CN113140594A - 有机发光显示设备 - Google Patents

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金珍泽
朴美珍
文秀贤
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Abstract

在颜色混合减少的有机发光显示设备中，有机发光显示设备包括基板；设置在基板上以彼此间隔开的多个像素电极；设置在基板上的并且覆盖多个像素电极中的每一个的边缘以暴露多个像素电极中的每一个的中心部分的像素限定层；和设置在像素限定层上以彼此间隔开的多个间隔件，其中多个间隔件中的每一个在朝着最靠近的像素电极的方向上的边缘与最靠近的像素电极的未被像素限定层覆盖的部分之间的距离为约3μm或更小。

Description

有机发光显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年1月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0007382号的权益，其公开通过引用以其整体并入本文。
技术领域
本发明构思涉及有机发光显示设备，且更具体地，涉及其中颜色混合减少的有机发光显示设备。
背景技术
一般而言，有机发光显示设备可具有其中包括发射层的中间层设置在像素电极与对电极之间的结构。中间层可通过沉积而形成，并且可包括各种层。在中间层中包括的层中，通过使用称为开口掩模的掩模，在多个像素中同时形成要一体形成的层。对于发射层，由于仅在发射红光的像素中形成红色发射层，并且仅在发射绿光的像素中形成绿色发射层，所以通过使用精细金属掩模仅在特定像素中形成红色发射层和绿色发射层。
发明内容
上述有机发光显示设备具有的问题在于，用于在制造工艺中在特定像素中形成的发射层的材料被设置为邻近于另一像素或在另一像素处，并且因此，当在显示设备完成后形成图像时，可发生颜色混合。
一个或多个实施方式包括其中颜色混合减少的有机发光显示设备。然而，实施方式是示例性的并且本公开的范围不限于此。
另外的方面将在随后的描述中部分地阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或可通过实践本公开呈现的实施方式而获知。
根据本发明的示例性实施方式，有机发光显示设备包括：基板；设置在基板上以彼此间隔开的多个像素电极；设置在多个像素电极上的对电极；像素限定层，该像素限定层设置在基板上并且包括暴露多个像素电极的多个像素限定孔，多个像素限定孔中的每一个暴露多个像素电极的对应像素电极的中心部分；和设置在像素限定层上以彼此间隔开的多个间隔件。多个间隔件中的每一个设置在像素限定层与对电极之间。
多个间隔件中的每一个邻近于最靠近的像素电极的边缘与最靠近的像素电极的未被像素限定层覆盖的部分之间的距离至多约3μm。
多个间隔件中的每一个邻近于最靠近的像素电极的边缘与最靠近的像素电极的未被像素限定层覆盖的部分之间的距离在约1μm与约3μm之间。
多个间隔件中的每一个邻近于最靠近的像素电极的边缘与最靠近的像素电极的未被像素限定层覆盖的部分之间的距离为约2μm。
多个间隔件中的每一个设置在多个像素电极的对应像素电极与像素电极中最靠近对应像素电极的一个之间。
多个像素电极设置在彼此平行的多条第一虚拟直线和彼此平行的并且与多条第一虚拟直线交叉的多条第二虚拟直线的交点处。多个间隔件包括设置在多条第一虚拟直线上的多个第一间隔件和设置在多条第二虚拟直线上的多个第二间隔件。多个第一间隔件中的每一个设置在多个像素电极中的布置在多条第一虚拟直线的对应第一虚拟直线上的两个邻近像素电极之间。多个第二间隔件中的每一个设置在多个像素电极中的布置在多条第二虚拟直线的对应第二虚拟直线上的两个邻近像素电极之间。
多个像素电极中的一个像素电极与第二最靠近该一个像素电极的像素电极中的一个之间的像素限定层的上表面的部分接触空穴注入层或空穴传输层。
多个像素电极中的每一个被与其最靠近的四个间隔件围绕。
有机发光显示设备进一步包括设置在多个间隔件中的每一个的侧表面上的辅助层，该辅助层包括与设置在最靠近辅助层的像素电极上的发射层的材料相同的材料。
辅助层与发射层一体形成。
有机发光显示设备进一步包括：设置在基板之上的多个薄膜晶体管；和平坦化层，该平坦化层覆盖多个薄膜晶体管并且具有用于暴露多个薄膜晶体管中的每一个的源电极和漏电极中的任何一个的多个通孔。多个像素电极设置在平坦化层上。多个像素电极分别通过多个通孔电连接至多个薄膜晶体管。设置在多个像素电极中的一个像素电极上的发射层设置在一个像素电极的接触多个薄膜晶体管中的对应一个的部分上。
有机发光显示设备进一步包括聚焦透镜，该聚焦透镜设置在一个像素电极之上并且聚焦由发射层产生并且在远离像素电极的方向上行进的光。
聚焦透镜的中心可匹配一个像素电极的该部分的中心，该部分接触多个薄膜晶体管中的对应一个。
根据本发明构思的示例性实施方式，有机发光显示设备包括：基板；设置在基板上的像素电极；像素限定层，该像素限定层设置在基板上并包括暴露像素电极的像素限定孔；设置在像素电极和像素限定层上的对电极；设置在像素限定层上并在第一方向上彼此间隔开的一对第一间隔件，像素限定孔设置在该对第一间隔件之间并且该对第一间隔件中的每一个设置在像素限定层与对电极之间；以及设置在像素限定层上且在不同于第一方向的第二方向上彼此间隔开的一对第二间隔件，像素限定孔设置在该对第二间隔件之间且该对第二间隔件中的每一个设置在像素限定层与对电极之间。
该对第一间隔件中的每一个的边缘以第一距离与由像素限定孔暴露的像素电极的对应边缘间隔开。在俯视图上在第一方向上测量第一距离，并且第一距离在约1μm与约3μm之间。
该对第二间隔件中的每一个的边缘以第二距离与由像素限定孔暴露的像素电极的对应边缘间隔开。在俯视图上在第二方向上测量第二距离，并且第二距离在约1μm与约3μm之间。
在第二方向上与该对第一间隔件中的一个邻近并且在第一方向上与该对第二间隔件中的一个邻近的区域上不存在间隔件。
有机发光显示设备进一步包括设置在像素电极上的发射层，以及设置在该对第一间隔件中的每一个的侧表面上的辅助层，辅助层包括与发射层的材料相同的材料。
从下述对实施方式、权利要求和附图的描述中，其他方面、特征和优势将变得显而易见且更容易理解。
附图说明
本公开的某些实施方式的以上和其他方面、特征和优势将从结合所附附图的下述描述中更显而易见，其中：
图1为示意性阐释根据本发明构思的示例性实施方式的有机发光显示设备的一部分的平面图；
图2为根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图1的线II-II’截取的示意性截面图；
图3为根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图1的线III-III’截取的示意性截面图；
图4为根据比较例的有机发光显示设备的制造工艺的操作的示意性截面图；
图5为根据本发明构思的示例性实施方式的图1的有机发光显示设备的制造工艺的操作的示意性截面图；
图6为根据本发明构思的示例性实施方式的有机发光显示设备的示意性截面图；并且
图7为根据本发明构思的示例性实施方式的有机发光显示设备的示意性截面图。
具体实施方式
现将详细地参考实施方式，其示例阐释在所附附图中，其中相同的附图标记通篇指相同的元件。就此而言，本实施方式可具有不同的形式并且不应解释为限于本文阐述的描述。因此，下面通过参考图仅描述实施方式，以解释本描述的方面。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关的列举项目中的任何和所有组合。在本公开通篇中，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b二者、a和c二者、b和c二者、所有的a、b和c，或其变形。
在下文，将通过参考所附附图解释本公开的实施方式来详细地描述本公开。附图中相同的附图标记表示相同的元件，并且省略了对其的冗余解释。
将理解，当组件，比如层、膜、区域或板，被称为在另一组件“上”时，组件可直接在另一组件上，或可在其间存在中间组件。为了便于解释，附图中组件的尺寸可被夸大。换句话说，由于为了便于解释，附图中组件的尺寸和厚度被随意阐释，因此下述实施方式不限于此。
在下述示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可在更广泛的意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可彼此垂直，或可表示彼此不垂直的不同方向。
图1为示意性阐释根据本发明构思的示例性实施方式的有机发光显示设备的一部分的平面图。图2为沿着图1的线II-II’截取的示意性截面图。图3为沿着图1的线III-III’截取的示意性截面图。在图1中，每个像素为红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B中的一个。在图2中，阐释了蓝色有机发光装置310B和红色有机发光装置310R，并且在图3中，阐释了绿色有机发光装置310G和红色有机发光装置310R。虽然图2阐释了薄膜晶体管210，但是为了附图的简洁，图3没有阐释薄膜晶体管210。图2的薄膜晶体管210为驱动薄膜晶体管。其他薄膜晶体管或电容器、或各种布线可在每个像素中。虽然为了便于解释，图2仅阐释了驱动薄膜晶体管210，但是其他薄膜晶体管或电容器、或布线可设置在基板100上。在图3中，其他薄膜晶体管或电容器、或布线可设置在基板100上。
根据本实施方式的有机发光显示设备提供有像素电极311R、311G和311B，这些像素电极布置在基板100上并且彼此间隔开。
基板100可包括玻璃、金属或聚合物树脂。当有机发光显示设备在一部分处为柔性的或可弯曲的时，基板100可为柔性的或可弯曲的。在该情况下，基板100可包括聚合物树脂，例如，聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。基板100可具有例如包括两个层的多层结构，每个层包括聚合物树脂，并且屏障层设置在两个层之间。在示例性实施方式中，屏障层可包括无机材料比如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。可对基板100的结构进行各种修改。
各种构成元件可设置在基板100与像素电极311R、311G和311B之间。例如，如图2中阐释，薄膜晶体管210可设置在基板100上。
薄膜晶体管210可包括半导体层211(包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料)、栅电极213、源电极215a和漏电极215b。栅电极213可包括各种导电材料并且具有各种层状结构。在示例性实施方式中，栅电极213可包括Mo层、Al层或其组合。源电极215a和漏电极215b也可包括各种导电材料和各种层状结构。在示例性实施方式中，源电极215a和漏电极215b中的每一个可包括Ti层、Al层或其组合。
为了确保半导体层211与栅电极213之间的绝缘，栅绝缘膜121可设置在半导体层211与栅电极213之间，栅绝缘膜121包括无机材料，比如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。为了描述的方便以及附图的简洁，栅绝缘膜121被示为不包括在薄膜晶体管210中。本发明构思不限于此。例如，设置在栅电极213与半导体层211之间的栅绝缘膜121的一部分可被称为薄膜晶体管210的构成元件。另外，层间绝缘膜131可设置在栅电极213上，层间绝缘膜131包括无机绝缘材料，比如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。源电极215a和漏电极215b可设置在层间绝缘膜131上。包括无机绝缘材料的层间绝缘膜131可通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)而形成。这适用于下面描述的实施方式和其修改的示例。
缓冲层110可设置在薄膜晶体管210与基板100之间，缓冲层110包括无机材料，比如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。缓冲层110可用于提供平坦化表面以用于例如形成薄膜晶体管的后续工艺或者防止或减少杂质从基板100侵入薄膜晶体管210的半导体层211中。在示例性实施方式中，缓冲层110可设置在基板100与半导体层211之间以及在基板100与栅绝缘膜121之间。
平坦化层140可设置在薄膜晶体管210上。例如，如图2中阐释，在有机发光装置设置在薄膜晶体管210上方之前，平坦化层140可近似平坦化薄膜晶体管210的上表面或覆盖薄膜晶体管210的保护膜(未示出)的上表面。例如，平坦化层140可用于提供平坦化表面以用于例如形成有机发光装置的后续工艺。平坦化层140可包括，例如，有机材料比如丙烯酸、苯并环丁烯(BCB)或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。尽管图2和图3阐释作为单个层的平坦化层140，但是各种修改(例如多层)可为可能的。
有机发光显示设备可在每个像素中具有有机发光装置。每个有机发光装置可包括像素电极，对电极315(即，公共电极)和设置在它们之间的中间层。在示例性实施方式中，中间层可包括发射层。图1中的像素不意指像素电极，而是像素意指其中像素电极和中间层彼此接触的区。例如，在图1中，每个像素可指在像素电极与中间层之间的接触区。接触区可由稍后将描述的像素限定层150的开口限定。
像素电极311R、311G和311B可设置在平坦化层140上方并且可具有单层结构或多层结构。对于多层结构，每个像素电极可包括比如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟(In2O3)的导电层以及比如Al或Cu的导电层。像素电极311R、311G和311B可通过平坦化层140中形成的通孔直接或间接接触与其对应的薄膜晶体管210的源电极215a和漏电极215b中的任何一个。
像素限定层150可设置在平坦化层140上。像素限定层150具有对应于每个像素的开口，即，至少暴露像素电极311R、311G和311B中的每一个的中心部分的开口，从而限定像素。由图1中的R、G和B指示的部分为像素电极311R、311G和311B的各自部分，其是暴露的且不被像素限定层150覆盖。
此外，如图2和图3中阐释，像素限定层150可通过增加像素电极311R、311G和311B中的每一个的边缘与像素电极311R、311G和311B上方的对电极315之间的距离来防止在像素电极311R、311G和311B的边缘处产生电弧。像素限定层150可包括有机材料，比如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。
有机发光装置的中间层313R、313G和313B可包括低分子量材料或聚合物材料。当中间层313R、313G和313B包括低分子量材料时，通过使用真空沉积方法，中间层313R、313G和313B可具有空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)，其为以单个或复合结构堆叠的结构。当中间层313R、313G和313B包括聚合物材料时，中间层313R、313G和313B可具有包括HTL和EML的结构。在该情况下，HTL可包括PEDOT，EML可包括聚合物材料，比如聚苯撑乙烯(PPV)基类材料和聚芴基类材料。中间层313R、313G和313B可通过使用掩模的沉积方法形成，并且EML可通过沉积方法或喷墨打印方法形成。中间层313R、313G和313B不一定限于此，并且可具有各种结构。中间层313R、313G和313B可包括像素电极311R、311G和311B之上的一体层。本发明构思不限于此。在实施方式中，层(例如EML)可被图案化，使得EML单独地设置在对应像素的像素电极311R、311G和311B上。在下述描述中，为了方便起见，附图标记313R、313G和313B用于指EML。
对电极315可与红色有机发光装置310R、绿色有机发光装置310G和蓝色有机发光装置310B一体形成以对应于像素电极311R、311G和311B。对电极315覆盖显示区并且延伸至显示区外侧的外周区。
由于有机发光装置可容易被外部水分或氧气损坏，所以封装层(未示出)可覆盖并保护有机发光装置。封装层可覆盖显示区并延伸至外周区的至少一部分。封装层可包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。
多个间隔件170在像素限定层150上彼此间隔开。在示例性实施方式中，四个间隔件170邻近于像素电极311R、311G和311B中的每一个。例如，像素电极311R设置在于y轴方向上布置的两个像素电极之间并且在于x轴方向上布置的两个像素电极之间。在该状态下，在朝着最靠近的像素电极的中心的方向上的间隔件170中的每一个的边缘与最靠近的像素电极的未被像素限定层150覆盖的部分之间的距离d1、d2、d3和d4中的每一个为约3μm或更小。在示例性实施方式中，距离d1、d2、d3和d4可为例如至多约3μm的相同距离。本发明不限于此。沿着x轴方向测量的距离d1和d2可不同于沿着y轴方向测量的距离d3和d4。间隔件170可包括有机材料(比如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO))或无机材料(比如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅)。如上所述，相对于多个像素一体形成的对电极315可设置在间隔件170上。与多个像素一体形成的中间层的层，例如，HIL或HTL，设置在间隔件170上。
EML可通过使用具有沉积开口410的掩模400来沉积，如图4中阐释，其中在掩模400与像素限定层150之间不存在间隔件170。图4阐释了其中红色EML在红色像素中的像素电极311R上形成的情况。如图4中阐释，红色EML使用与像素限定层150垂直间隔开的掩模400来沉积。然而，在该情况下，如图4中的箭头500指示，可能有用于红色EML的材料穿过掩模400的沉积开口410，并且然后在朝着邻近像素(例如，用于绿色的像素电极311G)，而不是朝着用于红色的像素电极311R或其周围的方向上行进。因此，用于红色EML的材料可设置在用于绿色的像素电极311G上或与其邻近。这可稍后导致，在有机发光显示设备完成后，绿色像素不会准确地仅发射绿光，而是即使稍微连同绿光也会一起发射红光。
如图5中阐释，在根据本实施方式的有机发光显示设备中，在掩模400与像素限定层150之间提供间隔件170之后，将沉积EML。通过使用具有沉积开口410的掩模400沉积EML，间隔件170填充掩模400与像素限定层150之间的间隙。图5阐释其中红色EML 313R在红色像素中的像素电极311R上形成的情况。如图5中阐释，当掩模400与间隔件170接触时，沉积红色EML 313R。在该情况下，如图5中的箭头500指示，用于红色EML的材料穿过掩模400的沉积开口410，并且然后在朝着邻近像素(例如，用于绿色的像素电极311G)，而不是朝着用于红色的像素电极311R或其周围的方向上行进。然而，用于红色EML 313R的材料被间隔件170阻挡，并且不允许在朝着用于绿色的像素电极311G的方向上行进。因此，在根据本实施方式的有机发光显示设备中，可从红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B中的每一个发射精确预期颜色坐标的光。
在间隔件170中的每一个中，随着在朝着最靠近的像素电极的方向上的边缘(即，朝着最靠近的像素电极的中心的方向上的边缘)与最靠近的像素电极的未被像素限定层150覆盖的部分之间的距离d1、d2、d3或d4尽可能短地减小，当形成特定EML时，用于特定EML的材料可选择性沉积在对应像素电极上。由于距离d1、d2、d3或d4的增加意味着当形成特定EML时用于特定EML的材料沉积的区增加，因此用于EML的材料甚至可沉积在不必要的区中。在示例性实施方式中，在间隔件170中的每一个中，在朝着最靠近的像素电极的中心的方向上的边缘与最靠近的像素电极的未被像素限定层150覆盖的部分之间的距离d1、d2、d3或d4为至多约3μm的距离。
在间隔件170中的每一个中，当在朝着最靠近的像素电极的方向上的边缘(即，朝着最靠近的像素电极的中心的方向上的边缘)与最靠近的像素电极的未被像素限定层150覆盖的部分之间的距离d1、d2、d3或d4过度减小时，对电极315的一部分可在形成对电极315的工艺中与对电极315的另一部分分离。例如，在间隔件170中的每一个中，当在朝着最靠近的像素电极的中心的方向上的边缘与最靠近的像素电极的未被像素限定层150覆盖的部分之间的距离d1、d2、d3或d4为0μm时，这意味着对电极315覆盖具有增加的斜率的阶梯。阶梯具有的高度是像素限定层150的高度和间隔件170的高度的总和。随着阶梯的斜率增加，当形成对电极315时，对电极315可不连续形成以填充由间隔件170或像素限定层150的开口限定的空间的可能性急剧增加。例如，在形成对电极315的工艺中，当阶梯的斜率增加时，对电极315的一部分可与对电极315的另一部分分离，使得聚焦透镜190(参见图6)可能不会适当地形成在对电极315上。
为了防止这种问题，在间隔件170中的每一个中，在朝着最靠近的像素电极的方向上的边缘(即，朝着最靠近的像素电极的中心的方向上的边缘)与最靠近的像素电极的未被像素限定层150覆盖的部分之间的距离d1、d2、d3或d4为约1μm或更大。因此，当形成对电极315时，在形成对电极315的工艺中，对应于像素限定层150的高度的小阶梯不会导致对电极315的一部分与对电极315的另一部分分离。此外，在从像素限定层150到间隔件170的部分中，在形成对电极315的工艺中，具有较小阶梯斜率的间隔件170的高度不会导致对电极315的一部分与其另一部分分离。
正因如此，在间隔件170中的每一个中，在朝着最靠近的像素电极的方向上的边缘(即，朝着最靠近的像素电极的中心的方向上的边缘)与最靠近的像素电极的未被像素限定层150覆盖的部分之间的距离d1、d2、d3或d4为在约1μm与约3μm之间的距离。在示例性实施方式中，距离d1、d2、d3或d4可为约2μm的距离。
为了确保在如图5中阐释的EML沉积工艺中间隔件170的屏蔽效果，间隔件170各自可具有如图1中阐释的适当宽度w。例如，如图1中阐释，邻近于用于蓝色的像素电极311B的间隔件170中的一个的边缘(在y轴方向上延伸)的长度可被定义为间隔件170中的每一个的宽度w。宽度w可大于或等于最靠近间隔件170的用于蓝色的像素电极311B的边缘(在y轴方向上延伸)的长度。用于蓝色的像素电极311B的边缘由用于蓝色的像素电极311B的未被像素限定层150覆盖的暴露部分限定。为了描述的方便和附图的简洁，假设间隔件170中的每一个是正方形。本发明构思不限于此。在示例性实施方式中，间隔件170中的每一个可为矩形或在EML沉积工艺中可具有屏蔽效果的任何形状。
参考图5，如上所述，在沉积红色EML 313R的工艺中，掩模400接触间隔件170。然而，随着掩模400的接触间隔件170的部分的面积增加，损坏掩模400的可能性也会增加。因此，掩模400的接触间隔件170的部分的面积可以尽可能减少。为此，如图1中阐释，间隔件170彼此间隔开。例如，间隔件170在像素限定层150上不彼此连接。
如上所述，在红色EML 313R沉积工艺中，可防止用于特定EML的材料在朝着相邻像素电极的方向上输送，或者可以通过使用间隔件170来减少。因此，间隔件170中的每一个可设置在一个像素电极和与该一个像素电极最靠近的像素电极中的任何一个之间。例如，在图1中，对于绿色像素G，最靠近的像素可以是在Y轴方向上彼此邻近设置的两个红色像素R和在X轴方向上彼此邻近设置的两个蓝色像素B。因此，间隔件170设置在绿色像素G的像素电极311G与蓝色像素B的像素电极311B之间，以及在绿色像素G的像素电极311G与红色像素R的像素电极311R之间。例如，多个像素电极中的每一个被四个间隔件170围绕。
如图1中阐释，多个像素电极可设置在彼此平行的多条第一虚拟直线VL1(在X轴方向上延伸)和彼此平行的并且与第一虚拟直线VL1交叉的多条第二虚拟直线VL2(在Y轴方向上延伸)的交点处。间隔件170沿着多条第一虚拟直线VL1或多条第二虚拟直线VL2设置，以对应于多个像素电极之间的位置。例如，间隔件170仅设置在多条第一虚拟直线VL1或多条第二虚拟直线VL2上，以对应于多个像素电极之间的位置。换句话说，间隔件170不设置在多个像素电极中的一个像素电极和与该一个像素电极最靠近的像素电极旁边的像素电极之间。在示例性实施方式中，多个间隔件170包括设置在多条第一虚拟直线VL1上的多个第一间隔件和设置在多条第二虚拟直线VL2上的多个第二间隔件。多个第一间隔件中的每一个设置在多个像素电极的两个邻近像素电极(布置在多条第一虚拟直线VL1的对应第一虚拟直线VL1上)之间。多个第二间隔件中的每一个设置在多个像素电极的两个邻近像素电极(布置在多条第二虚拟直线VL2的对应第二虚拟直线VL2上)之间。在示例性实施方式中，在沿着第二虚拟直线与该对第一间隔件邻近并且在沿着第一虚拟直线与该对第二间隔件邻近的区域上不存在间隔件。
例如，对于绿色像素G，最靠近的像素是在X轴方向上的两个蓝色像素B和在Y轴方向上的两个红色像素R。第二最靠近绿色像素G的像素是四个绿色像素G。在X轴方向上布置的两个间隔件170中的每一个设置在绿色像素G与在X轴方向上布置的两个蓝色像素B中的对应一个之间，并且在Y轴方向上布置的两个间隔件170中的每一个设置在绿色像素G与在Y轴方向上布置的两个红色像素R中的对应一个之间。在绿色像素G与四个绿色像素G中的每一个之间没有设置间隔件。对于红色像素R，最靠近的像素是在X轴方向和Y轴方向上设置的四个绿色像素G，并且第二最靠近红色像素G的像素是四个蓝色像素G。布置在X轴方向上的两个间隔件170中的每一个设置在红色像素R与布置在X轴方向上的两个绿色像素G中的对应一个之间，并且布置在Y轴方向上的两个间隔件170中的每一个设置在红色像素R与布置在Y轴方向上的两个绿色像素G中的对应一个之间。在红色像素R与四个蓝色像素B中的每一个之间没有设置间隔件。对于蓝色像素B，最靠近的像素是在X轴方向和Y轴方向上设置的四个绿色像素G，并且第二最靠近蓝色像素B的像素是四个红色像素R。布置在X轴方向上的两个间隔件170中的每一个设置在蓝色像素B与布置在X轴方向上的两个绿色像素G中的对应一个之间，并且布置在Y轴方向上的两个间隔件170中的每一个设置在蓝色像素B与布置在Y轴方向上的两个绿色像素G中的对应一个之间。在蓝色像素B与四个红色像素R中的每一个之间没有设置间隔件。
由于上述描述适用于其中如图1所阐释的布置红色像素R、蓝色像素B和绿色像素G的情况，所以当布置方法改变时，关于间隔件170的位置的描述可相应地改变。然而，在任何情况下，间隔件170仅设置在多条第一虚拟直线VL1或多条第二虚拟直线VL2上，以对应于多个像素电极之间的位置。因此，在像素电极311R、311G和311B中，在一个像素电极和与最靠近该一个像素电极的像素电极旁边的像素之间的像素限定层150的上表面的部分接触HIL或HTL，而不接触间隔件170。这是因为间隔件170不存在于该部分中。间隔件170在像素限定层150的上表面上的部分可直接接触间隔件170。
如图5中阐释，在沉积红色EML 313R的沉积工艺中，已经穿过掩模400的沉积开口410的用于红色EML 313R的材料的一部分被间隔件170阻挡，以设置在间隔件170的侧表面上。因此，在根据本实施方式的有机发光显示设备中，包括与设置在最靠近的像素电极(即用于红色的像素电极311R)上的红色EML 313R的材料相同的材料的辅助层313R-A可在朝着最靠近的像素电极(即用于红色的像素电极311R)的方向上设置在间隔件170中的每一个的侧表面上。如图5中阐释，红色EML 313R可形成在用于红色的像素电极311R上，并且因此，包括与红色EML 313R的材料相同的材料的辅助层313R-A可以在朝着用于红色的像素电极311R的方向上形成在间隔件170中的每一个的侧表面上。此外，辅助层313R-A可与在用于红色的像素电极311R上的红色EML 313R一体形成。这适用于发射其他颜色光(比如蓝色光和绿色光)的像素。
在图1中，每个像素不是正方形或矩形，而是具有带有一个斜切角的形状。这是因为，在覆盖斜切角的像素限定层150的部分之下，如图2中阐释，像素电极311B和311R通过通孔接触与其对应的薄膜晶体管210。在其中每单位面积像素的数量增加的更高分辨率显示器中，像素之间的间距可相对减小。因此，在确保像素电极311B和311R通过通孔接触与其对应的薄膜晶体管210的接触面积的工艺中，如图1中阐释，每个像素不是正方形或矩形，而是具有带有一个斜切角的形状。
图6是根据实施方式的有机发光显示设备的示意性截面图。尽管为了便于解释，图6阐释了用于蓝色的蓝色有机发光装置310B，但是本公开不限于此。参考图6的描述可应用于红色有机发光装置310R或绿色有机发光装置310G。
根据本实施方式的有机发光显示设备和上述有机发光显示设备之间的区别在于，设置在平坦化层140上的像素电极311B的通过通孔与源电极215a和漏电极215b中的任何一个接触的部分未被像素限定层150覆盖。例如，设置在平坦化层140上的像素电极311B的与源电极215a和漏电极215b中的任何一个接触的部分不与像素限定层150垂直重叠。设置在像素电极311B上的EML 313B设置在像素电极311B的接触薄膜晶体管210的部分上。EML313B可设置在除了像素电极311B的上述部分之外的部分上。
如上所述，在其中每单位面积像素的数量增加的更高分辨率显示器中，像素之间的间距相对减小。因此，可不容易确保像素电极311B通过通孔接触与其对应的薄膜晶体管210的接触面积。为了解决上述问题，如图6中阐释，设置在像素电极311B上的EML 313B可设置在像素电极311B的接触薄膜晶体管210的部分上。
在该情况下，由于EML 313B甚至设置在像素电极311B的倾斜部分上。例如，EML313B设置在平坦化层140的通孔的内表面上，从该部分发射的光倾向于在倾斜方向上行进，而不是在近似垂直于基底100的方向上行进。结果，由于从EML 313B发射的光可过度扩散，所以根据本实施方式的有机发光显示设备可进一步包括聚焦透镜190，如图6中阐释。设置在像素电极311B上方的聚焦透镜190可通过聚焦从EML 313B产生的光并在与朝着像素电极311B的方向相反的方向上行进来防止从EML 313B发射的光的过度扩散。
聚焦透镜190的中心可匹配像素电极311B的接触薄膜晶体管210的部分的中心，例如，像素电极311B的接触漏电极215b的部分的中心。
