CN108258151A - 封装薄膜、柔性显示装置及封装薄膜形成方法 - Google Patents

封装薄膜、柔性显示装置及封装薄膜形成方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了封装薄膜、柔性显示装置及封装薄膜形成方法，所述封装薄膜包括第一无机层、有机层和第二无机层，所述有机层包括与所述第一无机层接触的第一子有机层、与所述第二无机层接触的第二子有机层以及设置在所述第一子有机层和所述第二子有机层之间的第三子有机层，所述有机层包含高分子材料，其中，所述高分子材料的聚合度在所述第三子有机层中的值不大于在所述第一子有机层、所述第二子有机层中的值，并且在所述第一子有机层和所述第二子有机层中的至少其中之一的值大于在所述第三子有机层中的值。本发明提供的封装薄膜形成方法中，进一步采用iCVD工艺形成所述第一子有机层、所述第三子有机层和所述第二子有机层。

Description

封装薄膜、柔性显示装置及封装薄膜形成方法
技术领域
本发明涉及封装和显示技术领域，尤其涉及封装薄膜、柔性显示装置及封装薄膜形成方法。
背景技术
薄膜封装技术可以用来保护对外部因素例如水分或氧气敏感的二极管或者器件。通过薄膜封装技术能够保护的二极管或器件例如有机电致发光(Organic Light EmittingDiode，OLED)器件、太阳能电池等。其中，OLED器件因为其中显示单元(或照明单元)的特性可能由于环境状况如外部水分、氧气等而退化，因此对封装性能要求很高。传统的玻璃盖或金属盖封装能实现较好的效果，但是不完全适用于一些重要或有潜力的应用场合，比如顶发射OLED显示技术、柔性OLED显示技术等等。
薄膜封装技术的开发应用极大地满足了OLED器件对封装性能的要求，现有的一种用于OLED器件层封装的多层堆叠的薄膜封装结构由内向外依次可包括：1)基底，该层可包括刚性衬底(例如玻璃)或者柔性衬底(例如塑性材料)；2)OLED器件层，具体例如包括R(红)、G(绿)、B(蓝)三色的阵列分布的多个OLED发光单元，每个OLED发光单元例如包括沿基底表面形成的下电极、有机材料以及上电极；3)封装薄膜。
目前较为通用的用于薄膜封装技术的封装薄膜是一种包括无机层/有机层/无机层的多层堆叠结构。其中，无机层的沉积主要采用化学气相沉积(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，PECVD)、原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)，而有机层的沉积方式主要利用喷墨打印(Ink Jet Printing，IJP)方式。
但是，发明人研究发现，利用目前无机层/有机层/无机层的封装薄膜及其形成方法对OLED器件层进行封装之后，在进行弯曲测试时，由于封装薄膜的应变(拉伸量)由内层(靠近OLED器件层一侧)向外层(远离器件层一侧)是逐渐增加，而其中无机层的弹性模量(modulus ofelasticity)通常大于10GPa，但由常用的高分子材料(其分子量在10000-200000之间)构成的有机层的弹性模量仅约0.1GPa。较大的弹性模量差异导致封装薄膜在受力弯折时会在膜层中产生较大的应力集中，甚至导致无机层断裂。因此有必要对封装薄膜及其形成方法进行改进。
发明内容
本发明的目的是改进现有的封装薄膜及其形成方法，减小有机层和无机层之间弹性模量的差异，使无机层和有机层界面处的应力失配下降，以提升封装后的例如OLED柔性显示装置的耐弯折性能。
为实现上述目的，一方面，本发明提供了一种封装薄膜，包括依次堆叠的第一无机层、有机层和第二无机层，所述有机层包括与所述第一无机层接触的第一子有机层、与所述第二无机层接触的第二子有机层以及设置在所述第一子有机层和所述第二子有机层之间的第三子有机层，其特征在于，所述有机层包含高分子材料，其中，所述高分子材料的聚合度在所述第三子有机层中的值不大于在所述第一子有机层、所述第二子有机层中的值，并且在所述第一子有机层和所述第二子有机层中的至少其中之一的值大于在所述第三子有机层中的值。
