CN108573993A - 有机发光显示设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种有机发光显示设备。有机发光显示设备包括：像素电极、辅助电极、像素限定层、间隔件、发光层、以及对电极。像素电极和辅助电极位于同一层上，并且彼此分离且被电隔离。像素限定层位于像素电极和辅助电极上，并且使像素电极和辅助电极的至少一部分露出。间隔件与辅助电极和像素限定层的部分相对应，并且使辅助电极的至少一部分露出。发光层位于像素电极上。对电极位于发光层和间隔件上，并且与辅助电极相接触。

Description

有机发光显示设备
相关申请的交叉引用
2017年3月9日提交的题为“有机发光显示设备”的第10-2017-0030274号韩国专利申请的全部内容通过引用合并于此。
技术领域
一个或多个实施例涉及有机发光显示设备。
背景技术
有机发光显示器包括多个配备有有机发光元件的像素。每个有机发光元件可以包括位于像素电极与对电极之间的有机层。像素电极可以被布置成岛形的形状，并且对电极被整体地形成在像素中。
发明内容
根据一个或多个实施例，有机发光显示设备包括：像素电极和辅助电极，位于同一层上，像素电极和辅助电极彼此分离且被电隔离；像素限定层，位于像素电极和辅助电极上，像素限定层使像素电极的至少一部分和辅助电极的至少一部分露出；间隔件，与辅助电极和像素限定层的各部分相对应，间隔件使辅助电极的至少一部分露出；发光层，位于像素电极上；以及对电极，位于发光层和间隔件上，对电极与辅助电极相接触。
对电极和辅助电极之间的接触部分可以在与辅助电极的面向对电极的表面相交叉的方向上被间隔件包围。间隔件可以具有使辅助电极的至少一部分露出的第一开口，第一开口与对电极和辅助电极之间的接触部分重叠。
像素限定层可以具有使像素电极的至少一部分露出的第二开口以及使辅助电极的至少一部分露出的第三开口，第三开口与第一开口重叠。第一开口可以具有比第三开口的直径更大的直径。
显示设备可以包括：第一中间层，位于像素限定层的顶表面、间隔件的顶表面、像素电极和辅助电极的至少一部分上，其中，第一中间层具有使辅助电极的至少一部分露出的第一孔，使得对电极经由第一孔与辅助电极相接触。第一孔可以仅使辅助电极的一部分露出。
显示设备可以包括：第二中间层，位于第一中间层与对电极之间，其中，第二中间层具有与第一孔相对应的第二孔，使得对电极经由第一孔和第二孔与辅助电极相接触。第二孔可以具有与第一孔的中心重合的中心。间隔件和像素限定层可以包括相同的材料。像素电极和辅助电极可以包括相同的材料。
根据一个或多个其他实施例，有机发光显示设备包括：辅助电极；绝缘层，将辅助电极覆盖，并且包括使辅助电极露出的辅助电极孔；像素电极，位于绝缘层上，并且与辅助电极电绝缘；像素限定层，位于绝缘层上，像素限定层使像素电极的至少一部分和经由辅助电极孔露出的辅助电极的至少一部分露出；间隔件，与辅助电极和像素限定层的部分相对应，间隔件使辅助电极的至少一部分露出；发光层，位于像素电极上；以及对电极，位于发光层和间隔件上，对电极与辅助电极相接触。
对电极和辅助电极之间的接触部分可以在与辅助电极的面向对电极的表面相交叉的方向上被间隔件包围。间隔件具有使辅助电极的至少一部分露出的第一开口，第一开口与对电极和辅助电极之间的接触部分重叠。
像素限定层具有使像素电极的至少一部分露出的第二开口以及使辅助电极的至少一部分露出的第三开口，第三开口与第一开口重叠。第一开口可以具有比第三开口的直径更大的直径，并且间隔件可以在与第一开口和第三开口邻近的部分处与像素限定层形成台阶。
显示设备可以包括：第一中间层，位于像素限定层的顶表面、间隔件的顶表面、像素电极和辅助电极的至少一部分上，其中，第一中间层包括使辅助电极的至少一部分露出的第一孔，使得对电极经由第一孔与辅助电极相接触。第一孔可以仅使辅助电极的一部分露出。
显示设备可以包括：第二中间层，位于第一中间层与对电极之间，其中，第二中间层具有与第一孔相对应的第二孔，使得对电极经由第一孔和第二孔与辅助电极相接触。像素电极和辅助电极可以包括相同的材料。
附图说明
通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员而言将变得显而易见，其中：
图1示出有机发光显示器的实施例；
图2示出像素的实施例；
图3示出图1中的部分I的实施例；
图4示出沿图3中的剖面线III-III'截取的实施例；
图5A和图5B示出包括密封构件的实施例；
图6A至图6C示出图4的部件的实施例；
图7示出沿图3中的剖面线III-III'截取的另一实施例；
图8A至图8D示出与用于制造有机发光显示设备的工艺的实施例相对应的阶段；以及
图9A至图9E示出与用于制造有机发光显示设备的工艺的另一实施例相对应的阶段。
具体实施方式
参考附图来对示例性实施例进行描述；然而，示例性实施例可以以不同的形式来体现，并且不应被解释为受限于本文所阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是透彻且完整的，并且将把示例性实现传达给本领域技术人员。实施例(或实施例的部分)可以被组合以形成另外的实施例。
