JP2013149819A - 高圧モジュール - Google Patents
高圧モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013149819A JP2013149819A JP2012009756A JP2012009756A JP2013149819A JP 2013149819 A JP2013149819 A JP 2013149819A JP 2012009756 A JP2012009756 A JP 2012009756A JP 2012009756 A JP2012009756 A JP 2012009756A JP 2013149819 A JP2013149819 A JP 2013149819A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gel
- insulator
- metal substrate
- high voltage
- voltage module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】絶縁基板1の表面に表面金属基板2が接合されるとともに絶縁基板1の裏面に接地電位とされる裏面金属基板3が接合された回路基板部4と、表面金属基板2上に搭載された半導体素子5と、回路基板部4および半導体素子5の周囲に配設された外囲ケース52Aと、少なくとも回路基板部4および半導体素子5を覆うように外囲ケース52A内に充填されたゲル状絶縁物6とを備え、外囲ケース52A内のゲル状絶縁物6の上部空間における気体12を加圧された状態で密封することにより、ゲル状絶縁物6を加圧してなる構成とする。
【選択図】 図2
Description
特許文献1に開示されている構成では、絶縁基板の表面と裏面とに設置された金属基板について、金属基板端部から絶縁基板端部までの距離を表裏金属基板で一致させる構造を用いている。この構造を用いることで、金属基板端部の電界集中度が緩和されるため、部分放電開始電圧及び絶縁破壊電圧が上昇するという効果を奏する。
特許文献2に開示されている構成では、絶縁基板端部を樹脂によりコーティングした上で、シリコーンゲルを充填させている。この構造により、絶縁基板端部はシリコーンゲルよりも絶縁耐圧の高い樹脂で保護されることになる。さらに、コーティングする樹脂の誘電率をシリコーンゲルよりも高くすれば、絶縁基板端部の電界強度自体も低下させることが出来る。以上のような作用により、部分放電開始電圧及び絶縁破壊電圧が上昇するという効果を奏する。
高圧モジュール101のゲル状絶縁物6中では、図6に示す、ボンディングワイヤ10周辺(A1部)、表面金属基板2と絶縁基板1とゲル状絶縁物6との交点(三重点)(A2部)、裏面金属基板3と絶縁基板1とゲル状絶縁物6との交点(三重点)(A3部)で電界集中が起き、これらが主な部分放電の発生起点となる。このうち、ボンディングワイヤ10周辺(A1部)は、高電圧となるボンディングワイヤ10周辺に接地電位部がないことから、絶縁破壊にまで進展する可能性は小さい。また、裏面金属基板3と絶縁基板1とゲル状絶縁物6との交点(三重点)(A3部)も、裏面金属基板3自体が接地電位であることから、絶縁破壊にまで進展する可能性は小さい。このため、本発明者は、高圧モジュールの絶縁破壊原因として、表面金属基板2と絶縁基板1とゲル状絶縁物6との交点(三重点)(A2部)から発生する部分放電に着目した。
上記請求項2の発明によれば、外囲ケース内のゲル状絶縁物の上部空間に密封する気体として窒素を用いることにより、ゲル状絶縁物の主要劣化要因である酸化劣化を防止することができる。
実施例1による高圧モジュール101Bは、図1で説明した高圧モジュール101Aに対して、外囲ケース内のゲル状絶縁物の上部空間における気体を加圧された状態で密封することにより、ゲル状絶縁物を加圧する構成を備えた点で異なっている。なお、図2には、断面構造として半導体素子が1素子だけ配置された素子配置構成を示しているが、実施例1は、図2のような素子配置構成に限定されるものではなく、図1のような断面構造として半導体素子が2素子配置された構成など、他の素子配置構成にも適用可能である。そして、この点は後述の実施例2〜3も同様である。
ケース8Bの内周側における上段部の底面41の全周には溝40が設けられており、この溝40に密閉用ゴム38の下側部分が嵌め込まれている。封止板31Aの下面側にも、上記溝40と対向する部分に溝39が設けられており、封止板31Aがケース8Bに嵌合された状態で、溝39には、密閉用ゴム38の上側部分が嵌め込まれる。
実施例2による高圧モジュール101Cは、図2で説明した高圧モジュール101Bに対して、ゲル状絶縁物を加圧する手段として、外囲ケース内のゲル状絶縁物の上部空間における気体を加圧された状態で密封する構成の代わりに、封止板をゲル状絶縁物に接触させてゲル状絶縁物に押し付け力を加えた状態で封止板を筐体に固定する構成を備えている点で異なっている。高圧モジュール101Cは上記以外の点では高圧モジュール101Bと同様であるので、以下では図2の高圧モジュール101Bと異なる点について説明する。
実施例3による高圧モジュール101Dは、ゲル状絶縁物を加圧する手段として、封止板をゲル状絶縁物に接触させてゲル状絶縁物に押し付け力を加えた状態で封止板を筐体に固定する構成を備えている点で、図3で説明した高圧モジュール101Cと同様であるが、封止板のゲル状絶縁物に対向する面から突出する突出部を局所的に設けた点で異なっている。高圧モジュール101Dは上記以外の点では高圧モジュール101Cと同様であるので、以下では図3の高圧モジュール101Cと異なる点について説明する。
2:表面金属基板
3:裏面金属基板
4:回路基板部
5,5A:半導体素子
6:ゲル状絶縁物(シリコーンゲル)
7:アース板
8,8A,8B,8C:ケース
9:リード部
9a:外部端子部
9b:接続リード部
9c:内部端子部
10:ボンディングワイヤ
11:接合部材
12:気体
31,31A,31B,31C:封止板
32:突部
33,33A:封止板取り付け台
34:穴
35:加圧バルブ
36:加圧気体供給配管
37:締め付け器具
38:密閉用ゴム
39,40:溝
41:上段部の底面
42:突出部の底面
43:周縁部の底面
44:貫通穴
45:ボルト
46:ネジ穴
47:突出部の底面
51,51A,51B,51C:筐体
52,52A,52B,52C:外囲ケース
101,101A,101B,101C,101D:高圧モジュール
201:高圧電源(HV)
Claims (4)
- 絶縁基板の表面に表面金属基板が接合されるとともに前記絶縁基板の裏面に接地電位とされる裏面金属基板が接合された回路基板部と、
前記表面金属基板上に搭載された半導体素子と、
前記回路基板部および前記半導体素子の周囲に配設された外囲ケースと、
少なくとも前記回路基板部および前記半導体素子を覆うように前記外囲ケース内に充填されたゲル状絶縁物とを備えた高圧モジュールにおいて、
前記外囲ケース内の前記ゲル状絶縁物の上部空間における気体を加圧された状態で密封することにより、前記ゲル状絶縁物を加圧してなる
ことを特徴とする高圧モジュール。 - 請求項1に記載の高圧モジュールにおいて、
前記気体として窒素を用いたことを特徴とする高圧モジュール。 - 絶縁基板の表面に表面金属基板が接合されるとともに前記絶縁基板の裏面に接地電位とされる裏面金属基板が接合された回路基板部と、
前記表面金属基板上に搭載された半導体素子と、
前記回路基板部および前記半導体素子の周囲に配設された外囲ケースと、
少なくとも前記回路基板部および前記半導体素子を覆うように前記外囲ケース内に充填されたゲル状絶縁物とを備えた高圧モジュールにおいて、
前記外囲ケースは上端側に開口部を有する筐体と該筐体の上端側に設けられる封止板とからなり、
前記封止板を前記ゲル状絶縁物に接触させて前記ゲル状絶縁物に押し付け力を加えた状態で前記封止板を前記筐体に固定することにより、前記ゲル状絶縁物を加圧してなる
ことを特徴とする高圧モジュール。 - 請求項3に記載の高圧モジュールにおいて、
前記封止板の前記ゲル状絶縁物に対向する面から突出する突出部を局所的に設けたことを特徴とする高圧モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012009756A JP5892796B2 (ja) | 2012-01-20 | 2012-01-20 | 高圧モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012009756A JP5892796B2 (ja) | 2012-01-20 | 2012-01-20 | 高圧モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013149819A true JP2013149819A (ja) | 2013-08-01 |
JP5892796B2 JP5892796B2 (ja) | 2016-03-23 |
Family
ID=49047030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012009756A Active JP5892796B2 (ja) | 2012-01-20 | 2012-01-20 | 高圧モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5892796B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016139692A (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2016158072A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
WO2017141532A1 (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2018042973A1 (ja) * | 2016-09-01 | 2018-03-08 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュールおよびその製造方法 |
CN108254667A (zh) * | 2016-12-27 | 2018-07-06 | 三菱电机株式会社 | 评价装置及评价方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05121605A (ja) * | 1991-04-08 | 1993-05-18 | Export Contor Aussenhandels Gmbh | 回路配置 |
JPH10173098A (ja) * | 1996-12-10 | 1998-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | パワー半導体装置およびその製法 |
JP2009117882A (ja) * | 2009-03-06 | 2009-05-28 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
-
2012
- 2012-01-20 JP JP2012009756A patent/JP5892796B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05121605A (ja) * | 1991-04-08 | 1993-05-18 | Export Contor Aussenhandels Gmbh | 回路配置 |
JPH10173098A (ja) * | 1996-12-10 | 1998-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | パワー半導体装置およびその製法 |
JP2009117882A (ja) * | 2009-03-06 | 2009-05-28 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016139692A (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2016158072A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
JPWO2016158072A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2017-08-17 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
CN107431067A (zh) * | 2015-03-27 | 2017-12-01 | 三菱电机株式会社 | 功率模块 |
US11011442B2 (en) | 2015-03-27 | 2021-05-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Power module |
WO2017141532A1 (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US10720368B2 (en) | 2016-02-16 | 2020-07-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing same |
CN108604589A (zh) * | 2016-02-16 | 2018-09-28 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
JPWO2017141532A1 (ja) * | 2016-02-16 | 2018-10-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
DE112017004390T5 (de) | 2016-09-01 | 2019-05-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Leistungsmodul und verfahren zu dessen herstellung |
WO2018042973A1 (ja) * | 2016-09-01 | 2018-03-08 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュールおよびその製造方法 |
CN108254667A (zh) * | 2016-12-27 | 2018-07-06 | 三菱电机株式会社 | 评价装置及评价方法 |
CN108254667B (zh) * | 2016-12-27 | 2020-12-04 | 三菱电机株式会社 | 评价装置及评价方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5892796B2 (ja) | 2016-03-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7902653B2 (en) | Semiconductor module | |
CN109743882B (zh) | 半导体装置以及电力变换装置 | |
JP6398270B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6233507B2 (ja) | パワー半導体モジュールおよび複合モジュール | |
JP5892796B2 (ja) | 高圧モジュール | |
US20140167241A1 (en) | Semiconductor device | |
JP6526229B2 (ja) | パワーモジュール | |
US9754855B2 (en) | Semiconductor module having an embedded metal heat dissipation plate | |
CN106298700B (zh) | 半导体装置 | |
JP6540326B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2007012831A (ja) | パワー半導体装置 | |
JP6790226B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2021028921A (ja) | 圧接型半導体装置及び圧接型半導体装置の製造方法 | |
JPH10173098A (ja) | パワー半導体装置およびその製法 | |
JP6101507B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN111033723B (zh) | 功率半导体模块 | |
WO2015104808A1 (ja) | パワー半導体装置および電力変換装置 | |
JP5826443B1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
WO2022070596A1 (ja) | 電力変換ユニットおよび電力変換装置、電力変換ユニットの検査方法 | |
US20220115284A1 (en) | Semiconductor module | |
JPWO2019021507A1 (ja) | 半導体装置及び半導体モジュール | |
CN113302733A (zh) | 半导体装置 | |
JP2003086764A (ja) | 半導体装置 | |
CN111696924A (zh) | 半导体模块及制造方法 | |
CN111554667A (zh) | 功率半导体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141215 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150821 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150908 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20151005 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20151005 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151023 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160223 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160223 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5892796 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |