CN115101534A - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种显示基板及其制备方法和显示装置。本公开的显示基板包括显示区域和位于显示区域一侧的绑定区域，绑定区域包括沿着远离显示区域的方向依次设置的引线区、第一过渡区、弯折区、第二过渡区以及绑定引脚区；在垂直于显示基板的平面上，引线区和绑定引脚区包括设置在基底上的复合绝缘层以及设置在复合绝缘层远离基底的一侧的金属线，第一过渡区和第二过渡区包括设置在基底上的复合绝缘层、设置在复合绝缘层远离基底的一侧的无机绝缘层以及设置在无机绝缘层远离基底的一侧的金属线；绑定区域还设置有维持第一过渡区和第二过渡区的光刻胶厚度的结构孔。本公开通过所设置的结构孔降低了现有显示装置发生金属断线的风险。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本公开涉及但不限于显示技术领域，且尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)和量子点发光二极管(Quantum-dot Light Emitting Diodes，简称QLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展，以OLED或QLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)进行信号控制的柔性显示装置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品。
经本申请的发明人研究发现，现有OLED显示装置存在金属断线的问题。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开要解决的技术问题是提供一种显示基板及其制备方法和显示装置，以克服现有OLED显示装置存在金属断线的问题。
一方面，本公开提供了一种显示基板，包括显示区域和位于所述显示区域一侧的绑定区域，所述绑定区域包括沿着远离所述显示区域的方向依次设置的引线区、第一过渡区、弯折区、第二过渡区以及绑定引脚区；在垂直于所述显示基板的平面上，所述引线区和所述绑定引脚区包括设置在基底上的复合绝缘层以及设置在所述复合绝缘层远离所述基底的一侧的金属线，所述第一过渡区和所述第二过渡区包括设置在所述基底上的复合绝缘层、设置在所述复合绝缘层远离所述基底的一侧的无机绝缘层以及设置在所述无机绝缘层远离所述基底的一侧的金属线；所述绑定区域还设置有维持所述第一过渡区和所述第二过渡区的光刻胶厚度的结构孔。
在示例性的实施方式中，所述引线区、所述第一过渡区、所述第二过渡区以及所述绑定引脚区中的至少一个或多个中设置有至少一个结构孔，所述结构孔设置在所述金属线上。
在示例性的实施方式中，所述结构孔包括第一结构孔，所述第一结构孔设置在如下任意一个或多个位置：所述引线区和所述第一过渡区。
在示例性的实施方式中，所述引线区的第一结构孔设置在所述引线区靠近所述第一过渡区的区域，所述第一过渡区的第一结构孔设置在所述第一过渡区靠近所述引线区的区域。
在示例性的实施方式中，所述第一过渡区包括第一爬坡区和第一平坦区，所述第一爬坡区位于所述第一过渡区靠近所述引线区的一侧，所述第一平坦区位于所述第一爬坡区远离所述引线区的一侧，所述第一结构孔设置在所述第一平坦区的金属线上。
在示例性的实施方式中，所述结构孔包括第二结构孔，所述第二结构孔设置在如下任意一个或多个位置：所述绑定引脚区和所述第二过渡区。
在示例性的实施方式中，所述绑定引脚区的第二结构孔设置在所述绑定引脚区靠近所述第二过渡区的区域，所述第二过渡区的第二结构孔设置在所述第二过渡区靠近所述绑定引脚区的区域。
在示例性的实施方式中，所述第二过渡区包括第二爬坡区和第二平坦区，所述第二爬坡区位于所述第二过渡区靠近所述绑定引脚区的一侧，所述第二平坦区位于所述第二爬坡区远离所述绑定引脚区的一侧，所述第二结构孔设置在所述第二平坦区的金属线上。
在示例性的实施方式中，所述第一过渡区和所述第二过渡区中的至少一个或多个中设置有至少一个结构孔，所述结构孔设置在所述无机绝缘层上。
在示例性的实施方式中，所述结构孔包括第三结构孔和第四结构孔，所述第三结构孔设置在所述第一过渡区中，所述第四结构孔设置在所述第二过渡区中。
在示例性的实施方式中，所述第三结构孔设置在所述第一过渡区靠近所述引线区的区域中，所述第四结构孔设置在所述第二过渡区靠近所述绑定引脚区的区域中。
在示例性的实施方式中，所述金属线覆盖所述第三结构孔的孔壁和孔底，所述金属线覆盖所述第四结构孔的孔壁和孔底。
在示例性的实施方式中，所述结构孔的形状包括如下任意一种或多种：三角形、矩形、五边形、六边形、圆形和椭圆形。
在示例性的实施方式中，所述结构孔的形状为圆形，所述结构孔的直径大于或等于所述金属线的宽度的1/4，所述结构孔的直径小于或等于所述金属线的宽度的2/3，所述金属线的宽度为垂直于所述金属线的延伸方向的尺寸。
在示例性的实施方式中，多个所述结构孔的面积相同。
在示例性的实施方式中，沿着远离所述显示区域的方向，多个所述结构孔的面积逐渐增加，或者，沿着靠近所述显示区域的方向，多个所述结构孔的面积逐渐增加。
在示例性的实施方式中，沿着远离所述第一过渡区的方向，所述引线区中多个所述结构孔的面积逐渐增加；沿着远离所述引线区的方向，所述第一过渡区中多个所述结构孔的面积逐渐增加；沿着远离所述绑定引脚区的方向，所述第二过渡区中多个所述结构孔的面积逐渐增加；沿着远离所述第二过渡区的方向，所述绑定引脚区中多个所述结构孔的面积逐渐增加。
另一方面，本公开还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。
又一方面，本公开还提供了一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域一侧的绑定区域，所述绑定区域包括沿着远离所述显示区域的方向依次设置的引线区、第一过渡区、弯折区、第二过渡区以及绑定引脚区；所述制备方法包括：
在所述引线区和所述绑定引脚区形成设置在基底上的复合绝缘层以及设置在所述复合绝缘层远离所述基底的一侧的金属线，在所述第一过渡区和所述第二过渡区形成设置在所述基底上的复合绝缘层、设置在所述复合绝缘层远离所述基底的一侧的无机绝缘层以及设置在所述无机绝缘层远离所述基底的一侧的金属线；所述绑定区域还形成有维持所述第一过渡区和所述第二过渡区的光刻胶厚度的结构孔。
本公开提供了一种显示基板及其制备方法和显示装置，通过在绑定区域设置的结构孔减缓了金属图案化中因段差结构造成的光刻胶流动，可以维持第一过渡区和第二过渡区的光刻胶厚度，降低了金属发生断线的风险。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。附图中部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1为一种显示装置的结构示意图；
图2为一种显示基板的平面结构示意图；
图3为图2中显示基板的侧视图；
图4为一种显示区域的平面结构示意图；
图5为一种像素驱动电路的等效电路示意图；
图6为一种像素驱动电路的工作时序图；
图7为本公开示例性实施例的一种显示基板的平面结构示意图；
图8为本公开示例性实施例的一种显示基板的剖面结构示意图；
图9为本公开示例性实施例的形成弯折区图案的示意图；
图10为本公开示例性实施例的形成第三导电层图案的示意图；
图11为本公开示例性实施例的一种第一结构孔的结构示意图；
图12为本公开示例性实施例的一种第二结构孔的结构示意图；
图13为本公开示例性实施例的一种第一结构孔的平面结构示意图；
图14A至图14E为本公开示例性实施例的金属线的制备过程示意图；
图15为本公开示例性实施例的另一种第一结构孔的结构示意图；
