CN108559661A - 一种gpp芯片清洗溶液及清洗工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种GPP芯片清洗溶液及清洗工艺，清洗溶液包括1#液和2#液，其中1#液按重量份为：纯水6‑9份，质量浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的氨水1份；2#液：纯水6‑9份，浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的盐酸1份。通过改变溶液配比，使溶液可以直接加热至沸腾状态，形成恒温。
Description
技术领域
本发明涉及GPP芯片清洗技术领域，特别是涉及一种GPP芯片清洗溶液及清洗工艺。
背景技术
目前GPP芯片采用RCA清洗工艺，清洗溶液需要控制在75±5℃，恒温过程耗时、费力，要求设备控温能力好，一旦温度过低、过高芯片易成为不良品，最终良率低，硅片和化学品浪费严重。
如何控制清洗溶液处于恒温状态，提高芯片良率，是本发明需要解决的技术问题。
发明内容
本发明就是针对上述存在的缺陷而提供一种GPP芯片清洗溶液及清洗工艺。现在通过改变工艺参数，溶液配比进行改变，使溶液可以直接加热至沸腾状态，形成恒温，易控制操作，提高了效率，还有效地提高了芯片良率。
本发明中所述的浓度是指质量浓度，份是指体积比例。
本发明的一种GPP芯片清洗溶液及清洗工艺技术方案为，一种GPP芯片清洗溶液，包括1#液和2#液，其中1#液按重量份为：纯水6-9份，质量浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的氨水1份；2#液：纯水6-9份，浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的盐酸1份。
溶液工作状态为沸腾状态。
1#液按重量份为：纯水9份，质量浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的氨水1份；2#液：纯水9份，浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的盐酸1份。该配比使用起来最节约，成本最低。
1#液按重量份为：纯水6份，质量浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的氨水1份；2#液：纯水9份，浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的盐酸1份。该配比清洗硅片验证效果最好。
一种GPP芯片清洗工艺，采用如权利要求1所述的GPP芯片清洗溶液。
所述的一种GPP芯片清洗工艺，包括以下步骤：
（1）硅片在花篮中冲纯水待清洗；
（2）在石英锅中按比例加入沸纯水，过氧化氢，氨水，配置好1#液，快速加热至沸腾，约用时1-2分钟；
（3）将盛硅片的花篮放入1#液中，煮8-10分钟；
（4）提出花篮，放入纯水中冲8-10分钟；
（5）在石英锅中按比例加入沸纯水，过氧化氢，盐酸，配置好2#液，快速加热至沸腾，约用时1-2分钟；
（6）将盛硅片的花篮放入2#液中，煮8-10分钟；
（7）提出花篮，放入纯水中冲8-10分钟；
（8）提出花篮，放入烤箱烘干，清洗完毕。
本发明溶液能保持恒温的原理：水在1个标准大气压下，沸点稳定是100℃，在加入少量化学品配成溶液后，仍能保持这种恒温的特性，沸点上下变化不大。
1#液作用为，过氧化氢氧化硅表面形成二氧化硅，在氨水中的氢氧根离子的作用下，表面被蚀刻，这样，任何有机的和颗粒状的杂质在硅片表面被蚀刻时均被去除。NH4OH通过与金属离子形成络合物，也协助去除一些金属杂质。
2#液作用为，盐酸和重金属离子形成可溶性的盐酸盐，以去除重金属杂质；过氧化氢氧化硅表面杂质，与盐酸一起去除碱金属离子与碱金属氢氧化物。
本发明的有益效果为：本发明通过改善溶液配比，使溶液可以直接加热至沸腾状态，形成恒温，易控制操作，提高了效率，还有效地提高了芯片良率（化学反应剧烈）。无需另外投资，工艺改变小，更易操作，提高效率50%，提高良率20%，节约成本。
具体实施方式：
为了更好地理解本发明，下面用具体实例来详细说明本发明的技术方案，但是本发明并不局限于此。
实施例１
2017年6月12日投入清洗批次***
使用改进工艺流程：①50片硅片在花篮中冲纯水待清洗②在石英锅中按比例加入沸纯水3000毫升，质量浓度为35%的过氧化氢1000毫升，浓度为35%的氨水500毫升，配置好1#液，快速加热至沸腾，约用时1分钟③将盛硅片的花篮放入1#液中，煮8分钟④提出花篮，放入纯水中冲8分钟⑤在石英锅中按比例加入沸纯水3600毫升，质量浓度为35%的过氧化氢800毫升，浓度为35%的盐酸400毫升，配置好2#液，快速加热至沸腾，约用时1分钟⑥将盛硅片的花篮放入2#液中，煮8分钟⑦提出花篮，放入纯水中冲8分钟⑧提出花篮，放入烤箱烘干，清洗完毕。共用时34分钟。共用纯水6600毫升，化学品2700毫升（包含过氧化氢1800毫升，氨水500毫升，盐酸400毫升）。后期测试良率99.2%。
实施例2
2017年6月10日投入清洗批次***
使用改进工艺流程：①50片硅片在花篮中冲纯水待清洗②在石英锅中按比例加入沸纯水4500毫升，质量浓度为35%的过氧化氢1000毫升，浓度为35%的氨水500毫升，配置好1#液，快速加热至沸腾，约用时1分钟③将盛硅片的花篮放入1#液中，煮9分钟④提出花篮，放入纯水中冲8分钟⑤在石英锅中按比例加入沸纯水3600毫升，质量浓度为35%的过氧化氢800毫升，浓度为35%的盐酸400毫升，配置好2#液，快速加热至沸腾，约用时1分钟⑥将盛硅片的花篮放入2#液中，煮9分钟⑦提出花篮，放入纯水中冲8分钟⑧提出花篮，放入烤箱烘干，清洗完毕。共用时34分钟。共用纯水7200毫升，化学品2400毫升（包含过氧化氢1600毫升，氨水400毫升，盐酸400毫升）。后期测试良率99.0%。
对比例
对比批次***，2017年6月13日投入清洗
