CN108231791B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括弯曲区域和包含多个像素的平坦区域；多个岛状的无机绝缘图案，布置在弯曲区域中的基底上，以彼此分开；有机绝缘层，包括在弯曲区域中覆盖无机绝缘图案的凹凸表面；以及布线，布置在有机绝缘层上并与无机绝缘图案叠置。

Description

显示装置
本申请要求于2016年12月12日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0168459号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本发明的实施例的各个方面涉及一种显示装置。
背景技术
近来，正在开发可以在用户希望弯曲或折叠显示装置时弯曲或折叠的柔性显示装置。
当显示装置被弯曲或折叠时，显示装置的弯曲区域或折叠区域容易受到应力的影响，使得显示装置会变形或损坏。特别地，当与变形相关的应力施加到弯曲区域或折叠区域的布线时，布线会被损坏。
因此，显示装置的特性和可靠性会劣化。
发明内容
根据本发明的实施例的一个方面，显示装置能够防止或基本上防止当布线被弯曲时布线被损坏，并能够防止或基本上防止显示装置的特性和可靠性劣化。
根据本发明的一个或更多个实施例的显示装置包括：基底，包括弯曲区域和包含多个像素的平坦区域；多个岛状的无机绝缘图案，布置在弯曲区域中的基底上以彼此分开；有机绝缘层，包括在弯曲区域中覆盖无机绝缘图案的凹凸表面；以及布线，布置在有机绝缘层上并与无机绝缘图案叠置。
布线在有机绝缘层的凹凸表面的上方可以包括凹凸部分。
无机绝缘图案可以包括至少两个顺序地堆叠的无机绝缘层。
多个像素中的每个可以包括设置在基底上的晶体管和连接到晶体管的发射元件。晶体管可以包括：缓冲层，设置在基底上；有源图案，设置在缓冲层上；栅电极，设置在有源图案上的栅极绝缘层上；层间绝缘层，设置在栅电极上；绝缘层，设置在层间绝缘层上；以及源电极和漏电极，设置在绝缘层上。缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层可以包括在弯曲区域中暴露基底的开口。
设置在开口中的无机绝缘图案可以包括：第一无机绝缘层，设置在基底上；以及第二无机绝缘层，设置在第一无机绝缘层上。
第一无机绝缘层可以包括与缓冲层相同的材料。第二无机绝缘层可以包括与栅极绝缘层相同的材料。
无机绝缘图案还可以包括设置在第二无机绝缘层上的第三无机绝缘层。
第三无机绝缘层可以包括与层间绝缘层相同的材料。
有机绝缘层可以从绝缘层延伸并填充开口。
绝缘层可以包括无机材料并且暴露与开口对应的基底。
有机绝缘层可以是包括填充开口的有机材料的填充绝缘层。
无机绝缘图案还可以包括设置在第三无机绝缘层上的第四无机绝缘层。
第四无机绝缘层可以包括与绝缘层相同的材料。
在与布线延伸的方向垂直的方向上，无机绝缘图案的宽度可以不比布线的宽度小。
在布线延伸的方向上，相邻的无机绝缘图案之间的第一距离可以不比布线的在与布线延伸的方向垂直的方向上的宽度和无机绝缘图案的宽度的总和的50％大。
在与布线延伸的方向垂直的方向上，相邻的无机绝缘图案之间的第二距离可以与第一距离基本相等。
有机绝缘层的厚度可以不比无机绝缘图案的厚度的1.5倍大。
无机绝缘图案的厚度可以不比布线的宽度和无机绝缘图案的宽度的总和的10％小。
无机绝缘图案的厚度可以不小于
在布线延伸的方向上，无机绝缘图案中的每个可以与布线中的一条叠置。
在与布线延伸的方向垂直的方向上，无机绝缘图案中的每个可以与布线中的一条叠置。
在与布线延伸的方向垂直的方向上，无机绝缘图案中的每个可以与多条布线叠置。
无机绝缘图案可以包括：第一无机绝缘图案，设置在基底上；以及至少一个第二无机绝缘图案，设置在第一无机绝缘图案上。
所述至少一个第二无机绝缘图案可以包括至少两个第二无机绝缘图案。在布线延伸的方向上，至少两个第二无机绝缘图案可以彼此分开。
至少一个第二无机绝缘图案可以包括至少两个无机绝缘层。
根据本发明的一个或更多个实施例的显示装置包括：基底，包括弯曲区域和平坦区域；缓冲层，设置在基底上；有源图案，设置在平坦区域中的缓冲层上；栅极绝缘层，设置在有源图案上；栅电极，设置在平坦区域中的栅极绝缘层上；层间绝缘层，设置在栅电极上；第一绝缘层，设置在层间绝缘层上；源电极和漏电极，布置在第一绝缘层上以彼此分开，并且连接到平坦区域中的有源图案；第二绝缘层，设置在漏电极上，并且包括有机材料；发射元件，设置在第二绝缘层上，并且连接到平坦区域中的漏电极；开口，穿过缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层的与弯曲区域对应的区域；多个岛状的无机绝缘图案，布置在开口中以彼此分开；有机绝缘层，构造为填充开口并覆盖无机绝缘图案；以及布线，布置在有机绝缘层上，有机绝缘层由于无机绝缘图案而包括凹凸表面，布线包括位于有机绝缘层的凹凸表面上方的凹凸部分。
在根据本发明的方面的显示装置中，在布线被弯曲时可以防止布线被破坏，因此，可以防止显示装置的特性和可靠性劣化。
附图说明
在这里将参照附图更充分地描述一些示例实施例；然而，这些示例实施例可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将把示例实施例的范围充分地传达给本领域技术人员。
在附图中，为了图示的清楚，可以夸大尺寸。同样的附图标记始终表示同样的元件。
图1是示出根据本发明的实施例的显示装置的透视图；
图2是示出被示出为呈非弯曲状态的图1的显示装置的平面图；
图3是示出根据本发明的实施例的像素是发射元件的等效电路图；
图4是沿图2的线I-I’截取的剖视图；
图5是图2的区域“EA1”的放大图；
图6是沿图5的线II-II’截取的剖视图；
图7是沿图5的线III-III’截取的剖视图。
图8和图9是示出根据本发明的另一实施例的分别沿与图5的线II-II’和线III-III’对应的线截取的显示装置的剖视图；
图10至图12是示出根据本发明的另一实施例的显示装置的视图；
图13至图15是示出根据本发明的另一实施例的显示装置的视图；以及
图16和图17是示出根据本发明的其它实施例的沿与图2的线I-I’对应的线截取的显示装置的剖视图。
具体实施方式
本发明可以以各种方式被修改并且可以具有各种实施例，在附图中示出并在这里更详细地描述了本发明的一些具体示例。然而，将理解的是，本发明不限于具体公开的形式，而是在不脱离本发明的范围和精神的情况下包括所有修改、等同物和替代物。
在描述附图中，同样的编号表示同样的元件。在附图中，可以夸大结构的尺寸以使本发明清楚。虽然诸如“第一”和“第二”等的术语可以用于描述各种元件，但是这样的元件不应被理解为受限于上述术语。上述术语仅用于将一个组件与另一个组件区分开。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，第一组件可以被称为第二组件，同样地，第二组件可以被称为第一组件。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式的“一个(种/者)”和“该/所述”也意图包括复数形式。
在本申请中，将理解的是，诸如“包括”或“具有”等的术语意图表示存在在说明书中公开的特征、数量、操作、动作、元件、部件或它们的组合，而不意图排除可以存在或可以添加一个或更多个其它特征、数量、操作、动作、元件、部件或它们的组合的可能性。将理解的是，当元件被称为“在”两个元件“之间”时，该元件可以是所述两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或更多个中间元件。此外，将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在一个或更多个中间元件。此外，将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“之下”时，该元件可以直接在所述另一元件之下，或者也可以存在中间元件。
这里，将参照附图更详细地描述本发明的一些实施例。
图1是示出根据本发明的实施例的显示装置的透视图，图2是示出被示出为呈非弯曲状态的图1的显示装置的平面图。
参照图1和图2，根据本发明的实施例的显示装置包括基底SUB、设置在基底SUB上的像素PXL以及包含连接到像素PXL的布线LP的布线单元。
基底SUB可以包括显示区域DA和设置在显示区域DA的至少一侧处的非显示区域NDA。
基底SUB可以近似为矩形(例如，正方形)。根据本发明的实施例，基底SUB可以包括在第一方向DR1上彼此平行延伸的一对短边和在第二方向DR2上彼此平行延伸的一对长边。根据本实施例，为了方便起见，基底SUB的从一对短边中的一条开始顺序地连接的四条边被称为第一边S1至第四边S4。
然而，基底SUB的形状不限于此，基底SUB可以具有各种形状中的任意形状。例如，基底SUB可以是包括直边的封闭多边形、包括曲边的圆形或椭圆形或者包括直边和曲边的半圆形或半椭圆形。根据本发明的实施例，当基底SUB具有直边时，相应的形状的至少部分边缘可以由曲线形成。例如，当基底SUB是矩形时，相邻的直边相交处的每个部分可以由具有曲率(例如，预定曲率)的曲线代替。例如，矩形的每个顶点可以由具有曲率(例如，预定曲率)的曲边形成，曲边中彼此相邻的两端连接到两条相邻的直边。曲率可以设定为根据位置而变化。例如，曲率可以根据曲线开始处的位置和曲线的长度而变化。
在显示区域DA中，设置像素PXL，并且可以显示图像。显示区域DA可以具有与基底SUB的形状对应的形状。例如，与基底SUB相似，显示区域DA可以是包括直边的封闭多边形、包括曲边的圆形或椭圆形或者包括直边和曲边的半圆形或半椭圆形。根据本发明的实施例，当显示区域DA具有直边时，相应的形状的至少部分边缘可以由曲线形成。
