CN105226068A - 一种双面显示基板及其制备方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种双面显示基板及其制备方法和显示装置。该双面显示基板包括若干个子像素单元，子像素单元包括用于正面显示的正面发光层、用于反面显示的反面发光层、像素电极层、公共电极层和驱动晶体管，正面发光层和反面发光层均分别夹设于与其对应的像素电极层和公共电极层之间，驱动晶体管用于控制正面发光层和反面发光层进行发光，反面发光层和/或正面发光层对应的公共电极层与驱动晶体管的栅电极层同层设置。该双面显示基板不仅有效地减小了双面显示基板的厚度和体积，降低了双面显示基板的制备成本与能耗成本，简化了设计难度，而且缩短了显示基板的生产周期，提升了显示基板的良率和显示质量，从而实现了双面显示基板的快速制备与推广。

Description

一种双面显示基板及其制备方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种双面显示基板及其制备方法和显示装置。
背景技术
以薄膜晶体管作为控制元件，有机电致发光器件OLED作为光发射介质的显示产品具有高清晰度、广视角、易实现弯曲柔性化显示等优势得到越来越多的重视。
随着OLED显示产品的应用，越来越多的场合需要具有双面显示效果的OLED显示屏。目前，双面显示的OLED显示屏主要采用将两个单面显示的OLED屏10经过贴合的方式来实现双面显示效果，如图1所示。这种方式制备工艺复杂，OLED屏中的各个膜层结构以及薄膜晶体管驱动电路都需要制备双份，不仅不利于降低双面OLED显示屏的制备成本与能耗成本，而且还具有厚度和体积过大，重量过重等不足；同时还会影响到OLED双面显示屏的良率与显示质量。上述缺陷不仅延长了OLED双面显示屏的生产周期，而且也不利于OLED双面显示屏在市场上的快速推广。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的上述技术问题，提供一种双面显示基板及其制备方法和显示装置。该双面显示基板不仅有效地减小了双面显示基板的厚度和体积，降低了双面显示基板的制备成本与能耗成本，简化了设计难度，而且缩短了显示基板的生产周期，提升了显示基板的良率和显示质量，从而实现了双面显示基板的快速制备与推广。
本发明提供一种双面显示基板，包括若干个设置在像素区域内的子像素单元，所述子像素单元包括用于正面显示的正面发光层、用于反面显示的反面发光层、像素电极层、公共电极层和驱动晶体管，所述正面发光层和所述反面发光层均分别夹设于与其对应的所述像素电极层和所述公共电极层之间，所述驱动晶体管用于控制所述正面发光层和所述反面发光层进行发光，所述反面发光层和/或所述正面发光层对应的所述公共电极层与所述驱动晶体管的栅电极层同层设置。
优选地，所述子像素单元包括一个驱动晶体管，所述驱动晶体管用于对所述正面发光层和所述反面发光层进行共同控制；所述正面发光层和所述反面发光层共用同一所述像素电极层，所述公共电极层包括对应所述正面发光层的第一公共电极层和对应所述反面发光层的第二公共电极层；所述第二公共电极层与所述栅电极层同层设置，所述像素电极层与所述驱动晶体管连接。
优选地，还包括衬底，所述驱动晶体管设置在所述衬底上，所述驱动晶体管的栅电极层位于其有源区的上方，所述栅电极层和所述有源区之间夹设有栅绝缘层，所述栅电极层与所述第二公共电极层同层设置；
所述栅电极层上设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层在对应所述第二公共电极层的位置开设有第一开口区域，所述第一绝缘层上在对应所述第一开口区域的位置设置有所述反面发光层，所述反面发光层通过所述第一开口区域与所述第二公共电极层连接；
所述反面发光层上设置有所述像素电极层，所述像素电极层与所述反面发光层连接；所述第一绝缘层和所述栅绝缘层在对应所述驱动晶体管漏极的位置开设有第一过孔，所述像素电极层通过所述第一过孔与所述漏极连接；
所述像素电极层上设置有第二绝缘层，所述第二绝缘层在对应所述像素电极层的位置开设有第二开口区域，所述第二绝缘层上在对应所述第二开口区域的位置设置有所述正面发光层，所述正面发光层通过所述第二开口区域与所述像素电极层连接；
所述正面发光层上设置有所述第一公共电极层，所述第一公共电极层与所述正面发光层连接。
优选地，所述子像素单元包括用于控制所述正面发光层发光的第一驱动晶体管和用于控制所述反面发光层发光的第二驱动晶体管，所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管共用同一所述栅电极层；所述像素电极层包括对应所述正面发光层的第一像素电极层和对应所述反面发光层的第二像素电极层，所述正面发光层和所述反面发光层共用同一所述公共电极层，所述公共电极层与所述栅电极层同层设置。
优选地，在所述双面显示基板的垂直于其显示面的纵切面上，所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管的位置相对应，所述正面发光层、所述反面发光层、所述第一像素电极层、所述第二像素电极层和所述公共电极层的位置相对应；
所述正面发光层和所述第一像素电极层依次设置在所述公共电极层的远离所述反面发光层的一侧，所述反面发光层和所述第二像素电极层依次设置在所述公共电极层的远离所述正面发光层的一侧；所述正面发光层和所述反面发光层以所述公共电极层为轴对称，所述第一像素电极层和所述第二像素电极层以所述公共电极层为轴对称；且所述第一像素电极层、所述正面发光层、所述公共电极层、所述反面发光层和所述第二像素电极层相互接触并连接；
所述第一驱动晶体管的有源区以及分设在所述有源区远离所述栅电极层一侧的相对两端的源极和漏极与所述第二驱动晶体管的有源区以及分设在所述有源区远离所述栅电极层一侧的相对两端的源极和漏极以所述栅电极层为轴对称，所述第一驱动晶体管的有源区与所述栅电极层之间夹设有第一栅绝缘层，所述第二驱动晶体管的有源区与所述栅电极层之间夹设有第二栅绝缘层；
所述第一驱动晶体管的有源区远离所述栅电极层的一侧还设置有第三绝缘层，所述第三绝缘层在对应所述第一驱动晶体管的漏极的位置开设有第二过孔，所述第一像素电极层和所述第一驱动晶体管的漏极通过所述第二过孔连接；所述第二驱动晶体管的有源区远离所述栅电极层的一侧还设置有第四绝缘层，所述第四绝缘层在对应所述第二驱动晶体管的漏极的位置开设有第三过孔，所述第二像素电极和所述第二驱动晶体管的漏极通过所述第三过孔连接。
优选地，所述子像素单元包括用于控制所述正面发光层发光的第一驱动晶体管和用于控制所述反面发光层发光的第二驱动晶体管，所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管共用同一所述栅电极层；所述像素电极层包括对应所述正面发光层的第一像素电极层和对应所述反面发光层的第二像素电极层，所述公共电极层包括对应所述正面发光层的第一公共电极层和对应所述反面发光层的第二公共电极层，所述第一公共电极层、所述第二公共电极层和所述栅电极层同层设置。
优选地，在所述双面显示基板的垂直于其显示面的纵切面上，所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管的位置相对应，所述第一公共电极层和所述第二公共电极层分别位于所述栅电极层的左右两侧；
所述正面发光层和所述第一像素电极层依次设置在所述第一公共电极层的远离所述反面发光层的一侧，且所述第一公共电极层、所述正面发光层和所述第一像素电极层位置对应并相互接触；所述反面发光层和所述第二像素电极层依次设置在所述第二公共电极层的远离所述正面发光层的一侧，且所述第二公共电极层、所述反面发光层和所述第二像素电极层位置对应并相互接触；
所述第一驱动晶体管的有源区以及分设在所述有源区远离所述栅电极层一侧的相对两端的源极和漏极与所述第二驱动晶体管的有源区以及分设在所述有源区远离所述栅电极层一侧的相对两端的源极和漏极以所述栅电极层为轴对称，所述第一驱动晶体管的有源区与所述栅电极层之间夹设有第一栅绝缘层，所述第二驱动晶体管的有源区与所述栅电极层之间夹设有第二栅绝缘层；
所述第一驱动晶体管的有源区远离所述栅电极层的一侧还设置有第三绝缘层，所述第三绝缘层在对应所述第一驱动晶体管的漏极的位置开设有第二过孔，所述第一像素电极层和所述第一驱动晶体管的漏极通过所述第二过孔连接；所述第二驱动晶体管的有源区远离所述栅电极层的一侧还设置有第四绝缘层，所述第四绝缘层在对应所述第二驱动晶体管的漏极的位置开设有第三过孔，所述第二像素电极和所述第二驱动晶体管的漏极通过所述第三过孔连接。
优选地，所述公共电极层包括一层透明导电材料层，所述栅电极层包括至少两层导电材料层，所述栅电极层最靠近所述反面发光层的最底层导电材料层采用与所述公共电极层相同的透明导电材料，所述栅电极层的最底层以上的导电材料层采用金属导电材料。
优选地，在所述像素区域以外的信号走线区，信号走线采用与所述栅电极层相同的结构。
本发明还提供一种显示装置，包括上述双面显示基板。
本发明还提供一种上述双面显示基板的制备方法，包括在衬底上形成驱动晶体管、正面发光层、反面发光层、像素电极层和公共电极层，所述正面发光层和所述反面发光层分别形成于与其对应的所述像素电极层和所述公共电极层之间，所述反面发光层和/或所述正面发光层对应的所述公共电极层与所述驱动晶体管的栅电极层采用一次构图工艺同时形成。
本发明的有益效果：本发明所提供的双面显示基板，通过将反面发光层和/或正面发光层对应的公共电极层与驱动晶体管的栅电极层同层设置，能在不影响和增加现有工艺难度的情况下，实现双面显示基板的制备；不仅有效地减小了双面显示基板的厚度和体积，降低了双面显示基板的制备成本与能耗成本，简化了设计难度，而且缩短了显示基板的生产周期，提升了显示基板的良率和显示质量，从而实现了双面显示基板的快速制备与推广。
本发明所提供的显示装置，通过采用上述双面显示基板，不仅降低了该显示装置的制备成本与能耗成本，而且缩短了该显示装置的生产周期，提升了该显示装置的良率和显示质量。
附图说明
图1为现有技术中双面显示OLED显示屏的结构剖视图；
图2为本发明实施例1中双面显示基板的结构剖视图；
图3为实施例1步骤S1中在衬底上制备有源区和栅绝缘层并沉积栅电极层膜的结构剖视图；
图4为实施例1步骤S2中对衬底上的栅电极层膜曝光显影后的结构剖视图；
图5为实施例1步骤S3中对衬底上的栅电极层膜进行刻蚀后的结构剖视图；
图6为实施例1步骤S4中对衬底上的光刻胶进行灰化后的结构剖视图；
图7为实施例1步骤S5中对衬底上的上层膜进行刻蚀后的结构剖视图；
图8为实施例1步骤S6中去除衬底上剩下的光刻胶后的结构剖视图；
图9为实施例1步骤S7中在衬底上沉积形成第一绝缘层后的结构剖视图；
图10为实施例1步骤S7中对衬底上的第一绝缘层进行光刻工艺后的结构剖视图；
图11为实施例1步骤S8中在衬底上制备反面发光层的结构剖视图；
图12为实施例1步骤S9中在衬底上制备形成像素电极层和数据电极层的结构剖视图；
图13为实施例1步骤S10中在衬底上形成第二绝缘层的结构剖视图；
图14为实施例1步骤S10中对衬底上的第二绝缘层进行光刻工艺后的结构剖视图；
图15为实施例1步骤S11中在衬底上制备形成正面发光层的结构剖视图；
图16为本发明实施例2中双面显示基板的结构剖视图；
图17为本发明实施例3中双面显示基板的结构剖视图。
其中的附图标记说明：
1.正面发光层；2.反面发光层；3.像素电极层；31.第一像素电极层；32.第二像素电极层；4.公共电极层；41.第一公共电极层；42.第二公共电极层；5.驱动晶体管；51.第一驱动晶体管；510.第一驱动晶体管的有源区；511.第一驱动晶体管的源极；512.第一驱动晶体管的漏极；513.第一栅绝缘层；52.第二驱动晶体管；520.第二驱动晶体管的有源区；521.第二驱动晶体管的源极；522.第二驱动晶体管的漏极；523.第二栅绝缘层；533.第三绝缘层；5330.第二过孔；543.第四绝缘层；5430.第三过孔；500.栅电极层；5001.底层膜；5002.上层膜；501.有源区；502.栅绝缘层；503.第一绝缘层；504.第一开口区域；505.第一过孔；506.第二绝缘层；507.第二开口区域；508.第四过孔；509.第五过孔；600.第六过孔；6.衬底；7.信号走线；71.数据信号走线；72.扫描信号走线；81.厚度较大的光刻胶层；82.厚度较小的光刻胶层；9.数据电极层；10.单面显示的OLED屏。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明所提供的一种双面显示基板及其制备方法和显示装置作进一步详细描述。
本发明提供一种双面显示基板，，包括若干个设置在像素区域内的子像素单元,子像素单元包括设置用于正面显示的正面发光层、用于反面显示的反面发光层、像素电极层、公共电极层和驱动晶体管，正面发光层和反面发光层均分别夹设于与其对应的像素电极层和公共电极层之间，驱动晶体管用于控制正面发光层和反面发光层进行发光，反面发光层和/或正面发光层对应的公共电极层与驱动晶体管的栅电极层同层设置。
该双面显示基板通过将反面发光层和/或正面发光层对应的公共电极层与驱动晶体管的栅电极层同层设置，能在不影响和增加现有工艺难度的情况下，实现双面显示基板的制备；不仅有效地减小了双面显示基板的厚度和体积，降低了双面显示基板的制备成本与能耗成本，简化了设计难度，而且缩短了显示基板的生产周期，提升了显示基板的良率和显示质量，从而实现了双面显示基板的快速制备与推广。
实施例1：
本实施例提供一种双面显示基板，包括若干个设置在像素区域内的子像素单元，如图2所示，子像素单元包括用于正面显示的正面发光层1、用于反面显示的反面发光层2、像素电极层3、公共电极层4和驱动晶体管5，正面发光层1和反面发光层2均分别夹设于与其对应的像素电极层3和公共电极层4之间，驱动晶体管5用于控制正面发光层1和反面发光层2进行发光，反面发光层2对应的公共电极层4与驱动晶体管5的栅电极层500同层设置。
本实施例中，子像素单元包括一个驱动晶体管5，驱动晶体管5用于对正面发光层1和反面发光层2进行共同控制；正面发光层1和反面发光层2共用同一像素电极层3，公共电极层4包括对应正面发光层1的第一公共电极层41和对应反面发光层2的第二公共电极层42；第二公共电极层42与栅电极层500同层设置，像素电极层3与驱动晶体管5连接。如此设置，能使第二公共电极层42与栅电极层500在一次构图工艺中同时形成，从而减少了双面显示基板的制备工艺，进而缩短了双面显示基板的生产周期；同时，上述设置还能使本实施例中的双面显示基板相对于传统的双面显示基板厚度减薄，重量减轻，体积减小，从而节约了制备成本和能耗成本，而且还提升了双面显示基板的良率和显示质量。
本实施例中，双面显示基板还包括衬底6，驱动晶体管5设置在衬底6上，驱动晶体管5的栅电极层500位于其有源区501的上方，栅电极层500和有源区501之间夹设有栅绝缘层502，栅电极层500与第二公共电极层42同层设置。栅电极层500上设置有第一绝缘层503，第一绝缘层503在对应第二公共电极层42的位置开设有第一开口区域504，第一绝缘层503上在对应第一开口区域504的位置设置有反面发光层2，反面发光层2通过第一开口区域504与第二公共电极层42连接。反面发光层2上设置有像素电极层3，像素电极层3与反面发光层2连接；第一绝缘层503和栅绝缘层502在对应驱动晶体管5漏极的位置开设有第一过孔505，像素电极层3通过第一过孔505与漏极连接。像素电极层3上设置有第二绝缘层506，第二绝缘层506在对应像素电极层3的位置开设有第二开口区域507，第二绝缘层506上在对应第二开口区域507的位置设置有正面发光层1，正面发光层1通过第二开口区域507与像素电极层3连接。正面发光层1上设置有第一公共电极层41，第一公共电极层41与正面发光层1连接。正面发光层1和反面发光层2共用同一像素电极层3以及第二公共电极层42与栅电极层500同层设置能使该双面显示基板的整体厚度相对于传统的双面显示基板的厚度进一步减薄，重量进一步减轻，体积进一步减小，从而节约了制备成本和能耗成本。
本实施例中，公共电极层4包括一层透明导电材料层，栅电极层500包括至少两层导电材料层，栅电极层500最靠近反面发光层2的最底层导电材料层采用与公共电极层4相同的透明导电材料，栅电极层500的最底层以上的导电材料层采用金属导电材料。本实施例中，第一公共电极层41和第二公共电极层42均采用透明导电材料，如此设置，能使双面显示基板正常透光显示。栅电极层500采用双层导电材料结构，即栅电极层500的底层采用透明导电材料，上层采用金属导电材料，这能使栅电极层500的电阻率减小，导电率提高，从而使栅电极层500能正常传输用于显示的电信号。另外，栅电极层500的上层采用金属导电材料还能使该层的柔韧性加强，从而使栅电极层500不易出现断裂等不良，进而提高了双面显示基板的良率和显示质量。
其中，透明导电材料可以为金属氧化物透明导电材料，如氧化铟锡、氧化锌等。金属导电材料如铜、银、铝或各自的合金等。需要说明的是，栅电极层500的上层也可以采用透明导电材料。
本实施例中，在像素区域以外的信号走线区，信号走线7采用与栅电极层500相同的结构。其中，信号走线7包括数据信号走线71、扫描信号走线72以及绑定连接走线，绑定连接走线的结构与数据信号走线71或扫描信号走线72的结构相同。信号走线7采用与栅电极层500相同的结构，由于金属导电材料具有良好的延展性和较大的导电率，所以不仅能使信号走线7在过孔区不易出现断裂等不良情况，从而确保了双面显示基板的良率和显示质量，而且能降低信号走线7的电阻率，提高信号走线7的导电率，从而使信号走线7的信号传输效果更好。
另外需要说明的是，本实施例中也可以是对应正面发光层1的第一公共电极层41与栅电极层500同层设置，具体结构与图2中双面显示基板的结构相同，此处不再赘述。
基于上述双面显示基板的结构，本实施例还提供一种该双面显示基板的制备方法，包括在衬底6上形成驱动晶体管5、正面发光层1、反面发光层2、像素电极层3和公共电极层4，正面发光层1和反面发光层2分别形成于与其对应的像素电极层3和公共电极层4之间，反面发光层2对应的公共电极层4与驱动晶体管5的栅电极层500采用一次构图工艺同时形成。
上述双面显示基板的具体制备步骤为：
步骤S1：在衬底6上依次制备有源区501和栅绝缘层502并沉积栅电极层膜，其中，栅电极层膜包括采用透明导电材料形成的底层膜5001和采用金属导电材料形成的上层膜5002，如图3所示。
步骤S2：在完成步骤S1的衬底6上涂抹光刻胶，并采用半色调掩模板对光刻胶进行曝光显影工艺，在对应形成栅电极层500的区域和对应形成信号走线7的区域保留厚度较大的光刻胶层81，在对应形成第二公共电极层42的区域保留厚度较小的光刻胶层82，将对应栅电极层500、信号走线7和第二公共电极层42以外区域的光刻胶去除，如图4所示。
步骤S3：对完成步骤S2的衬底6进行刻蚀处理，去除没有光刻胶保护的区域的栅电极层膜，即将没有光刻胶保护区域的底层膜5001和上层膜5002全部去除，如图5所示。
步骤S4：对完成步骤S3的衬底6上的光刻胶进行灰化处理，去除对应形成第二公共电极层42的区域的厚度较小的光刻胶82，部分去除对应形成栅电极层500的区域和对应形成信号走线7的区域的厚度较大的光刻胶81，即在对应形成栅电极层500的区域和对应形成信号走线7的区域光刻胶还保留有一定厚度，如图6所示。
步骤S5：对完成步骤S4的衬底6进行刻蚀处理，去除没有光刻胶保护的区域内的栅电极层膜中的上层膜5002(即金属导电材料层)，保留该区域内的栅电极层膜中的底层膜5001(即透明导电材料层)，至此，第二公共电极层42的图形形成，如图7所示。
步骤S6：去除完成步骤S5的衬底6上剩下的光刻胶，形成栅电极层500的图形和信号走线7的局部图形，如图8所示。
使衬底6上的第二公共电极层42仅保留栅电极层膜中的底层膜5002(即透明导电层)，在其它区域，栅电极层膜为完整的两层结构。需要说明的是，在其它区域，也可以选择性地去除栅电极层膜中的上层不透明的金属导电材料，但由于这些区域的栅电极层膜不起显示作用，大多仅为传输电信号，因此，本实施例中优选除第二公共电极层42之外的其他区域保留完整的栅电极层膜，以达到减小电阻率，避免出现信号失真的不良情况。
步骤S7：在完成步骤S6的衬底6上沉积形成第一绝缘层503，通过光刻工艺去除第二公共电极层42上方对应的第一绝缘层503，形成第一开口区域504；并去除驱动晶体管5漏极上方对应的第一绝缘层503和栅绝缘层502，形成第一过孔505；同时去除驱动晶体管5源极上方对应的第一绝缘层503和栅绝缘层502，形成第四过孔508；去除信号走线7上方对应的第一绝缘层503，形成第五过孔509，如图9-图10所示。
步骤S8：在完成步骤S7的衬底6上制备反面发光层2，反面发光层2与第二公共电极层42的位置相对应且接触连接，如图11所示。
步骤S9：在完成步骤S8的衬底6上制备形成像素电极层3和数据电极层9的结构，如图12所示。
其中，像素电极层3对应形成在反面发光层2上方并与反面发光层2相接触并连接；像素电极层3与数据电极层9可以采用相同的材料在一次构图工艺中制备形成，也可以分别制备；像素电极层3与数据电极层9之间也可以存在别的膜层结构，但只要保证像素电极层3要与反面发光层2相接触并连接即可。数据电极层9通过第四过孔508与驱动晶体管5的源极连接。另外，在对应数据信号走线71的上方也形成有数据电极层9，数据电极层9通过第五过孔509与数据信号走线71连接，从而便于测试信号的引入。为简化工艺制备难度，本发明技术方案优选像素电极层3与数据电极层9采用相同材料同时制备。
步骤S10：在完成步骤S9的衬底6上形成第二绝缘层506，通过光刻工艺去除像素电极层3上方对应的第二绝缘层506，形成第二开口区域507，并去除信号走线7上方对应的第二绝缘层506，形成第六过孔600，如图13-图14所示。
步骤S11：在完成步骤S10的衬底6上制备形成正面发光层1，正面发光层1与像素电极层3的位置相对应并相接触连接，如图15所示。
其中，正面发光层1与反面发光层2可以采用相同材料制备，也可以根据设计需要采用不同材料，制备工艺在此不限。
步骤S12：在完成步骤S11的衬底6上形成第一公共电极层41；第一公共电极层41在对应数据信号走线71的位置通过第六过孔600与数据电极层9连接；第一公共电极层41在对应扫描信号走线72的位置通过第五过孔509和第六过孔600与栅电极层500连接，如图2所示。
如此设置，能够降低第一公共电极层41在过孔区出现断裂等不良情况的出现。其中，第一公共电极层41采用透明导电材料制备；第一公共电极层41与第二公共电极层42可以采用相同或不同的材料制备；但为简化工艺，节约生产成本，第一公共电极层41与第二公共电极层42采用相同材料，即都采用透明导电材料制备。
至此，双面显示基板制备完毕。
实施例2：
本实施例提供一种双面显示基板，与实施例1不同的是，如图16所示，子像素单元包括用于控制正面发光层1发光的第一驱动晶体管51和用于控制反面发光层2发光的第二驱动晶体管52，第一驱动晶体管51和第二驱动晶体管52共用同一栅电极层500；像素电极层3包括对应正面发光层1的第一像素电极层31和对应反面发光层2的第二像素电极层32，正面发光层1和反面发光层2共用同一公共电极层4，公共电极层4与栅电极层500同层设置。
如此设置，能使第一驱动晶体管51和第二驱动晶体管52分别对正面发光层1和反面发光层2的发光进行控制，从而实现该双面显示基板正面和反面能分别显示不同内容，也可以实现该双面显示基板正面和反面能同时显示相同内容，进而使该双面显示基板的显示更加灵活。
本实施例中，在双面显示基板的的垂直于其显示面的纵切面上，第一驱动晶体管5和第二驱动晶体管52的位置相对应，正面发光层1、反面发光层2、第一像素电极层31、第二像素电极层32和公共电极层4的位置相对应。正面发光层1和第一像素电极层31依次设置在公共电极层4的远离反面发光层2的一侧，反面发光层2和第二像素电极层32依次设置在公共电极层4的远离正面发光层1的一侧。正面发光层1和反面发光层2以公共电极层4为轴对称，第一像素电极层31和第二像素电极层32以公共电极层4为轴对称；且第一像素电极层31、正面发光层1、公共电极层4、反面发光层2和第二像素电极层32相互接触并连接。第一驱动晶体管51的有源区510以及分设在有源区510远离栅电极层500一侧的相对两端的源极511和漏极512与第二驱动晶体管52的有源区520以及分设在有源区520远离栅电极层500一侧的相对两端的源极521和漏极522以栅电极层500为轴对称，第一驱动晶体管51的有源区510与栅电极层500之间夹设有第一栅绝缘层513，第二驱动晶体管52的有源区520与栅电极层500之间夹设有第二栅绝缘层523。第一驱动晶体管51的有源区510远离栅电极层500的一侧还设置有第三绝缘层533，第三绝缘层533在对应第一驱动晶体管51的漏极512的位置开设有第二过孔5330，第一像素电极层31和第一驱动晶体管51的漏极512通过第二过孔5330连接；第二驱动晶体管52的有源区520远离栅电极层500的一侧还设置有第四绝缘层543，第四绝缘层543在对应第二驱动晶体管52的漏极522的位置开设有第三过孔5430，第二像素电极32和第二驱动晶体管52的漏极522通过第三过孔5430连接。
本实施例中，公共电极层4包括一层透明导电材料层，栅电极层500包括至少两层导电材料层，栅电极层500最靠近反面发光层2的最底层导电材料层采用与公共电极层4相同的透明导电材料，栅电极层500的最底层以上的导电材料层采用金属导电材料。如此设置，能使双面显示基板正常透光显示。栅电极层500采用双层导电材料结构，即栅电极层500的底层采用透明导电材料，上层采用金属导电材料，这能使栅电极层500的电阻率减小，导电率提高，从而使栅电极层500能正常传输用于显示的电信号。另外，栅电极层500的上层采用金属导电材料还能使该层的柔韧性加强，从而使栅电极层500不易出现断裂等不良，进而提高了双面显示基板的良率和显示质量。
本实施例中，在像素区域以外的信号走线区，信号走线采用与栅电极层500相同的结构。其中，信号走线包括数据信号走线、扫描信号走线以及绑定连接走线，绑定连接走线的结构与数据信号走线或扫描信号走线的结构相同。信号走线采用与栅电极层500相同的结构，由于金属导电材料具有良好的延展性和较大的导电率，所以不仅能使信号走线在过孔区不易出现断裂等不良情况，从而确保了双面显示基板的良率和显示质量，而且能降低信号走线的电阻率，提高信号走线的导电率，从而使信号走线的信号传输效果更好。
本实施例中公共电极层4与栅电极层500的制备方法与实施例1中相同，其他膜层均采用传统的制备工艺依次制备，此处不再赘述。
实施例3：
本实施例提供一种双面显示基板，与实施例1-2不同的是，如图17所示，子像素单元包括用于控制正面发光层1发光的第一驱动晶体管51和用于控制反面发光层2发光的第二驱动晶体管52，第一驱动晶体管51和第二驱动晶体管52共用同一栅电极层500；像素电极层3包括对应正面发光层1的第一像素电极层31和对应反面发光层2的第二像素电极层32，公共电极层4包括对应正面发光层1的第一公共电极层41和对应反面发光层2的第二公共电极层42，第一公共电极层41、第二公共电极层42和栅电极层500同层设置。
如此设置，同样能使第一驱动晶体管51和第二驱动晶体管52分别对正面发光层1和反面发光层2的发光进行控制，从而实现该双面显示基板正面和反面能分别显示不同内容，也可以实现该双面显示基板正面和反面能同时显示相同内容，进而使该双面显示基板的显示更加灵活。
本实施例中，在双面显示基板的的垂直于其显示面的纵切面上，第一驱动晶体管51和第二驱动晶体管52的位置相对应，第一公共电极层41和第二公共电极层42分别位于栅电极层500的左右两侧；正面发光层1和第一像素电极层31依次设置在第一公共电极层41的远离反面发光层2的一侧，且第一公共电极层41、正面发光层1和第一像素电极层31位置对应并相互接触；反面发光层2和第二像素电极层32依次设置在第二公共电极层42的远离正面发光层1的一侧，且第二公共电极层42、反面发光层2和第二像素电极层32位置对应并相互接触；
所述第一驱动晶体管51的有源区510以及分设在有源区510远离栅电极层500一侧的相对两端的源极511和漏极512与第二驱动晶体管52的有源区520以及分设在有源区520远离栅电极层500一侧的相对两端的源极521和漏极522以栅电极层500为轴对称，第一驱动晶体管51的有源区510与栅电极层500之间夹设有第一栅绝缘层513，第二驱动晶体管52的有源区520与栅电极层500之间夹设有第二栅绝缘层523；第一驱动晶体管51的有源区510远离栅电极层500的一侧还设置有第三绝缘层533，第三绝缘层533在对应第一驱动晶体管51的漏极512的位置开设有第二过孔5330，第一像素电极层31和第一驱动晶体管51的漏极512通过第二过孔5330连接；第二驱动晶体管52的有源区520远离栅电极层500的一侧还设置有第四绝缘层543，第四绝缘层543在对应第二驱动晶体管52的漏极522的位置开设有第三过孔5430，第二像素电极32和第二驱动晶体管52的漏极522通过第三过孔5430连接。
本实施例中，第一公共电极层41和第二公共电极层42包括一层透明导电材料层，栅电极层500包括至少两层导电材料层，栅电极层500最靠近反面发光层2的最底层导电材料层采用与第一公共电极层41和第二公共电极层42相同的透明导电材料，栅电极层500的最底层以上的导电材料层采用金属导电材料。如此设置，能使双面显示基板正常透光显示。栅电极层500采用双层导电材料结构，即栅电极层500的底层采用透明导电材料，上层采用金属导电材料，这能使栅电极层500的电阻率减小，导电率提高，从而使栅电极层500能正常传输用于显示的电信号。另外，栅电极层500的上层采用金属导电材料还能使该层的柔韧性加强，从而使栅电极层500不易出现断裂等不良，进而提高了双面显示基板的良率和显示质量。
本实施例中，在像素区域以外的信号走线区，信号走线采用与栅电极层500相同的结构。其中，信号走线包括数据信号走线、扫描信号走线以及绑定连接走线，绑定连接走线的结构与数据信号走线或扫描信号走线的结构相同。信号走线采用与栅电极层500相同的结构，由于金属导电材料具有良好的延展性和较大的导电率，所以不仅能使信号走线在过孔区不易出现断裂等不良情况，从而确保了双面显示基板的良率和显示质量，而且能降低信号走线的电阻率，提高信号走线的导电率，从而使信号走线的信号传输效果更好。
本实施例中，第一公共电极层41、第二公共电极层42与栅电极层500的制备方法与实施例1中相同，其他膜层均采用传统的制备工艺依次制备，此处不再赘述。
实施例1-3的有益效果：实施例1-3所提供的双面显示基板，通过将反面发光层和/或正面发光层对应的公共电极层与驱动晶体管的栅电极层同层设置，能在不影响和增加现有工艺难度的情况下，实现双面显示基板的制备；不仅有效地减小了双面显示基板的厚度和体积，降低了双面显示基板的制备成本与能耗成本，简化了设计难度，而且缩短了显示基板的生产周期，提升了显示基板的良率和显示质量，从而实现了双面显示基板的快速制备与推广。
实施例4：
本实施例提供一种显示装置，包括实施例1-3任意一个中的双面显示基板。
通过采用实施例1-3任意一个中的双面显示基板，不仅降低了该显示装置的制备成本与能耗成本，而且缩短了该显示装置的生产周期，提升了该显示装置的良率和显示质量。
该显示装置可以为：OLED面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、OLED显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有OLED显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种双面显示基板，包括若干个设置在像素区域内的子像素单元，所述子像素单元包括用于正面显示的正面发光层、用于反面显示的反面发光层、像素电极层、公共电极层和驱动晶体管，所述正面发光层和所述反面发光层均分别夹设于与其对应的所述像素电极层和所述公共电极层之间，所述驱动晶体管用于控制所述正面发光层和所述反面发光层进行发光，其特征在于，所述反面发光层和/或所述正面发光层对应的所述公共电极层与所述驱动晶体管的栅电极层同层设置。
2.根据权利要求1所述的双面显示基板，其特征在于，所述子像素单元包括一个驱动晶体管，所述驱动晶体管用于对所述正面发光层和所述反面发光层进行共同控制；所述正面发光层和所述反面发光层共用同一所述像素电极层，所述公共电极层包括对应所述正面发光层的第一公共电极层和对应所述反面发光层的第二公共电极层；所述第二公共电极层与所述栅电极层同层设置，所述像素电极层与所述驱动晶体管连接。
3.根据权利要求2所述的双面显示基板，其特征在于，还包括衬底，所述驱动晶体管设置在所述衬底上，所述驱动晶体管的栅电极层位于其有源区的上方，所述栅电极层和所述有源区之间夹设有栅绝缘层；
所述栅电极层上设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层在对应所述第二公共电极层的位置开设有第一开口区域，所述第一绝缘层上在对应所述第一开口区域的位置设置有所述反面发光层，所述反面发光层通过所述第一开口区域与所述第二公共电极层连接；
所述反面发光层上设置有所述像素电极层，所述像素电极层与所述反面发光层连接；所述第一绝缘层和所述栅绝缘层在对应所述驱动晶体管漏极的位置开设有第一过孔，所述像素电极层通过所述第一过孔与所述漏极连接；
所述像素电极层上设置有第二绝缘层，所述第二绝缘层在对应所述像素电极层的位置开设有第二开口区域，所述第二绝缘层上在对应所述第二开口区域的位置设置有所述正面发光层，所述正面发光层通过所述第二开口区域与所述像素电极层连接；
所述正面发光层上设置有所述第一公共电极层，所述第一公共电极层与所述正面发光层连接。
4.根据权利要求1所述的双面显示基板，其特征在于，所述子像素单元包括用于控制所述正面发光层发光的第一驱动晶体管和用于控制所述反面发光层发光的第二驱动晶体管，所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管共用同一所述栅电极层；所述像素电极层包括对应所述正面发光层的第一像素电极层和对应所述反面发光层的第二像素电极层，所述正面发光层和所述反面发光层共用同一所述公共电极层，所述公共电极层与所述栅电极层同层设置。
5.根据权利要求4所述的双面显示基板，其特征在于，在所述双面显示基板的垂直于其显示面的纵切面上，所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管的位置相对应，所述正面发光层、所述反面发光层、所述第一像素电极层、所述第二像素电极层和所述公共电极层的位置相对应；
所述正面发光层和所述第一像素电极层依次设置在所述公共电极层的远离所述反面发光层的一侧，所述反面发光层和所述第二像素电极层依次设置在所述公共电极层的远离所述正面发光层的一侧；所述正面发光层和所述反面发光层以所述公共电极层为轴对称，所述第一像素电极层和所述第二像素电极层以所述公共电极层为轴对称；且所述第一像素电极层、所述正面发光层、所述公共电极层、所述反面发光层和所述第二像素电极层相互接触并连接；
所述第一驱动晶体管的有源区以及分设在所述有源区远离所述栅电极层一侧的相对两端的源极和漏极与所述第二驱动晶体管的有源区以及分设在所述有源区远离所述栅电极层一侧的相对两端的源极和漏极以所述栅电极层为轴对称，所述第一驱动晶体管的有源区与所述栅电极层之间夹设有第一栅绝缘层，所述第二驱动晶体管的有源区与所述栅电极层之间夹设有第二栅绝缘层；
所述第一驱动晶体管的有源区远离所述栅电极层的一侧还设置有第三绝缘层，所述第三绝缘层在对应所述第一驱动晶体管的漏极的位置开设有第二过孔，所述第一像素电极层和所述第一驱动晶体管的漏极通过所述第二过孔连接；所述第二驱动晶体管的有源区远离所述栅电极层的一侧还设置有第四绝缘层，所述第四绝缘层在对应所述第二驱动晶体管的漏极的位置开设有第三过孔，所述第二像素电极和所述第二驱动晶体管的漏极通过所述第三过孔连接。
6.根据权利要求1所述的双面显示基板，其特征在于，所述子像素单元包括用于控制所述正面发光层发光的第一驱动晶体管和用于控制所述反面发光层发光的第二驱动晶体管，所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管共用同一所述栅电极层；所述像素电极层包括对应所述正面发光层的第一像素电极层和对应所述反面发光层的第二像素电极层，所述公共电极层包括对应所述正面发光层的第一公共电极层和对应所述反面发光层的第二公共电极层，所述第一公共电极层、所述第二公共电极层和所述栅电极层同层设置。
7.根据权利要求6所述的双面显示基板，其特征在于，在所述双面显示基板的垂直于其显示面的纵切面上，所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管的位置相对应，所述第一公共电极层和所述第二公共电极层分别位于所述栅电极层的左右两侧；
所述正面发光层和所述第一像素电极层依次设置在所述第一公共电极层的远离所述反面发光层的一侧，且所述第一公共电极层、所述正面发光层和所述第一像素电极层位置对应并相互接触；所述反面发光层和所述第二像素电极层依次设置在所述第二公共电极层的远离所述正面发光层的一侧，且所述第二公共电极层、所述反面发光层和所述第二像素电极层位置对应并相互接触；
所述第一驱动晶体管的有源区以及分设在所述有源区远离所述栅电极层一侧的相对两端的源极和漏极与所述第二驱动晶体管的有源区以及分设在所述有源区远离所述栅电极层一侧的相对两端的源极和漏极以所述栅电极层为轴对称，所述第一驱动晶体管的有源区与所述栅电极层之间夹设有第一栅绝缘层，所述第二驱动晶体管的有源区与所述栅电极层之间夹设有第二栅绝缘层；
所述第一驱动晶体管的有源区远离所述栅电极层的一侧还设置有第三绝缘层，所述第三绝缘层在对应所述第一驱动晶体管的漏极的位置开设有第二过孔，所述第一像素电极层和所述第一驱动晶体管的漏极通过所述第二过孔连接；所述第二驱动晶体管的有源区远离所述栅电极层的一侧还设置有第四绝缘层，所述第四绝缘层在对应所述第二驱动晶体管的漏极的位置开设有第三过孔，所述第二像素电极和所述第二驱动晶体管的漏极通过所述第三过孔连接。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的双面显示基板，其特征在于，所述公共电极层包括一层透明导电材料层，所述栅电极层包括至少两层导电材料层，所述栅电极层最靠近所述反面发光层的最底层导电材料层采用与所述公共电极层相同的透明导电材料，所述栅电极层的最底层以上的导电材料层采用金属导电材料。
9.根据权利要求8所述的双面显示基板，其特征在于，在所述像素区域以外的信号走线区，信号走线采用与所述栅电极层相同的结构。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任意一项所述的双面显示基板。
11.一种如权利要求1-9任意一项所述的双面显示基板的制备方法，包括在衬底上形成驱动晶体管、正面发光层、反面发光层、像素电极层和公共电极层，所述正面发光层和所述反面发光层分别形成于与其对应的所述像素电极层和所述公共电极层之间，其特征在于，所述反面发光层和/或所述正面发光层对应的所述公共电极层与所述驱动晶体管的栅电极层采用一次构图工艺同时形成。
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