CN108395279B - 化学气相共沉积法制备HfC-SiC复相梯度涂层的方法 - Google Patents
化学气相共沉积法制备HfC-SiC复相梯度涂层的方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及一种化学气相共沉积法制备HfC‑SiC复相梯度涂层的方法,采用化学气相共沉积技术在C/C复合材料表面沉积HfC‑SiC复相梯度涂层。本发明方法制备的HfC‑SiC复相梯度涂层通过控制涂层中的组织成分,实现了热膨胀系数的梯度分布,从根本上解决了涂层与基体之间的热膨胀系数不匹配。所制备的涂层与基体结合良好,可实现组织成分的控制,并且化学气相共沉积工艺制备周期短、工艺过程简单,成本低。通过本发明在C/C复合材料表面制备的HfC‑SiC复相梯度涂层表面无裂纹,涂层与基体结合强度良好。
Description
技术领域
本发明属于HfC-SiC复相梯度涂层的制备方法,涉及一种化学气相共沉积法制备HfC-SiC复相梯度涂层的方法。
背景技术
炭/炭(C/C)复合材料具有密度低、高比强度、高比模量、热膨胀系数低,优异的耐烧蚀及高温力学性能等独特性质,是最为理想的高温结构材料之一,在航空、航天等领域的极端环境中具有极其广阔的应用前景。然而,在极端服役环境下C/C复合材料不仅易氧化,而且表现出抗烧蚀能力不足,且该材料的氧化烧蚀速率随着温度的升高而迅速增加,其氧化烧蚀将会导致该材料的力学性能大幅度下降。高温易氧化以及抗烧蚀性能不足是C/C复合材料作为高温热结构材料使用最难突破的瓶颈,涂层技术是解决该问题的有效手段。
目前研制的大多数C/C复合材料防护涂层为硅化物涂层,使用温度一般在1700℃以下,距其在高温高速冲刷苛刻环境中的实际应用还存在较大差距。研究表明,对于更高温度的防护,必须采用难熔的碳化物材料,以此提高C/C复合材料的抗氧化能力、降低烧蚀率、承受更高的温度和更长的工作时间。在碳化物中,HfC熔点为3890℃,是已知熔点最高的化合物,具有高硬度、高化学稳定性、优异的抗热冲击和抗烧蚀性能,是C/C复合材料理想的涂层材料。然而,HfC涂层与C/C复合材料之间较大的热膨胀不匹配(αHfC≈6.73×10-6K-1,αC/C≈1.0×10-6K-1),倘若将其直接应用在C/C复合材料表面,很容易导致涂层的开裂甚至剥落。
为了克服上述缺点,缓解HfC涂层与C/C基体之间的热膨胀不匹配,王雅雷等人通过调控涂层制备工艺参数,制备了多孔结构HfC涂层,与致密的HfC涂层相比,多孔结构可有效释放涂层中的热应力,表现出良好的抗烧蚀性能,但涂层的力学性能降低[Ya-Lei Wang,et al.Ablation behavior of HfC protective coatings for carbon/carboncomposites in an oxyacetylene combustion flame.Corrosion Sience,2012,pages545-555]。研究人员利用增韧机理开发了一系列纳米线增强HfC涂层,褚衍辉等人采用SiC纳米线增韧HfC涂层[Yan-Hui Chu,et al.Microstructure and mechanical propertiesof ultrafine bamboo-shaped SiC rod-reinforced HfC ceramic coating.Surface&Coatings Technology,2013,pages 577-581],任金翠等人采用制备了HfC纳米线增韧HfC纳米线增韧HfC涂层[Jin-Cui Ren,et al.Ablation resistance of HfC coatingreinforced by HfC nanowires in cyclic ablation environment.Journal of TheEuropean Ceramic Society,2017,pages2759-2768],因SiC、HfC纳米线具有优异的力学性能,引入纳米线后,抑制了涂层中裂纹的扩展,但依然无法从根本上解决涂层与基体之间的热失配问题。王永杰等人通过复合涂层设计,采用SiC(αSiC≈5×10-6K-1)作为内涂层来缓解涂层的热膨胀失配,所制备的HfC/SiC复合涂层[Ablative property of HfC-basedmultilayer coating for C/C composites under oxyacetylene torch.AppliedSurface Science,2011,257(10):4760-4763]表面的裂纹数量和尺寸都有所降低,保证了涂层体系良好的抗烧蚀性能。然而外涂层与内涂层、涂层与基体之间的热膨胀系数仍然存在差异,无法避免因贯穿性裂纹的生成导致的涂层失效。
发明内容
要解决的技术问题
为了避免现有技术的不足之处,本发明提出一种化学气相共沉积法制备HfC-SiC复相梯度涂层的方法,克服涂层与C/C复合材料之间的热膨胀不匹配问题。
本发明采用化学气相共沉积技术在C/C复合材料表面沉积HfC-SiC复相梯度涂层。本发明可以制备出厚度均匀,结构致密,组织成分可控的HfC-SiC复相梯度涂层,并且化学气相共沉积工艺设备简单,反应周期短,成本低,具有广阔的发展前景。
技术方案
一种化学气相共沉积法制备HfC-SiC复相梯度涂层的方法,其特征在于步骤如下:
步骤1:将C/C复合材料表面打磨抛光后清洗,并于烘箱中烘干;
步骤2:采用一束3K炭纤维绳将步骤1中的C/C复合材料悬挂于等温化学气相沉积ICVD炉中,将HfCl4粉放置于悬挂的C/C复合材料上方CVD炉的送粉装置中;
步骤3:硅粉放置于悬挂的C/C复合材料下方的CVD炉储料器中;
步骤4:通电后,以5~12℃/min的升温速率将CVD炉内温度升温至1200~1500℃;然后以600~1000ml/min的流量向炉膛内通入氢气,以100~200ml/min的流量向炉膛内通入甲烷或以50~100ml/min的流量向炉膛内通入丙烯,以100~500ml/min的流量向炉膛内通入氩气,真空度保持在5~15kPa,并在该温度下保温5~10h,随后关闭电源自然降温,在C/C复合材料表面制备HfC-SiC复相梯度涂层;
所述整个降温过程通入氩气保护。
有益效果
本发明提出的一种化学气相共沉积法制备HfC-SiC复相梯度涂层的方法,HfC熔点是已知熔点最高的化合物,具有高硬度、高化学稳定性、优异的抗热冲击和抗烧蚀性能,是C/C复合材料理想的涂层材料。然而,HfC涂层与C/C复合材料之间较大的热膨胀不匹配,倘若将其直接应用在C/C复合材料表面,很容易导致涂层的开裂甚至剥落。梯度涂层可从根本上解决热膨胀系数不匹配问题。梯度涂层通过控制涂层中的组织成分,实现热膨胀系数梯度分布,达到缓和热应力避免裂纹产生的目的。本发明采用化学气相共沉积法制备HfC-SiC复相梯度涂层,且通过本发明在C/C复合材料表面制备的HfC-SiC复相梯度涂层表面无裂纹,涂层与基体结合强度良好。
从图1中可知HfC-SiC复相梯度涂层表面颗粒大小均匀且无裂纹,涂层由HfC和SiC相组成。从图2中可知涂层中存在白色和灰色两种相,根据EDS和XRD分析,白色相为HfC,灰色相为SiC。Hf含量随着涂层厚度的增加含量逐渐增加,Si含量随着涂层厚度的增加含量逐渐降低。通过逐步增加热膨胀系数大的HfC组分,使得涂层热膨胀系数逐步增加,有效缓解了涂层中的热应力。此外,大量的白色相和灰色相形成更多的相界面,这些相界面的形成也可以进一步缓解涂层中的热应力,减少涂层中因热应力生成裂纹的机率。另外,涂层厚度较为均匀,并与基体结合紧密,没有明显的界面。
附图说明
图1:化学气相共沉积系统示意图
图2:化学气相共沉积HfC-SiC复相梯度涂层的表面背散射电子照片及XRD图谱
图3:化学气相共沉积HfC-SiC复相梯度涂层背散射截面背散射电子照片及EDS面扫描能谱
具体实施方式
现结合实施例、附图对本发明作进一步描述:
实施例1:
选用密度为1.75g/cm3的C/C复合材料作为基体,选用HfCl4,CH4/C3H6,Si作为前驱体,利用化学气相共沉积技术在1500℃下,以H2为还原气体,Ar为稀释和保护气进行制备HfC-SiC复相梯度涂层。
将制备好的C/C基体利用340目湿式砂纸进行打磨,然后使用去离子水在常温下(25℃)进行超声清洗5min,清洗两次后置于温度为80℃的鼓风式烘箱中烘干4h,取出备用。将准备好的C/C基体置于立式等温化学气相沉积炉的等温区间内,再将HfCl4粉放置于送料装置中,将Si粉放置于等温区下方储料器中(如图1所示),设置沉积温度为1500℃,升温速率为7.0℃/min保证全程炉腔内压力稳定在30-90kPa,升温过程Ar流量为800ml/min。待升至1500℃,打开送粉装置保证HfCl4速率为0.6g/min,并且每隔2h送粉速率在原来基础上增大0.2g/min,调节H2,CH4/C3H6,Ar,使得流量分别为300ml/min,80ml/min/40ml/min,60ml/min。保证沉积压力为30-90kpa,沉积时间为8h。沉积结束将H2,CH4/C3H6,HfCl4关闭,Ar调节至600ml/min进行降温,待温度降至300℃以下,关闭Ar并关闭出气口,保证炉体处于真空状态降温,关闭真空泵,断电降温。即可得到HfC-SiC复相梯度涂层。
实施例2:
选用密度为1.75g/cm3的C/C复合材料为基体,选用HfCl4,CH4/C3H6,Si作为前驱体,利用化学气相共沉积技术在1400℃下,以H2为还原气体,Ar为稀释和保护气进行制备HfC-SiC复相梯度涂层。
将制备好的C/C基体利用340目湿式砂纸进行打磨,然后使用去离子水在常温下(25℃)进行超声清洗5min,清洗两次后置于温度为80℃的鼓风式烘箱中烘干4h,取出备用。将准备好的C/C基体置于立式等温化学气相沉积炉的等温区间内,再将HfCl4粉放置于送料装置中,将Si粉放置于等温区下方储料器中(如图1所示),设置沉积温度为1400℃,升温速率为7.0℃/min,保证全程炉腔内压力稳定在30-90kpa,升温过程Ar流量为800ml/min。待升至1400℃,打开送粉装置保证HfCl4速率为0.6g/min,并且每隔2h送粉速率在原来基础上增大0.2g/min,调节H2,CH4/C3H6,Ar,使得流量分别为300ml/min,80ml/min/40ml/min,60ml/min。保证沉积压力为30-90kpa,沉积时间为8h。沉积结束将H2,CH4/C3H6,HfCl4关闭,Ar调节至600ml/min进行降温,待温度降至300℃以下,关闭Ar并关闭出气口,保证炉体处于真空状态降温,关闭真空泵,断电降温。即可得到HfC-SiC复相梯度涂层。
实施例3:
选用密度为1.75g/cm3的C/C复合材料作为基体,选用HfCl4,CH4/C3H6,Si作为前驱体,利用化学气相共沉积技术在1300℃下,以H2为还原气体,Ar为稀释和保护气进行制备HfC-SiC复相梯度涂层。
将制备好的C/C基体利用340目湿式砂纸进行打磨,然后使用去离子水在常温下(25℃)进行超声清洗5min,清洗两次后置于温度为80℃的鼓风式烘箱中烘干4h,取出备用。将准备好的C/C基体置于立式等温化学气相沉积炉的等温区间内,再将HfCl4粉放置于送料装置中,将Si粉放置于等温区下方储料器中(如图1所示)设置沉积温度为1300℃,升温速率为7.0℃/min,保证全程炉腔内压力稳定在30-90kpa,升温过程Ar流量为800ml/min。待升至1300℃,打开送粉装置保证HfCl4速率为0.6g/min,并且每隔2h送粉速率在原来基础上增大0.2g/min,调节H2,CH4/C3H6,Ar,使得流量分别为300ml/min,80ml/min/40ml/min,60ml/min。保证沉积压力为30-90kpa,沉积时间为8h。沉积结束将H2,CH4/C3H6,HfCl4关闭,Ar调节至600ml/min进行降温,待温度降至300℃以下,关闭Ar并关闭出气口,保证炉体处于真空状态降温,关闭真空泵,断电降温。即可得到HfC-SiC复相梯度涂层。
所有实施例中,HfCl4粉、硅粉的纯度大于99.90%,甲烷气体纯度大于99.90%。氢气和氩气纯度大于99.999%。
Claims (1)
1.一种化学气相共沉积法制备HfC-SiC复相梯度涂层的方法,其特征在于步骤如下:
步骤1:将C/C复合材料表面打磨抛光后清洗,并于烘箱中烘干;
步骤2:采用一束3K炭纤维绳将步骤1中的C/C复合材料悬挂于等温化学气相沉积ICVD炉中,将HfCl4粉放置于悬挂的C/C复合材料上方CVD炉的送粉装置中;HfCl4的送粉速率为0.6g/min,并且每隔2h送粉速率在原来基础上增大0.2g/min;
步骤3:硅粉放置于悬挂的C/C复合材料下方的CVD炉储料器中;
步骤4:通电后,以5~12℃/min的升温速率将CVD炉内温度升温至1200~1500℃;然后以600~1000ml/min的流量向炉膛内通入氢气,以100~200ml/min的流量向炉膛内通入甲烷或以50~100ml/min的流量向炉膛内通入丙烯,以100~500ml/min的流量向炉膛内通入氩气,真空度保持在5~15kPa,并在该温度下保温5~10h,随后关闭电源自然降温,在C/C复合材料表面制备HfC-SiC复相梯度涂层;
所述整个降温过程通入氩气保护;
Hf含量随着涂层厚度的增加含量逐渐增加,Si含量随着涂层厚度的增加含量逐渐降低,通过逐步增加热膨胀系数大的HfC组分,使得涂层热膨胀系数逐步增加;
所述HfCl4粉和硅粉的纯度大于99.90%;
所述甲烷气体纯度大于99.90%;
所述氢气和氩气纯度大于99.999%。
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