CN104576308A - 一种外延片的清洗和封装方法 - Google Patents
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Abstract
一种外延片的清洗和封装方法，清洗过程包括以下步骤：(1)兆声清洗：采用APM清洗液，清洗时间为600～1200s，清洗温度为60℃，兆声频率为870kHz；(2)快排和喷淋：使用冷水对外延片表面进行快排循环处理3次，冷水温度为25℃；使用热水对外延片表面进行喷淋，喷淋时间为300s，热水温度为60℃；(3)干燥：采用异丙醇干燥的方法，用热氮气作为载气，氮气流速为12m/s，温度为60℃，时间为630s；封装过程为：清洗后的外延片先用内封装袋进行封装，封装时先充氮气，再抽真空以充分去除袋内的空气；封装好后将干燥剂用透明胶带固定在内包装袋上，然后用外包装袋封装，方法同内包装袋。通过本发明可得到理想的外延片表面状态，外延片长时间存储表面不会产生“雾”缺陷。
Description
技术领域
本发明涉及一种外延片的清洗和封装方法，属于硅片加工技术领域。
背景技术
目前用于集成电路制造的主要是外延片，与传统的抛光片相比，外延片具有表面缺陷少、氧含量低、晶格完整性好等优点。外延片是将抛光片经过外延和清洗两个工艺步骤制备得到的。外延工艺采用三氯氢硅(TCS)作为反应气，H2作为载气，外延温度为1080℃，时间为45s，外延层厚度为2μm。清洗工艺作为整个加工工艺中的最后一步，其效果的好坏直接决定着外延片的质量。
目前在抛光片的清洗过程中广泛采用的是RCA标准清洗法及改进的RCA标准清洗法。RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的，并由此而得名。RCA是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液。
(1)SPM：H2SO4／H2O2，120～150℃。SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。
(2)DHF：HF，20～25℃。DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al、Fe、Zn、Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀。
(3)APM(SC-1)：NH4OH／H2O2／H2O，30～80℃。由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在NH4OH腐蚀硅片表面的同时，H2O2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。
(4)HPM(SC-2)：HCl／H2O2／H2O，65～85℃。用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。
抛光片经过外延过程之后，表面由亲水性变为了疏水性，容易吸附颗粒， 此时如果不经过清洗而直接封装，外延片表面容易产生“雾”缺陷。因此，外延之后清洗的主要目的是将外延片表面由疏水性变为亲水性，同时不引入新的颗粒沾污和表面微粗糙度的增加。随着栅氧化层的不断减薄，表面微粗糙度会导致氧化层厚度不均匀，从而影响栅氧化层的完整性。
外延片清洗完后要装盒封装，一般的做法是将包装袋先充氮气再抽真空封装，但是在实际生产中发现，这种包装方法有时会由于氮气湿度大而使外延片表面长“雾”。因此对现有的包装方法进行改进显得很有必要。
发明内容
本发明的目的在于提供一种外延片的清洗和封装方法。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种外延片的清洗和封装方法，该方法包括清洗和封装过程，其中清洗过程包括以下步骤：
(1)兆声清洗：采用APM清洗液，清洗时间为600～1200s，清洗温度为60℃，清洗时增加兆声来提高清洗效率，兆声频率为870kHz；
(2)快排和喷淋：使用冷水对外延片表面进行快排循环处理3次，冷水温度为25℃；使用热水对外延片表面进行喷淋，喷淋时间为300s，热水温度为60℃；
(3)干燥：采用异丙醇干燥的方法，用热氮气作为载气，氮气流速为12m／s，温度为60℃，时间为630s；
封装过程为：将清洗后的外延片测试后装入晶圆运输盒(FOSB)中，先用内封装袋进行封装，封装时先充氮气，再抽真空以充分去除袋内的空气；封装好后将干燥剂用透明胶带固定在内包装袋上，然后用外包装袋封装，方法同内包装袋，全部完成后即可装箱存储。
在外延片的清洗过程中，为了保证清洗后颗粒和微粗糙度满足要求，必须用低浓度的APM清洗液，其中氨水、双氧水和去离子水的体积比优选为：1：1：(100～200)。H2O2能将外延片的表面氧化，使其变为亲水性，同时NH4OH能去除附着在其上的颗粒，但是由于两者的浓度都很低，因此不会导致表面微粗糙度的增加。
IPA干燥是利用IPA(异丙醇)的低表面张力和易挥发的特性，取代硅片表面的具有较高表面张力的水分，然后用热N2吹干，达到彻底干燥硅片水膜的目的。
封装过程中内包装袋上的干燥剂能将包装袋中的水汽去除，降低其对硅片 的影响，进而抑制了“雾”缺陷的产生。
本发明的优点在于：
通过本发明可得到理想的外延片表面状态，清洗后的外延片表面金属沾污<1E10atom／cm2，表面颗粒沾污增加数<0个／片，表面微粗糙度增加值<0ppm；同时保证外延片经过长时间存储表面不会产生“雾”缺陷。
具体实施方式
以下通过实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
取同一批次的300mm抛光片20片进行相同的外延工艺，生长2μm厚的外延层，测试颗粒和Haze值并作记录，然后将这些外延片分为两组(每组10片)进行清洗，采用的清洗工艺如下：
第一组采用清洗抛光片的RCA标准清洗法：
第二组采用本发明的清洗工艺进行清洗：
用表面颗粒扫描仪(SP1)扫描所有硅片表面颗粒和Haze值，并进行对比，Haze值能表征硅片的微粗糙度。
从以上结果可知，经第一组工艺后10片中有8片表面颗粒增加，而第二组工艺后颗粒全部减少。从微粗糙度方面来说，第一组的微粗糙度增加值明显高于第二组，说明清洗时间和步骤的增加会导致微粗糙度增加。经过对比可以看出，对于外延片而言用RCA标准清洗法会导致颗粒增加和微粗糙度变大，而采用本发明能解决这两个问题，而且能够降低成本，提高效率。
实施例2
取同一批次的300mm抛光片20片进行相同的外延工艺，生长2μm厚的外延层，测试颗粒并作记录，然后将这些外延片分为两组(每组10片)进行清洗，采用本发明的清洗工艺。然后分别进行封装，第一组的内外包装袋之间不加干燥剂，在第二组的内外包装袋之间加入干燥剂。放置240小时后拆开重新进行颗粒测试，并进行对比。
两组实验的结果如下：
从上面的数据可以看出，第一组的片盒内湿度较大，里面的硅片已经产生了“雾”缺陷。而第二组放了干燥剂的片盒湿度很低，里面的硅片和封装之前基本没有差别。
Claims (2)
1.一种外延片的清洗和封装方法，该方法包括清洗和封装过程，其特征在于，清洗过程包括以下步骤：
(1)兆声清洗：采用APM清洗液，清洗时间为600～1200s，清洗温度为60℃，兆声频率为870kHz；
(2)快排和喷淋：使用冷水对外延片表面进行快排循环处理3次，冷水温度为25℃；使用热水对外延片表面进行喷淋，喷淋时间为300s，热水温度为60℃；
(3)干燥：采用异丙醇干燥的方法，用热氮气作为载气，氮气流速为12m／s，温度为60℃，时间为630s；
封装过程为：将清洗后的外延片测试后装入晶圆运输盒中，先用内封装袋进行封装，封装时先充氮气，再抽真空以充分去除袋内的空气；封装好后将干燥剂用透明胶带固定在内包装袋上，然后用外包装袋封装，方法同内包装袋，全部完成后即可装箱存储。
2.根据权利要求1所述的外延片的清洗和封装方法，所述的APM清洗液中氨水、双氧水和去离子水的体积比为1：1：(100～200)。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: GRINM SEMICONDUCTOR MATERIALS CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: GRINM ADVANCED MATERIALS CO., LTD. Effective date: 20150615 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20150615 Address after: 101300 Beijing city Shunyi District Shuanghe Linhe Industrial Development Zone on the south side of the road Applicant after: You Yan Semi Materials Co., Ltd. Address before: 100088 Beijing city Xicheng District Xinjiekou Avenue No. 2 Applicant before: YOUYAN NEW MATERIAL CO., LTD. |
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 101300 south side of Shuanghe Road, Linhe Industrial Development Zone, Shunyi District, Beijing Patentee after: Youyan semiconductor silicon materials Co.,Ltd. Address before: 101300 south side of Shuanghe Road, Linhe Industrial Development Zone, Shunyi District, Beijing Patentee before: GRINM SEMICONDUCTOR MATERIALS Co.,Ltd. |
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| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |