线的第二接点连接。
其中,该断线检测通过一非接触式断线检测机台来进行,该非接触式断线检测机台包括一测试信号产生器以及一测试信号传感器,该测试信号产生器适于通过电流感应的方式分别使各该第一扫描线的第一接点产生一感测电流,该测试信号传感器适于在各该第二扫描线的第二接点上方分别感测流经各该第一扫描线的该感测电流。
其中,该非接触式断线检测机台沿着一检测方向移动以逐一对该些第一扫描线及该些第二扫描线进行非接触式断线检测。
其中,该断线检测通过一非接触式断线检测机台来进行,该非接触式断线检测机台包括一测试信号产生器以及一测试信号传感器,该测试信号产生器适于通过电流感应的方式分别使各该第一接点产生一感测电流,该测试信号传感器适于在各该第二接点上方分别感测流经各该扫描线的该感测电流。
其中,更包括:在形成该第一图案化导电层之后以及形成该第二图案化导电层之前,形成一绝缘层以覆盖该第一图案化导电层,其中各该第一连接线具有多个开口暴露出该绝缘层;在形成该第二图案化导电层之后以及形成该第三图案化导电层之前,形成一保护层以覆盖该第二图案化导电层;以及图案化该保护层与该绝缘层,以使该保护层具有多个第一接触窗,并使该绝缘层具有多个第二接触窗,其中该些第一接触窗位于该些开口上方,该些第二接触窗位于该些开口下方,且对于每一扫描线图案,各该第二连接线通过对应该些开口、该些第一接触窗及该些第二接触窗使得该第一扫描线的第一接点与该第二扫描线的第一接点电性连接。
其中,更包括:在形成该第一图案化导电层之后以及形成第二图案化导电层之前,形成一绝缘层以覆盖该第一图案化导电层,其中各该第一连接线具有多个开口暴露出该绝缘层;在形成该第二图案化导电层之后以及形成该第三图案化导电层之前,形成一保护层以覆盖该第二图案化导电层;以及图案化该保护层与该绝缘层,以使该保护层具有多个第一接触窗,并使该绝缘层具有多个第二接触窗,其中部分该些第一接触窗位于该些开口上方,其余该些第一接触窗位于该些开口上方以外的区域并暴露出该些第一连接线,该些第二接触窗位于该些开口下方,且各该第二连接线分别通过对应的该些开口、该些第一接触窗及该些第二接触窗使得对应的该第一扫描线的第一接点与该第二扫描线的第一接点电性连接。
其中,于该基板上形成该第一图案化导电层的步骤中,该第一扫描线的第一接点不与该第二扫描线的第一接点连接,该第一扫描线的第二接点不与该第二扫描线的第二接点连接。
本发明又提出一种主动元件阵列基板,其包括基板、第一图案化导电层、多个通道层、第二图案化导电层以及多个像素电极。第一图案化导电层配置于基板上,第一图案化导电层包括多个彼此分离的扫描线图案,其中各扫描线图案包括具有第一接点以及第二接点的第一扫描线,以及具有第一接点以及第二接点的第二扫描线。通道层配置于基板上。第二图案化导电层配置于基板上,第二图案化导电层包括多条与第一扫描线及第二扫描线交错的数据线、多个位于通道层上方的源极以及漏极、多个连接线,其中源极对应地与数据线电性连接,且连接线中的至少一个将每一扫描线图案中的第一扫描线及第二扫描线电性连接以构成一回路图案。像素电极与漏极连接。
其中,该些通道层形成于该些扫描线图案上方或下方。
其中,更包括一绝缘层,覆盖该第一图案化导电层,其中该绝缘层具有多个接触窗,各该连接线分别通过对应的接触窗与对应的第二扫描线的第一接点及第一扫描线的第一接点连接。
其中,该第一图案化导电层更包括至少一共通电极图案,该共通电极图案不与该扫描线图案连接。
本发明再提出一种主动元件阵列基板,其包括基板、第一图案化导电层、多个通道层、第二图案化导电层以及第三图案化导电层。第一图案化导电层配置于基板上,第一图案化导电层包括多个彼此分离的扫描线图案,其中各扫描线图案包括:具有第一接点以及第二接点的第一扫描线,以及具有第一接点以及第二接点的第二扫描线。通道层以及第二图案化导电层配置于基板上,第二图案化导电层包括多条与第一扫描线及第二扫描线交错的数据线、多个与第一扫描线及第二扫描线连接的源极、多个漏极,以及多个第一连接线。第三图案化导电层包括多个与漏极连接的像素电极以及多个第二连接线,其中第一连接线与第二连接线使第二扫描线与对应的第一扫描线的第一接点连接。
其中,该第一扫描线的第一接点不与该第二扫描线的第一接点连接,该第一扫描线的第二接点与该第二扫描线的第二接点连接。
其中,该些通道层形成于该些扫描线图案上方或下方。
其中,更包括:一保护层,以覆盖该第二图案化导电层,该保护层具有多个第一接触窗;以及一绝缘层,以覆盖该第一图案化导电层,该绝缘层具有多个第二接触窗,其中各该第一连接线具有多个开口,该些第一接触窗位于该些开口上方,该些第二接触窗位于该些开口下方,且对于每一扫描线图案,各该第二连接线通过对应的该些开口、该些第一接触窗及该些第二接触窗使得对应的该第一扫描线的第一接点与该第二扫描线的第一接点电性连接。
其中,更包括:一保护层,以覆盖该第二图案化导电层,该保护层具有多个第一接触窗;以及一绝缘层,以覆盖该第一图案化导电层,该绝缘层具有多个第二接触窗,其中各该第一连接线具有多个开口,部分该些第一接触窗位于该些开口上方,其余该些第一接触窗位于该些开口上方以外的区域并暴露出该些第一连接线,该些第二接触窗位于该些开口下方,且各该第二连接线分别通过对应的该些开口、该些第一接触窗及该些第二接触窗使得对应的该第一扫描线的第一接点与该第二扫描线的第一接点电性连接。
其中,该第一扫描线的第一接点不与该第二扫描线的第一接点连接,该第一扫描线的第二接点不与该第二扫描线的第二接点连接。
其中,该些通道层形成于该些扫描线图案上方或下方。
其中,该第一图案化导电层更包括至少一共通电极图案,该共通电极图案不与该扫描线图案连接。
基于上述,本发明通过不形成回路的扫描线图案的设计,分别对第一扫描线及第二扫描线进行断线检测,而能够更容易地判断出是否有断线缺陷的产生,而可有助于提升断线检测率。此外,在进行断线检测之后,才利用连接线电性连接第一扫描线及第二扫描线以形成回路图案,因此能够与现有制程兼容。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A、2A、3A、4A及图5A是依照本发明的第一实施例的一种主动元件阵列基板的制造流程上视示意图;
