TW201437155A - 玻璃基板之製造方法 - Google Patents

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Nobuhiro Maeda
Yusuke Shioji
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Abstract

本發明提供一種於利用下拉法製造玻璃基板時，能抑制內部間隔壁之氧化膨脹的玻璃基板之製造方法。本發明係於成形爐室30設置發熱體28、成形體14、及分隔發熱體28與成形體14之內部間隔壁16。內部間隔壁16係使用開氣孔率為1%以下之SiC燒結體，藉由發熱體28並介隔內部間隔壁16而將流動於成形體14之熔融玻璃MG加熱。

Description

玻璃基板之製造方法
本發明係關於一種利用下拉法之玻璃基板之製造方法。
於玻璃基板之製造步驟中，使用下拉法作為使玻璃成形之方法。下拉法係於熔融玻璃流入成形體之溝槽後，使熔融玻璃自溝槽溢流。其後，熔融玻璃沿成形體之側面流下。熔融玻璃係於成形體之下端部合流，其後，離開成形體而成為片狀之玻璃(平板玻璃)。平板玻璃係藉由輥而向下方拉伸搬送，且藉由爐內之環境而冷卻。其後，平板玻璃被切斷成所需之大小，進而經加工而成為玻璃基板。
下述專利文獻1中記載之玻璃板之製造裝置具備將爐室內之發熱體與成形體分隔之內部間隔壁。爐室內之熔融玻璃之熱係與利用發熱體加熱而成之內部間隔壁之間主要經由輻射熱傳遞進行熱交換，故而若於內部間隔壁面存在溫度分佈則於對向之熔融玻璃之面亦於寬度方向產生溫度分佈。因此，作為內部間隔壁之材質，較理想為導熱率較大且均質度較高者。於專利文獻1中，記載有可對上述內部間隔壁使用例如SiC製之板的情況。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]註冊實用新型第2530060號公報
然而，即便於將導熱率較大且均質度較高之SiC製之板用作內部間隔壁之情形時，就以氣孔率較高之材料製作而成之內部間隔壁而言，亦存在如下情況：若長時間暴露於成形爐室內之高溫環境，則於內部間隔壁之內部，因內部之氣孔使得Si氧化而形成SiO2，由此導致異常膨脹，從而會發生變形或表面產生龜裂或破裂。若產生如上所述之內部間隔壁之變形、表面之龜裂、破裂，則內部間隔壁之均熱效果降低，玻璃基板之品質降低，或必需更換內部間隔壁而使玻璃基板之生產性降低。
因此，本發明之目的在於提供一種於利用下拉法製造玻璃基板時能抑制內部間隔壁之氧化膨脹的玻璃基板之製造方法。
本發明之玻璃基板之製造方法具有以下態樣。
[態樣1]
一種玻璃基板之製造方法，其特徵在於：其係具有利用下拉法使熔融玻璃成形為平板玻璃之步驟者，且於成形爐室設置發熱體、上述成形體、及分隔上述發熱體與上述成形體之內部間隔壁，對上述內部間隔壁使用開氣孔率為1%以下之SiC燒結體，藉由上述發熱體並介隔上述內部間隔壁而將流動於上述成形體之上述熔融玻璃加熱。
[態樣2]
如態樣1之玻璃基板之製造方法，其中上述內部間隔壁之導熱率於1200℃下為20W/(m．K)以上。
[態樣3]
如態樣1或2之玻璃基板之製造方法，其中上述熔融玻璃係於105泊(poise)之黏度時為1000℃以上。
[態樣4]
如態樣1至3中任一項之玻璃基板之製造方法，其中上述玻璃基板為無鹼玻璃或含微量鹼之玻璃。
[態樣5]
如態樣1至4中任一項之玻璃基板之製造方法，其中將上述成形爐室之爐壁與上述內部間隔壁之間的空間利用水平間隔壁區劃為上下鄰接之複數個小空間，且於上述小空間之各者配置上述發熱體。
[態樣6]
如態樣5之玻璃基板之製造方法，其係以上述內部間隔壁之面向上述成形體之側之壁面的溫度隨著向上述熔融玻璃流動之方向前進而溫度下降的方式，調整上述發熱體之發熱量。
根據作為本發明之一態樣之玻璃基板之製造方法，於利用下拉法製造玻璃基板時，能抑制伴隨內部間隔壁之氧化膨脹之問題之產生。
14‧‧‧成形體
14b‧‧‧側面
14c‧‧‧傾斜面
14d‧‧‧最下端部
16‧‧‧內部間隔壁
18‧‧‧溝槽部
20‧‧‧分隔構件
22‧‧‧冷卻輥
24‧‧‧爐壁
26‧‧‧水平間隔壁
28‧‧‧發熱體
30‧‧‧成形爐室
100‧‧‧玻璃基板製造裝置
200‧‧‧熔解裝置
201‧‧‧熔解槽
202‧‧‧澄清槽
203‧‧‧攪拌槽
204‧‧‧第1配管
205‧‧‧第2配管
300‧‧‧成形裝置
G‧‧‧平板玻璃
MG‧‧‧熔融玻璃
圖1係本實施形態之玻璃基板之製造方法之一部分的流程圖。
圖2係表示本實施形態之玻璃基板之製造方法中使用之玻璃基板製造裝置的模式圖。
圖3係表示圖2所示之玻璃基板製造裝置所含之成形裝置之一部分的側視圖。
圖4係說明本實施形態之發熱體周邊之溫度分佈之圖。
以下，一面參照圖式，一面對本實施形態之玻璃基板之製造方法進行說明。
圖1係表示本實施形態之玻璃基板之製造方法之一部分的流程圖。
如圖1所示，玻璃基板係經過包含熔解步驟ST1、澄清步驟ST2、均質化步驟ST3、成形步驟ST4、冷卻步驟ST5、及切斷步驟ST6之各種步驟所製造。
於熔解步驟ST1中，加熱並熔解玻璃原料。玻璃原料包含SiO2、Al2O3等組成。已完全熔解之玻璃原料成為熔融玻璃。
於澄清步驟ST2中，對熔融玻璃進行澄清。具體而言，將熔融玻璃中所含之氣體成分自熔融玻璃釋出，或者將氣體成分吸收至熔融玻璃中。
於均質化步驟ST3中，將熔融玻璃均質化。
於成形步驟ST4中，利用下拉法(具體而言，溢流下拉法)使熔融玻璃成形為片狀之玻璃、即平板玻璃。
於冷卻步驟ST5中，對成形步驟ST4中已成形之平板玻璃進行緩冷。於該冷卻步驟ST5中，平板玻璃被冷卻至接近室溫。
於切斷步驟ST6中，將已被冷卻至接近室溫之平板玻璃每隔特定之長度切斷而製成素板玻璃。
再者，每隔特定之長度切斷而成之素板玻璃其後經進一步切斷，進行研削、研磨、洗淨、檢查而成為玻璃基板，用於液晶顯示器等平板顯示器。
其次，對用於本實施形態之玻璃基板之製造方法中的玻璃基板製造裝置進行說明。
圖2係表示玻璃基板製造裝置100之模式圖。
玻璃基板之製造裝置100主要具有熔解裝置200、及成形裝置300。
熔解裝置200係用以進行熔解步驟ST1、澄清步驟ST2、及均質化 步驟ST3之裝置。如圖2所示，熔解裝置200具有熔解槽201、澄清槽202、攪拌槽203、第1配管204、及第2配管205。
熔解槽201係用以熔解玻璃原料之槽。於熔解槽201中，進行熔解步驟ST1。
澄清槽202係用以自已於熔解槽201中熔解之熔融玻璃去除氣泡之槽。藉由將自熔解槽201送入之熔融玻璃於澄清槽202中進一步加熱，而促進熔融玻璃之脫泡。於澄清槽202中，進行澄清步驟ST2。
攪拌槽203係利用攪拌器攪拌熔融玻璃。於攪拌槽203中，進行均質化步驟ST3。
第1配管204及第2配管205係鉑族元素或鉑族元素之合金製之配管。第1配管204係連接澄清槽202與攪拌槽203之配管。第2配管205係連接攪拌槽203與成形裝置300之配管。
成形裝置300係用以進行成形步驟ST4及冷卻步驟ST5之裝置。
圖3係表示成形裝置300所含之成形爐室30之概略之側視圖。
如圖3所示，成形裝置300於最上部具備成形爐室30。成形爐室30具備爐壁24作為外壁，且藉由分隔構件20而與下側之爐室進行區分。於成形爐室30之內部，配置有成形體14及複數個發熱體28。於成形體14之周圍，設置有分隔成形體14與發熱體28之內部間隔壁16。
成形體14係用以進行成形步驟ST4之裝置，且設置於成形爐室30。成形體14具有利用溢流下拉法使自熔解裝置200流入之熔融玻璃成形為片狀之玻璃基板(平板玻璃G)的功能。成形體14係於垂直方向切斷之剖面形狀具有楔形形狀，且例如由包含鋯石、氧化鋯、YPO4、Al2O3、SiO2、SiC、SiN及該等之組合之耐火磚所構成。於成形體14之上部，形成有收容自熔解裝置200流入之熔融玻璃MG之溝槽部18。成形體14之側面14b係以供自溝槽部18溢流之熔融玻璃MG流下之方式，沿鉛垂方向形成。成形體14之傾斜面14c係以於成形體14之 兩側面14b、14b流下之熔融玻璃MG於成形體14之楔形形狀之剖面之頂點即最下端部14d合流的方式，相對於側面14b傾斜。
內部間隔壁16係配置於發熱體28與成形體14之間，且以包圍成形體14之方式配置於成形體14之周圍。內部間隔壁16係由SiC燒結體構成，更詳細而言，係由高密度之燒結SiC之板構成。內部間隔壁16較佳為由SiC之含有率為95wt%(重量%)以上之SiC燒結體構成。又，就提高內部間隔壁16之溫度之均勻性之觀點而言，較佳為使用導熱率於1200℃下為20W/(m．K)以上、更佳為25W/(m．K)以上、進而較佳為30W/(m．K)以上之SiC燒結體。上述導熱率之上限係設為例如490W/(m．K)。又，就防止內部間隔壁16之氧化膨脹之觀點而言，構成內部間隔壁16之SiC燒結體之開氣孔率係設為1%以下。SiC燒結體之開氣孔率較佳為0.8%以下，進而較佳為0.6%以下。又，SiC燒結體之開氣孔率係設為例如超過0%。此處，所謂開氣孔率係指於將試樣之外形容積設為1之情形時，其中所占之開氣孔部分之容積的百分比，例如，可藉由JIS R 1634：1998中規定之測定方法進行測定。
於爐壁24與內部間隔壁16之間，設置有將爐壁24與內部間隔壁16之間的空間於橫方向上分隔之水平間隔壁26。水平間隔壁26係將成形爐室30之爐壁24與內部間隔壁16之間的空間分隔為上下鄰接之複數個空間的板狀之構件，且係例如包含鋯石、氧化鋯、YPO4、Al2O3、SiO2、SiC、SiN及該等之組合之隔熱構件。於由水平間隔壁26區劃而成之小空間分別配置有發熱體28。只要將成形爐室30分隔為複數個空間，且可利用發熱體28控制分隔之各空間之溫度即可，配置水平間隔壁26之位置、數量係任意。例如，每隔一定間隔，於與鄰接之發熱體28之距離成為一定的位置等處配置水平間隔壁26。又，水平間隔壁26之厚度可任意地設定，例如，可設為與內部間隔壁16之厚度相同，亦可設為與爐壁24之厚度相同。於水平間隔壁26與內部間隔壁16為相同 之材料之情形時，藉由將厚度設為相同，而可使水平間隔壁26及內部間隔壁16傳導之傳熱量相等，將熔融玻璃MG於寬度方向上均勻地加熱。又，於對內部間隔壁16及水平間隔壁26使用SiC燒結體之情形時，為了將熔融玻璃MG於寬度方向上均勻地加熱，亦可使設置於更靠近熔融玻璃MG之位置的內部間隔壁16之導熱率高於水平間隔壁26之導熱率。又，亦可使內部間隔壁16之開氣孔率低於水平間隔壁26之開氣孔率。又，為提高位於成形體14之最下端部14d之熔融玻璃MG的溫度之均勻性，亦可使位於與最下端部14d對向之位置的內部間隔壁16的導熱率高於位於與兩側面14b、14b對向之位置的內部間隔壁16之導熱率。又，亦可使位於與最下端部14d對向之位置的內部間隔壁16的開氣孔率低於位於與兩側面14b、14b對向之位置的內部間隔壁16之開氣孔率。
發熱體28係由例如利用電阻加熱、介電加熱、微波加熱、感應加熱而發熱之封裝加熱器、插裝加熱器(cartridge heater)或陶瓷加熱器等所構成，可任意地調整發熱量(溫度)。配置於成形爐室30之各發熱體28可獨立地控制發熱量，例如可以如下方式形成溫度梯度：於熔融玻璃MG在成形爐室30內向下方前進時，溫度以成形體14之溝槽部18、兩側面14b、14b、傾斜面14c、最下端部14d之順序依次下降。即，較佳為以內部間隔壁16之面向成形體14之側之壁面的溫度隨著向熔融玻璃MG流動之方向前進而溫度下降的方式，調整複數個發熱體28之發熱量。
分隔構件20係配置於成形體14之最下端部14d之附近的板狀之構件，例如為包含鋯石、氧化鋯、YPO4、Al2O3、SiO2、SiC、SiN及該等之組合之隔熱構件。分隔構件20係以前端互相對向之方式設置有一對。分隔構件20係以成為水平之方式配置於自成形體14之最下端部14d流下之平板玻璃G之厚度方向的兩側。分隔構件20係藉由保留供 平板玻璃通過之間隙而將其上下之環境分隔、進行隔熱，而抑制熱自分隔構件20之上側向下側移動。於分隔構件20之下方配置有冷卻輥22。
冷卻輥22係配置於位於分隔構件20之下方之爐室。又，冷卻輥22係以對向之方式配置於平板玻璃G之厚度方向之兩側且其寬度方向之兩端部分。冷卻輥22例如藉由通過其內部之空氣冷卻管進行空氣冷卻。平板玻璃G係於通過冷卻輥22時，與經空氣冷卻之冷卻輥22接觸之寬度方向之兩端部分的正背面受到冷卻。藉此，該兩端部之黏度被調整為特定值以上、例如109.0泊(10泊=1Pa．秒)以上。冷卻輥22係藉由傳遞驅動馬達之驅動力，而將平板玻璃G向下方拉伸。
於成形爐室30之下方，設置有進行冷卻步驟ST5之未圖示之緩冷爐室。緩冷爐室沿平板玻璃G之流動而區劃為複數個爐室，沿平板玻璃G之流動而設置有複數個拉伸輥。拉伸輥係利用馬達進行驅動，將平板玻璃G向下方一面拉伸一面搬送。又，於各爐室，設置有用以調節平板玻璃G之周圍之環境之溫度之加熱器。藉由使用該加熱器控制平板玻璃G之周圍之環境之溫度，而控制平板玻璃G之溫度，且依據降低平板玻璃G之板厚偏差、翹曲、應變之溫度分佈，使平板玻璃G緩冷。
切斷步驟ST6係藉由未圖示之切斷裝置進行。切斷裝置係配置於緩冷爐室之下方。切斷裝置係將於成形裝置300中流下之平板玻璃G在相對於其長度面垂直之方向上切斷的裝置。片狀之平板玻璃G係藉由利用切斷裝置進行切斷，而成為具有特定之長度之複數個素板。素板經進一步被切斷，經過端面加工、洗淨、檢查後進行捆包，從而作為玻璃基板而出貨。
其次，對本實施形態之作用進行說明。
於成形步驟ST4中，於成形體14之溝槽部18流動之熔融玻璃MG 係於該溝槽部18之頂部溢流，並沿成形體14之兩側面14b、14b流下。然後，沿成形體14之兩側面14b、14b流下之熔融玻璃G經過傾斜面14c、14c，於成形體14之最下端部14d合流而成為平板玻璃G。平板玻璃G通過一對分隔構件20、20之間的狹縫狀之間隙，而被供給至成形爐室30之下方之緩冷爐室。
此時，藉由發熱體28加熱內部間隔壁16，在經加熱之內部間隔壁16與流動於成形體14之熔融玻璃MG之間進行熱交換，熔融玻璃MG受到冷卻。
成形爐室30內之包含氧氣之環境係保持為1000℃以上、例如1200℃左右之溫度，但藉由將內部間隔壁16暴露於如此高的溫度且包含氧氣之環境，使得構成內部間隔壁16之SiC燒結體自與氧氣接觸之部分開始氧化而變為SiO2。此時，若SiC燒結體之開氣孔率大於1%，則氧化不僅容易自表面而且容易自內部進行。於已進行內部氧化之場所，體積增加，故而會引起變形或進一步引起破裂。尤其是於在成形爐室30內形成高溫黏性較高之無鹼玻璃或包含微量鹼金屬之含微量鹼之玻璃的情形時，必須將成形爐室30內之溫度保持為高於先前之溫度。若使成形爐室30內之溫度高於先前，則會促進內部間隔壁16之變形，引起破裂。SiC燒結體係耐高溫、而且耐熱性或耐氧化性優異之材料。然而，SiC燒結體與氧氣反應之氧化起始溫度約為700℃，若處於該溫度以上則開始氧化，引起變形或進一步引起破裂。成形爐室30內之溫度如上所述為1000℃以上，故而SiC燒結體於成形爐室30內容易氧化。
於本實施形態中，內部間隔壁16係使用開氣孔率為1%以下之SiC燒結體。因此，與包含氧氣之高溫之環境接觸的僅為表面，從而能抑制在組織內部進行SiC氧化。藉此，能抑制因內部間隔壁16之內部氧化所致之異常膨脹，而可抑制變形、表面之龜裂、破裂之產生。因 此，可防止內部間隔壁16之均熱效果降低，且提高玻璃基板之品質。又，可延長內部間隔壁16之壽命，且改善玻璃基板之生產性。又，若SiC燒結體氧化，則氧化物SiO2會完全覆蓋SiC燒結體表面而成為針對氧化之保護膜，故而能抑制內部間隔壁16之內部之氧化。
又，成形體14上之熔融玻璃MG並不與發熱體28直接進行熱交換而是介隔內部間隔壁16進行熱交換。因此，即便各發熱體28之溫度視場所而不均，亦藉由內部間隔壁16之均熱效果而幾乎不會對成形體14上之熔融玻璃MG之溫度造成其溫度不均之影響。圖4係說明發熱體28周邊之溫度分佈之圖，且係對熔融玻璃MG、內部間隔壁16及發熱體18自圖3之上方向下方觀察之圖。若發熱體28發熱，則自發熱體28發出之熱會以發熱體28為中心呈球狀地擴散，在由內部間隔壁16、水平間隔壁26及爐壁24所包圍之小空間內，形成以發熱體28為中心之球狀之溫度分佈。若呈球狀地擴散之熱到達內部間隔壁16，則熱會被內部間隔壁16吸收，熱被蓄積於內部間隔壁16。由於在內部間隔壁16存在均熱效果，故而蓄積於內部間隔壁16之熱會沿內部間隔壁16之側壁呈平面狀地釋出。因此，於內部間隔壁16內之空間內，沿內部間隔壁16，至少沿熔融玻璃MG之寬度方向形成有大致一定的溫度分佈。藉由沿該內部間隔壁16之大致一定的溫度分佈，熔融玻璃MG之溫度於熔融玻璃MG之寬度方向上變得均勻，於成形體14之最下端部14d，平板玻璃G之溫度例如約為1150℃且於寬度方向上變得均勻。
又，本實施形態之內部間隔壁16之導熱率於1200℃下為20W/(m．K)以上，更佳為25W/(m．K)以上，進而較佳為30W/(m．K)以上。因此，即便各發熱體28之溫度視場所而不均，內部間隔壁16之溫度於熔融玻璃MG之寬度方向上視場所之不均亦變少，從而溫度於熔融玻璃MG之寬度方向上容易變得均勻。即，能提高內部間隔壁16之均熱效果，使流動於成形體14之熔融玻璃MG之溫度於熔融玻璃MG之 寬度方向上更均勻地冷卻，從而提高玻璃基板之品質。
成形爐室30內之爐壁24與內部間隔壁16之間的環境係藉由發熱體28而保持為所需之溫度。另一方面，流動於成形體14之熔融玻璃MG必須伴隨流下而逐漸降低溫度。
本實施形態中，於成形爐室30之爐壁24與內部間隔壁16之間，設置有將成形爐室30分隔為上下鄰接之複數個空間之水平間隔壁26。於經水平間隔壁26分隔之複數個空間設置有複數個發熱體28，各發熱體28可獨立地控制發熱量。水平間隔壁26係由隔熱性較高之材料、例如與內部間隔壁16相比隔熱性較高之材料所構成。藉此，可將作為於成形體之表面流下之熔融玻璃之對向面的內部間隔壁面之溫度於流下方向任意變更，可對熔融玻璃於熔融玻璃之流下方向上附加所需之溫度差，從而能提高玻璃基板之品質。再者，為了對熔融玻璃於流下方向上附加所需之溫度差，亦可基於設置於成形爐室30之測溫電阻體、熱電偶等溫度感測器(未圖示)所計測出之溫度，調整發熱體28之發熱量。例如，於以溫度感測器所計測出之溫度於成形體14之兩側面14b、14b及傾斜面14c相同之情形時，藉由增加位於與兩側面14b、14b對向之位置的發熱體28之發熱量，或者抑制位於與傾斜面14c對向之位置的發熱體28之發熱量，而可在流動於兩側面14b、14b及傾斜面14c之熔融玻璃MG中於流下方向附加溫度差。
本實施形態之製造方法適於必須將成形爐內保持為高溫之情形。具體而言，適於成形爐內為1000℃以上之情形，進而適於1200℃以上之情形，尤其適於1300℃以上之情形。
於使用高溫黏性較大之玻璃(熔融玻璃)製造玻璃基板之情形時，必須將成形爐內保持為高溫，因此，本實施形態適於使用高溫黏性較大之玻璃(熔融玻璃)製造玻璃基板時。具體而言，本實施形態適於使用在玻璃(熔融玻璃)之黏度為105泊時為1000℃以上之玻璃(熔融玻 璃)製造玻璃基板時。又，黏度為105泊時之熔融玻璃之溫度之上限例如為1700℃。
又，無鹼玻璃或包含微量鹼金屬之含微量鹼之玻璃之高溫黏性較高，因此，本實施形態適於製造由無鹼玻璃或含微量鹼之玻璃所構成之玻璃基板的情形。作為無鹼玻璃之一例，以質量%表示，可列舉以下組成範圍之玻璃基板。
含有SiO2：50~70%、Al2O3：0~25%、B2O3：1~15%、MgO：0~10%、CaO：0~20%、SrO：0~20%、BaO：0~10%、RO：5~30%(其中，R為Mg、Ca、Sr及Ba之合量)之無鹼玻璃。
再者，如上所述，玻璃基板亦可為包含微量鹼金屬之含微量鹼之玻璃。於含有鹼金屬之情形時，較佳為包含R'2O之合計為0.10%以上且0.5%以下、較佳為0.20%以上且0.5%以下(其中，R'為選自Li、Na及K中之至少1種，為玻璃基板含有者)。當然，R'2O之合計亦可未達0.10%。即，本發明適於製造使用有無鹼玻璃或微量鹼之玻璃基板之平板顯示器之情形。
以上，對本發明之實施形態詳細地進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態，亦可於不脫離本發明之主旨之範圍內進行各種改良或變更。
[實施例]
使用在上述實施形態中已說明之玻璃基板製造裝置，製造玻璃基板。作為內部間隔壁，使用有SiC之含有率為99wt%、導熱率於 1200℃下為25W/(m．K)、開氣孔率為1%之高密度的燒結SiC。
於開始使用內部間隔壁後2年以內，未出現因內部間隔壁之氧化膨脹而導致變形之事例，能穩定地製造玻璃基板。
使用上述實施形態中已說明之玻璃基板之製造裝置，製造玻璃基板。作為內部間隔壁，使用有SiC之含有率為98wt%、導熱率於1200℃下為30W/(m．K)、開氣孔率為0.6%之高密度之燒結SiC。
使用上述實施形態中已說明之玻璃基板之製造裝置，製造玻璃基板。作為內部間隔壁，使用有SiC之含有率為95wt%、導熱率於1200℃下為35W/mK、開氣孔率為0.5%之高密度的燒結SiC。
於開始使用內部間隔壁後3年以內，未發現因內部間隔壁之氧化膨脹導致變形之事例，能穩定地製造玻璃基板。
[比較例]
作為內部間隔壁，使用有SiC之含有率為74wt%、導熱率於350℃下為12.6W/(m．K)、開氣孔率為14.6%之氮矽鍵SiC，除此以外，與實施例同樣地製造玻璃基板。
於開始使用內部間隔壁後約18個月後，因內部間隔壁之氧化膨脹所致之變形變大至無法容許之程度，以30%左右之頻度產生必需更換內部間隔壁者。
根據以上結果，上述實施形態之效果明確。
14‧‧‧成形體
14b‧‧‧側面
14c‧‧‧傾斜面
14d‧‧‧最下端部
16‧‧‧內部間隔壁
18‧‧‧溝槽部
20‧‧‧分隔構件
22‧‧‧冷卻輥
24‧‧‧爐壁
26‧‧‧水平間隔壁
28‧‧‧發熱體
30‧‧‧成形爐室
300‧‧‧成形裝置
G‧‧‧平板玻璃
MG‧‧‧熔融玻璃

Claims (6)

  1. 一種玻璃基板之製造方法，其特徵在於：其係具有利用下拉法使熔融玻璃成形為平板玻璃之步驟者，且於成形爐室設置發熱體、上述成形體、及分隔上述發熱體與上述成形體之內部間隔壁，上述內部間隔壁係使用開氣孔率為1%以下之SiC燒結體，藉由上述發熱體並介隔上述內部間隔壁而將流動於上述成形體之上述熔融玻璃加熱。
  2. 如請求項1之玻璃基板之製造方法，其中上述內部間隔壁之導熱率於1200℃下為20W/(m．K)以上。
  3. 如請求項1或2之玻璃基板之製造方法，其中上述熔融玻璃係於105泊(poise)之黏度時為1000℃以上。
  4. 如請求項1至3中任一項之玻璃基板之製造方法，其中上述玻璃基板為無鹼玻璃或含微量鹼之玻璃。
  5. 如請求項1至4中任一項之玻璃基板之製造方法，其中將上述成形爐室之爐壁與上述內部間隔壁之間的空間利用水平間隔壁區劃為上下鄰接之複數個小空間，且於上述小空間之各者配置上述發熱體。
  6. 如請求項5之玻璃基板之製造方法，其係以上述內部間隔壁之面向上述成形體之側之壁面的溫度隨著向上述熔融玻璃流動之方向前進而溫度下降的方式，調整上述發熱體之發熱量。
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