JPWO2019078046A1 - 硬化性シリコーン組成物及び光半導体装置 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 title claims abstract description 84
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 32
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 38
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 34
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 31
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 17
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims abstract description 14
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 claims abstract description 9
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 13
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 13
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 8
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000002683 reaction inhibitor Substances 0.000 claims description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000007809 chemical reaction catalyst Substances 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 17
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 9
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 abstract 1
- -1 3-chloropropyl group Chemical group 0.000 description 27
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 25
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 17
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 5
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 5
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 4
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N ethenyl-[ethenyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C=C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C=C BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- 125000002255 pentenyl group Chemical group C(=CCCC)* 0.000 description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 3
- QYLFHLNFIHBCPR-UHFFFAOYSA-N 1-ethynylcyclohexan-1-ol Chemical compound C#CC1(O)CCCCC1 QYLFHLNFIHBCPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 125000002521 alkyl halide group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 2
- VMAWODUEPLAHOE-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetrakis(ethenyl)-2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2,4,6,8-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C=C[Si]1(C)O[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)O1 VMAWODUEPLAHOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CEBKHWWANWSNTI-UHFFFAOYSA-N 2-methylbut-3-yn-2-ol Chemical compound CC(C)(O)C#C CEBKHWWANWSNTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSLSOBUAIFEGLT-UHFFFAOYSA-N 2-phenylbut-3-yn-2-ol Chemical compound C#CC(O)(C)C1=CC=CC=C1 KSLSOBUAIFEGLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- UAHZTKVCYHJBJQ-UHFFFAOYSA-N [P].S=O Chemical compound [P].S=O UAHZTKVCYHJBJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- KPWVUBSQUODFPP-UHFFFAOYSA-N ethenyl-(ethenyl-methyl-phenylsilyl)oxy-methyl-phenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)C1=CC=CC=C1 KPWVUBSQUODFPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HOMYFVKFSFMSFF-UHFFFAOYSA-N ethenyl-[ethenyl(diphenyl)silyl]oxy-diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=C)O[Si](C=C)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 HOMYFVKFSFMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
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- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/52—Encapsulations
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
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Abstract
【解決手段】(A)平均組成式で表され、一分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、(B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有し、水素原子以外のケイ素原子結合基の少なくとも5モル%がアリール基であるオルガノポリシロキサン、(C)平均単位式で表され、アルケニル基、アリール基及びエポキシ含有有機基を有するオルガノポリシロキサン、及び(D)ヒドロシリル化反応用触媒を少なくとも含んでなる硬化性シリコーン組成物。
Description
(A)平均組成式:
R11 aSiO(4−a)/2
(式中、R11は非置換又はハロゲン置換の一価炭化水素基、アルコキシ基、もしくは水酸基、ただし、一分子中、少なくとも2個のR11はアルケニル基であり、全R11の少なくとも5モル%はアリール基であり、aは0.6〜2.2の数である。)
で表されるオルガノポリシロキサン、
(B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有し、水素原子以外のケイ素原子結合基の少なくとも5モル%がアリール基であるオルガノポリシロキサン{(A)成分中のアルケニル基1モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が0.1〜5モルとなる量}、
(C)平均単位式:
(R21SiO3/2)b(R22SiO3/2)c(R23 2SiO2/2)d(R23 3SiO1/2)e(XO1/2)f{式中、R21はアリール基、R22はアルケニル基、R23は独立して、アルキル基、アルケニル基、アリール基、又はエポキシ含有有機基、ただし、一分子中のR21、R22及びR23の合計に対して、少なくとも5モル%がアルケニル基であり、少なくとも15モル%がアリール基であり、少なくとも10モル%がエポキシ含有有機基であり、Xは水素原子又はアルキル基であり、b〜fは、それぞれ、b〜eの合計を1としたとき、bは正の数、cは正の数、dは0又は正の数、eは0又は正の数、fは0〜0.02の数、かつ、c/bは0.1〜5の数、b+cは0.2〜0.8の数である。}
で表されるオルガノポリシロキサン{(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して0.1〜20質量部}、及び
(D)本組成物の硬化を促進する量のヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなることを特徴とする。
R12 3SiO(R12 2SiO)mSiR12 3
(式中、R12は独立して、非置換又はハロゲン置換の一価炭化水素基、ただし、一分子中、少なくとも2個のR12はアルケニル基であり、全R12の少なくとも5モル%がアリール基であり、mは5〜1,000の整数である。)
で表される直鎖状のオルガノポリシロキサン及び/又は平均単位式:
(R12SiO3/2)g(R12 2SiO2/2)h(R12 3SiO1/2)i(SiO4/2)j(YO1/2)k{式中、R12は前記と同じ、ただし、一分子中、少なくとも2個のR12はアルケニル基であり、全R12の少なくとも5モル%がアリール基であり、Yは水素原子又はアルキル基であり、g〜kは、それぞれ、g〜jの合計を1としたとき、gは正の数、hは0又は正の数、iは0又は正の数、jは0〜0.3の数、kは0〜0.4の数、かつ、h/gは0〜10の数、i/gは0〜5の数である。}
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。
R31 3SiO(R31 2SiO)nSiR31 3
(式中、R31は独立して、脂肪族不飽和結合を有さない非置換もしくはハロゲン置換の一価炭化水素基、又は水素原子、ただし、一分子中、少なくとも2個のR31は水素原子であり、水素原子を除く全R31の少なくとも5モル%がアリール基であり、nは1〜1,000の整数である。)
で表される直鎖状のオルガノポリシロキサン及び/又は平均単位式:
(R31SiO3/2)p(R31 2SiO2/2)q(R31 3SiO1/2)r(SiO4/2)s(ZO1/2)t{式中、R31は前記と同じ、ただし、一分子中、少なくとも2個のR31は水素原子であり、水素原子を除く全R31の少なくとも5モル%がアリール基であり、Zは水素原子又はアルキル基であり、p〜tは、それぞれ、p〜sの合計を1としたとき、pは正の数、qは0又は正の数、rは0又は正の数、sは0〜0.3の数、tは0〜0.4の数、かつ、q/pは0〜10の数、r/pは0〜5の数である。}
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。
(A)成分は、平均組成式:
R11 aSiO(4−a)/2
で表されるオルガノポリシロキサンである。
R12 3SiO(R12 2SiO)mSiR12 3
で表される直鎖状のオルガノポリシロキサン及び/又は平均単位式:
(R12SiO3/2)g(R12 2SiO2/2)h(R12 3SiO1/2)i(SiO4/2)
j(YO1/2)k
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサンが好ましい。
R31 3SiO(R31 2SiO)nSiR31 3
で表される直鎖状のオルガノポリシロキサン及び/又は平均単位式:
(R31SiO3/2)p(R31 2SiO2/2)q(R31 3SiO1/2)r(SiO4/2)s(ZO1/2)t
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサンが好ましい。
(R21SiO3/2)b(R22SiO3/2)c(R23 2SiO2/2)d(R23 3SiO
1/2)e(XO1/2)f
で表されるオルガノポリシロキサンである。
本発明の光半導体装置は、上記の硬化性シリコーン組成物の硬化物により光半導体素子を封止してなることを特徴とする。このような本発明の光半導体装置としては、発光ダイオード(LED)、フォトカプラー、CCDが例示される。また、光半導体素子としては、発光ダイオード(LED)チップ、固体撮像素子が例示される。
(a1):平均式:
ViMe2SiO(MePhSiO)23SiMe2Vi
で表され、平均組成式:
Me1.08Ph0.92Vi0.08SiO0.96
で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン(フェニル基の含有量=44.2モル%)
(a2):平均式:
ViMe2SiO(Me2SiO)200(Ph2SiO)50SiMe2Vi
で表され、平均組成式:
Me1.60Ph0.40Vi0.01SiO1.00
で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルジフェニルポリシロキサン(フェニル基の含有量=19.8モル%)
(a3):平均式:
ViPh2SiO(Me2SiO)11.3SiPh2Vi
で表され、平均組成式:
Me1.70Ph0.30Vi0.15SiO0.93
で表される分子鎖両末端ジフェニルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(フェニル基の含有量=14.0モル%)
(a4):一分子中に少なくとも2個のビニル基を有し、平均単位式:
(Me2ViSiO1/2)0.25(PhSiO3/2)0.75
で表され、平均組成式:
Me0.50Ph0.75Vi0.25SiO1.25
で表されるオルガノポリシロキサン(フェニル基の含有量=50.0モル%)
(a5):一分子中に少なくとも2個のビニル基を有し、平均単位式:
(Me2ViSiO1/2)0.11(Me3SiO1/2)0.14(MeSiO3/2)0.53(PhSiO3/2)0.22
で表され、平均組成式:
Me1.17Ph0.22Vi0.11SiO1.25
で表されるオルガノポリシロキサン(フェニル基の含有量=14.7モル%)
(a6):一分子中に少なくとも2個のビニル基を有し、平均単位式:
(Me2ViSiO1/2)0.20(PhSiO3/2)0.80
で表され、平均組成式:
Me0.40Ph0.80Vi0.20SiO1.30
で表されるオルガノポリシロキサン(フェニル基の含有量=57.1モル%)
(b1):式:
HMe2SiO(Ph2SiO)SiMe2H
で表されるオルガノトリシロキサン(フェニル基の含有量=33.3モル%)
(b2):一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有し、平均単位式:
(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.40
で表されるオルガノポリシロキサン(フェニル基の含有量=25.0モル%)
(c1):粘度が4,800mPa・sであり、平均単位式:
(ViSiO3/2)0.21(PhSiO3/2)0.31(EpMeSiO2/2)0.48
で表されるオルガノポリシロキサン(ビニル基の含有量=14.2モル%、フェニル基の含有量=21.0モル%、3−グリシドキシプロピル基の含有量=32.4モル%)
(c2):粘度が6,000mPa・sであり、平均単位式:
(ViSiO3/2)0.24(PhSiO3/2)0.27(EpMeSiO2/2)0.49
で表されるオルガノポリシロキサン(ビニル基の含有量=16.1モル%、フェニル基の含有量=18.1モル%、3−グリシドキシプロピル基の含有量=32.9モル%)
(c3):粘度が7,000mPa・sであり、平均単位式:
(ViSiO3/2)0.15(PhSiO3/2)0.31(EpMeSiO2/2)0.54
で表されるオルガノポリシロキサン(ビニル基の含有量=9.7モル%、フェニル基の含有量=20.1モル%、3−グリシドキシプロピル基の含有量=35.1モル%)
(c4):粘度が19,000mPa・sであり、平均単位式:
(PhSiO3/2)0.53(EpMeSiO2/2)0.29(Me2ViSiO1/2)0.1
8
で表されるオルガノポリシロキサン(ビニル基の含有量=10.9モル%、フェニル基の含有量=32.1モル%、3−グリシドキシプロピル基の含有量=17.6モル%)