像素PXL设置在基底SUB的显示区域DA上。多个像素PXL可以设置为显示图像的单位(例如，最小单位)。像素PXL可以发射白色光分量和/或彩色光分量。每个像素PXL可以发射红色光、绿色光、蓝色光和白色光中的一种。然而，本发明不限于此。例如，像素PXL可以发射青色光、品红色光和黄色光中的一种。
像素PXL可以是包括有机发光层的发射元件。然而，本发明不限于此。像素PXL可以由各种元件中的任意元件(诸如液晶元件、电泳元件和电润湿元件中的任意元件)来实现。
图3是示出根据本发明的实施例的像素是发射元件的等效电路图。
参照图3，每个像素(参见图2的“PXL”)可以包括连接到布线单元的布线(参见图2的“LP”)的薄膜晶体管(TFT)、连接到TFT的发射元件EL以及电容器Cst。
TFT可以包括用于控制发射元件EL的驱动TFT TR2和用于开关驱动TFT TR2的开关TFT TR1。根据本发明的实施例，示出了一个像素PXL包括两个TFT TR1和TR2。然而，本发明不限于此。例如，一个像素PXL可以包括一个TFT和一个电容器或者不少于三个TFT和不少于两个电容器。例如，一个像素PXL可以包括七个TFT、一个发射元件和一个存储电容器。
开关TFT TR1可以包括栅电极、源电极和漏电极。在开关TFT TR1中，栅电极连接到栅极布线GL，源电极可以连接到数据布线DL。漏电极可以连接到驱动TFT TR2的栅电极。开关TFT TR1可以根据施加到栅极布线GL的扫描信号向驱动TFT TR2传输施加到数据布线DL的数据信号。
驱动TFT TR2可以包括栅电极、源电极和漏电极。在驱动TFT TR2中，栅电极连接到开关TFT TR1，源电极连接到第一电源布线ELVDD，漏电极可以连接到发射元件EL。
发射元件EL可以包括发光层以及彼此面对的第一电极和第二电极，发光层置于第一电极和第二电极之间。第一电极可以连接到驱动TFT TR2的漏电极。第二电极连接到第二电源布线ELVSS，使得可以将共电压施加到发射元件EL的第二电极。发光层根据驱动TFTTR2的输出信号发光或不发光，并且可以显示图像。这里，从发光层发射的光可以根据发光层的材料而变化，并且可以是彩色光或白色光。
电容器Cst连接在驱动TFT TR2的栅电极和源电极之间，并且可以对输入到驱动TFT TR2的栅电极的数据信号进行充电并保持输入到驱动TFT TR2的栅电极的数据信号。
参照图1至图3，根据本发明的实施例，多个像素PXL可以沿在第一方向DR1上延伸的行以及沿在第二方向DR2上延伸的列布置。然而，像素PXL的布置不限于此，并且像素PXL可以以各种形式中的任意形式布置。例如，像素PXL可以在行方向上布置或者可以在相对于行方向倾斜的方向上布置。
在非显示区域NDA中，不设置像素PXL，并且可以不显示图像。
在非显示区域NDA中，可以设置连接到像素PXL的布线LP以及连接到布线LP以驱动像素PXL的驱动器(未示出)。
布线LP可以连接到像素PXL。布线LP可以向像素PXL提供信号。布线LP可以是栅极布线GL、数据布线DL、第一电源布线ELVDD和第二电源布线ELVSS。
布线LP可以设置在显示区域DA和非显示区域NDA中。
布线LP可以连接到驱动器。驱动器通过布线LP向像素PXL提供信号，并且可以控制像素PXL的驱动。
驱动器可以包括用于沿栅极布线GL向像素PXL提供扫描信号的扫描驱动器(未示出)、用于沿数据布线DL向像素PXL提供数据信号的数据驱动器(未示出)以及用于控制扫描驱动器和数据驱动器的时序控制器(未示出)。
根据本发明的实施例，扫描驱动器可以直接安装在基底SUB上。当扫描驱动器直接安装在基底SUB上时，扫描驱动器可以在形成像素PXL的工艺中形成。然而，扫描驱动器的位置和形成扫描驱动器的方法不限于此。在实施例中，扫描驱动器形成在单独的芯片中，并且可以以玻璃上芯片的形式设置在基底SUB上，或者安装在基底SUB上，并且可以通过连接构件连接到基底SUB。
根据本发明的实施例，数据驱动器可以直接安装在基底SUB上。然而，本发明不限于此。在实施例中，数据驱动器形成在单独的芯片中，并且可以连接到基底SUB上。根据本发明的实施例，当数据驱动器形成在单独的芯片中并连接到基底SUB上时，数据驱动器可以以玻璃上芯片或塑料上芯片的形式设置，或者安装在基底上SUB上并且可以通过连接构件连接到基底SUB。根据本发明的实施例，数据驱动器是处于膜上芯片(COF)的形式，并且可以连接到基底SUB。
根据本发明的实施例，非显示区域NDA还可以包括从非显示区域NDA的一部分突出的附加区域ADA。附加区域ADA可以从形成非显示区域NDA的边突出。根据本发明的实施例，附加区域ADA被示出为从基底SUB的短边中的一条突出。然而，附加区域ADA可以从长边中的一条或者四条边之中的不少于两条边突出。根据本发明的实施例，数据驱动器可以设置在附加区域ADA中或连接到附加区域ADA。然而，本发明不限于此，并且各种元件中的任意元件可以布置在附加区域ADA中。
根据本发明的实施例，显示装置的至少一部分可以是柔性的，并且柔性部分可以被折叠或被弯曲。也就是说，显示装置可以包括具有柔性并且在一个方向上被折叠或被弯曲的弯曲区域BA以及设置在弯曲区域BA的至少一侧处并且不被折叠且是平坦的平坦区域。平坦区域可以具有柔性或者可以不具有柔性。
根据本发明的实施例，弯曲区域BA被示出为设置在附加区域ADA中。根据本发明的实施例，可以设置彼此分开的第一平坦区域FA1和第二平坦区域FA2，弯曲区域BA置于第一平坦区域FA1和第二平坦区域FA2之间，第一平坦区域FA1可以包括显示区域DA。根据本发明的实施例，弯曲区域BA可以与显示区域DA分开。
在弯曲区域BA中，当在其上显示装置被折叠的线被称为折叠线时，折叠线可以设置在弯曲区域BA中。这里，术语“折叠”意为显示装置不固定为一种形式，而可以从一种形式转换成另一形式。显示装置可以沿着不少于一条特定线(即，折叠线)折叠、弯曲或卷曲。根据本发明的实施例，示出了显示装置被折叠使得两个平坦区域FA1和FA2的表面被定位成彼此平行地延伸并彼此面对。然而，本发明不限于此。显示装置可以被折叠成使得两个平坦区域FA1和FA2的表面与置于它们之间的弯曲区域BA形成角度(例如，预定角度，例如，锐角、直角或钝角)。
根据本发明的实施例，附加区域ADA可以沿着折叠线弯曲。在这种情况下，由于附加区域ADA被弯曲，所以可以减小边框的宽度。
图4是沿图2的线I-I’截取的剖视图，并且示出了显示区域的一些像素和非显示区域。图4概念地示出了根据本发明的实施例的显示装置。为了方便起见，可以夸大或缩小一些元件。
如图1中所示，根据本发明的实施例的显示装置的一部分被弯曲。然而，在图4中，为了方便起见，显示装置被示出为不被弯曲。为了参照，在这里的根据实施例的剖视图或平面图中，为了方便起见，显示装置被示出为不被弯曲。
在下文中，将参照图1至图4更详细地描述根据本发明的实施例的显示装置。
首先，将描述显示区域DA。然后，将描述非显示区域NDA。
根据本发明的实施例，多个像素PXL可以设置在显示区域DA中。每个像素PXL包括与布线LP之中的相应布线LP连接的晶体管、连接到晶体管的发射元件EL以及电容器Cst。晶体管可以包括用于控制发射元件EL的驱动TFTTR2和用于开关驱动TFTTR2的开关TFTTR1。
在图3中，为了方便起见，示出了一个像素PXL包括两个晶体管和一个电容器。然而，本发明不限于此。一个像素PXL可以包括不少于两个晶体管和至少一个电容器或者不少于三个晶体管和不少于两个电容器。
根据本发明的实施例的像素PXL可以设置在基底SUB上。
基底SUB可以包括诸如玻璃或树脂的绝缘材料。此外，基底SUB可以包括柔性材料以便被弯曲或被折叠，并且可以具有单层结构或多层结构。
例如，基底SUB可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素和醋酸丙酸纤维素之中的至少一种。形成基底SUB的材料可以是各种材料中的任意材料，并且可以包括纤维增强塑料(FRP)。
缓冲层BF可以设置在基底SUB上。缓冲层BF可以防止或基本上防止杂质扩散到开关TFT TR1和驱动TFT TR2中。缓冲层BF可以设置为单层或由不少于两个层形成的多层。
缓冲层BF可以是包括无机材料的无机绝缘层。例如，缓冲层BF可以由氮化硅、氧化硅或氮氧化硅形成。当缓冲层BF被设置为多层时，各个层可以由相同的材料或不同的材料形成。可以根据基底SUB的材料和工艺条件省略缓冲层BF。
有源图案ACT可以设置在缓冲层BF上。有源图案ACT可以由半导体材料形成。有源图案ACT可以包括源区、漏区以及设置在源区和漏区之间的沟道区。有源图案ACT可以是由多晶硅、非晶硅和氧化物半导体形成的半导体图案。作为不掺杂有杂质的半导体图案的沟道区可以是本征半导体。源区和漏区可以是掺杂有杂质的半导体图案。杂质可以是n型杂质、p型杂质或其它金属。
栅极绝缘层GI可以设置在设置有有源图案ACT的缓冲层BF上。栅极绝缘层GI可以是包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层。无机材料可以是诸如聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料。有机材料可以是诸如聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、氟类碳化合物(诸如特氟纶(Teflon))或苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料。
栅电极GE和电容器下电极LE可以设置在栅极绝缘层GI上。栅电极GE可以覆盖与有源图案ACT的沟道区对应的区域。
