CN109920927B

CN109920927B - 有机发光器件及其制作方法

Info

Publication number: CN109920927B
Application number: CN201910137260.6A
Authority: CN
Inventors: 林碧芬
Original assignee: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Current assignee: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date: 2019-02-25
Filing date: 2019-02-25
Publication date: 2021-04-02
Anticipated expiration: 2039-02-25
Also published as: CN109920927A

Abstract

本揭示提供了有机发光器件及其制作方法。有机发光器件包括背板、像素定义层、辅助阴极、有机发光材料层和阴极。所述像素定义层具有开口且设置在所述背板上。所述辅助阴极设置在所述像素定义层的所述开口内。所述有机发光材料层设置在所述像素定义层和所述辅助阴极上。所述阴极设置在所述有机发光材料层上。所述阴极通过所述像素定义层的所述开口与所述辅助阴极接触及连接，降低所述阴极的电阻，能减少有机发光器件的电压衰退，进而改善有机发光器件的发光性能。

Description

有机发光器件及其制作方法

【技术领域】

本揭示涉及显示技术领域，特别涉及一种有机发光器件及其制作方法。

【背景技术】

现有有机发光器件，电流驱动在远离驱动端的位置，由于线电阻的影响，导致有机发光器件的电压衰退(IR drop)，从而导致有机发光器件显示时亮度不均。

故，有需要提供一种有机发光器件及其制作方法，以解决现有技术存在的问题。

【发明内容】

为解决上述技术问题，本揭示的一目的在于提供有机发光器件及其制作方法，其能减少有机发光器件的电压衰退，进而改善有机发光器件的发光性能。

为达成上述目的，本揭示提供一有机发光器件的制作方法。所述有机发光器件的制作方法包括提供背板，在所述背板上形成具有开口的像素定义层，在所述像素定义层的所述开口内形成辅助阴极，在所述像素定义层和所述辅助阴极上形成有机发光材料层，以及在所述有机发光材料层上形成阴极，所述阴极通过所述像素定义层的所述开口与所述辅助阴极接触及连接。

于本揭示其中的一实施例中，所述有机发光器件的制作方法还包括使用斜角蒸镀工艺蒸镀所述有机发光材料层，使得所述有机发光材料层没有形成在所述辅助阴极的阴影区内。

于本揭示其中的一实施例中，所述有机发光器件的制作方法还包括使用直角蒸镀工艺蒸镀所述阴极，使得所述阴极形成在所述辅助阴极的阴影区内且所述阴极在所述辅助阴极的所述阴影区内与所述辅助阴极接触及连接。

于本揭示其中的一实施例中，所述辅助阴极为柱体且所述辅助阴极的材料包括金属。

于本揭示其中的一实施例中，所述柱体为直角柱体或倒梯形柱体。

于本揭示其中的一实施例中，所述有机发光器件的制作方法还包括使用直角蒸镀工艺蒸镀所述倒梯形柱体。

于本揭示其中的一实施例中，所述有机发光器件的制作方法还包括在所述背板上形成像素电极层，所述像素定义层形成在所述像素电极层上。

于本揭示其中的一实施例中，所述有机发光器件的制作方法还包括在所述背板上形成平坦层，所述像素电极层形成在所述平坦层上。

本揭示还提供一有机发光器件。由上述有机发光器件的制作方法制得。

本揭示还提供一有机发光器件。所述有机发光器件包括背板、像素定义层、辅助阴极、有机发光材料层和阴极。所述像素定义层具有开口且设置在所述背板上。所述辅助阴极设置在所述像素定义层的所述开口内。所述有机发光材料层设置在所述像素定义层和所述辅助阴极上。所述阴极设置在所述有机发光材料层上。所述阴极通过所述像素定义层的所述开口与所述辅助阴极接触及连接。

由于本揭示的实施例中的所述辅助阴极设置在所述像素定义层的所述开口内，所述有机发光材料层设置在所述像素定义层和所述辅助阴极上，所述阴极设置在所述有机发光材料层上，所述阴极通过所述像素定义层的所述开口与所述辅助阴极接触及连接。本揭示的实施例能降低所述阴极的电阻，能减少所述有机发光器件的电压衰退，进而改善所述有机发光器件的发光性能。

为让本揭示的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

【附图说明】

图1显示根据本揭示的一实施例的有机发光器件的制作方法的流程图；

图2显示根据本揭示的一实施例的有机发光器件的制作方法的示意图；

图3显示根据本揭示的一实施例的有机发光器件的制作方法的示意图；

图4显示根据本揭示的一实施例的有机发光器件的制作方法的示意图；

图5显示根据本揭示的一实施例的有机发光器件的结构示意图；

图6显示根据本揭示的一实施例的有机发光器件的结构示意图；

图7显示根据本揭示的一实施例的有机发光器件的结构示意图；以及

图8显示根据本揭示的一实施例的有机发光器件的结构示意图。

【具体实施方式】

为了让本揭示的上述及其他目的、特征、优点能更明显易懂，下文将特举本揭示优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。再者，本揭示所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧层、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本揭示，而非用以限制本揭示。

在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。

参照图1，本揭示的一实施例提供有机发光器件的制作方法，包括如下步骤。

参照图1及图2，步骤S1、提供背板110。

步骤S2、在所述背板110上形成具有开口122的像素定义层120。

于本揭示其中的一实施例中，所述有机发光器件的制作方法还包括在步骤S1之后以及在步骤S2之前，在所述背板110上形成平坦层130，在所述平坦层130上形成像素电极层140。

具体地，在所述背板110的非发光区上形成平坦层130。在欲制作辅助阴极与阴极搭接的地方制作所述像素电极层140。所述像素电极层140的材料与发光区域的阳极相同。

具体地，所述像素电极层140为ITO层，例如为ITO/Ag/ITO多层薄膜。

具体地，在所述像素电极层140上方制作所述像素定义层120，并在所述辅助阴极与所述阴极搭接的地方挖孔，以形成开口122。

参照图1及图3，步骤S3、在所述像素定义层120的所述开口122内形成辅助阴极150。

于本揭示其中的一实施例中，所述辅助阴极150为柱体且所述辅助阴极150的材料包括金属，例如是厚铜，Al等金属材料。所述柱体为直角柱体或倒梯形柱体。

具体地，所述有机发光器件的制作方法还包括使用直角蒸镀工艺蒸镀所述倒梯形柱体。

参照图1及图4，步骤S4、在所述像素定义层120和所述辅助阴极150上形成有机发光材料层160。

步骤S5、在所述有机发光材料层160上形成阴极170，所述阴极170通过所述像素定义层120的所述开口122与所述辅助阴极150接触及连接，降低所述阴极170的电阻，能减少有机发光器件的电压衰退(IR drop)，进而改善有机发光器件的发光性能。

于本揭示其中的一实施例中，所述有机发光器件的制作方法还包括使用斜角蒸镀工艺蒸镀所述有机发光材料层160，控制蒸镀角，使得所述有机发光材料层160没有形成在所述辅助阴极150的阴影区内。

于本揭示其中的一实施例中，所述有机发光器件的制作方法还包括使用直角蒸镀工艺蒸镀所述阴极170，使得所述阴极170形成在所述辅助阴极150的阴影区内且所述阴极170在所述辅助阴极150的所述阴影区内与所述辅助阴极150接触及连接，也就是使所述阴极170在在所述辅助阴极150的所述阴影区内与所述辅助阴极150搭接。通过所述辅助阴极150与所述阴极170导通可以有效的解决有机发光器件的电压衰退(IR drop)的问题。例如可解决大尺寸有机发光器件的电压衰退(IR drop)的问题。

于本揭示其中的一实施例中，所述像素定义层120形成在所述像素电极层140上。

本揭示的一实施例还提供一有机发光器件。由上述有机发光器件的制作方法制得。

参照图5-8，本揭示的一实施例提供有机发光器件的结构示意图。

本揭示的实施例的有机发光器件10包括背板110、像素定义层120、辅助阴极150、有机发光材料层160和阴极170。所述像素定义层120具有开口122且设置在所述背板110上。所述辅助阴极150设置在所述像素定义层120的所述开口122内。所述有机发光材料层160设置在所述像素定义层120和所述辅助阴极150上。所述阴极170设置在所述有机发光材料层160上。所述阴极170通过所述像素定义层120的所述开口122与所述辅助阴极150接触及连接，降低所述阴极170的电阻，能减少有机发光器件10的电压衰退(IR drop)，进而改善有机发光器件10的发光性能。

具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述有机发光器件10还包括平坦层130设置在所述背板110上，像素电极层140设置在所述平坦层130上。

具体地，所述平坦层130设置在所述背板110的非发光区上。在欲制作所述辅助阴极150与所述阴极170搭接的地方制作所述像素电极层140。所述像素电极层140的材料与发光区域的阳极相同。

具体地，在所述像素电极层140上方制作所述像素定义层120，并在所述辅助阴极150与所述阴极170搭接的地方挖孔，以形成开口122。所述像素定义层120形成在所述像素电极层140上。

于本揭示其中的一实施例中，所述辅助阴极150为柱体且所述辅助阴极150的材料包括金属，例如是厚铜，Al等金属材料。所述柱体为直角柱体(如图5和图7)或倒梯形柱体(如图6和图8)。具体地，所述辅助阴极150为4个直角柱体(如图5)或2个直角柱体(图7)。具体地，所述辅助阴极150为4个倒梯形柱体(如图6)或2个倒梯形柱体(图8)。具体地，所述有机发光器件的制作方法还包括使用直角蒸镀工艺蒸镀所述倒梯形柱体。

于本揭示其中的一实施例中，使用斜角蒸镀工艺蒸镀所述有机发光材料层160，控制蒸镀角，使得所述有机发光材料层160没有形成在所述辅助阴极150的阴影区内。

于本揭示其中的一实施例中，使用直角蒸镀工艺蒸镀所述阴极170，使得所述阴极170形成在所述辅助阴极150的阴影区内且所述阴极170在所述辅助阴极150的所述阴影区内与所述辅助阴极150接触及连接，也就是使所述阴极170在在所述辅助阴极150的所述阴影区内与所述辅助阴极150搭接。通过所述辅助阴极150与所述阴极170导通可以有效的解决有机发光器件的电压衰退(IR drop)的问题。例如可解决大尺寸有机发光器件的电压衰退(IR drop)的问题。

由于本揭示的实施例中的所述辅助阴极设置在所述像素定义层的所述开口内，所述有机发光材料层设置在所述像素定义层和所述辅助阴极上，所述阴极设置在所述有机发光材料层上，所述阴极通过所述像素定义层的所述开口与所述辅助阴极接触及连接。本揭示的实施例能降低所述阴极的电阻，能减少所述有机发光器件的电压衰退(IR drop)，进而改善所述有机发光器件的发光性能。

尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本揭示，但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本揭示包括所有这样的修改和变型，并且仅由所附权利要求的范围限制。特别地关于由上述组件执行的各种功能，用于描述这样的组件的术语旨在对应于执行所述组件的指定功能(例如其在功能上是等价的)的任意组件(除非另外指示)，即使在结构上与执行本文所示的本说明书的示范性实现方式中的功能的公开结构不等同。此外，尽管本说明书的特定特征已经相对于若干实现方式中的仅一个被公开，但是这种特征可以与如可以对给定或特定应用而言是期望和有利的其他实现方式的一个或多个其他特征组合。而且，就术语“包括”、“具有”、“含有”或其变形被用在具体实施方式或权利要求中而言，这样的术语旨在以与术语“包含”相似的方式包括。

以上仅是本揭示的优选实施方式，应当指出，对于本领域普通技术人员，在不脱离本揭示原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本揭示的保护范围。

Claims

1.一种有机发光器件的制作方法，其特征在于，包括:

提供背板；

在所述背板上形成具有开口的像素定义层；

在所述像素定义层的所述开口内形成辅助阴极；

在所述像素定义层和所述辅助阴极上形成有机发光材料层；以及

在所述有机发光材料层上形成阴极；

其中所述阴极通过所述像素定义层的所述开口与所述辅助阴极接触及连接；

其中使用斜角蒸镀工艺蒸镀所述有机发光材料层，使得所述有机发光材料层没有形成在所述辅助阴极的阴影区内，所述辅助阴极为不连续的柱体，所述阴影区表示所述柱体之间的区域。

2.如权利要求1所述的有机发光器件的制作方法，其特征在于，还包括使用直角蒸镀工艺蒸镀所述阴极，使得所述阴极形成在所述辅助阴极的阴影区内且所述阴极在所述辅助阴极的所述阴影区内与所述辅助阴极接触及连接。

3.如权利要求1所述的有机发光器件的制作方法，其特征在于，所述辅助阴极为柱体且所述辅助阴极的材料包括金属。

4.如权利要求3所述的有机发光器件的制作方法，其特征在于，所述柱体为直角柱体或倒梯形柱体。

5.如权利要求4所述的有机发光器件的制作方法，其特征在于，还包括使用直角蒸镀工艺蒸镀所述倒梯形柱体。

6.如权利要求1所述的有机发光器件的制作方法，其特征在于，还包括在所述背板上形成像素电极层，所述像素定义层形成在所述像素电极层上。

7.如权利要求6所述的有机发光器件的制作方法，其特征在于，还包括在所述背板上形成平坦层，所述像素电极层形成在所述平坦层上。

8.一种有机发光器件，其特征在于:由上述权利要求1-7中任意一项所述的有机发光器件的制作方法制得。

9.一种有机发光器件，其特征在于，包括:

背板；

像素定义层，所述像素定义层具有开口且设置在所述背板上；

辅助阴极，设置在所述像素定义层的所述开口内；

有机发光材料层，设置在所述像素定义层和所述辅助阴极上；以及

阴极，设置在所述有机发光材料层上；

其中所述阴极通过所述像素定义层的所述开口与所述辅助阴极接触及连接，所述有机发光材料层没有形成在所述辅助阴极的阴影区内，所述辅助阴极为不连续的柱体，所述阴影区表示所述柱体之间的区域。