在附图中，为了说明的清楚起见，层和区域的尺寸可以被夸大。还将理解，当层或元件被称为位于另一层或基板“上”时，该层或元件可以直接位于该另一层或基板上，或者还可以存在中间层。此外，应当理解，当层被称为位于另一层的“下方”时，该层可以直接位于下方，或者也可以存在一个或多个中间层。此外，还将理解，当层被称为位于两层“之间”时，该层可以是两层之间的唯一层，或者也可以存在一个或多个中间层。相同的附图标记自始至终指代相同的元件。
当元件被称为“连接”或“耦接”到另一元件时，该元件可以直接地连接或耦接到另一元件，或者间接地连接或耦接到另一元件而在该元件和该另一元件之间插入有一个或多个中间元件。此外，当元素被称为“包括”部件时，这表示除非存在不同的公开内容，否则该元素可以进一步包括另一部件而不是排除另一部件。
图1示出可以包括显示区域DA和作为非显示区域的周边区域PA的有机发光显示设备的实施例。显示设备包括布置在显示区域DA中的像素P。像素包括诸如发射光以生成图像的有机发光二极管(OLED)等显示元件。周边区域PA可以是不提供图像并且可以包围显示区域DA的区域。扫描驱动器、数据驱动器和电源线(提供诸如驱动电压和公共电压等电力)可以位于周边区域PA中。扫描驱动器和数据驱动器可以将电信号提供给显示区域DA中的像素P。
图2示出可以作为图1的有机发光显示设备中的像素P的代表的像素的等效电路图的实施例。
参考图2，像素P可以包括连接到扫描线SLn、SLn-1和SLn+1及数据线DL的像素电路PC，并且包括连接到像素电路PC的有机发光二极管(OLED)。像素电路PC可以包括：驱动薄膜晶体管(TFT)T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、第一发光控制TFT T5、第二发光控制TFT T6、以及第二初始化TFT T7。
驱动TFT T1具有通过第二发光控制TFT T6被电连接到OLED的漏电极。驱动TFT T1可以根据开关TFT T2的开关操作来接收数据信号Dm，并将驱动电流施加给OLED。
开关TFT T2具有连接到第一扫描线SLn的栅电极和连接到数据线DL的源电极。开关TFT T2的漏电极可以通过第一发光控制TFT T5被连接到驱动电压线PL，同时被连接到驱动TFT T1的源电极。
开关TFT T2可以基于经由第一扫描线SLn接收到的第一扫描信号Sn而导通，并且可以执行用于将数据信号Dm从数据线DL传送给驱动TFT T1的源电极的开关操作。
补偿TFT T3具有连接到第一扫描线SLn的栅电极，以及连接到驱动TFT T1的漏电极、并且还经由第二发光控制TFT T6连接到OLED的像素电极的源电极。补偿TFTT3的漏电极可以连接到存储电容器Cst的任意电极、第一初始化TFT T4的源电极、以及驱动TFT T1的栅电极。补偿TFT T3可以基于来自第一扫描线SLn的第一扫描信号Sn而导通。因此，由于驱动TFT T1的栅电极与漏电极的彼此连接，驱动TFT T1可以形成二极管连接。
第一初始化TFT T4具有连接到第二扫描线SLn-1的栅电极，连接到初始化电压线VL的漏电极，以及连接到存储电容器Cst的一个电极、补偿TFT T3的漏电极和驱动TFT T1的栅电极的源电极。第一初始化TFT T4可以基于来自第二扫描线SLn-1的第二扫描信号Sn-1而导通，并且可以通过将初始化电压VINT传送给驱动TFT T1的栅电极来执行对驱动TFT T1的栅电极的电压进行初始化的初始化操作。
第一发光控制TFT T5具有连接到发光控制线EL的栅电极、连接到驱动电压线PL的源电极、以及连接到驱动TFTT1的源电极和开关TFT T2的漏电极的漏电极。
第二发光控制TFT T6具有连接到发光控制线EL的栅电极、连接到驱动TFT T1的漏电极和补偿TFT T3的源电极的源电极、以及电连接到OLED的像素电极的漏电极。第一发光控制TFT T5和第二发光控制TFT T6可以基于来自发光控制线EL的发光控制信号En而同时导通，以将驱动电压ELVDD传送给OLED。作为结果，驱动电流流过OLED。
第二初始化TFT T7具有连接到第三扫描线SLn+1的栅电极、连接到OLED的像素电极的源电极、以及连接到初始化电压线VL的漏电极。第二初始化TFT T7可以基于来自第三扫描线SLn+1的第三扫描信号Sn+1而导通，以对OLED的像素电极进行初始化。
存储电容器Cst的另一电极可以连接到驱动电压线PL。存储电容器Cst的任意电极可以同时连接到驱动TFT T1的栅电极、补偿TFT T3的漏电极、以及第一初始化TFT T4的源电极。
OLED的对电极可以接收公共电源电压ELVSS。OLED可以通过从驱动TFT T1接收驱动电流来发射光。
在另一实施例中，像素电路PC可以具有不同数量的TFT和/或电容器。例如，像素电路PC可以包括驱动TFT T1和开关TFT T2、存储电容器Cst、以及其他的TFT和存储电容器。
