CN108254667A - 评价装置及评价方法 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于提供一种能够抑制局部放电的发生的技术。评价装置具备：探针，其配置于上部件的下表面；侧壁部，其配置于上部件的下表面，将探针的侧方包围；以及第1气体供给部。第1气体供给部在侧壁部与工作台接近的情况下，能够朝向在工作台载置的被测定物供给气体，在侧壁部与工作台接触的情况下，能够对由工作台、侧壁部及上部件包围的空间供给气体。

Description

评价装置及评价方法

技术领域

本发明涉及对被测定物的电气特性进行评价的评价装置及评价方法。

背景技术

已知针对半导体晶片或作为从半导体晶片单片化的半导体芯片的半导体装置等被测定物，对电气特性进行评价的评价装置。在对电气特性进行评价时，评价装置通过真空吸附等使被测定物的设置面与卡盘工作台的载置面接触而固定于该载置面后，使用于进行电输入、输出的探针与在被测定物的非设置面的一部分设置的电极接触。在被测定物为在纵向即面外方向流动大电流的纵型结构的半导体装置的情况下，使用在载置面设置有电极的卡盘工作台。就这样的评价装置而言，以往，实施了探针的多针化，满足施加大电流、高电压的要求。

此外，在被测定物为芯片状态的纵型结构的半导体装置的情况下，有时在其评价中，半导体装置的在非设置面的一部分设置的电极和卡盘工作台侧的与卡盘工作台同电位的区域之间产生电位差而发生局部放电现象。该局部放电会导致产生半导体装置的局部破损、半导体装置的故障等。此外，在产生了电位差的探针之间、探针和有电位差的其它电极之间也可能发生局部放电。

在将产生了局部放电的半导体装置作为合格品直接流出到后段工序的情况下，在后段工序中提取出这样的半导体装置是非常困难的。因此，优选实施以下措施，即，通过事先抑制局部放电，从而避免由局部放电引起的故障。因此，提出了各种抑制局部放电的技术(例如专利文献1及2)。

专利文献1：日本特开2011-252792号公报

专利文献2：日本特开2015-35577号公报

在上述专利文献1公开的技术中，通过在密闭的压力容器内载置被测定物，在对压力容器内加压的状态下进行评价，从而防止在被测定物的高电压试验中发生的放电。在专利文献2公开的技术中，并非是使用密闭的压力容器，而是在非密闭状态下对部件内进行加压而实施晶片内的器件的检查，由此防止放电。

但是，在专利文献1及2这两者的技术中，如果评价时在被测定物之上存在异物，则有可能产生经由异物的放电路径，因此有可能无法期待放电抑制效果。

发明内容

因此，本发明就是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够抑制局部放电的发生的技术。

本发明涉及的评价装置对被测定物的电气特性进行评价，该评价装置具备：工作台，其载置所述被测定物；以及上部件，其配置于所述工作台上方。所述工作台和所述上部件能够彼此接近及远离。评价装置还具备：探针，其配置于所述上部件的下表面；侧壁部，其配置于所述上部件的所述下表面，将所述探针的侧方包围；第1气体供给部，其在所述侧壁部与所述工作台接近的情况下，能够朝向在所述工作台载置的所述被测定物供给气体，在所述侧壁部与所述工作台接触的情况下，能够对由所述工作台、所述侧壁部及所述上部件包围的空间供给气体；以及评价部，其在通过所述第1气体供给部的气体的供给而使所述空间的压力上升的状态下，对与所述探针连接的所述被测定物的电气特性进行评价。

发明的效果

根据本发明，第1气体供给部在侧壁部与工作台接近的情况下，能够朝向在工作台载置的被测定物供给气体，在侧壁部与工作台接触的情况下，能够对由工作台、侧壁部及上部件包围的空间供给气体。根据这样的结构，能够抑制局部放电的发生。

附图说明

图1是表示实施方式1涉及的评价装置的结构的侧视概略图。

图2是表示半导体装置的结构的一个例子的俯视概略图。

图3是表示实施方式1涉及的评价装置的一部分结构的剖面概略图。

图4是表示实施方式1涉及的评价装置的一部分结构的俯视概略图。

图5是表示实施方式1涉及的评价装置的一部分结构的剖面概略图。

图6是表示实施方式1涉及的评价装置的一部分结构的侧视图。

图7是表示实施方式1涉及的评价装置的一部分结构的剖面概略图。

图8是表示实施方式1涉及的评价装置的一部分结构的俯视概略图。

图9是表示变形例1涉及的评价装置的一部分结构的剖面概略图。

图10是表示变形例1涉及的评价装置的一部分结构的剖面概略图。

图11是表示变形例2涉及的评价装置的一部分结构的剖面概略图。

图12是表示变形例2涉及的评价装置的一部分结构的俯视概略图。

图13是表示变形例2涉及的评价装置的一部分结构的俯视概略图。

图14是表示变形例2涉及的评价装置的一部分结构的剖面概略图。

标号的说明

1评价装置，3卡盘工作台，4评价控制部，5半导体装置，7侧壁部，10探针，16安装板，24保护部件，26密封部件，27嵌合部，28槽部，30第1气体供给部，31第2气体供给部，32第3气体供给部，30a、31a、32a气体喷出口，34内壁面，35测定空间，37温度传感器，38气体方向可变机构。

