CN108508661A - 液晶显示面板及液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

作为液晶显示面板的窄边缘化的手段，已知将栅极配线和驱动电路之间的引绕配线形成于显示区域内的技术。但是，由于引绕配线，显示像素的光开口率降低。需要能够兼顾窄边缘化与显示特性的技术。使在显示区域(1)内与栅极配线(4)连接的栅极连接线(6)以具有与源极配线(5)重叠的区域的方式形成。通过该构造，能够兼顾液晶显示面板的窄边缘化与显示特性。

Description

液晶显示面板及液晶显示装置

技术领域

本发明涉及边缘场开关(Fringe Field Switching:FFS)方式的液晶显示面板及液晶显示装置。

背景技术

取代以往的显像管，大量使用具有利用了液晶、电致发光等原理的厚度薄且呈平面形状的显示面板的新显示装置已有很久一段时间，作为这些新显示装置的代表的液晶显示装置不仅厚度薄、重量轻，还具有能够以低电压进行驱动这样的特征。液晶显示装置在2片基板之间形成液晶层。一方的基板是将多个像素配置为矩阵状而构成显示区域的阵列基板。另一方的基板是形成了滤色片等的相对基板。

特别地，薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)型液晶显示装置在阵列基板之上的各像素处设置作为开关元件的TFT，各像素能够独立地保持对液晶层进行驱动的电压，因此能够进行串扰少的高画质的显示。另外，在各像素设置有图像数据输入用源极配线(信号配线)和对TFT的ON、OFF进行控制的栅极配线(扫描配线)。各像素通常对应于被栅极配线和源极配线包围的区域。

就近来的液晶显示装置而言，提出了视角特性优良且光透过率高的边缘场开关(FFS)方式。FFS方式的液晶显示装置向液晶层施加边缘电场(包含横向电场和纵向电场这两种成分的斜向电场)而进行显示。就FFS方式的液晶显示装置而言，在单侧的阵列基板之上形成透明像素电极和透明公共电极，透明像素电极和透明公共电极隔着绝缘膜上下重叠。通常，下层侧为板状(有时是多个枝条形状)电极，上层侧为在与下层侧的板状大致相同的位置具有多个狭缝即间隙部的电极，经由该狭缝通过来自下层电极侧的电场对液晶进行控制。此时，能够通过由透明导电膜形成像素电极和公共电极这两者，从而实现高光透过率。

这样的具有广视角特性和高透过率的FFS方式的液晶显示装置已向各种应用铺开。其中，最近，作为重视产品设计的要求，强烈要求将成为显示区域的周边的边缘变窄的窄边缘化。

这些液晶显示装置具有构成将多个像素配置为矩阵状的显示区域的液晶显示面板。在液晶显示面板处，在该显示区域的周边存在边缘区域，该边缘区域具有对将用于驱动液晶的栅极信号、源极信号分别输出至栅极配线、源极配线的驱动IC进行安装的区域、以及形成引绕配线的区域，该引绕配线将来自各驱动IC的信号传递至显示区域内的栅极配线、源极配线。栅极配线与源极配线在显示区域内相交叉，因此在显示区域的至少2边形成栅极IC和源极IC的安装部、各引绕配线，难以进行窄边缘化。

另外，即使仅使栅极IC和源极IC形成于1条边，也需要在该1条边以外的边处形成引绕配线，因此仍然难以进行窄边缘化。(专利文献1)因此，提出了如下构造，即，通过将安装区域仅汇集于1条边，并且将传递栅极信号的栅极引绕配线形成于显示区域内，从而使IC安装的部位以外的边缘也变窄。(专利文献2)

专利文献1：日本特开平9-311341号公报

专利文献2：日本特开2014-119746号公报

但是，如专利文献2所述，在与显示区域内的源极配线平行地形成有栅极引出配线的情况下，有利于像素内的透过率的区域减少，引起透过率的降低。并且，为了补偿由透过率的降低产生的显示装置的亮度的降低，产生了提高背光亮度的需要，因此有可能使消费电力增加。

另外，像素的尺寸由于像素的高精细化而变小，与此相伴，由以在与栅极配线垂直的方向延伸的方式配置的栅极引出配线产生的透过率的降低程度变显著。特别地，在FFS方式的液晶显示装置的情况下，向液晶层施加边缘电场(包含横向电场和纵向电场这两种成分的斜向电场)而进行显示，因此存在容易受到由像素电极周边的配线产生的电场变动的影响的倾向。

发明内容

本发明就是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种抑制透过率的降低且缩小安装部位以外的边缘、设计性高的液晶显示面板，以及具有这样的液晶显示面板的液晶显示装置。

本发明涉及的液晶显示面板是FFS方式的液晶显示面板，具有彼此相对配置的第1基板及第2基板、以及封装于所述第1基板与所述第2基板之间的液晶，该液晶显示面板的特征在于，具有显示图像的显示区域和作为所述显示区域的周边的区域的边缘区域，所述第1基板具有：绝缘性基板；多个栅极配线，它们设置于所述绝缘性基板之上；多个源极配线，它们以隔着第一绝缘膜而与所述多个栅极配线相交叉的方式设置在所述绝缘性基板之上；第一层间绝缘膜，其形成于所述多个源极配线的上层；第二层间绝缘膜，其形成于所述第一层间绝缘膜的上层；开关元件，其设置于所述栅极配线与所述源极配线的交叉位置附近；透明像素电极，其与所述开关元件连接；透明公共电极，其设置为在该透明公共电极与所述源极配线之间隔着所述第一层间绝缘膜，且设置为在该透明公共电极与所述透明像素电极之间隔着所述第二层间绝缘膜，该透明公共电极具有公共电极的狭缝；多个栅极连接线，它们与所述多个栅极配线、所述多个源极配线处于不同的层，且与所述栅极配线相交叉地延伸；以及连接部，其处于所述显示区域内，将所述栅极配线与所述栅极连接线电连接，所述栅极配线各自具有至少1个连接部，所述栅极连接线具有与所述源极配线重叠的区域。