图1B、2B、3B、4B及图5B分别是沿着图1A、2A、3A、4A及图5A的线段I-I’的剖面示意图;
图1C是依照本发明的一实施例的进行断线检测的上视示意图;
图3C是沿着图3A的线段II-II’的剖面示意图;
图6是依照本发明的另一实施例的主动元件结构的剖面示意图;
图7A、8A、9A及图10A是依照本发明的第二实施例的一种主动元件阵列基板的制造流程上视示意图;
图7B、8B、9B及图10B分别是沿着图7A、8A、9A及图10A的线段III-III’的剖面示意图;
图10C是根据另一实施例而沿着图10A的线段III-III’的剖面示意图;
图11至图12是依照本发明的第三实施例的一种主动元件阵列基板的制造流程上视示意图。
其中,附图标记:
100:主动元件阵列基板
102:基板
104:第一图案化导电层
106、106’:扫描线图案
108:第一扫描线
108a、110a:第一接点
108b、110b:第二接点
110:第二扫描线
112:共通电极图案
114:非接触式断线检测机台
114a:测试信号产生器
114b:测试信号传感器
116、716:绝缘层
116a、128a、130a、130b:接触窗
118:通道层
120、120’、720:第二图案化导电层
122:数据线
124d:漏极
124s:源极
126、126’:连接线
128:共享总线线
130、730:保护层
132:像素电极
134:导电层
716a:第二接触窗
726:第一连接线
726a、726b:开口
730a、730b:第一接触窗
734:第二连接线
D:检测方向
I:感测电流
具体实施方式
接下来将进一步利用上视图及剖面图的方式说明本发明的主动元件阵列基板及其制造方法的实施例。图1A、2A、3A、4A及图5A是依照本发明的第一实施例的一种主动元件阵列基板的制造流程上视示意图。图1B、2B、3B、4B及图5B分别是沿着图1A、2A、3A、4A及图5A的线段I-I’的剖面示意图。图1C是依照本发明的一实施例的进行断线检测的上视示意图。图3C是沿着图3A的线段II-II’的剖面示意图。
请参照图1A及图1B,于基板102上形成第一图案化导电层104。基板102例如是如玻璃基板的硬质基板(rigid substrate),或是如塑料基板的可挠式基板(flexible substrate)等。第一图案化导电层104的材质例如是金属。第一图案化导电层104包括多个彼此分离的扫描线图案106,其中各扫描线图案106包括第一扫描线108以及第二扫描线110,第二扫描线110邻近于第一扫描线108。第一扫描线108具有第一接点108a以及第二接点108b,第二扫描线110具有第一接点110a以及第二接点110b。在一实施例中,第一扫描线108的第一接点108a不与第二扫描线110的第一接点110a连接,第一扫描线108的第二接点108b与第二扫描线110的第二接点110b连接。换言之,第一扫描线108与第二扫描线110之间仅有一端彼此连接,另一端则为断开的设计,而没有形成回路。
一般而言,为了改善像素单元的显示质量,第一图案化导电层106更包括至少一个共通电极图案112,以与后续愈形成的像素电极耦合成储存电容。共通电极图案112不与扫描线图案106连接,共通电极图案112例如是平行于第一扫描线108与第二扫描线110的长边。
之后,请参照图1C,对扫描线图案106进行断线检测。对扫描线图案106进行断线检测的步骤包括通过第一接点108a、110a对第一扫描线108与第二扫描线110进行非接触式断线检测。具体而言,断线检测通过非接触式断线检测机台114来进行,而非接触式断线检测机台114包括测试信号产生器114a以及测试信号传感器114b。测试信号产生器114a以及测试信号传感器114b例如是位于同一水平线上。在一实施例中,测试信号产生器114a适于通过电流感应的方式分别使各第一接点108a、110a产生一感测电流I,而测试信号传感器114b适于在各第二接点108b、110b上方分别感测流经各第一扫描线108及各第二扫描线110的感测电流I。
举例来说,如图1C所示,当测试信号产生器114a设置在第一扫描线108的第一接点108a上方而测试信号传感器114b设置在同一条第一扫描线108的第二接点108b上方时,从第一接点108a所产生的感测电流I会沿着对应的第一扫描线108传导至第二接点108b,并由测试信号传感器114b感测以产生一检测信号。若被检测的第一扫描线108有断线的情况发生,则检测信号会改变而例如是产生一波峰;若被检测的第一扫描线108没有断线的情况发生,则检测信号则会持平而没有剧烈改变。特别说明的是,由于第一扫描线108的第一接点108a不会与第二扫描线110的第一接点110a连接(亦即第一扫描线108与第二扫描线110未形成回路),因此,感测电流I不会沿着第二扫描线110而传导至第一扫描线108的第二接点108b。当第一扫描线108在第一接点108a与第二接点108b之间有断线缺陷时,从第一接点108a所产生的感测电流I会无法传递至第二接点108b,导致测试信号传感器114b的检测信号产生显著改变,因此,通过此扫描线图案106的设计可有效地检测并判断对应的第一扫描线108是否有断线的情况发生。
在另一实施例中,上述通过非接触式断线检测机台114来进行的断线检测也可以是将测试信号产生器114a配置于第一扫描线108的第一接点108a上方,并将测试信号传感器114b配置于第二扫描线110的第二接点110b上方。如此一来,测试信号产生器114a可通过电流感应的方式分别使各第一扫描线108的第一接点108a产生感测电流I,而测试信号传感器114b则在各第二扫描线110的第二接点110b上方分别感测流经第一接点108a与第二接点110b之间的各第一扫描线108的感测电流I,以检测相对应的第一扫描线108是否有断线缺陷。
此外,还可以进一步以类似上述的方式,利用非接触式断线检测机台114对共通电极图案112的两端点进行另一断线检测,以判断共通电极图案112是否有断线的情况发生。在一实施例中,非接触式断线检测机台114沿着检测方向D移动,以逐一对第一扫描线108、共通电极图案112及第二扫描线110进行非接触式断线检测。在图1C中是以由上而下的方向为例来表示检测方向D,但本发明并不限于此,非接触式断线检测机台114的移动方向可依制程需求径行调整。
请参照图2A及图2B,于基板102上形成绝缘层116,以覆盖第一图案化导电层104,并作为栅绝缘层。绝缘层116可为单层结构或多层结构,且其材质例如是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等介电材料。在一实施例中,绝缘层116中形成有多个接触窗116a,其暴露出位于下方的扫描线图案106。接触窗116a例如是对应第一扫描线108的第一接点108a及第二扫描线110的第一接点110a的位置而配置。之后,于预形成薄膜晶体管的区域的基板102上形成多个通道层118。通道层118的形成方法例如是先形成通道层材料,接着再图案化通道层材料,以移除栅极上方以外的通道层材料,其中通道层材料例如是非晶硅(amorphous silicon,a-Si)。
请参照图3A、图3B及图3C,于基板102上形成第二图案化导电层120。第二图案化导电层120的材质例如是金属。第二图案化导电层120包括多条数据线122、多个源极124s及漏极124d、多个连接线126。数据线122与第一扫描线108及第二扫描线110交错。如图3C所示,源极124s及漏极124d位于通道层118的上方,且通道层118位于扫描线图案106的上方而形成底栅极(bottom gate)的主动元件结构。源极124s对应地与数据线122电性连接。连接线126例如是横跨于第一扫描线108的第一接点108a与第二扫描线110的第一接点110a之间的上方位置。由于绝缘层116中形成有接触窗116a,因此,各连接线126会填入接触窗116a中而分别通过对应的接触窗116a使得该第一扫描线108的第一接点108a与第二扫描线110的第一接点110a电性连接。如此一来,即可通过连接线126中的至少一个直接将每一扫描线图案106中的第一扫描线108及第二扫描线110电性连接以构成一回路图案。
此外,第二图案化导电层120还可包括至少一个共享总线线(common busline)128。共享总线线128例如是配置于多个共通电极图案112的一侧或相对两侧,并可通过接触窗128a连接下层至少部分或全部的共通电极图案112。
请参照图4A及图4B,于基板102上形成保护层130,以覆盖第二图案化导电层120。保护层130具有接触窗130a、接触窗130b。接触窗130a例如是位于绝缘层116的接触窗116a上方,并暴露出连接线126,且接触窗130a也可选择性地位于接触窗116a上方以外的区域。接触窗130b则暴露出部分作为漏极124d的第二图案化导电层120。保护层130可为单层结构或多层结构,且其材质例如是无机材料、有机材料或上述材料的组合。
请参照图5A及图5B,于基板102上多个像素电极132以及多个导电层134,以完成本发明的主动元件阵列基板100的制作。像素电极132及导电层134配置于保护层130上,导电层134可通过接触窗130a与连接线126电性连接,而像素电极132可通过接触窗130b与漏极124d电性连接。像素电极132及导电层134的材质可为相同的透明导电材料,其例如是铟锡氧化物(indium tin oxide,ITO)、铟锌氧化物(indium zinc oxide,IZO)、氧化铝锌(Al doped ZnO,AZO)、铟镓锌氧化物(Indium-Gallium-Zinc Oxide,IGZO)、掺镓氧化锌(Ga doped zinc oxide,GZO)、锌锡氧化物(Zinc-Tin Oxide,ZTO)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)、或二氧化锡(SnO2)等。
在此说明的是,在上述实施例中是以形成底栅极结构(如图3A及图3C所示)作为主动元件为例来进行说明,但本发明并不限于此。在另一实施例中,本发明的主动元件阵列基板的制造方法也可以形成其它的主动元件结构,如顶栅极(top gate)的主动元件结构。图6是依照本发明的另一实施例的主动元件结构的剖面示意图,其中与前述图式相同的构件则使用相同的标号并省略其说明。
如图6所示,通道层118也可以是形成于扫描线图案106下方。换言之,前述的底栅极主动元件结构是在形成第一图案化导电层104之后以及形成第二图案化导电层120之前,形成绝缘层116及通道层118。而在此实施例中,顶栅极主动元件结构的形成方法则是改变上述结构的形成顺序,而于基板102上依序形成通道层118、至少包括源极124s及漏极124d的第二图案化导电层120、绝缘层116、作为栅极的第一图案化导电层104(如图6所示的第二扫描线110)。
图7A、8A、9A及图10A是依照本发明的第二实施例的一种主动元件阵列基板的制造流程上视示意图;图7B、8B、9B及图10B分别是沿着图7A、8A、9A及图10A的线段III-III’的剖面示意图。须注意的是,图7A至图10A所示的制造流程是接续图1A后的步骤,且在图7A至图10A中,和图1A相同的构件则使用相同的标号并省略其说明。
请参照图7A及图7B,在对扫描线图案106及共通电极图案112进行断线检测之后,于基板102上形成绝缘层716,以全面性覆盖第一图案化导电层104,并作为栅绝缘层。之后,于预形成薄膜晶体管的区域的基板102上形成多个通道层118,通道层118位于扫描线图案106的上方而形成底栅极的主动元件结构。