可选的，所述第一子有机层包括若干依次堆叠的高分子层，并且从与所述第一无机层接触的高分子层到与所述第三子有机层接触的高分子层，所述高分子材料的聚合度逐渐减小；和/或所述第二子有机层包括若干依次堆叠的高分子层，并且从与所述第二无机层接触的高分子层到与所述第三子有机层接触的高分子层，所述高分子材料的聚合度逐渐减小。
可选的，所述高分子材料在所述第一子有机层和/或所述第二子有机层中的弹性模量为0.2-20GPa，在所述第三子有机层中的弹性模量为0.1-20GPa。
可选的，所述高分子材料为PASMa(聚马来酸酐氨基苯乙烯)、P(GMA-co-DFHA)(聚甲基丙烯酸缩水甘油酯丙烯酸十二氟庚酯)、P(npMA-co-EGDA)(聚丙烯酸戊二丙烯酸乙二醇酯)中的一种或它们的组合。
利用本发明提供的封装薄膜，其中有机层包含一种高分子材料，所述高分子材料的聚合度在所述第三子有机层中的值不大于在所述第一子有机层、所述第二子有机层中的值，并且在所述第一子有机层和所述第二子有机层中的至少其中之一的值大于在所述第三子有机层中的值，因而第一子有机层和第二子有机层中至少其中之一的所述高分子材料的分子较第三子有机层中的高分子材料的分子大，有利于提高第一子有机层和/或第二子有机层中的高分子材料的弹性模量，从而提高有机层与第一无机层和/或第二无机层的界面的应变强度，可以改善封装薄膜在受力弯折时在第一无机层和/或第二无机层与有机层界面处产生应力集中的问题。
另一方面，本发明还提供了一种柔性显示装置，所述柔性显示装置包括基底、形成于所述基底上的器件层以及覆盖所述器件层的封装薄膜，所述封装薄膜采用上述的封装薄膜，从而可以提高柔性显示装置的耐弯折性能。
再一方面，本发明还提供了一种封装薄膜形成方法，包括如下步骤：
形成第一无机层，所述第一无机层覆盖器件层；形成有机层，所述有机层包括在所属第一无机层表面依次形成第一子有机层、第三子有机层和第二子有机层，其中，所述高分子材料的聚合度在所述第三子有机层中的值不大于在所述第一子有机层、所述第二子有机层中的值，并且在所述第一子有机层和所述第二子有机层中的至少其中之一的值大于在所述第三子有机层中的值；以及形成第二无机层，所述第二无机层覆盖所述第二子有机层。
可选的，采用iCVD工艺形成所述第一子有机层、所述第三子有机层和所述第二子有机层。
可选的，采用iCVD工艺形成第一子有机层、第三子有机层和第二子有机层时，向真空腔室内通入气相的引发剂和单体用于形成所述高分子材料，其中，所述引发剂和所述单体的摩尔数之比在形成所述第一子有机层、所述第二子有机层时的值大于或者等于在形成所述第三子有机层时的值。
可选的，在形成所述第一子有机层和/或所述第二子有机层时，所述引发剂和所述单体的摩尔数之比随形成的时间增加而逐渐减小。
可选的，所述器件层是OLED器件层。
利用本发明提供的封装薄膜形成方法，依次形成第一子有机层、第三子有机层和第二子有机层，其中，所述高分子材料的聚合度在所述第三子有机层中的值不大于在所述第一子有机层、所述第二子有机层中的值，并且在所述第一子有机层和所述第二子有机层中的至少其中之一的值大于在所述第三子有机层中的值，从而可以减小所述第一子有机层与所述第一无机层和/或所述第二子有机层与所述第二无机层界面处的弹性模量差异，使应力失配下降，提高所形成的封装薄膜的耐弯折性能。
进一步的，利用iCVD工艺形成所述第一子有机层、所述第三子有机层和所述第二子有机层，通过改变反应腔室中的引发剂与单体的摩尔数之比改变高分子材料的聚合度。在对OLED器件层进行封装之后，可以提高所形成的OLED器件的弯折测试良率。
附图说明
图1是本发明实施例的封装薄膜的剖面示意图。
图2是本发明实施例的封装薄膜形成方法的流程示意图。
图3是本发明实施例的柔性显示装置的剖面示意图。
附图标记说明：
100-封装薄膜；10-第一无机层；20-有机层；30-第二无机层；21-第一子有机层；23-第二子有机层；22-第三子有机层；210-器件层。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案、及优点更加清楚明白，以下参照附图并举实施例，对本发明进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
以下实施例中，术语“第一”“第二”用于在类似要素之间进行区分，且未必是用于描述特定次序或时间顺序。要理解，在适当情况下，如此使用的这些术语可替换，例如可使得本文所述的本发明实施例能够不同于本文所述的或所示的其他顺序来操作。类似的，如果本文所述的方法包括一系列步骤，且本文所呈现的这些步骤的顺序并非必须是可执行这些步骤的唯一顺序，且一些所述的步骤可被省略和/或一些本文未描述的其他步骤可被添加到该方法。
弹性模量(又称弹性系数，杨氏模量)是弹性材料的一种最重要、最具特征的力学性质，它可以用于表征材料抵抗弹性变形的能力，其数值大小反映该材料弹性变形的难易程度。本实施例中弹性模量的数值指的是封装层中的有机或无机材料在小形变下的应力(主要是拉伸方向的应力)与相应的应变之比值。本实施例中，弹性模量具体用于描述封装薄膜在受力弯折时其各层材料的抵抗弯折的能力，主要指的是拉伸弹性模量。
从宏观角度来说，弹性模量是衡量物体抵抗弹性变形能力大小的尺度，从微观角度来说，则是原子、离子或分子之间键合强度的反应。凡影响键合强度的因素均能影响材料的弹性模量，如分子键合方式、晶体结构、化学成分、微观组织、温度等。常用的无机材料的弹性模量较大，例如SiNx(氮化硅)的弹性模量约28～200GPa，与之相比，常用的高分子材料(分子量在10000-200000之间)的弹性模量仅约0.1GPa。
发明人研究发现，一方面，在利用现有薄膜封装技术中的无机层/有机层/无机层的多层堆叠结构对器件层进行薄膜封装时，利用现有方法例如IJP工艺形成的有机层中的高分子材料的聚合度为均匀分布，从而其弹性模量也是均匀的，在与无机层接触的界面，有机层与无机层的弹性模量差异较大，如果对此多层堆叠结构进行弯曲，由于封装薄膜的应变(拉伸长度)由内层(靠近器件层一侧)向外层(远离器件层一侧)是线性分布，那么在无机层和有机层的界面处会产生较大的应力集中，常常会造成无机层的断裂，而使得封装效果变差，导致被封装的器件失效。
进一步的，目前无机层/有机层/无机层的多层堆叠结构中，无机层的沉积主要采用化学气相沉积(PECVD)或原子层沉积(ALD)工艺，而有机层的沉积方式主要利用喷墨打印(IJP)方式。但是，传统的液相的高分子薄膜制备方法例如喷墨打印、浸涂、旋涂等方式较难控制薄膜厚度，在结构复杂的表面难以形成均匀薄膜，同时，由于高分子结构复杂、分子量大、高温下易分解，因此无法使用传统的化学气相沉积和物理气相沉积等薄膜制备方法。虽然有报导可以使用等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺制备高分子薄膜，但利用这种工艺制得的高分子薄膜的化学结构无法精确控制。
针对以上问题，发明人经过多次试验及创造性劳动，提出了本发明的技术方案，以下结合实施例对本发明的封装薄膜、柔性显示装置及封装薄膜形成方法进行描述。
本实施例首先提供了一种封装薄膜100。图1所示为本发明实施例的封装薄膜100的剖面示意图。图2是本发明实施例的封装薄膜形成方法的流程示意图。需要说明的是，本实施例中虽然采用了所述封装薄膜形成方法形成所述封装薄膜100，但是，本实施例中的封装薄膜100也可以采用其他的成膜工艺形成，而不采用本实施例所述的封装薄膜形成方法。
以下结合图1和图2对本实施例的封装薄膜100以及封装薄膜形成方法做进一步详细说明。
如图1所示，本实施例的封装薄膜100包括第一无机层10、有机层20及第二无机层30的叠层结构。其中，有机层20具有分别与第一无机层10和第二无机层30相邻的第一子有机层21和第二子有机层22，有机层20还具有设置在第一无机层10和第二无机层30之间的第三子有机层23。
本实施例中，第一无机层10和第二无机层30可以是相同材料，也可以是不同的材料，第一无机层10和第二无机层30可包括SiNx、Al2O3(氧化铝)、ZrO2(氧化锆)、SnOx(氧化锡)等主体材料以及SnF2(氟化锡)、P2O5(五氧化二磷)、WO3(三氧化钨)等一种或多种辅助材料。
本实施例中，有机层20包含一种高分子材料，具体例如是PASMa(聚马来酸酐氨基苯乙烯)、P(GMA-co-DFHA)(聚甲基丙烯酸缩水甘油酯丙烯酸十二氟庚酯)、P(npMA-co-EGDA)(聚丙烯酸戊二丙烯酸乙二醇酯)中的一种或者它们的组合。根据本领域的公知常识，高分子的分子量与相应单体的聚合度有关，即同一高分子材料的分子量可以根据聚合度的不同而不同。本实施例中，有机层20中的该高分子材料的聚合度并不是均匀分布的，而是在分别与第一无机层10相接触的第一子有机层21和/或与第二无机层30相接触的第二子有机层22中的聚合度较大，而位于第一子有机层21和与第二无机层30之间的第三子有机层23中，该高分子材料的聚合度的值较在第一子有机层21和第二子有机层22的值均相对较小。
该高分子材料的聚合度(本实施例具体指某一层中高分子的平均聚合度)在第一子有机层21和第二子有机层22中可以相同，也可以不同。并且，在第一子有机层21和第二子有机层22中，该高分子材料的聚合度可以不是均匀分布，而是沿朝向第三子有机层23的方向逐渐减小。优选方式中，第一子有机层21包括若干依次堆叠的高分子层，并且从与第一无机层10接触的高分子层到与第三子有机层23接触的高分子层，所述高分子材料的聚合度以线性或者阶梯方式逐渐减小；和/或第二子有机层22包括若干依次堆叠的高分子层，并且从与第二无机层30接触的高分子层到与第三子有机层23接触的高分子层，该高分子材料的聚合度以线性或者阶梯方式逐渐减小。通过上述优选方式，第一子有机层21和/或第二子有机层22在分别与第一无机层10和/或第二无机层30接触的表面到与第三子有机层23接触的表面，该高分子材料的聚合度逐渐减小，从而可以提高第一子有机层21和/或第二子有机层22与第三子有机层23之间高分子的适配性能。
需要说明的是，由于高分子材料的分子由若干单体(或重复单元)聚合而成，对于某一层高分子材料，其组成分子的的聚合度通常并不是完全相同，可以以其组成分子上的单体数目的平均值来代表高分子材料的聚合度，因此，上述对该高分子材料的聚合度可以理解为该高分子材料中的高分子的平均聚合度。
具体的，本实施例中，该高分子材料例如是PASMa，发明人研究发现，PASMa具有较宽的弹性模量可调节范围，根据其单体的聚合度不同，其弹性模量在0.1-20GPa之间。该高分子材料在与第一无机层10和第二无机层30相邻的第一子有机层21和第二子有机层22中的分子量为10000-600000，而第三子有机层23的分子量大约为5000-600000，在上述分子量范围内，PASMa的分子量越大，即聚合度越大，则弹性模量越大。并且，本实施例中PASMa在第一子有机层21和第二子有机层22的弹性模量大于在第三子有机层23的弹性模量。
本实施例中，所述有机层的总厚度为0.4-4.0微米，所述第一子有机层和/或所述第二子有机层的厚度为0.1-2.0微米。与具有相同厚度、由相同高分子材料组成但聚合度是均匀分布的用于封装薄膜的现有有机层相比，该高分子材料在第三子有机层23中的弹性模量可以小于或者等于在现有有机层中的弹性模量，而在第一子有机层21和第二子有机层22中的至少其中之一该高分子材料的弹性模量大于在现有有机层中的弹性模量。需要注意的是，本实施例中的有机层20，虽然其分子量增加可以提高弹性模量，但并非是聚合度越大，弹性模量越大，应该根据所选择的高分子材料的性能，具体设计其在第一子有机层21和第二子有机层22中的聚合度。
优选方式中，所述第一子有机层21包括若干依次堆叠的高分子层，并且从与所述第一无机层10接触的高分子层到与所述第三子有机层23接触的高分子层，所述高分子材料的弹性模量以线性或者阶梯方式逐渐减小；和/或所述第二子有机层22包括若干平行于第二无机层30表面的高分子层，并且从与所述第二无机层30接触的高分子层到与所述第三子有机层23接触的高分子层，所述高分子材料的弹性模量以线性或者阶梯方式逐渐减小。通过上述优选方式，第一子有机层21和/或第二子有机层22在分别与第一无机层10和/或第二无机层30接触的表面到与第三子有机层23接触的表面，该高分子材料的弹性模量逐渐减小，可以提高第一子有机层21和/或第二子有机层22与第三子有机层23之间高分子的适配性能，并且仍然保持高分子材料较好的应变弹性。
本实施例中所述的封装薄膜100可以用来保护对外部因素例如水分或氧气敏感的二极管或者器件，例如OLED器件、太阳能电池等，但不限于此，封装薄膜100可以用于任何具有薄膜封装需求的元器件。并且在考虑到具体的封装薄膜的用途时，上述封装薄膜100也可以去掉上述某一无机层，或者增加额外的层，在某些实施例中，还可以将上述封装薄膜100形成具有更多层的包括上述第一无机层10、第一子有机层21、第三子有机层23、第二子有机层22、第二无机层30的薄膜或结构，其中每层薄膜的厚度可以通过考虑薄膜中包括的层的数目或薄膜的用途来控制。
如图2所示，本实施例还提供了一种封装薄膜形成方法，可以用于制作上述封装薄膜，具体包括如下步骤：
S1：形成第一无机层10，所述第一无机层10覆盖器件层；
S2：形成有机层20，所述有机层20包括在所属第一无机层10表面依次形成的第一子有机层21、第三子有机层23和第二子有机层22，所述有机层20包含高分子材料，其中，所述高分子材料的聚合度在所述第三子有机层23中的值不大于在所述第一子有机层21和所述第二子有机层22中的值，并且在所述第一子有机层21和所述第二子有机层22中的至少其中之一的值大于在所述第三子有机层23中的值；以及
S3：形成第二无机层30，所述第二无机层30覆盖所述第二子有机层22。
具体的，在步骤S1和S3中，所述器件层例如是在一塑性或柔性衬底上形成的OLED器件层，在本发明其他实施例中，器件层也可以是其他有薄膜封装需求的区域。
具体的，可以采用PECVD工艺沉积形成第一无机层10和第二无机层30，第一无机层10和第二无机层30可包括SiNx、Al2O3、ZrO2、SnOx等主体材料以及SnF2、P2O5、WO3等一种或多种辅助材料，本实施例中第一无机层10和第二无机层30的厚度例如为10～300纳米。
在步骤S2中，可以采用iCVD工艺沉积所述第一子有机层21、所述第三子有机层23和所述第二子有机层22。
具体的，在iCVD工艺中，将用于形成所述高分子材料的的引发剂(initiator)和单体(monomer)以气相的方式引入一真空反应腔室中，并与电阻加热丝接触，激活的引发剂受热分解成自由基(引发剂受热温度例如100～300℃)，自由基使单体聚合并沉积在器件层的第一无机层10表面。
本实施例中，该高分子材料例如是PASMa，单体为Ma(甲马来酸酐)和4-AS(马来酸酐)，引发剂可选择TBP(tert-butyl peroxide，叔丁基过氧化氢)，为了得到聚合度分布呈中间高、两边低的PASMa，可以在利用iCVD工艺形成PASMa时，在第一子有机层21、第三子有机层23、第二子有机层22的沉积时间内，改变引发剂和单体进入真空腔室的摩尔数的比例，使在第一子有机层21和/或第二子有机层22中单体的聚合度较大，在第三子有机层23中单体的聚合度较小，例如可以在沉积所述第一子有机层21和第二子有机层22时，使得引发剂和单体的摩尔数之比大于在沉积所述第三子有机层23时引发剂和单体的摩尔数之比，从而提高单体的聚合度。
优选方式中，在形成所述第一子有机层21和/或所述第二子有机层23时，所述引发剂和所述单体的摩尔数之比随形成的时间增加而逐渐减小，例如以线性或者阶梯方式减小，这样有利于提高第一子有机层21和/或第二子有机层22与第三子有机层23之间高分子的适配性能。
通过改变不同沉积时间内PASMa的单体的聚合度可以改变PASMa在有机层20的不同位置的弹性模量(本实施例中主要指代拉伸弹性模量)，进而形成分子大小以及弹性模量并不均匀分布的有机层20。本实施例中PASMa在第一子有机层21和/或第二子有机层22的分子量为10000-600000，弹性模量为0.2-20GPa，在第三子有机层23中的分子量为5000-600000，弹性模量为0.1-20GPa，第一子有机层21、第二子有机层22和第三子有机层23三者的总厚度大约为0.4-4微米。
利用上述iCVD工艺，与传统液相制备过程相比，iCVD法制得的高分子膜致密均匀、厚度可控，与PECVD相比，不需要引入高能量的等离子体，可以较好地保留高分子材料所需的官能团。
利用上述薄膜封装的方法，可以在待封装基底上形成具有第一无机层10/有机层20/第二无机层30的叠层结构的封装薄膜100，所述封装薄膜100为柔性，可以弯曲，并且在受力弯折的时候，PASMa在第一子有机层21和/或第二子有机层22中的聚合度较在第三子有机层23中的聚合度大，从而，第一子有机层21和/或第二子有机层22中的PASMa的弹性模量较第三子有机层23中的PASMa的弹性模量大，使得在第一无机层10与第一子有机层21和/或第二无机层30与第二无机层30接触的界面处弹性模量的差异减小，而第三子有机层23中PASMa的弹性模量可以小于或等于现有工艺形成的PASMa的弹性模量，因而可以使无机层(本实施例中包括第一无机层10和/或第二无机层30)和有机层20界面处的应力失配下降，封装薄膜100的耐弯折性能得到提高。
本实施例还提供了一种柔性显示装置。所述柔性显示装置包括基底200、形成于所述基底上的器件层210以及覆盖所述器件层210的封装薄膜100。
图3是本发明实施例的柔性显示装置的剖面示意图。如图3所示，所述基底200可以是刚性基底(例如玻璃)或者柔性基底，当基底200为柔性基底时，可以选择聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲基乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)以及乙酸丙酸纤维素(CAP)组成的组中的材料。在所述基底200上形成有器件层210，所述器件层210例如包括R(红)、G(绿)、B(蓝)三色的阵列分布的多个OLED发光单元，每个OLED发光单元例如包括沿基底200表面形成的下电极、有机材料以及上电极。
本领域技术人员应该知晓的是，OLED柔性显示装置可以是其中图像沿着朝向基底200的方向形成的底部发射型显示设备，此时基底200应该由透明材料形成。然而，当OLED柔性显示装置是其中图像沿着远离基底200(即朝向封装薄膜100)的方向形成的顶部发射型显示设备时，基底200无需包括透明材料，例如基底200可选择不透光的金属，此时封装薄膜100需要具备优良的透光度。并且，在基底200上还可形成有阵列分布的多个OLED发光单元对应的薄膜晶体管TFT，以用来驱动所述OLED发光单元。关于在基底200上形成薄膜晶体管TFT以及器件层210的工艺可以是现有的工艺，此处不再赘述。
本实施例中的柔性显示装置中，在所述基底200上形成有器件层210，所述柔性显示装置还包括覆盖所述器件层210的封装薄膜100，所述封装薄膜100利用本实施例前述的封装薄膜100，包括依次叠加的第一无机层10、有机层20和第二无机层30，其中有机层20包含一种高分子材料，本实施例中是PASMa，所述有机层20包括与第一无机层10相邻的第一子有机层21、与第二无机层30相邻的第二子有机层22以及设置于第一无机层10和第二无机层30之间的第三子有机层23，该高分子材料在第一子有机层21和/或所述第二子有机层22中的聚合度大于在第三子有机层23中的聚合度。
所述封装薄膜100用以对器件层210进行封装，可以阻止外界水分和氧气进入器件层210，例如可以阻止水分和氧气对OLED发光器件的影响，所述封装薄膜100可以有效保护器件层210以避免器件失效。
本实施例中柔性显示装置上形成封装薄膜100的方法可以利用上述薄膜封装的方法，但在其他实施例中，也可以利用其他工艺形成覆盖器件层210的封装薄膜100。
本实施例的柔性显示装置为OLED柔性显示装置，在基底200上形成器件层210，并且采用本实施例所述的封装薄膜100对器件层210进行封装，在对OLED柔性显示装置进行弯曲测试时，相对于现有工艺，所述封装薄膜100中的有机层20和无机层(包括第一无机层10和第二无机层30)界面处的弹性模量差异减小，无机层和有机层界面处的应力失配下降，可以提高OLED柔性显示装置的耐弯折性能。
可以理解的是，以上实施例仅用以描述本发明的技术方案而非限制，对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (10)

1.一种封装薄膜，包括依次堆叠的第一无机层、有机层和第二无机层，所述有机层包括与所述第一无机层接触的第一子有机层、与所述第二无机层接触的第二子有机层以及设置在所述第一子有机层和所述第二子有机层之间的第三子有机层，其特征在于，所述有机层包含高分子材料，其中，所述高分子材料的聚合度在所述第三子有机层中的值不大于在所述第一子有机层、所述第二子有机层中的值，并且在所述第一子有机层和所述第二子有机层中的至少其中之一的值大于在所述第三子有机层中的值。
2.如权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述第一子有机层包括若干依次堆叠的高分子层，并且从与所述第一无机层接触的高分子层到与所述第三子有机层接触的高分子层，所述高分子材料的聚合度逐渐减小；和/或
所述第二子有机层包括若干依次堆叠的高分子层，并且从与所述第二无机层接触的高分子层到与所述第三子有机层接触的高分子层，所述高分子材料的聚合度逐渐减小。
3.如权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述高分子材料在所述第一子有机层和/或所述第二子有机层中的弹性模量为0.2-20GPa，在所述第三子有机层中的弹性模量为0.1-20GPa。
4.如权利要求1至3中任一项所述的封装薄膜，其特征在于，所述高分子材料为PASMa、P(GMA-co-DFHA)和P(npMA-co-EGDA)中的一种或它们的组合。
5.一种柔性显示装置，所述柔性显示装置包括基底、形成于所述基底上的器件层以及覆盖所述器件层的封装薄膜，其特征在于，所述封装薄膜采用如权利要求1至4中任一项所述的封装薄膜。
6.一种封装薄膜形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
形成第一无机层，所述第一无机层覆盖器件层；
形成有机层，所述有机层包括在所属第一无机层表面依次形成的第一子有机层、第三子有机层和第二子有机层，所述有机层包含高分子材料，其中，所述高分子材料的聚合度在所述第三子有机层中的值不大于在所述第一子有机层、所述第二子有机层中的值，并且在所述第一子有机层和所述第二子有机层中的至少其中之一的值大于在所述第三子有机层中的值；以及
形成第二无机层，所述第二无机层覆盖所述第二子有机层。
7.如权利要求6所述的封装薄膜形成方法，其特征在于，采用iCVD工艺形成所述第一子有机层、所述第三子有机层和所述第二子有机层。
8.如权利要求7所述的封装薄膜形成方法，其特征在于，向真空腔室内通入气相的引发剂和单体用于形成所述高分子材料，其中，所述引发剂和所述单体的摩尔数之比在形成所述第一子有机层、所述第二子有机层时的值大于或者等于在形成所述第三子有机层时的值。
9.如权利要求8所述的封装薄膜形成方法，其特征在于，在形成所述第一子有机层和/或所述第二子有机层时，所述引发剂和所述单体的摩尔数之比随形成的时间增加而逐渐减小。
10.如权利要求6至9中任一项所述的封装薄膜形成方法，其特征在于，所述器件层是OLED器件层。
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