JP5987637B2 - 評価装置 - Google Patents
評価装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5987637B2 JP5987637B2 JP2012238789A JP2012238789A JP5987637B2 JP 5987637 B2 JP5987637 B2 JP 5987637B2 JP 2012238789 A JP2012238789 A JP 2012238789A JP 2012238789 A JP2012238789 A JP 2012238789A JP 5987637 B2 JP5987637 B2 JP 5987637B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- temperature
- temperature detection
- evaluation
- probes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title claims description 98
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 162
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 84
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 78
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- DECCZIUVGMLHKQ-UHFFFAOYSA-N rhenium tungsten Chemical compound [W].[Re] DECCZIUVGMLHKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Relating To Insulation (AREA)
Description
本願の発明に係る他の評価装置は、半導体素子を固定するステージと、絶縁板と、該絶縁板に固定された複数のプローブと、該複数のプローブを介して該半導体素子に電流を流して該半導体素子の電気特性を評価する評価部と、該評価部が該半導体素子の電気特性を評価しているときに、該半導体素子の温度を検出し続ける複数の温度検出部と、該複数の温度検出部のいずれか1つが検出した温度が予め定められた温度を超えたときは該評価部に放電発生情報を伝送する放電監視部と、該放電発生情報が出された該半導体素子を特定する情報を記憶する記憶部を備え、該評価部は、該放電発生情報を受けると該半導体素子の評価を中止し、該複数のプローブは、長手方向に伸縮し、該複数の温度検出部は、該絶縁板に取り付けられた複数の熱電対であり、該複数の温度検出部と該複数のプローブは、1つの温度検出部と1つのプローブが隣り合うように設けられ、該複数の熱電対の下端は該プローブの下端よりも上方に位置していることを特徴とする。
本願の発明に係る評価装置は、半導体素子を固定するステージと、絶縁板と、該絶縁板に固定された複数のプローブと、該複数のプローブを介して該半導体素子に電流を流して該半導体素子の電気特性を評価する評価部と、該評価部が該半導体素子の電気特性を評価しているときに、該半導体素子の温度を検出し続ける複数の温度検出部と、該複数の温度検出部のいずれか1つが検出した温度が予め定められた温度を超えたときは該評価部に放電発生情報を伝送する放電監視部と、該放電発生情報が出された該半導体素子を特定する情報を記憶する記憶部を備え、該評価部は、該放電発生情報を受けると該半導体素子の評価を中止し、該複数のプローブは、長手方向に伸縮し、該複数の温度検出部は、該絶縁板に取り付けられた複数の熱電対であり、該複数の温度検出部は、該複数のプローブを囲み、該複数の熱電対の下端は該プローブの下端よりも上方に位置していることを特徴とする。
図1は、本発明の実施の形態1に係る評価装置の図である。この評価装置は、半導体素子12を固定するステージ10を備えている。ステージ10は、少なくとも表面部分が金属で形成されている。半導体素子12は、例えば上面と下面の間で電流を流すIGBTで形成されている。半導体素子12の上面にはパッド12aが形成されている。
本発明の実施の形態2に係る評価装置及び半導体素子の評価方法は、実施の形態1との共通点が多いので実施の形態1との相違点を中心に説明する。図8は、本発明の実施の形態2に係るプローブ等を示す図である。複数のプローブにはカンチレバー式のプローブ50が用いられている。そして、プリント基板で形成された絶縁板30には開口30aが開いている。この開口30aの上方には複数の温度検出部38が配置されている。
本発明の実施の形態3に係る評価装置、及び半導体素子の評価方法は、実施の形態1との共通点が多いので実施の形態1との相違点を中心に説明する。図9は、本発明の実施の形態3に係る評価装置を示す図である。ステージ70は、半導体素子12の外周部を支持することで半導体素子12の表面と裏面を露出させるように形成されている。これにより、半導体素子12の表面側にはパッド12aが露出し、裏面側にはパッド12bが露出している。
本発明の実施の形態4に係る評価装置、及び半導体素子の評価方法は、実施の形態1との共通点が多いので実施の形態1との相違点を中心に説明する。図10は、本発明の実施の形態4に係る評価装置を示す図である。ステージ80の内部には空洞80aが形成されている。
本発明の実施の形態5に係る評価装置、及び半導体素子の評価方法は、実施の形態1との共通点が多いので実施の形態1との相違点を中心に説明する。図11は、本発明の実施の形態5に係る評価装置を示す図である。複数の温度検出部は、複数の熱電対90で形成されている。複数の熱電対90は信号線92によりコントローラ20に接続されている。
Claims (3)
- 半導体素子を固定するステージと、
開口を有する絶縁板と、
前記絶縁板に固定されたカンチレバー式の複数のプローブと、
前記複数のプローブを介して前記半導体素子に電流を流して前記半導体素子の電気特性を評価する評価部と、
