CN108352356A - 模制电路基底 - Google Patents

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Abstract

模制电路基底包括由绝缘侧壁包围的导电层。所述绝缘侧壁还提供用于其中结合有所述模制电路基底的电子模块的结构部件。因此，所述模制电路基底可以允许具有更好的性能、减小电子模块厚度并降低制造成本。用于制造模制电路基底的方法可以促进对绝缘侧壁、绝缘分隔件、电触点以及其他部件的精确定位。

Description

模制电路基底
公开领域
本公开总体涉及耐用的电子模块基底。
背景
电子模块通常以各种方式机械安装在印刷电路板(PCB)上。例如，电子模块可以包括侧壁，所述侧壁随后通过粘合剂安装并固定到PCB。PCB还可以对模块内的电子部件提供机械支撑，并且可以使用从层压到电绝缘基底(例如，玻璃纤维增强环氧树脂)上的导电片(例如，铜)蚀刻得到的导电轨道和衬垫以及其他特征来电连接各种电子部件。电连接件也可以结合到由多个平面层组成的PCB中，例如，具有通过电绝缘层包覆在每个侧面上的导电层的PCB。这种组件的任一侧上的部件或触点可以通过电镀通孔电连接。由于PCB内的电绝缘层(例如，玻璃纤维增强环氧树脂)还是热绝缘的，所以电子部件(例如，激光二极管)可以产生可能积聚在电子模块内的热量。
在一些情况下，热量的积聚导致电子模块或电子模块的部分的温度上升到足以损坏模块内的敏感部件的水平。在一些情况下，热量的积聚导致电子模块内的部件变得失准(例如，由于模块内的部件的热膨胀)。这些影响可能会显著降低模块性能。
结合到PCB中的过孔的制造可能引起另外的问题。过孔通常结合到具有通过电绝缘层包覆在每个侧面上的至少单个导电层的PCB中。然后通过从相对侧钻孔穿过绝缘层并且进入到孔所理想地会合的导电层来制造过孔。然而，可能会发生失准，使得孔不能够如所预期地会合。此外，钻孔过程可能是昂贵且耗时的制造步骤。因此，在没有钻孔步骤的情况下制造电连接件可以降低成本并提高制造效率。
当电子模块机械固定到PCB并在高温下运行时，可能会出现另外的问题。例如，当PCB固定(例如，通过粘合剂)到部件时，绝缘层与固定部件之间的热膨胀系数的差异可能在运行期间在电子模块中引起显著的应力或故障点。这对于在操作期间需要稳定尺寸的电子模块(诸如，透镜通常被精确对准到电子元件的光电模块)可能尤其是个问题。
PCB可能引起其他挑战。例如，通常将其中结合有电子模块的主机设备(例如，智能电话)设计和制造成尽可能薄(即，超薄)。因此，结合到这些超薄主机设备中的电子模块也必须尽可能薄。然而，PCB可能对这类电子模块的整体厚度有显著贡献，从而限制它们与超薄主机设备的兼容性。尽管在一些情况下，PCB可以被制造成具有超薄尺寸，但是它们也可能过于脆弱或者不耐用，从而使处理在制造过程中变得困难。另外，由于存在过孔，所以通过使具有更典型厚度的PCB原位变薄来避免使用超薄PCB的尝试没有成功。过孔可能使加工努力加重，从而限制PCB的厚度可以被定制的程度。
概述
本公开描述模制电路基底，其在一些实现方式中克服了上述PCB的问题和限制。例如，在一方面，模制电路基底包括绝缘侧壁和导电层，导电层由绝缘侧壁包围，并且绝缘侧壁限定导电层的电隔离区域。绝缘侧壁还限定电子模块内的结构部件。在这类实现方式中，绝缘侧壁具有双重功能：勾画导电层的电隔离区域和勾画电子模块内的结构部件。在一些情况下，可以降低热应力。在一些情况下，可以将模制电路基底制造成超薄的。在一些情况下，可以将其中结合有模制电路基底的电子模块制造成超薄的。在有源部件电连接到导电层的区域的情况下，可以避免制造过程中的失准，诸如在制造过孔的过程中可能发生的失准。
在另一方面，绝缘侧壁的结构部件限定其中结合有模制电路基底的光电模块中的非透明侧壁。在这类实现方式中，例如由于对导电层提供电隔离区域(即，它们包围导电层)并且还对非透明侧壁提供结构部件，从而允许优越地控制进入和/或离开光电模块的杂散光，所以绝缘侧壁可能是有利的。
一些实现方式包括以下特征中的一个或多个。例如，结构部件可以限定透明包覆模制件的横向尺寸。在一些情况下，透明包覆模制件包括光学元件。在一些情况下，透明包覆模制件包括滤光器。在这类实现方式中，例如因为在许多情况下导电层还可以包括有源(发热部件)，所以包覆模制件和模制电路基底可以提供优点。在这类情况下，包覆模制件可以防止从有源部件产生的热量的充分耗散；因此，在这类情况下，由于促进了对光电模块的热量的耗散，所以导电层可能是有利的。
在一些实现方式中，模制电路基底还包括安装在导电层的表面上的有源光电部件。在一些情况下，有源光电部件包括以下中的至少一个：激光二极管、发光二极管、光电二极管、激光二极管阵列、发光二极管阵列和/或光电二极管阵列。
在一些情况下，模制电路基底还包括光学元件，并且结构部件还限定其上安装有光学元件的基底。在一些情况下，结构部件还限定光学元件与导电层之间的间距。在这类实现方式中，模制电路基底可以提供优点，其中绝缘侧壁的结构部件可以限定光学元件与导电层之间的间距；例如，在这类情况下，因为绝缘侧壁对导电层提供电隔离区域并且对光学元件与导电层之间的间距提供结构部件，所以可以更好地控制和预测间距(例如，在其中结合有模制电路基底的模块的工作温度变化的情况下)。
在一些情况下，模制电路基底还包括绝缘分隔件。绝缘分隔件可以限定导电层的电隔离区域。
在又一方面，描述一种用于制造多个模制电路基底的方法。所述方法包括：将导电层安装到抗蚀刻基底上；将光致抗蚀剂涂覆到所述导电层；选择性地固化所述导电层上的所述光致抗蚀剂以形成勾画多个绝缘侧壁的横向尺寸的图案；将所述光致抗蚀剂从所述导电层去除，使得所述去除的光致抗蚀剂限定所述绝缘侧壁的横向尺寸；蚀刻所述导电层；将所述固化的光致抗蚀剂从所述导电层剥除；将侧壁工具安装到所述导电层，所述侧壁工具包括勾画多个绝缘侧壁的腔体；用不透明的可模制材料填充勾画所述多个绝缘侧壁的所述腔体；固化所述不透明的可模制材料；将所述侧壁工具从所述导电层和所述固化的不透明可模制材料去除，所述固化的可模制材料是所述多个绝缘侧壁；电镀所述导电层；以及将多个有源部件安装到所述导电层。在这类实现方式中，用于制造模制电路基底的方法可能是有利的。例如，通过在将绝缘侧壁固化之后研磨导电层的表面，可以进一步定制模制电路基底的尺寸(例如，厚度)。在一些情况下，固化的绝缘侧壁提供足够的机械稳定性以允许研磨导电层的表面。
在一些实现方式中，一种用于制造多个模制电路基底的方法还包括：将包覆模制件工具安装到所述多个绝缘侧壁，其中所述包覆模制件工具包括勾画多个包覆模制件的腔体；用透明的可模制材料填充勾画所述多个包覆模制件的所述腔体；固化所述透明的可模制材料；以及将所述包覆模制件工具从所述固化的不透明可模制材料和透明可模制材料去除。在一些情况下，用于制造多个模制电路基底的方法还包括穿过绝缘侧壁进行切割。
在又一方面，用于制造多个模制电路基底的方法包括：将导电层安装到抗蚀刻基底上；将光致抗蚀剂涂覆到所述导电层；选择性地固化所述导电层上的所述光致抗蚀剂以形成勾画多个绝缘侧壁的横向尺寸的图案；将所述光致抗蚀剂从所述导电层去除，使得所述去除的光致抗蚀剂限定所述绝缘侧壁的横向尺寸；蚀刻所述导电层；将所述固化的光致抗蚀剂从所述导电层剥除；将平面工具安装到所述导电层，所述平面工具是基本上平坦的，并且勾画多个绝缘分隔件腔体；用不透明的可模制材料填充所述绝缘分隔件腔体；固化所述不透明的可模制材料；将所述平面工具从所述导电层和所述固化的不透明可模制材料去除，所述固化的可模制材料是所述多个绝缘分隔件腔体；将侧壁工具安装到所述导电层，所述侧壁工具包括勾画多个绝缘侧壁的腔体；用不透明的可模制材料填充勾画所述多个绝缘侧壁的所述腔体；固化所述不透明的可模制材料；将所述侧壁工具从所述导电层和所述固化的不透明可模制材料去除，所述固化的可模制材料是所述多个绝缘侧壁；电镀所述导电层；以及将多个有源部件安装到所述导电层。
其他方面、特征和优点将通过以下详细描述、附图和权利要求书变得容易理解。
附图简述
图1A-图1H描绘用于制造多个模制电路基底的示例步骤。
图2A-图2B描绘其中结合有模制电路基底的示例光电模块。
图3描绘展示用于制造多个模制电路基底的示例步骤的流程图。
具体实施方式
图1A-图1H描绘用于制造多个模制电路基底的示例步骤和其中结合有模制电路基底的示例光电模块。图1A描绘包括导电层101的组件100，诸如由铜、镍、铝或任何其他导电且导热的金属或合金组成的层。在一些情况下，导电层101可以为几微米厚，在其他情况下，导电层可以多至50μm厚，而在另外的其他情况下，导电层可以多至100μm厚。可以将导电层101安装到抗蚀刻基底102以用于机械支撑。例如，抗蚀刻基底102可以是耐酸胶带，其中这种胶带的粘附性能可以在例如暴露于紫外辐射的情况下定制。图1A还描绘安装到导电层101的表面上的光致抗蚀剂103。在一些实现方式中，可以选择性地固化光致抗蚀剂，其中将未固化的光致抗蚀剂去除(图1A中所描绘的光致抗蚀剂103的状态)。在其他实现方式中，可以使用光致抗蚀剂的替代物，例如，可以将另一种材料选择性地沉积到导电层101的表面上。可以将光致抗蚀剂(一般来说，即，光刻法)图案化成具有较小的公差(例如，仅几微米)；因此，光刻法可以适用于要求小公差的一些实现方式，诸如与高性能光电模块成一整体的模制电路基底。将图1A中所描绘的组件暴露于诸如酸的蚀刻溶液。蚀刻溶液将导电层的部分选择性地去除，如图1B中所描绘。
图1B描绘在图1A中的组件100经受蚀刻溶液之后安装在抗蚀刻基底102上的具有去除部分104的导电层101。通过蚀刻溶液去除导电层104的部分，随后勾画导电层103的电隔离区域。
图1C描绘与导电层102接触的侧壁工具105。侧壁工具105可以由诸如聚二甲基硅氧烷(PDMS)的弹性材料组成。侧壁工具105包括勾画绝缘侧壁的腔体106。在一些实现方式中，侧壁工具105还包括勾画绝缘分隔件的腔体107。侧壁工具105还包括用于对可模制材料(诸如液体(可固化)聚合物和/或环氧树脂(如由图1C中的箭头所指示))进行导电的导管108。在一些实现方式中，可模制材料可以是不透明的，例如含有无机或有机填料(诸如炭黑)的环氧树脂。
图1D描绘与导电层101接触的平面工具109。平面工具109可以由诸如聚二甲基硅氧烷(PDMS)的弹性材料组成。平面工具109可以是基本上平坦的，其中导电层104的去除部分限定腔体，腔体勾画绝缘分隔件。在一些实现方式中，平面工具109还包括用于对可模制材料(诸如液体(可固化)聚合物和/或环氧树脂)进行导电的导管108，而在其他实现方式中，平面工具不需要包括另外的导管，导电层的去除部分进一步勾画用于对如上所述的可模制材料进行导电的导管。在一些实现方式中，可模制材料可以是不透明的，例如含有无机或有机填料(诸如炭黑)的环氧树脂。
图1E描绘在固化上述可模制材料之后的多个模制电路基底。模制电路基底可以包括多个固化的绝缘侧壁111，而在其他实现方式中，模制电路基底可以包括多个固化的绝缘侧壁111和多个绝缘分隔件112(如图1D中所描绘)。在另外的一些实现方式中，模制电路基底110可以包括多个绝缘分隔件112(例如，由于使用了图1D中所描绘的平面工具)。例如，绝缘侧壁111可以在一些实现方式中提供优点；在模制电路基底110实现在光电模块中的实现方式中，绝缘侧壁111可以在导电层103的区域之间提供电隔离，同时还将安装在导电层103的隔离区域上的有源部件与杂散光隔离。
图1F描绘图1E中所描绘的组件，其中增加了安装的有源部件113，诸如激光二极管、发光二极管、光电二极管、激光二极管阵列、发光二极管阵列和/或光电二极管阵列等。
图1G描绘包括具有多个包覆模制件114的模制电路基底的组件。在一些实现方式中，多个包覆模制件114还可以包括光学元件115。
图1H描绘结合到多个光电模块中的多个模制电路基底，其中可以对所述多个进行切割(或以其他方式分离)，从而形成离散的光电模块(如由虚线所指示)。
图2A-图2B描绘其中结合有模制电路基底的示例光电模块。图2A描绘单通道光电模块200A的实例。单通道光电模块200A包括模制电路基底201A。模制电路基底包括由绝缘侧壁203A包围的导电层202A。导电层可以例如由铜、镍、铝或具有显著导热性和导电性的其他金属或合金组成。模制电路基底201A还包括绝缘分隔件204A。绝缘分隔件204A对导电层202A提供多个电隔离区域205A。单通道光电模块200A还包括通过电连接件207A电连接到多个电隔离区域205A的有源部件206A。有源部件206A可以是例如发光二极管、激光二极管、光电二极管、发光二极管阵列、激光二极管阵列(例如，垂直腔面发射激光器阵列)和/或光电二极管阵列(诸如电荷偶合器件阵列和/或互补金属氧化物半导体阵列等)。单通道光电模块200A还包括包覆模制件208A。包覆模制件208A可以由基本上透明的材料(诸如光学环氧树脂或聚合物)组成，所述材料允许对有源部件206A进行最佳运行。单通道光电模块还可以包括与有源部件206A一起安装并对准的光学元件209A。在此实现方式中，绝缘侧壁203A还可以提供结构部件。例如，绝缘侧壁203A可以限定包覆模制件208的横向尺寸。另外，绝缘侧壁203A可以对光的波长(诸如有源部件206A对其敏感和/或发射的波长)基本上不透明。例如，绝缘侧壁203A可以由其中结合有基本上不透明的填充物(诸如炭黑)的环氧树脂组成。在一些实现方式中，单通道光电模块可操作以充当光发射器(例如，可能用于结构化光应用的光投射器)，而在其他实现方式中，单通道光电子模块可操作以充当光敏模块(例如像，成像器或相机)。
图2B描绘多通道光电模块200B的实例。多通道光电模块200B包括模制电路基底201B。模制电路基底201B包括由绝缘侧壁203B包围的导电层202B。模制电路基底201B还包括绝缘分隔件204B。绝缘分隔件204B对导电层202B提供多个电隔离区域205B。多通道光电模块200B还包括通过电连接件207B电连接到多个电隔离区域205B的有源部件206B。多通道光电模块200B还可以包括安装在光学元件基底210B中的光学元件209B，所述光学元件209B与相应的有源部件206B一起安装并对准。在此实现方式中，绝缘侧壁203B还可以提供结构部件。例如，绝缘侧壁203B可以限定光学元件与相应的有源部件206B之间的间距211B。另外，绝缘侧壁203B可以对光的波长(诸如有源部件206B对其敏感和/或发射的波长)基本上不透明。在一些实现方式中，有源部件206B可以是例如发光二极管、激光二极管、光电二极管、发光二极管阵列、激光二极管阵列(例如，垂直腔面发射激光器阵列)。在这类实现方式中，多通道光电模块中的相邻通道可以包括有源部件206B，所述有源部件206B可以是例如光电二极管和/或光电二极管阵列(诸如电荷耦合器件阵列和/或互补金属氧化物半导体阵列等)。在一些实现方式中，多通道光电模块可操作以充当邻近检测器，而在其他实现方式中，多通道光电模块可操作以充当3D成像相机(诸如飞行时间相机)。
图3描绘展示用于制造多个模制电路基底的示例步骤的流程图300。在步骤301中，将导电层安装到抗蚀刻基底(诸如粘合剂、UV-可固化胶带)。在后续步骤302中，例如通过喷涂、旋涂或者通过对于本公开所属领域的技术人员是明白易懂的另一种方法将光致抗蚀剂涂覆到导电层。在后续步骤303中，将光致抗蚀剂选择性地暴露于辐射(诸如紫外辐射)。例如，在一些情况下，可以使用具有图案的掩模来将光致抗蚀剂选择性地暴露于辐射。在后续步骤304中，在显影步骤中去除未固化的光致抗蚀剂。在后续步骤305中，用蚀刻溶液(诸如强酸)蚀刻导电层。在后续步骤306中，可以用例如1-甲基-2-吡咯啶酮、二甲基亚砜、碱性溶液和/或氧等离子将固化的光致抗蚀剂剥离。在后续步骤307中，相对于导电层安装侧壁工具，其中侧壁工具包括在导电层内勾画绝缘侧壁和/或绝缘分隔件的腔体。在后续步骤308中，用可模制材料填充侧壁工具中的腔体。在一些实现方式中，可模制材料在固化时基本上不透明。在后续步骤309中，例如通过紫外辐射和/或加热来固化可模制材料。在后续步骤310中，将侧壁工具从导电层和固化的可模制材料去除。固化的可模制材料限定绝缘侧壁和/或绝缘分隔件。在后续步骤311中，例如用诸如金、钯等金属对导电层进行电镀，以保护导电表面免于劣化并改善导电性。在后续步骤312中，将有源部件(例如，光电二极管、激光二极管、发光二极管)电安装(例如，焊接)到导电层。在后续步骤313中，将包覆模制件工具安装到绝缘侧壁，其中包覆模制件工具包括部分地勾画包覆模制件尺寸的腔体。另外，在一些实现方式中，包覆模制件工具可以包括勾画光学元件的腔体。在后续步骤314中，用透明的可模制材料填充包覆模制件工具中的腔体。在后续步骤315中，例如用紫外线和/或热量来固化可模制材料。在后续步骤316中，将包覆模制件工具从绝缘侧壁去除。在后续步骤317中，对绝缘侧壁进行切割，从而产生其中结合有模制电路基底的离散电子模块。
以上实例中所描述的模制电路基底及其制造还可以包括以上未进行描述的其他特征。在一些实现方式中，可以省略一些步骤和/或可以包括其他附加步骤。另外，尽管本发明已经关于各种实例进行了详细描述，但是其他实现方式可以包括各种公开的特征的组合。因此，其他实现方式在权利要求书的范围内。

Claims (14)

1.一种模制电路基底，其包括：
绝缘侧壁和导电层，所述导电层由所述绝缘侧壁包围，所述绝缘侧壁勾画所述导电层的电隔离区域；以及
所述绝缘侧壁还勾画电子模块内的结构部件。
2.如权利要求1所述的模制电路基底，所述结构部件勾画光电模块中的不透明侧壁。
3.如权利要求2所述的模制电路基底，所述结构部件勾画透明包覆模制件的横向尺寸。
4.如权利要求3所述的模制电路基底，其中所述透明包覆模制件包括光学元件。
5.如权利要求3所述的模制电路基底，其中所述透明包覆模制件包括滤光器。
6.如权利要求2所述的模制电路基底，其中所述模制电路基底还包括安装在所述导电层的表面上的有源光电部件。
7.如权利要求6所述的模制电路基底，其中所述有源光电部件包括以下中的至少一个：激光二极管、发光二极管、光电二极管、激光二极管阵列、发光二极管阵列或光电二极管阵列。
8.如权利要求2所述的模制电路基底，所述模制电路基底还包括光学元件，所述结构部件还勾画其上安装有所述光学元件的基底。
9.如权利要求8所述的模制电路基底，所述结构部件还勾画所述光学元件与所述导电层之间的间距。
10.如权利要求1所述的模制电路基底，其还包括绝缘分隔件，所述绝缘分隔件勾画所述导电层的电隔离区域。
11.一种用于制造多个模制电路基底的方法，所述方法包括：
将导电层安装到抗蚀刻基底上；
将光致抗蚀剂涂覆到所述导电层；
选择性地固化所述导电层上的所述光致抗蚀剂以形成勾画多个绝缘侧壁的横向尺寸的图案；
将所述光致抗蚀剂从所述导电层去除，使得所述去除的光致抗蚀剂限定所述绝缘侧壁的横向尺寸；
蚀刻所述导电层；
将所述固化的光致抗蚀剂从所述导电层剥除；
将侧壁工具安装到所述导电层，所述侧壁工具包括勾画多个绝缘侧壁的腔体；
用不透明的可模制材料填充勾画所述多个绝缘侧壁的所述腔体；
固化所述不透明的可模制材料；
将所述侧壁工具从所述导电层和所述固化的不透明可模制材料去除，所述固化的可模制材料是所述多个绝缘侧壁；
电镀所述导电层；以及
将多个有源部件安装到所述导电层。
12.如权利要求11所述的方法，其还包括：
将包覆模制件工具安装到所述多个绝缘侧壁，所述包覆模制件工具包括勾画多个包覆模制件的腔体；
用透明的可模制材料填充勾画所述多个包覆模制件的所述腔体；
固化所述透明的可模制材料；以及
将所述包覆模制件工具从所述固化的不透明可模制材料和透明可模制材料去除。
13.如权利要求12所述的方法，其还包括穿过所述绝缘侧壁进行切割。
14.一种用于制造多个模制电路基底的方法，所述方法包括：
将导电层安装到抗蚀刻基底上；
将光致抗蚀剂涂覆到所述导电层；
选择性地固化所述导电层上的所述光致抗蚀剂以形成勾画多个绝缘侧壁的横向尺寸的图案；
将所述光致抗蚀剂从所述导电层去除，使得所述去除的光致抗蚀剂限定所述绝缘侧壁的横向尺寸；
蚀刻所述导电层；
将所述固化的光致抗蚀剂从所述导电层剥除；
将平面工具安装到所述导电层，所述平面工具是基本上平坦的，并且勾画多个绝缘分隔件腔体；
用不透明的可模制材料填充所述绝缘分隔件腔体；
固化所述不透明的可模制材料；
将所述平面工具从所述导电层和所述固化的不透明可模制材料去除，所述固化的可模制材料是所述多个绝缘分隔件腔体；
将侧壁工具安装到所述导电层，所述侧壁工具包括勾画多个绝缘侧壁的腔体；
用不透明的可模制材料填充勾画所述多个绝缘侧壁的所述腔体；
固化所述不透明的可模制材料；
将所述侧壁工具从所述导电层和所述固化的不透明可模制材料去除，所述固化的可模制材料是所述多个绝缘侧壁；
电镀所述导电层；以及
将多个有源部件安装到所述导电层。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017176213A1 (en) * 2016-04-08 2017-10-12 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Thin optoelectronic modules with apertures and their manufacture
US20180017741A1 (en) * 2016-07-15 2018-01-18 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same
US11156796B2 (en) * 2017-09-11 2021-10-26 Pixart Imaging Inc. Optical sensor package module
KR102607890B1 (ko) 2018-06-01 2023-11-29 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지
US11900581B2 (en) 2020-09-22 2024-02-13 Future Dial, Inc. Cosmetic inspection system

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1173414C (zh) * 1997-12-15 2004-10-27 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 可表面装配的光电子组件及其制造方法
CN102308399A (zh) * 2008-12-30 2012-01-04 三星Led株式会社 发光器件封装件及其制造方法
CN102473811A (zh) * 2009-07-23 2012-05-23 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 具有模制的反射侧壁涂层的led
CN103426995A (zh) * 2012-05-14 2013-12-04 信越化学工业株式会社 光半导体装置用基板和其制造方法、及光半导体装置和其制造方法
US20150034975A1 (en) * 2013-07-30 2015-02-05 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optoelectronic modules that have shielding to reduce light leakage or stray light, and fabrication methods for such modules
US20150036046A1 (en) * 2013-07-30 2015-02-05 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optoelectronic modules that have shielding to reduce light leakage or stray light, and fabrication methods for such modules
WO2015038064A2 (en) * 2013-09-10 2015-03-19 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Compact opto-electronic modules and fabrication methods for such modules
DE102013224581A1 (de) * 2013-11-29 2015-06-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100414479B1 (ko) 2000-08-09 2004-01-07 주식회사 코스타트반도체 반도체 패키징 공정의 이식성 도전패턴을 갖는 테이프 및그 제조방법
US20060087010A1 (en) 2004-10-26 2006-04-27 Shinn-Gwo Hong IC substrate and manufacturing method thereof and semiconductor element package thereby
US7892412B2 (en) 2005-08-05 2011-02-22 Mutual-Tek Industries Co., Ltd. Manufacturing process of embedded type flexible or rigid printed circuit board
KR100735325B1 (ko) * 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
US7906794B2 (en) * 2006-07-05 2011-03-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device package with frame and optically transmissive element
US9419032B2 (en) * 2009-08-14 2016-08-16 Nanchang O-Film Optoelectronics Technology Ltd Wafer level camera module with molded housing and method of manufacturing
US8791489B2 (en) * 2012-04-05 2014-07-29 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Opto-electronic module
KR102107575B1 (ko) * 2012-05-17 2020-05-08 헵타곤 마이크로 옵틱스 피티이. 리미티드 웨이퍼 스택 조립
TWI556476B (zh) 2013-01-17 2016-11-01 隆達電子股份有限公司 發光裝置、發光二極體承載座及其模具
CN104465938A (zh) * 2013-09-22 2015-03-25 展晶科技(深圳)有限公司 模具及使用该模具制造发光二极管的方法
TWI467528B (zh) * 2013-10-30 2015-01-01 Au Optronics Corp 發光二極體顯示面板及其製作方法
US9356185B2 (en) * 2014-06-20 2016-05-31 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Compact light sensing modules including reflective surfaces to enhance light collection and/or emission, and methods of fabricating such modules
US10352764B2 (en) * 2015-09-24 2019-07-16 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Concealed optoelectronic module
US10424566B2 (en) * 2016-12-30 2019-09-24 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1173414C (zh) * 1997-12-15 2004-10-27 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 可表面装配的光电子组件及其制造方法
CN102308399A (zh) * 2008-12-30 2012-01-04 三星Led株式会社 发光器件封装件及其制造方法
CN102473811A (zh) * 2009-07-23 2012-05-23 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 具有模制的反射侧壁涂层的led
CN103426995A (zh) * 2012-05-14 2013-12-04 信越化学工业株式会社 光半导体装置用基板和其制造方法、及光半导体装置和其制造方法
US20150034975A1 (en) * 2013-07-30 2015-02-05 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optoelectronic modules that have shielding to reduce light leakage or stray light, and fabrication methods for such modules
US20150036046A1 (en) * 2013-07-30 2015-02-05 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optoelectronic modules that have shielding to reduce light leakage or stray light, and fabrication methods for such modules
WO2015038064A2 (en) * 2013-09-10 2015-03-19 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Compact opto-electronic modules and fabrication methods for such modules
DE102013224581A1 (de) * 2013-11-29 2015-06-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

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