请参照图8A及图8B,于基板102上形成第二图案化导电层720。第二图案化导电层720包括多条数据线122、多个源极124s及漏极124d、多个第一连接线726,以及选择性地包括至少一个共享总线线128。第一连接线726例如是横跨于第一扫描线108的第一接点108a与第二扫描线110的第一接点110a之间的上方位置。而且,第一连接线726具有开口726a、726b暴露出绝缘层716。
请参照图9A及图9B,于基板102上形成保护层730,以覆盖第二图案化导电层720。之后,图案化保护层730与绝缘层716,以使保护层730具有多个第一接触窗730a,并使绝缘层716具有多个第二接触窗716a。在一实施例中,第一接触窗730a位于第一连接线726的开口726a、726b上方,而第二接触窗716a位于第一连接线726的开口726a、726b下方。靠近第一扫描线108的第一接点108a一侧,第一接触窗730a、开口726a及第二接触窗716a共同暴露出下方的扫描线图案106;而靠近第二扫描线110的第一接点110a一侧,第一接触窗730a、开口726b及第二接触窗716a共同暴露出下方的扫描线图案106。
请参照图10A及图10B,于基板102上形成第三图案化导电层。第三图案化导电层包括多个与漏极124d连接的像素电极132以及多个第二连接线734。第二连接线734的材质例如是相同于像素电极132,其可以为透明导电材料。由于第一接触窗730a、开口726a、开口726b及第二接触窗716a共同暴露出下方的扫描线图案106,因此,第二扫描线110可通过第一连接线726、第二连接线734与对应的第一扫描线108电性连接并构成一回路图案。对于每一扫描线图案106而言,各第二连接线734通过位于对应的开口726a、第一接触窗730a及第二接触窗716a与扫描线图案106的第一扫描线108的第一接点108a电性连接;且各第二连接线734通过位于对应的开口726b、第一接触窗730a及第二接触窗716a与扫描线图案106的第二扫描线110的第一接点110a电性连接。
在此说明的是,上述实施例是以第一接触窗730a仅对应配置在第一连接线726的开口726a、726b上方,也即第一连接线726的两端而作为侧接触窗(sidecontact)为例,但本发明尚具有其它实施型态。图10C是根据另一实施例而沿着图10A的线段III-III’的剖面示意图,其中与图10B相同的构件则使用相同的标号并省略其说明。
请参照图10C,在另一实施例中,在图案化保护层730与绝缘层716之后,使保护层730具有多个第一接触窗730a,并使绝缘层716具有多个第二接触窗716a。除了部分第一接触窗730a位于第一连接线726的开口726a、726b上方之外,保护层730更包括第一接触窗730b位于开口726a、726b上方以外的区域并暴露出第一连接线726。各第二连接线734分别通过对应的开口726a、开口726b、第一接触窗730a及第二接触窗716a与对应的第一扫描线108的第一接点108a及第二扫描线110的第一接点110a连接。此外,各第二连接线734还分别可以通过第一接触窗730b连接第一连接线726,以进一步确保第一连接线726与第一扫描线108、第二扫描线110的电性连接。
图11至图12是依照本发明的第三实施例的一种主动元件阵列基板的制造流程上视示意图。须注意的是,在图11至图12中,和前述图式相同的构件则使用相同的标号并省略其说明。
请参照图11,于基板102上形成第一图案化导电层104的步骤中,第一扫描线108的第一接点108a例如是不与第二扫描线110的第一接点110a连接,且第一扫描线108的第二接点108b例如是不与第二扫描线110的第二接点110b连接。也就是说,在每一个扫描线图案106’中,第一扫描线108与第二扫描线110在两端接点皆不连接,而形成完全分离的两条扫描线,因此无法形成回路。
接着,对扫描线图案106’进行断线检测。类似图1C所述的方法,断线检测通过包括测试信号产生器以及测试信号传感器的非接触式断线检测机台来进行。在一实施例中,测试信号产生器通过电流感应的方式分别使各第一扫描线108的第一接点108a及各第二扫描线110的第一接点110a产生感测电流,而测试信号传感器适于分别在各第一扫描线108的第二接点108b及各第二扫描线110的第二接点110b上方分别感测流经各第一扫描线108及各第二扫描线110的感测电流。如此一来,即可有效地检测并判断对应的第一扫描线108或第二扫描线110是否有断线的情况发生。
在对扫描线图案106’及共通电极图案112进行断线检测步骤之后,进行后续工艺以完成主动元件阵列基板的制作。如图12所示,由于第一扫描线108与第二扫描线110在两侧端点都没有连接,因此,所形成的第二图案化导电层120’更包括多个连接线126’,连接线126’例如是横跨于第一扫描线108的第二接点108b与第二扫描线110的第二接点110b之间的上方位置。如此一来,连接线126可通过扫描线图案106’上方对应的接触窗116a使得第一扫描线108的第一接点108a与第二扫描线110的第一接点110a电性连接,且连接线126’可通过扫描线图案106’上方对应的接触窗116a使得第一扫描线108的第二接点108b与第二扫描线110的第二接点110b电性连接。
须注意的是,在第二实施例及第三实施例中,通道层可以形成于扫描线图案的上方(底栅极主动元件结构)或下方(顶栅极主动元件结构),且扫描线图案也可包括一条以上的第二扫描线,本领域技术人员当可依前述实施例知其应用及变化,故于此不再赘述。
综上所述,本发明的主动元件阵列基板及其制造方法至少具有下列优点:
1.在形成第一图案化导电层的步骤中,第一扫描线及第二扫描线之间不形成回路,因此,在进行断线检测时,能够有效避免感测电流由另一条非被检测的扫描线传递而造成检测信号异常。如以一来,本发明的主动元件阵列基板及其制造方法可有助于判断断线缺陷,并可显著提升断线检测率。