前記評価部が前記半導体素子の電気特性を評価しているときに、前記半導体素子の温度を検出し続ける、前記開口の上方に設けられた複数の温度検出部と、
前記複数の温度検出部のいずれか1つが検出した温度が予め定められた温度を超えたときは前記評価部に放電発生情報を伝送する放電監視部と、
前記放電発生情報が出された前記半導体素子を特定する情報を記憶する記憶部を備え、
前記複数の温度検出部はそれぞれ前記半導体素子の異なる部分の温度を検出し、
前記評価部は、前記放電発生情報を受けると前記半導体素子の評価を中止することを特徴とする評価装置。 - 半導体素子を固定するステージと、
絶縁板と、
前記絶縁板に固定された複数のプローブと、
前記複数のプローブを介して前記半導体素子に電流を流して前記半導体素子の電気特性を評価する評価部と、
前記評価部が前記半導体素子の電気特性を評価しているときに、前記半導体素子の温度を検出し続ける複数の温度検出部と、
前記複数の温度検出部のいずれか1つが検出した温度が予め定められた温度を超えたときは前記評価部に放電発生情報を伝送する放電監視部と、
前記放電発生情報が出された前記半導体素子を特定する情報を記憶する記憶部を備え、
前記評価部は、前記放電発生情報を受けると前記半導体素子の評価を中止し、
前記複数のプローブは、長手方向に伸縮し、
前記複数の温度検出部は、前記絶縁板に取り付けられた複数の熱電対であり、
前記複数の温度検出部と前記複数のプローブは、1つの温度検出部と1つのプローブが隣り合うように設けられ、
前記複数の熱電対の下端は前記プローブの下端よりも上方に位置していることを特徴とする評価装置。 - 半導体素子を固定するステージと、
絶縁板と、
前記絶縁板に固定された複数のプローブと、
前記複数のプローブを介して前記半導体素子に電流を流して前記半導体素子の電気特性を評価する評価部と、
前記評価部が前記半導体素子の電気特性を評価しているときに、前記半導体素子の温度を検出し続ける複数の温度検出部と、
前記複数の温度検出部のいずれか1つが検出した温度が予め定められた温度を超えたときは前記評価部に放電発生情報を伝送する放電監視部と、
前記放電発生情報が出された前記半導体素子を特定する情報を記憶する記憶部を備え、
前記評価部は、前記放電発生情報を受けると前記半導体素子の評価を中止し、
前記複数のプローブは、長手方向に伸縮し、
前記複数の温度検出部は、前記絶縁板に取り付けられた複数の熱電対であり、
前記複数の温度検出部は、前記複数のプローブを囲み、
前記複数の熱電対の下端は前記プローブの下端よりも上方に位置していることを特徴とする評価装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012238789A JP5987637B2 (ja) | 2012-10-30 | 2012-10-30 | 評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012238789A JP5987637B2 (ja) | 2012-10-30 | 2012-10-30 | 評価装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014089105A JP2014089105A (ja) | 2014-05-15 |
JP5987637B2 true JP5987637B2 (ja) | 2016-09-07 |
Family
ID=50791119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012238789A Active JP5987637B2 (ja) | 2012-10-30 | 2012-10-30 | 評価装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5987637B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107870294A (zh) * | 2016-09-28 | 2018-04-03 | 三菱电机株式会社 | 评价装置、半导体装置的评价方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6739326B2 (ja) * | 2016-12-27 | 2020-08-12 | 三菱電機株式会社 | 評価装置及び評価方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61183938A (ja) * | 1985-02-09 | 1986-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | オ−トプロ−バ− |
JPS61263235A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-21 | Hitachi Ltd | 検査装置 |
JPH07311239A (ja) * | 1994-05-19 | 1995-11-28 | Hitachi Ltd | 検査装置 |
JP2001023526A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-01-26 | Kawaguchi Denki Seisakusho:Kk | プラズマディスプレイパネルの試験方法と試験装置 |
JP3546046B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2004-07-21 | 日本電産リード株式会社 | 回路基板の絶縁検査装置及び絶縁検査方法 |
JP2005235839A (ja) * | 2004-02-17 | 2005-09-02 | Canon Inc | 半導体デバイスチップウエハ検査方法および検査装置 |
JP5008877B2 (ja) * | 2006-02-21 | 2012-08-22 | 株式会社リコー | Icテスト方法 |
JP2009128190A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 素子試験装置及び素子試験方法 |