图2示出了信号线SLn、SLn-1、SLn+1、EL以及DL位于像素P中的情况。在另一实施例中，信号线SLn、SLn-1、SLn+1、EL以及DL和/或初始化电压线VL中的至少一个可以被邻近的像素共享。此外，图2示出了第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7分别连接到第二扫描线SLn-1和第三扫描线SLn+1的情况。然而，第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7可以连接到第二扫描线SLn-1。
图3示出图1的部分I中的部件的实施例的平面图。图4示出沿图3中的剖面线III-III'截取的剖视图的实施例。图5A和图5B是包括进一步在图4中的对电极230上形成的密封构件的实施例的剖视图。
参考图3，可以将第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3布置在显示区域DA中。像素电极210可以分别对应于第一像素P1至第三像素P3，并且可以彼此间隔开。如图3所示，对应于第一像素P1的像素电极210、对应于第二像素P2的像素电极210、以及对应于第三像素P3的像素电极210可以具有不同的尺寸。在一个实施例中，像素电极210可以具有相同的尺寸。在实施例中，第一像素P1可以对应于红色像素，第二像素P2可以对应于绿色像素，并且第三像素P3可以对应于蓝色像素。
辅助电极212可以位于显示区域DA中不存在第一像素P1至第三像素P3的区域(非像素区域)中。辅助电极212可以具有例如网状结构(或网格结构)。辅助电极212可以通过与被整体形成以覆盖显示区域DA的对电极230(例如参考图4)相接触而形成对电极接触单元CECNT。对电极接触单元CECNT可以表示例如对电极230和辅助电极212彼此直接接触的部分。
像素电极210和辅助电极212可以被像素限定层120覆盖。例如，像素限定层120可以位于显示区域DA中，并且可以将像素电极210和辅助电极212的端部覆盖。像素限定层120可以具有用于使像素电极210的至少一部分和辅助电极212的至少一部分露出的开口OP2和OP3。
间隔件130可以位于显示区域DA的非像素区域中的像素限定层120上，并且可以与像素限定层120和辅助电极212的一部分相对应。间隔件130可以具有岛状，并且多个间隔件130可以彼此间隔开。根据至少一个实施例，当与这些特征结合使用时，术语“对应”可能意味着“重叠”。
间隔件130可以包括与对电极接触单元CECNT重叠的开口OP1。在平面图中，对电极接触单元CECNT可以具有由间隔件130包围而成的形状。对电极230可以位于间隔件130上，并且通过经由第一开口OP1与辅助电极212的至少一部分相接触而形成对电极接触单元CECNT。将参考图4描述间隔件130结构。为了说明的目的，间隔件130的开口可以被称为第一开口OP1，用于使像素限定层120的像素电极210露出的开口可以被称为第二开口OP2，并且用于使像素限定层120的辅助电极212露出的开口可以被称为第三开口OP3。
参考图4，像素电路PC可以位于基板100上，并且像素电路PC可以被平坦化绝缘层110覆盖。像素电路PC可以至少包括驱动TFT T1、开关TFT T2和存储电容器Cst，并且可以电连接到像素电极210。基板100可以包括玻璃或塑料材料。塑料材料可以包括例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和/或聚酰亚胺(PI)。当基板100包括塑料材料时，与基板100包括玻璃材料时相比，基板100的柔韧性可以得到改善。
像素电极210和辅助电极212可以位于平坦化绝缘层110上。例如，像素电极210的面向基板100的表面和辅助电极212的面向基板100的表面可以与平坦化绝缘层110的顶表面相接触。平坦化绝缘层110可以包括有机绝缘材料。有机绝缘材料的示例包括：酰亚胺聚合物、诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚苯乙烯(PS)等通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物、以及它们的共混物。
像素电极210可以是反射电极。例如，像素电极210可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Ir、Cr或其混合物中的至少一种的电极层、和/或透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化镓铟和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。辅助电极212可以包括与像素电极210相同的材料。
像素限定层120可以位于像素电极210和辅助电极212上。像素限定层120可以具有使像素电极210的至少一部分露出的第二开口OP2和使辅助电极212的至少一部分露出的第三开口OP3。
像素限定层120可以经由使像素电极210的至少一部分露出的第二开口OP2对像素P进行限定。此外，像素限定层120可以使像素电极210的边缘与对电极230之间的距离增加，从而防止在像素电极210和对电极230之间产生电弧。像素限定层120可以包括有机绝缘材料，例如聚酰亚胺(PI)和/或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。