2.在进行断线检测之后,利用第二图案化金属层或第三图案化金属层的连接线使第一扫描线及该第二扫描线电性连接以构成回路图案,因此能够与现有的面板工艺相整合,且工艺简单而不会造成成本的增加。
当然,本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (38)
1.一种主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:
于一基板上形成一第一图案化导电层,该第一图案化导电层包括多个彼此分离的扫描线图案,其中各该扫描线图案包括:
一第一扫描线具有一第一接点以及一第二接点;以及
一第二扫描线,邻近于该第一扫描线,该第二扫描线具有一第一接点以及一第二接点;
对该些扫描线图案进行一断线检测;
形成多个通道层于该基板上;
形成一第二图案化导电层于该基板上,该第二图案化导电层包括:
多条与该些第一扫描线及该些第二扫描线交错的数据线;
多个位于该些通道层上方的源极以及漏极,其中该些源极对应地与该些数据线电性连接;以及
多个连接线,该些连接线中的至少一个将每一扫描线图案中的该第一扫描线及该第二扫描线电性连接以构成一回路图案;以及
形成多个与该些漏极电性连接的像素电极。
2.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,于该基板上形成该第一图案化导电层的步骤中,该第一扫描线的第一接点不与该第二扫描线的第一接点连接,该第一扫描线的第二接点与该第二扫描线的第二接点连接。
3.根据权利要求2所述的主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,该断线检测通过一非接触式断线检测机台来进行,该非接触式断线检测机台包括一测试信号产生器以及一测试信号传感器,该测试信号产生器适于通过电流感应的方式分别使各该第一扫描线的第一接点产生一感测电流,该测试信号传感器适于在各该第二扫描线的第二接点上方分别感测流经各该第一扫描线的该感测电流。
4.根据权利要求3所述的主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,该非接触式断线检测机台沿着一检测方向移动以逐一对该些第一扫描线及该些第二扫描线进行非接触式断线检测。
5.根据权利要求2所述的主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,该断线检测通过一非接触式断线检测机台来进行,该非接触式断线检测机台包括一测试信号产生器以及一测试信号传感器,该测试信号产生器适于通过电流感应的方式分别使各该第一接点产生一感测电流,该测试信号传感器适于在各该第二接点上方分别感测流经各该第一扫描线及各该第二扫描线的该感测电流。
6.根据权利要求5所述的主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,该非接触式断线检测机台沿着一检测方向移动以逐一对该些第一扫描线及该些第二扫描线进行非接触式断线检测。
7.根据权利要求2所述的主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,该些通道层形成于该些扫描线图案上方或下方。
8.根据权利要求2所述的主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,更包括:
在形成该第一图案化导电层之后以及形成第二图案化导电层之前,形成一绝缘层以覆盖该第一图案化导电层,其中该绝缘层具有多个接触窗,而各该连接线分别通过对应的接触窗使得该第一扫描线的第一接点与该第二扫描线的第一接点电性连接。
9.根据权利要求2所述的主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,对该些扫描线图案进行该断线检测的步骤包括:
通过该第一接点对该些第一扫描线与该些第二扫描线进行一非接触式断线检测。
10.根据权利要求2所述的主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,该第一图案化导电层更包括至少一共通电极图案,该共通电极图案不与该扫描线图案连接。
11.根据权利要求10所述的主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,更包括对该共通电极图案进行另一断线检测。
12.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,于该基板上形成该第一图案化导电层的步骤中,该第一扫描线的第一接点不与该第二扫描线的第一接点连接,该第一扫描线的第二接点不与该第二扫描线的第二接点连接。
13.根据权利要求12所述的主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,该断线检测通过一非接触式断线检测机台来进行,该非接触式断线检测机台包括一测试信号产生器以及一测试信号传感器,该测试信号产生器适于通过电流感应的方式分别使各该第一扫描线及各该第二扫描线的第一接点产生一感测电流,该测试信号传感器适于分别在各该第一扫描线及各该第二扫描线的第二接点上方分别感测流经各该第一扫描线及各该第二扫描线的该感测电流。
14.根据权利要求13所述的主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,该非接触式断线检测机台沿着一检测方向移动以逐一对该些第一扫描线及该些第二扫描线进行非接触式断线检测。
15.根据权利要求12所述的主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,该些通道层形成于该些扫描线图案上方或下方。
16.根据权利要求12所述的主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,更包括:
在形成该第一图案化导电层之后以及形成第二图案化导电层之前,形成一绝缘层以覆盖该第一图案化导电层,其中该绝缘层具有多个接触窗,该些连接线分别通过对应的接触窗使得该第一扫描线的第一接点与该第二扫描线的第一接点电性连接,并通过对应的接触窗使得该第一扫描线的第二接点与该第二扫描线的第二接点电性连接。
17.根据权利要求12所述的主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,该第一图案化导电层更包括至少一共通电极图案,该共通电极图案不与该扫描线图案连接。
18.根据权利要求17所述的主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,更包括对该共通电极图案进行另一断线检测。
19.一种主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:
于一基板上形成一第一图案化导电层,该第一图案化导电层包括多个彼此分离的扫描线图案,其中各该扫描线图案包括:
一第一扫描线具有一第一接点以及一第二接点;以及
至少一第二扫描线,邻近于该第一扫描线,该第二扫描线具有一第一接点以及一第二接点;
对该些扫描线图案进行一断线检测;
形成多个通道层于该基板上;
形成一第二图案化导电层于该基板上,该第二图案化导电层包括:
多条与该些第一扫描线及该些第二扫描线交错的数据线;
多个位于该些通道层上方的源极以及漏极,其中该些源极对应地与该些数据线电性连接;以及
多个第一连接线;以及
形成一第三图案化导电层,该第三图案化导电层包括:
多个与该些漏极连接的像素电极;以及
多个第二连接线,其中该些第二扫描线通过该些第一连接线与该些第二连接线与对应的该些第一扫描线电性连接并构成一回路图案。
20.根据权利要求19所述的主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,于该基板上形成该第一图案化导电层的步骤中,该第一扫描线的第一接点不与该第二扫描线的第一接点连接,该第一扫描线的第二接点与该第二扫描线的第二接点连接。
21.根据权利要求20所述的主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,该断线检测通过一非接触式断线检测机台来进行,该非接触式断线检测机台包括一测试信号产生器以及一测试信号传感器,该测试信号产生器适于通过电流感应的方式分别使各该第一扫描线的第一接点产生一感测电流,该测试信号传感器适于在各该第二扫描线的第二接点上方分别感测流经各该第一扫描线的该感测电流。
22.根据权利要求21所述的主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,该非接触式断线检测机台沿着一检测方向移动以逐一对该些第一扫描线及该些第二扫描线进行非接触式断线检测。
23.根据权利要求20所述的主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,该断线检测通过一非接触式断线检测机台来进行,该非接触式断线检测机台包括一测试信号产生器以及一测试信号传感器,该测试信号产生器适于通过电流感应的方式分别使各该第一接点产生一感测电流,该测试信号传感器适于在各该第二接点上方分别感测流经各该扫描线的该感测电流。
24.根据权利要求20所述的主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,更包括:
在形成该第一图案化导电层之后以及形成该第二图案化导电层之前,形成一绝缘层以覆盖该第一图案化导电层,其中各该第一连接线具有多个开口暴露出该绝缘层;
在形成该第二图案化导电层之后以及形成该第三图案化导电层之前,形成一保护层以覆盖该第二图案化导电层;以及
图案化该保护层与该绝缘层,以使该保护层具有多个第一接触窗,并使该绝缘层具有多个第二接触窗,其中该些第一接触窗位于该些开口上方,该些第二接触窗位于该些开口下方,且对于每一扫描线图案,各该第二连接线通过对应该些开口、该些第一接触窗及该些第二接触窗使得该第一扫描线的第一接点与该第二扫描线的第一接点电性连接。
25.根据权利要求20所述的主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,更包括:
在形成该第一图案化导电层之后以及形成第二图案化导电层之前,形成一绝缘层以覆盖该第一图案化导电层,其中各该第一连接线具有多个开口暴露出该绝缘层;
在形成该第二图案化导电层之后以及形成该第三图案化导电层之前,形成一保护层以覆盖该第二图案化导电层;以及
图案化该保护层与该绝缘层,以使该保护层具有多个第一接触窗,并使该绝缘层具有多个第二接触窗,其中部分该些第一接触窗位于该些开口上方,其余该些第一接触窗位于该些开口上方以外的区域并暴露出该些第一连接线,该些第二接触窗位于该些开口下方,且各该第二连接线分别通过对应的该些开口、该些第一接触窗及该些第二接触窗使得对应的该第一扫描线的第一接点与该第二扫描线的第一接点电性连接。
26.根据权利要求19所述的主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,于该基板上形成该第一图案化导电层的步骤中,该第一扫描线的第一接点不与该第二扫描线的第一接点连接,该第一扫描线的第二接点不与该第二扫描线的第二接点连接。
27.一种主动元件阵列基板,其特征在于,包括:
一基板;
一第一图案化导电层,配置于该基板上,该第一图案化导电层包括多个彼此分离的扫描线图案,其中各该扫描线图案包括:
一第一扫描线具有一第一接点以及一第二接点;以及
一第二扫描线具有一第一接点以及一第二接点;
多个通道层,配置于该基板上;
一第二图案化导电层,配置于该基板上,该第二图案化导电层包括:
多条与该些第一扫描线及该些第二扫描线交错的数据线;
多个位于该些通道层上方的源极以及漏极,其中该些源极对应地与该些数据线电性连接;以及
多个连接线,该些连接线中的至少一个将每一扫描线图案中的该第一扫描线及该第二扫描线电性连接以构成一回路图案;以及
多个像素电极,与该些漏极连接,
对第一扫描线及第二扫描线进行断线检测,检测之后形成回路。
28.根据权利要求27所述的主动元件阵列基板,其特征在于,该些通道层形成于该些扫描线图案上方或下方。
29.根据权利要求27所述的主动元件阵列基板,其特征在于,更包括一绝缘层,覆盖该第一图案化导电层,其中该绝缘层具有多个接触窗,各该连接线分别通过对应的接触窗与对应的第二扫描线的第一接点及第一扫描线的第一接点连接。
30.根据权利要求27所述的主动元件阵列基板,其特征在于,该第一图案化导电层更包括至少一共通电极图案,该共通电极图案不与该扫描线图案连接。
31.一种主动元件阵列基板,其特征在于,包括:
一基板;
一第一图案化导电层,配置于该基板上,该第一图案化导电层包括多个彼此分离的扫描线图案,其中各该扫描线图案包括:
一第一扫描线具有一第一接点以及一第二接点;以及
一第二扫描线具有一第一接点以及一第二接点;
多个通道层以及一第二图案化导电层,配置于该基板上,该第二图案化导电层包括多条与该些第一扫描线及该些第二扫描线交错的数据线、多个与该些第一扫描线及该些第二扫描线连接的源极、多个漏极以及多个第一连接线;以及
一第三图案化导电层,该第三图案化导电层包括多个与该些漏极连接的像素电极以及多个第二连接线,其中该些第一连接线与该些第二连接线使该些第二扫描线的第一接点与对应的该些第一扫描线的第一接点连接,
其中,对第一扫描线及第二扫描线进行断线检测,检测之后形成回路。
32.根据权利要求31所述的主动元件阵列基板,其特征在于,于该基板上形成该第一图案化导电层的步骤中,该第一扫描线的第一接点不与该第二扫描线的第一接点连接,该第一扫描线的第二接点与该第二扫描线的第二接点连接。
33.根据权利要求32所述的主动元件阵列基板,其特征在于,该些通道层形成于该些扫描线图案上方或下方。
34.根据权利要求32所述的主动元件阵列基板,其特征在于,更包括:
一保护层,以覆盖该第二图案化导电层,该保护层具有多个第一接触窗;以及
一绝缘层,以覆盖该第一图案化导电层,该绝缘层具有多个第二接触窗,其中各该第一连接线具有多个开口,该些第一接触窗位于该些开口上方,该些第二接触窗位于该些开口下方,且对于每一扫描线图案,各该第二连接线通过对应的该些开口、该些第一接触窗及该些第二接触窗使得对应的该第一扫描线的第一接点与该第二扫描线的第一接点电性连接。
35.根据权利要求32所述的主动元件阵列基板,其特征在于,更包括:
一保护层,以覆盖该第二图案化导电层,该保护层具有多个第一接触窗;以及
一绝缘层,以覆盖该第一图案化导电层,该绝缘层具有多个第二接触窗,其中各该第一连接线具有多个开口,部分该些第一接触窗位于该些开口上方,其余该些第一接触窗位于该些开口上方以外的区域并暴露出该些第一连接线,该些第二接触窗位于该些开口下方,且各该第二连接线分别通过对应的该些开口、该些第一接触窗及该些第二接触窗使得对应的该第一扫描线的第一接点与该第二扫描线的第一接点电性连接。
36.根据权利要求31所述的主动元件阵列基板,其特征在于,该第一扫描线的第一接点不与该第二扫描线的第一接点连接,该第一扫描线的第二接点不与该第二扫描线的第二接点连接。
37.根据权利要求36所述的主动元件阵列基板,其特征在于,该些通道层形成于该些扫描线图案上方或下方。
38.根据权利要求36所述的主动元件阵列基板,其特征在于,该第一图案化导电层更包括至少一共通电极图案,该共通电极图案不与该扫描线图案连接。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201010265856A CN101969043B (zh) | 2010-08-25 | 2010-08-25 | 主动元件阵列基板及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201010265856A CN101969043B (zh) | 2010-08-25 | 2010-08-25 | 主动元件阵列基板及其制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101969043A CN101969043A (zh) | 2011-02-09 |
CN101969043B true CN101969043B (zh) | 2012-10-03 |
Family
ID=43548173
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201010265856A Active CN101969043B (zh) | 2010-08-25 | 2010-08-25 | 主动元件阵列基板及其制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101969043B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI470332B (zh) | 2012-06-29 | 2015-01-21 | Au Optronics Corp | 顯示面板及其檢測方法 |
TWI486928B (zh) | 2012-11-16 | 2015-06-01 | Au Optronics Corp | 顯示面板及其檢測方法 |
KR102627343B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2024-01-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
CN108598094B (zh) * | 2018-05-25 | 2020-09-11 | 友达光电(昆山)有限公司 | 一种显示装置及该显示装置的薄膜晶体管的修补检测方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100480785C (zh) * | 2007-08-01 | 2009-04-22 | 昆山龙腾光电有限公司 | 一种可修补数据线的缺陷的液晶显示面板及修补方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6867823B2 (en) * | 2000-08-11 | 2005-03-15 | Hannstar Display Corp. | Process and structure for repairing defect of liquid crystal display |
-
2010
- 2010-08-25 CN CN201010265856A patent/CN101969043B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100480785C (zh) * | 2007-08-01 | 2009-04-22 | 昆山龙腾光电有限公司 | 一种可修补数据线的缺陷的液晶显示面板及修补方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101969043A (zh) | 2011-02-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102631989B1 (ko) | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
CN107993983B (zh) | 柔性显示器 | |
CN107946317A (zh) | 一种柔性阵列基板及制备方法、显示基板、显示装置 | |
CN102315165B (zh) | 边缘电场型液晶显示器阵列基板及其制造方法 | |
CN105261655B (zh) | 薄膜晶体管 | |
KR20130125239A (ko) | 플렉서블 디스플레이 장치와, 이를 이용한 휨 감지 방법 | |
CN102623397A (zh) | 显示面板的阵列基板结构及其制作方法 | |
CN107706214A (zh) | 柔性显示装置的模组结构和柔性触控显示装置 | |
CN105405808A (zh) | 制作光学感测元件与薄膜晶体管元件的方法 | |
CN101969043B (zh) | 主动元件阵列基板及其制造方法 | |
CN104218094A (zh) | 一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置 | |
CN103441119B (zh) | 一种制造esd器件的方法、esd器件和显示面板 | |
CN103439844B (zh) | 阵列基板、显示装置及制作阵列基板的方法 | |
CN107506076A (zh) | 一种触控显示基板、制造方法及显示装置 | |
KR101441429B1 (ko) | 센서 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터기판, 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 | |
CN104317115A (zh) | 像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置 | |
WO2014176876A1 (zh) | 显示面板及其制作方法、液晶显示器 | |
CN101908478B (zh) | 铜电极结构的制造方法及其应用 | |
CN103579357B (zh) | 半导体结构 | |
CN109690661A (zh) | 有源矩阵基板和具备有源矩阵基板的显示装置 | |
CN101976650B (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法 | |
TWI419099B (zh) | 主動元件陣列基板及其製造方法 | |
RU2011115222A (ru) | Плата активной матрицы, способ ее производства, жидкокристаллическая панель, способ производства такой панели, жидкокристаллическое дисплейное устройство, жидкокристаллический дисплейный элемент и телевизионный приемник | |
CN103927041B (zh) | 触摸侦测结构、触摸显示装置及触摸侦测和制作方法 | |
CN102142396B (zh) | 一种边缘电场型液晶显示器阵列基板及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240914 Address after: Gyeonggi Do, South Korea Patentee after: SAMSUNG DISPLAY Co.,Ltd. Country or region after: Republic of Korea Address before: China Taiwan Patentee before: AU OPTRONICS Corp. Country or region before: TaiWan, China |