发明的效果

根据本发明，能够提供不会使显示性能降低，实现窄边缘化的FFS模式液晶显示装置。

附图说明

图1是实施方式1涉及的液晶显示面板的俯视图。

图2是图1的俯视图。

图3是在图2中由A-A表示的部分的剖面图。

图4是在图2中由B-B表示的部分的剖面图。

图5是实施方式2涉及的液晶显示面板的俯视图。

图6是在图5中由C-C表示的部分的剖面图。

图7是实施方式3涉及的液晶显示面板的俯视图。

图8是在图7中由D-D表示的部分的剖面图。

图9是实施方式4涉及的液晶显示面板的俯视图。

图10是在图9中由E-E表示的部分的剖面图。

图11是实施方式5涉及的图9的E-E的剖视图。

图12是实施方式6涉及的液晶显示面板的俯视图。

图13是在图12中由F-F表示的部分的剖面图。

图14是实施方式7涉及的液晶显示面板的俯视图。

图15是在图14中由G-G表示的部分的剖面图。

图16是实施方式8涉及的液晶显示面板的俯视图。

标号的说明

1显示区域，2边缘区域，4栅极配线，5、5a源极配线，6栅极连接线，6a延伸部分，6b弯曲部，7狭缝，8像素电极，8a透明导电膜，9 CS配线，10漏极电极，11源极电极，12沟道层，13栅极绝缘膜，14第一层间绝缘膜，15公共电极，15a连接膜，16绝缘性基板，17第二层间绝缘膜，18、18a、18b、18c、18d接触孔，19第三层间绝缘膜，20栅极连接线狭缝，21源极配线狭缝，22连接部，24栅极引绕线，25源极引绕线，41栅极IC，51源极IC，61 FPC，62电路基板，100TFT阵列基板，200相对基板，S边，TFT薄膜晶体管。

具体实施方式

<A.实施方式1>

<A-1.结构>

图1是实施方式1涉及的液晶显示面板的俯视图。如图1所示，本实施方式1涉及的液晶显示面板具有：显示区域1，其相当于在显示装置处显示图像的显示部；以及作为该显示区域1的周边的边缘区域2。在图1中，示出了TFT阵列基板100与相对基板200重叠的方式，相对基板200至少与显示区域1重叠。虽未进行图示，但在两方的基板之间封入有作为电光学材料的液晶，通过密封等公知的方法进行了封装以使得液晶不漏出。此后主要对在图1中形成于TFT阵列基板100之上的要素进行说明。

在图1中，在显示区域1内沿水平方向延伸的水平配线是栅极配线4，沿垂直方向延伸的垂直配线是源极配线5和栅极连接线6。在图1中为了便于理解，将源极配线5与栅极连接线6绘制为邻接而平行，但在本实施方式中，如之后所述，两方的配线是重叠的。通过栅极配线4与源极配线5相交叉而分割出的区域是像素PX。在图1中为了方便，表示为通过1根线将显示区域1与边缘区域2之间分割开，但实际上并非必须存在这样的分界线，显示区域1也可以说是集合了像素PX的区域。

并且，在栅极配线4与源极配线5的交叉部的附近形成有作为开关元件的薄膜晶体管TFT。薄膜晶体管TFT通过将图像信号接通、断开，从而对显示区域1处的图像(也包含影像)的显示做出贡献。

虽然在后面进行记述，但各栅极配线4在显示区域1内与栅极连接线6连接。另外，在以下的说明中，将包含一部分的边缘区域2、在显示区域1未形成栅极连接线6的像素的区域作为区域A而示出，将由形成有栅极连接线6的像素构成的区域作为区域B而示出。

在边缘区域2，在与栅极配线4的延伸方向平行的1条边S侧安装有栅极IC41和源极IC51。就液晶显示装置而言，两者通过形成于TFT阵列基板100之上的端子(未图示)和COG安装而连接。此外，相对基板200形成得比TFT阵列基板100小，以使得对栅极IC41、源极IC51进行安装的边S侧的边缘区域2露出。在边S以外的3条边处，相对基板200与TFT阵列基板100的端部对齐，但如果TFT阵列基板100更大，则也可以不对齐。

并且，栅极IC41和源极IC51通过未图示的配线与作为柔性基板的FPC61电连接。另外，栅极IC41和源极IC51经由作为柔性基板的FPC61还与电路基板62连接。液晶显示面板经由电路基板62与液晶显示装置进行信号的交换。

并且，在TFT阵列基板100之上，在栅极IC41与栅极连接线6之间形成有栅极引绕线24，在源极IC51与源极配线5之间形成有源极引绕线25。这些引绕线各自也可以是与栅极连接线6、源极配线5一体且同时形成的。

下面，对信号的路径进行说明。就液晶显示装置而言，从栅极IC41输出的栅极信号经由显示区域1内的栅极连接线6与边缘区域2内的栅极引绕线24传递至栅极配线4。另一方面，源极IC51经由源极引绕线25与源极配线5连接，将影像信号的电压供给至源极配线5。即，无需1条边S侧以外的引绕线也能进行向显示区域1内的信号传递。

此外，虽未图示，但图1所示的作为第1基板的TFT阵列基板100与形成滤色片等的作为第2基板的相对基板成对地对液晶进行封装，构成FFS方式的液晶显示面板。并且，通过连接该液晶显示面板与驱动用部件，使来自光源的光透过液晶面板和光学片，将液晶显示面板与搭载有光学片、光源的背光部共同收入框体，从而完成液晶显示装置。

图2是示出了在图1的显示区域1内的区域A形成的图案的俯视图。另外，图3是在图2中由A-A示出的部分的剖视图，图4是在图2中由B-B示出的部分的剖视图。

在图2中，沿垂直方向延伸的源极配线5和栅极连接线6具有相互重叠的区域，与沿水平方向延伸的栅极配线4相交叉。在图2中，为了易于理解地显示出两方的配线重叠这一点，将处在上层的栅极连接线6绘制得略细，但两方的配线也可以具有相同的宽度。另外，在图1、图2中，将栅极配线4绘制为与源极配线5、栅极连接线6正交，但两者也可以倾斜地相交叉。例如，为了形成多域构造，也可以是作为垂直配线的源极配线5具有倾斜地弯曲的部位的方式。

在通过栅极配线4与源极配线5的交叉而分割出的区域即像素内，形成有在整个面扩展而形成的公共电极15所具有的狭缝7和像素电极8。还会使用图3在后面进行详细说明。另外，在图2中作为虚线的圆，示出了栅极连接线6不与源极配线5重叠、但栅极连接线6与栅极配线4重叠的连接部22。在后面还会使用图4，连同处于连接部22中的接触孔18在内，对连接部22进行说明。

下面，还使用作为剖视图的图3进行说明。TFT阵列基板100如图3所示，具有绝缘性基板16、栅极配线4、栅极绝缘膜13、沟道层12、源极电极11、漏极电极10、源极配线5、像素电极8、第一层间绝缘膜14、栅极连接线6、第二层间绝缘膜17、公共电极15。虽然在后面会对制造方法进行说明，但这些电极、配线是适当选择出的金属膜、透明导电膜，绝缘膜例如是氮化硅膜、氧化硅膜、树脂膜等。另外，沟道层12通常由a-Si膜形成，但除此之外，也可以由例如晶体型的硅膜、In-Ga-Zn-O等氧化物半导体膜形成。

绝缘性基板16使用玻璃基板、石英基板等具有透过性的基板。在绝缘性基板16的表面之上设置栅极配线4。在包含栅极配线4的绝缘性基板16之上设置第一绝缘膜即栅极绝缘膜13。

在栅极绝缘膜13之上设置沟道层12、源极电极11及像素电极8。沟道层12位于隔着栅极绝缘膜13而与栅极配线4的一部分重叠的位置。在沟道层12之上设置从源极配线5分支出的源极电极11。漏极电极10是绵延于沟道层12及栅极绝缘膜13之上而设置的。由此，构成作为开关元件的反交错构造的薄膜晶体管。

也作为透明像素电极的像素电极8形成于漏极电极10之上，与漏极电极10电连接。在图2中，像素电极8是以矩形表示的，像素电极8的一部分也绵延地设置于未形成漏极电极10的栅极绝缘膜13之上，占据1个像素的大部分。

在这些栅极绝缘膜13、像素电极8、沟道层12、源极电极11、漏极电极10、及源极配线5之上设置第一层间绝缘膜14。在第一层间绝缘膜14之上形成有栅极连接线6。如也在图2中示出的这样，栅极连接线6形成为与源极配线5重叠。并且，如图3所示，栅极连接线6与源极配线5经由第一层间绝缘膜14绝缘。因此，在本实施方式1中，通过将栅极连接线6设置于显示区域1内，从而像素的开口率不会降低。

在第一层间绝缘膜14和栅极连接线6之上设置有第二层间绝缘膜17。并且，在第二层间绝缘膜17之上形成也作为透明公共电极的公共电极15。

根据图2和图3，除狭缝7、连接部22和薄膜晶体管附近之外，公共电极15形成于显示区域1的整面。因此，在图2中，公共电极15还隔着第一层间绝缘膜14和第二层间绝缘膜17覆盖在源极配线5之上。这样，通过公共电极15覆盖于与源极配线5相比更靠上层处的构造，从而存在抑制从源极配线5将不必要的电场施加于液晶的效果。另外，在图2中，图示了在横跨连接部22和与该连接部相邻的薄膜晶体管TFT这两者的矩形形状的区域未形成公共电极15的方式，但也可以使不形成公共电极15的区域单独分开。

根据图2和图3，像素电极8与公共电极15经由第一层间绝缘膜14和第二层间绝缘膜17彼此绝缘且重叠，但特别地，狭缝7的至少一部分与像素电极8重叠。因此，在狭缝7的附近，通过在公共电极15与像素电极8之间产生的边缘电场驱动液晶分子而显示图像。另外，在像素电极8与公共电极15之间形成用于使像素电位稳定的储存(storage)电容。另外，在图2中，将像素电极8作为矩形绘制出，在像素电极8不形成狭缝。但是，也可以在与公共电极15重叠的区域另外设置狭缝。

下面，使用图2、图4对连接部22进行说明。在图4中，在栅极配线4之上的栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜14、及第二层间绝缘膜17开设有作为第1接触孔的接触孔18a。同样地，在栅极连接线6之上，在第二层间绝缘膜17开设有作为第2接触孔的接触孔18b。在第二层间绝缘膜17之上以覆盖接触孔18a、18b的方式形成有连接膜15a。

连接部22是指将栅极配线4与栅极连接线6连接的结构，但在图4中示出了连接膜15a经由接触孔18a、18b将栅极配线4与栅极连接线6电连接的构造。在图4所示的构造中，栅极电位也施加于连接膜15a。

连接膜15a也可以是由与公共电极15相同的材质同时形成的，但在该情况下需要与公共电极15电绝缘。例如，也可以将连接膜15a和公共电极15作为彼此分离的图案同时形成。或者，也可以由与公共电极15不同的材质另外形成连接膜15a。另外，在本实施方式中也能够直接将两者连接而不经由连接膜15a，在后面会对该方式进行记述。

另外，在图2、图4中，第2接触孔18b配置于栅极配线4之上，因此能够抑制像素处的光透过的开口率降低。但是，在像素的开口率不成问题的情况下，也可以将第2接触孔18b配置于与栅极配线4的上方不同的位置。在该情况下，栅极连接线6变得具有从与栅极线4重叠的区域探出的区域。

在这里进行了说明的连接部22如图2所示，在各栅极配线4至少设置有1处，因此各栅极配线4也与栅极连接线6电连接。另外，在图2中，各栅极连接线6如果从边缘区域2起延伸至到达连接部22，则不再进一步延伸。因此，在图2中各栅极连接线6的长度不同。也可以使栅极连接线6相对于连接部22进一步延伸，但在如此使栅极连接线6与源极配线5重叠的情况下，两者间的电容增大，有可能引起显示不良。因此，设为图2所示的方式。

在该情况下，显示区域内的栅极连接线的长度各自不同。在这里，与本实施方式不同，如果假想不重叠而是平行地配置栅极连接线6与源极配线5的情况，则这样的栅极连接线6的长度的波动导致开口率的波动。但是，在本实施方式中，具有栅极连接线6与源极配线5重叠的区域，因此，能够减少由开口率的波动产生的影响，在栅极连接线6完全地重叠于源极配线5的配置范围内的情况下，还能够消除上述影响。

此外，在图2中虽未图示，但1根栅极配线4也可以经由多个连接部22与多个栅极连接线6连接。在该情况下，在该栅极配线4的水平扫描期间内，向所连接的多个栅极连接线6施加相同的栅极电位，传递至该栅极配线4。这是在下述情况中有效的方式，即，在显示区域1内的栅极连接线6存在长的区域和短的区域的情况下，希望通过仅将栅极连接线6长的区域的栅极配线4与多个栅极连接线6连接，从而将到各个区域为止的配线电阻的差减少。在本实施方式中，也可以将栅极连接线6长的区域的栅极配线4说成远离安装有栅极IC41的边S的区域的栅极配线4。

通过上面说明的结构，在本实施方式1中，无需在显示区域1的周边的边缘区域2配置栅极连接线6、其他的引绕配线，因此能够将边缘区域2变窄而不依赖于分辨率。

另外，配置于显示区域1内的栅极连接线6形成为重叠于源极配线5之上，因此不会减少狭缝7，能够确保与以往同等的透过率。即，根据本实施方式1，能够实现具有如下特性的FFS模式的液晶显示装置，即，不会使显示性能降低，实现了窄边缘化而不依赖于分辨率。

<A-2.制造工序>

下面，对图2或图3所示的TFT阵列基板100的制造工序进行说明。首先，在绝缘性基板16之上通过使用了DC磁控管的溅射法形成成为栅极配线4的第1金属膜。第1金属膜只要是Mo、Cr、W、Al、Ta或将它们作为主成分的合金膜即可。之后进行图案化，得到栅极配线4。接下来，通过等离子CVD法形成栅极绝缘膜13。栅极绝缘膜13通常使用氮化硅膜，但也可以是氧化硅膜、氮氧化硅膜等。

在栅极绝缘膜13形成后，通过等离子CVD法形成a-Si膜(非晶硅膜)。通常将a-Si膜设为构成沟道层12的本征半导体层与含有磷等的杂质半导体层的层叠构造。杂质半导体层用于确保与后述的源极电极11及漏极电极10的欧姆接触。之后进行图案化，作为岛状的a-Si膜而得到沟道层12。

接下来，通过使用了DC磁控管的溅射法形成第2金属膜。第2金属膜只要是Mo、Cr、W、Al、Ta或将它们作为主成分的合金膜即可。之后进行图案化，得到源极电极11、漏极电极10、及源极配线5。在这里，对于用于得到与源极电极11及漏极电极10的欧姆接触的所述杂质半导体层，为了削减掩模工时，有时将源极电极11及漏极电极10作为掩模进行蚀刻。

在源极电极11、漏极电极10及源极配线5形成后，由使用了DC磁控管的溅射法形成成为像素电极8的第1透明性导电膜。第1透明性导电膜能够由ITO、IZO(Indium ZincOxide)等构成。之后进行图案化，得到透明的像素电极8。

在像素电极8形成后，通过等离子CVD法形成第一层间绝缘膜14。第一层间绝缘膜14能够通过氮化硅膜、氧化硅膜、或氮氧化硅膜等形成。或者，为了通过厚膜化来确保绝缘性，也可以通过涂敷丙烯酸类、酰亚胺类有机树脂膜而形成第一层间绝缘膜14。并且，第一层间绝缘膜14也可以通过对以下两者进行层叠而构成，一者是氮化硅膜、氧化硅膜或氮氧化硅膜，另一者是有机树脂膜。

接下来，通过使用了DC磁控管的溅射法形成第3金属膜。第3金属膜只要是Mo、Cr、W、Al、Ta或将它们作为主成分的合金膜即可。之后进行图案化，得到栅极连接线6。

之后，通过等离子CVD法形成第二层间绝缘膜17。第二层间绝缘膜17能够通过氮化硅膜、氧化硅膜、或氮氧化硅膜等形成。或者，为了通过厚膜化来确保绝缘性，也可以通过涂敷1～3μm厚的丙烯酸类、酰亚胺类有机树脂膜而形成第二层间绝缘膜17。并且，第二层间绝缘膜17也可以通过对以下两者进行层叠而构成，一者是氮化硅膜、氧化硅膜或氮氧化硅膜，另一者是有机树脂膜。

之后，为了取得向第1金属膜、第2金属膜、第3金属膜或第1透明性导电膜的导通，形成接触孔(未图示)。

在形成接触孔后，形成成为公共电极15的第2透明性导电膜。第2透明性导电膜能够由ITO、IZO等构成。之后进行图案化而得到公共电极15。在该图案化时，在像素电极8之上的公共电极15形成狭缝7。

<B.实施方式2>

图5是实施方式2涉及的俯视图，相当于扩大了图1的区域A后的俯视图。另外，图6是在图5中由C-C表示的部分的剖视图。此外，为了避免说明重复而变得冗长，在各实施方式的各图中，对具有相同或相当的功能的要素标注相同的标号。

在实施方式2中，在形成于源极配线5之上的栅极连接线6设置栅极连接线狭缝20。栅极连接线狭缝20是不形成栅极连接线6的区域。并且，栅极连接线狭缝20形成至与栅极配线4电连接的接触孔18的附近为止。

如图6的剖视图C-C所示，栅极连接线6是在第一层间绝缘膜14之上形成的，栅极连接线狭缝20形成为具有与源极配线6重叠的区域。通过设置栅极连接线狭缝20，从而两者重叠的面积减少，因此能够减少由源极配线5与栅极连接线6形成的电容。

另外，设想到如下状况，即，通过设置栅极连接线狭缝20，从而使栅极连接线6的宽度增大至超过源极配线5的宽度的情况下，像素的透过率降低。但是，即使在这样的情况下，也能够通过抑制为栅极连接线6与狭缝7不重叠的程度，从而抑制透过率的降低。

通过上述的结构，能够降低栅极连接线6与源极配线5之间的电容，因此能够改善源极信号的延迟，能够实现即使是高分辨率且大画面的液晶显示面板也能够进行窄边缘化的FFS模式的液晶显示装置。

本发明在其发明的范围内，能够对实施方式适当地进行变形、省略。如果在栅极配线4之上横穿的栅极连接线6的包覆性良好，则栅极配线4也可以与栅极连接线狭缝20相交叉。

<C.实施方式3>

图7是实施方式3涉及的俯视图，相当于扩大了图1的区域A后的俯视图。图8是在图7中由D-D表示的部分的剖视图。此外，为了避免说明重复而变得冗长，在各实施方式的各图中，对具有相同或相当的功能的要素标注相同的标号。

实施方式3的特征在于，在形成于栅极连接线6的下层处的源极配线5内设置源极配线狭缝21。源极配线狭缝21是不形成源极配线5的区域，在俯视图中本来是被栅极连接线6掩盖而无法看到的，但在图7中由黑线示出。如图7、图8所示，以挖空栅极配线4与下一级栅极配线4之间的源极配线5的中央部的方式形成源极配线狭缝21。即，将源极配线狭缝21形成为具有与栅极连接线6重叠的区域。因此，栅极连接线6与源极配线5重叠的面积减少。

由此，与实施方式2同样地，能够减少源极配线5与栅极连接线6之间的电容，因此能够改善源极信号的延迟，即使是高分辨率且大画面的液晶显示面板也能够进行窄边缘化。

本发明在其发明的范围内，能够对实施方式适当地进行变形、省略。例如，可以不以挖空源极配线5的中央部的方式形成源极配线狭缝21，而是以仅切去一侧的方式形成源极配线狭缝21。另外，如果在栅极配线4之上横穿的源极配线5的包覆性良好，则栅极配线4也可以与源极配线狭缝21相交叉。

<D.实施方式4>

图9是实施方式4涉及的俯视图，相当于扩大了图1的区域A后的俯视图。图10是在图9中由E-E表示的部分的剖视图。此外，为了避免说明重复而变得冗长，在各实施方式的各图中，对具有相同或相当的功能的要素标注相同的标号。另外，实施方式4的关键主要是层间的关系，因此作为俯视图的图9与实施方式1的图2在外观上大致相同。

在实施方式4中，将像素电极8形成于第一层间绝缘膜14之上，并且在像素电极8之上层叠第三层间绝缘膜19，在该第三层间绝缘膜19之上设置有栅极连接线6。在源极配线5与栅极连接线6之间形成有层叠了第一层间绝缘膜14与第三层间绝缘膜19的绝缘膜，因此源极配线5与栅极连接线6之间的电容减少。另外，在源极配线5与栅极连接线6之间层叠包含至少2层第一层间绝缘膜14的绝缘膜，因此能够抑制由绝缘膜中的异物、缺损产生的配线间彼此短接的故障，能够期待成品率的提高。