(d):白金金属の含有量が約4質量%である、白金の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン溶液
(e1):1−エチニルシクロヘキサン−1−オール
(e2):平均式:
(MeViSiO)4
で表される環状メチルビニルポリシロキサン
硬化性シリコーン組成物の屈折率を、アッベ式屈折率計を用いて25℃で測定した。なお、光源として、可視光(589nm)を用いた。
硬化性シリコーン組成物の調製直後の25℃における粘度(mPa・s)を回転粘度計(トキメック株式会社製のE型粘度計VISCONIC EMD)を使用して測定した。
また、25℃において、その粘度が5万mPa・sに達するまでの時間を測定した。
実施例1−5及び比較例1、2の硬化性シリコーン組成物 各5gに、緑蛍光体(INTEMATIX製の製品名:GAL530) 1.035g、赤色蛍光体(INTEMATIX製の製品名:ER6535) 0.082g加えて均一に混合して、7種の硬化性シリコーン組成物を調製した。これらの硬化性シリコーン組成物を、図1に示すような光半導体装置に注入し、150℃で2時間硬化させて光半導体装置を作製した。これらの光半導体装置の光取り出し効率を、積分球を用いた全放射束測定装置を使用して放射束測定を行った。
表1に示した組成で硬化性シリコーン組成物を調製した。なお、表1中の「SiH/Vi」は、(A)成分中のビニル基の合計1モルに対する、(B)成分中のケイ素原子結合水素原子の合計モル数の値を表す。また、この硬化性シリコーン組成物の特性およびこの組成物を用いて作製した光半導体装置の特性を表1に示した。
2 リードフレーム
3 リードフレーム
4 ボンディングワイヤ
5 枠材
6 硬化性シリコーン組成物の硬化物
Claims (5)
- (A)平均組成式:
R11 aSiO(4−a)/2
(式中、R11は非置換又はハロゲン置換の一価炭化水素基、アルコキシ基、もしくは水酸基、ただし、一分子中、少なくとも2個のR11はアルケニル基であり、全R11の少なくとも5モル%がアリール基であり、aは0.6〜2.2の数である。)
で表されるオルガノポリシロキサン、
(B)一分子中、少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有し、水素原子以外のケイ素原子結合基の少なくとも5モル%がアリール基であるオルガノポリシロキサン{(A)成分中のアルケニル基1モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が0.1〜5モルとなる量}、
(C)平均単位式:
(R21SiO3/2)b(R22SiO3/2)c(R23 2SiO2/2)d(R23 3SiO1/2)e(XO1/2)f{式中、R21はアリール基、R22はアルケニル基、R23は独立して、アルキル基、アルケニル基、アリール基、又はエポキシ含有有機基、ただし、一分子中のR21、R22及びR23の合計に対して、少なくとも5モル%がアルケニル基であり、少なくとも15モル%がアリール基であり、少なくとも10モル%がエポキシ含有有機基であり、Xは水素原子又はアルキル基であり、b〜fは、それぞれ、b〜eの合計を1としたとき、bは正の数、cは正の数、dは0又は正の数、eは0又は正の数、fは0〜0.02の数、かつ、c/bは0.1〜5の数、b+cは0.2〜0.8の数である。}
で表されるオルガノポリシロキサン{(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して0.1〜20質量部}、及び
(D)本組成物の硬化を促進する量のヒドロシリル化反応用触媒
を少なくとも含んでなる硬化性シリコーン組成物。 - (A)成分が、一般式:
R12 3SiO(R12 2SiO)mSiR12 3
(式中、R12は独立して、非置換又はハロゲン置換の一価炭化水素基、ただし、一分子中、少なくとも2個のR12はアルケニル基であり、全R12の少なくとも5モル%がアリール基であり、mは5〜1,000の整数である。)
で表される直鎖状のオルガノポリシロキサン及び/又は平均単位式:
(R12SiO3/2)g(R12 2SiO2/2)h(R12 3SiO1/2)i(SiO4/2)j(YO1/2)k{式中、R12は前記と同じ、ただし、一分子中、少なくとも2個のR12はアルケニル基であり、全R12の少なくとも5モル%がアリール基であり、Yは水素原子又はアルキル基であり、g〜kは、それぞれ、g〜jの合計を1としたとき、gは正の数、hは0又は正の数、iは0又は正の数、jは0〜0.3の数、kは0〜0.4の数、かつ、h/gは0〜10の数、i/gは0〜5の数である。}
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサンである、請求項1に記載の硬化性シリコーン組成物。 - (B)成分が、一般式:
R31 3SiO(R31 2SiO)nSiR31 3
(式中、R31は独立して、脂肪族不飽和結合を有さない非置換もしくはハロゲン置換の一価炭化水素基、又は水素原子、ただし、一分子中、少なくとも2個のR31は水素原子であり、水素原子以外の全R31の少なくとも5モル%がアリール基であり、nは1〜1,000の整数である。)
で表される直鎖状のオルガノポリシロキサン及び/又は平均単位式:
(R31SiO3/2)p(R31 2SiO2/2)q(R31 3SiO1/2)r(SiO4/2)s(ZO1/2)t{式中、R31は前記と同じ、ただし、一分子中、少なくとも2個のR31は水素原子であり、水素原子以外の全R31の少なくとも5モル%がアリール基であり、Zは水素原子又はアルキル基であり、p〜tは、それぞれ、p〜sの合計を1としたとき、pは正の数、qは0又は正の数、rは0又は正の数、sは0〜0.3の数、tは0〜0.4の数、かつ、q/pは0〜10の数、r/pは0〜5の数である。}
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサンである、請求項1に記載の硬化性シリコーン組成物。 - さらに、(D)ヒドロシリル化反応抑制剤を、(A)成分〜(C)成分の合計100質量部に対して0.0001〜5質量部含有する、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の硬化性シリコーン組成物。