图16为本公开示例性实施例的又一种第一结构孔的结构示意图；
图17为本公开示例性实施例的另一种第一结构孔的平面结构示意图；
图18为本公开示例性实施例的又一种第一结构孔的平面结构示意图；
图19为本公开示例性实施例的另一种显示基板的结构示意图；
图20为本公开示例性实施例的一种第三结构孔的结构示意图；
图21为本公开示例性实施例的一种第四结构孔的结构示意图。
附图标记说明:
1-显示基板； 2-玻璃衬底； 10-基底；
11-第一绝缘层； 12-第二绝缘层； 13-第三绝缘层；
14-无机绝缘层； 15-金属线； 20-光刻胶；
30-掩膜版； 40-紫外光； 50-第一结构孔；
51-第二结构孔； 60-第三结构孔； 61-第四结构孔；
100-显示区域； 101A-晶体管； 101B-存储电容；
200-绑定区域； 210-引线区； 220-第一过渡区；
221-第一爬坡区； 222-第一平坦区； 230-弯折区；
231-弯折槽； 240-第二过渡区； 241-第二爬坡区；
242-第二平坦区； 250-绑定引脚区； 251-绑定引脚；
260-集成电路； 270-柔性线路板； 300-边框区。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
本公开中的附图比例可以作为实际工艺中的参考，但不限于此。例如：沟道的宽长比、各个膜层的厚度和间距、各个信号线的宽度和间距，可以根据实际需要进行调整。显示基板中像素的个数和每个像素中子像素的个数也不是限定为图中所示的数量，本公开中所描述的附图仅是结构示意图，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
在本说明书中，三角形、正方形、矩形、梯形、五边形或六边形等并非严格意义上的，可以是近似三角形、正方形、矩形、梯形、五边形或六边形等，可以存在公差导致的一些小变形，可以存在导角、弧边以及变形等。
本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
图1为一种显示装置的结构示意图。如图1所示，显示装置可以包括时序控制器、数据驱动器、扫描驱动器、发光驱动器和像素阵列，时序控制器分别与数据驱动器、扫描驱动器和发光驱动器连接，数据驱动器分别与多个数据信号线(D1到Dn)连接，扫描驱动器分别与多个扫描信号线(S1到Sm)连接，发光驱动器分别与多个发光信号线(E1到Eo)连接。像素阵列可以包括多个子像素Pxij，i和j可以是自然数，至少一个子像素Pxij可以包括电路单元和与电路单元连接的发光器件，电路单元可以包括至少一个扫描信号线、至少一个数据信号线、至少一个发光信号线和像素驱动电路。在示例性的实施方式中，时序控制器可以将适合于数据驱动器的规格的灰度值和控制信号提供到数据驱动器，可以将适合于扫描驱动器的规格的时钟信号、扫描起始信号等提供到扫描驱动器，可以将适合于发光驱动器的规格的时钟信号、发射停止信号等提供到发光驱动器。数据驱动器可以利用从时序控制器接收的灰度值和控制信号来产生将提供到数据信号线D1、D2、D3、……和Dn的数据电压。例如，数据驱动器可以利用时钟信号对灰度值进行采样，并且以像素行为单位将与灰度值对应的数据电压施加到数据信号线D1至Dn，n可以是自然数。扫描驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、扫描起始信号等来产生将提供到扫描信号线S1、S2、S3、……和Sm的扫描信号。例如，扫描驱动器可以将具有导通电平脉冲的扫描信号顺序地提供到扫描信号线S1至Sm。例如，扫描驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以导通电平脉冲形式提供的扫描起始信号传输到下一级电路的方式产生扫描信号，m可以是自然数。发光驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、发射停止信号等来产生将提供到发光信号线E1、E2、E3、……和Eo的发射信号。例如，发光驱动器可以将具有截止电平脉冲的发射信号顺序地提供到发光信号线E1至Eo。例如，发光驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以截止电平脉冲形式提供的发射停止信号传输到下一级电路的方式产生发射信号，o可以是自然数。
图2为一种显示基板的平面结构示意图，示意了绑定区域弯折前的展开状态，图3为图2中显示基板的侧视图，示意了绑定区域弯折后的弯折状态。如图2和图3所示所示，在平行于显示基板1的平面上，显示基板1可以包括显示区域100和位于显示区域100周边的边缘区，边缘区可以包括位于显示区域100一侧的绑定区域200和位于显示区域100其它侧的边框区300，例如，绑定区域200可以位于显示区域100第一方向D1(远离显示区域的方向)的一侧，边框区300可以位于显示区域100第二方向D2的两侧以及位于显示区域100第一方向D1的反方向的一侧，第一方向D1和第二方向D2交叉。
在示例性的实施方式中，显示区域100可以包括组成像素阵列的多个子像素Pxij，多个子像素Pxij被配置为进行图像显示，显示区域100可以是可变形的，例如卷曲、弯曲、折叠或卷起。绑定区域200可以至少包括隔离坝和绑定电路，绑定电路被配置为将显示区域100的信号线连接至外部驱动装置。边框区300可以至少包括隔离坝、栅极驱动电路和向多个子像素传输电压信号的电源线，绑定区域200和边框区300的隔离坝可以为一体结构，且通过相同的图案化工艺同步制备，形成环绕显示区域100的环形结构。
在示例性的实施方式中，绑定区域200可以通过弯折方式弯曲贴合到显示区域100的背面，绑定区域200可以在垂直于显示区域平面的方向上与显示区域100重叠。
在示例性的实施方式中，绑定区域200可以包括沿着第一方向D1(远离显示区域的方向)依次设置的引线区210、弯折区230和绑定引脚区250。
在示例性的实施方式中，引线区210可以设置多条引出线。弯折区230可以包括设置有凹槽的复合绝缘层，弯折区230可以在第三方向D3(厚度方向)上以一曲率弯曲，可以将绑定引脚区250的表面反转，即绑定引脚区250朝向上方的表面可以通过弯折区230的弯曲翻转成面朝向下方，第三方向D3与第一方向D1交叉。在示例性的实施方式中，当弯折区230被弯曲时，绑定引脚区250可以在第三方向D3上与显示区域100重叠。
在示例性的实施方式中，绑定引脚区250可以至少包括驱动芯片和多个绑定引脚(Bonding PIN)，驱动芯片可以是集成电路(Integrate Circuit，简称IC)260，集成电路260可以与多条信号引线连接，外部的柔性线路板(Flexible Printed Circuit，简称FPC)270可以绑定连接在多个绑定引脚上。在示例性的实施方式中，集成电路260可以产生用于驱动子像素所需的驱动信号，并且可以将驱动信号提供给在显示区域100中的子像素。例如，驱动信号可以是驱动子像素发光亮度的数据信号。在示例性的实施方式中，集成电路260可以通过各向异性导电膜或者其它方式绑定连接在驱动芯片区，集成电路260在第二方向D2上的宽度可以小于绑定引脚区250在第二方向D2上的宽度。
图4为一种显示区域的平面结构示意图。如图4所示，显示区域可以包括以矩阵方式排布的多个像素单元P，多个像素单元P的至少一个包括出射第一颜色光线的第一子像素P1、出射第二颜色光线的第二子像素P2和出射第三颜色光线的第三子像素P3，第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3可以均包括像素驱动电路和发光器件。子像素中的像素驱动电路分别与扫描信号线、数据信号线和发光信号线连接，像素驱动电路被配置为在扫描信号线和发光信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向所述发光器件输出相应的电流。子像素中的发光器件分别与所在子像素的像素驱动电路连接，发光器件被配置为响应所在子像素的像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。
在示例性的实施方式中，第一子像素P1可以是红色(R)子像素，第二子像素P2可以是绿色(G)子像素，第三子像素P3可以是蓝色(B)子像素。在示例性的实施方式中，像素单元中子像素的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形，三个子像素可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列。在一些可能的示例性的实施方式中，像素单元可以包括四个子像素，四个子像素可以采用水平并列、竖直并列、正方形(Square)或钻石形(Diamond)等方式排列，本公开在此不做限定。
图5为一种像素驱动电路的等效电路示意图。在示例性的实施方式中，像素驱动电路可以是3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C或7T1C结构。如图5所示，像素驱动电路可以包括7个晶体管(第一晶体管T1到第七晶体管T7)和1个存储电容C，像素驱动电路可以与7个信号线(数据信号线D、第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、发光信号线E、初始信号线INIT、第一电源线VDD和第二电源线VSS)连接。
在示例性的实施方式中，像素驱动电路可以包括第一节点N1、第二节点N2和第三节点N3。其中，第一节点N1分别与第三晶体管T3的第一极、第四晶体管T4的第二极和第五晶体管T5的第二极连接，第二节点N2分别与第一晶体管的第二极、第二晶体管T2的第一极、第三晶体管T3的控制极和存储电容C的第二端连接，第三节点N3分别与第二晶体管T2的第二极、第三晶体管T3的第二极和第六晶体管T6的第一极连接。
在示例性的实施方式中，存储电容C的第一端与第一电源线VDD连接，存储电容C的第二端与第二节点N2连接，即存储电容C的第二端与第三晶体管T3的控制极连接。
第一晶体管T1的控制极与第二扫描信号线S2连接，第一晶体管T1的第一极与初始信号线INIT连接，第一晶体管的第二极与第二节点N2连接。当导通电平扫描信号施加到第二扫描信号线S2时，第一晶体管T1将初始化电压传输到第三晶体管T3的控制极，以使第三晶体管T3的控制极的电荷量初始化。
第二晶体管T2的控制极与第一扫描信号线S1连接，第二晶体管T2的第一极与第二节点N2连接，第二晶体管T2的第二极与第三节点N3连接。当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第二晶体管T2使第三晶体管T3的控制极与第二极连接。
第三晶体管T3的控制极与第二节点N2连接，即第三晶体管T3的控制极与存储电容C的第二端连接，第三晶体管T3的第一极与第一节点N1连接，第三晶体管T3的第二极与第三节点N3连接。第三晶体管T3可以称为驱动晶体管，第三晶体管T3根据其控制极与第一极之间的电位差来确定在第一电源线VDD与第二电源线VSS之间流动的驱动电流的量。
第四晶体管T4的控制极与第一扫描信号线S1连接，第四晶体管T4的第一极与数据信号线D连接，第四晶体管T4的第二极与第一节点N1连接。第四晶体管T4可以称为开关晶体管、扫描晶体管等，当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第四晶体管T4使数据信号线D的数据电压输入到像素驱动电路。
第五晶体管T5的控制极与发光信号线E连接，第五晶体管T5的第一极与第一电源线VDD连接，第五晶体管T5的第二极与第一节点N1连接。第六晶体管T6的控制极与发光信号线E连接，第六晶体管T6的第一极与第三节点N3连接，第六晶体管T6的第二极与发光器件的第一极连接。第五晶体管T5和第六晶体管T6可以称为发光晶体管。当导通电平发光信号施加到发光信号线E时，第五晶体管T5和第六晶体管T6通过在第一电源线VDD与第二电源线VSS之间形成驱动电流路径而使发光器件发光。
第七晶体管T7的控制极与第一扫描信号线S1连接，第七晶体管T7的第一极与初始信号线INIT连接，第七晶体管T7的第二极与发光器件的第一极连接。当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第七晶体管T7将初始化电压传输到发光器件的第一极，以使发光器件的第一极中累积的电荷量初始化或释放发光器件的第一极中累积的电荷量。
在示例性的实施方式中，发光器件的第二极与第二电源线VSS连接，第二电源线VSS的信号为低电平信号，第一电源线VDD的信号为持续提供高电平信号。第一扫描信号线S1为本显示行像素驱动电路中的扫描信号线，第二扫描信号线S2为上一显示行像素驱动电路中的扫描信号线，即对于第n显示行，第一扫描信号线S1为S(n)，第二扫描信号线S2为S(n-1)，本显示行的第二扫描信号线S2与上一显示行像素驱动电路中的第一扫描信号线S1为同一信号线，可以减少显示面板的信号线，实现显示面板的窄边框。
在示例性的实施方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以是P型晶体管，或者可以是N型晶体管。像素驱动电路中采用相同类型的晶体管可以简化工艺流程，减少显示面板的工艺难度，提高产品的良率。在一些可能的实现方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以包括P型晶体管和N型晶体管。
在示例性的实施方式中，第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、发光信号线E和初始信号线INIT沿水平方向延伸，第二电源线VSS、第一电源线VDD和数据信号线D沿竖直方向延伸。
在示例性的实施方式中，发光器件可以是有机电致发光二极管(OLED)，包括叠设的第一极(阳极)、有机发光层和第二极(阴极)。
图6为一种像素驱动电路的工作时序图。下面通过图6示例的像素驱动电路的工作过程说明本公开示例性实施例，图6中的像素驱动电路包括7个晶体管(第一晶体管T1到第六晶体管T7)和1个存储电容C，7个晶体管均为P型晶体管。
在示例性的实施方式中，像素驱动电路的工作过程可以包括：
第一阶段A1，称为复位阶段，第二扫描信号线S2的信号为低电平信号，第一扫描信号线S1和发光信号线E的信号为高电平信号。第二扫描信号线S2的信号为低电平信号，使第一晶体管T1导通，初始信号线INIT的信号提供至第二节点N2，对存储电容C进行初始化，清除存储电容中原有数据电压。第一扫描信号线S1和发光信号线E的信号为高电平信号，使第二晶体管T2、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7断开，此阶段OLED不发光。
第二阶段A2、称为数据写入阶段或者阈值补偿阶段，第一扫描信号线S1的信号为低电平信号，第二扫描信号线S2和发光信号线E的信号为高电平信号，数据信号线D输出数据电压。此阶段由于存储电容C的第二端为低电平，因此第三晶体管T3导通。第一扫描信号线S1的信号为低电平信号使第二晶体管T2、第四晶体管T4和第七晶体管T7导通。第二晶体管T2和第四晶体管T4导通使得数据信号线D输出的数据电压经过第一节点N1、导通的第三晶体管T3、第三节点N3、导通的第二晶体管T2提供至第二节点N2，并将数据信号线D输出的数据电压与第三晶体管T3的阈值电压之差充入存储电容C，存储电容C的第二端(第二节点N2)的电压为Vd-|Vth|，Vd为数据信号线D输出的数据电压，Vth为第三晶体管T3的阈值电压。第七晶体管T7导通使得初始信号线INIT的初始电压提供至OLED的第一极，对OLED的第一极进行初始化(复位)，清空其内部的预存电压，完成初始化，确保OLED不发光。第二扫描信号线S2的信号为高电平信号，使第一晶体管T1断开。发光信号线E的信号为高电平信号，使第五晶体管T5和第六晶体管T6断开。
第三阶段A3、称为发光阶段，发光信号线E的信号为低电平信号，第一扫描信号线S1和第二扫描信号线S2的信号为高电平信号。发光信号线E的信号为低电平信号，使第五晶体管T5和第六晶体管T6导通，第一电源线VDD输出的电源电压通过导通的第五晶体管T5、第三晶体管T3和第六晶体管T6向OLED的第一极提供驱动电压，驱动OLED发光。
在像素驱动电路驱动过程中，流过第三晶体管T3(驱动晶体管)的驱动电流由其栅电极和第一极之间的电压差决定。由于第二节点N2的电压为Vdata-|Vth|，因而第三晶体管T3的驱动电流为：
I＝K*(Vgs-Vth)2＝K*[(Vdd-Vd+|Vth|)-Vth]2＝K*[(Vdd-Vd]2
其中，I为流过第三晶体管T3的驱动电流，也就是驱动OLED的驱动电流，K为常数，Vgs为第三晶体管T3的栅电极和第一极之间的电压差，Vth为第三晶体管T3的阈值电压，Vd为数据信号线D输出的数据电压，Vdd为第一电源线VDD输出的电源电压。
现有OLED显示产品为了满足高像素密度(PPI)的需求，信号传输线从原来的一层金属增加到两层或多层，这就需要更多的无机绝缘层来阻隔不同的金属层。经本申请的发明人研究发现，由于有的位置需要保留无机绝缘层，而有的位置需要去除无机绝缘层，因而会产生具有一定高度差的段差结构，段差通常可以达到约2μm。在金属图案化期间涂覆光刻胶时，由于段差结构的存在，无机绝缘层保留区域即高位置处的光刻胶就会因其向无机绝缘层去除区域即低位置的流动而偏薄，这样在蚀刻金属时，光刻胶薄的位置的金属将会被刻断，产生金属断线的情况，导致产品无法正常显示或显示不均一。虽然通过增加光刻胶涂覆厚度可以在一定程度上克服断线问题，但增加光刻胶涂覆厚度会导致低位置区域的光刻胶过厚，降低了金属走线刻蚀的均一性，导致显示不均等问题。
本公开示例性实施例提供了一种显示基板，包括显示区域和位于所述显示区域一侧的绑定区域，所述绑定区域包括沿着远离所述显示区域的方向依次设置的引线区、第一过渡区、弯折区、第二过渡区以及绑定引脚区；在垂直于所述显示基板的平面上，所述引线区和所述绑定引脚区包括设置在基底上的复合绝缘层以及设置在所述复合绝缘层远离所述基底的一侧的金属线，所述第一过渡区和所述第二过渡区包括设置在所述基底上的复合绝缘层、设置在所述复合绝缘层远离所述基底的一侧的无机绝缘层以及设置在所述无机绝缘层远离所述基底的一侧的金属线；所述绑定区域还设置有维持所述第一过渡区和所述第二过渡区的光刻胶厚度的结构孔。
在示例性的实施方式中，所述引线区、所述第一过渡区、所述第二过渡区以及所述绑定引脚区中的至少一个或多个中设置有至少一个结构孔，所述结构孔设置在所述金属线上。
在示例性的实施方式中，所述第一过渡区和所述第二过渡区中的至少一个或多个中设置有至少一个结构孔，所述结构孔设置在所述无机绝缘层上。
在示例性的实施方式中，所述结构孔的形状包括如下任意一种或多种：三角形、矩形、五边形、六边形、圆形和椭圆形。
在示例性的实施方式中，所述结构孔的形状为圆形，所述结构孔的直径大于或等于所述金属线的宽度的1/4，所述结构孔的直径小于或等于所述金属线的宽度的2/3，所述金属线的宽度为垂直于所述金属线的延伸方向的尺寸。
在示例性的实施方式中，多个所述结构孔的面积相同。
在示例性的实施方式中，沿着远离所述显示区域的方向，多个所述结构孔的面积逐渐增加，或者，沿着靠近所述显示区域的方向，多个所述结构孔的面积逐渐增加。
在示例性的实施方式中，沿着远离所述第一过渡区的方向，所述引线区中多个所述结构孔的面积逐渐增加；沿着远离所述引线区的方向，所述第一过渡区中多个所述结构孔的面积逐渐增加；沿着远离所述绑定引脚区的方向，所述第二过渡区中多个所述结构孔的面积逐渐增加；沿着远离所述第二过渡区的方向，所述绑定引脚区中多个所述结构孔的面积逐渐增加。
图7为本公开示例性实施例的一种显示基板的平面结构示意图。如图7所示，在平行于显示基板的平面内，显示基板1可以包括显示区域100和位于显示区域一侧的绑定区域200，绑定区域200可以包括沿着第一方向D1(远离显示区域的方向)依次设置的引线区210、第一过渡区220、弯折区230、第二过渡区240以及绑定引脚区250。引线区210可以连接到显示区域100，第一过渡区220可以连接到引线区210，弯折区230可以连接到第一过渡区220，第二过渡区240可以连接到弯折区230，绑定引脚区250可以连接到第二过渡区240。
在示例性的实施方式中，引线区210可以设置多条信号引线、第一电源线和第二电源线，多条信号引线中的数据引线被配置为以扇出(Fanout)走线方式连接显示区域100的数据线，多条信号引线中的触控引线被配置为连接显示区域100的触控电极，第一电源线被配置为连接显示区域100的高电压电源线(VDD)，第二电源线被配置为连接边框区的低电压电源线(VSS)。
在示例性的实施方式中，弯折区230可以包括设置有凹槽的复合绝缘层，利用弯折区220的凹槽可以将绑定引脚区250弯曲贴合到显示区域100的背面。
在示例性的实施方式中，绑定引脚区250可以至少包括多个绑定引脚251和多个信号连接线，多个绑定引脚被配置为与外部的柔性线路板(FPC)绑定连接，多个信号连接线被配置为与多个绑定引脚251对应连接。
在示例性的实施方式中，第一方向D1可以是显示区域中数据信号线的延伸方向(列方向)，第二方向D2可以是显示区域中扫描信号线的延伸方向(行方向)，第三方向D3可以是垂直于显示基板平面的方向(厚度方向)，第一方向D1和第二方向D2可以相互垂直，第一方向D1和第三方向D3可以相互垂直。
经本申请的发明人研究发现，由于第一过渡区220和第二过渡区240内保留了无机绝缘层14，而第一过渡区220靠近显示区域100的一侧(如图7所示的引线区210)的区域内去除了无机绝缘层，因而第一过渡区220靠近显示区域100的一侧会出现高低段差结构(如图7中的上虚线框所示)，第二过渡区240远离显示区域100的一侧(如图7所示的绑定引脚区250)的区域内去除了无机绝缘层，因而第二过渡区240远离显示区域100的一侧会出现高低段差结构(如图7中的下虚线框所示)。当通过图案化工艺制备金属线15时，在第一过渡区220靠近显示区域100一侧的第一过渡区220与引线区210的交界区域和在第二过渡区240远离显示区域100一侧的第二过渡区240与绑定引脚区250的交界区域是容易发生金属线断裂的区域。本公开通过在绑定区域中设置有维持第一过渡区和第二过渡区的光刻胶厚度的结构孔，如通过在引线区、第一过渡区、第二过渡区以及绑定引脚区中的至少一个或多个区域中设置维持第一过渡区和第二过渡区的光刻胶厚度的结构孔降低了发生金属线断裂的风险。
在示例性的实施方式中，在第一过渡区220靠近显示区域100一侧的第一过渡区220与引线区210的交界区域中设置至少一个第一结构孔50。
在示例性的实施方式中，在第二过渡区240远离显示区域100一侧的第二过渡区240与绑定引脚区250的交界区域中设置至少一个第二结构孔51。
图8为本公开示例性实施例的一种显示基板的剖面结构示意图。在平行于显示基板的平面内，绑定区域200可以包括沿着第一方向D1(远离显示区域的方向)依次设置的引线区210、第一过渡区220、弯折区230、第二过渡区240以及绑定引脚区250。引线区210可以连接到显示区域100，第一过渡区220可以连接到引线区210，弯折区230可以连接到第一过渡区220，第二过渡区240可以连接到弯折区230，绑定引脚区250可以连接到第二过渡区240。
在示例性的实施方式中，在垂直于显示基板的平面内，显示区域100可以包括：基底，设置在基底上的驱动结构层，设置在驱动结构层远离基底一侧的发光结构层，设置在发光结构层远离基底一侧的封装结构层，以及设置在封装结构层远离基底一侧的触控结构层。
在示例性的实施方式中，显示区域100的驱动结构层可以包括：设置在基底10上的第一绝缘层11，设置在第一绝缘层11远离基底一侧的半导体层，设置在半导体层远离基底一侧的第二绝缘层12，设置在第二绝缘层12远离基底一侧的第一导电层，设置在第一导电层远离基底一侧的第三绝缘层13，设置在第三绝缘层13远离基底一侧的第二导电层，设置在第二导电层远离基底一侧的第四绝缘层14，设置在第四绝缘层14远离基底一侧的第三导电层。在示例性的实施方式中，半导体层可以至少包括多个晶体管的有源层，第一导电层可以至少包括多个晶体管的栅电极和存储电容的第一极板，第二导电层可以至少包括存储电容的第二极板，第三导电层可以至少包括多个晶体管的第一极和第二极，图8中仅以显示区域100的一个晶体管101A和存储电容101B为例进行示意。
在示例性的实施方式中，在垂直于显示基板的平面上，引线区210和绑定引脚区250包括设置在基底10上的复合绝缘层(包括第一绝缘层11、第二绝缘层12以及第三绝缘层13)以及设置在复合绝缘层远离基底10的一侧的金属线15，第一过渡区220和第二过渡区240包括设置在基底10上的复合绝缘层(包括第一绝缘层11、第二绝缘层12以及第三绝缘层13)、设置在复合绝缘层远离基底10的一侧的无机绝缘层14以及设置在无机绝缘层14远离基底10的一侧的金属线15；绑定区域200还包括维持第一过渡区220和第二过渡区240的光刻胶厚度的第一结构孔50和第二结构孔51。
在示例性的实施方式中，第一过渡区220包括第一结构孔50。第一过渡区220的第一结构孔50设置在第一过渡区220靠近引线区210的区域中，第一结构孔50可以设置在金属线15上。
在示例性的实施方式中，第二过渡区240包括第二结构孔51。第二过渡区240的第二结构孔51设置在第二过渡区240靠近绑定引脚区250的区域中，第二结构孔51可以设置在金属线15上。
下面以显示区域100和绑定区域200为例，示例性的描述了显示基板的制备过程。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“B的正投影位于A的正投影的范围之内”或者“A的正投影包含B的正投影”是指，B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。
本公开示例性实施例的显示基板的制备可以包括如下步骤：
(1)形成弯折区图案。在示例性的实施方式中，形成弯折区图案可以包括：
A、先在玻璃衬底2上制备基底10，然后在基底10上依次沉积第一绝缘薄膜和半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化，形成覆盖整个基底10的第一绝缘层11，以及设置在第一绝缘层11上的半导体层图案，半导体层图案至少包括位于显示区域100的有源层。本次图案化工艺后，绑定区域200可以包括设置在基底10上的第一绝缘层11。
B、随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一导电薄膜，通过图案化工艺对第一导电薄膜进行图案化，形成覆盖半导体层图案的第二绝缘层12，以及设置在第二绝缘层12上的第一导电层图案，第一导电层图案至少包括位于显示区域100的栅电极和第一极板。本次图案化工艺后，绑定区域200可以包括在基底10叠设的第一绝缘层11和第二绝缘层12。在示例性的实施方式中，第一导电层可以称为第一栅金属(GATE1)层。
C、随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二导电薄膜，通过图案化工艺对第二导电薄膜进行图案化，形成覆盖第一导电层的第三绝缘层13，以及设置在第三绝缘层13上的第二导电层图案，第二导电层图案至少包括位于显示区域100的第二极板，第二极板在基底上的正投影与第一极板在基底上的正投影至少部分交叠。本次图案化工艺后，绑定区域200的引线区210和弯折区230可以包括在基底10上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层12和第三绝缘层13。在示例性的实施方式中，第二导电层可以称为第二栅金属(GATE2)层。
D、随后，沉积第四绝缘薄膜，通过图案化工艺进行图案化，形成无机绝缘层14的图案，并形成弯折槽231，弯折槽231设置在绑定区域200中的弯折区230内。
在示例性的实施方式中，可以利用两个掩膜版(Etch Bending A MASK，简称EBAMASK和Etch Bending B MASK，简称EBB MASK)通过两次图案化工艺来形成由第一凹槽和第二凹槽构成的凹槽结构，第一凹槽和第二凹槽一起组成弯折槽231，弯折槽231内的无机绝缘层14、第三绝缘层13、第二绝缘层12和第一绝缘层11被去掉，暴露出基底10的表面。
在示例性的实施方式中，在利用掩膜版(EBA MASK)的图案化工艺中，还可以去除引线区210和绑定引脚区250中的无机绝缘层14，绑定区域200中仅保留第一过渡区220和第二过渡区230中的无机绝缘层14。
在示例性的实施方式中，在利用掩膜版的图案化工艺中，还在显示区域100中形成两个过孔K1和K2。
在示例性的实施方式中，EBA MASK和EBB MASK工艺是对显示基板的弯折区进行挖槽的图案化工艺，可以减少弯折区的厚度。在示例性的实施方式中，EBB MASK工艺中，可以刻蚀掉弯折槽231中基底的部分厚度，例如刻蚀掉基底的第二阻挡层，本公开在此不做限定。
至此，完成弯折区图案的制备，如图9所示。
本次图案化工艺后，显示区域100可以包括设置在玻璃衬底2上的基底10、以及在基底10叠设的第一绝缘层11、半导体层、第二绝缘层12、第一导电层、第三绝缘层13、第二导电层和无机绝缘层14。绑定区域200的引线区210和绑定引脚区250可以包括基底10以及在基底10上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13。弯折区230可以包括基底10以及设置在基底10上的弯折槽。绑定区域200的第一过渡区220和第二过渡区240可以包括基底10以及在基底10上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层12、第三绝缘层13和无机绝缘层14。
在示例性的实施方式中，第一绝缘层11、第二绝缘层12以及第三绝缘层13可以被称为复合绝缘层。
在示例性的实施方式中，基底可以包括在玻璃衬底上叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层。第一、第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一、第二无机材料层的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高基底的抗水氧能力，第一、第二无机材料层可以可以称为阻挡(Barrier)层，半导体层的材料可以采用非晶硅(a-si)。以叠层结构PI1/Barrier1/a-si/PI2/Barrier2为例，其制备过程可以包括：先在玻璃衬底上涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第一柔性(PI1)层；随后在第一柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第一柔性层的第一阻挡(Barrier1)层；然后在第一阻挡层上沉积一层非晶硅薄膜，形成覆盖第一阻挡层的非晶硅(a-si)层；然后在非晶硅层上再涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第二柔性(PI2)层；然后在第二柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第二柔性层的第二阻挡(Barrier2)层，完成基底的制备。
在示例性的实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和无机绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层可以称为缓冲层，第二绝缘层和第三绝缘层可以称为(GI)层。第一导电层和第二导电层和第三导电层可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。
(2)形成第三导电层。在示例性的实施方式中，形成第三导电层可以包括：在形成前述图案的基底上沉积第三导电薄膜，通过图案化工艺对第三导电薄膜进行图案化，形成第三导电层图案，第三导电层至少包括从显示区域100延伸至绑定引脚区250的多条金属线15，如图10所示。在示例性的实施方式中，第三导电层可以称为第一源漏金属(SD1)层。
在示例性的实施方式中，第一过渡区220和第二过渡区240保留有无机绝缘层，第一过渡区220和第二过渡区240可以被称为无机绝缘层保留区域。第一过渡区220靠近显示区域100的一侧，如引线区210，的无机绝缘层被去除，第二过渡区240远离显示区域100的一侧，如绑定引脚区250，的无机绝缘层被去除，引线区210和绑定引脚区250可以被称为无机绝缘层去除区域。本申请的发明人经研究发现，第一过渡区220与引线区210的交界区域和第二过渡区240与绑定引脚区250的交界区域都呈现出高低段差的结构而是容易发生金属线断裂的区域。本公开可以通过在第一过渡区220和第二过渡区240设置结构孔来降低发生金属线断裂的风险。
在示例性的实施方式中，第一过渡区220可以包括第一结构孔50，第一过渡区220的第一结构孔50可以设置在金属线15上。第一结构孔50的深度可以等于金属线15的厚度，即第一结构孔50可以是贯通金属线的通孔。
在示例性的实施方式中，第二过渡区240可以包括第二结构孔51，第二过渡区240的第二结构孔51可以设置在金属线15上。第二结构孔51的深度可以等于金属线15的厚度，即第二结构孔51可以是贯通金属线的通孔。
图11为本公开示例性实施例的一种第一结构孔的结构示意图，为图10中A处的局部放大示意图。如图11所示，第一过渡区220和引线区210之间具有第一交界位置Q1。相对于第一交界位置Q1，第一过渡区220的多个第一结构孔50可以设置在第一过渡区220靠近第一交界位置Q1的区域，
在示例性的实施方式中，第一过渡区220可以包括第一爬坡区221和第一平坦区222，第一爬坡区221可以位于第一交界位置Q1远离引线区210的一侧，第一平坦区222可以位于第一爬坡区221远离第一交界位置Q1的一侧。
在示例性的实施方式中，多个第一结构孔50可以设置在第一平坦区222的金属线15上。
在示例性的实施方式中，在平行于基底的平面上，第一结构孔50的形状可以包括如下任意一种或者多种：三角形、矩形、五边形、六边形、圆形和椭圆形。
图12为本公开示例性实施例的一种第二结构孔的结构示意图，为图10中B处的局部放大示意图。如图12所示，第二过渡区240和绑定引脚区250之间具有第二交界位置Q2。相对于第二交界位置Q2，第二过渡区240的多个第二结构孔51可以设置在第二过渡区240靠近第二交界位置Q2的区域。
在示例性的实施方式中，第二过渡区240的金属线15可以包括第二爬坡区241和第二平坦区242，第二爬坡区241可以位于第二交界位置Q2远离绑定引脚区250的一侧，第二平坦区242可以位于第二爬坡区241远离第二交界位置Q2的一侧。
在示例性的实施方式中，多个第二结构孔51可以设置在第二平坦区242的金属线15上。
在示例性的实施方式中，在平行于基底的平面上，第二结构孔51的形状可以包括如下任意一种或者多种：三角形、矩形、五边形、六边形、圆形和椭圆形。
图13为本公开示例性实施例的一种第一结构孔的平面结构示意图，以圆形的结构孔为例。如图13所示，金属线15为沿着第一方向D1延伸的线形状，在第二方向D2，金属线15具有宽度W，金属线的宽度W可以为垂直于金属线的延伸方向(第二方向D2)的尺寸。在平行于基底的平面上，第一结构孔50的形状可以呈圆形且具有直径D。
在示例性的实施方式中，沿着第一方向D1，多个第一结构孔50可以具有相同的直径，即多个第一结构孔50可以具有相同的面积。
在示例性的实施方式中，沿着第一方向D1，多个第二结构孔51可以具有相同的直径，即多个第二结构孔51可以具有相同的面积。
在示例性的实施方式中，第一结构孔或第二结构孔的直径D可以大于或等于金属线的宽度W的1/4。
在示例性的实施方式中，第一结构孔或第二结构孔的直径D可以小于或等于金属线的宽度W的2/3。
图14A至图14E为本公开示例性实施例的金属线的制备过程示意图。在第一过渡区220的无机绝缘层14上沉积一层金属薄膜15，然后在金属薄膜15上涂敷一层光刻胶20(如图14A所示，本实施例中光刻胶为负性光刻胶)；之后采用掩模板30通过紫外光40曝光，光线透过完全透光区域使该区域成为完全曝光区域(如图14B所示)；显影后，完全曝光区域的光刻胶因不溶于显影液而完全保留，成为光刻胶完全保留区域，未曝光部分溶于显影液，成为光刻胶完全去除区域(如图14C所示)；之后通过刻蚀工艺去除光刻胶图案以外区域的金属薄膜(如图14D所示)；最后剥离剩余的光刻胶，形成具有结构孔50的图案的金属线15(如图14E所示)。
在示例性的实施方式中，也可以在金属薄膜上涂覆正性光刻胶来进行后续的曝光、显影等工序。
在示例性的实施方式中，可以利用类似的图案化方法，在前述图案的基底上涂覆膜层并图案化膜层而形成另外的层，包括但不限于，第一平坦层、第四导电层(第二源漏金属(SD2)层)、第二平坦层以及阳极导电(AND)层。
本公开通过在保留了无机绝缘层的区域(如第一过渡区或第二过渡区)内的金属线中设置至少一个结构孔，从而减少了图案化时涂覆光刻胶期间因相邻两个区域之间(如第一过渡区与引线区之间，或第二过渡区与绑定引脚区之间)的段差结构造成的光刻胶从高位置(如第一过渡区或第二过渡区)流向低位置(如引线区或绑定引脚区)的量，甚至完全阻止高位置处的光刻胶流向低位置，从而避免高位置处的光刻胶太薄而导致高位置金属裸露而被刻蚀，降低了金属发生断线的风险。
图15为本公开示例性实施例的另一种第一结构孔的结构示意图，为图10中A处的局部放大示意图。如图15所示，本实施例的显示基板的主体结构与前述实施例基本上相同，所不同的是，第一结构孔50可以设置在引线区210，多个第一结构孔50可以设置在引线区210靠近第一交界位置Q1的区域。
在示例性的实施方式中，引线区210的第一结构孔50可以设置在引线区210靠近第一过渡区220的区域，第一结构孔50可以设置在金属线15上。
在示例性的实施方式中，绑定引脚区250的第二结构孔51可以设置在绑定引脚区250靠近第二过渡区240的区域，第二结构孔51可以设置在金属线15上。
本公开通过在与保留了无机绝缘层的区域相邻的未保留无机绝缘层的区域(如与第一过渡区相邻的引线区或与第二过渡区相邻的绑定引脚区)内的金属线中设置至少一个结构孔，能够使高低位置处的光刻胶厚度趋于相同，从而也可以避免高位置处的光刻胶太薄而导致高位置处的金属裸露而被刻蚀，降低金属发生断线的风险。
图16为本公开示例性实施例的又一种第一结构孔的结构示意图，为图10中A处的局部放大示意图。如图16所示，本实施例的显示基板的主体结构与前述实施例基本上相同，所不同的是，第一结构孔50可以设置在引线区210和第一过渡区220两个位置中，多个第一结构孔50可以设置在引线区210靠近第一交界位置Q1的区域和第一过渡区220靠近第一交界位置Q1的区域。
在示例性的实施方式中，引线区210的第一结构孔50可以设置在引线区210靠近第一过渡区220的区域，第一结构孔50可以设置在金属线15上。第一过渡区220的第一结构孔50可以设置在第一过渡区220靠近引线区210的区域，第一结构孔50可以设置在金属线15上
在示例性的实施方式中，第二结构孔51可以设置在第二过渡区240和绑定引脚区250两个位置中。绑定引脚区250的第二结构孔51可以设置在绑定引脚区250靠近第二过渡区240的区域，第二结构孔51可以设置在金属线15上。第二过渡区240的第二结构孔51可以设置在第二过渡区240靠近绑定引脚区250的区域，第二结构孔51可以设置在金属线15上。
本公开通过在两个区域，即保留了无机绝缘层的区域(如第一过渡区或第二过渡区)和与其相邻的未保留无机绝缘层的区域(如与第一过渡区相邻的引线区或与第二过渡区相邻的绑定引脚区)，内的金属线中均设置有多个结构孔，从而减缓了高位置处的光刻胶流向低位置处，有益于使高低位置处的光刻胶厚度趋于相同，最大限度地避免了光刻胶厚度差异过大造成光刻胶厚度偏薄的高位置被刻蚀时发生金属断线的风险。
图17为本公开示例性实施例的另一种第一结构孔的平面结构示意图，以圆形结构孔为例。如图17所示，多个第一结构孔50可以采用面积渐变的结构。
在示例性的实施方式中，沿着远离显示区域100的方向，多个第一结构孔50的面积逐渐增加，或者，沿着靠近显示区域100的方向，多个第一结构孔50的面积逐渐增加。
在示例性的实施方式中，沿着远离第一过渡区220的方向，引线区210中多个第一结构孔50的面积逐渐增加。
在示例性的实施方式中，沿着远离引线区210的方向，第一过渡区220中多个第一结构孔50的面积逐渐增加。
在示例性的实施方式中，多个第二结构孔51可以采用面积渐变的结构。
在示例性的实施方式中，沿着远离绑定引脚区250的方向，第二过渡区240中多个第二结构孔51的面积逐渐增加。
在示例性的实施方式中，沿着远离第二过渡区240的方向，绑定引脚区250中多个第二结构孔51的面积逐渐增加。
图18为本公开示例性实施例的又一种第一结构孔的平面结构示意图，以椭圆形的结构孔为例。如图18所示，金属线15为沿着第一方向D1延伸的线形状，在第二方向D2，金属线15具有宽度W，即金属线的宽度为垂直于金属线的延伸方向的尺寸。在平行于基底的平面上，第一结构孔50的形状可以呈椭圆形，具有沿着第二方向D2延伸的长轴L1和沿着第一方向D1延伸的短轴L2。多个第一结构孔50可以采用椭圆形的面积渐变的结构。
在示例性的实施方式中，沿着远离第一过渡区220的方向，引线区210中多个第一结构孔50的面积逐渐增加。
在示例性的实施方式中，沿着远离引线区210的方向，第一过渡区220中多个第一结构孔50的面积逐渐增加。
在平行于基底的平面上，第二结构孔51的形状可以呈椭圆形，具有沿着第二方向D2延伸的长轴L1和沿着第一方向D1延伸的短轴L2，多个第二结构孔50可以采用椭圆形的面积渐变的结构。
在示例性的实施方式中，沿着远离绑定引脚区250的方向，第二过渡区240中多个第二结构孔51的面积逐渐增加。
在示例性的实施方式中，沿着远离第二过渡区240的方向，绑定引脚区250中多个第二结构孔51的面积逐渐增加。
在示例性的实施方式中，第一结构孔或第二结构孔的长轴L1可以小于或等于金属线的宽度W的2/3。
在示例性的实施方式中，第一结构孔或第二结构孔的短轴L2可以大于或等于金属线的宽度W的1/4。
第一结构孔或第二结构还可以具有其他形状、尺寸或排布方式，在此不再赘述。
本公开通过在保留了无机绝缘层的区域(如第一过渡区或第二过渡区)和与其相邻的未保留无机绝缘层的区域(如与第一过渡区相邻的引线区或与第二过渡区相邻的绑定引脚区)中的至少一个区域中设置至少一个结构孔并通过改变结构孔的数量、形状、尺寸等参数也可以进一步降低或减缓高位置的光刻胶向低位置的流动，使高低位置处的光刻胶厚度趋于相同，避免了光刻胶厚度差异过大造成光刻胶厚度偏薄的高位置被刻蚀时发生金属断线的风险。
图19为本公开示例性实施例的另一种显示基板的结构示意图。如图19所示，第一过渡区220和第二过渡区240保留有无机绝缘层，第一过渡区220和第二过渡区240可以被称为无机绝缘层保留区域。第一过渡区220靠近显示区域100的一侧的无机绝缘层被去除，第二过渡区240远离显示区域100的一侧的无机绝缘层被去除，引线区210和绑定引脚区250可以被称为无机绝缘层去除区域。本申请的发明人经研究发现，第一过渡区220与引线区210的交界区域和第二过渡区240与绑定引脚区250的交界区域都呈现出高低段差的结构而是容易发生金属线断裂的区域。本公开可以通过在第一过渡区220和第二过渡区240设置结构孔来降低发生金属线断裂的风险。
在示例性的实施方式中，第一过渡区220可以包括第三结构孔60，第一过渡区220的第三结构孔60可以设置在无机绝缘层14上。第三结构孔60的深度可以等于无机绝缘层14的厚度，即第三结构孔60可以是贯通无机绝缘层的通孔。
在示例性的实施方式中，第二过渡区240可以包括第四结构孔61，第二过渡区240的第四结构孔61可以设置在无机绝缘层14上。第四结构孔61的深度可以等于无机绝缘层14的厚度，即第四结构孔61可以是贯通金属线的通孔。
图20为本公开示例性实施例的一种第三结构孔的结构示意图，为图19中A处的局部放大示意图。如图20所示，第一过渡区220和引线区210之间具有第一交界位置Q1。相对于第一交界位置Q1，第一过渡区220的多个第三结构孔60可以设置在第一过渡区220靠近第一交界位置Q1的区域。
在示例性的实施方式中，第一过渡区220的第三结构孔60可以设置在第一过渡区220靠近引线区210的区域，第三结构孔60可以设置在无机绝缘层14上。
在示例性的实施方式中，金属线15覆盖第三结构孔60的孔壁和孔底。
在示例性的实施方式中，在平行于基底的平面上，第三结构孔60的形状可以包括如下任意一种或者多种：三角形、矩形、五边形、六边形、圆形和椭圆形。
图21为本公开示例性实施例的一种第四结构孔的结构示意图，为图19中B处的局部放大示意图。如图21所示，第二过渡区240和绑定引脚区250之间具有第二交界位置Q2。相对于第二交界位置Q2，第二过渡区240的多个第四结构孔61可以设置在第二过渡区240靠近第二交界位置Q2的区域。
在示例性的实施方式中，第二过渡区240的第四结构孔61可以设置在第二过渡区240靠近绑定引脚区250的区域，第四结构孔61可以设置在无机绝缘层14上。
在示例性的实施方式中，金属线15覆盖第四结构孔61的孔壁和孔底。
在示例性的实施方式中，在平行于基底的平面上，第四结构孔61的形状可以包括如下任意一种或者多种：三角形、矩形、五边形、六边形、圆形和椭圆形。
在示例性的实施方式中，第三结构孔或第四结构孔可以呈圆形且具有直径D。
在示例性的实施方式中，沿着第一方向D1，第三结构孔或第四结构孔可以具有相同的直径，即第三结构孔或第四结构孔可以具有相同的面积。
在示例性的实施方式中，第三结构孔或第四结构孔可以采用面积渐变的结构。
在示例性的实施方式中，第三结构孔或第四结构孔的直径D可以大于或等于金属线的宽度W的1/4且小于或等于金属线的宽度W的2/3。
在示例性的实施方式中，第三结构孔或第四结构孔呈椭圆形且具有沿着第二方向D2延伸的长轴L1和沿着第一方向D1延伸的短轴L2。
在示例性的实施方式中，第三结构孔或第四结构孔可以采用椭圆形的面积渐变的结构。
在示例性的实施方式中，第三结构孔或第四结构孔的长轴L1可以小于或等于金属线的宽度W的2/3且短轴L2可以大于或等于金属线的宽度W的1/4。
在示例性的实施方式中，类似于图9和图10所示的方法在基底上叠设形成无机绝缘层，并通过类似于图14A到14E的方法在无机绝缘层上形成多个结构孔。
本公开通过在保留了无机绝缘层的区域(如第一过渡区或第二过渡区)内的无机绝缘层中设置至少一个结构孔，这样当图案化工艺形成金属线时，金属会沉积到无机绝缘层的结构孔中形成金属凹坑，在涂覆光刻胶时，由于光刻胶会填充多个金属凹坑，增加了光刻胶与金属层的摩擦力，因而也可以降低或减缓高位置处的光刻胶流向低位置，从而避免高位置处的光刻胶太薄导致高位置金属裸露而被刻蚀。
本公开示例性实施例显示基板的结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。在示例性的实施方式中，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少图案化工艺，本公开在此不做限定。
在示例性的实施方式中，本公开显示基板可以应用于具有像素驱动电路的显示装置中，如OLED、量子点显示(QLED)、发光二极管显示(Micro LED或Mini LED)或量子点发光二极管显示(QDLED)等，本公开在此不做限定。
本公开还提供了一种显示基板的制备方法，显示基板包括显示区域和位于显示区域一侧的绑定区域，绑定区域包括沿着远离显示区域的方向依次设置的引线区、第一过渡区、弯折区、第二过渡区以及绑定引脚区；制备方法包括：
在引线区和绑定引脚区形成设置在基底上的复合绝缘层以及设置在复合绝缘层远离基底的一侧的金属线，在第一过渡区和第二过渡区形成设置在基底上的复合绝缘层、设置在复合绝缘层远离基底的一侧的无机绝缘层以及设置在无机绝缘层远离基底的一侧的金属线；绑定区域还形成有维持第一过渡区和第二过渡区的光刻胶厚度的结构孔。
本公开还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (19)

1.一种显示基板，其特征在于，包括显示区域和位于所述显示区域一侧的绑定区域，所述绑定区域包括沿着远离所述显示区域的方向依次设置的引线区、第一过渡区、弯折区、第二过渡区以及绑定引脚区；在垂直于所述显示基板的平面上，所述引线区和所述绑定引脚区包括设置在基底上的复合绝缘层以及设置在所述复合绝缘层远离所述基底的一侧的金属线，所述第一过渡区和所述第二过渡区包括设置在所述基底上的复合绝缘层、设置在所述复合绝缘层远离所述基底的一侧的无机绝缘层以及设置在所述无机绝缘层远离所述基底的一侧的金属线；所述绑定区域还设置有维持所述第一过渡区和所述第二过渡区的光刻胶厚度的结构孔。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述引线区、所述第一过渡区、所述第二过渡区以及所述绑定引脚区中的至少一个或多个中设置有至少一个结构孔，所述结构孔设置在所述金属线上。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述结构孔包括第一结构孔，所述第一结构孔设置在如下任意一个或多个位置：所述引线区和所述第一过渡区。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述引线区的第一结构孔设置在所述引线区靠近所述第一过渡区的区域，所述第一过渡区的第一结构孔设置在所述第一过渡区靠近所述引线区的区域。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一过渡区包括第一爬坡区和第一平坦区，所述第一爬坡区位于所述第一过渡区靠近所述引线区的一侧，所述第一平坦区位于所述第一爬坡区远离所述引线区的一侧，所述第一结构孔设置在所述第一平坦区的金属线上。
6.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述结构孔包括第二结构孔，所述第二结构孔设置在如下任意一个或多个位置：所述绑定引脚区和所述第二过渡区。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述绑定引脚区的第二结构孔设置在所述绑定引脚区靠近所述第二过渡区的区域，所述第二过渡区的第二结构孔设置在所述第二过渡区靠近所述绑定引脚区的区域。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第二过渡区包括第二爬坡区和第二平坦区，所述第二爬坡区位于所述第二过渡区靠近所述绑定引脚区的一侧，所述第二平坦区位于所述第二爬坡区远离所述绑定引脚区的一侧，所述第二结构孔设置在所述第二平坦区的金属线上。
9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一过渡区和所述第二过渡区中的至少一个或多个中设置有至少一个结构孔，所述结构孔设置在所述无机绝缘层上。
10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述结构孔包括第三结构孔和第四结构孔，所述第三结构孔设置在所述第一过渡区中，所述第四结构孔设置在所述第二过渡区中。
11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述第三结构孔设置在所述第一过渡区靠近所述引线区的区域中，所述第四结构孔设置在所述第二过渡区靠近所述绑定引脚区的区域中。
12.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述金属线覆盖所述第三结构孔的孔壁和孔底，所述金属线覆盖所述第四结构孔的孔壁和孔底。
13.根据权利要求1-12中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述结构孔的形状包括如下任意一种或多种：三角形、矩形、五边形、六边形、圆形和椭圆形。
14.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，所述结构孔的形状为圆形，所述结构孔的直径大于或等于所述金属线的宽度的1/4，所述结构孔的直径小于或等于所述金属线的宽度的2/3，所述金属线的宽度为垂直于所述金属线的延伸方向的尺寸。
15.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，多个所述结构孔的面积相同。
16.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，沿着远离所述显示区域的方向，多个所述结构孔的面积逐渐增加，或者，沿着靠近所述显示区域的方向，多个所述结构孔的面积逐渐增加。
17.根据权利要求16所述的显示基板，其特征在于，沿着远离所述第一过渡区的方向，所述引线区中多个所述结构孔的面积逐渐增加；沿着远离所述引线区的方向，所述第一过渡区中多个所述结构孔的面积逐渐增加；沿着远离所述绑定引脚区的方向，所述第二过渡区中多个所述结构孔的面积逐渐增加；沿着远离所述第二过渡区的方向，所述绑定引脚区中多个所述结构孔的面积逐渐增加。
18.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至17中任一项所述的显示基板。
19.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域一侧的绑定区域，所述绑定区域包括沿着远离所述显示区域的方向依次设置的引线区、第一过渡区、弯折区、第二过渡区以及绑定引脚区；所述制备方法包括：
在所述引线区和所述绑定引脚区形成设置在基底上的复合绝缘层以及设置在所述复合绝缘层远离所述基底的一侧的金属线，在所述第一过渡区和所述第二过渡区形成设置在所述基底上的复合绝缘层、设置在所述复合绝缘层远离所述基底的一侧的无机绝缘层以及设置在所述无机绝缘层远离所述基底的一侧的金属线；所述绑定区域还形成有维持所述第一过渡区和所述第二过渡区的光刻胶厚度的结构孔。
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