JP6689817B2 - 互いに光学的に分離された領域を有するイメージセンサを含む光電子モジュール - Google Patents
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Description
本開示は互いに光学的に分離された領域を有するイメージセンサを含む光電子モジュールに関する。
発光体および光センサを含む光電子モジュールは、たとえば、近接感知、ジェスチャー感知およびカメラ撮影を含む幅広い範囲のアプリケーションに使用可能である。そのようなモジュールは、たとえば、手持ちコンピュータ装置(たとえばスマートフォン)あるいは他のホスト装置などの様々な家電製品に組み込み可能である。
本開示は壁によって互いに光学的に分離された少なくとも2つの領域を有するイメージセンサを含む光電子モジュールを説明する。壁はイメージセンサ上を延びる橋領域を含むことができさらに、一部が橋領域の下面とイメージセンサの上面との間に配置される硬化接着剤部をさらに含むことができる。イメージセンサの光感知領域(たとえば接着剤による汚染に敏感な、あるいは敏感かもしれない光学的に敏感な領域またはイメージセンサの他の領域)の接着剤による汚染を防止するためにモジュールの組立のための様々な技術が説明される。好ましくは、たとえば、壁の一方側に位置する発光体と壁の他方側に位置するイメージセンサの光感知領域との間で、壁は望ましくない光学上の干渉を防止するために、壁は実質的に不透光性である。
図1Aから図1Bに示されるように、光電子モジュール20はプリント回路板(PCB)上のイメージセンサ22(たとえばCCDまたはCMOSセンサ)あるいは他の基板24を含む。イメージセンサ22は少なくとも2つの領域22A、22Bを含む連続的な層として実装され、それぞれの領域は光感知領域(たとえばピクセル)を含む。壁16はモジュールを2つの区分されたチャンバまたは光学チャネル28A、28Bに分離し、それぞれのチャネルはイメージセンサ領域22A、22Bのそれぞれ1つを含む。チャネルの1つ(たとえば28A)は基板24上に取り付けられた発光体30を含む。発光体30は、たとえば、アプリケーションに応じて、発光ダイオード(LED)、赤外線(IR)発光ダイオード、有機発光ダイオード、赤外線(IR)レーザまたは面発光レーザ(VCSEL)として実装可能である。
導管幅(b):80μmから120μm(たとえば100μm)
イメージセンサ高(c):125μmから175μm(たとえば150μm)
橋幅および導管幅(d):175μmから225μm(たとえば200μm)
あふれたメニスカスの幅(p):50μmから250μm
センサ縁部およびスペーサの間のスペースの幅(s):100μmから300μm(たとえば100μm)
イメージセンサの上部と橋領域の下部との間のスペースの高さ(t):20μmから100μm(たとえば50μm)
a、b、pおよびtの寸法のための数値は適切な接着導管を可能とするために特に重要である。いくつかのケースにおいていくつかあるいはすべての以上の寸法は異なる値でも適切となるかもしれない。
Claims (35)
- 光電子モジュールであって、
第1の領域および第2の領域を含む近接イメージセンサチップと、
前記モジュールを第1および第2のチャネルに分離する壁とを備え、前記イメージセンサチップの前記第1の領域は前記第1のチャネル内に配置され、前記イメージセンサチップの前記第2の領域は前記第2のチャネル内に配置され、前記壁は前記イメージセンサチップによって検知可能な1または複数の波長の光に対して不透明であるかこれを著しく減衰させるものであり、
前記壁は前記イメージセンサチップにわたって架橋する橋領域を含み、前記壁は前記橋領域と前記イメージセンサチップの上側表面との間の領域を実質的に充填する接着剤をさらに含む、モジュール。 - 接着剤は前記イメージセンサチップの側縁部に隣接する領域にも存在する、請求項1に記載のモジュール。
- 前記イメージセンサチップの取り付けられる基板をさらに含み、前記基板を前記第1および第2のチャネル上で光学アセンブリから分離するスペーサを含み、前記橋領域の少なくとも一部は前記スペーサと同じ素材で構成され前記スペーサと単一の連続的な一体的なピースとして形成される、請求項1または2に記載のモジュール。
- 前記接着剤はエポキシで構成される、請求項1から3のいずれか1つに記載のモジュール。
- 前記橋領域は1またはそれ以上の接着剤の充填された導管を有する、請求項1から4のいずれか1つに記載のモジュール。
- 前記橋領域はそれぞれ前記イメージセンサチップの前記第1または第2の領域の1つとそれぞれ面する狭い部分を有する、請求項1から4のいずれか1つに記載のモジュール。
- 前記狭い部分の幅は少なくとも100μmである、請求項6に記載のモジュール。
- 前記第1の領域および前記第2の領域は前記イメージセンサチップの光感知領域である、請求項1から7のいずれかに記載のモジュール。
- 前記イメージセンサチップの前記第1の領域および前記第2の領域は接着剤による汚染に敏感で、前記イメージセンサチップ上の前記接着剤の一部は前記第1または第2の領域に達しないあふれるメニスカスを形成する、請求項1から8のいずれかに記載のモジュール。
- 前記橋領域は200μmから300μmの範囲の幅を有する、請求項1から4のいずれかに記載のモジュール。
- 前記橋領域は175μmから225μmの範囲の高さを有する、請求項1から10のいずれかに記載のモジュール。
- 前記イメージセンサチップの上側表面と前記橋領域の下側表面の間のスペースの高さは20μmから100μmの範囲内にある、請求項1から11のいずれかに記載のモジュール。
- 前記橋領域および前記イメージセンサチップの上側表面の間のスペース内の前記接着剤は50μmから250μmの範囲内の幅を有するあふれるメニスカスを有する、請求項1から12のいずれかに記載のモジュール。
- 前記橋領域は前記接着剤と接触する下側縁部を有し、前記下側縁部は切り欠き領域を有する、請求項1から13のいずれかに記載のモジュール。
- 光電子モジュールを組み立てる方法であって、
前記光電子モジュールは、
第1の領域および第2の領域を含む近接イメージセンサチップと、
前記モジュールを第1および第2のチャネルに分離する壁とを備え、前記イメージセンサチップの前記第1の領域は前記第1のチャネル内に配置され、前記イメージセンサチップの前記第2の領域は前記第2のチャネル内に配置され、前記壁は前記イメージセンサチップによって検知可能な1または複数の波長の光に対して不透明であるかこれを著しく減衰させるものであり、
前記壁は前記イメージセンサチップにわたって架橋する橋領域を含み、前記壁は前記橋領域と前記イメージセンサチップの上側表面との間の領域を実質的に充填する接着剤をさらに含み、前記方法は、
基板に取り付けられたスペーサを提供するステップを備え、前記イメージセンサチップが前記基板上に取り付けられ、前記橋領域は前記スペーサと同じ素材で構成されて前記スペーサと単一の連続的な一体的なピースとして形成され、前記方法は、
前記橋領域と前記イメージセンサチップの上側表面との間のスペースと、前記イメージセンサチップの側縁部と前記スペーサの対向する内側縁部の間のスペースに前記接着剤を提供するステップと、
その後前記接着剤を硬化させるステップとをさらに備える、方法。 - 前記接着剤は二重硬化接着剤であり、前記方法は、
第1の技術を用いて前記接着剤を部分的に硬化させるステップと、
他の組立ステップを実行した後に第2の技術を用いて前記接着剤の硬化をその後完成させるステップとを含む、請求項15に記載の方法。 - 前記第1の技術はUV硬化であり前記第2の技術は熱硬化である、請求項16に記載の方法。
- 前記接着剤は二重硬化接着剤であり、前記方法は、
前記接着剤によって形成されたあふれるメニスカスを連続的に事前硬化するステップを含み、前記事前硬化は前記橋領域と前記イメージセンサチップの上側表面の間のスペース内に前記接着剤が提供されるにつれて実行され、前記方法は、
他の組立ステップを実行した後に前記接着剤の硬化をその後完成させるステップをさらに含む、請求項15に記載の方法。 - 前記事前硬化はUV硬化を含み、前記硬化は熱硬化を用いて完成される、請求項18に記載の方法。
- 接着剤を提供するステップは前記橋領域内の1または複数の導管内に前記接着剤を注入することを含む、請求項15に記載の方法。
- 前記スペーサは接着剤によって前記基板に取り付けられ、前記方法は前記イメージセンサチップ上に光学アセンブリを取り付けるステップと、その後すべての前記接着剤を硬化させるステップとをさらに含む、請求項15から20のいずれか1つに記載の方法。
- 前記接着剤は、硬化に先立ち、400から7000(MPa・s)の範囲内の粘度を有する、請求項15から20のいずれか1つに記載の方法。
- 前記接着剤は、硬化に先立ち、3000から6000(MPa・s)の範囲内の粘度を有する、請求項15から20のいずれか1つに記載の方法。
- 前記接着剤の表面張力は、前記接着剤が接着剤による汚染に敏感な前記イメージセンサチップ上の領域に流れるのを防止する、請求項15から23のいずれか1つに記載の方法。
- 前記表面張力は前記接着剤が前記イメージセンサチップの光感知領域上に流れるのを防止する、請求項24に記載の方法。
- 前記橋領域および硬化された接着剤は前記イメージセンサチップによって検知可能な1または複数の波長の光に対して実質的に非透過性を有するか、著しく減衰する、請求項15から25のいずれか1つに記載の方法。
- 複数の光電子モジュールを組み立てるウェハレベルの方法であって、前記方法は、
複数のイメージセンサチップが取り付けられた基板を提供するステップと、
それぞれの前記イメージセンサチップ上に黒エポキシのそれぞれの基本層を提供するステップとを備え、前記イメージセンサチップの第1の光感知領域は前記基本層に対して前記基本層の第1の側面側に位置し、前記イメージセンサチップの第2の光感知領域は前記基本層に対して前記基本層の第2の側面側に位置し、前記方法はさらに、
前記イメージセンサチップ上にクリアエポキシの外側被覆を提供するステップと、
それぞれの基本層のすぐ上にそれぞれの第1の溝を形成するために前記基本層のすぐ上の領域から前記クリアエポキシを選択的に取り除くステップと、
前記第1の溝を黒エポキシで充填し同時に前記モジュールのための黒エポキシの外側ハウジングを形成する注入プロセスを実行するステップとを備える、方法。 - 複数の単体化されたモジュールを形成するために前記基板をダイシングするステップをさらに含み、それぞれのモジュールは前記イメージセンサチップの前記第1および第2の光感知領域を互いに分離するために前記イメージセンサチップ上を架橋する前記黒エポキシで構成された橋領域を有するそれぞれのイメージセンサチップを含む、請求項27に記載の方法。
- 前記複数の単体化されたモジュールを形成するために前記基板をダイシングした後に前記黒エポキシを固焼きするステップをさらに含む、請求項28に記載の方法。
- 前記基板を通じて第2の溝を形成するステップを含み、それぞれの前記第2の溝は前記黒エポキシ内に部分的に延び、前記方法はさらに、
前記基板とは逆の前記黒エポキシ側にUVダイシングテープを固定するステップと、
複数の単体化されたモジュールを形成するために前記黒エポキシを通じてダイシングするステップとを含み、前記ダイシングは前記第2の溝の位置で実行され、前記方法はさらに、
前記UVダイシングテープを除去し、前記複数のモジュールに高温テープを取り付けるステップと、
前記黒エポキシを硬化させるステップとを含む、請求項27に記載の方法。 - 前記クリアエポキシで構成されたレンズはクリアエポキシの外側被覆と一体的に形成され、前記レンズおよび前記外側被覆は単一の射出成形過程において形成される、請求項27から30のいずれか1つに記載の方法。
- 光電子モジュールの組立方法であって、
前記光電子モジュールは、
第1の領域および第2の領域を含む近接イメージセンサチップと、
前記モジュールを第1および第2のチャネルに分離する壁とを備え、前記イメージセンサチップの前記第1の領域は前記第1のチャネル内に配置され、前記イメージセンサチップの前記第2の領域は前記第2のチャネル内に配置され、前記壁は前記イメージセンサチップによって検知可能な1または複数の波長の光に対して不透明であるかこれを著しく減衰させるものであり、
前記壁は前記イメージセンサチップにわたって架橋する橋領域を含み、前記壁は前記橋領域と前記イメージセンサチップの上側表面との間の領域を実質的に充填する接着剤をさらに含み、前記方法は、
前記第1および第2のチャネルと対応する開口部を有するフレームを規定するスペーサを提供するステップを備え、前記スペーサの表面は前記開口部間の前記橋領域を含み、前記方法はさらに、
前記橋領域上に前記壁を構築するために複数の異なるスクリーンを通じてエポキシを押すステップと、
前記エポキシの壁が前記イメージセンサチップの表面に接触し且つ前記イメージセンサチップの表面にわたって延びるよう、前記イメージセンサチップの取り付けられる基板を、前記スペーサのエポキシ側に取り付けるステップと、
前記スペーサ上に光学アセンブリを取り付けるステップとを備え、前記エポキシの壁は前記モジュールを互いに光学的に分離された前記第1および第2のチャネルに分離する、方法。 - それぞれの前記第1および第2のチャネルは前記イメージセンサチップのそれぞれの光感知領域を含む、請求項32に記載の方法。
- 複数の異なるスクリーンを通じてエポキシを押すステップは、
前記スペーサの領域にエポキシを適用するために第1のスクリーンを通じてエポキシを押すステップと、
前記スペーサの領域に追加的なエポキシを適用するために第2のスクリーンを通じて前記追加的なエポキシを押すステップと、
前記スペーサの領域にさらなるエポキシを適用するために第3のスクリーンを通じて前記さらなるエポキシを押すステップとを含む、請求項32または33に記載の方法。 - 前記第1、第2および第3のスクリーンは互いに異なり前記エポキシはそれぞれのスクリーン内の1または複数の開口部に応じて前記スペーサの前記領域に適用される、請求項34に記載の方法。
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