栅电极GE和电容器下电极LE可以由金属形成。例如，栅电极GE可以由金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)之中的至少一种或者上述金属的合金形成。此外，栅电极GE可以由单层形成。然而，本发明不限于此。栅电极GE可以由多层形成，所述多层通过堆叠上述金属和合金之中的不少于两种材料而获得。
根据本发明的实施例，尽管未示出，但是包括栅极布线的其它布线可以与栅电极GE和电容器下电极LE在同一层中由相同的材料形成。这里，诸如栅极布线的其它布线可以与每个像素PXL中的晶体管的一部分直接地或间接地连接。
层间绝缘层IL可以设置在其上设置有栅电极GE和电容器下电极LE的栅极绝缘层GI上。层间绝缘层IL可以是包括无机材料的无机绝缘层。无机材料可以是聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
电容器上电极UE可以设置在层间绝缘层IL上。电容器上电极UE可以由金属形成。例如，电容器上电极UE可以由Au、Ag、Al、Mo、Cr、Ti、Ni、Nd和Cu之中的至少一种或者上述金属的合金形成。此外，电容器上电极UE可以由单层形成。然而，本发明不限于此。电容器上电极UE可以由多层形成，所述多层通过堆叠上述金属和合金之中的不少于两种材料而获得。
电容器下电极LE和电容器上电极UE可以形成电容器Cst，层间绝缘层IL置于电容器下电极LE和电容器上电极UE之间。根据本发明的实施例，示出了电容器Cst由电容器下电极LE和电容器上电极UE形成。然而，本发明不限于此。电容器Cst可以通过各种方法中的任意方法来实现。
第一绝缘层INS1可以设置在其上设置有电容器上电极UE的层间绝缘层IL上。第一绝缘层INS1可以是包括诸如聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、氟类碳化合物(诸如特氟纶(Teflon))或苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料的有机绝缘层。
源电极SE和漏电极DE可以设置在第一绝缘层INS1上。源电极SE和漏电极DE可以分别通过形成在第一绝缘层INS1、层间绝缘层IL和栅极绝缘层GI中的接触孔来接触有源图案ACT的源区和漏区。
源电极SE和漏电极DE可以由金属形成。例如，源电极SE和漏电极DE可以由Au、Ag、Al、Mo、Cr、Ti、Ni、Nd和Cu之中的至少一种或者上述金属的合金形成。此外，源电极SE和漏电极DE可以由单层形成。然而，本发明不限于此。源电极SE和漏电极DE可以由多层形成，所述多层通过堆叠上述金属和合金之中的不少于两种材料而获得。
根据本发明的实施例，尽管未示出，但是数据布线或第一电源布线可以与源电极SE和漏电极DE在同一层中由相同的材料形成。这里，数据布线或第一电源布线可以与每个像素PXL中的晶体管的一部分(例如，源电极SE和/或漏电极DE)直接地或间接地连接。
第二绝缘层INS2可以设置在其上设置有源电极SE和漏电极DE的第一绝缘层INS1上。也就是说，第二绝缘层INS2可以覆盖晶体管。
第二绝缘层INS2可以是包括诸如聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、氟类碳化合物(诸如特氟纶(Teflon))或苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料的有机绝缘层。
发射元件EL可以设置在第二绝缘层INS2上。发射元件EL可以包括第一电极EL1、有机发光层OL和第二电极EL2。
第一电极EL1可以设置在第二绝缘层INS2上。第一电极EL1可以通过穿过第二绝缘层INS2的接触孔连接到漏电极DE。
将发射区域分隔成与每个像素PXL对应的像素限定层PDL可以设置在其上设置有第一电极EL1的第二绝缘层INS2上。像素限定层PDL暴露第一电极EL1的上表面，并且可以沿着像素PXL的周界从第二绝缘层INS2突出。
有机发光层OL设置在由像素限定层PDL暴露的第一电极EL1上，第二电极EL2可以设置在有机发光层OL上。
第一电极EL1和第二电极EL2中的一个可以是阳极电极，第一电极EL1和第二电极EL2中的另一个可以是阴极电极。例如，第一电极EL1可以是阳极电极，第二电极EL2可以是阴极电极。
此外，第一电极EL1和第二电极EL2中的至少一个可以是透射电极。例如，当发射元件EL是后表面发射型发射元件时，第一电极EL1是透射电极，第二电极EL2可以是反射电极。当发射元件EL是前表面发射型发射元件时，第一电极EL1是反射电极，第二电极EL2可以是透射电极。当发射元件EL是双侧发射型发射元件时，第一电极EL1和第二电极EL2两者可以是透射电极。根据本实施例，示出了发射元件EL是前表面发射型发射元件，并且第一电极EL1是阳极电极。
第一电极EL1可以包括能够反射光的反射层(未示出)和布置在反射层的上面或下面的透明导电层(未示出)。透明导电层和反射层中的至少一个可以连接到漏电极DE。
反射层可以包括能够反射光的材料。例如，反射层可以包括Al、Ag、Cr、Mo、铂(Pt)、Ni和上述金属的合金之中的至少一种。
透明导电层可以包括透明导电氧化物。例如，透明导电层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、掺镓氧化锌(GZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)和掺氟氧化锡(FTO)之中的至少一种透明导电氧化物。
像素限定层PDL可以包括有机绝缘材料。例如，像素限定层PDL可以包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈(PAN)、聚酰胺(PA)、聚酰亚胺(PI)、聚芳醚(PAE)、杂环聚合物、聚对二甲苯、环氧树脂、苯并环丁烯(BCB)、硅氧烷类树脂和硅烷类树脂之中的至少一种。
有机发光层OL可以布置在第一电极EL1的暴露的表面上。有机发光层OL可以具有至少包括光产生层(LGL)的多层薄膜结构。例如，有机发光层OL可以包括：空穴注入层(HIL)，用于注入空穴；空穴传输层(HTL)，具有高的空穴传输性；电子阻挡层(EBL)，用于防止或基本上防止未在光产生层(LGL)中结合的电子移动并增加空穴和电子的复合可能性；光产生层(LGL)，用于通过注入的电子和空穴的复合发光；空穴阻挡层(HBL)用于防止或基本上防止未在光产生层(LGL)中结合的空穴移动；电子传输层(ETL)，用于将电子顺利地传输到光产生层(LGL)；电子注入层(EIL)，用于注入电子。这里，空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)和电子阻挡层(EBL)可以是通常布置在相邻像素PXL中的公共层。
光产生层(LGL)可以包括低分子材料或高分子材料。低分子材料可以包括铜酞菁、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺(NPB)或三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。上述材料可以通过真空沉积形成。高分子材料可以是PEDOT、聚-苯撑乙烯撑(PPV)类材料或聚氟类材料。
由光产生层(LGL)产生的光的颜色可以是红色、绿色、蓝色和白色中的一种。然而，本发明不限于此。例如，由光产生层(LGL)产生的光的颜色可以是品红色、青色和黄色中的一种。
第二电极EL2可以是半透射反射层。例如，第二电极EL2可以是具有可以透射从有机发光层OL发射的光的厚度的薄金属层。第二电极EL2透射从有机发光层OL发射的光的一部分，并且可以反射从有机发光层OL发射的剩余光。
第二电极EL2可以包括具有比透明导电层的逸出功低的逸出功的材料。例如，第二电极EL2可以包括Mo、钨(W)、Ag、镁(Mg)、Al、Pt、钯(Pd)、Au、Ni、Nd、铱(Ir)、Cr、Ca和上述金属的合金之中的至少一种。
从有机发光层OL发射的光的一部分不穿过第二电极EL2，从第二电极EL2反射的光可以从反射层再次反射。也就是说，从有机发光层OL发射的光可以在反射层和第二电极EL2之间共振。有机发射元件EL的光提取效率可以由于光的共振而改善。
反射层和第二电极EL2之间的距离可以根据从有机发光层OL发射的光的颜色而变化。也就是说，可以将反射层和第二电极EL2之间的距离控制为适合于根据从有机发光层OL发射的光的颜色的共振距离。
包封层SL可以设置在第二电极EL2上。包封层SL可以由单层或多层形成。根据本发明的实施例，包封层SL可以由第一包封层SL1至第三包封层SL3形成。第一包封层SL1至第三包封层SL3可以包括有机材料和/或无机材料。位于最外部分处的第三包封层SL3可以包括无机材料。
根据本发明的实施例，第一包封层SL1可以包括无机材料，第二包封层SL2可以包括有机材料或无机材料，第三包封层SL3可以包括无机材料。无机材料比有机材料不易受湿气或氧的影响。然而，由于无机材料具有小的弹性或柔性，所以无机材料会易受破裂的影响。能够通过形成无机材料的第一包封层SL1和第三包封层SL3并通过形成有机材料的第二包封层SL2来防止裂纹扩展。这里，当第二包封层SL2包括有机材料时，第二包封层SL2的端部可以被完全覆盖有第三包封层SL3以便不暴露于外部。
根据本发明的实施例，有机材料可以是诸如聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、氟类碳化合物(诸如特氟纶(Teflon))或苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料。无机材料可以是聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。当第二包封层SL2包括无机材料代替有机材料时，可以使用诸如六甲基二硅氧烷(HMDSO)、八甲基环四硅氧烷(OMCTSO)、四甲基二硅氧烷(TMDSO)和正硅酸乙酯(TEOS)的各种硅基绝缘材料中的一种作为第二包封层SL2。根据本发明的实施例，形成发射元件EL的有机发光层OL会容易地被外部的湿气或氧损坏。包封层SL可以通过覆盖有机发光层OL来保护有机发光层OL。包封层SL覆盖显示区域DA，并且可以延伸到显示区域DA的外部。
接下来，将描述非显示区域NDA。这里，在描述非显示区域NDA中，可以不重复对先前描述的元件的描述。
根据本发明的实施例，布线LP设置在非显示区域NDA中，基底SUB被折叠的弯曲区域BA可以设置在非显示区域NDA中。
布线LP可以连接驱动器和像素PXL。布线LP可以包括栅极布线、数据布线和电源布线。根据本发明的实施例，数据布线可以包括在布线LP中。然而，栅极布线或电源布线也可以包括在布线LP中。
根据本发明的实施例的布线LP可以分别连接像素PXL和驱动器，并且可以近似地在第二方向DR2上从像素PXL延伸。布线LP可以在第二方向DR2上延伸到附加区域ADA的端部，接触电极CTE可以设置在附加区域ADA的端部处。像素PXL可以通过连接到布线LP的接触电极CTE来连接到以COF形式实现的驱动器。
每条布线LP可以包括第一连接布线L1至第三连接布线L3。第一连接布线L1和第二连接布线L2可以一对一连接，第二连接布线L2和第三连接布线L3可以一对一连接。在图4中，为了方便起见，仅示意性地示出了第一连接布线L1至第三连接布线L3的部分。
缓冲层BF可以设置在基底SUB的非显示区域NDA上。
栅极绝缘层GI可以设置在缓冲层BF上。
第一连接布线L1和第三连接布线L3可以设置在栅极绝缘层GI上。第一连接布线L1设置在第一平坦区域FA1中，第三连接布线L3可以设置在第二平坦区域FA2中。在实施例中，第一连接布线L1和第三连接布线L3可以与栅电极GE在同一工艺中由相同的材料形成。
层间绝缘层IL可以设置在第一连接布线L1和第三连接布线L3上。
可以去除缓冲层BF、栅极绝缘层GI和层间绝缘层IL的与弯曲区域BA对应的区域。也就是说，缓冲层BF、栅极绝缘层GI和层间绝缘层IL可以在与弯曲区域BA对应的区域中具有暴露基底SUB的开口OPN。
根据实施例，在缓冲层BF、栅极绝缘层GI和层间绝缘层IL的部分中，可以不去除与弯曲区域BA对应的区域。例如，在缓冲层BF中，可以不去除与弯曲区域BA对应的区域，在剩余的绝缘层(即，栅极绝缘层GI和层间绝缘层IL)中，去除与弯曲区域BA对应的区域并且可以形成开口OPN。
开口OPN对应于弯曲区域BA意为开口OPN与弯曲区域BA叠置。开口OPN的面积可以大于弯曲区域BA的面积。根据本发明的实施例，为了方便起见，示出了开口OPN的宽度等于弯曲区域BA的宽度。然而，开口OPN的宽度可以大于弯曲区域BA的宽度。
为了参照，在图4中，示出了缓冲层BF的内表面、栅极绝缘层GI的内表面和层间绝缘层IL的内表面彼此重合并且布置在直线上。然而，本发明不限于此。例如，缓冲层BF的开口OPN的面积可以比栅极绝缘层GI和层间绝缘层IL的开口OPN的面积大。根据本发明的实施例，缓冲层BF的开口OPN的面积可以比栅极绝缘层GI的开口OPN的面积和层间绝缘层IL的开口OPN的面积小。
多个无机绝缘图案IIP可以设置在弯曲区域BA中的基底SUB上。无机绝缘图案IIP可以是岛状的。无机绝缘图案IIP可以包括顺序地堆叠的不少于两个无机绝缘层。例如，无机绝缘图案IIP可以包括设置在基底SUB上的第一无机绝缘层IP1、设置在第一无机绝缘层IP1上的第二无机绝缘层IP2和设置在第二无机绝缘层IP2上的第三无机绝缘层IP3，如图6和图7中所示。第一无机绝缘层IP1可以包括与缓冲层BF相同的材料。第二无机绝缘层IP2可以包括与栅极绝缘层GI相同的材料。第三无机绝缘层IP3可以包括与层间绝缘层IL相同的材料。无机绝缘图案IIP可以被布置为彼此分开。
第一绝缘层INS1可以设置在其上设置有层间绝缘层IL和无机绝缘图案IIP的基底SUB上。也就是说，第一绝缘层INS1从第一平坦区域FA1延伸到弯曲区域BA，并且可以填充开口OPN。此外，由于无机绝缘图案IIP，第一绝缘层INS1的表面可以包括凹凸部分。
第二连接布线L2可以设置在第一绝缘层INS1上。此外，接触电极CTE可以设置在第一绝缘层INS1上。在实施例中，第二连接布线L2和接触电极CTE可以与源电极SE和漏电极DE在同一工艺中由相同的材料形成。第二连接布线L2可以从第一平坦区域FA1通过弯曲区域BA延伸到第二平坦区域FA2。第二连接布线L2可以通过穿过层间绝缘层IL和第一绝缘层INS1的接触孔来连接到第一连接布线L1和第三连接布线L3。
此外，由于第一绝缘层INS1的凹凸表面，第二连接布线L2可以具有凹凸部分。也就是说，第二连接布线L2在与无机绝缘图案IIP对应的区域中是凸的，并且在与无机绝缘图案IIP分开或隔开的区域中可以是凹的。
如上所述，在图4中，示出了显示装置不是弯曲的。然而，根据本发明的实施例的显示装置可以在弯曲区域BA中弯曲。根据本发明的实施例的显示装置被制造成平坦的并且可以在制造之后被弯曲。
根据本发明的实施例，为了方便起见，示出了弯曲区域BA与无机绝缘层被去除的部分重合。然而，弯曲区域BA和无机绝缘层被去除的部分可以不彼此重合。例如，弯曲区域BA与无机绝缘层被去除的部分近似对应。然而，必要时，弯曲区域BA可以比无机绝缘层被去除的部分宽或窄。此外，根据本发明的实施例，示出了弯曲区域BA仅位于非显示区域NDA中。然而，本发明不限于此。例如，弯曲区域BA可以设置在非显示区域NDA和显示区域DA中或者设置在显示区域DA中。
第二绝缘层INS2可以设置在其上设置有第二连接布线L2的第一绝缘层INS1上。第二绝缘层INS2可以是包括有机材料的有机绝缘层。有机材料可以是诸如聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、氟类碳化合物(诸如特氟纶(Teflon))或苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料。
显示区域DA的像素限定层PDL可以布置成在第二绝缘层INS2上延伸。这里，第二绝缘层INS2和像素限定层PDL可以不覆盖接触电极CTE并暴露接触电极CTE。
图5是图2的区域“EA1”的放大图；图6是沿图5的线II-II’截取的剖视图；图7是沿图5的线III-III’截取的剖视图。
参照图1至图5和图7，在弯曲区域BA中，显示装置可以包括：基底SUB；多个无机绝缘图案IIP，设置在基底SUB上并彼此分开；第一绝缘层INS1，设置在其上设置有无机绝缘图案IIP的基底SUB上；布线LP，设置在第一绝缘层INS1上；第二绝缘层INS2，设置在其上设置有布线LP的第一绝缘层INS1上。
无机绝缘图案IIP可以是岛状的。无机绝缘图案IIP可以以矩阵布置。然而，本发明不限于此。无机绝缘图案IIP可以以各种形式中的任意形式布置。
无机绝缘图案IIP可以包括顺序地堆叠的不少于两个无机绝缘层。例如，无机绝缘图案IIP可以包括设置在基底SUB上的第一无机绝缘层IP1、设置在第一无机绝缘层IP1上的第二无机绝缘层IP2和设置在第二无机绝缘层IP2上的第三无机绝缘层IP3。第一无机绝缘层IP1、第二无机绝缘层IP2和第三无机绝缘层IP3中的每个可以包括与缓冲层BF、栅极绝缘层GI和层间绝缘层IL中的一种相同的材料。例如，第一无机绝缘层IP1可以包括与缓冲层BF相同的材料。第二无机绝缘层IP2可以包括与栅极绝缘层GI相同的材料。第三无机绝缘层IP3可以包括与层间绝缘层IL相同的材料。
第一绝缘层INS1可以覆盖无机绝缘图案IIP。第一绝缘层INS1可以是包括有机材料的有机绝缘层。此外，由于无机绝缘图案IIP，第一绝缘层INS1的表面可以包括凹凸部分。
布线LP可以由于第一绝缘层INS1的凹凸表面而包括凹凸部分。也就是说，布线LP在与无机绝缘图案IIP对应的区域中是凸的，并且在与无机绝缘图案IIP分开或隔开的区域中可以是凹的。
根据本实施例，在布线LP延伸的方向上和在与布线LP延伸的方向垂直的方向上，每个无机绝缘图案IIP可以与一条布线LP叠置。
在实施例中，由于第一绝缘层INS1包括有机绝缘材料，所以会去除由下部结构的台阶差产生的凹凸部分，并且会使第一绝缘层INS1平坦化。根据本实施例，为了使无机绝缘图案IIP在第一绝缘层INS1的表面上形成凹凸部分，可以限制无机绝缘图案IIP的厚度和宽度，并且可以限制相邻的无机绝缘图案IIP之间的距离。此外，可以限制第一绝缘层INS1的厚度和布线LP的宽度。
例如，在与布线LP延伸的方向垂直的方向上，布线LP的第一宽度W1可以不大于无机绝缘图案IIP的第二宽度W2。在实施例中，在布线LP延伸的方向上，相邻的无机绝缘图案IIP之间的第一距离D1可以不比第一宽度W1和第二宽度W2的总和的50％大。在实施例中，在与布线LP延伸的方向垂直的方向上，相邻的无机绝缘图案IIP之间的第二距离D2可以等于第一距离D1。在实施例中，第一绝缘层INS1的厚度T2可以不比无机绝缘图案IIP的厚度T1的1.5倍大。在实施例中，无机绝缘图案IIP的厚度T1可以不比第一宽度W1和第二宽度W2的总和的10％小。在实施例中，无机绝缘图案IIP的厚度T1可以不小于
当无机绝缘图案IIP的厚度和宽度、相邻的无机绝缘图案IIP之间的距离、第一绝缘层INS1的厚度和布线LP的宽度偏离上面描述的范围时，凹凸部分不会形成在第一绝缘层INS1的表面上。
布线LP可以由于第一绝缘层INS1的凹凸表面而包括凹凸部分。当布线LP包括凹凸部分时，增大了第一绝缘层INS1和布线LP之间的接触面积，并且可以增加布线LP的长度。布线LP可以包括具有韧性和延展性的材料。因此，当增大第一绝缘层INS1和布线LP之间的接触面积并且增加布线LP的长度时，能够防止在显示装置被弯曲时布线LP被损坏。此外，由于能够防止在显示装置被弯曲时布线LP被损坏，所以能够改善显示装置的可靠性。
这里，将参照图8至图17描述根据本发明的其它实施例的显示装置。在图8至图17中，由相同的附图标记表示与图1至图7的元件相同的元件，并且可以省略它们的描述。另外，为了不给出重复的描述，在图8至图17中，将主要描述与图1至图7的元件不同的元件。
图8和图9是示出根据本发明的另一实施例的显示装置的视图。图8是沿与图5的线II-II’对应的线截取的剖视图；图9是沿与图5的线III-III’对应的线截取的剖视图。
参照图1至图5、图8和图9，在弯曲区域BA中，显示装置可以包括：基底SUB：多个无机绝缘图案IIP，设置在基底SUB上并彼此分开；第一绝缘层INS1，设置在其上设置有无机绝缘图案IIP的基底SUB上；布线LP，设置在第一绝缘层INS1上；第二绝缘层INS2，设置在其上设置有布线LP的第一绝缘层INS1上。
无机绝缘图案IIP可以以矩阵布置。无机绝缘图案IIP可以包括顺序地堆叠的不少于两个无机绝缘层。例如，无机绝缘图案IIP可以包括设置在基底SUB上的第一无机绝缘层IP1和设置在第一无机绝缘层IP1上的第二无机绝缘层IP2。第一无机绝缘层IP1和第二无机绝缘层IP2中的每个可以包括与缓冲层BF、栅极绝缘层GI和层间绝缘层IL中的一个相同的材料。例如，第一无机绝缘层IP1可以包括与缓冲层BF相同的材料。第二无机绝缘层IP2可以包括与栅极绝缘层GI和层间绝缘层IL中的一个相同的材料，例如，与层间绝缘层IL相同的材料。
第一绝缘层INS1可以覆盖无机绝缘图案IIP。第一绝缘层INS1可以是包括有机材料的有机绝缘层。此外，由于无机绝缘图案IIP，第一绝缘层INS1的表面可以包括凹凸部分。
布线LP可以设置在第一绝缘层INS1上。布线LP可以由于第一绝缘层INS1的凹凸表面而包括凹凸部分。当布线LP包括凹凸部分时，增大了第一绝缘层INS1和布线LP之间的接触面积，并且可以增加布线LP的长度。因此，能够防止在显示装置被弯曲时布线LP被损坏，并且能够改善显示装置的可靠性。
图10至图12是示出根据本发明的另一实施例的显示装置的视图。图10是与图2的区域EA1对应的区域的放大图。图11是沿图10的线IV-IV’截取的剖视图；图12是沿图10的线V-V’截取的剖视图。
参照图1至图4和图10至图12，在弯曲区域BA中，无机绝缘图案IIP可以设置在基底SUB上。无机绝缘图案IIP可以以矩阵布置。
无机绝缘图案IIP可以包括顺序地堆叠的不少于两个无机绝缘层。例如，无机绝缘图案IIP可以包括设置在基底SUB上的第一无机绝缘层IP1和设置在第一无机绝缘层IP1上的第二无机绝缘层IP2。第一无机绝缘层IP1和第二无机绝缘层IP2中的每个可以包括与缓冲层BF、栅极绝缘层GI和层间绝缘层IL中的一个相同的材料。例如，第一无机绝缘层IP1可以包括与缓冲层BF相同的材料。第二无机绝缘层IP2可以包括与栅极绝缘层GI或层间绝缘层IL相同的材料。在实施例中，第二无机绝缘层IP2可以包括与栅极绝缘层GI相同的材料，无机绝缘图案IIP还可以包括设置在第二无机绝缘层IP2上的第三无机绝缘层IP3，第三无机绝缘层IP3可以包括与层间绝缘层IL相同的材料。
第一绝缘层INS1可以设置在其上设置有无机绝缘图案IIP的基底SUB上。第一绝缘层INS1可以覆盖无机绝缘图案IIP。此外，由于无机绝缘图案IIP，第一绝缘层INS1的表面可以包括凹凸部分。
布线LP可以设置在第一绝缘层INS1上。布线LP可以由于第一绝缘层INS1的凹凸表面而包括凹凸部分。也就是说，布线LP在与无机绝缘图案IIP对应的区域中是凸的，并且在与无机绝缘图案IIP分开或隔开的区域中是凹的。
当布线LP包括凹凸部分时，增大了第一绝缘层INS1和布线LP之间的接触面积，并且可以增加布线LP的长度。因此，能够防止在显示装置被弯曲时布线LP被损坏，并且能够改善显示装置的可靠性。
根据本实施例，在弯曲区域BA中，多个无机绝缘图案IIP可以设置在基底SUB上。无机绝缘图案IIP可以是岛状的。无机绝缘图案IIP可以以矩阵布置。然而，本发明不限于此。无机绝缘图案IIP可以以各种形式中的任意形式布置。
根据本实施例，在布线LP延伸的方向上，每个无机绝缘图案IIP可以与一条布线LP叠置。此外，在与布线LP延伸的方向垂直的方向上，每个无机绝缘图案IIP可以与多条布线LP叠置。例如，在与布线LP延伸的方向垂直的方向上，每个无机绝缘图案IIP可以与两条布线LP叠置。
图13至图15是示出根据本发明的另一实施例的显示装置的视图。
图13是与图2的区域EA1对应的区域的放大图。图14是沿图13的线VI-VI’截取的剖视图；图15是沿图13的线VII-VII’截取的剖视图。
参照图1至图4和图13至图15，在弯曲区域BA中，显示装置可以包括：基底SUB；多个无机绝缘图案IIP，设置在基底SUB上并彼此分开；第一绝缘层INS1，设置在其上设置有无机绝缘图案IIP的基底SUB上；布线LP；设置在第一绝缘层INS1上；第二绝缘层INS2，设置在其上设置有布线LP的第一绝缘层INS1上。
无机绝缘图案IIP可以是岛状的。无机绝缘图案IIP可以包括设置在基底SUB上的第一无机绝缘层IIP1和设置在第一无机绝缘层IIP1上的至少一个第二无机绝缘层IIP2。
在布线LP延伸的方向上和在与布线LP延伸的方向垂直的方向上，第一无机绝缘图案IIP1可以与一条布线LP叠置。第一无机绝缘图案IIP1可以包括与缓冲层BF相同的材料。第一无机绝缘图案IIP1的面积可以比第二无机绝缘图案IIP2的面积大。例如，第一无机绝缘图案IIP1的面积可以是第二无机绝缘图案IIP2的面积的两倍。因此，不少于两个第二无机绝缘图案IIP2可以布置在第一无机绝缘图案IIP1上。
在布线LP延伸的方向上，第二无机绝缘图案IIP2可以被布置为彼此分开。第二无机绝缘图案IIP2可以包括顺序地堆叠的不少于两个无机绝缘层。例如，第二无机绝缘图案IIP2可以包括设置在基底SUB上的第一无机绝缘层IP1和设置在第一无机绝缘层IP1上的第二无机绝缘层IP2。第一无机绝缘层IP1和第二无机绝缘层IP2中的每个可以包括与栅极绝缘层GI和层间绝缘层IL中的一个相同的材料。例如，第一无机绝缘层IP1可以包括与栅极绝缘层GI相同的材料。第二无机绝缘层IP2可以包括与层间绝缘层IL相同的材料。
第一绝缘层INS1可以覆盖无机绝缘图案IIP。第一绝缘层INS1可以是包括有机材料的有机绝缘层。此外，第一绝缘层INS1的表面可以由于无机绝缘图案IIP而包括凹凸部分。
布线LP可以设置在第一绝缘层INS1上。布线LP可以由于第一绝缘层INS1的凹凸表面而包括凹凸部分。当布线LP包括凹凸部分时，增大了第一绝缘层INS1和布线LP之间的接触面积，并且可以增加布线LP的长度。因此，能够防止在显示装置被弯曲时布线LP被损坏，并且能够改善显示装置的可靠性。
图16和图17是示出根据本发明的另一实施例的显示装置的视图。
参照图1至图3、图16和图17，显示装置可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。
这里，首先将描述显示区域DA，然后将描述非显示区域NDA。
多个像素PXL可以设置在显示区域DA中。每个像素PXL包括与布线LP之中的相应布线LP连接的晶体管、连接到晶体管的发射元件EL以及电容器Cst。晶体管可以包括用于控制发射元件EL的驱动TFTTR2和用于开关驱动TFTTR2的开关TFTTR1。
像素PXL可以设置在基底SUB上。这里，将描述像素PXL的堆叠结构。
缓冲层BF可以设置在基底SUB上。缓冲层BF可以防止或基本上防止杂质被扩散到开关TFTTR1和驱动TFTTR2中。
有源图案ACT可以设置在缓冲层BF上。
栅极绝缘层GI可以设置在其上设置有有源图案ACT的缓冲层BF上。
栅电极GE和电容器下电极LE可以设置在栅极绝缘层GI上。
层间绝缘层IL可以设置在其上设置有栅电极GE和电容器下电极LE的栅极绝缘层GI上。
电容器上电极UE可以设置在层间绝缘层IL上。
第一绝缘层INS1可以设置在其上设置有电容器上电极UE的层间绝缘层IL上。
根据本实施例，缓冲层BF、栅极绝缘层GI、层间绝缘层IL和第一绝缘层INS1可以是包括无机材料的无机绝缘层。
源电极SE和漏电极DE可以设置在第一绝缘层INS1上。源电极SE和漏电极DE可以分别通过形成在第一绝缘层INS1、层间绝缘层IL和栅极绝缘层GI中的接触孔来接触有源图案ACT的源区和漏区。
保护层PSV可以设置在其上设置有源电极SE和漏电极DE的第一绝缘层INS1上。保护层PSV可以是包括无机材料的无机绝缘层。无机材料可以是聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。根据实施例，可以省略保护层PSV。
第二绝缘层INS2可以设置在保护层PSV上。第二绝缘层INS2可以是包括有机材料的有机绝缘层。
发射元件EL可以设置在第二绝缘层INS2上。发射元件EL可以包括第一电极EL1、有机发光层OL和第二电极EL2。
第一电极EL1可以设置在第二绝缘层INS2上。第一电极EL1可以通过穿过第二绝缘层INS2的接触孔连接到漏电极DE。
用于将发射区域分隔成与每个像素PXL对应的像素限定层PDL可以设置在其上设置有第一电极EL1的第二绝缘层INS2上。像素限定层PDL暴露第一电极EL1的上表面，并且可以沿着像素PXL的周界从第二绝缘层INS2突出。
有机发光层OL设置在由像素限定层PDL暴露的第一电极EL1上，第二电极EL2可以设置在有机发光层OL上。
第一电极EL1和第二电极EL2中的一个可以是阳极电极，第一电极EL1和第二电极EL2中的另一个可以是阴极电极。例如，第一电极EL1可以是阳极电极，第二电极EL2可以是阴极电极。
根据实施例，如图17中所示，第三绝缘层INS3可以设置在第二绝缘层INS2和发射元件EL之间。第三绝缘层INS3可以是包括有机材料的有机绝缘层。有机材料可以是诸如聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、氟类碳化合物(诸如特氟纶(Teflon))或苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料。
发射元件EL的第一电极EL1设置在第三绝缘层INS3上，并且可以通过设置在第二绝缘层INS2上的连接图案CNP电连接到漏电极DE。连接图案CNP可以通过穿过第二绝缘层INS2和保护层PSV的接触孔连接到漏电极DE。连接图案CPN可以由Au、Ag、Al、Mo、Cr、Ti、Ni、Nd和Cu之中的至少一种或者上述金属的合金形成。此外，连接图案CNP可以由单层形成。然而，本发明不限于此。连接图案CNP可以由多层形成，所述多层通过堆叠所述金属和所述合金之中的不少于两种材料来获得。
此外，第一电极EL1可以通过穿过第三绝缘层INS3的接触孔连接到连接图案CNP。因此，第一电极EL1可以通过连接图案CNP电连接到漏电极DE。
包封层SL可以设置在第二电极EL2上。包封层SL可以由单层或多层形成。根据本发明的实施例，包封层SL可以由第一包封层SL1至第三包封层SL3形成。第一包封层SL1至第三包封层SL3可以包括有机材料和/或无机材料。位于最外部处的第三包封层SL3可以包括无机材料。
接下来，将描述非显示区域NDA。在描述非显示区域NDA中，为了不给出重复的描述，可以不重复对先前描述的元件的描述。
根据本发明的实施例，布线LP设置在非显示区域NDA中，基底SUB在其中被折叠的弯曲区域BA可以设置在非显示区域NDA中。
布线LP可以连接驱动器和像素PXL。为此目的，布线LP可以近似在第二方向DR2上延伸。
布线LP可以在第二方向DR2上延伸到附加区域ADA的端部，接触电极CTE可以设置在附加区域ADA的端部处。像素PXL可以通过连接到布线LP的接触电极CTE连接到以COF形式实现的驱动器。
每条布线LP可以包括第一连接布线L1至第三连接布线L3。第一连接布线L1和第二连接布线L2可以一对一连接，第二连接布线L2和第三连接布线L3可以一对一连接。
缓冲层BF可以设置在基底SUB的非显示区域NDA上。
栅极绝缘层GI可以设置在缓冲层BF上。
第一连接布线L1和第三连接布线L3可以设置在栅极绝缘层GI上。第一连接布线L1设置在第一平坦区域FA1中，第三连接布线L3可以设置在第二平坦区域FA2中。
层间绝缘层IL可以设置在第一连接布线L1和第三连接布线L3上。
第一绝缘层INS1可以设置在层间绝缘层IL上。
可以去除缓冲层BF、栅极绝缘层GI、层间绝缘层IL和第一绝缘层INS1的与弯曲区域BA对应的区域。也就是说，缓冲层BF、栅极绝缘层GI、层间绝缘层IL和第一绝缘层INS1在与弯曲区域BA对应的区域中可以具有暴露基底SUB的开口OPN。
多个无机绝缘图案IIP可以设置在弯曲区域BA中的基底SUB上。无机绝缘图案IIP可以是岛状的。无机绝缘图案IIP可以被布置为彼此分开。
无机绝缘图案IIP可以包括顺序地堆叠的不少于两个无机绝缘层。例如，无机绝缘图案IIP可以包括设置在基底SUB上的第一无机绝缘层IP1、设置在第一无机绝缘层IP1上的第二无机绝缘层IP2、设置在第二无机绝缘层IP2上的第三无机绝缘层IP3以及设置在第三无机绝缘层IP3上的第四无机绝缘层IP4。第一无机绝缘层IP1可以包括与缓冲层BF相同的材料。第二无机绝缘层IP2可以包括与栅极绝缘层GI相同的材料。第三无机绝缘层IP3可以包括与层间绝缘层IL相同的材料。第四无机绝缘层IP4可以包括与第一绝缘层INS1相同的材料。
填充绝缘层INS_B可以设置在开口OPN中。填充绝缘层INS_B填充开口OPN的至少一部分，并且可以同步地或同时地覆盖与开口OPN相邻的区域，例如，第一绝缘层INS1的顶部的与第一平坦区域FA1和/或第二平坦区域FA2对应的部分。填充绝缘层INS_B可以是包括有机材料的有机绝缘层。有机材料可以是诸如聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、氟类碳化合物(诸如特氟纶(Teflon))或苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料。
填充绝缘层INS_B可以覆盖无机绝缘图案IIP。此外，填充绝缘层INS_B的表面可以由于无机绝缘图案IIP而包括凹凸部分。
第二连接布线L2可以设置在填充绝缘层INS_B和第一绝缘层INS1上。此外，接触电极CTE可以设置在第一绝缘层INS1上。在实施例中，第二连接布线L2和接触电极CTE可以与源电极SE和漏电极DE在同一工艺中由相同的材料形成。
第二连接布线L2可以从第一平坦区域FA1通过弯曲区域BA延伸到第二平坦区域FA2。在第一平坦区域FA1和第二平坦区域FA2中，第二连接布线L2可以通过穿过层间绝缘层IL和第一绝缘层INS1的接触孔连接到第一连接布线L1和第三连接布线L3。
此外，第二连接布线L2可以由于填充绝缘层INS_B的凹凸表面而具有凹凸部分。也就是说，第二连接布线L2在与无机绝缘图案IIP对应的区域中可以是凸的，并且在与无机绝缘图案IIP分开或隔开的区域中可以是凹的。
当布线LP包括凹凸部分时，增大了填充绝缘层INS_B和布线LP之间的接触面积，并且可以增加布线LP的长度。因此，能够防止在显示装置被弯曲时布线LP被损坏，并且能够改善显示装置的可靠性。
第二绝缘层INS2可以设置在上面设置有第二连接布线L2的第一绝缘层INS1和填充绝缘层INS_B上。第二绝缘层INS2可以是包括有机材料的有机绝缘层。
显示区域DA的像素限定层PDL可以布置成在第二绝缘层INS2上延伸。这里，第二绝缘层INS2和像素限定层PDL可以不覆盖接触电极CTE且暴露接触电极CTE。
根据实施例，如图17中所示，第三绝缘层INS3可以设置在第二绝缘层INS2和像素限定层PDL之间。第三绝缘层INS3可以是包括有机材料的有机绝缘层。有机材料可以是诸如聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、氟类碳化合物(诸如特氟纶(Teflon))或苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料。
当第三绝缘层INS3设置在第二绝缘层INS2和像素限定层PDL之间时，接触电极CTE可以包括设置在第一绝缘层INS1上的下接触电极CTEa和设置在下接触电极CTEa上的上接触电极CTEb。
在实施例中，下接触电极CTEa可以与第二连接布线L2以及源电极SE和漏电极DE在同一工艺中由相同的材料形成。上接触电极CTEb可以与第二连接布线L2在同一工艺中由相同的材料形成。
这里已经公开了一些示例实施例，尽管采用了特定的术语，但是仅以一般的和描述性的含义来使用它们并将对它们进行解释，而不是为了限制的目的。在一些情况下，如本领域普通技术人员将清楚的，除非另外特别指出，否则自提交本申请之时起，结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用，或者可以与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离本发明的如所附权利要求中阐述的精神和范围的情况下，可以做出形式上和细节上的各种改变。

Claims (45)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括弯曲区域和包含多个像素的平坦区域；
无机绝缘图案，布置在所述弯曲区域中的所述基底上以彼此分开；
有机绝缘层，包括在所述弯曲区域中覆盖所述无机绝缘图案的凹凸表面；以及
布线，布置在所述有机绝缘层上并与所述无机绝缘图案叠置，并且在所述有机绝缘层的所述凹凸表面的上方具有凹凸部分。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述无机绝缘图案包括至少两个顺序地堆叠的无机绝缘层。
3.根据权利要求2所述的显示装置，
其中，所述多个像素中的每个像素包括位于所述基底上的晶体管和连接到所述晶体管的发射元件，
其中，所述晶体管包括：
缓冲层，位于所述基底上；
有源图案，位于所述缓冲层上；
栅电极，位于所述有源图案上的栅极绝缘层上；
层间绝缘层，位于所述栅电极上；
绝缘层，位于所述层间绝缘层上；以及
源电极和漏电极，位于所述绝缘层上，并且
其中，所述缓冲层、所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层包括在所述弯曲区域中暴露所述基底的开口。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，设置在所述开口中的所述无机绝缘图案包括：
第一无机绝缘层，位于所述基底上；以及
第二无机绝缘层，位于所述第一无机绝缘层上。
5.根据权利要求4所述的显示装置，
其中，所述第一无机绝缘层包括与所述缓冲层相同的材料，
其中，所述第二无机绝缘层包括与所述栅极绝缘层相同的材料。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述无机绝缘图案还包括位于所述第二无机绝缘层上的第三无机绝缘层。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第三无机绝缘层包括与所述层间绝缘层相同的材料。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述有机绝缘层从所述绝缘层延伸并填充所述开口。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述绝缘层包括无机材料并且暴露与所述开口对应的所述基底。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述有机绝缘层是包括填充所述开口的有机材料的填充绝缘层。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述无机绝缘图案还包括位于所述第三无机绝缘层上的第四无机绝缘层。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第四无机绝缘层包括与所述绝缘层相同的材料。
13.根据权利要求2所述的显示装置，其中，在与所述布线延伸的方向垂直的方向上，所述无机绝缘图案的宽度不比所述布线的宽度小。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，在所述布线延伸的方向上，所述无机绝缘图案的相邻的无机绝缘图案之间的第一距离不比所述布线的在与所述布线延伸的方向垂直的方向上的所述宽度和所述无机绝缘图案的所述宽度的总和的50％大。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，在与所述布线延伸的方向垂直的方向上，所述相邻的无机绝缘图案之间的第二距离与所述第一距离相等。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述有机绝缘层的厚度不比所述无机绝缘图案的厚度的1.5倍大。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述无机绝缘图案的所述厚度不比所述布线的所述宽度和所述无机绝缘图案的所述宽度的总和的10％小。
18.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述无机绝缘图案的所述厚度不小于
19.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述布线延伸的方向上，所述无机绝缘图案中的每个无机绝缘图案与所述布线中的一条布线叠置。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，在与所述布线延伸的方向垂直的方向上，所述无机绝缘图案中的每个无机绝缘图案与所述布线中的一条布线叠置。
21.根据权利要求19所述的显示装置，其中，在与所述布线延伸的方向垂直的方向上，所述无机绝缘图案中的每个无机绝缘图案与所述布线中的多条布线叠置。
22.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述无机绝缘图案包括：
第一无机绝缘图案，位于所述基底上；以及
至少一个第二无机绝缘图案，位于所述第一无机绝缘图案上。
23.根据权利要求22所述的显示装置，
其中，所述至少一个第二无机绝缘图案包括至少两个第二无机绝缘图案，并且
其中，在所述布线延伸的方向上，所述至少两个第二无机绝缘图案彼此分开。
24.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述至少一个第二无机绝缘图案包括至少两个无机绝缘层。
25.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括弯曲区域和平坦区域；
缓冲层，位于所述基底上；
有源图案，位于所述平坦区域中的所述缓冲层上；
栅极绝缘层，位于所述有源图案上；
栅电极，位于所述平坦区域中的所述栅极绝缘层上；
层间绝缘层，位于所述栅电极上；
第一绝缘层，位于所述层间绝缘层上；
源电极和漏电极，布置在所述第一绝缘层上以彼此分开，并且连接到所述平坦区域中的所述有源图案；
第二绝缘层，位于所述漏电极上，并且包括有机材料；
发射元件，位于所述第二绝缘层上，并且连接到所述平坦区域中的所述漏电极；
开口，穿过所述缓冲层、所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层的与所述弯曲区域对应的区域；
无机绝缘图案，布置在所述开口中以彼此分开；
有机绝缘层，覆盖所述无机绝缘图案；以及
布线，布置在所述有机绝缘层上，
其中，所述有机绝缘层包括凹凸表面，并且
其中，所述布线包括位于所述有机绝缘层的所述凹凸表面上方的凹凸部分。
26.根据权利要求25所述的显示装置，其中，所述无机绝缘图案包括至少两个顺序地堆叠的无机绝缘层。
27.根据权利要求26所述的显示装置，其中，所述无机绝缘图案包括：
第一无机绝缘层，位于所述基底上；以及
第二无机绝缘层，位于所述第一无机绝缘层上。
28.根据权利要求27所述的显示装置，
其中，所述第一无机绝缘层包括与所述缓冲层相同的材料，
其中，所述第二无机绝缘层包括与所述栅极绝缘层相同的材料。
29.根据权利要求28所述的显示装置，
其中，所述无机绝缘图案还包括位于所述第二无机绝缘层上的第三无机绝缘层，并且
其中，所述第三无机绝缘层包括与所述层间绝缘层相同的材料。
30.根据权利要求29所述的显示装置，其中，所述有机绝缘层从所述第一绝缘层延伸。
31.根据权利要求29所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层包括无机材料并且暴露与所述开口对应的所述基底。
32.根据权利要求31所述的显示装置，其中，所述有机绝缘层是包括填充所述开口的有机材料的填充绝缘层。
33.根据权利要求31所述的显示装置，
其中，所述无机绝缘图案还包括设置在所述第三无机绝缘层上的第四无机绝缘层，并且
其中，所述第四无机绝缘层包括与所述第一绝缘层相同的材料。
34.根据权利要求26所述的显示装置，其中，在与所述布线延伸的方向垂直的方向上，所述无机绝缘图案的宽度不比所述布线的宽度小。
35.根据权利要求34所述的显示装置，其中，在所述布线延伸的方向上，所述无机绝缘图案的相邻的无机绝缘图案之间的第一距离不比所述布线的在与所述布线延伸的方向垂直的方向上的所述宽度和所述无机绝缘图案的所述宽度的总和的50％大。
36.根据权利要求35所述的显示装置，其中，在与所述布线延伸的方向垂直的方向上，所述相邻的无机绝缘图案之间的第二距离等于所述第一距离。
37.根据权利要求35所述的显示装置，其中，所述有机绝缘层的厚度不比所述无机绝缘图案的厚度的1.5倍大。
38.根据权利要求37所述的显示装置，其中，所述无机绝缘图案的所述厚度不比所述布线的所述宽度和所述无机绝缘图案的所述宽度的总和的10％小。
39.根据权利要求37所述的显示装置，其中，所述无机绝缘图案的所述厚度不小于
40.根据权利要求25所述的显示装置，其中，在所述布线延伸的方向上，所述无机绝缘图案中的每个无机绝缘图案与所述布线中的一条布线叠置。
41.根据权利要求40所述的显示装置，其中，在与所述布线延伸的方向垂直的方向上，所述无机绝缘图案中的每个无机绝缘图案与所述布线中的一条布线叠置。
42.根据权利要求40所述的显示装置，其中，在与所述布线延伸的方向垂直的方向上，所述无机绝缘图案中的每个无机绝缘图案与所述布线中的多条布线叠置。
43.根据权利要求40所述的显示装置，其中，所述无机绝缘图案包括：
第一无机绝缘图案，位于所述基底上；以及
至少一个第二无机绝缘图案，位于所述第一无机绝缘图案上。
44.根据权利要求43所述的显示装置，
其中，所述至少一个第二无机绝缘图案包括至少两个第二无机绝缘图案，并且
其中，在所述布线延伸的方向上，所述至少两个第二无机绝缘图案彼此分开。
45.根据权利要求43所述的显示装置，其中，所述至少一个第二无机绝缘图案包括至少两个无机绝缘层。
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180030365A (ko) 2016-09-13 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN107680497B (zh) * 2017-11-03 2019-12-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板的制造方法、显示基板、显示面板和显示装置
CN108010921B (zh) * 2017-11-30 2021-03-23 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示面板及显示装置
CN107863376B (zh) * 2017-12-11 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板、显示面板及显示装置
KR102562900B1 (ko) 2018-02-02 2023-08-04 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시장치 및 터치감지 표시장치
WO2019163045A1 (ja) * 2018-02-22 2019-08-29 シャープ株式会社 表示装置
KR102586042B1 (ko) * 2018-04-06 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN108511503B (zh) * 2018-05-28 2020-11-24 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
US10770667B2 (en) * 2018-08-21 2020-09-08 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Flexible display device and manufacturing method thereof
KR102617925B1 (ko) * 2018-09-27 2023-12-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11075347B2 (en) 2018-10-22 2021-07-27 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device
CN109545823A (zh) * 2018-10-23 2019-03-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、该阵列基板的制备方法及显示面板
CN110120465B (zh) 2019-05-28 2022-07-29 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板和具有其的显示装置
CN110133895B (zh) * 2019-06-10 2022-12-20 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
KR20200145908A (ko) * 2019-06-20 2020-12-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110197845B (zh) * 2019-06-20 2021-06-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN110233155B (zh) * 2019-06-26 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
CN110571241B (zh) * 2019-08-09 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法
CN110838508A (zh) * 2019-10-31 2020-02-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示器的制作方法
CN113130753B (zh) * 2019-12-31 2022-12-06 Tcl科技集团股份有限公司 复合衬底和柔性显示屏
CN113130752B (zh) * 2019-12-31 2022-11-04 Tcl科技集团股份有限公司 复合衬底和柔性显示屏
CN111162097B (zh) * 2020-01-03 2022-03-29 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
WO2022003846A1 (ja) * 2020-07-01 2022-01-06 シャープ株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
KR20220031839A (ko) * 2020-09-04 2022-03-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20230104413A (ko) * 2021-12-31 2023-07-10 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN115101534A (zh) * 2022-06-17 2022-09-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000150906A (ja) * 1998-08-31 2000-05-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN104733498A (zh) * 2013-12-24 2015-06-24 乐金显示有限公司 柔性有机发光显示器及其制造方法
US9276055B1 (en) * 2014-08-31 2016-03-01 Lg Display Co., Ltd. Display device with micro cover layer and manufacturing method for the same
EP3051333A1 (en) * 2015-01-28 2016-08-03 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020075422A1 (en) * 1996-09-19 2002-06-20 Seiko Epson Corporation Matrix type display device and manufacturing method thereof
KR101372505B1 (ko) 2010-01-18 2014-03-11 서울대학교산학협력단 스트레칭 및 벤딩이 가능한 배선구조체 및 이의 제조방법
US9195108B2 (en) 2012-08-21 2015-11-24 Apple Inc. Displays with bent signal lines
KR101965257B1 (ko) 2012-10-08 2019-04-04 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 표시 장치
KR102222680B1 (ko) * 2013-02-01 2021-03-03 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
US9740035B2 (en) * 2013-02-15 2017-08-22 Lg Display Co., Ltd. Flexible organic light emitting display device and method for manufacturing the same
KR101796812B1 (ko) 2013-02-15 2017-11-10 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102066087B1 (ko) 2013-05-28 2020-01-15 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치 및 그의 제조방법
KR102086644B1 (ko) 2013-12-31 2020-03-09 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블표시장치 및 이의 제조방법
KR102279921B1 (ko) * 2014-02-12 2021-07-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102351024B1 (ko) 2015-01-26 2022-01-13 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
JP2018054675A (ja) * 2016-09-26 2018-04-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6815159B2 (ja) * 2016-10-14 2021-01-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20180047536A (ko) * 2016-10-31 2018-05-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000150906A (ja) * 1998-08-31 2000-05-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN104733498A (zh) * 2013-12-24 2015-06-24 乐金显示有限公司 柔性有机发光显示器及其制造方法
US9276055B1 (en) * 2014-08-31 2016-03-01 Lg Display Co., Ltd. Display device with micro cover layer and manufacturing method for the same
EP3051333A1 (en) * 2015-01-28 2016-08-03 Samsung Display Co., Ltd. Display device

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US10319308B2 (en) 2019-06-11
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