US9110131B2 (en) * | 2010-04-13 | 2015-08-18 | Cascade Microtech, Inc. | Method and device for contacting a row of contact areas with probe tips |
JP5599341B2 (ja) * | 2011-02-21 | 2014-10-01 | 株式会社シバソク | 試験装置 |
-
2012
- 2012-10-30 JP JP2012238789A patent/JP5987637B2/ja active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107870294A (zh) * | 2016-09-28 | 2018-04-03 | 三菱电机株式会社 | 评价装置、半导体装置的评价方法 |
CN107870294B (zh) * | 2016-09-28 | 2020-09-15 | 三菱电机株式会社 | 评价装置、半导体装置的评价方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014089105A (ja) | 2014-05-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5737536B2 (ja) | プローバ | |
EP1965179B1 (en) | Flow detector device with self check | |
US20160377486A1 (en) | Contact-probe type temperature detector, semiconductor device evaluation apparatus and semiconductor device evaluating method | |
JP6418118B2 (ja) | 半導体装置の評価装置及び評価方法 | |
JP2020150116A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
WO2004109306A1 (ja) | 被検査体の電気的特性を検査する検査方法及び検査装置 | |
JP6351763B2 (ja) | 半導体装置評価用治具、半導体装置評価装置および半導体装置評価方法 | |
US9880196B2 (en) | Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method | |
JP5987637B2 (ja) | 評価装置 | |
JP2018105725A (ja) | 評価装置及び評価方法 | |
JP6418070B2 (ja) | 測定装置、半導体装置の測定方法 | |
JP5892912B2 (ja) | 半導体装置の評価方法 | |
US20040112663A1 (en) | Method and device for recognition of a side impact on a motor vehicle | |
CN109671697A (zh) | 电可验证熔丝和熔丝验证方法 | |
JP4018010B2 (ja) | 半導体装置の特性評価装置 | |
JP6424794B2 (ja) | 半導体装置の評価装置及び評価方法 | |
Chan et al. | Non-destructive degradation study of copper wire bond for its temperature cycling reliability evaluation | |
US8377731B2 (en) | Micro electro-mechanical sensor (MEMS) fabricated with ribbon wire bonds | |
JP2023005270A (ja) | 電子部品試験装置 | |
US9684027B2 (en) | Measuring apparatus | |
US20150084659A1 (en) | Contact arrangements and methods for detecting incorrect mechanical contacting of contact structures | |
JP6051831B2 (ja) | 評価装置 | |
JP2015114149A (ja) | ボンディングワイヤ劣化検出装置及びボンディングワイヤ劣化検出方法 | |
JP6652337B2 (ja) | 半導体装置の実装状態の検査方法および実装基板に実装された半導体装置 | |
JP2009097860A (ja) | 電気接続方法および電気接続装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141022 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150807 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150825 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150925 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160301 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160406 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160712 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160725 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5987637 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |