CN108565208A - 一种石英晶体谐振器晶片分离回收方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种石英晶体谐振器晶片分离回收方法，包括以下步骤：(1)将石英晶体谐振器放入浸泡液中浸泡3.5～5小时，所述浸泡液采用TFD4、丙酮和氢氧化钠加入等离子水混合而成，(2)将浸泡后的石英晶体谐振器放入装有热水的容器中漂洗4～6分钟，漂洗时不断晃动容器；所述热水的温度为50℃～70℃；(3)将热水处理后的石英晶体谐振器放入装有冷水的容器中漂洗4～6分钟，漂洗时不断晃动容器，从而使基座与晶片分离。本发明能够快速有效的将晶片从基座中剥离出来，效率高，成本低，操作简单，可广泛应用于石英晶体谐振器晶片分离回收领域。
Description
技术领域
本发明涉及石英晶体元器件制造技术领域，尤其是涉及一种石英晶体谐振器晶片分离回收方法。
背景技术
石英晶体谐振器在封装之前需要经过点胶将石英晶片通过导电胶固定在基座上，然后进行高温烘烤固化，烘烤完成后进入微调工程。然而，在点胶与微调工程中都会产生不同的不良品，而这些不良品并非是晶片不良引起的，主要是由胶点状态，晶片搭载状态及其他电气特性不良引起。目前，对以上点胶与微调产生的不良品的处理方式是直接报废处理，晶片不能得到很好的回收利用，此种处理方式，造成材料的浪费，增加了生产成本。
发明内容
本发明的目的是提供一种石英晶体谐振器晶片分离回收方法，用于回收不合格谐振器中的晶片。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种石英晶体谐振器晶片分离回收方法，包括以下步骤：
(1)将石英晶体谐振器放入浸泡液中浸泡3.5～5小时，所述浸泡液采用TFD4、丙酮和氢氧化钠加入等离子水混合而成，所述TFD4、丙酮和等离子水的体积比为1:8～12:8～12，所述氢氧化钠与等离子水的料液比为6～8:10g/ml；
(2)将浸泡后的石英晶体谐振器放入装有热水的容器中漂洗4～6分钟，漂洗时不断晃动容器；所述热水的温度为50℃～70℃；
(3)将热水处理后的石英晶体谐振器放入装有冷水的容器中漂洗4～6分钟，漂洗时不断晃动容器，从而使基座与晶片分离。
进一步的，所述步骤(3)之后还设置有以下步骤：(4)将晶片放入盛装酒精的容器中漂洗30秒后取出晾干；
(5)将晾干后的晶片放入浓度为20％的金铬剥离液中浸泡3～5min，同时不断晃动溶液，浸泡完成后取出晾干；
(6)将步骤(5)获得的晶体放入网杯中，用热水冲淋并不断晃动网杯3～4min；
(7)将步骤(6)的晶体连同网杯一起放入酒精溶液中脱水1min，取出沥干；
(8)将沥干后的晶体放入烘箱内烘干，烘干温度为140℃-160℃，时间为30min。
优选的，所述步骤1)中TFD4、丙酮和等离子水的体积比为1:10:10，所述氢氧化钠与等离子水的料液比为7:10g/ml。
本发明的有益效果：本发明中的浸泡液能够减小导电胶与基座及晶片的粘附强度，使晶片与基座的粘附强度降低，使得晶片从导电胶和基座上脱落出料，且该浸泡液不会损坏晶片本身的结构，分离效率高，效果好。同时通过热水和冷水的交替作用，利用热胀冷缩的原理，进一步使晶片与导电胶和基座分离，使分离更加的彻底，同时，通过两次漂洗，能够去除晶片表面的浸泡液及导电胶等杂质，提高晶片的整洁度。所述金铬剥离液进一步去除晶片表面的银和铬，从而使晶片恢复回加工前的状态，方便下次正常使用。另外本修复方法操作简单，不需要大的清洗装置和大量的清洗液，可有效节约空间，节约成本，节约能源，节约时间。
以下将结合附图和实施例，对本发明进行较为详细的说明。
附图说明
图1为本发明的系统框图。
具体实施方式
实施例1：一种石英晶体谐振器晶片分离回收方法，如图1所示，包括以下步骤：
(1)将石英晶体谐振器放入浸泡液中浸泡3.5～5小时，所述浸泡液采用TFD4、丙酮和氢氧化钠加入等离子水混合而成，所述TFD4、丙酮和等离子水的体积比为1:8:12，所述氢氧化钠与等离子水的料液比为6:10g/ml；所述TFD4产自法国franklab公司。
(2)将浸泡后的石英晶体谐振器放入装有温度为50℃～70℃热水的容器中漂洗4～6分钟，漂洗时不断晃动容器；
(3)将热水处理后的石英晶体谐振器放入装有冷水的容器中漂洗4～6分钟，漂洗时不断晃动容器，去除导电胶，从而使基座与晶片分离。
(4)将晶片放入盛装酒精的容器中漂洗30秒后取出晾干；
(5)将晾干后的晶片放入浓度为20％的金铬剥离液中浸泡3～5min，同时不断晃动溶液，去除晶片表面的银和铬，所述金铬剥离液产自苏州市晶协高新电子材料有限公司；浸泡完成后取出晶片晾干；
(6)将步骤(5)获得的晶体放入网杯中，用热水冲淋并不断晃动网杯3～4min；
(7)将步骤(6)的晶体连同网杯一起放入酒精溶液中脱水1min，取出沥干；
(8)将沥干后的晶体放入烘箱内烘干，烘干温度为140℃-160℃，时间为30min。烘干后将修复合格的晶片包装好，贴上规格，型号，数量，日期标签待用。
实施例2：一种石英晶体谐振器晶片分离回收方法，如图1所示，包括以下步骤：
(1)将石英晶体谐振器放入浸泡液中浸泡3.5～5小时，所述浸泡液采用TFD4、丙酮和氢氧化钠加入等离子水混合而成，所述TFD4、丙酮和等离子水的体积比为1:10:10，所述氢氧化钠与等离子水的料液比为7:10g/ml；所述TFD4产自法国franklab公司。
(2)将浸泡后的石英晶体谐振器放入装有温度为50℃～70℃热水的容器中漂洗4～6分钟，漂洗时不断晃动容器；
(3)将热水处理后的石英晶体谐振器放入装有冷水的容器中漂洗4～6分钟，漂洗时不断晃动容器，去除导电胶，从而使基座与晶片分离。
(4)将晶片放入盛装酒精的容器中漂洗30秒后取出晾干；
(5)将晾干后的晶片放入浓度为20％的金铬剥离液中浸泡3～5min，同时不断晃动溶液，去除晶片表面的银和铬，所述金铬剥离液产自苏州市晶协高新电子材料有限公司；浸泡完成后取出晶片晾干；
(6)将步骤(5)获得的晶体放入网杯中，用热水冲淋并不断晃动网杯3～4min；
(7)将步骤(6)的晶体连同网杯一起放入酒精溶液中脱水1min，取出沥干；
(8)将沥干后的晶体放入烘箱内烘干，烘干温度为140℃-160℃，时间为30min。烘干后将修复合格的晶片包装好，贴上规格，型号，数量，日期标签待用。
实施例3：一种石英晶体谐振器晶片分离回收方法，如图1所示，包括以下步骤：
(1)将石英晶体谐振器放入浸泡液中浸泡3.5～5小时，所述浸泡液采用TFD4、丙酮和氢氧化钠加入等离子水混合而成，所述TFD4、丙酮和等离子水的体积比为1:12:8，所述氢氧化钠与等离子水的料液比为8:10g/ml；所述TFD4产自法国franklab公司。
(2)将浸泡后的石英晶体谐振器放入装有温度为50℃～70℃热水的容器中漂洗4～6分钟，漂洗时不断晃动容器；
(3)将热水处理后的石英晶体谐振器放入装有冷水的容器中漂洗4～6分钟，漂洗时不断晃动容器，去除导电胶，从而使基座与晶片分离。
(4)将晶片放入盛装酒精的容器中漂洗30秒后取出晾干；
(5)将晾干后的晶片放入浓度为20％的金铬剥离液中浸泡3～5min，同时不断晃动溶液，去除晶片表面的银和铬，所述金铬剥离液产自苏州市晶协高新电子材料有限公司；浸泡完成后取出晶片晾干；
(6)将步骤(5)获得的晶体放入网杯中，用热水冲淋并不断晃动网杯3～4min；
(7)将步骤(6)的晶体连同网杯一起放入酒精溶液中脱水1min，取出沥干；
(8)将沥干后的晶体放入烘箱内烘干，烘干温度为140℃-160℃，时间为30min。烘干后将修复合格的晶片包装好，贴上规格，型号，数量，日期标签待用。
以上结合附图对本发明进行了示例性描述。显然，本发明具体实现并不受上述方式的限制。只要是采用了本发明的技术方案进行的各种非实质性的改进，包括一些参数的变化；均落入本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种石英晶体谐振器晶片分离回收方法，包括以下步骤：
(1)将石英晶体谐振器放入浸泡液中浸泡3.5～5小时，所述浸泡液采用TFD4、丙酮和氢氧化钠加入等离子水混合而成，所述TFD4、丙酮和等离子水的体积比为1:8～12:8～12，所述氢氧化钠与等离子水的料液比为6～8:10g/ml；
(2)将浸泡后的石英晶体谐振器放入装有热水的容器中漂洗4～6分钟，漂洗时不断晃动容器；所述热水的温度为50℃～70℃；
(3)将热水处理后的石英晶体谐振器放入装有冷水的容器中漂洗4～6分钟，漂洗时不断晃动容器，从而使基座与晶片分离。
2.如权利要求1所述的石英晶体谐振器晶片分离回收方法，其特征在于：所述步骤(3)之后还设置有以下步骤：(4)将晶片放入盛装酒精的容器中漂洗30秒后取出晾干；
(5)将晾干后的晶片放入浓度为20％的金铬剥离液中浸泡3～5min，同时不断晃动溶液，浸泡完成后取出晾干；
(6)将步骤(5)获得的晶体放入网杯中，用热水冲淋并不断晃动网杯3～4min；
(7)将步骤(6)的晶体连同网杯一起放入酒精溶液中脱水1min，取出沥干；
(8)将沥干后的晶体放入烘箱内烘干，烘干温度为140℃-160℃，时间为30min。
3.如权利要求1所述的石英晶体谐振器晶片分离回收方法，其特征在于：所述步骤1)中TFD4、丙酮和等离子水的体积比为1:10:10，所述氢氧化钠与等离子水的料液比为7:10g/ml。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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