CN108570233A - 加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物、该组合物的固化物以及具有该固化物的半导体装置 - Google Patents

加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物、该组合物的固化物以及具有该固化物的半导体装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108570233A
CN108570233A CN201810193523.0A CN201810193523A CN108570233A CN 108570233 A CN108570233 A CN 108570233A CN 201810193523 A CN201810193523 A CN 201810193523A CN 108570233 A CN108570233 A CN 108570233A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ingredient
barium
amount
mass
carbon atom
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810193523.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108570233B (zh
Inventor
水梨友之
井口洋之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Publication of CN108570233A publication Critical patent/CN108570233A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108570233B publication Critical patent/CN108570233B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/06—Preparatory processes
    • C08G77/08—Preparatory processes characterised by the catalysts used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/296—Organo-silicon compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/70—Siloxanes defined by use of the MDTQ nomenclature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2201/00—Properties
    • C08L2201/08—Stabilised against heat, light or radiation or oxydation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2201/00—Properties
    • C08L2201/10—Transparent films; Clear coatings; Transparent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00—Applications
    • C08L2203/20—Applications use in electrical or conductive gadgets
    • C08L2203/206—Applications use in electrical or conductive gadgets use in coating or encapsulating of electronic parts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/02—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group
    • C08L2205/025—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group containing two or more polymers of the same hierarchy C08L, and differing only in parameters such as density, comonomer content, molecular weight, structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/03—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)

Abstract

本发明提供一种加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物，其形成具有优异的透明性、耐热性以及耐光性的固化物。该加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物含有以下(A)成分～(D)成分：(A)有机聚硅氧烷，其在1个分子中至少具有2个已与硅原子键合的碳原子数2～10的烯基；(B)有机氢聚硅氧烷，其在1个分子中至少具有2个已与硅原子键合的氢原子；(C)铂类金属催化剂；及(D)钡化合物，其由下述通式(1)表示，在下述通式(1)中，R表示碳原子数为1～10的一价烃基或碳原子数为2～15的酰基。Ba(OR)2 (1)。

Description

加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物、该组合物的固化物以 及具有该固化物的半导体装置
技术领域
本发明涉及含有特定的钡化合物的加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物、该组合物的固化物以及具有该固化物的半导体装置。
背景技术
在LED用封装材料中，人们追求着耐热性、耐光性、操作性、粘接性、阻气性以及固化特性也优异的材料。以往，大多使用环氧树脂、聚(甲基)丙烯酸酯以及聚碳酸酯等热塑性树脂。但是，已知伴随着近年来的LED发光装置的高功率化，在连续长期的高温环境下，使用这些热塑性树脂的情况下，会在耐热性和色牢度方面发生问题。
另外，在最近将光学元件焊接在基板上时，大多使用无铅焊料。该无铅焊料与以往的焊料相比，其熔融温度高，通常需要在260℃以上的温度进行焊接。而在这样的温度下进行焊接的情况下，如上所述的以往的热塑性树脂封装材料会发生变形，或发生由于高温导致封装材料黄变等缺陷。
这样，伴随着LED发光装置的高功率化、无铅焊料的使用，则要求封装材料具有至今为止比上述更优异的耐热性。至今为止，将提高耐热性作为目的，虽然人们提出了将纳米二氧化硅填充在热塑性树脂中的光学用树脂组合物等的方案(专利文献1、专利文献2)，但热塑性树脂的耐热性存在限度，不能得到充分的耐热性。
另一方面，作为热塑性树脂的硅酮树脂由于其耐热性、耐光性以及光透明性优异，也被人们作为LED用封装材料(专利文献1～专利文献5)进行研究。但是，即使为耐热耐光性优异的硅酮树脂，伴随着LED的高功率化，在暴露于超过200℃的温度的情况下，树脂被氧化，着色、硬度增加，导致产生裂纹。
作为其对策，人们正在研究在热固性硅酮树脂中使用热稳定性材料。作为热稳定性材料，可使用二氧化铈、铈的羧酸盐等，其被确认具有保持初始透明性和抑制硬度变化等效果(专利文献6、专利文献7)。但是，由于热稳定性材料的着色，导致初始透光率显著降低，在作为LED装置的封装材料使用时，导致了LED装置的亮度降低。因此，人们渴望开发不仅耐热性优异，而且初始透光率高，并且没有光半导体装置的光损失的封装材料。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-214554号公报
专利文献2：日本特开2013-204029号公报
专利文献3：日本特开2006-213789号公报
专利文献4：日本特开2007-131694号公报
专利文献5：日本特开2011-252175号公报
专利文献6：国际公开WO2008/082001号公报
专利文献7：国际公开WO2013/084699号公报
发明内容
发明所要解决的问题
因此，本发明的目的在于，提供一种加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物、该组合物的固化物以及具有该固化物的半导体装置。该加成固化型有机聚硅氧烷组合物形成耐热性、耐光性以及透明性优异的固化物。
解决问题的方法
本发明人等为解决以上问题而进行了深入研究，结果发现，通过在加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物中添加特定的钡化合物，能够达到上述目的，从而完成了本发明。即本发明为提供以下加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物的发明。
〈1〉
一种加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物，其含有以下成分(A)～成分(D)：
(A)有机聚硅氧烷，其在1个分子中至少具有2个已与硅原子键合的碳原子数2～10的烯基，相对于成分(A)～成分(D)的总量，成分(A)的量为60～90质量％；
(B)有机氢聚硅氧烷，其在1个分子中至少具有2个已与硅原子键合的氢原子，相对于成分(A)～成分(D)的总量，成分(B)的量为5～40质量％；
(C)铂类金属催化剂，相对于成分(A)～成分(D)的总量，以铂类金属计，成分(C)的量为0.00001～0.01质量％；及
(D)钡化合物，其由下述通式(1)所表示，
Ba(OR)2(1)
在上述通式(1)中，R表示碳原子数为1～10的一价烃基或碳原子数为2～15的酰基，相对于成分(A)～成分(D)的总量，成分(D)的量为0.001～10.0质量％。
〈2〉
根据〈1〉所述的加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物，其中，
(A)成分包含(A1)成分和(A2)成分：
(A1)含芳基有机聚硅氧烷,其在1个分子中具有1个以上已与硅原子键合的碳原子数6～10的芳基，且在1个分子中具有2个以上已与硅原子键合的碳原子数2～10的烯基，通过JIS K 7117-1:1999记载的方法在25℃下所测定的粘度为10～100000mPa·s，所述(A1)的量为(A)成分中的1～99质量％；
(A2)树脂结构的有机聚硅氧烷，其含有SiO4/2单元和R1SiO3/2单元的至少一种，其中，R1独立地为碳原子数1～10的一价烃基，且所述(A2)在1个分子中具有2个以上已与硅原子键合的碳原子数2～10的烯基，且在1个分子中具有1个以上已与硅原子键合的羟基，所述羟基的量为0.005～1.0mol/100g，所述(A2)的量为(A)成分中的1～99质量％；且
(B)成分为有机氢聚硅氧烷，所述有机氢聚硅氧烷在1个分子中含有2个以上已与硅原子键合的氢原子，且在1个分子中具有1个以上的已与硅原子键合的碳原子数为6～10的芳基，相对于成分(A)～成分(D)的总量，(B)成分的量为5～40质量％。
〈3〉
根据〈1〉或〈2〉所述的加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物，其中，
(D)成分为选自二甲氧基钡、二乙氧基钡、二异丙氧基钡、二正丙氧基钡、二正丁氧基钡、二异丁氧基钡、二仲丁氧基钡、二叔丁氧基钡、辛酸钡、2-乙基己酸钡中的至少一种。
〈4〉
〈1〉～〈3〉中任一项所述的加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物的固化物。
〈5〉
一种半导体装置，其具有〈4〉所述的固化物。
发明的效果
本发明的加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物通过固化，能够形成具有优异的透明性、耐热性以及耐光性的固化物。
具体实施方式
以下对本发明更详细地进行说明，但本发明并不限定于此。
[(A)有机聚硅氧烷]
作为本发明的(A)成分的有机聚硅氧烷优选包含：具有直链状或部分支链结构的含芳基有机聚硅氧烷即(A1)成分；及具有树脂结构的有机聚硅氧烷即(A2)成分。
(A1)成分为在1个分子中具有1个以上已与硅原子键合的碳原子数6～10的芳基，且在1个分子中具有2个以上已与硅原子键合的碳原子数2～10的烯基的有机聚硅氧烷。
通过JIS K 7117-1:1999记载的方法在25℃下所测定的(A1)成分的粘度为10～100000mPa·s，优选为100～50000mPa·s，更优选为1000～30000mPa·s。
(A1)成分的粘度若在10mPa·s以上，则不存在固化物变脆的担忧。(A1)成分的粘度若在100000mPa·s以下，则不存在操作性变差的担忧。
作为(A1)成分所具有的碳原子数6～10的芳基，可列举苯基、甲苯基、二甲苯基以及萘基等，特别优选为苯基。
作为(A1)成分所具有的碳原子数2～10的烯基，可列举乙烯基、烯丙基、丙烯基、异丙烯基、丁烯基、己烯基、环己烯基以及辛烯基等，特别优选为乙烯基。
作为除上述芳基和烯基以外的、已与(A1)成分所具有的硅原子键合的基团，可列举：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、新戊基、己基、环己基、辛基、壬基、癸基等烷基；苄基、苯乙基、苯丙基等芳烷基；以及这些基团的氢原子的一部分或全部由氟原子、溴原子以及氯原子等卤原子、氰基取代而得到的基团，例如，氯甲基、氯丙基、溴乙基、三氟丙基等卤代烷基、氰乙基等。在这些基团中，优选为甲基。
作为(A1)成分，具体说来可例示以下的化合物。
[化学式1]
(通式中，x、y、z分别为0以上的整数，且为满足x+y≥1的数)
[化学式2]
(通式中，x、y、z分别为0以上的整数，且为满足x+y≥1的数)
(A2)成分为树脂结构的有机聚硅氧烷，该树脂结构的有机聚硅氧烷含有SiO4/2单元和R1SiO3/2单元(R1独立地为碳原子数1～10的一价烃基)的至少一种，且在1个分子中具有2个以上已与硅原子键合的碳原子数2～10的烯基，且在1个分子中具有1个以上已与硅原子键合的羟基(硅烷醇基)，所述羟基量为0.005～1.0mol/100g。
在(A2)成分中，SiO4/2单元(Q单元)和R1SiO3/2单元(T单元)的含量合计优选含有40～95mol％，更优选含有50～90mol％。另外，(A2)成分也可含有R2 2SiO2/2单元(D单元)和/或R3 3SiO1/2单元(M单元)。
这样组成的(A2)成分可以通过下述方法合成：将以下例示的成为各单元原料的原料以成为所希望的摩尔比的方式进行混合，例如，在酸催化剂或碱催化剂的存在下进行共水解缩合反应或通过金属盐或金属氢氧化物进行脱烷氧基反应使其缩合。
T单元中的R1为碳原子数1～10的一价烃基，优选为碳原子数1～6的一价烃基。具体说来，可列举：甲基、乙基、丙基、丁基等低级烷基；环己基等环烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基等芳基；苄基等芳烷基；乙烯基、烯丙基、丙烯基、异丙烯基、丁烯基、己烯基、环己烯基以及辛烯基等烯基；以及这些基团的氢原子的一部分或全部由氟原子、溴原子以及氯原子等卤原子、氰基取代而得到的基团，例如，氯甲基、氰乙基、3,3,3-三氟丙基等。在这些基团中，优选为甲基和苯基。
D单元中的R2和M单元中的R3为碳原子数1～10的一价烃基，优选为碳原子数1～6的一价烃基。具体说来，可列举与以上述R1已例示的同样的基团。
作为SiO4/2单元(Q单元)的原料，虽可例示例如：硅酸钠、四烷氧基硅烷及其缩合反应物，但也并不仅限于这些。
作为R1SiO3/2单元(T单元)的原料，虽可例示例如：由下述结构式表示的有机三氯硅烷、有机三烷氧基硅烷等有机硅化合物、或这些化合物的缩合反应物、含有能够进行脱氢反应的HSiO2/2单元的有机硅化合物等，但也并不仅限于这些。
[化学式3]
通式中，Me表示甲基。
作为R2 2SiO2/2单元(D单元)的原料，虽可例示例如：由下述结构式表示的二有机二氯硅烷、二有机二烷氧基硅烷等有机硅化合物、或这些化合物的缩合反应物、含有能够进行脱氢反应的HSiO2/2单元的有机硅化合物等，但也并不仅限于这些。
[化学式4]
通式中，n表示0～100的整数，m表示0～100的整数。Me表示甲基。
[化学式5]
通式中，Me表示甲基，Ph表示苯基。
作为R3 3SiO1/2单元(M单元)的原料，虽可例示例如：由下述结构式表示的三有机氯硅烷、三有机烷氧基硅烷、六有机二硅氧烷等有机硅化合物，但也并不仅限于这些。
[化学式6]
通式中，Me表示甲基。
作为(A2)成分所具有的碳原子数2～10的烯基，可列举乙烯基、烯丙基、丙烯基、异丙烯基、丁烯基、己烯基、环己烯基以及辛烯基等，特别优选为乙烯基。
(A2)成分所具有的烯基，也可被包含在T单元、D单元以及M单元的任意的单元中。
(A2)成分为在1个分子中具有1个以上已与硅原子键合的羟基(硅烷醇基)，且所述羟基量为0.005～1.0mol/100g，优选为0.008～0.8mol/100g。
如果(A2)成分中的已与硅原子键合的羟基的量为0.0050mol/100g以上，则不存在钡化合物不稳定会、凝胶化的担忧。如果(A2)成分中的已与硅原子键合的羟基的量为1.0mol/100g以下，则不存在由于固化后的表面缝褶导致尘埃的吸附的担忧。
需要说明的是，本发明中的已与硅原子键合的羟基的量，是指通过1H-NMR和29Si-NMR所测定的值。
作为本发明的(A2)成分的有机聚硅氧烷的重均分子量(Mw)为1500～20000，优选为2000～10000。重均分子量如果在1500以上，则不存在组合物不固化的担忧，重均分子量如果在10000以下，则不存在组合物成为固体状、变得不流动的担忧。
需要说明的是，本发明中的重均分子量(Mw)，是指在下述条件下通过凝胶渗透色谱法(GPC)所测定的将聚苯乙烯作为标准物质的重均分子量。
[测定条件]
展开溶剂：四氢呋喃(THF)
流量：0.6mL/min
检测器：示差折光率检测器(RI)
色谱柱：TSK Guardcolumn SuperH-L
TSKgel SuperH4000(6.0mm I.D.×15cm×1)
TSKgel SuperH3000(6.0mm I.D.×15cm×1)
TSKgel SuperH2000(6.0mm I.D.×15cm×2)
(均为Tosoh Corporation公司制造)
柱温：40℃
试样注入量：20μL(浓度0.5重量％的THF溶液)
在(A)成分中，(A1)成分以1～99质量％的范围配合，优选以1～70质量％的范围配合，更优选以2～50质量％的范围配合。
另外，在(A)成分中，(A2)成分以1～99质量％的范围配合，优选以40～99质量％的范围配合，更优选以60～98质量％的范围配合。
在本发明的组合物中，(A)成分优选为含有50～90质量％，更优选为含有60～87质量％，进一步优选为含有70～85质量％。
[(B)有机氢聚硅氧烷]
作为(B)成分的有机氢聚硅氧烷在1个分子中至少含有2个(通常为2～200个)已与硅原子键合的氢原子(SiH基)，优选为在1个分子中至少含有3个以上(通常为3～100个)已与硅原子键合的氢原子(SiH基)。(B)成分与(A)成分进行反应，作为交联剂发挥作用。
进一步，(B)成分的有机氢聚硅氧烷优选为在1个分子中具有1个以上的已与硅原子键合的碳原子数为6～10的芳基的有机氢聚硅氧烷。
作为(B)成分所具有的碳原子数6～10的芳基，可列举苯基、甲苯基、二甲苯基以及萘基等，特别优选为苯基。
(B)成分的分子结构并无特别地限制，例如，线状、环状、分支状、三维网络状(树脂状)等任意分子结构均可以作为(B)成分使用。在(B)成分具有线状结构的情况下，SiH基即可以位于分子链末端和分子链侧链中的一方，也可以位于分子链末端和分子链侧链这两方。另外，在1个分子中的硅原子数(或聚合度)通常为2～200个左右，优选为3～100个左右，且能够使用在室温(25℃)下为液态或固态的有机氢聚硅氧烷。
(A)成分优选为由下述平均组成式(2)表示的物质。
R4 hHiSiO(4-h-i)/2(2)
在平均组成式(2)中，R4为相同或不同的无取代或取代的碳原子数1～10的一价有机基团。其中，h和i优选为满足0.7≤h≤2.1、0.001≤i≤1.0、且0.8≤h+i≤3.0；更优选为满足1.0≤h≤2.0、0.01≤i≤1.0、且1.5≤h+i≤2.5的正数。
作为上述R4，可列举：羟基、一价烃基(甲基、乙基、丙基、丁基、戊基等饱和脂肪族烃基；环戊基、环己基等饱和环状烃基；苯基、甲苯基、苄基、苯乙基、苯丙基等芳烷基等的芳香族烃基；以及已与这些基团的碳原子键合的氢原子的一部分或全部由氟、溴、氯等卤原子取代而得到的基团，例如，三氟丙基、氯丙基等卤代一价烃基等)；三烷基甲硅烷基(三甲基甲硅烷基、二甲基苯基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基等)、烷氧基(甲氧基、乙氧基、丙氧基等)以及烷氧基烷基(甲氧基甲基、甲氧基乙基等)等。在这些基团中优选碳原子数1～5的甲基、乙基以及丙基等饱和烃基，并优选苯基。
作为以上述平均组成式(2)表示的有机氢聚硅氧烷的具体例，可例举例如：双(二甲基氢甲硅烷氧基)二苯基硅烷、三(氢二甲基甲硅烷氧基)苯基硅烷、两末端用三甲基甲硅烷氧基进行了封端的甲基氢硅氧烷/二苯基硅氧烷共聚物、两末端用三甲基甲硅烷氧基进行了封端的甲基氢硅氧烷/二苯基硅氧烷/二甲基硅氧烷共聚物、两末端用三甲基甲硅烷氧基进行了封端的甲基氢硅氧烷/甲基苯基硅氧烷/二甲基硅氧烷共聚物、两末端用二甲基氢甲硅烷氧基进行了封端的甲基氢硅氧烷/二甲基硅氧烷二苯基硅氧烷共聚物、两末端用二甲基氢甲硅烷氧基进行了封端的甲基氢硅氧烷/二甲基硅氧烷/甲基苯基硅氧烷共聚物、由(CH3)2HSiO1/2单元和SiO4/2单元以及(C6H5)3SiO1/2单元组成的共聚物等。
另外，虽然也可以使用通过酸催化剂或碱催化剂对有机三氯硅烷和有机三烷氧基硅烷等有机硅化合物进行水解缩合而得到的由下述结构所表示的有机氢聚硅氧烷，但也并不仅限定于这些。
[化学式7]
(通式中，p、q、r为正的整数)
对于(B)成分的添加量而言，相对于(A)成分的已与硅原子键合的烯基每1摩尔，(B)成分中的SiH基的量为0.1～4.0摩尔，优选为0.5～3.0摩尔，更优选为0.8～2.0摩尔的量。
对于(B)成分的添加量而言，如果(B)成分中的SiH基的量为低于0.1摩尔的量，则不能进行本发明组合物的固化反应，从而难以得到固化物。即使得到固化物，其交联密度过低，机械强度不足，耐热性低。另一方面，如果(B)成分中的SiH基的量为高于4.0摩尔的量，则由于未反应的SiH基大量残存在固化物中，从而导致固化物的长期可靠性降低、固化物的耐热性降低等。进一步，由于脱氢反应成为在固化物中发生发泡的原因，故不优选。
[(C)铂类金属催化剂]
(C)成分的铂类金属催化剂为用于促进本发明组合物的加成固化反应而配合的催化剂，其为铂类、钯类以及铑类的催化剂。作为该催化剂，可使用作为促进氢化硅烷化反应的催化剂的以往周知的任意催化剂。从成本方面考虑，其优选为铂、铂黑以及氯铂酸等铂类的催化剂。作为铂类催化剂，可例示例如：H2PtCl6·pH2O、K2PtCl6、KHPtCl6·pH2O、K2PtCl4、K2PtCl4·pH2O、PtO2·pH2O、PtCl4·pH2O、PtCl2、H2PtCl4·pH2O(在此，p为正的整数)等、这些铂类催化剂与烯烃类等烃、醇或含乙烯基有机聚硅氧烷的络合物等。这些催化剂既可以单独使用一种，也可以组合使用2种以上。
(C)成分的配合量为用于固化的有效量即可，相对于所述(A)成分和所述(B)成分的总质量，通常以铂类金属计以质量换算为0.1～500ppm的范围，特别优选为0.5～100ppm的范围。
[(D)钡化合物]
(D)成分为由下述平均通式(1)所表示的钡化合物。
Ba(OR)2(1)
在上述通式(1)中，R为碳原子数为1～10的一价烃基或碳原子数为2～15的酰基。
钡化合物通常被作为综合型硅酮树脂组合物的缩合催化剂使用，但并不被使用于如本发明那样的加成固化型的硅酮树脂组合物。
作为以R表示的碳原子数为1～10的一价烃基，可列举：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、新戊基、己基、辛基、壬基、癸基等烷基。
作为以R表示的碳原子数为1～15的酰基，可列举：乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、叔丁酰基、戊酰基、己酰基、2-乙基丁酰基、辛酰基、2-乙基戊酰基、壬酰基、癸酰基、十二酰基、十三酰基、十四酰基、苯甲酰基、奈酰基等。
作为(D)成分的具体例，可列举：二甲氧基钡、二乙氧基钡、二正丙氧基钡、二异丙氧基钡、二正丁氧基钡、二异丁氧基钡、二仲丁氧基钡、二叔丁氧基钡、辛酸钡、2-乙基己酸钡等。
(D)成分既可以单独使用一种，也可以组合使用2种以上。
上述钡化合物即可以直接添加在(A)成分～(C)成分及根据需要配合的任意成分中，也可以在进行稀释后添加在溶剂中。另外，上述钡化合物，即可以在事先进行实施热处理后添加在(A)～(C)等成分中，也可以在用任意的硅酮树脂和硅烷偶联剂进行处理后添加在(A)～(C)等成分中。特别是，通过在事先混合全部所述(A2)成分或混合一部分所述(A2)成分，从而能够提高钡化合物的保存稳定性。
作为用于(D)成分的事先处理的硅烷偶联剂，虽可以例示以下的化合物、这些化合物缩合反应物，但也并不限定于此。
[化学式8]
通式中，n表示0～100的整数、m表示8～100的整数。Me表示甲基。
相对于(A)成分～(D)成分的总量，(A)成分以60～90质量％的范围配合，优选以70～85质量％的范围配合。
相对于(A)成分～(D)成分的总量，(B)成分以5～40质量％的范围配合，优选以10～35质量％的范围配合。
相对于(A)成分～(D)成分的总量，(C)成分作为铂类金属以0.00001～0.01质量％的范围配合，优选以0.0001～0.001质量％的范围配合。
其相对于(A)成分～(D)成分的总量，(D)成分以0.001质量％～10.0质量％的范围配合，优选以0.002～5.0质量％的范围配合。如果(D)成分的配合量为0.001质量％以上，则不存在树脂劣化的担忧；如果(D)成分的配合量为10质量％以下，则不存在树脂的特性发生变化的担忧。
[(E)荧光体]
另外，根据需要，可以进一步将(E)荧光体配合在本发明的加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物中。本发明的加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物由于耐热性耐光性优异，即使在含有荧光体的情况下，也不存在如以往那样荧光特性显著降低的担忧。
除上述的(A)成分～(E)成分外，根据需要可以将公知的粘接赋予剂、固化抑制剂、添加剂配合在本发明的加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物中。
作为粘接赋予剂，可例举例如：苯基三甲氧基硅烷、三甲氧基硅烷、三乙氧基硅烷、甲基二甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、甲基苯基二甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、N-2(氨基乙基)3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-2(氨基乙基)3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2(氨基乙基)3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-异氰酸酯基丙基三乙氧基硅烷、3-氰基丙基三乙氧基硅烷等、以及这些化合物的低聚物等。需要说明的是，这些粘接赋予剂即可以单独配合一种，也可以组合配合2种以上。另外，相对于上述(A)成分和(B)成分的总质量，所述粘接给予剂优选以成为0～10质量％的量配合，特别优选以成为0～5质量％的量配合。
固化抑制剂即可以单独使用一种，也可以组合使用2种以上。作为固化抑制剂，可例举例如：选自四甲基四乙烯基环四硅氧烷那样的高度含有乙烯基的有机聚硅氧烷；三烯丙基异氰脲酸酯；马来酸烷基酯；乙炔醇类、乙炔醇类的硅烷改性物和乙炔醇类的硅氧烷改性物；过氧化氢物；四甲基乙二胺；苯并三唑和这些固化抑制剂的混合物的化合物等。
相对于(A)成分和(B)成分的总计100质量份，固化抑制剂通常添加0.001～1.0质量份，优选添加0.005～0.5质量份。
作为添加剂，可例举例如：强化性无机填充材料(二氧化硅、玻璃纤维、烟雾硅胶等)、非强化性无机填充材料(碳酸钙、硅酸钙、二氧化钛、氧化亚铁、炭黑、氧化锌等)、纳米填料(二氧化硅(氧化硅:SiO2)、氧化锆(二氧化锆:ZrO2)、氧化钛(TiO2)、氧化铝(矾土:Al2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化铁(FeO2)、四氧化三铁(Fe4O3)、氧化铅(PbO2)、氧化锡(SnO2)、氧化铈(Ce2O3、CeO2)、氧化钙(CaO)、四氧化三锰(Mn3O4)、氧化镁(MgO)、氧化钯(BaO)等)，相对于上述的(A)成分～(D)成分的总计100质量份，能够以600质量份以下(即0～600质量份，优选为1～600质量份，更优选为10～400质量份)的量适宜地配合上述的添加剂。
可以根据用途，在将本发明的加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物涂布在给定的基材上后使其固化。其固化条件在常温(25℃)下充分固化，也可以根据需要加热进行固化。加热时的温度可为例如60～200℃。
另外，优选本发明的加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物以厚度1mm进行加热固化，形成在波长400～800nm、尤其是在波长450nm下的光透射率为70％以上、优选为80％以上的固化物。需要说明的是，可使用例如日立分光光度计进行光透射率的测定。
另外，本发明的加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物通过进行加热固化，形成折射率为1.40～1.70、优选为1.45～1.56的固化物。
如果是形成具有这样的光透射率、折射率的固化物的组合物，由于透明性优异，则能够特别适宜用于LED的封装材料等光学用途。
如果为这样的加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物，则为能够形成机械特性、透明性、耐破裂性、耐光性以及耐热性均优异的固化物的组合物。
＜半导体装置＞
另外，在本发明中，提供用上述的本发明的加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物的固化物封装了半导体元件的半导体装置。
如上所述，本发明的加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物，由于形成透明性、耐热性优异的固化物，因此适宜用于发光半导体装置的镜片用素材、保护涂层剂、制模剂等，特别适宜用于作为蓝色LED、白色LED、紫色LED等LED元件封装用。另外，由于本发明的加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物耐热性优异，即使在添加硅酸盐类荧光体、量子点荧光体作为波长转换膜用素材使用时，也能够提供在高湿条件下能够确保长期可靠性、且耐湿性、长期色泽性良好的发光半导体装置。
在用本发明的加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物封装LED等发光半导体元件的情况下，通过将本发明的加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物涂布在例如已搭载在由热塑性树脂组成的预成型封装件的LED元件上，且使其在该LED元件上的组合物固化，从而能够用加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物的固化物封装LED元件。另外，也可以将组合物溶解于甲苯、二甲苯等有机溶剂而制备出的清漆涂布在LED元件上而封装。
本发明的加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物，由于具有优异的耐热性、耐光性(特别是耐紫外线性)、透明性、耐破裂性、以及长期可靠性等特性，因此是最适宜用于显示材料、光记录介质材料、光学器械材料、光部件材料、光导纤维材料、光·电子功能有机材料、半导体集成电路周边材料等光学用途的素材。
实施例
以下，示出实施例和比较例，并对本发明进行具体说明，但本发明并不限于下述实施例。另外，在下述的具体例中，份表示质量份，且粘度表示在25℃下的测定值。另外，Me表示甲基，Vi表示乙烯基，Ph表示苯基，Mw表示重均分子量。
[实施例1]
将作为(A1)成分的由下述通式表示的有机聚硅氧烷(粘度：4000mPa·s)5份、
[化学式9]
(通式中，m＝10(平均值)，n＝8(平均值))
作为(A2)成分的由SiO4/2单元36mol％、Ph2SiO2/2单元36mol％以及ViMe2SiO1/2单元28mol％组成的树脂结构的乙烯基苯基甲基聚硅氧烷(PVMQ；Mw＝2000、羟基量：0.06mol/100g以及烷氧基(甲氧基)量：0.1mol/100g)30份、
作为(B)成分的由下述通式表示的有机氢聚硅氧烷(SiH/SiVi比为1.0的量)13份、
[化学式10]
作为(D)成分的二异丙氧基钡(相对于(A)成分～(D)成分的总计100质量份，其为0.001质量％的量)0.0005份、以及
作为(C)成分的氯铂酸的辛醇改性溶液(铂元素含有率：2质量％)0.05份混合，充分搅拌，从而制备了加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物。将该组合物在150℃条件下加热成型4小时，从而制备了固化物(120mm×110mm×1mm)。对该固化物的下述物性进行了测定。
[实施例2]
除使用由PhSiO3/2单元70mol％、MeViSiO2/2单元2mol％以及ViMe2SiO1/2单元28mol％组成的树脂结构的乙烯基苯基甲基聚硅氧烷(Mw＝1800、羟基量：0.05mol/100g)30份替代在实施例1中所使用的(A2)成分之外，以与实施例1同样的方法制备了固化物，并对该固化物的下述物性进行了测定。
[实施例3]
除将在实施例1中使用的(D)成分的添加量变更为5份(相对于(A)成分～(D)成分的总量为10质量％)外，以与实施例1同样的方法制备了固化物，并对该固化物的下述物性进行了测定。
[实施例4]
除将在实施例1中使用的(D)成分变更为2-乙基己酸钡0.2份(相对于(A)成分～(D)成分的总量为3.8质量％)外，以与实施例1同样的方法制备了固化物，并对该固化物的下述物性进行了测定。
[比较例1]
除将在实施例1中使用的(D)成分的添加量变更为0.0003份(相对于(A)成分～(D)成分的总量为0.0006质量％)外，以与实施例1同样的方法制备了固化物，并对该固化物的下述物性进行了测定。
[比较例2]
除将在实施例1中使用的(D)成分的添加量变更为7.5份(相对于(A)成分～(D)成分的总量为13.0质量％)外，以与实施例1同样的方法制备了固化物，并对该固化物的下述物性进行了测定。
[比较例3]
除将在实施例1中使用的(D)成分变更为2-乙基己酸钡1份(相对于(A)成分～(D)成分的总量为2质量％)外，以与实施例1同样的方法制备了固化物，并对该固化物的下述物性进行了测定。
[比较例4]
除将在实施例1中使用的(D)成分变更为四正丁氧基锆1份(相对于(A)成分～(D)成分的总量为2质量％)外，以与实施例1同样的方法制备了固化物，并对该固化物的下述物性进行了测定。
使用下述方法测定了实施例1～4以及比较例1～4的固化物的物性。将结果表示在表1。
(1)折射率
依据JIS K0061：2001标准，通过阿贝型折射率仪测定了在25℃下的固化物的折射率。
(2)硬度(D型)
依据JIS K-6249：2003标准，使用D型硬度计测定了将所得到的组合物在150℃下已固化4小时时的硬度。
(3)光透射率(耐热性)
用日立分光光度计U-4100，测定了(初期透射率)在23℃下的固化物(厚度1mm)的光透射率(450nm)。接下来，在200℃下1000小时热处理固化物后，以同样的方法测定了光透射率，并求得了热处理后的透射率的变化。
(4)表面粘着性
通过目视确认了在固化物的表面有无尘埃的附着。
(5)粘接性
以与银板的接触面积为45mm2的方式，将所得到的组合物0.25g涂布在面积为180mm2的银板上，且在150℃条件下使其固化了4小时。然后，使用微量刮勺破坏银板上的固化物，从银板剥离固化物，观察内聚破坏的部分和剥离部分的比例，并测定固化物已内聚破坏的部分的面积，进而算出相对于与银板的接触面积的已内聚破坏的部分的面积的比例，依据下述的判定标准评价了固化物的粘接性。
判定标准
○：充分粘接(显示内聚破坏的部分的比例为60％以上)
×：未粘接(显示内聚破坏的部分的比例为低于60％)
表1
如表1所述可知，实施例1～4的固化物具有充分的硬度、折射率以及机械特性，且初期光透射率高，并显示出高耐热性。另一方面，在未添加给定的量的(D)成分的比较例1中，其耐热性恶化。过量添加了(D)成分的比较例2的固化物，其硬度降低，且表面粘着性恶化。在使用2-乙基己酸钡替代(D)成分的比较例3中，其固化物的初期透过率低，且耐热性恶化。在使用四正丁氧基锆替代(D)成分的比较例4中，其固化物的耐热性和粘接性恶化。

Claims (5)

1.一种加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物，其含有以下(A)成分～(D)成分：
(A)有机聚硅氧烷，其在1个分子中至少具有2个已与硅原子键合的碳原子数2～10的烯基，相对于成分(A)～成分(D)的总量，成分(A)的量为60～90质量％；
(B)有机氢聚硅氧烷，其在1个分子中至少具有2个已与硅原子键合的氢原子，相对于成分(A)～成分(D)的总量，成分(B)的量为5～40质量％；
(C)铂类金属催化剂，相对于成分(A)～成分(D)的总量，以铂类金属计，成分(C)的量为0.00001～0.01质量％；以及
(D)钡化合物，其由下述通式(1)所表示，
Ba(OR)2 (1)
在上述通式(1)中，R表示碳原子数为1～10的一价烃基或碳原子数为2～15的酰基，相对于成分(A)～成分(D)的总量，成分(D)的量为0.001～10.0质量％。
2.根据权利要求1所述的加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物，其中，
(A)成分包含(A1)成分和(A2)成分：
(A1)含芳基有机聚硅氧烷，其在1个分子中具有1个以上的已与硅原子键合的碳原子数6～10的芳基，且在1个分子中具有2个以上的已与硅原子键合的碳原子数2～10的烯基，通过JIS K 7117-1:1999记载的方法在25℃下所测定的粘度为10～100000mPa·s，所述(A1)的量为(A)成分中的1～99质量％；
(A2)树脂结构的有机聚硅氧烷，其含有SiO4/2单元和R1SiO3/2单元的至少一种，其中，R1独立地为碳原子数1～10的一价烃基，所述(A2)在1个分子中具有2个以上的已与硅原子键合的碳原子数2～10的烯基，且在1个分子中具有1个以上的已与硅原子键合的羟基，所述羟基的量为0.005～1.0mol/100g，所述(A2)的量为(A)成分中的1～99质量％，且
(B)成分为有机氢聚硅氧烷，所述有机氢聚硅氧烷在1个分子中含有2个以上的已与硅原子键合的氢原子，且在1个分子中具有1个以上的已与硅原子键合的碳原子数为6～10的芳基，相对于成分(A)～成分(D)的总量，所述(B)成分的量为5～40质量％。
3.根据权利要求1所述的加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物，其中，
(D)成分为选自二甲氧基钡、二乙氧基钡、二异丙氧基钡、二正丙氧基钡、二正丁氧基钡、二异丁氧基钡、二仲丁氧基钡、二叔丁氧基钡、辛酸钡、2-乙基己酸钡中的至少一种。
4.权利要求1～3中任一项所述的加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物的固化物。
5.一种半导体装置，其具有权利要求4所述的固化物。
CN201810193523.0A 2017-03-09 2018-03-09 加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物、该组合物的固化物以及具有该固化物的半导体装置 Active CN108570233B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-044875 2017-03-09
JP2017044875A JP6702233B2 (ja) 2017-03-09 2017-03-09 付加硬化型オルガノポリシロキサン樹脂組成物、該組成物の硬化物及び該硬化物を有する半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108570233A true CN108570233A (zh) 2018-09-25
CN108570233B CN108570233B (zh) 2021-09-28

Family

ID=63446971

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810193523.0A Active CN108570233B (zh) 2017-03-09 2018-03-09 加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物、该组合物的固化物以及具有该固化物的半导体装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10556993B2 (zh)
JP (1) JP6702233B2 (zh)
CN (1) CN108570233B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111073297A (zh) * 2018-10-22 2020-04-28 信越化学工业株式会社 加成固化型有机硅组合物、有机硅固化物及光学元件
CN111117256A (zh) * 2018-10-30 2020-05-08 信越化学工业株式会社 加成固化型硅酮树脂组合物、其固化物及光半导体装置
CN111662551A (zh) * 2019-03-06 2020-09-15 信越化学工业株式会社 硬化性有机硅树脂组合物以及半导体装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6771258B2 (ja) * 2016-06-23 2020-10-21 株式会社ダイセル 硬化性樹脂組成物、硬化性樹脂組成物の製造方法、及び粘弾性材料表面のタックの測定方法
JP7531472B2 (ja) 2021-11-01 2024-08-09 信越化学工業株式会社 変性シリコーン組成物および光半導体装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3261801A (en) * 1962-08-22 1966-07-19 Gen Electric Reversion resistant organopolysiloxane containing barium oxide or barium peroxide
US5674966A (en) * 1995-06-05 1997-10-07 General Electric Company Low molecular weight liquid injection molding resins having a high vinyl content
US5866640A (en) * 1995-07-27 1999-02-02 Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. Heat curing silicone rubber composition
CN1462298A (zh) * 2001-03-13 2003-12-17 捷时雅株式会社 感放射线性折射率变化性组合物及其应用
CN1163561C (zh) * 1999-12-22 2004-08-25 陶氏康宁东丽硅氧烷株式会社 用于固定辊的液态硅橡胶组合物和氟碳树脂涂布的固定辊
JP2014503680A (ja) * 2011-01-26 2014-02-13 ダウ コーニング コーポレーション 高温安定熱伝導性材料
US20140088251A1 (en) * 2011-11-25 2014-03-27 Lg Chem, Ltd. Curable composition
CN104046040A (zh) * 2014-06-30 2014-09-17 无锡新腾东方电缆附件有限公司 一种耐高温硅橡胶及其制备方法
CN104981510A (zh) * 2012-12-28 2015-10-14 道康宁公司 用于换能器的可固化有机聚硅氧烷组合物和此类可固化有机硅组合物在换能器方面的应用
CN105949772A (zh) * 2016-02-17 2016-09-21 和鸿电气有限公司 一种耐磨大功率led散热用导热橡胶及其生产方法
CN106009999A (zh) * 2016-06-28 2016-10-12 青岛特澳能源检测有限公司 一种防水涂料

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6124407A (en) * 1998-10-28 2000-09-26 Dow Corning Corporation Silicone composition, method for the preparation thereof, and silicone elastomer
JP4841846B2 (ja) 2005-02-02 2011-12-21 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置
JP4965111B2 (ja) 2005-11-09 2012-07-04 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物
WO2008082001A1 (ja) 2006-12-28 2008-07-10 Dow Corning Toray Co., Ltd. 加熱硬化性シリコーンゴム組成物
JP5149316B2 (ja) * 2009-12-09 2013-02-20 住友ゴム工業株式会社 タイヤ用ゴム組成物及び空気入りタイヤ
JP5505991B2 (ja) * 2010-04-30 2014-05-28 信越化学工業株式会社 高接着性シリコーン樹脂組成物及び当該組成物を使用した光半導体装置
JP2012214554A (ja) 2011-03-31 2012-11-08 Admatechs Co Ltd 熱可塑性樹脂組成物
EP2752459B1 (en) 2011-12-08 2017-11-15 Momentive Performance Materials Japan LLC Hydrosilylation-curable silicone rubber composition
JP2013204029A (ja) 2012-03-29 2013-10-07 Admatechs Co Ltd 光学用樹脂組成物
WO2015053412A1 (ja) * 2013-10-11 2015-04-16 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物および光半導体装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3261801A (en) * 1962-08-22 1966-07-19 Gen Electric Reversion resistant organopolysiloxane containing barium oxide or barium peroxide
US5674966A (en) * 1995-06-05 1997-10-07 General Electric Company Low molecular weight liquid injection molding resins having a high vinyl content
US5866640A (en) * 1995-07-27 1999-02-02 Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. Heat curing silicone rubber composition
CN1163561C (zh) * 1999-12-22 2004-08-25 陶氏康宁东丽硅氧烷株式会社 用于固定辊的液态硅橡胶组合物和氟碳树脂涂布的固定辊
CN1462298A (zh) * 2001-03-13 2003-12-17 捷时雅株式会社 感放射线性折射率变化性组合物及其应用
JP2014503680A (ja) * 2011-01-26 2014-02-13 ダウ コーニング コーポレーション 高温安定熱伝導性材料
US20140088251A1 (en) * 2011-11-25 2014-03-27 Lg Chem, Ltd. Curable composition
CN104981510A (zh) * 2012-12-28 2015-10-14 道康宁公司 用于换能器的可固化有机聚硅氧烷组合物和此类可固化有机硅组合物在换能器方面的应用
CN104046040A (zh) * 2014-06-30 2014-09-17 无锡新腾东方电缆附件有限公司 一种耐高温硅橡胶及其制备方法
CN105949772A (zh) * 2016-02-17 2016-09-21 和鸿电气有限公司 一种耐磨大功率led散热用导热橡胶及其生产方法
CN106009999A (zh) * 2016-06-28 2016-10-12 青岛特澳能源检测有限公司 一种防水涂料

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
夏兵: "硅橡胶基高介电高弹性纳米复合材料的制备及性能研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技Ⅰ辑》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111073297A (zh) * 2018-10-22 2020-04-28 信越化学工业株式会社 加成固化型有机硅组合物、有机硅固化物及光学元件
CN111117256A (zh) * 2018-10-30 2020-05-08 信越化学工业株式会社 加成固化型硅酮树脂组合物、其固化物及光半导体装置
CN111662551A (zh) * 2019-03-06 2020-09-15 信越化学工业株式会社 硬化性有机硅树脂组合物以及半导体装置
TWI848067B (zh) * 2019-03-06 2024-07-11 日商信越化學工業股份有限公司 硬化性有機矽樹脂組成物以及半導體裝置

Also Published As

Publication number Publication date
JP6702233B2 (ja) 2020-05-27
CN108570233B (zh) 2021-09-28
JP2018145370A (ja) 2018-09-20
US20180258227A1 (en) 2018-09-13
US10556993B2 (en) 2020-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10483442B2 (en) Addition curable type silicone resin composition, process for producing composition, and optical semiconductor apparatus
CN108570233A (zh) 加成固化型有机聚硅氧烷树脂组合物、该组合物的固化物以及具有该固化物的半导体装置
CN103571208B (zh) 固化性硅酮树脂组合物
EP3101062B1 (en) Nanoparticle, method for producing nanoparticle, addition curing silicone resin composition, and semiconductor apparatus
CN110291156B (zh) 可固化有机硅组合物、其固化产物和光学显示器
US11208532B2 (en) Addition-curable silicone resin composition and a semiconductor device
CN109890899A (zh) 固化性有机硅组合物、其固化物、及光半导体装置
CN104755569B (zh) 可固化有机硅组合物、其固化产物及光学半导体器件
JP2021512974A (ja) 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体デバイス
EP3266843B1 (en) Curable organosilicon resin composition
CN108795049A (zh) 加成固化型硅酮组合物、该组合物的制造方法、以及光学半导体装置
JP6784638B2 (ja) 硬化性有機ケイ素樹脂組成物
JP7390962B2 (ja) 硬化性有機ケイ素樹脂組成物
EP3587497B1 (en) Curable organosilicon resin composition and semiconductor device
TWI848067B (zh) 硬化性有機矽樹脂組成物以及半導體裝置
JP7100600B2 (ja) 硬化性有機ケイ素樹脂組成物
TWI829640B (zh) 可固化聚矽氧組合物及光學半導體裝置
JP6514148B2 (ja) 縮合硬化型シリコーン樹脂組成物及び半導体装置
CN103205126B (zh) 硅酮树脂组合物、含荧光体波长转换薄膜及它们的固化物
JP2020143206A (ja) 硬化性有機ケイ素樹脂組成物
US20230101321A1 (en) Curable liquid silicone composition, cured product of curable liquid silicone composition, optical filler including curable liquid silicone composition, and display device including layer comprising cured product of curable liquid silicone composition
JP2019108528A (ja) 硬化性オルガノポリシロキサン組成物
JPWO2019078046A1 (ja) 硬化性シリコーン組成物及び光半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: Tokyo, Japan

Applicant after: SHIN-ETSU CHEMICAL Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Applicant before: SHIN-ETSU CHEMICAL Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant