CN108886065B - 具有流体可渗透通道的光电子模块和用于制造所述光电子模块的方法 - Google Patents

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Abstract

一种光电子模块包括具有光学部件装配表面、流体可渗透通道，和模块装配表面的间隔件。所述流体可渗透通道和模块装配表面允许所述通道在某些制造步骤期间对外来物质密封，并且在某些制造步骤期间保持不受阻塞，诸如凝固的焊剂。此外，所述通道可容许热在操作期间从所述光电子模块逸散。

Description

具有流体可渗透通道的光电子模块和用于制造所述光电子模 块的方法
技术领域
本发明涉及一种光电子模块和用于制造光电子模块的方法，该光电子模块特别是具有流体可渗透通道的光电子模块。
背景技术
典型的光电子模块通常被构造成具有至少一个流体可渗透通道，诸如通气孔，所述流体可渗透通道被设计以允许诸如气体的流体传送到模块内的空腔中或传出所述空腔。流体可渗透通道可出于若干原因而合并到模块中。例如，包括装配到空腔内的电气衬底上的热生成有源光电子部件(例如，激光二极管或发光二极管)的模块可需要流体可渗透通道以用于最佳性能。也就是说，在操作期间，由部件生成的热可在模块内蓄积，并且可改变温度敏感电子部件的性能或改变尺寸关键部件诸如光学元件(例如，折射透镜、衍射透镜)或光学元件之间的间隔件的大小或形状。然而，穿过电子衬底并且与热生成部件相邻的流体可渗透通道可将热传导出空腔并且传导热远离任何相邻的温度敏感电子部件、光学元件，或间隔件。
用于制造光电子模块的过程影响模块内的流体可渗透通道的位置。通常，将晶片级制造方法使用来制造数十、数百，或甚至数千的相连光电子模块的晶片。后续制造步骤需要将相连光电子模块的晶片分离(例如，切割)成离散模块。然而，分离过程可通过流体可渗透通道将外来物质(例如，切割流体、切割粒子)引入到模块中。外来物质可不利地影响性能，并且在一些情况下可产生严重的眼睛安全问题。
因此，相连光电子模块的晶片通常通过电子衬底被装配到分离衬底诸如切割带上，其中流体可渗透通道先前已被合并。程序针对后续分离步骤有效地密封流体可渗透通道，借此防止外来物质通过流体可渗透通道进入光电子模块中。
然而，虽然将流体可渗透通道合并到电子衬底中在分离步骤期间有效地将外来物质保持在模块之外，但是位置为后续制造步骤提供了严重的复杂状态。例如，定位为与流体可渗透通道相邻的电子部件用焊锡和焊剂电气地装配到电子衬底。在这个过程期间，电子衬底(即，流体可渗透通道已经合并到的衬底)、焊锡，和焊剂被加热(以使焊锡和焊剂熔化)，并且然后被冷却。在冷却后，可在光电子模块内生成真空。仍然处于流体状态中的任何焊剂可被吸入相邻流体可渗透通道中，其中在进一步冷却后，焊锡焊剂可凝固并且可阻塞通道。因此，由模块内的部件在操作期间生成的任何热可蓄积，并且可严重地影响性能。
发明内容
本公开描述离散光电子模块和具有多个相连光电子模块的晶片。所述光电子模块包括流体可渗透通道，并且被配置使得：1)通道在某些制造步骤期间对外来物质密封，所述某些制造步骤诸如涉及多个相连模块到多个离散、非相连模块的分离的步骤；2)通道在某些制造步骤期间保持免受阻塞，诸如凝固的焊剂，所述某些制造步骤诸如涉及电气地装配部件的步骤；3)通道可容许热(即，加热的流体)在操作期间从光电子模块逸散；4)合并的间隔件可缓和或消除串扰；5)合并的对准部件可容许光学部件和相应有源光电子部件的精确对准；且/或6)合并的粘合剂通道可防止粘合剂迁移到光学部件上。
在第一方面，例如，光电子模块包括电气地装配到有源光电子部件衬底的有源光电子部件，和横向地围绕所述有源光电子部件借此形成腔室的间隔件。所述间隔件包括光学部件装配表面、流体可渗透通道，和模块装配表面。所述光电子模块进一步包括光学部件，所述光学部件装配到所述光学部件装配表面上。
在另一方面，例如，光电子模块包括流体可渗透通道。所述通道可与光学部件装配表面相邻。
在另一方面，例如，光电子模块包括与光学部件装配表面相邻的模块装配表面。
在另一方面，例如，光电子模块包括可操作以发射电磁辐射的特定波长范围的有源光电子部件，并且在一些情况下，可包括对电磁辐射的特定波长范围敏感的有源光电子部件。
在另一方面，例如，光电子模块包括对电磁辐射的特定波长范围实质上非透射的间隔件。
在另一方面，例如，光电子模块包括光学部件，所述光学部件用粘合剂装配到光学装配表面。
在另一方面，例如，光电子模块包括具有与光学部件装配表面相邻的粘合剂通道的间隔件。
在另一方面，例如，光电子模块包括具有对准部件和粘合剂通道的间隔件。所述对准部件和所述粘合剂通道两者可以与光学部件装配表面相邻。
在另一方面，例如，光电子模块包括具有粘合剂通道和对准部件的光学部件。
在另一方面，例如，光电子模块包括与有源光电子部件相邻的流体可渗透通道。所述流体可渗透通道可包括流体可渗透膜。
在另一方面，例如，光电子模块包括模块装配表面。当所述模块装配表面与粘合剂衬底接触时，所述模块装配表面可为可操作以密封腔室和流体可渗透通道。
在另一方面，例如，光电子模块包括有源光电子部件。所述有源光电子部件可为激光二极管、发光二极管、激光二极管的阵列，和/或发光二极管的阵列。
在另一方面，例如，光电子模块包括有源光电子部件。所述有源光电子部件可为光电二极管、光电二极管的阵列，和/或像素的阵列。
在另一方面，例如，光电子模块包括间隔件。所述间隔件可至少部分由聚合材料构成。
在另一方面，例如，光电子模块包括有源光电子部件衬底。所述有源光电子部件衬底可至少部分由引线框架构成。
在另一方面，例如，由多个光电子模块制造光电子模块的方法包括以下步骤：将多个有源光电子部件电气地装配到有源光电子部件衬底。所述有源光电子部件衬底可由间隔件横向地围绕，从而形成腔室。所述间隔件可包括光学部件装配表面、流体可渗透通道，和模块装配表面。所述制造方法可进一步包括以下步骤：将粘合剂施加到所述光学部件装配表面，将光学部件装配到所述光学部件装配表面，固化所述粘合剂，通过所述模块装配表面将所述光电子模块装配到粘合剂衬底，和将所述多个光电子模块分离成切单颗光电子模块。
在另一方面，例如，方法可包括以下步骤：用热和/或电磁辐射从多个光电子模块移除粘合剂衬底。
在另一方面，例如，方法可包括以下步骤：将光电子模块或多个光电子模块装配到主器件中。
在另一方面，例如，方法可包括以下步骤：使光电子模块或多个光电子模块经受热处理。
在另一方面，例如，方法可包括以下步骤：通过模块装配表面将光电子模块或多个光电子模块装配到粘合剂衬底，其中所述粘合剂衬底为切割带。
其他方面、特征和优点将从以下详细描述、附图和权利要求书显而易见。
附图说明
图1A描绘具有流体可渗透通道的示例性光电子模块的示意性俯视图。
图1B描绘图1A中所描绘的示例性光电子模块的示意性侧视图。
图1C描绘图1A中所描绘的示例性光电子模块的放大侧视图。
图1D描绘具有粘合剂的示例性光电子模块的平面图。
图1E描绘图1D中所描绘的示例性光电子模块的侧视图。
图1F描绘图1A中所描绘的示例性光电子模块的放大侧视图。
图1G描绘多个相连光电子模块的实例的侧视图。
图1H描绘包括切单颗线的在图1G中所描绘的多个光电子模块的侧视图。
图2A描绘具有流体可渗透通道的另一示例性光电子模块的示意性俯视图。
图2B描绘图2A中所描绘的示例性光电子模块的示意性侧视图。
图3A描绘具有流体可渗透通道和粘合剂通道的光电子模块的示意性俯视图。
图3B描绘图3A中所描绘的示例性光电子模块的示意性侧视图。
图3C描绘图3A中所描绘的示例性光电子模块的放大侧视图。
图3D描绘具有粘合剂的在图3A中所描绘的示例性光电子模块的放大侧视图。
图4A描绘具有流体可渗透通道、粘合剂通道，和对准部件的示例性光电子模块的示意性俯视图。
图4B描绘图4A中所描绘的示例性光电子模块的示意性侧视图。
图4C描绘图4A中所描绘的示例性光电子模块的放大侧视图。
图4D描绘图4A中所描绘的示例性光电子模块和粘合剂的示例性位置的放大侧视图。
图5A描绘具有流体可渗透通道的又一示例性光电子模块的示意性俯视图。
图5B描绘图5A中所描绘的示例性光电子模块的示意性侧视图。
图5C描绘图5A中所描绘的示例性光电子模块的放大侧视图。
图6A描绘具有流体可渗透通道、粘合剂通道，和对准部件的另一示例性光电子模块的示意性俯视图。
图6B描绘图6A中所描绘的示例性光电子模块的示意性侧视图。
图6C描绘图6A中所描绘的示例性光电子模块的放大侧视图。
图6D描绘图6A中所描绘的示例性光电子模块和粘合剂的示例性位置的放大侧视图。
图7描绘由多个光电子模块制造示例性光电子模块的过程。
图8描绘由多个光电子模块制造示例性光电子模块的另一过程。
具体实施方式
图1A描绘具有流体可渗透通道的示例性光电子模块100的示意性俯视图。光电子模块100可包括有源光电子部件102，所述有源光电子部件电气地装配到有源光电子部件衬底104(例如，印刷电路板PCB或诸如引线框架的金属部件)。有源光电子部件102可包括发光部件(例如，发光二极管、激光二极管，和/或发光二极管或激光二极管的阵列)和/或光检测部件(例如，光电二极管、光电二极管的阵列、基于电荷-耦合器件的图像传感器和/或基于互补金属氧化物半导体的图像传感器)。
光电子模块100可进一步包括间隔件106。间隔件106可横向地围绕有源光电子部件102，借此形成腔室108。在一些实现中，间隔件106可形成在有源光电子部件衬底104的周围。例如，多个间隔件106可形成在引线框架周围，引线框架为多个有源光电子部件衬底104。间隔件可由聚合材料诸如环氧树脂构成。间隔件106可为可操作以实质上使电磁辐射的波长衰减。例如，间隔件106可以是对由有源光电子部件102发射且/或由所述有源光电子部件可检测的光的波长实质上不透明的。间隔件106可由可模制材料形成。例如，在一些实现中，间隔件106可通过注射模制和/或在一些实现中通过真空辅助模制来形成。在一些实现中，间隔件106可由模制树脂形成。在一些实现中，间隔件106可进一步由不透明有机和/或无机填料诸如炭黑构成。
光电子模块100可进一步包括光学部件110，所述光学部件通过光学部件装配表面112装配到间隔件106。在一些实现中，光学部件110可包括折射透镜、衍射透镜，和/或折射和/或衍射透镜的阵列。在一些实现中，光学部件110可包括光谱滤波器。在一些实现中，光学部件110可包括透明盖子。在一些实现中，光学部件110可在距有源光电子部件102的可操作距离处装配到光学部件装配表面112。
光电子模块100可进一步包括形成在间隔件106内的流体可渗透通道114。在一些实现中，流体可渗透通道114为可操作以容许流体从腔室108流出。流体可渗透通道114可与光学部件110相邻地形成在间隔件106内。
光电子模块100可进一步包括形成在间隔件106上的模块装配表面116。模块装配表面116被配置来容许光电子模块100在光电子模块100的制造期间被暂时地密封。在一些实现中，例如，模块装配表面116以平坦表面为特征，其中流体可渗透通道114并未延伸使得密封可通过暂时衬底(例如，切割带)建立。
光电子模块100可进一步包括光学部件偏移118，如在图1B的示意性侧视图和图1C的放大侧视图中所描绘。在一些实现中，光学部件偏移118可以防止光学部件110粘合到暂时衬底，诸如切割带，同时仍然允许光电子模块100被牢固地固定到暂时衬底。
图1D描绘具有粘合剂122的光电子模块100的平面图。此外，图1E描绘具有粘合剂的示例性光电子模块100的侧视图，并且图1F描绘图1A中所描绘的示例性光电子模块的放大侧视图。粘合剂122描绘于示例性位置中。在一些情况下，可需要对应于更多或更少覆盖范围的更多或更少粘合剂。粘合剂122可位于光学部件装配表面112上。在一些实现中，粘合剂122可位于光学部件装配表面112与光学部件110中间。粘合剂122为可操作以将光学部件110固定到光学部件装配表面112。在一些实现中，粘合剂122可通过喷射和/或丝网印刷装配到光学部件装配表面112。在一些实现中，粘合剂122可为可固化粘合剂诸如环氧树脂。例如，粘合剂122可以实质上流体状态装配到光学部件装配表面112，并且可用电磁辐射诸如紫外光和/或红外光固化。
图1G描绘相连的多个光电子模块的侧视图。光电子模块100可由光电子模块多数120制造。光电子模块多数120可通过模块装配表面116装配到粘合剂衬底124。光电子模块多数120可包括大量的光电子模块。例如，光电子模块多数120可包括数十、数百，或甚至数千的光电子模块。光电子模块多数120可为晶片。在一些实现中，粘合剂衬底124可为粘合剂带诸如切割带。在一些实现中，粘合剂衬底124可为热去活粘合剂带，或可用电磁辐射诸如紫外光或红外光去活。
图1H描绘具有示意性切单颗线的相连的多个光电子模块的侧视图。光电子模块多数120可沿着切单颗线126分离成离散光电子模块(例如，光电子模块100)。在一些实现中，光电子模块多数120可通过机械切割分离。在一些实现中，当机械地切割光电子模块多数120时可使用流体。在一些实现中，光电子模块多数120可通过激光束分离。模块装配表面116和粘合剂衬底124可形成抵抗流体的屏障。在其他实现中，模块装配表面116和粘合剂衬底124可形成抵抗在光电子模块多数120到离散光电子模块100的机械分离期间产生的粒子的屏障。
图2A描绘具有流体可渗透通道的另一示例性光电子模块200的示意性俯视图。光电子模块200可包括有源光电子部件202，所述有源光电子部件电气地装配到有源光电子部件衬底204(例如，印刷电路板PCB或诸如引线框架的金属部件)。有源光电子部件202可包括发光部件(例如，发光二极管、激光二极管，和/或发光二极管或激光二极管的阵列)和/或光检测部件(例如，光电二极管、光电二极管的阵列、基于电荷-耦合器件的图像传感器和/或基于互补金属氧化物半导体的图像传感器)。
光电子模块200可进一步包括间隔件206。间隔件206可横向地围绕有源光电子部件202，借此形成腔室208。在一些实现中，间隔件206可形成在有源光电子部件衬底204的周围。例如，多个间隔件206可形成在引线框架周围，引线框架为多个有源光电子部件衬底204。间隔件可由聚合材料诸如环氧树脂构成。间隔件206可为可操作以实质上使电磁辐射的波长衰减。例如，间隔件206可以是对由有源光电子部件202发射且/或由所述有源光电子部件可检测的光的波长实质上不透明的。间隔件206可由可模制材料形成。例如，在一些实现中，间隔件206可通过注射模制和/或在一些实现中通过真空辅助模制来形成。在一些实现中，间隔件206可由模制树脂形成。在一些实现中，间隔件206可进一步由不透明有机和/或无机填料诸如炭黑构成。
光电子模块200可进一步包括光学部件210，所述光学部件通过光学部件装配表面212装配到间隔件206。在一些实现中，光学部件210可包括折射透镜、衍射透镜，和/或折射和/或衍射透镜的阵列。在一些实现中，光学部件210可包括光谱滤波器。在一些实现中，光学部件210可包括透明盖子。在一些实现中，光学部件210可在距有源光电子部件202的可操作距离处装配到光学部件装配表面212。
光电子模块200可进一步包括形成在间隔件206内的流体可渗透通道214。在一些实现中，流体可渗透通道214可操作以容许流体从腔室208流出。流体可渗透通道214可与光学部件210相邻地形成在间隔件206内。
光电子模块200进一步包括形成在间隔件206上的模块装配表面216。模块装配表面216被配置来容许光电子模块200在光电子模块200的制造期间被暂时地密封。在一些实现中，例如，模块装配表面216以平坦表面为特征，其中流体可渗透通道214并未延伸使得密封可通过暂时衬底(例如，切割带)建立。
光电子模块200可进一步包括流体可渗透通道214。流体可渗透通道214可延伸到模块装配表面216中，如图2A和图2B中所描绘。图2B描绘图2A中所描绘的光电子模块的示意性侧视图。流体可渗透通道214延伸到模块装配表面216中。图2A和图2B中所描绘的流体可渗透通道214在一些实现中可具有优点。例如，用来将光学部件210装配到光学部件装配表面212的粘合剂可部分地堵塞流体可渗透通道214的部分。尽管粘合剂到流体可渗透通道214中的部分侵入，到模块装配表面216中的流体可渗透通道214延伸(通过间隔件206)可容许流体的流出。
图3A描绘具有流体可渗透通道和粘合剂通道的示例性光电子模块300的示意性俯视图。光电子模块300可包括有源光电子部件302，所述有源光电子部件电气地装配到有源光电子部件衬底304(例如，印刷电路板PCB或诸如引线框架的金属部件)。有源光电子部件302可包括发光部件(例如，发光二极管、激光二极管，和/或发光二极管或激光二极管的阵列)和/或光检测部件(例如，光电二极管、光电二极管的阵列、基于电荷-耦合器件的图像传感器和/或基于互补金属氧化物半导体的图像传感器)。
光电子模块300可进一步包括间隔件306。间隔件306可横向地围绕有源光电子部件302，借此形成腔室308。在一些实现中，间隔件306可形成在有源光电子部件衬底304周围。例如，多个间隔件306可形成在引线框架周围，引线框架为多个有源光电子部件衬底304。间隔件可由聚合材料诸如环氧树脂构成。间隔件306可为可操作以实质上使电磁辐射的波长衰减。例如，间隔件306可以是对由有源光电子部件302发射且/或由所述有源光电子部件可检测的光的波长实质上不透明的。间隔件306可由可模制材料形成。例如，在一些实现中，间隔件306可通过注射模制和/或在一些实现中通过真空辅助模制来形成。在一些实现中，间隔件306可由模制树脂形成。在一些实现中，间隔件306可进一步由不透明有机和/或无机填料诸如炭黑构成。
光电子模块300可进一步包括光学部件310，所述光学部件通过光学部件装配表面312装配到间隔件306。在一些实现中，光学部件310可包括折射透镜、衍射透镜，和/或折射和/或衍射透镜的阵列。在一些实现中，光学部件310可包括光谱滤波器。在一些实现中，光学部件310可包括透明盖子。在一些实现中，光学部件310可在距有源光电子部件302的可操作距离处装配到光学部件装配表面312。
光电子模块300可进一步包括形成在间隔件306内的流体可渗透通道314。在一些实现中，流体可渗透通道314可操作以容许流体从腔室308流出。流体可渗透通道314可与光学部件310相邻地形成在间隔件306内。
光电子模块300进一步包括形成在间隔件306上的模块装配表面316。模块装配表面316被配置来容许光电子模块300在光电子模块300的制造期间被暂时地密封。在一些实现中，例如，模块装配表面316以平坦表面为特征，其中流体可渗透通道314并未延伸使得密封可通过暂时衬底(例如，切割带)建立。
光电子模块300进一步包括粘合剂通道321。粘合剂通道321可以充满粘合剂322，使得光学部件310通过粘合剂322装配到光学部件装配表面312。在一些实现中，粘合剂通道321可在相对于有源光电子部件302的光学部件310的装配中导致较少公差。
图3B描绘图3A中所描绘的光电子模块的示意性侧视图。图3C描绘图3A中所描绘的光电子模块的放大侧视图。图3D描绘图3A中所描绘的光电子模块和粘合剂322的示例性位置的放大侧视图。
图4A描绘具有流体可渗透通道、粘合剂通道，和对准部件的示例性光电子模块400的示意性俯视图。光电子模块400可包括有源光电子部件402，所述有源光电子部件电气地装配到有源光电子部件衬底404(例如，印刷电路板PCB或诸如引线框架的金属部件)。有源光电子部件402可包括发光部件(例如，发光二极管、激光二极管，和/或发光二极管或激光二极管的阵列)和/或光检测部件(例如，光电二极管、光电二极管的阵列、基于电荷-耦合器件的图像传感器和/或基于互补金属氧化物半导体的图像传感器)。
光电子模块400可进一步包括间隔件406。间隔件406可横向地围绕有源光电子部件402，借此形成腔室408。在一些实现中，间隔件406可形成在有源光电子部件衬底404周围。例如，多个间隔件406可形成在引线框架周围，引线框架为多个有源光电子部件衬底404。间隔件可由聚合材料诸如环氧树脂构成。间隔件406可为可操作以实质上使电磁辐射的波长衰减。例如，间隔件406可以是对由有源光电子部件402发射且/或由所述有源光电子部件可检测的光的波长实质上不透明的。间隔件406可由可模制材料形成。例如，在一些实现中，间隔件406可通过注射模制和/或在一些实现中通过真空辅助模制来形成。在一些实现中，间隔件406可由模制树脂形成。在一些实现中，间隔件406可进一步由不透明有机和/或无机填料诸如炭黑构成。
光电子模块400可进一步包括光学部件410，所述光学部件通过光学部件装配表面412装配到间隔件406。在一些实现中，光学部件410可包括折射透镜、衍射透镜，和/或折射和/或衍射透镜的阵列。在一些实现中，光学部件410可包括光谱滤波器。在一些实现中，光学部件410可包括透明盖子。在一些实现中，光学部件410可在距有源光电子部件402的可操作距离处装配到光学部件装配表面412。
光电子模块400可进一步包括对准部件413和粘合剂通道421。对准部件413可为间隔件406的延伸，对准部件413终止于光学部件装配表面412中。粘合剂通道421可充满粘合剂422，使得光学部件410通过粘合剂422装配到光学部件装配表面412。在一些实现中，粘合剂通道421可在相对于有源光电子部件402的光学部件410的装配中导致较少公差。在一些实现中，对准部件413和粘合剂通道421可在相对于有源光电子部件有源光电子部件402的光学部件410的装配中导致较少公差。例如，在一些情况下，对准部件413可被调整(例如，通过机械加工，或通过激光)，使得可相对于有源光电子部件402装配光学部件410。因此，在一些情况下，对准部件413可被配置来针对倾斜校正。在一些实现中，光学部件410通过对准部件413直接装配到光学部件装配表面412。图4B描绘图4A中所描绘的光电子模块的示意性侧视图。图4C描绘图4A中所描绘的光电子模块的放大侧视图。图4D描绘图4A中所描绘的光电子模块和粘合剂的示例性位置的放大侧视图。
图5A描绘具有流体可渗透通道的另一光电子模块500的示意性俯视图。光电子模块500可包括有源光电子部件502，所述有源光电子部件电气地装配到有源光电子部件衬底504(例如，印刷电路板PCB或诸如引线框架的金属部件)。有源光电子部件502可包括发光部件(例如，发光二极管、激光二极管，和/或发光二极管或激光二极管的阵列)和/或光检测部件(例如，光电二极管、光电二极管的阵列、基于电荷-耦合器件的图像传感器和/或基于互补金属氧化物半导体的图像传感器)。
光电子模块500可进一步包括间隔件506。间隔件506可横向地围绕有源光电子部件502，借此形成腔室508。在一些实现中，间隔件506可形成在有源光电子部件衬底504周围。例如，多个间隔件506可形成在引线框架周围，引线框架为多个有源光电子部件衬底504。间隔件可由聚合材料诸如环氧树脂构成。间隔件506可为可操作以实质上使电磁辐射的波长衰减。例如，间隔件506可以是对由有源光电子部件502发射且/或由所述有源光电子部件可检测的光的波长实质上不透明的。间隔件506可由可模制材料形成。例如，在一些实现中，间隔件506可通过注射模制和/或在一些实现中通过真空辅助模制来形成。在一些实现中，间隔件506可由模制树脂形成。在一些实现中，间隔件506可进一步由不透明有机和/或无机填料诸如炭黑构成。
光电子模块500可进一步包括光学部件510，所述光学部件通过光学部件装配表面512装配到间隔件506。在一些实现中，光学部件510可包括折射透镜、衍射透镜，和/或折射和/或衍射透镜的阵列。在一些实现中，光学部件510可包括光谱滤波器。在一些实现中，光学部件510可包括透明盖子。在一些实现中，光学部件510可在距有源光电子部件502的可操作距离处装配到光学部件装配表面512。光电子模块500可进一步包括形成在间隔件506内的流体可渗透通道514。流体可渗透通道514包括流体可渗透膜528(例如，
Figure GDA0003206985540000111
)。流体可渗透膜528可固定在流体可渗透通道514上或中。在一些实现中，流体可渗透通道514可操作以容许流体从腔室508流出。流体可渗透通道514可与有源光电子部件502相邻地形成在有源光电子部件衬底504内。在一些实现中，光电子模块500可进一步包括形成在间隔件506上的模块装配表面516。模块装配表面516被配置来容许光电子模块500在光电子模块500的制造期间被暂时地密封。在一些实现中，例如，模块装配表面516以平坦表面为特征，其中密封可通过暂时衬底(例如，切割带)建立。在一些实现中，例如，光电子模块500不需要包括模块装配表面516，模块可通过有源光电子装配表面512装配。
图5B描绘图5A中所描绘的光电子模块的示意性侧视图。并且图5C描绘图5A中所描绘的光电子模块的放大侧视图。
图6A描绘具有流体可渗透通道和粘合剂通道的光电子模块600的示意性俯视图。光电子模块600可包括有源光电子部件602，所述有源光电子部件电气地装配到有源光电子部件衬底604(例如，印刷电路板PCB或诸如引线框架的金属部件)。有源光电子部件602可包括发光部件(例如，发光二极管、激光二极管，和/或发光二极管或激光二极管的阵列)和/或光检测部件(例如，光电二极管、光电二极管的阵列、基于电荷-耦合器件的图像传感器和/或基于互补金属氧化物半导体的图像传感器)。
光电子模块600可进一步包括间隔件606。间隔件606可横向地围绕有源光电子部件602，借此形成腔室608。在一些实现中，间隔件606可形成在有源光电子部件衬底604周围。例如，多个间隔件606可形成在引线框架周围，引线框架为多个有源光电子部件衬底604。间隔件可由聚合材料诸如环氧树脂构成。间隔件606可为可操作以实质上使电磁辐射的波长衰减。例如，间隔件606可以是对由有源光电子部件602发射且/或由所述有源光电子部件可检测的光的波长实质上不透明的。间隔件606可由可模制材料形成。例如，在一些实现中，间隔件606可通过注射模制和/或在一些实现中通过真空辅助模制来形成。在一些实现中，间隔件606可由模制树脂形成。在一些实现中，间隔件606可进一步由不透明有机和/或无机填料诸如炭黑构成。
光电子模块600可进一步包括光学部件610，所述光学部件通过光学部件装配表面612装配到间隔件606。在一些实现中，光学部件610可包括折射透镜、衍射透镜，和/或折射和/或衍射透镜的阵列。在一些实现中，光学部件610可包括光谱滤波器。在一些实现中，光学部件610可包括透明盖子。在一些实现中，光学部件610可在距有源光电子部件602的可操作距离处装配到光学部件装配表面612。
光电子模块600可进一步包括形成在间隔件606内的流体可渗透通道614。在一些实现中，流体可渗透通道614可操作以容许流体从腔室608流出。流体可渗透通道614可与光学部件610相邻地形成在间隔件606内。光电子模块600进一步包括形成在间隔件606上的模块装配表面616。模块装配表面616被配置来容许光电子模块600在光电子模块600的制造期间被暂时地密封。在一些实现中，例如，模块装配表面616以平坦表面为特征，其中流体可渗透通道614并未延伸使得密封可通过暂时衬底(例如，切割带)建立。光电子模块600进一步包括形成在光学部件610内的粘合剂通道621和对准部件613。在一些实现中，对准部件613和粘合剂通道621可在相对于有源光电子部件602的光学部件610的装配中导致较少公差。例如，在一些情况下，对准部件613可被调整(例如，通过机械加工，或通过激光)，使得可相对于有源光电子部件602装配光学部件610。
图6B描绘图6A中所描绘的光电子模块的示意性侧视图，图6C描绘图6A中所描绘的光电子模块的放大侧视图，并且图6D描绘图6A中所描绘的光电子模块和粘合剂的示例性位置的放大侧视图。
图7描绘由多个光电子模块制造光电子模块的过程700。由多个光电子模块制造光电子模块的过程700包括电气地装配步骤702，其中将多个有源光电子部件电气地装配到多个有源光电子部件衬底。有源光电子部件衬底可由多个间隔件横向地围绕。间隔件可形成多个相应腔室，并且可进一步包括多个相应光学部件装配表面。间隔件可进一步包括多个相应流体可渗透通道，和多个相应模块装配表面。
由多个光电子模块制造光电子模块的过程700可进一步包括粘合剂施加步骤704，其中将粘合剂施加到多个光学部件装配表面。
由多个光电子模块制造光电子模块的过程700可进一步包括光学部件装配步骤706，其中将多个光学部件装配到多个相应的光学部件装配表面。
由多个光电子模块制造光电子模块的过程700可进一步包括粘合剂固化步骤708，其中固化粘合剂(例如，通过热和/或电磁辐射诸如紫外光的施加)。
由多个光电子模块制造光电子模块的过程700可进一步包括光电子模块装配步骤710，其中多个光电子模块通过多个模块装配表面装配到粘合剂衬底(例如，切割带)。
由多个光电子模块制造光电子模块的过程700可进一步包括模块分离步骤712，其中将所述多个光电子模块分离成离散光电子模块(例如，通过切割)。
图8描绘由多个光电子模块制造光电子模块的过程800。由多个光电子模块800制造光电子模块的过程800包括电气地装配步骤802，其中将多个有源光电子部件电气地装配到多个有源光电子部件衬底。有源光电子部件衬底可由多个间隔件横向地围绕。间隔件可形成多个相应腔室，并且可进一步包括多个相应光学部件装配表面。间隔件可进一步包括多个相应流体可渗透通道，和多个相应模块装配表面。
由多个光电子模块制造光电子模块的过程800可进一步包括：粘合剂施加步骤804，其中将粘合剂施加到所述多个光学部件装配表面；以及光学部件装配步骤806，其中将多个光学部件装配到多个相应光学部件装配表面。
由多个光电子模块制造光电子模块的过程800可进一步包括粘合剂固化步骤808，其中固化粘合剂(例如，通过热和/或电磁辐射诸如紫外光的施加)。
由多个光电子模块制造光电子模块的过程800可进一步包括光电子模块装配步骤810，其中多个光电子模块通过多个模块装配表面装配到粘合剂衬底(例如，切割带)。
由多个光电子模块制造光电子模块的过程800可进一步包括模块分离步骤812，其中将所述多个光电子模块分离成离散光电子模块(例如，通过切割)。
由多个光电子模块制造光电子模块的过程800可进一步包括：主器件装配步骤814，其中将离散光电子模块装配到电路板(例如，将要装配到主器件中)上；热处理步骤816，其中使光电子模块经受热处理，接着是冷却，以便将光电子模块电气地连接到电路板(例如，通过焊锡和焊锡焊剂的熔化和冷却)。
可对先前实现做出其他修改，并且以上在不同实现中描述的特征可在同一实现中组合。因而，其他实现在权利要求书的范围内。

Claims (18)

1.一种光电子模块，其包含：
有源光电子部件，其电气地装配到有源光电子部件衬底；
间隔件，其横向地围绕所述有源光电子部件并形成腔室，其中所述间隔件包括光学部件装配表面、流体可渗透通道，和模块装配表面，其中所述模块装配表面被配置以允许所述光电子模块装配到粘合剂衬底，以密封所述腔室和所述流体可渗透通道；以及
光学部件，其装配到所述光学部件装配表面上。
2.如权利要求1所述的光电子模块，所述模块装配表面是与所述光学部件装配表面相邻。
3.如权利要求1所述的光电子模块，所述有源光电子部件可操作以发射特定波长范围且/或对特定波长范围敏感。
4.如权利要求3所述的光电子模块，其中所述间隔件是对所述特定波长范围实质上非透射的。
5.如权利要求1所述的光电子模块，其中所述光学部件用粘合剂装配到所述光学部件装配表面。
6.如权利要求1所述的光电子模块，其中所述间隔件进一步包括与所述光学部件装配表面相邻的粘合剂通道。
7.如权利要求1所述的光电子模块，其中所述间隔件进一步包括与所述光学部件装配表面相邻的对准部件和粘合剂通道。
8.如权利要求1所述的光电子模块，其中所述光学部件包括粘合剂通道和对准部件。
9.如权利要求1所述的光电子模块，所述流体可渗透通道是与所述有源光电子部件相邻，所述流体可渗透通道是用流体可渗透膜设置。
10.如权利要求1所述的光电子模块，所述有源光电子部件是激光二极管、发光二极管、激光二极管的阵列，和/或发光二极管的阵列。
11.如权利要求1所述的光电子模块，所述有源光电子部件是光电二极管、光电二极管的阵列，和/或像素的阵列。
12.如权利要求1所述的光电子模块，所述间隔件由聚合材料构成。
13.如权利要求1所述的光电子模块，所述有源光电子部件衬底由引线框架构成。
14.一种由多个光电子模块制造光电子模块的方法，所述方法包含以下步骤：
-将多个有源光电子部件电气地装配到有源光电子部件衬底；
-由形成腔室的间隔件横向地围绕每一有源光电子部件衬底，所述间隔件包括光学部件装配表面、流体可渗透通道，和模块装配表面；
-将粘合剂施加到每一光学部件装配表面；
-将光学部件装配到每一光学部件装配表面；
-固化所述粘合剂；
-通过所述模块装配表面将所述光电子模块装配到粘合剂衬底，其中通过所述模块装配表面对所述光电子模块的所述装配密封所述腔室和所述流体可渗透通道；
-将所述多个光电子模块分离成切单颗光电子模块。
15.如权利要求14所述的方法，其进一步包含以下步骤：用热和/或电磁辐射将所述粘合剂衬底从所述多个光电子模块移除。
16.如权利要求14所述的方法，其进一步包含以下步骤：将所述光电子模块装配到主器件中。
17.如权利要求16所述的方法，其进一步包含以下步骤：使所述光电子模块经受热处理。
18.如权利要求14所述的方法，其中所述粘合剂衬底是切割带。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7490377B2 (ja) * 2020-02-05 2024-05-27 キヤノン株式会社 撮像素子パッケージ
DE102022200639A1 (de) 2022-01-20 2023-07-20 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
CN115472640B (zh) * 2022-10-14 2023-05-05 苏州科阳半导体有限公司 一种图像传感器的封装结构和方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56138370A (en) * 1980-03-31 1981-10-28 Toshiba Corp Sealing method for solidstate image sensor
JP3768864B2 (ja) * 2001-11-26 2006-04-19 シチズン電子株式会社 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
US6924514B2 (en) * 2002-02-19 2005-08-02 Nichia Corporation Light-emitting device and process for producing thereof
CN2741196Y (zh) * 2004-09-28 2005-11-16 业达科技股份有限公司 具有萤光板的发光二极管封装结构
TWI327363B (en) 2006-11-17 2010-07-11 Unimicron Technology Corp Carrier structure for semiconductor chip and method for manufacturing the same
CN101430086B (zh) * 2007-11-09 2011-11-09 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 照明装置
US8157419B2 (en) * 2009-08-26 2012-04-17 Abl Ip Holding Llc LED assembly
US8525213B2 (en) * 2010-03-30 2013-09-03 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device having multiple cavities and light unit having the same
JP2012109475A (ja) 2010-11-19 2012-06-07 Rohm Co Ltd 発光装置、発光装置の製造方法、および光学装置
US20120193671A1 (en) 2011-02-01 2012-08-02 Chi Mei Lighting Technology Corp. Light-emitting diode device and method for manufacturing the same
CN103548148B (zh) * 2011-05-19 2016-09-28 欧司朗光电半导体有限公司 光电子装置和用于制造光电子装置的方法
EP2659510B1 (en) 2011-07-19 2019-01-09 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Method for manufacturing opto-electronic modules
JPWO2013061511A1 (ja) * 2011-10-27 2015-04-02 パナソニック株式会社 発光装置
JP6338533B2 (ja) * 2011-12-22 2018-06-06 ヘプタゴン・マイクロ・オプティクス・プライベート・リミテッドＨｅｐｔａｇｏｎ Ｍｉｃｒｏ Ｏｐｔｉｃｓ Ｐｔｅ． Ｌｔｄ． 光電子モジュール、特にフラッシュモジュールおよびそれらの製造方法
US9263658B2 (en) * 2012-03-05 2016-02-16 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
US9240524B2 (en) * 2012-03-05 2016-01-19 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
KR101306247B1 (ko) 2012-05-11 2013-09-17 (주)포인트엔지니어링 백라이트 유닛용 광소자 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광소자와 그 어레이
US20140264831A1 (en) 2013-03-14 2014-09-18 Thorsten Meyer Chip arrangement and a method for manufacturing a chip arrangement
US9416957B2 (en) * 2013-03-14 2016-08-16 Deepsea Power & Light, Inc. Semiconductor lighting devices and methods
KR20140118542A (ko) * 2013-03-29 2014-10-08 삼성전기주식회사 마이크로 펌프
TWI594661B (zh) 2013-04-19 2017-08-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體顯示器及其製造方法
WO2014193307A1 (en) 2013-05-31 2014-12-04 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Mems microphone modules and wafer-level techniques for fabricating the same
TWM468011U (zh) * 2013-07-03 2013-12-11 Aptos Technology Inc 電子元件及其封裝件
CN111781583B (zh) * 2014-03-14 2024-05-14 赫普塔冈微光有限公司 可操作以识别虚假反射并补偿由虚假反射导致的误差的光电模块
JP5862733B1 (ja) * 2014-09-08 2016-02-16 富士ゼロックス株式会社 半導体片の製造方法
JP6765804B2 (ja) * 2014-11-28 2020-10-07 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ

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