通过上述构造，与实施方式1同样地，能够在高分辨率且大画面时进行窄边缘化，并且能够以高成品率制造FFS模式的液晶显示装置。

本发明在其发明的范围内，能够对实施方式适当地进行变形、省略。例如，如实施方式2或3这样，即使在栅极连接线6、源极配线5设置狭缝也能够取得同样的效果。

<E.实施方式5>

<E-1.结构>

图11是在实施方式5涉及的图9中由E-E表示的部分的剖视图。此外，为了避免说明重复而变得冗长，在各实施方式的各图中，对具有相同或相当的功能的要素标注相同的标号。

在实施方式1～3中，使用以按照“源极配线5和像素电极8”、“栅极连接线6”、“公共电极15”的顺序彼此通过绝缘层进行绝缘的方式配置于不同的层的图进行了说明。在实施方式4中，使用以按照源极配线5、像素电极8、栅极连接线6、公共电极15的顺序全部彼此通过绝缘层进行绝缘的方式配置于不同的层的图进行了说明。因此，能够观察出在这些附图中在像素电极8与公共电极15之间形成有2层绝缘膜，两电极间的电容减少的问题。

在本实施方式5中，将像素电极8与栅极连接线6设置于第三层间绝缘膜19之上。因此，并未像在实施方式1～4中所图示地在像素电极8与公共电极15之间形成第一层间绝缘膜14，能够相应地将绝缘膜的厚度变薄。其结果，能够将在两方的电极间形成的储存电容设为足够使像素电位稳定化。

<E-2.制造工序>

并且，在本实施方式5中如图11所示，也可以设为在栅极连接线6的下层形成有透明导电膜8a的结构。在这里，透明导电膜8a与像素电极8形成于相同的层，但透明导电膜8a是与像素电极8电气地分离的图案。

这样的构造能够通过下述工艺形成，即，在层叠地对成为透明导电膜8a、像素电极8的透明导电膜和成为栅极连接线6的导电膜进行成膜后，对所涂敷的感光性抗蚀剂实施使用了灰阶等多阶曝光掩模的曝光工序。

具体地说，在上述曝光之后进行的显影后，以形成栅极连接线6的区域的抗蚀剂的厚度变得比其他的区域的抗蚀剂的厚度厚的方式进行曝光即可。之后，经过下述工序能够得到图11所示的构造，即，加工为包含像素电极8和透明导电膜8a的图案的工序、去除厚度薄的部分的抗蚀剂的工序、对在去除抗蚀剂后露出的导电膜进行蚀刻去除的工序。即，在制造方法中，取得能够将2层的不同的图案加工汇集为1次的照片制版工序这样的效果。

因此，通过如图11所示在透明导电膜8a之上层叠栅极连接线6的构造，从而能够将用于对栅极连接线6和像素电极8进行图案形成的照片制版工序从2个工序汇集为1个工序。另外，也能够缩短制造的节拍。

在本实施方式5中也与实施方式1同样地，能够在高分辨率且大画面时进行窄边缘化，并且能够实现高成品率的FFS模式的液晶显示装置。

并且，通过上述的构造，在本实施方式5中也与实施方式4同样地，在源极配线5与栅极连接线6之间形成有第一层间绝缘膜和第三层间绝缘膜这2层绝缘膜，因此能够期待可减少两方的配线间的电容、短接这样的效果。并且，在本实施方式5中，能够缩短制造工序，因此能够实现可削减成本的FFS模式的液晶显示装置。

本发明在其发明的范围内，能够对实施方式适当地进行变形、省略。例如，即使如实施方式2或3这样，在栅极连接线6、源极配线5设置狭缝也能够取得同样的效果。

<F.实施方式6>

图12是扩大了实施方式6涉及的图1的区域A后的俯视图，图13是在图12中由F-F表示的部分的剖视图。此外，为了避免说明重复而变得冗长，在各实施方式的各图中，对具有相同或相当的功能的要素标注相同的标号。

在实施方式1中对下述方式进行了说明，即，如图4所示，经由在连接部22处形成于各绝缘膜的接触孔18a、18b、及连接膜15a，使栅极连接线6与栅极配线4电连接。

向连接膜15a施加栅极信号，但在如图4所示连接膜15a形成于最上层的情况下，有可能由于施加的栅极信号的电压，使连接膜15a附近的液晶取向紊乱。并且，该紊乱有可能导致漏光等使显示品质降低的故障的产生。也会想到仅为了应对这一情况而进一步由绝缘膜进行包覆的构造，但导致制造成本的增大。

因此，在实施方式6中，如图13所示采取如下构造，即，在栅极配线4与栅极连接线6重叠的区域处，开设将处于两者之间的栅极绝缘膜13与第一层间绝缘膜14贯穿的第3接触孔18c，使栅极配线4与栅极连接线6直接接触。并且，在连接部22处，接触孔18c和栅极连接线6由第二层间绝缘膜17包覆。

通过上述的构造，能够实现具有如下特性的FFS模式的液晶显示装置，即，能够期待与实施方式1同样的效果，并且由于具有栅极信号的电位的导电膜由绝缘膜覆盖，因此能够抑制显示品质的降低。另外，本实施方式6能够与实施方式1～5一起应用。

本发明在其发明的范围内，能够对实施方式适当地进行变形、省略。例如，在将本实施方式应用于实施方式4或5时，在栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜14的基础上，第三层间绝缘膜19也成为开设出第3接触孔18c的绝缘膜的对象。

<G.实施方式7>

在实施方式1的说明时使用的图2中，以形成为1根栅极连接线6直到与栅极配线4电连接的连接部22为止与1根源极配线5重叠的方式进行了绘制。

在该结构中，在显示区域1的尺寸变大的情况下，栅极连接线6与源极配线5的重叠长度也成正比地变长，因此在两配线间形成的电容也变大。通常，电容的增大导致瞬时响应特性中的缓和时间的增大。因此，就液晶显示装置而言，从将信号电位输入至源极配线时起在水平扫描期间(1条栅极线的受选期间)内，难以使源极配线的电位到达希望的电位。

另外，伴随分辨率变高，栅极配线的数量增大，水平扫描期间(1条栅极线的受选时间)变短，因此上述问题变得更严重。其结果，能够应用实施方式1的显示区域的尺寸产生限制(上限)。

另一方面，在显示区域1，混有在像素内配置有栅极连接线6的区域和没有配置的区域。因此，仅仅是设置有栅极连接线6的像素多的区域有可能产生上述问题。即，仅仅是设置有栅极连接线6的像素多的区域有可能产生源极配线的电位不足，向液晶的施加电压降低，引起透过率降低，产生显示不均匀。

本实施方式7的特征在于，将具有与某一根源极配线重叠的区域的1根栅极连接线配置为，以在沿栅极配线的方向延伸的方式弯曲，与相邻的源极配线也具有重叠的区域。

下面，对本实施方式7进行进一步详细说明。图14是实施方式7涉及的俯视图，相当于扩大了与图1内的区域B相当的区域的俯视图。图15是在图14中由G-G表示的部分的剖视图。此外，为了避免说明重复而变得冗长，在各实施方式的各图中，对具有相同或相当的功能的要素标注相同的标号。另外，在图14中，为了明确示出本实施方式的特征，省略了连接部的图示，但在本实施方式中也适当地设置有上述的连接部。

如图14所示，形成于某一根源极配线5之上的栅极连接线6具有在沿栅极配线5或Cs配线9的方向延伸的延伸部分6a、以及为此改变配线的方向的弯曲部6b，与相邻于上述的1根源极配线5的别的源极配线5a也具有重叠的区域。

在这里，Cs配线9是具有与公共电极15相同的电位的配线，是有利于向显示区域1内的公共电极15整面施加均等的公共电位的低电阻配线。因此，Cs配线9适当地在其与公共电极15之间具有连接部，作为该连接部示出了作为第3接触孔的接触孔18d。虽未进行剖视图的图示，但在Cs配线9与栅极配线同层的情况下，接触孔18d至少是在栅极绝缘膜、第一层间绝缘膜、第二层间绝缘膜开设出开口而形成的。

另外，栅极连接线6以在至少1处具有在沿栅极配线5或Cs配线9的方向延伸的延伸部分6a和用于实现该延伸的弯曲部6b的方式在显示区域1内延伸，但如图14所示延伸部分6a也可以与Cs配线9重叠。虽未进行图示，但栅极连接线6的延伸部分6a也可以与栅极配线4重叠。通过这样使配线彼此重叠的构造，从而能够抑制像素处的开口率的降低。此外，在延伸部分6a与栅极配线4重叠的情况下，也可以没有Cs配线9。

通过采取这样的结构，从而取得能够设定为栅极连接线6与源极配线5重叠的长度在各源极配线5间均等这样的效果。因此，也能够减少栅极连接线与源极配线之间的电容的波动，也能够使源极电位的到达时间均等化。由此，与实施方式1相比本实施方式7能够将可应用的显示区域尺寸扩大。

在图14中，示出了将1根栅极连接线6配置为具有与2根源极配线5重叠的部分的方式，但也可以进一步增加弯曲部6b，将与1根栅极连接线6重叠的源极配线5的根数增加为大于或等于3根。即，与1根栅极连接线6重叠的源极配线5的根数也可以至少大于或等于2根。

另外，也可以是显示区域1内的所有的栅极连接线6具有延伸部分6a和弯曲部6b。或者，也可以是如图14所示的栅极连接线6、完全不具有延伸部分和弯曲部的其他的栅极连接线混杂。通过这些方式，能够实现更细腻的均等化，因此能够进一步扩大可应用的显示区域尺寸。

本发明在其发明的范围内，能够对实施方式适当地进行变形、省略。例如，即使如实施方式2或3这样，在栅极连接线6、源极配线5设置狭缝也能够取得同样的效果。

<H.实施方式8>

在实施方式1～7中，对显示区域是矩形的情况进行了说明，但显示区域的形状不限定于矩形。图16是实施方式8涉及的液晶显示面板的俯视图。此外，在图16中省略了栅极配线和源极配线的图示，但在本实施方式中，也与图2同样地进行了配置。

液晶显示面板的显示区域1的形状是大致梯形形状，从梯形的两侧的斜边起至上底为止平缓地弯曲。边缘区域2是将显示区域1的周围包围的区域，呈反映了显示区域1的形状的形状。在边缘区域2，在与大致梯形形状的底边相当的边S侧安装有栅极IC41和源极IC51。

并且，在与大致梯形形状的上底相比底边大幅探出的区域处，在显示区域1的左右的端部存在2处大致三角形形状的区域C。如图16所示，在位于显示区域1内的左右端部处的2个区域C内形成的栅极连接线6，以该区域为单位与1个栅极IC41连接。即，与左右2个区域C对应地，栅极IC41的安装位置也为2处。

在实施方式1中，举出仅安装了1个栅极IC的方式为例进行了说明，但也可以设为如图16所示。显示区域的形状无论是矩形，还是大致梯形形状，或是在进行安装的边S处具有直线部的半圆形形状都相同。在哪一者的情况下都可以如图16所示在两侧的2处安装栅极IC。

本发明在其发明的范围内，能够对实施方式适当地进行变形、省略。例如，也可以在边S的中央部设置栅极IC，在其两侧设置源极IC。

Claims (19)

1.一种液晶显示面板，其特征在于，

该液晶显示面板是FFS方式的液晶显示面板，具有彼此相对配置的第1基板及第2基板、以及封装于所述第1基板与所述第2基板之间的液晶，

该液晶显示面板具有显示图像的显示区域和作为所述显示区域的周边的区域的边缘区域，

所述第1基板具有：

绝缘性基板；

多个栅极配线，它们设置于所述绝缘性基板之上；

多个源极配线，它们以隔着第一绝缘膜而与所述多个栅极配线相交叉的方式设置在所述绝缘性基板之上；

第一层间绝缘膜，其形成于所述多个源极配线的上层；

第二层间绝缘膜，其形成于所述第一层间绝缘膜的上层；

开关元件，其设置于所述栅极配线与所述源极配线的交叉位置附近；

透明像素电极，其与所述开关元件连接；

透明公共电极，其设置为在该透明公共电极与所述源极配线之间隔着所述第一层间绝缘膜，且设置为在该透明公共电极与所述透明像素电极之间隔着所述第二层间绝缘膜，该透明公共电极具有公共电极的狭缝；

多个栅极连接线，它们与所述多个栅极配线、所述多个源极配线处于不同的层，且与所述栅极配线相交叉地延伸；以及

连接部，其处于所述显示区域内，将所述栅极配线与所述栅极连接线电连接，

所述栅极配线各自具有至少1个连接部，

所述栅极连接线具有与所述源极配线重叠的区域。

2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其中，

所述栅极连接线与所述源极配线相比形成于上层且与所述透明公共电极相比形成于下层。

3.根据权利要求1或2所述的液晶显示面板，其中，

所述栅极连接线具有栅极连接线狭缝，该栅极连接线狭缝具有与所述源极配线重叠的区域。

4.根据权利要求3所述的液晶显示面板，其中，

所述栅极连接线的宽度比所述源极配线的宽度宽，所述栅极连接线不与所述公共电极的狭缝重叠。

5.根据权利要求1或2所述的液晶显示面板，其中，

所述源极配线具有源极配线狭缝，该源极配线狭缝具有与所述栅极连接线重叠的区域。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的液晶显示面板，其中，

所述源极配线与所述透明像素电极处于同层。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的液晶显示面板，其中，

所述源极配线和所述栅极连接线隔着包含所述第一层间绝缘膜的层叠的绝缘膜而形成于不同的层。

8.根据权利要求7所述的液晶显示面板，其中，

所述源极配线和所述透明像素电极隔着所述第一层间绝缘膜而形成于不同的层。

9.根据权利要求7所述的液晶显示面板，其中，

所述栅极连接线与所述透明像素电极处于同层。

10.根据权利要求9所述的液晶显示面板，其中，

透明导电膜与所述栅极连接线层叠，该透明导电膜与所述透明像素电极是相同材质，与所述透明像素电极电气地分离。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的液晶显示面板，其中，

在所述连接部形成有：

第1接触孔，其开设于所述栅极配线之上的至少所述第一绝缘膜、所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜；

第2接触孔，其开设于所述栅极连接线之上的所述第二层间绝缘膜；以及

连接膜，其与所述第二层间绝缘膜相比形成于上层，经由所述第1接触孔和所述第2接触孔而将所述栅极配线与所述栅极连接线连接。

12.根据权利要求11所述的液晶显示面板，其中，

所述连接膜是与所述透明公共电极的材质相同且与所述透明公共电极电气地分离的透明导电膜。

13.根据权利要求1至10中任一项所述的液晶显示面板，其中，

所述第二层间绝缘膜覆盖所述连接部。

14.根据权利要求13所述的液晶显示面板，其中，

在所述连接部，

所述栅极配线与所述栅极连接线具有重叠的区域，

在所述重叠的区域，

所述栅极配线与所述栅极连接线至少经由在所述第一绝缘膜和所述第一层间绝缘膜开设的第3接触孔而连接。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的液晶显示面板，其中，

在所述显示区域内至少在1处具有呈如下结构的所述栅极连接线，即，具有在与所述栅极配线平行的方向延伸的延伸部分。

16.根据权利要求15所述的液晶显示面板，其中，

就多个所述栅极连接线而言，具有所述延伸部分的所述栅极连接线与不具有所述延伸部分的所述栅极连接线混杂。

17.根据权利要求1至16中任一项所述的液晶显示面板，其中，

所述栅极配线与多个所述栅极连接线电连接。

18.根据权利要求1至17中任一项所述的液晶显示面板，其中，

经由所述栅极连接线而将栅极信号输出至所述栅极配线的栅极IC和将影像信号输出至所述源极配线的源极IC，安装于所述第1基板的相同的1条边。

19.一种液晶显示装置，其具有权利要求1至18中任一项所述的液晶显示面板、光学片、光源、框体。