具体实施方式

[实施方式1]

图1是表示本发明的实施方式1涉及的评价装置1的结构的侧视概略图。图1的评价装置1为对被测定物的电气特性进行评价的装置。以下，将被测定物作为芯片等半导体装置5进行说明，但并不限于此，例如，也可以是半导体晶片等。在对评价装置1进行说明前，对作为被测定物的半导体装置5进行说明。

图2是表示半导体装置5的结构的一个例子的俯视概略图。在本实施方式1中，半导体装置5为在纵向即面外方向流动大电流的纵型结构的IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor)，但并不限于此。半导体装置5在俯视观察时具有有源区19和终端部20。终端部20是以能够保持耐压的方式在一个半导体装置5的切割线的内侧沿着外周面21设置的。在设置于终端部20的内部的有源区19，配置有纵型的IGBT等所期望的元件。

在有源区19的表面、背面配置有与外部进行电输入、输出的连接焊盘即电极焊盘18。电极焊盘18是由例如具有导电性的铝制造的。就纵型的IGBT而言，表面侧的电极焊盘18是作为发射极电极及栅极电极而配置的，背面侧的电极焊盘18是作为集电极(collector)电极(electrode)而配置的。但是，半导体装置5的各电极的位置、个数并不限于此。

图1的评价装置1具备：探针基体2、作为载置半导体装置5的工作台的卡盘工作台3、作为评价部及控制部的评价控制部4、以及移动臂9。

探针基体2具有作为上部件的安装板16，该安装板16配置在卡盘工作台3上方。

移动臂9能够使探针基体2、乃至安装板16在任意的方向移动。由此，卡盘工作台3和安装板16能够通过移动臂9彼此接近及远离。此外，探针基体2也可以不是被一个移动臂9而是被多个移动臂9稳定地保持。另外，也可以并非是使探针基体2移动，而是使半导体装置5即卡盘工作台3侧移动。

图3是表示本实施方式1涉及的评价装置1的一部分结构的剖面概略图，具体而言是表示包含探针基体2及卡盘工作台3在内的一部分结构的剖面概略图。图4是从安装板16的下侧观察该一部分结构的俯视概略图。图5是从其它剖面观察该一部分结构的剖面概略图。此外，图3是沿着图4的A-A线的剖面概略图，图5是沿着图4的B-B线的剖面概略图。

如图3所示，评价装置1具备在安装板16的下表面配置的探针10。探针10是用于与外部连接的一个电极，在评价纵型结构的半导体装置5时，与在半导体装置5的上表面设置的电极焊盘18(图2)接触。卡盘工作台3的表面是用于与外部连接的另一个电极，在评价纵型结构的半导体装置5时，与半导体装置5的下表面即设置面接触。

在图1中虽然只图示出了局部，但探针10经由安装板16、在安装板16设置的连接部8A、与连接部8A连接的信号线6而电连接至评价控制部4。卡盘工作台3的表面经由卡盘工作台3的内部、在卡盘工作台3的侧面设置的连接部8B、与连接部8B连接的信号线6而电连接至评价控制部4。因此，在评价半导体装置5时，评价控制部4分别与半导体装置5的表面及背面电连接。此外，电连接是指以在施加了通常使用的电压的情况下电流双向流动的程度进行了连接。

设想到例如施加大于或等于5A的大电流而设置有多个探针10。此外，优选将信号线6与安装板16连接的连接部8A和设置于卡盘工作台3侧面的连接部8B之间的距离无论经由哪一个探针10都大致一致。在如上所述构成的情况下，能够使在各探针10施加的电流密度大致一致。在这样的结构中，特别地优选使连接部8A的位置和连接部8B的位置隔着探针10相对。

下面，对卡盘工作台3进行详细说明。卡盘工作台3是将一个或多个半导体装置5与其设置面接触地固定的底座。在本实施方式1中，作为半导体装置5的固定手段即半导体装置5的保持手段，使用真空吸附。但是，半导体装置5的保持手段并不限于真空吸附，也可以使用静电吸附等。以下，为了使说明变得简单，对将1个半导体装置5设置于卡盘工作台3的例子进行说明，但并不限于此。

下面，对从探针10至评价控制部4的结构要素进行详细说明。

图6是表示本实施方式1涉及的评价装置1的探针10的侧视图。探针10具备尖端部12、压入部13、基体设置部14、以及电连接部15，该尖端部12具有接触部11。

接触部11与在半导体装置5的表面配置的电极焊盘18机械且电接触。压入部13与具有接触部11的尖端部12机械且电连接，借助于安装在内部的未图示的弹簧等弹簧部件在接触时能够滑动。作为基座的基体设置部14经由插口17(图3及图4)而由安装板16保持。作为向外部的输出端的电连接部15经由压入部13与尖端部12电连接。

探针10由具有导电性的金属材料，例如铜、钨、铼钨等构成，但并不限于此。特别地，从提高导电性、提高耐久性等角度出发，接触部11也可以被其它部件，例如金、钯、钽、铂等包覆。

此处，对探针10的动作进行简单说明。探针10如果从初始状态(图6(a))起向Z轴下方下降，即向在半导体装置5设置的电极焊盘18下降，则首先，电极焊盘18和接触部11进行接触(图6(b))。之后，如果进一步使其下降，则压入部13在使基体设置部14内的未图示的弹簧部件进行弹性变形的同时被压入至基体设置部14内(图6(c))。根据这样的结构，能够与半导体装置5的电极焊盘18可靠地接触。

此处，说明的是在探针10中内置在Z轴方向具备滑动性的未图示的弹簧部件，但并不限于此，也可以在外部具备弹簧部件。另外，探针10并不限于弹簧式，也可以是悬臂式的接触探针。此外，探针10只要在Z轴方向具有滑动性即可，并不限于弹簧式，也可以是层叠探针、线探针等。

探针10经由图3及图4所示的插口17而由安装板16保持。根据这样的结构，由于探针10易于相对于安装板16进行装卸，因此能够使例如与半导体装置5的大小对应的探针10的根数的变更、破损的探针10的更换等容易化。

下面，对安装板16进行说明。各探针10和连接部8A配置于例如安装板16之上，通过未图示的金属板等配线进行连接。此外，在构成为将与探针10连接的导电性的配线直接配置于安装板16的情况下，优选安装板16具有绝缘性。但是，在使用对配线形成有绝缘性的覆盖层的线缆等的结构的情况下，安装板16也可以不具有绝缘性，例如也可以具有金属性即导电性。

评价装置1的探针基体2具备：以上所述的安装板16、探针10、连接部8A、插口17以及将各探针10和连接部8A连接的未图示的配线。除此之外，评价装置1的探针基体2还具有：图3及图4所示的侧壁部7、第1气体供给部30、第2气体供给部31、以及作为温度测量部的温度传感器37。

侧壁部7配置于安装板16的下表面，将探针10的侧方包围。如图3所示，在评价半导体装置5时，侧壁部7与卡盘工作台3接触。此时，侧壁部7与卡盘工作台3及安装板16协同动作，将半导体装置5和作为其周围的空间的测定空间35包围而密闭。

侧壁部7由具有绝缘性的材质，例如，PPS(Poly Phenylene Sulfide)等树脂、硅橡胶等材质构成。由此，能够抑制评价时的放电。侧壁部7的材质并不限于此，有时是将卡盘工作台3升温而在例如200℃左右的高温的状况下对半导体装置5进行评价，因此优选使用能够承受这样的温度的材质。此外，在制造多个同一形状的侧壁部7的情况下，如果使用成型加工则能够期待成本的降低。

如图3所示，在本实施方式1中，在侧壁部7的与卡盘工作台3相反侧的部分即侧壁部7的上部配置有作为凸起的嵌合部27。通过将该侧壁部7的嵌合部27与配置于安装板16下表面的槽部28嵌合，从而将侧壁部7固定地配置于安装板16的下表面。此处，由于设想的是成为评价对象的半导体装置5的外形(图2)为正方形状的情况，因此侧壁部7具有能够将半导体装置5包围的方形(图4)。但是，侧壁部7的俯视时的形状并不限于此。此外，在图3及图4中，为了将图简化，仅图示出在Y方向延伸的多个槽部28，但也可以还将在X方向延伸的槽部配置于安装板16。

另外，以上，对如下结构进行了说明，即，通过将侧壁部7与配置于安装板16下表面的槽部28嵌合而将其配置于安装板16的下表面。但是并不限于此，也可以是通过侧壁部7的嵌合部27与将安装板16的下表面贯通的贯通孔(未图示)嵌合，从而将侧壁部7固定地配置于安装板16的下表面。根据嵌合部27与贯通孔嵌合的结构，由于在将侧壁部7取下时，能够从贯通孔中的与侧壁部7相反的开口将侧壁部7推出，因此容易从安装板16将侧壁部7取下。

另外，在这样的结构中，优选在安装板16配置多个贯通孔，并且将与该多个贯通孔嵌合的多个嵌合部27配置于侧壁部7的上部。在该情况下，由于能够将各贯通孔的尺寸设为比较小，因此能够使安装板16的上部中的能够用于配线等的没有贯通孔的部分扩大。

如图3及图5所示，如果探针基体2与卡盘工作台3接近，则侧壁部7的与嵌合部27相反侧的端部即侧壁部7的下部与卡盘工作台3接触。侧壁部7的下部具有平坦面23，以与卡盘工作台3进行面接触。

此处，在本实施方式1中，在侧壁部7中的能够与卡盘工作台3接触的平坦面23配置有具有柔性的保护部件24。保护部件24使用的是例如弹性体。根据这样的结构，能够提高反复接触的侧壁部7的下部的耐久性，并且能够实现侧壁部7和卡盘工作台3之间的接触性及密合性的改善。如果侧壁部7为树脂材料，则保护部件24用例如橡胶材料等，如果侧壁部7为橡胶材料，则保护部件24使用例如特氟隆(Teflon)涂层等涂层材料(“特氟隆”为注册商标)等。但是，侧壁部7及保护部件24的材质并不限于此。

作为与这样的结构不同的结构，如图7所示，也可以是如下结构，即，在侧壁部7的平坦面23的面内的大致中央配置凹部25，并且在该凹部25内配置作为弹性体的O型环等密封部件26。在该结构中，侧壁部7经由密封部件26与卡盘工作台3接触。在图3及图5所示的结构中，在保护部件24劣化时，仅对保护部件24进行更换稍显困难。与此相对，在图7所示的结构中，由于仅对O型环等密封部件26进行更换是比较容易的，因此能够使更换操作容易化。此外，在图7的结构中，在侧壁部7的平坦面23配置有密封部件26，但并不限于此，也可以在卡盘工作台3配置密封部件。

如图3及图4所示，温度传感器37配置于安装板16的下表面中的由侧壁部7包围的部分。该温度传感器37对在卡盘工作台3载置的半导体装置5的温度进行测量。在本实施方式1中，温度传感器37进行监视，该监视是指随时对半导体装置5的温度进行测量。由此，在伴随着温度的变化的半导体装置5的评价中，能够准确地检测出半导体装置5的评价时的温度，能够使测量精度提高。

此处，如果进行后述的气体喷出即气体喷吹，则根据喷吹的气体的温度，半导体装置5的温度有时会相对于所期望的评价温度发生变化。因此，优选在对半导体装置5的电气特性进行评价的期间中，通过温度传感器37对半导体装置5的温度进行监视。此外，为了抑制由气体喷吹导致的半导体装置5的温度变化，喷吹被调节为与评价温度相同的温度的气体即可。

在本实施方式1中，将即使与半导体装置5没有接触也能够对半导体装置5的温度进行测量的辐射温度计用于温度传感器37。根据这样的结构，能够期待维护的容易化、以及半导体装置5的破损的降低化。

但是，温度传感器37并不限于辐射温度计。例如，也可以与探针10一起，或代替探针10，将都未图示的热电偶或热敏电阻作为温度传感器37进行配置。而且，也可以在评价半导体装置5时使热电偶或热敏电阻与半导体装置5接触而对半导体装置5的温度进行监视。在使用热电偶或热敏电阻的结构中，由于使它们与半导体装置5接触，因此无论半导体装置5的表面状态如何都能够期待对半导体装置5的温度准确地进行测量。此外，此处，配置了一个温度传感器37，但并不限于此，也可以通过配置多个温度传感器37，对半导体装置5的多个位置的温度进行测量，从而提高测量精度。

图3及图4所示的第1气体供给部30在侧壁部7与卡盘工作台3接近的情况下，能够朝向在卡盘工作台3载置的半导体装置5供给气体。由此，在侧壁部7与卡盘工作台3接触前，能够从第1气体供给部30向半导体装置5喷吹气体。其结果，在评价半导体装置5前，能够吹走而除去在半导体装置5之上附着的异物。特别地，如果以异物存在于半导体装置5的终端部20之上的状态直接进行评价，则容易产生放电，因此如上所述，在评价前除去终端部20之上的异物是有效的。

如图3及图4所示，在本实施方式1中，4个第1气体供给部30配置于安装板16的下表面中的由侧壁部7包围的部分。而且，第1气体供给部30的气体喷出口30a(图3)相对于卡盘工作台3的上表面、乃至半导体装置5的上表面朝向垂直方向。因此，第1气体供给部30能够比较强地对半导体装置5喷吹气体。

此外，第1气体供给部30在侧壁部7与卡盘工作台3接触的情况下，能够向由卡盘工作台3、侧壁部7及安装板16包围的测定空间35(图3)供给气体。

在侧壁部7与卡盘工作台接近的情况下，第2气体供给部31能够朝向探针10供给气体。由此，在侧壁部7与卡盘工作台3接触前，能够从第2气体供给部31向探针10喷吹气体。其结果，在评价半导体装置5前，能够吹走而除去在探针10附着的异物。

如图4及图5所示，在本实施方式1中，4个第2气体供给部31配置于安装板16的下表面中的由侧壁部7包围的部分。而且，第2气体供给部31的气体喷出口31a(图5)相对于探针10朝向倾斜的方向即倾斜方向。因此，从倾斜方向对探针10进行气体的喷吹，从探针10将异物除去。

此外，在侧壁部7与卡盘工作台3接触的情况下，第2气体供给部31与第1气体供给部30相同地，能够对测定空间35(图3)供给气体。

第1气体供给部30及第2气体供给部31所使用的气体是从图1的气体供给源22经由气体流道36向这些供给部供给的。气体的供给量及供给时间是通过调整部29进行调整的，调整部29的调整是通过评价控制部4进行控制的。气体使用的是例如氩、氮、以及空气等，但并不限于此。如果沿用已设置于评价室内的压缩空气，则也可以设置调节器进行压力调整。

图1的评价控制部4是通过例如由评价装置1的未图示的CPU(Central ProcessingUnit)等执行在评价装置1的未图示的半导体存储器等存储装置中存储的程序，从而作为该CPU的功能来实现的。评价控制部4对评价装置1的各结构要素进行综合控制。此处，评价控制部4能够在通过例如第1气体供给部30的气体的供给而使测定空间35的压力上升的状态下，即在抑制了局部放电的状态下，对与探针10连接的半导体装置5的电气特性进行评价。

[动作]

下面，对本实施方式1涉及的评价装置1的动作进行说明。如本实施方式1所示，在使用多个探针10的情况下，在评价前，针对多个探针10使接触部11的平行度一致。然后，在将半导体装置5向卡盘工作台3之上固定后，使第1气体供给部30及侧壁部7分别与半导体装置5及卡盘工作台3接近。之后，进行气体喷吹。

在本实施方式1涉及的气体喷吹中，首先，进行由第2气体供给部31对探针10进行气体喷吹的第1气体供给工序。之后，进行由第1气体供给部30对半导体装置5进行气体喷吹的第2气体供给工序。由此，在使从探针10脱离的异物掉落后，能够将该掉落的异物和原本在半导体装置5之上存在的异物这两者除去。此外，在优先缩短时间的情况下，也可以同时进行第1气体供给工序及第2气体供给工序。

在第2气体供给工序后，在半导体装置5的电极焊盘18和探针10接触后、或同时，将侧壁部7的平坦面23推压至卡盘工作台3。为了可靠地进行探针10和电极焊盘18的接触，使探针10的下端与侧壁部7的下端对齐，或与侧壁部7的下端相比配置于下方。

之后，通过进行从第1气体供给部30及第2气体供给部31的至少任意1者对测定空间35供给气体的第3气体供给工序，从而进行使测定空间35内的压力上升的加压。加压的值取决于进行评价的温度、施加的电压，例如使用大于或等于20kPa的值。在将加压调节为所期望的值后，评价控制部4在通过温度传感器37对半导体装置5的温度进行确认的同时，开始半导体装置5的电气特性的评价。如上所述，如果在加压的状态下进行评价，则有效地抑制了局部放电。在实施关于所期望的电气特性的评价后，使用未图示的泄气阀，将测定空间35内的压力恢复为原来状态，侧壁部7及探针10分别与卡盘工作台3的表面及半导体装置5的表面分离。此时，也可以不使用泄气阀，而是通过侧壁部7的远离将测定空间35内的压力恢复为原来状态。之后，将在卡盘工作台3载置的半导体装置5更换为接下来要评价的半导体装置5。

[实施方式1的总结]

上述这样的本实施方式1涉及的评价装置1具备第1气体供给部30，该第1气体供给部30在侧壁部7与卡盘工作台3接近的情况下，能够朝向在卡盘工作台3载置的半导体装置5供给气体，在侧壁部7与卡盘工作台3接触的情况下，能够对测定空间35供给气体。由此，不仅能够通过对测定空间35内进行加压来抑制局部放电的发生，还能够通过在形成测定空间35前对半导体装置5进行气体喷吹来除去半导体装置5的异物。其结果，能够进一步抑制局部放电的发生。另外，由于不需要对通常的评价装置1的结构进行大的设计变更，因此还能够期待以低成本实现上述效果。

另外，本实施方式1具备第2气体供给部31，该第2气体供给部31在侧壁部7与卡盘工作台3接近的情况下，能够朝向探针10供给气体，在侧壁部7与卡盘工作台3接触的情况下，能够对测定空间35供给气体。由此，由于能够对测定空间35内进行加压、以及在形成测定空间35前对探针10进行气体喷吹，因此能够进一步抑制局部放电的发生。但是，在实施方式1中第2气体供给部31不是必需的。

另外，在本实施方式1中，第1气体供给部30及第2气体供给部31配置于安装板16下表面中的由侧壁部7包围的部分。根据这样的结构，能够抑制形成测定空间35前的气体喷吹从侧壁部7向侧方逃脱，因此能够提高气体的使用效率。

[实施方式2]

图8是表示本发明的实施方式2涉及的评价装置1的包含探针基体2及卡盘工作台3在内的一部分结构的俯视概略图。以下，对在本实施方式2中说明的结构要素中的与实施方式1相同或类似的结构要素标注相同的参照标号，主要对不同的结构要素进行说明。

上述实施方式1涉及的评价装置1(图4)具备第2气体供给部31。与此相对，如图8所示，本实施方式2涉及的评价装置1具备第3气体供给部32以替代第2气体供给部31。

第3气体供给部32在侧壁部7与卡盘工作台3接近的情况下，能够朝向侧壁部7供给气体。由此，在侧壁部7与卡盘工作台3接触前，能够从第3气体供给部32向侧壁部7喷吹气体。其结果，在评价半导体装置5前，能够吹走而除去在侧壁部7之上附着的异物。

如图8所示，在本实施方式2中，4个第3气体供给部32配置于安装板16的下表面中的由侧壁部7包围的部分。而且，第3气体供给部32的气体喷出口32a相对于侧壁部7的内侧的壁面即内壁面34朝向倾斜方向。因此，从倾斜方向对侧壁部7进行气体的喷吹，从侧壁部7将异物除去。此处，在从下表面观察安装板16的俯视观察时多个第3气体供给部32的气体喷出口32a朝向环状的一个方向。根据这样的结构，由于产生气体的涡流，因此能够期待异物的除去效果的提高。

此外，第3气体供给部32构成为，在侧壁部7与卡盘工作台3接触的情况下，与第1气体供给部30相同地能够对测定空间35供给气体。

[动作]

本实施方式2涉及的评价装置1的动作除了第1气体供给工序及第3气体供给工序之外，与实施方式1中说明的动作相同。在上述实施方式1涉及的第1气体供给工序中，第2气体供给部31对探针10进行了气体喷吹，但在本实施方式2涉及的第1气体供给工序中，第3气体供给部32对侧壁部7进行气体喷吹。另外，在本实施方式2涉及的第3气体供给工序中，从第1气体供给部30及第3气体供给部32的至少任意1者对测定空间35供给气体。

[实施方式2的总结]

上述这样的本实施方式2涉及的评价装置1具备第3气体供给部32，该第3气体供给部32在侧壁部7与卡盘工作台3接近的情况下，能够朝向侧壁部7供给气体，在侧壁部7与卡盘工作台3接触的情况下，能够对测定空间35供给气体。由此，能够对测定空间35内进行加压、以及在形成测定空间35前对侧壁部7进行气体喷吹，因此能够进一步抑制局部放电的发生。

另外，在本实施方式2中，第1气体供给部30及第3气体供给部32配置于安装板16下表面中的由侧壁部7包围的部分。根据这样的结构，由于能够抑制形成测定空间35前的气体喷吹从侧壁部7向侧方逃脱，因此能够提高气体的使用效率。

此外，在以上说明的结构中，第3气体供给部32的气体喷出口32a相对于侧壁部7的内壁面34朝向倾斜方向，但并不限于此。例如，虽未图示，但第3气体供给部32的气体喷出口也可以是相对于侧壁部7的内壁面34朝向垂直方向的结构。根据这样的结构，能够通过气体直接将异物除去。

另外，例如，虽未图示，但关于第3气体供给部32的气体喷出口，也可以将上述结构进行组合。即，也可以是如下结构：多个第3气体供给部32中的一部分的气体喷出口相对于侧壁部7的内壁面34朝向垂直方向，多个第3气体供给部32中的其余的气体喷出口相对于侧壁部7的内壁面34朝向倾斜方向。

[变形例1]

在实施方式1及实施方式2各自中说明的评价装置1具备第2气体供给部31及第3气体供给部32的任意1者，但并不限于此。例如，如本变形例1所示，未图示的评价装置1也可以具备第2气体供给部31及第3气体供给部32这两者。根据这样的结构，能够得到实施方式1及2这两者的效果。

此外，在本变形例1等中，也可以是将第1气体供给部30及第2气体供给部31的至少任意1者配置于侧壁部7的内壁面34。在图9(剖面概略图)中，作为其一个例子而示出如下结构，即，将4个第1气体供给部30分别配置于侧壁部7的4个内壁面34(图8)。根据这样的结构，由于不需要进行向安装板16安装气体供给部的加工，能够减少在安装板16配置的结构要素。

另外，在本变形例1等中，也可以是将第1气体供给部30、第2气体供给部31及第3气体供给部32的至少任意1者配置于卡盘工作台3的上部中的比能够与侧壁部7接触的部分更靠内侧的部分。在图10(剖面概略图)中，作为其一个例子而示出如下结构，即，将4个第1气体供给部30配置于卡盘工作台3的上部。根据这样的结构，气体流道36的配管的处理变得容易，并且侧壁部7及探针基体2的更换变得容易。

此外，也可以是在侧壁部7的内壁面34配置作为可变机构的气体方向可变机构，该气体方向可变机构能够将第1气体供给部30、第2气体供给部31及第3气体供给部32的至少任意1者的气体的喷出方向变更为半导体装置5的方向。在图10中，作为其一个例子而示出能够将第1气体供给部30的气体的喷出方向变更为半导体装置5的方向的气体方向可变机构38。根据这样的结构，无需使第1气体供给部30从卡盘工作台3的表面凸出，能够有效地对半导体装置5喷吹气体。此外，气体方向可变机构38是由树脂、绝缘部件等制造的，通过螺丝固定、粘接等配置于侧壁部7。

[变形例2]

图3等所示的第1气体供给部30的气体喷出口30a从半导体装置5的终端部20的上方相对于半导体装置5的上表面朝向垂直方向，但并不限于此。

例如，第1气体供给部30的气体喷出口30a也可以相对于卡盘工作台3的上表面、乃至半导体装置5的上表面朝向倾斜方向。根据这样的结构，通过从异物的侧部将从倾斜方向喷吹的气体推出，从而能够将异物除去。此外，这样的结构既可以如图5所示的第2气体供给部31那样，通过将第1气体供给部30的气体喷出口30a附近的部分折弯而实现，也可以如图11(剖面概略图)所示，通过相对于安装板16将第1气体供给部30倾斜地配置而实现。

另外，在这样的结构中，第1气体供给部30的气体喷出口30a也可以如图8所示的第3气体供给部32那样，在从下表面观察安装板16的俯视观察时朝向环状的一个方向。根据这样的结构，由于产生气体的涡流，因此能够期待异物的除去效果的提高。

此外，如果主要是将半导体装置5的终端部20(图2)之上的异物除去，则也可以如图12(俯视概略图)所示，第1气体供给部30的气体喷出口30a朝向沿着侧壁部7的内壁面34、乃至半导体装置5的终端部20的方向。如果并非是主要将半导体装置5的终端部20之上的异物除去，则也可以如图13(俯视概略图)所示，第1气体供给部30的气体喷出口30a相对于侧壁部7的内壁面34、乃至半导体装置5的终端部20朝向倾斜方向。

另外，例如，关于第1气体供给部30的气体喷出口，也可以将图3的结构和图11～图13等的结构组合。即，也可以是如下结构：多个第1气体供给部30中的一部分的气体喷出口相对于卡盘工作台3的上表面朝向垂直方向，多个第1气体供给部30中的其余的气体喷出口相对于卡盘工作台3的上表面朝向倾斜方向。

另外，第1气体供给部30、第2气体供给部31及第3气体供给部32的至少任意1者的气体喷出口也可以具有节流结构等前端变前端变细的形状。在图14(剖面概略图)中，作为其一个例子而示出第1气体供给部30的气体喷出口30a具有前端变细的形状的结构。根据这样的结构，随喷吹区域变变窄，但能够更强力地喷吹气体。

此外，本发明可以在其发明的范围内将各实施方式及各变形例自由地组合，或对各实施方式及各变形例适当地进行变形、省略。

Claims (27)

1.一种评价装置，其对被测定物的电气特性进行评价，

该评价装置具备：

工作台，其载置所述被测定物；以及

上部件，其配置于所述工作台上方，

所述工作台和所述上部件能够彼此接近及远离，

该评价装置还具备：

探针，其配置于所述上部件的下表面；

侧壁部，其配置于所述上部件的所述下表面，将所述探针的侧方包围；

第1气体供给部，其在所述侧壁部与所述工作台接近的情况下，能够朝向在所述工作台载置的所述被测定物供给气体，在所述侧壁部与所述工作台接触的情况下，能够对由所述工作台、所述侧壁部及所述上部件包围的空间供给气体；以及

评价部，其在通过所述第1气体供给部的气体的供给而使所述空间的压力上升的状态下，对与所述探针连接的所述被测定物的电气特性进行评价。

2.根据权利要求1所述的评价装置，其中，

还具备第2气体供给部，该第2气体供给部在所述侧壁部与所述工作台接近的情况下，能够朝向所述探针供给气体，在所述侧壁部与所述工作台接触的情况下，能够对所述空间供给气体。

3.根据权利要求1所述的评价装置，其中，

还具备第3气体供给部，该第3气体供给部在所述侧壁部与所述工作台接近的情况下，能够朝向所述侧壁部供给气体，在所述侧壁部与所述工作台接触的情况下，能够对所述空间供给气体。

4.根据权利要求1所述的评价装置，其中，

还具备：

第2气体供给部，其在所述侧壁部与所述工作台接近的情况下，能够朝向所述探针供给气体，在所述侧壁部与所述工作台接触的情况下，能够对所述空间供给气体；以及

第3气体供给部，其在所述侧壁部与所述工作台接近的情况下，能够朝向所述侧壁部供给气体，在所述侧壁部与所述工作台接触的情况下，能够对所述空间供给气体。

5.根据权利要求4所述的评价装置，其中，

所述第1气体供给部、所述第2气体供给部及所述第3气体供给部的至少任意1者，配置于所述上部件的所述下表面中的由所述侧壁部包围的部分。

6.根据权利要求2所述的评价装置，其中，

所述第1气体供给部及所述第2气体供给部的至少任意1者配置于所述侧壁部的内侧的壁面。

7.根据权利要求4所述的评价装置，其中，

所述第1气体供给部、所述第2气体供给部及所述第3气体供给部的至少任意1者，配置于所述工作台的上部中的比能够与所述侧壁部接触的部分更靠内侧的部分。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的评价装置，其中，

所述第1气体供给部的气体喷出口相对于所述工作台的上表面朝向垂直方向。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的评价装置，其中，

所述第1气体供给部的气体喷出口相对于所述工作台的上表面朝向倾斜方向。

10.根据权利要求9所述的评价装置，其中，

多个所述第1气体供给部的气体喷出口在所述上部件的俯视观察时朝向环状的一个方向。

11.根据权利要求1至4中任一项所述的评价装置，其中，

多个所述第1气体供给部中的一部分的气体喷出口相对于所述工作台的上表面朝向垂直方向，

所述多个第1气体供给部中的其余的气体喷出口相对于所述工作台的上表面朝向倾斜方向。

12.根据权利要求3或4所述的评价装置，其中，

所述第3气体供给部的气体喷出口相对于所述侧壁部的内侧的壁面朝向垂直方向。

13.根据权利要求3或4所述的评价装置，其中，

所述第3气体供给部的气体喷出口相对于所述侧壁部的内侧的壁面朝向倾斜方向。

14.根据权利要求3或4所述的评价装置，其中，

多个所述第3气体供给部中的一部分的气体喷出口相对于所述侧壁部的内侧的壁面朝向垂直方向，

所述多个第3气体供给部中的其余的气体喷出口相对于所述侧壁部的内侧的壁面朝向倾斜方向。

15.根据权利要求4所述的评价装置，其中，

所述第1气体供给部、所述第2气体供给部及所述第3气体供给部的至少任意1者的气体喷出口具有前端变细的形状。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的评价装置，其中，

所述侧壁部具有绝缘性。

17.根据权利要求1至16中任一项所述的评价装置，其中，

还具备在所述侧壁部或所述工作台配置的弹性体，

所述侧壁部能够经由所述弹性体与所述工作台接触。

18.根据权利要求1至16中任一项所述的评价装置，其中，

所述侧壁部具有保护部件，该保护部件具有柔性，配置于能够与所述工作台接触的部分。

19.根据权利要求1至18中任一项所述的评价装置，其中，

在所述上部件的所述下表面配置槽部，

所述侧壁部与所述槽部嵌合。

20.根据权利要求1至18中任一项所述的评价装置，其中，

配置将所述上部件的所述下表面贯通的贯通孔，

所述侧壁部与所述贯通孔嵌合。

21.根据权利要求20所述的评价装置，其中，

与多个所述贯通孔嵌合的多个凸起配置于所述侧壁部的与所述工作台相反侧的部分。

22.根据权利要求4所述的评价装置，其中，

还具有可变机构，该可变机构配置于所述侧壁部，能够将所述第1气体供给部、所述第2气体供给部及所述第3气体供给部的至少任意1者的气体的喷出方向，变更为在所述工作台载置的所述被测定物的方向。

23.根据权利要求1至22中任一项所述的评价装置，其中，

还具有温度测量部，该温度测量部对在所述工作台载置的所述被测定物的温度进行测量。

24.根据权利要求23所述的评价装置，其中，

所述温度测量部包含热电偶。

25.根据权利要求23所述的评价装置，其中，

所述温度测量部包含辐射温度计。

26.根据权利要求23所述的评价装置，其中，

所述温度测量部包含热敏电阻。

27.一种评价方法，其为权利要求4所述的评价装置进行的评价方法，

在该评价方法中，具备下述工序：

第1气体供给工序，在所述侧壁部与所述工作台接近的情况下，从所述第2气体供给部及所述第3气体供给部的至少任意1者供给气体；

第2气体供给工序，即，在所述第1气体供给工序后，在所述侧壁部与所述工作台接触前，从所述第1气体供给部供给气体；以及

第3气体供给工序，在所述侧壁部与所述工作台接触的情况下，从所述第1气体供给部、所述第2气体供给部及所述第3气体供给部的至少任意1者对所述空间供给气体。