使用现有工艺流程：①50片硅片在花篮中冲纯水待清洗②在石英锅中按比例加入80℃纯水3500毫升，再加入过氧化氢700毫升，氨水700毫升，配置好1号液，加热保温至70-80℃，约用时5分钟③将盛硅片的花篮放入1号液中，煮10分钟④提出花篮，放入纯水中冲10分钟⑤在石英锅中按比例加入80℃纯水3500毫升，过氧化氢700毫升，盐酸700毫升，配置好2号液，加热保温至70-80℃，约用时5分钟⑥将盛硅片的花篮放入2号液中，煮10分钟⑦提出花篮，放入纯水中冲10分钟⑧提出花篮，放入烤箱烘干，清洗完毕。
共用时50分钟。共用纯水7000毫升，化学品2800毫升（包含过氧化氢1400毫升，氨水700毫升，盐酸700毫升）。后期测试良率84.2%。
Claims (6)
1.一种GPP芯片清洗溶液，其特征在于，包括1#液和2#液，其中1#液按重量份为：纯水6-9份，质量浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的氨水1份；2#液：纯水6-9份，浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的盐酸1份。
2.根据权利要求1所述的一种GPP芯片清洗溶液，其特征在于，溶液工作状态为沸腾状态。
3.根据权利要求1所述的一种GPP芯片清洗溶液，其特征在于，1#液按重量份为：纯水9份，质量浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的氨水1份；2#液：纯水9份，浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的盐酸1份。
4.根据权利要求1所述的一种GPP芯片清洗溶液，其特征在于，1#液按重量份为：纯水6份，质量浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的氨水1份；2#液：纯水9份，浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的盐酸1份。
5.一种GPP芯片清洗工艺，其特征在于，采用如权利要求1所述的GPP芯片清洗溶液。
6.根据权利要求5所述的一种GPP芯片清洗工艺，其特征在于，包括以下步骤：
（1）硅片在花篮中冲纯水待清洗；
（2）在石英锅中按比例加入沸纯水，过氧化氢，氨水，配置好1#液，快速加热至沸腾；
（3）将盛硅片的花篮放入1#液中，煮8-10分钟；
（4）提出花篮，放入纯水中冲8-10分钟；
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（8）提出花篮，放入烤箱烘干，清洗完毕。
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|---|---|
| CN (1) | CN108559661A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110591832A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-20 | 嘉兴瑞智光能科技有限公司 | 一种高效环保无污染硅片清洗剂及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101152652A (zh) * | 2006-09-29 | 2008-04-02 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种阳极氧化零件表面的清洗方法 |
| CN101501822A (zh) * | 2006-08-07 | 2009-08-05 | 住友电气工业株式会社 | GaxIn1-xN衬底以及GaxIn1-xN衬底清洗方法 |
| CN101789371A (zh) * | 2009-01-23 | 2010-07-28 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体元器件的清洗方法 |
| CN103801531A (zh) * | 2012-11-15 | 2014-05-21 | 毛华军 | 一种ito的清洗工艺 |
| CN104475390A (zh) * | 2014-07-24 | 2015-04-01 | 如皋市易达电子有限责任公司 | 一种二极管芯片酸洗工艺及设备 |
-
2018
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101501822A (zh) * | 2006-08-07 | 2009-08-05 | 住友电气工业株式会社 | GaxIn1-xN衬底以及GaxIn1-xN衬底清洗方法 |
| CN101152652A (zh) * | 2006-09-29 | 2008-04-02 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种阳极氧化零件表面的清洗方法 |
| CN101789371A (zh) * | 2009-01-23 | 2010-07-28 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体元器件的清洗方法 |
| CN103801531A (zh) * | 2012-11-15 | 2014-05-21 | 毛华军 | 一种ito的清洗工艺 |
| CN104475390A (zh) * | 2014-07-24 | 2015-04-01 | 如皋市易达电子有限责任公司 | 一种二极管芯片酸洗工艺及设备 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 申燕等: ""太阳能多晶硅料化学清洗研究进展", 《新材料产业》 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110591832A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-20 | 嘉兴瑞智光能科技有限公司 | 一种高效环保无污染硅片清洗剂及其制备方法 |
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