CN108409110A - 玻璃基板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种玻璃基板的制造方法。在利用下拉法制造玻璃基板的方法中，在成形炉室(30)内设置发热体(28)、成形体(14)、及分隔发热体(28)与成形体(14)的内部间隔壁(16)。内部间隔壁(16)使用的是开气孔率为1％以下的SiC烧结体，利用发热体(28)并介隔内部间隔壁(16)而将流动于成形体(14)的熔融玻璃MG加热。由此，能抑制内部间隔壁(16)的氧化膨胀。

Description

玻璃基板的制造方法

分案申请的相关信息

本案是分案申请。本案的母案是申请日为2014年1月31日、申请号为201480006297.0、发明名称为“玻璃基板的制造方法”的发明专利申请案。

技术领域

本发明涉及一种利用下拉法的玻璃基板的制造方法。

背景技术

在玻璃基板的制造步骤中，使用下拉法作为使玻璃成形的方法。下拉法是于熔融玻璃流入成形体的沟槽后，使熔融玻璃从沟槽溢流。其后，熔融玻璃沿成形体的侧面流下。熔融玻璃在成形体的下端部合流，其后，离开成形体而成为片状的玻璃(平板玻璃)。平板玻璃是借助于辊而向下方拉伸搬送，且借助于炉内的环境而冷却。其后，平板玻璃被切断成所需的大小，进而经加工后成为玻璃基板。

下述专利文献1中记载的玻璃板的制造装置具备将炉室内的发热体与成形体分隔的内部间隔壁。炉室内的熔融玻璃的热量主要经由辐射热传递而与经发热体加热后的内部间隔壁之间进行热交换，因此若于内部间隔壁面存在温度分布则于对向的熔融玻璃的面也在宽度方向产生温度分布。因此，作为内部间隔壁的材质，理想的是导热率较大且均质度较高的材质。专利文献1中，记载有可对所述内部间隔壁使用例如SiC制板的情况。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：注册实用新型第2530060号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

然而，即便于将导热率较大且均质度较高的SiC制板用作内部间隔壁的情况下，就以气孔率较高的材料制作而成的内部间隔壁而言，也存在如下情况：若长时间暴露于成形炉室内的高温环境，则于内部间隔壁的内部，因内部的气孔使得Si氧化而形成SiO₂，由此导致异常膨胀，从而会发生变形或表面产生龟裂或破裂。若产生如上所述的内部间隔壁的变形、表面的龟裂、破裂，则内部间隔壁的均热效果降低，玻璃基板的质量降低，或必需更换内部间隔壁而使玻璃基板的生产性降低。

因此，本发明的目的在于提供一种当利用下拉法制造玻璃基板时能抑制内部间隔壁的氧化膨胀的玻璃基板的制造方法。

[解决问题的技术手段]

本发明的玻璃基板的制造方法具有以下态样。

[态样1]

一种玻璃基板的制造方法，包括利用下拉法使熔融玻璃成形为平板玻璃的步骤，该玻璃基板的制造方法的特征在于：

在成形炉室内设置发热体、所述成形体、及分隔所述发热体与所述成形体的内部间隔壁，

所述内部间隔壁使用的是开气孔率为1％以下的SiC烧结体，

利用所述发热体并介隔所述内部间隔壁而将流动于所述成形体的所述熔融玻璃加热。

[态样2]

如态样1的玻璃基板的制造方法，其中所述内部间隔壁导热率在1200℃下为20W/(m·K)以上。

[态样3]

如态样1或2的玻璃基板的制造方法，其中所述熔融玻璃在10⁵泊(poise)的黏度时为1000℃以上。

[态样4]

如态样1至3中任一项的玻璃基板的制造方法，其中所述玻璃基板为无碱玻璃或含微量碱的玻璃。

[态样5]

如态样1至4中任一项的玻璃基板的制造方法，其中将所述成形炉室的炉壁与所述内部间隔壁之间的空间利用水平间隔壁区划为上下邻接的多个小空间，且

对于每个所述小空间配置所述发热体。

[态样6]

如态样5的玻璃基板的制造方法，其是以所述内部间隔壁的面向所述成形体之侧的壁面的温度随着向所述熔融玻璃流动的方向前进而温度下降的方式，调整所述发热体的发热量。

[发明的效果]

根据作为本发明的一态样的玻璃基板的制造方法，当利用下拉法制造玻璃基板时，能抑制伴随内部间隔壁的氧化膨胀产生的问题。

附图说明

图1是本实施形态的玻璃基板的制造方法的一部分的流程图。

图2是表示本实施形态的玻璃基板的制造方法中使用的玻璃基板制造装置的示意图。

图3是表示图2所示的玻璃基板制造装置所含的成形装置的一部分的侧视图。

图4是说明本实施形态的发热体周边的温度分布的图。

具体实施方式

以下，一面参照图式，一面对本实施形态的玻璃基板的制造方法进行说明。

图1是表示本实施形态的玻璃基板的制造方法的一部分的流程图。

如图1所示，玻璃基板是经过包含熔解步骤ST1、澄清步骤ST2、均质化步骤ST3、成形步骤ST4、冷却步骤ST5、及切断步骤ST6等各种步骤所制造。

在熔解步骤ST1中，加热并熔解玻璃原料。玻璃原料包含SiO₂、Al₂O₃等组成。已完全熔解的玻璃原料成为熔融玻璃。

在澄清步骤ST2中，对熔融玻璃进行澄清。具体而言，将熔融玻璃中所含的气体成分从熔融玻璃释出，或者将气体成分吸收至熔融玻璃中。

在均质化步骤ST3中，将熔融玻璃均质化。

在成形步骤ST4中，利用下拉法(具体而言是溢流下拉法)使熔融玻璃成形为片状的玻璃、即平板玻璃。

在冷却步骤ST5中，对成形步骤ST4中已成形的平板玻璃进行缓冷。在该冷却步骤ST5中，平板玻璃被冷却至接近室温。

在切断步骤ST6中，将已被冷却至接近室温的平板玻璃每隔特定的长度切断而制成素板玻璃。

另外，每隔特定的长度切断而成的素板玻璃其后经进一步切断，进行研削、研磨、洗净、检查而成为玻璃基板，用于液晶显示器等平板显示器。

其次，对用于本实施形态的玻璃基板的制造方法中的玻璃基板制造装置进行说明。

图2是表示玻璃基板制造装置100的示意图。

玻璃基板的制造装置100主要具有熔解装置200、及成形装置300。

熔解装置200是用以进行熔解步骤ST1、澄清步骤ST2、及均质化步骤ST3的装置。如图2所示，熔解装置200具有熔解槽201、澄清槽202、搅拌槽203、第1配管204、及第2配管205。

熔解槽201是用以熔解玻璃原料的槽。在熔解槽201中，进行熔解步骤ST1。

澄清槽202是用以从已在熔解槽201中熔解的熔融玻璃去除气泡的槽。通过将从熔解槽201送入的熔融玻璃在澄清槽202中进一步加热，而促进熔融玻璃的脱泡。在澄清槽202中，进行澄清步骤ST2。

搅拌槽203是利用搅拌器搅拌熔融玻璃。在搅拌槽203中，进行均质化步骤ST3。

第1配管204及第2配管205是铂族元素或铂族元素的合金制的配管。第1配管204是连接澄清槽202与搅拌槽203的配管。第2配管205是连接搅拌槽203与成形装置300的配管。

成形装置300是用以进行成形步骤ST4及冷却步骤ST5的装置。

图3是表示成形装置300所含的成形炉室30的概略的侧视图。

如图3所示，成形装置300的最上部具备成形炉室30。成形炉室30具备炉壁24作为外壁，且借助于分隔构件20而与下侧的炉室进行区分。在成形炉室30的内部，配置有成形体14及多个发热体28。在成形体14的周围，设置有分隔成形体14与发热体28的内部间隔壁16。

成形体14是用以进行成形步骤ST4的装置，且设置于成形炉室30。成形体14具有利用溢流下拉法使从熔解装置200流入的熔融玻璃成形为片状的玻璃基板(平板玻璃G)的功能。成形体14是在垂直方向切断的剖面形状具有楔形形状，且例如由包含锆石、氧化锆、YPO₄、Al₂O₃、SiO₂、SiC、SiN及其等组合的耐火砖所构成。在成形体14的上部，形成有收容从熔解装置200流入的熔融玻璃MG的沟槽部18。成形体14的侧面14b是以供从沟槽部18溢流的熔融玻璃MG流下的方式，沿铅垂方向形成。成形体14的倾斜面14c是以在成形体14的两侧面14b、14b流下的熔融玻璃MG在成形体14的楔形形状的剖面的顶点即最下端部14d合流的方式，相对于侧面14b倾斜。

内部间隔壁16配置于发热体28与成形体14之间，且以包围成形体14的方式配置于成形体14的周围。内部间隔壁16是由SiC烧结体构成，更详细而言，是由高密度的烧结SiC的板构成。内部间隔壁16优选的是由SiC的含有率为95wt％(重量％)以上的SiC烧结体构成。而且，就提高内部间隔壁16的温度的均匀性的观点而言，优选的是使用导热率在1200℃下为20W/(m·K)以上、更优选的是25W/(m·K)以上、进而优选的是30W/(m·K)以上的SiC烧结体。所述导热率的上限设为例如490W/(m·K)。而且，就防止内部间隔壁16的氧化膨胀的观点而言，构成内部间隔壁16的SiC烧结体的开气孔率设为1％以下。SiC烧结体的开气孔率优选的是0.8％以下，进而优选的是0.6％以下。而且，SiC烧结体的开气孔率设为例如超过0％。此处，所谓开气孔率是指在将试样的外形容积设为1的情况下，其中所占的开气孔部分的容积的百分比，例如，可利用JIS R1634：1998中规定的测定方法进行测定。

在炉壁24与内部间隔壁16之间，设置有将炉壁24与内部间隔壁16之间的空间在横方向上分隔的水平间隔壁26。水平间隔壁26是将成形炉室30的炉壁24与内部间隔壁16之间的空间分隔为上下邻接的多个空间的板状的构件，且是例如包含锆石、氧化锆、YPO₄、Al₂O₃、SiO₂、SiC、SiN及其等组合的隔热构件。在由水平间隔壁26区划而成的小空间分别配置有发热体28。只要将成形炉室30分隔为多个空间，且可利用发热体28控制分隔的各空间的温度即可，配置水平间隔壁26的位置、数量为任意。例如，每隔一定间隔，在与邻接的发热体28的距离成为一定的位置等处配置水平间隔壁26。而且，水平间隔壁26的厚度可任意地设定，例如，可设为与内部间隔壁16的厚度相同，也可设为与炉壁24的厚度相同。在水平间隔壁26与内部间隔壁16为相同的材料的情况下，通过将厚度设为相同，而可使水平间隔壁26及内部间隔壁16传导的传热量相等，将熔融玻璃MG在宽度方向上均匀地加热。而且，在内部间隔壁16及水平间隔壁26使用SiC烧结体的情况下，为了将熔融玻璃MG在宽度方向上均匀地加热，也可使设置于更靠近熔融玻璃MG的位置的内部间隔壁16导热率高于水平间隔壁26导热率。而且，也可使内部间隔壁16的开气孔率低于水平间隔壁26的开气孔率。而且，为了提高位于成形体14的最下端部14d的熔融玻璃MG的温度的均匀性，也可使位于与最下端部14d对向的位置的内部间隔壁16的导热率高于位于与两侧面14b、14b对向的位置的内部间隔壁16导热率。而且，也可使位于与最下端部14d对向的位置的内部间隔壁16的开气孔率低于位于与两侧面14b、14b对向的位置的内部间隔壁16的开气孔率。

发热体28是由例如利用电阻加热、介电加热、微波加热、感应加热而发热的封装加热器、插装加热器(cartridge heater)或陶瓷加热器等所构成，可任意地调整发热量(温度)。配置于成形炉室30的各发热体28可独立地控制发热量，例如可以如下方式形成温度梯度：当熔融玻璃MG在成形炉室30内向下方前进时，温度以成形体14的沟槽部18、两侧面14b、14b、倾斜面14c、最下端部14d的顺序依次下降。即，优选的是以内部间隔壁16的面向成形体14之侧的壁面的温度随着向熔融玻璃MG流动的方向前进而温度下降的方式，调整多个发热体28的发热量。

分隔构件20是配置于成形体14的最下端部14d的附近的板状的构件，例如为包含锆石、氧化锆、YPO₄、Al₂O₃、SiO₂、SiC、SiN及其等组合的隔热构件。分隔构件20是以前端互相对向的方式设置有一对。分隔构件20是以成为水平的方式配置于从成形体14的最下端部14d流下的平板玻璃G的厚度方向的两侧。分隔构件20是通过保留供平板玻璃通过的间隙而将其上下的环境分隔、进行隔热，而抑制热量从分隔构件20的上侧向下侧移动。在分隔构件20的下方配置有冷却辊22。

冷却辊22配置于位于分隔构件20下方的炉室内。而且，冷却辊22是以对向的方式配置于平板玻璃G的厚度方向的两侧且其宽度方向的两端部分。冷却辊22例如借助于通过其内部的空气冷却管进行空气冷却。平板玻璃G通过冷却辊22时，与经空气冷却的冷却辊22接触的宽度方向的两端部分的正背面受到冷却。由此，该两端部的黏度被调整为特定值以上、例如10^9.0泊(10泊＝1Pa·秒)以上。冷却辊22上传递有驱动马达的驱动力，由此将平板玻璃G向下方拉伸。

在成形炉室30的下方，设置有进行冷却步骤ST5的未图示的缓冷炉室。缓冷炉室沿平板玻璃G的流动而区划为多个炉室，沿平板玻璃G的流动而设置有多个拉伸辊。拉伸辊是由马达进行驱动，将平板玻璃G向下方一面拉伸一面搬送。而且，在各炉室内，设置有用以调节平板玻璃G周围环境的温度的加热器。通过使用该加热器控制平板玻璃G周围环境的温度，而控制平板玻璃G的温度，且依据降低平板玻璃G的板厚偏差、翘曲、应变的温度分布，使平板玻璃G缓冷。

切断步骤ST6是由未图示的切断装置进行。切断装置配置于缓冷炉室的下方。切断装置是将在成形装置300中流下的平板玻璃G在相对于其长度面垂直的方向上切断的装置。片状的平板玻璃G是通过利用切断装置进行切断，而成为具有特定的长度的多个素板。素板进一步被切断，经过端面加工、洗净、检查后进行捆包，从而作为玻璃基板而出货。

其次，对本实施形态的作用进行说明。

在成形步骤ST4中，在成形体14的沟槽部18流动的熔融玻璃MG在该沟槽部18的顶部溢流，并沿成形体14的两侧面14b、14b流下。然后，沿成形体14的两侧面14b、14b流下的熔融玻璃G经过倾斜面14c、14c，在成形体14的最下端部14d合流而成为平板玻璃G。平板玻璃G通过一对分隔构件20、20之间的狭缝状的间隙，而被供给至成形炉室30的下方的缓冷炉室。

此时，利用发热体28加热内部间隔壁16，在经加热的内部间隔壁16与流动于成形体14的熔融玻璃MG之间进行热交换，熔融玻璃MG受到冷却。

成形炉室30内的包含氧气的环境保持为1000℃以上、例如1200℃左右的温度，但通过将内部间隔壁16暴露于如此高的温度且包含氧气的环境，使得构成内部间隔壁16的SiC烧结体从与氧气接触的部分开始氧化而变为SiO₂。此时，若SiC烧结体的开气孔率大于1％，则氧化不仅容易从表面而且容易从内部进行。在已进行内部氧化的场所，体积增加，因此会引起变形或进一步引起破裂。尤其是当在成形炉室30内形成高温黏性较高的无碱玻璃或包含微量碱金属的含微量碱的玻璃时，必须将成形炉室30内的温度保持为高于先前的温度。若使成形炉室30内的温度高于先前，则会促进内部间隔壁16的变形，引起破裂。SiC烧结体是耐高温、而且耐热性或耐氧化性优异的材料。然而，SiC烧结体与氧气反应的氧化起始温度约为700℃，若处于该温度以上则开始氧化，引起变形或进一步引起破裂。成形炉室30内的温度如上所述为1000℃以上，因此SiC烧结体在成形炉室30内容易氧化。

在本实施形态中，内部间隔壁16使用的是开气孔率为1％以下的SiC烧结体。因此，与包含氧气的高温的环境接触的仅为表面，从而能抑制在组织内部进行SiC氧化。由此，能抑制因内部间隔壁16的内部氧化所致的异常膨胀，而可抑制变形、表面的龟裂、破裂的产生。因此，可防止内部间隔壁16的均热效果降低，且提高玻璃基板的质量。而且，可延长内部间隔壁16的寿命，且改善玻璃基板的生产性。而且，若SiC烧结体氧化，则氧化物的SiO₂会完全覆盖SiC烧结体表面而成为针对氧化的保护膜，因此能抑制内部间隔壁16内部的氧化。

而且，成形体14上的熔融玻璃MG并不与发热体28直接进行热交换而是介隔内部间隔壁16进行热交换。因此，即便各发热体28的温度视场所而不均，但利用内部间隔壁16的均热效果也几乎不会对成形体14上的熔融玻璃MG的温度造成其温度不均的影响。图4是说明发热体28周边的温度分布的图，且是对熔融玻璃MG、内部间隔壁16及发热体18从图3的上方向下方观察的图。若发热体28发热，则从发热体28发出的热量会以发热体28为中心呈球状地扩散，在由内部间隔壁16、水平间隔壁26及炉壁24所包围的小空间内，形成以发热体28为中心的球状的温度分布。若呈球状地扩散的热量到达内部间隔壁16，则热量会被内部间隔壁16吸收，且被蓄积于内部间隔壁16。由于在内部间隔壁16存在均热效果，因此蓄积于内部间隔壁16的热量会沿内部间隔壁16的侧壁呈平面状地释出。因此，在内部间隔壁16内的空间内，沿内部间隔壁16，至少沿熔融玻璃MG的宽度方向形成有大致一定的温度分布。利用沿该内部间隔壁16的大致一定的温度分布，使熔融玻璃MG的温度于熔融玻璃MG的宽度方向上变得均匀，在成形体14的最下端部14d，平板玻璃G的温度例如约为1150℃且在宽度方向上变得均匀。

而且，本实施形态的内部间隔壁16的导热率在1200℃下为20W/(m·K)以上，更优选的是25W/(m·K)以上，进而优选的是30W/(m·K)以上。因此，即便各发热体28的温度视场所而不均，内部间隔壁16的温度在熔融玻璃MG的宽度方向上视场所而产生的不均也会变少，从而温度在熔融玻璃MG的宽度方向上容易变得均匀。即，能提高内部间隔壁16的均热效果，使流动于成形体14的熔融玻璃MG的温度在熔融玻璃MG的宽度方向上更均匀地冷却，从而提高玻璃基板的质量。

成形炉室30内的炉壁24与内部间隔壁16之间的环境借助于发热体28而保持为所需的温度。另一方面，流动于成形体14的熔融玻璃MG必须伴随流下而逐渐降低温度。

本实施形态中，在成形炉室30的炉壁24与内部间隔壁16之间，设置有将成形炉室30分隔为上下邻接的多个空间的水平间隔壁26。在经水平间隔壁26分隔的多个空间设置有多个发热体28，各发热体28可独立地控制发热量。水平间隔壁26是由隔热性较高的材料、例如与内部间隔壁16相比隔热性较高的材料所构成。由此，可将作为在成形体的表面流下的熔融玻璃的对向面的内部间隔壁面的温度在流下方向任意变更，可对熔融玻璃在熔融玻璃的流下方向上附加所需的温度差，从而能提高玻璃基板的质量。另外，为了对熔融玻璃在流下方向上附加所需的温度差，也可基于设置于成形炉室30的测温电阻体、热电偶等温度传感器(未图示)所计测出的温度，调整发热体28的发热量。例如，在以温度传感器所计测出的温度在成形体14的两侧面14b、14b及倾斜面14c相同的情况下，通过增加位于与两侧面14b、14b对向的位置的发热体28的发热量，或者抑制位于与倾斜面14c对向的位置的发热体28的发热量，而可使流动于两侧面14b、14b及倾斜面14c的熔融玻璃MG在流下方向上具有温度差。

本实施形态的制造方法适于必须将成形炉内保持为高温的情况。具体而言，适于成形炉内为1000℃以上的情况，进而适于1200℃以上的情况，尤其适于1300℃以上的情况。

在使用高温黏性较大的玻璃(熔融玻璃)制造玻璃基板的情况下，必须将成形炉内保持为高温，因此，本实施形态适于使用高温黏性较大的玻璃(熔融玻璃)制造玻璃基板时。具体而言，本实施形态适于使用在玻璃(熔融玻璃)的黏度为10⁵泊时为1000℃以上的玻璃(熔融玻璃)制造玻璃基板时。而且，黏度为10⁵泊时的熔融玻璃的温度的上限例如为1700℃。

而且，无碱玻璃或包含微量碱金属的含微量碱的玻璃的高温黏性较高，因此，本实施形态适于制造由无碱玻璃或含微量碱的玻璃所构成的玻璃基板的情况。作为无碱玻璃的一例，以质量％表示，可列举以下组成范围的玻璃基板。

含有SiO₂：50～70％、

Al₂O₃：0～25％、

B₂O₃：1～15％、

MgO：0～10％、

CaO：0～20％、

SrO：0～20％、

BaO：0～10％、

RO：5～30％(其中，R为Mg、Ca、Sr及Ba的总合)的无碱玻璃。

另外，如上所述，玻璃基板也可为包含微量碱金属的含微量碱的玻璃。在含有碱金属的情况下，优选的是包含R'₂O的合计为0.10％以上且0.5％以下、优选的是0.20％以上且0.5％以下(其中，R'为选自Li、Na及K中的至少1种，且是玻璃基板含有的元素)。当然，R'₂O的合计也可未达0.10％。即，本发明适于制造使用有无碱玻璃或微量碱的玻璃基板的平板显示器的情况。

以上，对本发明的实施形态详细地进行了说明，但本发明并不限定于所述实施形态，也可在不脱离本发明主旨的范围内进行各种改良或变更。

[实施例]

使用在所述实施形态中已说明的玻璃基板制造装置，制造玻璃基板。作为内部间隔壁，使用有SiC的含有率为99wt％、导热率在1200℃下为25W/(m·K)、开气孔率为1％的高密度的烧结SiC。

在开始使用内部间隔壁后的2年以内，未出现因内部间隔壁的氧化膨胀而导致变形的事例，能稳定地制造玻璃基板。

使用所述实施形态中已说明的玻璃基板的制造装置，制造玻璃基板。作为内部间隔壁，使用有SiC的含有率为98wt％、导热率在1200℃下为30W/(m·K)、开气孔率为0.6％的高密度的烧结SiC。

使用所述实施形态中已说明的玻璃基板的制造装置，制造玻璃基板。作为内部间隔壁，使用有SiC的含有率为95wt％、导热率在1200℃下为35W/mK、开气孔率为0.5％的高密度的烧结SiC。

在开始使用内部间隔壁后的3年以内，未发现因内部间隔壁的氧化膨胀导致变形的事例，能稳定地制造玻璃基板。

[比较例]

作为内部间隔壁，使用有SiC的含有率为74wt％、导热率于350℃下为12.6W/(m·K)、开气孔率为14.6％的氮硅键SiC，除此以外，与实施例同样地制造玻璃基板。

在开始使用内部间隔壁后的约18个月后，因内部间隔壁的氧化膨胀所致的变形变大至无法容许的程度，产生频度为30％左右的必需更换内部间隔壁的玻璃基板。

根据以上结果，所述实施形态的效果明确。

[符号的说明]

14 成形体

16 内部间隔壁

24 炉壁

26 水平间隔壁

28 发热体

30 成形炉室

MG 熔融玻璃

G 平板玻璃

Claims (5)

1.一种玻璃基板的制造方法，包括利用下拉法使熔融玻璃成形为平板玻璃的步骤，该玻璃基板的制造方法的特征在于：

在成形炉室内设置发热体、所述成形体、及分隔所述发热体与所述成形体的内部间隔壁，

所述内部间隔壁使用的是SiC含有率为95重量％以上、导热率在1200℃下为20W/(m·K)以上、且开气孔率为1％以下的SiC烧结体，

利用所述发热体并介隔所述内部间隔壁而将流动于所述成形体的所述熔融玻璃加热。

2.根据权利要求1所述的玻璃基板的制造方法，其中所述熔融玻璃在10⁵泊(poise)的黏度时为1000℃以上。

3.根据权利要求1或2所述的玻璃基板的制造方法，其中所述玻璃基板为无碱玻璃或含微量碱的玻璃。

4.根据权利要求1或2所述的玻璃基板的制造方法，其中将所述成形炉室的炉壁与所述内部间隔壁之间的空间利用水平间隔壁区划为上下邻接的多个小空间，且

对于每个所述小空间配置所述发热体。

5.根据权利要求4所述的玻璃基板的制造方法，其是以所述内部间隔壁的面向所述成形体之侧的壁面的温度随着向所述熔融玻璃流动的方向前进而温度下降的方式，调整所述发热体的发热量。