发光层223可以位于像素电极210上，发光层223经由像素限定层120的第二开口OP2被露出。发光层223可以包括有机材料，该有机材料包括发射红光、绿光或蓝光的荧光材料或磷光材料。发光层223可以包括例如低分子有机材料或聚合物有机材料。
第一中间层221和第二中间层222可以分别位于发光层223的下方和上方。第一中间层221可以具有单层或多层结构。当第一中间层221包括聚合物材料时，第一中间层221可以是具有单层结构且包含聚(3,4)-亚乙基-二羟基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)的空穴传输层(HTL)。当第一中间层221包括低分子材料时，第一中间层221可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。第二中间层222可以具有单层或多层结构。第二中间层222可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
对电极230位于发光层223上。对电极230可以与显示区域DA外部(例如，图1的周边区域PA中)的电极电源线相接触，并且可以接收公共电源电压ELVSS。
对电极230可以是(半)透明电极。对电极230可以通过形成包括例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或Ag/Mg的金属层和/或包括诸如ITO、IZO，ZnO或In2O3等的(半)透明材料的层而形成为(半)透明电极。在非限制性实施例中，对电极230可以是金属薄膜层，该金属薄膜层含有比Mg更多的Ag。
间隔件130可以位于像素限定层120上。例如，间隔件130可以直接位于像素限定层120的顶表面的一部分上并部分地与像素限定层120的顶表面的一部分相接触。间隔件130可以与像素限定层120形成台阶。例如，间隔件130的边缘可以与像素限定层120的顶表面的一部分成台阶状。间隔件130可以包括与像素限定层120相同的材料。例如，间隔件130可以包括有机绝缘材料，例如PI或HMDSO。
如图5A所示，当有机发光显示设备的密封构件是包括玻璃材料的封装基板300A时，间隔件130可以保持基板100与封装基板300A之间的恒定的间隙，并且还可以防止或降低由于封装基板300A的下沉而引起的牛顿环现象。当有机发光显示设备包括如图5A所示的封装基板300A、和/或如图5B所示的包括至少一个无机层(310或330)和至少一个有机层320的薄膜封装层300B时，间隔件130可以支撑在发光层223的工艺中所使用的掩模。因此，可以防止或减少问题(例如在形成发光层223的过程中由于掩模的下沉而引起的缺陷)。
间隔件130可以位于像素限定层120上的与辅助电极212相对应的位置处，并且可以包括使对电极230和辅助电极212相接触的第一开口OP1。第一开口OP1可以与第三开口OP3重叠。辅助电极212和对电极230可以经由第一开口OP1而彼此直接接触。
如图4所示，当第一中间层221和第二中间层222通过像素限定层120的顶表面的至少一部分和间隔件130的顶表面延伸到辅助电极212的顶表面时，第一中间层221和第二中间层222可以分别包括第一孔221h和第二孔222h。第一孔221h和第二孔222h可以使经由第一开口OP1和第三开口OP3露出的辅助电极212的顶表面的至少一部分露出。由于通过相同的工艺(例如，激光钻孔)形成第一孔221h和第二孔222h，所以第一孔221h和第二孔222h的中心可以彼此重合。对电极230可以经由第一孔221h和第二孔222h与辅助电极212相接触。
在一些实施例中，第一孔221h和第二孔222h的直径可以小于第一开口OP1和第三开口OP3的直径。第一开口OP1的直径可以大于第三开口OP3的直径。间隔件130和像素限定层120可以在靠近第一开口OP1和第三开口OP3的部分处成台阶状。
对电极230的边缘的至少一部分可以与周边区域PA(例如，参考图1)中的电极电源线相接触。与显示区域DA相对应的对电极230可以局部地与辅助电极212相接触。由于辅助电极212连接到电极电源线并且对电极230与显示区域DA中的辅助电极212相接触，所以可以防止或减小在对电极230处的IR降(或电压降)。因此，可以防止发生无意识的亮度偏差，或者即使发生了亮度偏差也可以降低亮度偏差。
此外，由于将间隔件130布置为与对电极接触单元CECNT相对应，因此可以充分地确保显示区域DA的每单位面积中的间隔件130和对电极接触单元CECNT的接触面积和/或数量。根据一个实施例，由于显示区域DA中的非像素区域非常小，因此当形成非像素区域以使间隔件130与对电极接触单元CECNT相对应时，可以防止由于封装基板300A的抑制、发光层223的异常形成、以及如上所述在不形成非像素区域时可能会发生的在对电极230处的IR降所引起的显示质量问题。即使有机发光显示设备具有高分辨率和中到大的面积，并因此具有进一步减小的非像素区域，由于有机发光显示设备包括上述结构，因此可以防止上述的显示质量问题。
图6A至图6C示出图4的像素电路PC的部件的剖视图的实施例。参考图6A，像素电路PC可以包括TFT(诸如驱动TFT T1和开关TFT T2)和存储电容器Cst。驱动TFT T1可以包括：驱动沟道区CH1、包括位于驱动沟道区CH1的侧面上的驱动源极区S1和驱动漏极区D1这两者的驱动半导体层A1、以及与驱动沟道区CH1重叠的驱动栅电极G1。驱动源极区S1和驱动漏极区D1可以分别是驱动源电极和驱动漏电极。
开关TFT T2可以包括开关沟道区CH2、包括位于开关沟道区CH2的侧面上的开关源极区S2和开关漏极区D2这两者的开关半导体层A2、以及与开关沟道区CH2重叠的开关栅电极G2。开关源极区S2和开关漏极区D2可以分别是开关源电极和开关漏电极。
存储电容器Cst可以包括与第二存储电容器板CE2重叠的第一存储电容器板CE1。驱动TFT T1的驱动栅电极G1可以是存储电容器Cst的第一存储电容器板CE1。
缓冲层101可以位于基板100与驱动半导体层A1以及开关半导体层A2之间。栅极绝缘层103可以位于驱动导体层A1和开关半导体层A2、与驱动栅电极G1和开关栅电极G2之间。第一层间绝缘层105可以位于第一存储电容器板CE1与第二存储电容器板CE2之间。第二层间绝缘层107可以位于存储电容器Cst与数据线DL之间、并且位于存储电容器Cst与驱动电压线PL之间。平坦化绝缘层110可以位于数据线DL与像素电极210之间、并且位于驱动电压线PL与像素电极210之间。
缓冲层101和栅极绝缘层103可以具有包括例如氮化硅(SiNx)和/或氧化硅(SiOx)等无机材料的单层或多层。第一层间绝缘层105可以是包括例如SiOx、SiNx或氧化铝(Al2O3)等无机材料的单层或多层。第二层间绝缘层107可以是包括例如氮氧化硅(SiON)、SiOx和/或SiNx等无机材料的单层或多层。平坦化绝缘层110可以包括有机绝缘材料。有机绝缘材料的示例包括：酰亚胺聚合物、通用聚合物(诸如PMMA和PS等)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物、以及它们的共混物。
在图6A中，存储电容器Cst与驱动TFT T1重叠。在另一实施例中，驱动TFT T1与存储电容器Cst可以不重叠。
参考图6B，存储电容器Cst可以不与驱动TFT T1重叠。第一存储电容器板CE1可以位于与驱动栅电极G1和开关栅电极G2相同的层(例如，栅极绝缘层103)上，并且可以包括与驱动栅电极G1和开关栅电极G2相同的材料。第二存储电容器板CE2可以位于与数据线DL和驱动电压线PL相同的层(例如，第二层间绝缘层107)上，并且可以包括与数据线DL和驱动电压线PL相同的材料。
在图6A中，驱动电压线PL和数据线DL位于同一层上，但是在例如图6B所示的另一实施例中可以不为这种情况。
参考图6C，驱动电压线PL可以包括底部驱动电压线PL1和顶部驱动电压线PL2。底部驱动电压线PL1和顶部驱动电压线PL2可以通过其间的附加绝缘层109中的接触孔而彼此电连接。附加绝缘层109可以包括有机绝缘材料。有机绝缘材料的示例包括：酰亚胺聚合物、诸如PMMA和PS等通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物、以及它们的共混物。
图6A至图6C示出顶栅型结构的实施例，在该顶栅型结构中驱动TFT T1和开关TFTT2的驱动栅电极G1和开关栅电极G2分别位于驱动半导体层A1和开关半导体层A2上。在一个实施例中，驱动栅电极G1和开关栅电极G2可以在驱动半导体层A1和开关半导体层A2下具有底栅型结构。
图7示出有机发光显示设备的另一实施例的剖视图。图7中的剖视图是沿着图3中的剖面线III-III'而截取的。图7的有机发光显示设备的其他特征可以与图3和图4中的实施例相同。
参考图7，辅助电极212'可以不与像素电极210在同一层上。辅助电极212'可以位于像素电极210的下方，而平坦化绝缘层110位于辅助电极212'和像素电极210之间。平坦化绝缘层110可以包括用于使辅助电极212'露出的辅助电极孔110h。
辅助电极212'可以包括与像素电极210不同的材料。在实施例中，辅助电极212'可以包括与参考图6A和图6B描述的数据线DL和驱动电压线PL相同的材料。在一个实施例中，辅助电极212'可以包括与驱动电压线PL(例如参考图6C描述的顶部驱动电压线PL2)相同的材料。例如，辅助电极212'可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以形成为单层或多层。在非限制性实施例中，辅助电极212'可以包括含有Ti/Al/Ti的多层。
平坦化绝缘层110的辅助电极孔110h可以与上述参考图4描述的第一开口OP1和第三开口OP3重叠。通过辅助电极孔110h露出的辅助电极212'的顶表面的至少一部分可以经由第一开口OP1而与间隔件130上方的对电极230相接触。
第一中间层221和第二中间层222可以分别包括使辅助电极212'的至少一部分露出的第一孔221h和第二孔222h。对电极230可以经由第一二孔221h和第二孔222h与辅助电极212'相接触。在其中对电极接触单元CECNT被形成为由间隔件130包围并且对电极230和辅助电极212'彼此相接触的结构与参考图3而描述的结构相同。
第一孔221h和第二孔222h的直径可以小于或等于辅助电极孔110h的直径。如上所述，辅助电极孔110h的直径可以小于或等于第一开口OP1的直径，并且小于第三开口OP3的直径。
图8A至图8D示出有机发光显示设备的制造工艺的实施例。参考图8A，可以在基板100上形成像素电路PC，并且可以形成覆盖像素电路PC的平坦化绝缘层110。像素电路PC可以具有例如参考图6A至图6C描述的结构。平坦化绝缘层110可以包括用于与像素电极210电连接的像素电路孔110i。
随后，可以在平坦化绝缘层110上形成像素电极210和辅助电极212。可以通过形成导电材料层并将该导电材料层图案化来形成像素电极210和辅助电极212。像素电极210和辅助电极212可以包括：包含例如材料Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其混合物中的至少一种的电极层、和/或包含氧化铟锡(ITO)的透明或半透明电极层。在非限制性实施例中，像素电极210和辅助电极212可以是含有ITO/Ag/ITO的多层。
接下来，可以在像素电极210和辅助电极212上形成有机绝缘材料层140，并且可以使用例如半色调掩模500来对有机绝缘材料层140进行曝光。半色调掩模500可以包括遮光部分510、半透射部分520、以及透射部分530。在排列/安装半色调掩模500之后，有机绝缘材料层140可以通过照射例如紫外线光而被曝光。有机绝缘材料层140例如可以包括由正性光致抗蚀剂组成的有机绝缘材料。在一些实施例中，有机绝缘材料层140可以包括聚酰亚胺(PI)基的有机材料，或者可以包括HMDSO。
可以通过使用半色调掩模500进行的曝光以及有机绝缘材料层140的显影工艺来形成像素限定层120和间隔件130。如图8A和图8B所示，可以将与半色调掩模500的光透射部分530相对应的位置处的所有的有机绝缘材料层140除去，以使像素电极210和辅助电极212露出。由于在与半色调掩模500的半透射部分520相对应的区域中从有机绝缘材料层140中去除具有一定深度的有机绝缘材料，因此可以形成具有一定厚度的像素限定层120。可以在与遮光部分510相对应的位置处形成间隔件130。
可以将半色调掩模500的透射部分530布置为不仅与像素电极210相对应，而且还与辅助电极212相对应，使得间隔件130包括穿过间隔件130的第一开口OP1。像素限定层120包括分别使像素电极210和辅助电极212露出的第二开口OP2和第三开口OP3。
在本实施例中，使用了半色调掩模500。在一个实施例中，可以使用另一类型的掩模(例如，狭缝掩模)来代替半色调掩模500。
参考图8B，可以在其上已形成有像素限定层120和间隔件130的基板100上形成第一中间层221。可以在第一中间层221上形成与像素电极210相对应的发光层223。可以在发光层223上形成第二中间层222。
可以在像素电极210、辅助电极212和像素限定层120的顶表面的至少一部分上并且在间隔件130的顶表面上形成第一中间层221以覆盖整个显示区域DA(例如，参考图3)。第一中间层221可以包括HTL和/或HIL。
可以在第一中间层221上形成发光层223以与像素电极210相对应。发光层223可以包括低分子有机材料或聚合物有机材料。发光层223可以包括发射出红光、绿光或蓝光的荧光材料或磷光材料。
可以在发光层223上形成第二中间层222以覆盖整个显示区域DA(例如，参考图3)。第二中间层222可以包括ETL和/或EIL。在本实施例中，形成了第一中间层221和第二中间层222这两者。在一个实施例中，可以省略第二中间层222。下面将描述形成第一中间层221和第二中间层222的情况。
接下来，参考图8C，第一中间层221的第一孔221h和第二中间层222的第二孔222h可以通过除去与辅助电极212相对应的第一中间层221和第二中间层222的部分来形成。如图8B所示，可以将激光束照射到与辅助电极212的至少一部分相对应的第二中间层222上，并且可以同时形成第一中间层221的第一孔221h和第二中间层222的第二孔222h。可以通过第一开口OP1和第三开口OP3将激光束照射到第二中间层222上。由于第一孔221h和第二孔222h通过相同的激光束形成，因此第一孔221h和第二孔222h的中心可以彼此重合。由于第一中间层221和第二中间层222的材料以及它们被暴露于激光束的顺序上的差异，因此第一孔221h和第二孔222h的半径可以彼此不同。
参考图8D，可以形成对电极230。可以整体地形成对电极230以至少覆盖显示区域DA(例如参考图4)。可以在第二中间层222上形成对电极230，以与发光层223、辅助电极212和像素限定层120以及间隔件130的至少一部分相对应。对电极230在间隔件130上，并且可以经由间隔件130的第一开口OP1与辅助电极212的顶表面相接触。在这种情况下，辅助电极212可以分别经由例如通过上述的激光钻孔工艺而形成的第一中间层221和第二中间层222的第一孔221h和第二孔222h而被露出。
通过将间隔件130布置成与对电极230和辅助电极212的接触部分(例如，借助于上述工艺的对电极接触单元CECNT)相对应，可以充分地确保或增加对电极接触单元CECNT与间隔件130的每单位面积的分布密度。
通过经由上述处理在相同的掩模工艺中形成间隔件130和像素限定层120，可以减少处理时间和成本。可以防止诸如间隔件130与对电极接触单元CECNT之间的错位等问题。此外，可以防止在单独的工艺中形成间隔件130和像素限定层120时可能会发生的对电极230与辅助电极212之间的后续接触不足。
图9A至图9E是示出用于制造有机发光显示设备的工艺的附加实施例的剖视图。参考图9A，可以在基板100上形成像素电路PC，并且可以形成平坦化绝缘层110。像素电路PC可以具有例如参考图6A至图6C描述的结构。辅助电极212'可以在形成图6A和图6B中的驱动电压线PL的工艺中与驱动电压线PL一起形成，或者可以在形成图6C中的顶部驱动电压线PL2的工艺中与顶部驱动电压线PL2一起形成。辅助电极212'可以包括例如Mo、Al、Cu、Ti或其他材料，并且可以形成为单层或多层。在非限制性实施例中，辅助电极212'可以包括含有Ti/Al/Ti的多层。
在形成辅助电极212'之后，可以形成覆盖辅助电极212'的平坦化绝缘层110。平坦化绝缘层110可以包括用于使像素电路PC露出的像素电路孔110i和用于使辅助电极212'露出的辅助电极孔110h。
参考图9B，可以在平坦化绝缘层110上形成像素电极210，并且可以在像素电极210上形成有机绝缘材料层140。如上所述，有机绝缘材料层140可以包括PI组的有机绝缘材料、或者包含HMDSO的正性光致抗蚀剂等。
可以将半色调掩模500排列/安装在有机绝缘材料层140上。然后，有机绝缘材料层140可以通过照射诸如紫外线的光而被曝光，并且被显影以形成像素限定层120和间隔件130。可以将半色调掩模500的遮光部分510排列成与将要形成间隔件130的位置相对应。半透射部分520可以位于将要形成像素限定层120而不与间隔件130相重叠的位置。由于将半色调掩模500的透射部分530排列成不仅与像素电极210相对应而且还与辅助电极212'相对应，因此间隔件130可以包括穿过间隔件130的第一开口OP1，如图9C所示。像素限定层120可以包括分别用于使像素电极210和辅助电极212'露出的第二开口OP2和第三开口OP3。
参考图9C，可以在其上已形成有像素限定层120和间隔件130的基板100上形成第一中间层221，可以形成在第一中间层221上与像素电极210相对应的发光层223，并且可以在发光层223上形成第二中间层222。用于形成第一中间层221、发光层223和第二中间层222的工艺可以与上面参考图8B所描述的工艺相同。然而，根据实施例，由于辅助电极212'在平坦化绝缘层110的下方并且经由辅助电极孔110h而露出，所以第一中间层221和第二中间层222也可以位于与辅助电极孔110h邻近的平坦化绝缘层110的侧壁上。
如图9C和图9D所示，可以将激光束照射到与辅助电极212'的至少一部分相对应的第二中间层222上，并且可以同时形成第一中间层221的第一孔221h和第二中间层222的第二孔222h。第一孔221h和第二孔222h的尺寸可以小于或等于辅助电极孔110h的尺寸。
参考图9E，可以形成对电极230。可以整体地形成对电极230以至少将显示区域DA覆盖(例如参考图4)。在形成对电极230的过程中，对电极230可以将间隔件130的顶表面覆盖，并且可以经由穿过间隔件130的第一开口OP1与辅助电极212'的顶表面相接触。在这种情况下，辅助电极212'可以分别经由通过上述激光钻孔工艺形成的第一中间层221和第二中间层222的第一孔221h和第二孔222h而被露出。
通过将间隔件130布置成与对电极230和辅助电极212'的接触部分(例如，借助于上述工艺的对电极接触单元CECNT)相对应，可以充分地确保或增加对电极接触单元CECNT与间隔件130的每单位面积的分布密度。因此，可以提高有机发光显示设备的显示质量。
此外，可以以相同的掩模工艺来形成间隔件130和像素限定层120，以减少工艺时间和成本。因此，可以防止诸如间隔件130与对电极接触单元CECNT之间的错位、以及在单独的工艺中执行间隔件130和像素限定层120的形成时可能会发生的对电极230和辅助电极212'之间的后续接触不足等问题。
根据一个或多个上述实施例，有机发光二极管显示器可以充分地确保每单位面积的对电极接触单元的接触面积和/或数量，并且可以充分地确保每单位面积的间隔件的数量。因此，可以提供高质量的图像。
本文已经公开了示例性实施例，并且尽管采用了特定术语，但是它们仅在通用性和描述性的意义上被使用并且被解释，而不是为了限制的目的。在一些情况下，如提交本申请的本领域普通技术人员所显而易见的，结合特定实施例描述的特征、特性和/或元素可以单独使用或与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元素结合使用，除非另有说明。因此，在不脱离权利要求中所阐述的实施例的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种有机发光显示设备，包括：
像素电极和辅助电极，位于同一层上，所述像素电极和所述辅助电极彼此分离且被电隔离；
像素限定层，位于所述像素电极和所述辅助电极上，所述像素限定层使所述像素电极的至少一部分和所述辅助电极的至少一部分露出；
间隔件，与所述辅助电极和所述像素限定层的部分相对应，所述间隔件使所述辅助电极的至少一部分露出；
发光层，位于所述像素电极上；以及
对电极，位于所述发光层和所述间隔件上，所述对电极与所述辅助电极相接触。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中：
所述对电极和所述辅助电极之间的接触部分在与所述辅助电极的面向所述对电极的表面相交叉的方向上被所述间隔件包围。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中：
所述间隔件具有使所述辅助电极的至少一部分露出的第一开口，所述第一开口与所述对电极和所述辅助电极之间的接触部分重叠。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示设备，其中：
所述像素限定层具有使所述像素电极的至少一部分露出的第二开口以及使所述辅助电极的至少一部分露出的第三开口，所述第三开口与所述第一开口重叠。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示设备，其中：
所述第一开口具有比所述第三开口的直径更大的直径。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，进一步包括：
第一中间层，位于所述像素限定层的顶表面、所述间隔件的顶表面、所述像素电极和所述辅助电极的至少一部分上，其中，所述第一中间层具有使所述辅助电极的至少一部分露出的第一孔，使得所述对电极经由所述第一孔与所述辅助电极相接触。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示设备，其中：
所述第一孔仅使所述辅助电极的一部分露出。
8.根据权利要求6所述的有机发光显示设备，进一步包括：
第二中间层，位于所述第一中间层与所述对电极之间，其中，所述第二中间层具有与所述第一孔相对应的第二孔，使得所述对电极经由所述第一孔和所述第二孔与所述辅助电极相接触。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示设备，其中：
所述第二孔具有与所述第一孔的中心重合的中心。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中：
所述间隔件和所述像素限定层包括相同的材料。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中：
所述像素电极和所述辅助电极包括相同的材料。
12.一种有机发光显示设备，包括：
辅助电极；
绝缘层，将所述辅助电极覆盖，并且包括使所述辅助电极露出的辅助电极孔；
像素电极，位于所述绝缘层上，并且与所述辅助电极电绝缘；
像素限定层，位于所述绝缘层上，所述像素限定层使所述像素电极的至少一部分和经由所述辅助电极孔露出的所述辅助电极的至少一部分露出；
间隔件，与所述辅助电极和所述像素限定层的部分相对应，所述间隔件使所述辅助电极的至少一部分露出；
发光层，位于所述像素电极上；以及
对电极，位于所述发光层和所述间隔件上，所述对电极与所述辅助电极相接触。
13.根据权利要求12所述的有机发光显示设备，其中：
所述对电极和所述辅助电极之间的接触部分在与所述辅助电极的面向所述对电极的表面相交叉的方向上被所述间隔件包围。
14.根据权利要求13所述的有机发光显示设备，其中：
所述间隔件具有使所述辅助电极的至少一部分露出的第一开口，所述第一开口与所述对电极和所述辅助电极之间的所述接触部分重叠。
15.根据权利要求14所述的有机发光显示设备，其中：
所述像素限定层具有使所述像素电极的至少一部分露出的第二开口以及使所述辅助电极的至少一部分露出的第三开口，所述第三开口与所述第一开口重叠。
16.根据权利要求15所述的有机发光显示设备，其中：
所述第一开口具有比所述第三开口的直径更大的直径，并且
所述间隔件在与所述第一开口和所述第三开口邻近的部分处与所述像素限定层形成台阶。
17.根据权利要求12所述的有机发光显示设备，进一步包括：
第一中间层，位于所述像素限定层的顶表面、所述间隔件的顶表面、所述像素电极和所述辅助电极的至少一部分上，其中，所述第一中间层包括使所述辅助电极的至少一部分露出的第一孔，使得所述对电极经由所述第一孔与所述辅助电极相接触。
18.根据权利要求17所述的有机发光显示设备，其中：
所述第一孔仅使所述辅助电极的一部分露出。
19.根据权利要求17所述的有机发光显示设备，进一步包括：
第二中间层，位于所述第一中间层与所述对电极之间，其中，所述第二中间层具有与所述第一孔相对应的第二孔，使得所述对电极经由所述第一孔和所述第二孔与所述辅助电极相接触。
20.根据权利要求12所述的有机发光显示设备，其中：
所述像素电极和所述辅助电极包括相同的材料。
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