- 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の硬化性シリコーン組成物の硬化物により被覆されている光半導体素子を含んでなる光半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022016324A JP7222569B2 (ja) | 2017-10-20 | 2022-02-04 | 硬化性シリコーン組成物及び光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017203349 | 2017-10-20 | ||
JP2017203349 | 2017-10-20 | ||
PCT/JP2018/037485 WO2019078046A1 (ja) | 2017-10-20 | 2018-10-05 | 硬化性シリコーン組成物及び光半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022016324A Division JP7222569B2 (ja) | 2017-10-20 | 2022-02-04 | 硬化性シリコーン組成物及び光半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019078046A1 true JPWO2019078046A1 (ja) | 2021-03-04 |
Family
ID=66173225
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019549214A Pending JPWO2019078046A1 (ja) | 2017-10-20 | 2018-10-05 | 硬化性シリコーン組成物及び光半導体装置 |
JP2022016324A Active JP7222569B2 (ja) | 2017-10-20 | 2022-02-04 | 硬化性シリコーン組成物及び光半導体装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022016324A Active JP7222569B2 (ja) | 2017-10-20 | 2022-02-04 | 硬化性シリコーン組成物及び光半導体装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200299510A1 (ja) |
EP (1) | EP3699237A4 (ja) |
JP (2) | JPWO2019078046A1 (ja) |
KR (1) | KR20200059251A (ja) |
CN (1) | CN111225956A (ja) |
TW (1) | TW201917173A (ja) |
WO (1) | WO2019078046A1 (ja) |
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-
2018
- 2018-10-02 TW TW107134835A patent/TW201917173A/zh unknown
- 2018-10-05 KR KR1020207011171A patent/KR20200059251A/ko not_active IP Right Cessation
- 2018-10-05 US US16/754,260 patent/US20200299510A1/en not_active Abandoned
- 2018-10-05 CN CN201880067528.7A patent/CN111225956A/zh active Pending
- 2018-10-05 WO PCT/JP2018/037485 patent/WO2019078046A1/ja unknown
- 2018-10-05 EP EP18868937.6A patent/EP3699237A4/en not_active Withdrawn
- 2018-10-05 JP JP2019549214A patent/JPWO2019078046A1/ja active Pending
-
2022
- 2022-02-04 JP JP2022016324A patent/JP7222569B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200059251A (ko) | 2020-05-28 |
EP3699237A1 (en) | 2020-08-26 |
US20200299510A1 (en) | 2020-09-24 |
EP3699237A4 (en) | 2021-07-14 |
CN111225956A (zh) | 2020-06-02 |
WO2019078046A1 (ja) | 2019-04-25 |
JP2022158926A (ja) | 2022-10-17 |
JP7222569B2 (ja) | 2023-02-15 |
TW201917173A (zh) | 2019-05-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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AA64 | Notification of invalidation of claim of internal priority (with term) |
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A521 | Request for written amendment filed |
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