TW201729367A - 具有流體可滲透通道的光電模組及其製造方法 - Google Patents

具有流體可滲透通道的光電模組及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201729367A
TW201729367A TW106101860A TW106101860A TW201729367A TW 201729367 A TW201729367 A TW 201729367A TW 106101860 A TW106101860 A TW 106101860A TW 106101860 A TW106101860 A TW 106101860A TW 201729367 A TW201729367 A TW 201729367A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
module
optoelectronic
mounting surface
component
optical component
Prior art date
Application number
TW106101860A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI713173B (zh
Inventor
多畢阿斯 山恩
朱利安 布卡特
蘇珊妮 衛斯坦后佛
Original Assignee
海特根微光學公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 海特根微光學公司 filed Critical 海特根微光學公司
Publication of TW201729367A publication Critical patent/TW201729367A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI713173B publication Critical patent/TWI713173B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/0232—Lead-frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
    • H01S5/0236—Fixing laser chips on mounts using an adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02423—Liquid cooling, e.g. a liquid cools a mount of the laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/648—Heat extraction or cooling elements the elements comprising fluids, e.g. heat-pipes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本發明揭示一種光電模組，其包含具有一光學組件安裝表面、一流體可滲透通道及一模組安裝表面之一間隔物。該流體可滲透通道及該模組安裝表面允許通道在某些製造步驟期間與異物隔離，且在某些製造步驟期間保持沒有諸如固化助焊劑之封阻物。此外，通道可容許熱在操作期間自該光電模組散逸。

Description

具有流體可滲透通道的光電模組及其製造方法
一典型光電模組通常由經設計以允許諸如氣體之流體傳入或傳出模組內之一空腔的至少一流體可滲透通道(諸如一通氣孔)建構。出於諸多原因，流體可滲透通道可併入至一模組中。例如，一模組(其包含安裝至一空腔內之一電基板上之一發熱主動光電組件(例如一雷射二極體或一發光二極體))需要一流體可滲透通道來使效能最佳。即，在操作期間，由組件產生之熱可累積於模組內且可更改溫度敏感電子組件之效能或更改尺寸臨界組件(諸如光學元件(例如折射透鏡、繞射透鏡)或光學元件之間之間隔物)之大小或形狀。然而，穿過電子基板且鄰近於發熱組件之一流體可滲透通道可將熱自空腔傳導出且將熱傳導遠離任何鄰近溫度敏感電子組件、光學元件或間隔物。 用於製造一光電模組之程序影響模組內之流體可滲透通道之位置。通常，採用晶圓級製造方法來製造數十個、數百個或甚至數千個相連光電模組之一晶圓。後續製造步驟需要將相連光電模組之晶圓分離(分割)成離散模組。然而，分離程序會將異物(例如分割流體、分割微粒)經由流體可滲透通道引入至模組中。異物會不利地影響效能，且在一些例項中會產生嚴重眼睛安全問題。 因此，相連光電模組之晶圓通常經由電子基板(其中先前已併入流體可滲透通道)安裝至一分離基板(諸如分割膠帶)上。程序有效地密封用於後續分離步驟之流體可滲透通道，藉此防止異物經由流體可滲透通道進入至光電模組中。 然而，儘管將流體可滲透通道併入至電子基板中有效地阻止異物在分離步驟期間進入模組，但後續製造步驟之位置會嚴重錯亂。例如，定位於流體可滲透通道鄰近處之電子組件電安裝至具有焊料及助焊劑之電子基板。在此程序期間，電子基板(即，已將流體可滲透通道併入至其中之基板)、焊料及助焊劑被加熱(以熔化焊料及助焊劑)，且接著被冷卻。在冷卻之後，可在光電模組內產生一真空。仍呈流體狀態之任何助焊劑可被汲取至一鄰近流體可滲透通道中，其中在進一步冷卻之後，助焊劑可固化且可封阻通道。因此，由模組內之組件在操作期間產生之任何熱會累積且會嚴重影響效能。
本發明描述離散光電模組及具有複數個相連光電模組之晶圓。該等光電模組包含流體可滲透通道，且經組態使得：1)該等通道在某些製造步驟(諸如涉及將複數個相連模組分離成複數個離散非相連模組之步驟)期間與異物隔離；2)該等通道在某些製造步驟(諸如涉及電安裝組件之步驟)期間保持沒有諸如固化助焊劑之封阻物；3)該等通道可在操作期間容許熱(即，加熱流體)自光電模組散逸；4)併入間隔物可減輕或消除串擾；5)併入對準組件可容許光學組件與各自主動光電組件精確對準；及/或6)併入黏著通道可防止黏著劑遷移至光學組件上。 例如，在一第一態樣中，一光電模組包含：一主動光電組件，其電安裝至一主動光電組件基板；及一間隔物，其橫向包圍該主動光電組件以藉此形成一腔室。該間隔物包含一光學組件安裝表面、一流體可滲透通道及一模組安裝表面。該光電模組進一步包含安裝至該光學組件安裝表面上之一光學組件。 例如，在另一態樣中，一光電模組包含一流體可滲透通道。該通道可鄰近於一光學組件安裝表面。 例如，在另一態樣中，一光電模組包含鄰近於一光學組件安裝表面之一模組安裝表面。 例如，在另一態樣中，一光電模組包含可操作以發射一特定波長範圍之電磁輻射的一主動光電組件，且在一些例項中，可包含對一特定波長範圍之電磁輻射敏感之一主動光電組件。 例如，在另一態樣中，一光電模組包含實質上不透射一特定波長範圍之電磁輻射的一間隔物。 例如，在另一態樣中，一光電模組包含使用黏著劑來安裝至一光學組件安裝表面之一光學組件。 例如，在另一態樣中，一光電模組包含具有鄰近於一光學組件安裝表面之一黏著通道的一間隔物。 例如，在另一態樣中，一光電模組包含具有一對準組件及一黏著通道之一間隔物。該對準組件及該黏著通道兩者可鄰近於一光學組件安裝表面。 例如，在另一態樣中，一光電模組包含具有一黏著通道及一對準組件之一光學組件。 例如，在另一態樣中，一光電模組包含鄰近於一主動光電組件之一流體可滲透通道。該流體可滲透通道可包含一流體可滲透膜。 例如，在另一態樣中，一光電模組包含一模組安裝表面。該模組安裝表面可操作以在該模組安裝表面與一黏著基板接觸時密封一腔室及一流體可滲透通道。 例如，在另一態樣中，一光電模組包含一主動光電組件。該主動光電組件可為一雷射二極體、一發光二極體、一雷射二極體陣列及/或一發光二極體陣列。 例如，在另一態樣中，一光電模組包含一主動光電組件。該主動光電組件可為一光電二極體、一光電二極體陣列及/或一像素陣列。 例如，在另一態樣中，一光電模組包含一間隔物。該間隔物可至少部分由一聚合材料組成。 例如，在另一態樣中，一光電模組包含一主動光電組件基板。該主動光電組件基板可至少部分由一引線框組成。 例如，在另一態樣中，自複數個光電模組製造一光電模組之一方法包含以下步驟：將複數個主動光電組件電安裝至一主動光電組件基板。該主動光電組件基板可由一間隔物橫向包圍以形成一腔室。該間隔物可包含一光學組件安裝表面、一流體可滲透通道及一模組安裝表面。該製造方法可進一步包含以下步驟：將一黏著劑施加至該光學組件安裝表面；將一光學組件安裝至該光學組件安裝表面；固化該黏著劑；將該光電模組經由該模組安裝表面安裝至一黏著基板；及將該複數個光電模組分離成單一化光電模組。 例如，在另一態樣中，一方法可包含以下步驟：使用熱及/或電磁輻射來自複數個光電模組移除一黏著基板。 例如，在另一態樣中，一方法可包含以下步驟：將一光電模組或複數個光電模組安裝至一主機裝置中。 例如，在另一態樣中，一方法可包含以下步驟：使一光電模組或複數個光電模組經受一熱處理。 例如，在另一態樣中，一方法可包含以下步驟：將一光電模組或複數個光電模組經由一模組安裝表面安裝至一黏著基板，其中該黏著基板係一分割膠帶。 將自以下[實施方式]、附圖及申請專利範圍明白其他態樣、特徵及優點。
圖1A描繪具有一流體可滲透通道之一實例性光電模組100之一示意性俯視圖。光電模組100可包含經電安裝至一主動光電組件基板104 (例如一印刷電路板(PCB)或一金屬組件(諸如一引線框))之一主動光電組件102。主動光電組件102可包含發光組件(例如發光二極體、雷射二極體及/或發光二極體或雷射二極體陣列)，及/或光偵測組件(例如光電二極體、光電二極體陣列、基於電荷耦合裝置之影像感測器，及/或基於互補金屬氧化物半導體之影像感測器)。 光電模組100可進一步包含一間隔物106。間隔物106可橫向包圍主動光電組件102以藉此形成一腔室108。在一些實施方案中，間隔物106可係圍繞主動光電組件基板104而形成。例如，複數個間隔物106可係圍繞一引線框而形成，該引線框係複數個主動光電組件基板104。間隔物可係由諸如環氧樹脂之一聚合材料組成。間隔物106可係可操作以實質上衰減電磁輻射之波長。例如，間隔物106可實質上不透射由主動光電組件102發射及/或偵測之光波長。間隔物106可係由一可模製材料形成。例如，在一些實施方案中，間隔物106可係經由注射模製來形成及/或在一些實施方案中經由真空輔助模製來形成。在一些實施方案中，間隔物106可係由一模製樹脂形成。在一些實施方案中，間隔物106可係進一步由諸如碳黑之不透明有機及/或無機填充物組成。 光電模組100可進一步包含經由一光學組件安裝表面112安裝至間隔物106之一光學組件110。在一些實施方案中，光學組件110可包含一折射透鏡、一繞射透鏡及/或一折射及/或繞射透鏡陣列。在一些實施方案中，光學組件110可包含一光譜濾波器。在一些實施方案中，光學組件110可包含一透明罩。在一些實施方案中，光學組件110可在相距於主動光電組件102之一可操作距離處被安裝至光學組件安裝表面112。 光電模組100可進一步包含經形成於間隔物106內之一流體可滲透通道114。在一些實施方案中，流體可滲透通道114係可操作以容許流體自腔室108外流。流體可滲透通道114可係鄰近光學組件110形成於間隔物106內。 光電模組100可進一步包含經形成於間隔物106上之一模組安裝表面116。模組安裝表面116經組態以容許在光電模組100之製造期間暫時密封光電模組100。例如，在一些實施方案中，模組安裝表面116以一平坦表面(其中未延伸流體可滲透通道114)為特徵，使得可經由一暫時基板(例如分割膠帶)來建立一密封。 光電模組100可進一步包含一光學組件偏移118，如圖1B之示意性側視圖及圖1C之放大側視圖中所描繪。在一些實施方案中，光學組件偏移118可防止光學組件110黏附至一暫時基板(諸如一分割膠帶)，但仍允許光電模組100牢固地固定至暫時基板。 圖1D描繪具有黏著劑122之光電模組100之一平面圖。此外，圖1E描繪具有黏著劑之實例性光電模組100之一側視圖，及圖1F描繪圖1A中所描繪之實例性光電模組之一放大側視圖。黏著劑122係描繪於一實例性位置中。在一些例項中，可需要對應於多少不等覆蓋範圍之一些黏著劑。黏著劑122可被定位於光學組件安裝表面112上。在一些實施方案中，黏著劑122可被定位於光學組件安裝表面112與光學組件110之間。黏著劑122係可操作以將光學組件110固定至光學組件安裝表面112。在一些實施方案中，黏著劑122可藉由噴射及/或網版印刷被安裝至光學組件安裝表面112。在一些實施方案中，黏著劑122可為諸如環氧樹脂之一可固化黏著劑。例如，黏著劑122可以一實質上呈流體之狀態被安裝至光學組件安裝表面112，且可使用電磁輻射(諸如紫外光及/或紅外光)來固化。 圖1G描繪複數個相連光電模組之一側視圖。光電模組100可自複數個光電模組120製造。複數個光電模組120可經由模組安裝表面116安裝至一黏著基板124。複數個光電模組120可包含大量光電模組。例如，複數個光電模組120可包含數十個、數百個或甚至數千個光電模組。複數個光電模組120可為一晶圓。在一些實施方案中，黏著基板124可為諸如分割膠帶之一黏著膠帶。在一些實施方案中，黏著基板124可為熱失活黏著膠帶或可使用諸如紫外光或紅外光之電磁輻射來失活。 圖1H描繪具有示意性單切線之複數個相連光電模組之一側視圖。複數個光電模組120可沿著單切線126分離成離散光電模組(例如光電模組100)。在一些實施方案中，複數個光電模組120可藉由機械分割分離。在一些實施方案中，可在機械分割複數個光電模組120時使用一流體。在一些實施方案中，複數個光電模組120可藉由一雷射束分離。模組安裝表面116及黏著基板124可形成抵抗流體之一障壁。在其他實施方案中，模組安裝表面116及黏著基板124可形成抵抗將複數個光電模組120機械分離成離散光電模組100期間所產生之微粒的一障壁。 圖2A描繪具有一流體可滲透通道之另一實例性光電模組200之一示意性俯視圖。光電模組200可包含電安裝至一主動光電組件基板204 (例如一印刷電路板(PCB)或一金屬組件(諸如一引線框))之一主動光電組件202。主動光電組件202可包含發光組件(例如發光二極體、雷射二極體及/或發光二極體或雷射二極體陣列)及/或光偵測組件(例如光電二極體、光電二極體陣列、基於電荷耦合裝置之影像感測器及/或基於互補金屬氧化物半導體之影像感測器)。 光電模組200可進一步包含一間隔物206。間隔物206可橫向包圍主動光電組件202以藉此形成一腔室208。在一些實施方案中，間隔物206可圍繞主動光電組件基板204形成。例如，複數個間隔物206可圍繞一引線框形成，該引線框係複數個主動光電組件基板204。間隔物可由諸如環氧樹脂之一聚合材料組成。間隔物206可操作以實質上衰減電磁輻射之波長。例如，間隔物206可實質上不透射由主動光電組件202發射及/或偵測之光波長。間隔物206可由一可模製材料形成。例如，在一些實施方案中，間隔物206可經由注射模製形成及/或在一些實施方案中經由真空輔助模製形成。在一些實施方案中，間隔物206可由一模製樹脂形成。在一些實施方案中，間隔物206可進一步由諸如碳黑之不透明有機及/或無機填充物組成。 光電模組200可進一步包含經由一光學組件安裝表面212安裝至間隔物206之一光學組件210。在一些實施方案中，光學組件210可包含一折射透鏡、一繞射透鏡及/或一折射及/或繞射透鏡陣列。在一些實施方案中，光學組件210可包含一光譜濾波器。在一些實施方案中，光學組件210可包含一透明罩。在一些實施方案中，光學組件210可在相距於主動光電組件202之一可操作距離處安裝至光學組件安裝表面212。 光電模組200可進一步包含形成於間隔物206內之一流體可滲透通道214。在一些實施方案中，流體可滲透通道214可操作以容許流體自腔室208外流。流體可滲透通道214可鄰近於光學組件210形成於間隔物206內。 光電模組200進一步包含形成於間隔物206上之一模組安裝表面216。模組安裝表面216經組態以容許在光電模組200之製造期間暫時密封光電模組200。例如，在一些實施方案中，模組安裝表面216以一平坦表面(其中未延伸流體可滲透通道214)為特徵，使得一密封可經由一暫時基板(例如分割膠帶)建立。 光電模組200可進一步包含一流體可滲透通道214。流體可滲透通道214可延伸至模組安裝表面216中，如圖2A及圖2B中所描繪。圖2B描繪圖2A中所描繪之光電模組之一示意性側視圖。流體可滲透通道214延伸至模組安裝表面216中。在一些實施方案中，圖2A及圖2B中所描繪之流體可滲透通道214可具有一優點。例如，用於將光學組件210安裝光學組件安裝表面212之黏著劑可部分阻擋流體可滲透通道214之部分。儘管黏著劑部分侵入至流體可滲透通道214中，但流體可滲透通道214延伸至模組安裝表面216 (經由間隔物206)可容許流體外流。 圖3A描繪具有一流體可滲透通道及一黏著通道之一實例性光電模組300之一示意性俯視圖。光電模組300可包含電安裝至一主動光電組件基板304 (例如一印刷電路板(PCB)或一金屬組件(諸如一引線框))之一主動光電組件302。主動光電組件302可包含發光組件(例如發光二極體、雷射二極體及/或發光二極體或雷射二極體陣列)及/或光偵測組件(例如光電二極體、光電二極體陣列、基於電荷耦合裝置之影像感測器及/或基於互補金屬氧化物半導體之影像感測器)。 光電模組300可進一步包含一間隔物306。間隔物306可橫向包圍主動光電組件302以藉此形成一腔室308。在一些實施方案中，間隔物306可圍繞主動光電組件基板304形成。例如，複數個間隔物306可圍繞一引線框形成，該引線框係複數個主動光電組件基板304。間隔物可由諸如環氧樹脂之一聚合材料組成。間隔物306可操作以實質上衰減電磁輻射之波長。例如，間隔物306可實質上不透射由主動光電組件302發射及/或偵測之光波長。間隔物306可由一可模製材料形成。例如，在一些實施方案中，間隔物306可經由注射模製形成及/或在一些實施方案中經由真空輔助模製形成。在一些實施方案中，間隔物306可由一模製樹脂形成。在一些實施方案中，間隔物306可進一步由諸如碳黑之不透明有機及/或無機填充物組成。 光電模組300可進一步包含經由一光學組件安裝表面312安裝至間隔物306之一光學組件310。在一些實施方案中，光學組件310可包含一折射透鏡、一繞射透鏡及/或一折射及/或繞射透鏡陣列。在一些實施方案中，光學組件310可包含一光譜濾波器。在一些實施方案中，光學組件310可包含一透明罩。在一些實施方案中，光學組件310可在相距於主動光電組件302之一可操作距離處安裝至光學組件安裝表面312。 光電模組300可進一步包含形成於間隔物306內之一流體可滲透通道314。在一些實施方案中，流體可滲透通道314可操作以容許流體自腔室308外流。流體可滲透通道314可鄰近於光學組件310形成於間隔物306內。 光電模組300進一步包含形成於間隔物306上之一模組安裝表面316。模組安裝表面316經組態以容許在光電模組300之製造期間暫時密封光電模組300。例如，在一些實施方案中，模組安裝表面316以一平坦表面(其中未延伸流體可滲透通道314)為特徵，使得一密封可經由一暫時基板(例如分割膠帶)建立。 光電模組300進一步包含一黏著通道321。黏著通道321可填充有黏著劑322，使得光學組件310經由黏著劑322安裝至光學組件安裝表面312。在一些實施方案中，黏著通道321可導致相對於主動光電組件302安裝光學組件310時之較小容限。 圖3B描繪圖3A中所描繪之光電模組之一示意性側視圖。圖3C描繪圖3A中所描繪之光電模組之一放大側視圖。圖3D描繪圖3A中所描繪之光電模組及黏著劑322之一實例性位置之一放大側視圖。 圖4A描繪具有一流體可滲透通道414、一黏著通道及一對準組件之一實例性光電模組400之一示意性俯視圖。光電模組400可包含電安裝至一主動光電組件基板404 (例如一印刷電路板(PCB)或一金屬組件(諸如一引線框))之一主動光電組件402。主動光電組件402可包含發光組件(例如發光二極體、雷射二極體及/或發光二極體或雷射二極體陣列)及/或光偵測組件(例如光電二極體、光電二極體陣列、基於電荷耦合裝置之影像感測器及/或基於互補金屬氧化物半導體之影像感測器)。 光電模組400可進一步包含一間隔物406。間隔物406可橫向包圍主動光電組件402以藉此形成一腔室408。在一些實施方案中，間隔物406可係圍繞主動光電組件基板404而形成。例如，複數個間隔物406可係圍繞一引線框而形成，該引線框係複數個主動光電組件基板404。間隔物可係由諸如環氧樹脂之一聚合材料組成。間隔物406可係可操作以實質上衰減電磁輻射之波長。例如，間隔物406可實質上不透射由主動光電組件402發射及/或偵測之光波長。間隔物406可係由一可模製材料形成。例如，在一些實施方案中，間隔物406可係經由注射模製形成及/或在一些實施方案中經由真空輔助模製來形成。在一些實施方案中，間隔物406可係由一模製樹脂形成。在一些實施方案中，間隔物406可進一步係由諸如碳黑之不透明有機及/或無機填充物組成。 光電模組400可進一步包含經由一光學組件安裝表面412安裝至間隔物406之一光學組件410。在一些實施方案中，光學組件410可包含一折射透鏡、一繞射透鏡，及/或一折射及/或繞射透鏡陣列。在一些實施方案中，光學組件410可包含一光譜濾波器。在一些實施方案中，光學組件410可包含一透明罩。在一些實施方案中，光學組件410可在相距於主動光電組件402之一可操作距離處被安裝至光學組件安裝表面412。 光電模組400可進一步包含一對準組件413及一黏著通道421。對準組件413可為間隔物406之一延伸部，對準組件413終止於光學組件安裝表面412中。黏著通道421可填充有黏著劑422，使得光學組件410經由黏著劑422被安裝至光學組件安裝表面412。在一些實施方案中，黏著通道421可導致相對於主動光電組件402安裝光學組件410時之較小容限。在一些實施方案中，對準組件413及黏著通道421可導致相對於主動光電組件402來安裝光學元件410時之較小容限。例如，在一些情況中，對準組件413可經調整(例如，經由機械加工或經由雷射)使得可相對於主動光電組件402來安裝光學組件410。相應地，在一些情況中，對準組件413可經組態以校正傾角。在一些實施方案中，光學組件410係經由對準組件413直接安裝至光學組件安裝表面412。光電模組400進一步包含於間隔物406上之一模組安裝表面416。圖4B描繪圖4A中所描繪之光電模組之一示意性側視圖。圖4C描繪圖4A中所描繪之光電模組之一放大側視圖。圖4D描繪圖4A中所描繪之光電模組及黏著劑之一實例性位置之一放大側視圖。 圖5A描繪具有一流體可滲透通道之另一光電模組500之一示意性俯視圖。光電模組500可包含經電安裝至一主動光電組件基板504 (例如一印刷電路板(PCB)或一金屬組件(諸如一引線框))之一主動光電組件502。主動光電組件502可包含發光組件(例如發光二極體、雷射二極體及/或發光二極體或雷射二極體陣列)，及/或光偵測組件(例如光電二極體、光電二極體陣列、基於電荷耦合裝置之影像感測器，及/或基於互補金屬氧化物半導體之影像感測器)。 光電模組500可進一步包含一間隔物506。間隔物506可橫向包圍主動光電組件502以藉此形成一腔室508。在一些實施方案中，間隔物506可係圍繞主動光電組件基板504而形成。例如，複數個間隔物506可係圍繞一引線框而形成，該引線框係複數個主動光電組件基板504。間隔物可係由諸如環氧樹脂之一聚合材料組成。間隔物506可係可操作以實質上衰減電磁輻射之波長。例如，間隔物506可實質上不透射由主動光電組件502發射及/或偵測之光波長。間隔物506可係由一可模製材料形成。例如，在一些實施方案中，間隔物506可係經由注射模製來形成及/或在一些實施方案中經由真空輔助模製來形成。在一些實施方案中，間隔物506可係由一模製樹脂形成。在一些實施方案中，間隔物506可進一步係由諸如碳黑之不透明有機及/或無機填充物組成。 光電模組500可進一步包含經由一光學組件安裝表面512安裝至間隔物506之一光學組件510。在一些實施方案中，光學組件510可包含一折射透鏡、一繞射透鏡及/或一折射及/或繞射透鏡陣列。在一些實施方案中，光學組件510可包含一光譜濾波器。在一些實施方案中，光學組件510可包含一透明罩。在一些實施方案中，光學組件510可在相距於主動光電組件502之一可操作距離處安裝至光學組件安裝表面512。光電模組500可進一步包含形成於間隔物506內之一流體可滲透通道514。流體可滲透通道514包含一流體可滲透膜528 (例如GORE-TEX® )。流體可滲透膜528可固定於流體可滲透通道514上或流體可滲透通道514中。在一些實施方案中，流體可滲透通道514可操作以容許流體自腔室508外流。流體可滲透通道514可鄰近於主動光電組件502形成於主動光電組件基板504內。在一些實施方案中，光電模組500可進一步包含形成於間隔物506上之一模組安裝表面516。模組安裝表面516經組態以容許在光電模組500之製造期間暫時密封光電模組500。例如，在一些實施方案中，模組安裝表面516以一平坦表面為特徵，使得一密封可經由一暫時基板(例如分割膠帶)建立。例如，在一些實施方案中，光電模組500無需包含一模組安裝表面516，模組可經由光學組件安裝表面512安裝。 圖5B描繪圖5A中所描繪之光電模組之一示意性側視圖，及圖5C描繪圖5A中所描繪之光電模組之一放大側視圖。 圖6A描繪具有一流體可滲透通道及一黏著通道之一光電模組之一示意性俯視圖。光電模組600可包含電安裝至一主動光電組件基板604 (例如一印刷電路板(PCB)或一金屬組件(諸如一引線框))之一主動光電組件602。主動光電組件602可包含發光組件(例如發光二極體、雷射二極體及/或發光二極體或雷射二極體陣列)及/或光偵測組件(例如光電二極體、光電二極體陣列、基於電荷耦合裝置之影像感測器及/或基於互補金屬氧化物半導體之影像感測器)。 光電模組600可進一步包含一間隔物606。間隔物606可橫向包圍主動光電組件602以藉此形成一腔室608。在一些實施方案中，間隔物606可圍繞主動光電組件基板604形成。例如，複數個間隔物606可圍繞一引線框形成，該引線框係複數個主動光電組件基板604。間隔物可由諸如環氧樹脂之一聚合材料組成。間隔物606可操作以實質上衰減電磁輻射之波長。例如，間隔物606可實質上不透射由主動光電組件602發射及/或偵測之光波長。間隔物606可由一可模製材料形成。例如，在一些實施方案中，間隔物606可經由注射模製形成及/或在一些實施方案中經由真空輔助模製形成。在一些實施方案中，間隔物606可由一模製樹脂形成。在一些實施方案中，間隔物606可進一步由諸如碳黑之不透明有機及/或無機填充物組成。 光電模組600可進一步包含經由一光學組件安裝表面612安裝至間隔物606之一光學組件610。在一些實施方案中，光學組件610可包含一折射透鏡、一繞射透鏡及/或一折射及/或繞射透鏡陣列。在一些實施方案中，光學組件610可包含一光譜濾波器。在一些實施方案中，光學組件610可包含一透明罩。在一些實施方案中，光學組件610可在相距於主動光電組件602之一可操作距離處安裝至光學組件安裝表面612。 光電模組600可進一步包含形成於間隔物606內之一流體可滲透通道614。在一些實施方案中，流體可滲透通道614可操作以容許流體自腔室608外流。流體可滲透通道614可鄰近於光學組件610形成於間隔物606內。光電模組600進一步包含形成於間隔物606上之一模組安裝表面616。模組安裝表面616經組態以容許在光電模組600之製造期間暫時密封光電模組600。例如，在一些實施方案中，模組安裝表面616以一平坦表面(其中未延伸流體可滲透通道614)為特徵，使得一密封可經由一暫時基板(例如分割膠帶)建立。光電模組600進一步包含一黏著通道621及形成於光學組件610內之一對準組件613。黏著通道621可填充有黏著劑622。在一些實施方案中，對準組件613及黏著通道621可導致相對於主動光電組件602安裝光學組件610時之較小容限。例如，在一些情況中，對準組件613可經調整(例如，經由機械加工或經由雷射)使得可相對於主動光電組件602安裝光學組件610。 圖6B描繪圖6A中所描繪之光電模組之一示意性側視圖，圖6C描繪圖6A中所描繪之光電模組之一放大側視圖，及圖6D描繪圖6A中所描繪之光電模組及黏著劑之一實例性位置之一放大側視圖。 圖7描繪自複數個光電模組製造一光電模組之一程序700。自複數個光電模組製造一光電模組之程序700包含一電安裝步驟702，其中將複數個主動光電組件電安裝至複數個主動光電組件基板。該等主動光電組件基板可由複數個間隔物橫向包圍。該等間隔物可形成複數個各自腔室，且可進一步包含複數個各自光學組件安裝表面。該等間隔物可進一步包含複數個各自流體可滲透通道及複數個各自模組安裝表面。 自複數個光電模組製造一光電模組之程序700可進一步包含一黏著劑施加步驟704，其中將一黏著劑施加至複數個光學組件安裝表面。 自複數個光電模組製造一光電模組之程序700可進一步包含一光學組件安裝步驟706，其中將複數個光學組件安裝至複數個各自光學組件安裝表面。 自複數個光電模組製造一光電模組之程序700可進一步包含一黏著劑固化步驟708，其中固化黏著劑(例如，經由施加熱及/或電磁輻射，諸如紫外光)。 自複數個光電模組製造一光電模組之程序700可進一步包含一光電模組安裝步驟710，其中經由複數個模組安裝表面將複數個光電模組安裝至一黏著基板(例如一分割膠帶)。 自複數個光電模組製造一光電模組之程序700可進一步包含一模組分離步驟712，其中將複數個光電模組分離成離散光電模組(例如，經由分割)。 圖8描繪自複數個光電模組製造一光電模組之一程序800。自複數個光電模組製造一光電模組之程序800包含一電安裝步驟802，其中將複數個主動光電組件電安裝至複數個主動光電組件基板。該等主動光電組件基板可由複數個間隔物橫向包圍。該等間隔物可形成複數個各自腔室，且可進一步包含複數個各自光學組件安裝表面。該等間隔物可進一步包含複數個各自流體可滲透通道及複數個各自模組安裝表面。 自複數個光電模組製造一光電模組之程序800可進一步包含：一黏著劑施加步驟804，其中將一黏著劑施加至複數個光學組件安裝表面；及一光學組件安裝步驟806，其中將複數個光學組件安裝至複數個各自光學組件安裝表面。 自複數個光電模組製造一光電模組之程序800可進一步包含一黏著劑固化步驟808，其中固化黏著劑(例如，經由施加熱及/或電磁輻射，諸如紫外光)。 自複數個光電模組製造一光電模組之程序800可進一步包含一光電模組安裝步驟810，其中將複數個光電模組經由複數個模組安裝表面安裝至一黏著基板(例如一分割膠帶)。 自複數個光電模組製造一光電模組之程序800可進一步包含一模組分離步驟812，其中將複數個光電模組分離成離散光電模組(例如，經由分割)。 自複數個光電模組製造一光電模組之程序800可進一步包含：一主機裝置安裝步驟814，其中將一離散光電模組安裝至一電路板(例如，其將安裝至一主機裝置中)上；一熱處理步驟816，其中該光電模組經受一熱處理，接著冷卻以將該光電模組電連接至該電路板(例如，經由熔化及冷卻焊料及助焊劑)。 可對上述實施方案作出其他修改，且可在相同實施方中案組合以上不同實施方案中所描述之特徵。因此，其他實施方案係在申請專利範圍之範疇內。
100‧‧‧光電模組
102‧‧‧主動光電組件
104‧‧‧主動光電組件基板
106‧‧‧間隔物
108‧‧‧腔室
110‧‧‧光學組件
112‧‧‧光學組件安裝表面
114‧‧‧流體可滲透通道
116‧‧‧模組安裝表面
118‧‧‧光學組件偏移
120‧‧‧複數個光電模組
122‧‧‧黏著劑
124‧‧‧黏著基板
126‧‧‧單切線
200‧‧‧光電模組
202‧‧‧主動光電組件
204‧‧‧主動光電組件基板
206‧‧‧間隔物
208‧‧‧腔室
210‧‧‧光學組件
212‧‧‧光學組件安裝表面
214‧‧‧流體可滲透通道
216‧‧‧模組安裝表面
300‧‧‧光電模組
302‧‧‧主動光電組件
304‧‧‧主動光電組件基板
306‧‧‧間隔物
308‧‧‧腔室
310‧‧‧光學組件
312‧‧‧光學組件安裝表面
314‧‧‧流體可滲透通道
316‧‧‧模組安裝表面
321‧‧‧黏著通道
322‧‧‧黏著劑
400‧‧‧光電模組
402‧‧‧主動光電組件
404‧‧‧主動光電組件基板
406‧‧‧間隔物
408‧‧‧腔室
410‧‧‧光學組件
412‧‧‧光學組件安裝表面
413‧‧‧對準組件
414‧‧‧流體可滲透通道
416‧‧‧模組安裝表面
421‧‧‧黏著通道
422‧‧‧黏著劑
500‧‧‧光電模組
502‧‧‧主動光電組件
504‧‧‧主動光電組件基板
506‧‧‧間隔物
508‧‧‧腔室
510‧‧‧光學組件
512‧‧‧光學組件安裝表面
514‧‧‧流體可滲透通道
528‧‧‧流體可滲透膜
600‧‧‧光電模組
602‧‧‧主動光電組件
604‧‧‧主動光電組件基板
606‧‧‧間隔物
608‧‧‧腔室
610‧‧‧光學組件
612‧‧‧光學組件安裝表面
613‧‧‧對準組件
614‧‧‧流體可滲透通道
616‧‧‧模組安裝表面
621‧‧‧黏著通道
622‧‧‧黏著劑
700‧‧‧程序
702‧‧‧電安裝步驟
704‧‧‧黏著劑施加步驟
706‧‧‧光學組件安裝步驟
708‧‧‧黏著劑固化步驟
710‧‧‧光電模組安裝步驟
712‧‧‧模組分離步驟
800‧‧‧程序
802‧‧‧電安裝步驟
804‧‧‧黏著劑施加步驟
806‧‧‧光學組件安裝步驟
808‧‧‧黏著劑固化步驟
810‧‧‧光電模組安裝步驟
812‧‧‧模組分離步驟
814‧‧‧主機裝置安裝步驟
816‧‧‧熱處理步驟
圖1A描繪具有一流體可滲透通道之一實例性光電模組之一示意性俯視圖。 圖1B描繪圖1A中所描繪之實例性光電模組之一示意性側視圖。 圖1C描繪圖1A中所描繪之實例性光電模組之一放大側視圖。 圖1D描繪具有黏著劑之一實例性光電模組之一平面圖。 圖1E描繪圖1D中所描繪之實例性光電模組之一側視圖。 圖1F描繪圖1A中所描繪之實例性光電模組之一放大側視圖。 圖1G描繪複數個相連光電模組之一實例之一側視圖。 圖1H描繪包含單切線之圖1G中所描繪之複數個光電模組之一側視圖。 圖2A描繪具有一流體可滲透通道之另一實例性光電模組之一示意性俯視圖。 圖2B描繪圖2A中所描繪之實例性光電模組之一示意性側視圖。 圖3A描繪具有一流體可滲透通道及一黏著通道之一光電模組之一示意性俯視圖。 圖3B描繪圖3A中所描繪之實例性光電模組之一示意性側視圖。 圖3C描繪圖3A中所描繪之實例性光電模組之一放大側視圖。 圖3D描繪具有黏著劑之圖3A中所描繪之實例性光電模組之一放大側視圖。 圖4A描繪具有一流體可滲透通道、一黏著通道及一對準組件之一實例性光電模組之一示意性俯視圖。 圖4B描繪圖4A中所描繪之實例性光電模組之一示意性側視圖。 圖4C描繪圖4A中所描繪之實例性光電模組之一放大側視圖。 圖4D描繪圖4A中所描繪之實例性光電模組及黏著劑之一實例性位置之一放大側視圖。 圖5A描繪具有一流體可滲透通道之又一實例性光電模組之一示意性俯視圖。 圖5B描繪圖5A中所描繪之實例性光電模組之一示意性側視圖。 圖5C描繪圖5A中所描繪之實例性光電模組之一放大側視圖。 圖6A描繪具有一流體可滲透通道、一黏著通道及一對準組件之另一實例性光電模組之一示意性俯視圖。 圖6B描繪圖6A中所描繪之實例性光電模組之一示意性側視圖。 圖6C描繪圖6A中所描繪之實例性光電模組之一放大側視圖。 圖6D描繪圖6A中所描繪之實例性光電模組及黏著劑之一實例性位置之一放大側視圖。 圖7描繪自複數個光電模組製造一實例性光電模組之一程序。 圖8描繪自複數個光電模組製造一實例性光電模組之另一程序。
102‧‧‧主動光電組件
104‧‧‧主動光電組件基板
106‧‧‧間隔物
108‧‧‧腔室
110‧‧‧光學組件
114‧‧‧流體可滲透通道
116‧‧‧模組安裝表面

Claims (20)

  1. 一種光電模組，其包括： 一主動光電組件，其經電安裝至一主動光電組件基板； 一間隔物，其橫向包圍該主動光電組件以形成一腔室，其中該間隔物包含一光學組件安裝表面、一流體可滲透通道，及一模組安裝表面；及 一光學組件，其經安裝至該光學組件安裝表面上。
  2. 如請求項1之光電模組，該流體可滲透通道鄰近於該光學組件安裝表面。
  3. 如請求項1之光電模組，該模組安裝表面鄰近於該光學組件安裝表面。
  4. 如請求項1之光電模組，該主動光電組件係可操作以發射一特定範圍之波長，及/或對一特定範圍之波長敏感。
  5. 如請求項4之光電模組，其中該間隔物實質上不透射該特定範圍之波長。
  6. 如請求項1之光電模組，其中使用黏著劑來將該光學組件安裝至該光學組件安裝表面。
  7. 如請求項1之光電模組，其中該間隔物進一步包含鄰近於該光學組件安裝表面之一黏著通道。
  8. 如請求項1之光電模組，其中該間隔物進一步包含鄰近於該光學組件安裝表面之一對準組件及一黏著通道。
  9. 如請求項1之光電模組，其中該光學組件包含一黏著通道及一對準組件。
  10. 如請求項1之光電模組，該流體可滲透通道鄰近於該主動光電組件，該流體可滲透通道經安置有一流體可滲透膜。
  11. 如請求項1之光電模組，該模組安裝表面係可操作以在與一黏著基板接觸時密封該腔室及該流體可滲透通道。
  12. 如請求項1之光電模組，該主動光電組件係一雷射二極體、一發光二極體、一雷射二極體陣列，及/或一發光二極體陣列。
  13. 如請求項1之光電模組，該主動光電組件係一光電二極體、一光電二極體陣列，及/或一像素陣列。
  14. 如請求項1之光電模組，該間隔物係由一聚合材料組成。
  15. 如請求項1之光電模組，該主動光電組件基板係由一引線框組成。
  16. 一種自複數個光電模組製造一光電模組之方法，該方法包括以下步驟： 將複數個主動光電組件電安裝至一主動光電組件基板，該主動光電組件基板由一間隔物橫向包圍以形成一腔室，該間隔物包含一光學組件安裝表面、一流體可滲透通道，及一模組安裝表面； 將一黏著劑施加至該光學組件安裝表面； 將一光學組件安裝至該光學組件安裝表面； 固化該黏著劑； 將該光電模組經由該模組安裝表面安裝至一黏著基板； 將該複數個光電模組分離成單一化光電模組。
  17. 如請求項16之方法，進一步包括以下步驟：使用熱及/或電磁輻射來自該複數個光電模組移除該黏著基板。
  18. 如請求項16之方法，進一步包括以下步驟：將該光電模組安裝至一主機裝置中。
  19. 如請求項18之方法，進一步包括以下步驟：使該光電模組經受一熱處理。
  20. 如請求項16之方法，其中該黏著基板係一分割膠帶。
TW106101860A 2016-01-20 2017-01-19 具有流體可滲透通道的光電模組及其製造方法 TWI713173B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662280848P 2016-01-20 2016-01-20
US62/280,848 2016-01-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201729367A true TW201729367A (zh) 2017-08-16
TWI713173B TWI713173B (zh) 2020-12-11

Family

ID=59362682

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106101860A TWI713173B (zh) 2016-01-20 2017-01-19 具有流體可滲透通道的光電模組及其製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20200066957A1 (zh)
EP (1) EP3405983B1 (zh)
CN (1) CN108886065B (zh)
TW (1) TWI713173B (zh)
WO (1) WO2017127023A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7490377B2 (ja) * 2020-02-05 2024-05-27 キヤノン株式会社 撮像素子パッケージ
DE102022200639A1 (de) 2022-01-20 2023-07-20 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
CN115472640B (zh) * 2022-10-14 2023-05-05 苏州科阳半导体有限公司 一种图像传感器的封装结构和方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56138370A (en) * 1980-03-31 1981-10-28 Toshiba Corp Sealing method for solidstate image sensor
JP3768864B2 (ja) * 2001-11-26 2006-04-19 シチズン電子株式会社 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
US6924514B2 (en) * 2002-02-19 2005-08-02 Nichia Corporation Light-emitting device and process for producing thereof
CN2741196Y (zh) * 2004-09-28 2005-11-16 业达科技股份有限公司 具有萤光板的发光二极管封装结构
TWI327363B (en) 2006-11-17 2010-07-11 Unimicron Technology Corp Carrier structure for semiconductor chip and method for manufacturing the same
CN101430086B (zh) * 2007-11-09 2011-11-09 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 照明装置
US8157419B2 (en) * 2009-08-26 2012-04-17 Abl Ip Holding Llc LED assembly
US8525213B2 (en) * 2010-03-30 2013-09-03 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device having multiple cavities and light unit having the same
JP2012109475A (ja) * 2010-11-19 2012-06-07 Rohm Co Ltd 発光装置、発光装置の製造方法、および光学装置
US20120193671A1 (en) 2011-02-01 2012-08-02 Chi Mei Lighting Technology Corp. Light-emitting diode device and method for manufacturing the same
CN103548148B (zh) * 2011-05-19 2016-09-28 欧司朗光电半导体有限公司 光电子装置和用于制造光电子装置的方法
JP6162114B2 (ja) * 2011-07-19 2017-07-12 ヘプタゴン・マイクロ・オプティクス・プライベート・リミテッドＨｅｐｔａｇｏｎ Ｍｉｃｒｏ Ｏｐｔｉｃｓ Ｐｔｅ． Ｌｔｄ． 光電子モジュール、光電子モジュールの製造方法、ならびに光電子モジュールを備える機器およびデバイス
WO2013061511A1 (ja) * 2011-10-27 2013-05-02 パナソニック株式会社 発光装置
CN104106135B (zh) * 2011-12-22 2018-02-23 新加坡恒立私人有限公司 光电模块、尤其是闪光灯模块及其制造方法
US9263658B2 (en) * 2012-03-05 2016-02-16 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
US9240524B2 (en) * 2012-03-05 2016-01-19 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
KR101306247B1 (ko) * 2012-05-11 2013-09-17 (주)포인트엔지니어링 백라이트 유닛용 광소자 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광소자와 그 어레이
US9416957B2 (en) * 2013-03-14 2016-08-16 Deepsea Power & Light, Inc. Semiconductor lighting devices and methods
US20140264831A1 (en) 2013-03-14 2014-09-18 Thorsten Meyer Chip arrangement and a method for manufacturing a chip arrangement
KR20140118542A (ko) * 2013-03-29 2014-10-08 삼성전기주식회사 마이크로 펌프
TWI594661B (zh) 2013-04-19 2017-08-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體顯示器及其製造方法
WO2014193307A1 (en) 2013-05-31 2014-12-04 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Mems microphone modules and wafer-level techniques for fabricating the same
TWM468011U (zh) * 2013-07-03 2013-12-11 Aptos Technology Inc 電子元件及其封裝件
US10705192B2 (en) * 2014-03-14 2020-07-07 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Optoelectronic modules operable to recognize spurious reflections and to compensate for errors caused by spurious reflections
JP5862733B1 (ja) * 2014-09-08 2016-02-16 富士ゼロックス株式会社 半導体片の製造方法
JP6765804B2 (ja) * 2014-11-28 2020-10-07 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ

Also Published As

Publication number Publication date
US20200066957A1 (en) 2020-02-27
EP3405983B1 (en) 2021-03-10
CN108886065A (zh) 2018-11-23
US20210135077A1 (en) 2021-05-06
US12015115B2 (en) 2024-06-18
EP3405983A1 (en) 2018-11-28
EP3405983A4 (en) 2018-11-28
CN108886065B (zh) 2021-11-16
WO2017127023A1 (en) 2017-07-27
TWI713173B (zh) 2020-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106537212B (zh) 包括垂直对准特征的光发射器和光检测器模块
US20210135077A1 (en) Optoelectronic modules having fluid permeable channels and methods for manufacturing the same
US10680023B2 (en) Optoelectronic modules having a silicon substrate, and fabrication methods for such modules
US10886420B2 (en) Thin optoelectronic modules with apertures and their manufacture
KR102626784B1 (ko) 개구들을 갖는 광전 모듈들 및 그 제조
KR101659677B1 (ko) 광원 일체형 광센서 및 광원 일체형 광센서의 제조방법
US20170351049A1 (en) Optoelectronic module including lens barrel
TWI718260B (zh) 具有光圈的薄光電模組及其製造
JP6689817B2 (ja) 互いに光学的に分離された領域を有するイメージセンサを含む光電子モジュール
TWI730130B (zh) 包括光電裝置次組件的光電模組及其製造方法
CN108352356A (zh) 模制电路基底
EP3341974B1 (en) Optical assemblies including a spacer adhering directly to a substrate
US10714638B2 (en) Optoelectronic modules and methods for manufacturing the same
TWI822707B (zh) 具有鎖定總成的光電模組及其製造方法
US10600835B2 (en) Electronic module and method of manufacturing the same
US20190339478A1 (en) Optical device
JP4663450B2 (ja) 光電集積回路装置の製造方法