尽管图6阐释聚焦透镜190设置在对电极315上，但是本公开不限于此。图7是根据实施方式的有机发光显示设备的示意性截面图。如图7中阐释，封装层180可覆盖蓝色有机发光装置310B以保护有机发光装置310B，并且聚焦透镜190可设置在封装层180上。封装层180可覆盖显示区并延伸到外周区的至少一部分。封装层180可包括第一无机封装层181、有机封装层183和第二无机封装层185。聚焦透镜190可设置在第二无机封装层185上。在示例性实施方式中，用于触摸屏功能的触摸传感器层可提供在聚焦透镜190与封装层180之间。
根据如上配置的上述实施方式，可实现其中颜色混合减少的有机发光显示设备。这种效果不会限制本发明的范围。
应理解，本文描述的实施方式应仅以描述性意义考虑，而不是为了限制的目的。每个实施方式中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施方式中的其他类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可在形式和细节上进行各种改变。

Claims (12)

1.一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括：
基板；
设置在所述基板上以彼此间隔开的多个像素电极；
设置在所述基板上的并且包括暴露所述多个像素电极的多个像素限定孔的像素限定层，其中所述多个像素限定孔中的每一个暴露所述多个像素电极的对应像素电极的中心部分；和
设置在所述像素限定层上以彼此间隔开的多个间隔件，
其中所述多个间隔件中的每一个邻近于最靠近的像素电极的边缘与所述最靠近的像素电极的未被所述像素限定层覆盖的部分之间的距离至多3μm。
2.如权利要求1所述的有机发光显示设备，
其中所述多个间隔件中的每一个邻近于所述最靠近的像素电极的所述边缘与所述最靠近的像素电极的未被所述像素限定层覆盖的部分之间的所述距离在1μm与3μm之间。
3.如权利要求1所述的有机发光显示设备，
其中所述多个间隔件中的每一个邻近于所述最靠近的像素电极的所述边缘与所述最靠近的像素电极的未被所述像素限定层覆盖的部分之间的所述距离为2μm。
4.如权利要求1所述的有机发光显示设备，
其中所述多个间隔件中的每一个设置在所述多个像素电极的对应像素电极与像素电极中最靠近所述对应像素电极的一个之间。
5.如权利要求1所述的有机发光显示设备，
其中所述多个像素电极设置在彼此平行的多条第一虚拟直线和彼此平行的并且与所述多条第一虚拟直线交叉的多条第二虚拟直线的交点上，并且
其中所述多个间隔件包括设置在所述多条第一虚拟直线上的多个第一间隔件和设置在所述多条第二虚拟直线上的多个第二间隔件，
其中所述多个第一间隔件中的每一个设置在所述多个像素电极中的布置在所述多条第一虚拟直线的对应第一虚拟直线上的两个邻近像素电极之间，
其中所述多个第二间隔件中的每一个设置在所述多个像素电极中的布置在所述多条第二虚拟直线的对应第二虚拟直线上的两个邻近像素电极之间。
6.如权利要求1所述的有机发光显示设备，
其中所述多个像素电极中的一个像素电极与第二最靠近所述一个像素电极的像素电极之间的所述像素限定层的上表面的部分接触空穴注入层或空穴传输层。
7.如权利要求1所述的有机发光显示设备，
其中所述多个像素电极中的每一个被与其最靠近的四个间隔件围绕。
8.如权利要求1所述的有机发光显示设备，进一步包括：
在朝着所述最靠近的像素电极的中心的方向上设置在所述多个间隔件中的每一个的侧表面上的辅助层，所述辅助层包括与设置在所述最靠近的像素电极上的发射层的材料相同的材料。
9.如权利要求8所述的有机发光显示设备，
其中所述辅助层与所述发射层一体形成。
10.如权利要求1所述的有机发光显示设备，进一步包括：
设置在所述基板之上的多个薄膜晶体管；和
平坦化层，所述平坦化层覆盖所述多个薄膜晶体管并且具有用于暴露所述多个薄膜晶体管中的每一个的源电极和漏电极中的任何一个的多个通孔，
其中所述多个像素电极设置在所述平坦化层上，
其中所述多个像素电极分别通过所述多个通孔电连接至所述多个薄膜晶体管，以及
其中设置在所述多个像素电极中的一个像素电极中的发射层设置在所述一个像素电极的接触所述多个薄膜晶体管中的对应一个的部分上。
11.如权利要求10所述的有机发光显示设备，进一步包括：
聚焦透镜，所述聚焦透镜设置所述一个像素电极之上并且聚焦由所述发射层产生并且在远离所述像素电极的方向上行进的光。
12.如权利要求11所述的有机发光显示设备，
其中所述聚焦透镜的中心匹配所述一个像素电极的所述部分的中心，
其中所述部分接触所述多个薄膜晶体管中的对应一个。
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